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二极管的特性与应用及英文代码含义

二极管的工作原理

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

二极管的类型

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

二极管的导电特性

二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

1. 正向特性。

在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。

2. 反向特性。

在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

二极管的主要参数

用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：

1、额定正向工作电流

是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。

2、最高反向工作电压

加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。

3、反向电流

反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

半导体二极管参数符号及其意义

CT---势垒电容

Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF（AV）---正向平均电流

IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov)---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR（AV）---反向平均电流

IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IDR---晶闸管断态平均重复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

Irp---反向恢复电流

Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流

Izk---稳压管膝点电流

IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---反向恢复电流

Iop---工作电流

Is---稳流二极管稳定电流

f---频率

n---电容变化指数；电容比

Q---优值（品质因素）

δvz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

PB---承受脉冲烧毁功率

PFT（AV）---正向导通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

Pd---耗散功率

PG---门极平均功率

PGM---门极峰值功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

Pi---输入功率

PK---最大开关功率

PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Pomax---最大输出功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RE---射频电阻

RL---负载电阻

Rs(rs)----串联电阻

Rth----热阻

R(th)ja----结到环境的热阻

Rz(ru)---动态电阻

R(th)jc---结到壳的热阻

r δ---衰减电阻

r(th)---瞬态电阻

Ta---环境温度

Tc---壳温

td---延迟时间

tf---下降时间

tfr---正向恢复时间

tg---电路换向关断时间

tgt---门极控制极开通时间

Tj---结温

Tjm---最高结温

ton---开通时间

toff---关断时间

tr---上升时间

trr---反向恢复时间

ts---存储时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

a---温度系数

λp---发光峰值波长

△λ---光谱半宽度

η---单结晶体管分压比或效率

VB---反向峰值击穿电压

Vc---整流输入电压

VB2B1---基极间电压

VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降

VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）

△VF---正向压降差

VDRM---断态重复峰值电压

VGT---门极触发电压

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

VF（AV）---正向平均电压

Vo---交流输入电压

VOM---最大输出平均电压

Vop---工作电压

Vn---中心电压

Vp---峰点电压

VR---反向工作电压（反向直流电压）

VRM---反向峰值电压（最高测试电压）

V（BR）---击穿电压

Vth---阀电压（门限电压）

VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM---反向工作峰值电压

V v---谷点电压

Vz---稳定电压

△Vz---稳压范围电压增量

Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

av---电压温度系数

Vk---膝点电压（稳流二极管）

VL ---极限电压

二极管的识别

小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极）,也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

2 光电二级管特性

课程设计任务书课程设计任务书

目录：实验目的 (1) 实验内容 (1) 实验仪器 (1) 实验原理 (1) 注意事项 (4) 实验步骤 (5) 实验结果 (12) 实验总结 (15) 参考文献 (15)

光电二极管特性测试实验一、实验目的 1、学习光电二极管的基本工作原理； 2、掌握光电二极管的基本特性参数及其测量方法，并完成对其光照灵敏度、伏安特性、时间响应特性和光谱响应特性的测量； 3、通过学习，能够对其他光伏器件有所了解。二、实验内容 1、光电二极管暗电流测试实验 2、光电二极管伏安特性测试实验 3、光电二极管光照特性测试实验 4、光电二极管时间特性测试实验 5、光电二极管光谱特性测试实验三、实验仪器 1、光电二极管综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1个 4、电源线 1根 5、2#迭插头对（红色，50cm） 10根 6、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本四、实验原理 1、概述随着光电子技术的发发展,光电检测在灵敏度、光谱响应范围及频率我等技术方面要求越来越高，为此，近年来出现了许多性能优良的光伏检测器，如硅锗光电二极管、PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD）等。光敏晶体管通常指光电二极管和光电三极管，通常又称光敏二极管和三敏三极管。光敏二极管的种类很多，就材料来分，有锗、硅制作的光敏二极管，也有III－V族化合物及其他化合物制作的二极管。从结构我来分，有PN结、PIN结、异质结、肖特基势垒及点接触型等。从对光的响应来分，有用于紫外光、红外光等种类。不同种类的光敏二极管，具胡不同的光电特性和检测性能。例如，锗光敏二极管与硅光敏二极管相比，它在红外光区域有很大的灵敏度，如图所示。这是由于锗材料的禁带宽度较硅小，它的本征吸收限处于红外区域，因此在近红外光区域应用；再一方面，锗光敏二极管有较大的电流输出，但它比硅光敏二极管有较大的反向暗电流，因此，它的噪声较大。又如，PIN型或雪崩型光敏二极管与扩散型PN结光敏二极管相比具有很短的时间响应。因此，在使用光敏二极管进要了解其类型及性能是非常重要的。光敏二极管和光电池一样，其基本结构也是一个PN结。与光电池相比，它的突出特点是结面积小，因此它的频率特性非常好。光生电动势与光电池相同，

肖特基二极管特性详解(经典资料)分析

肖特基二极管特性详解我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。表1 导通压降与导通电流测试数据

奶业英文缩写含义

TPI－总性能指数(产奶量.乳脂率.体型三个重要性状加权后综合) BLUP－最佳线性无偏预测值(群体遗传进展的最佳统计方法) Test—Day Model 测定日模型(育种值) PTA－预期传递力、公牛育种值的1/2 (代表公牛育种值的高低) LPI－终生效益指数TEV－总经济价值STA －标准化遗传力ETA－估计传递力EBV－估计育种值EBVM－产奶量估计育种值EBVF－乳脂量估计育种值EBVP－乳蛋白量估计育种值EBVFC－外貌等级分估计育种值EBVFL－肢蹄估计育种值EBCMS-泌乳系统估计育种值ACF－平均分娩次数（LC胎次计数）H－牛群数D－女儿数（DAUS）R%－重复力（预期遗传力可靠性）A VG－平均值NM－效益净值PL－利用年限M－产奶量F－脂肪量P－蛋白量F%－乳脂率P%－乳蛋白率ME－产奶成年当量LACT－泌乳期DOC－产犊年龄DIM（DAYS）－产奶天数YR(AGE)－年龄2X(3X)－日挤奶2次或3次T－体型Conf－结构FC－最终级别FrC骨架（容积）MS－泌乳系统UD(UDC)－乳房综合指数FL（FLC）－肢蹄BD－体容积D－乳用性EX(E)－优秀VG(V)－优良GP－好加G－好F－一般P－差GM－公牛金牌GMD（DOM）－母牛金牌SP－超级生产奖ST－超级外貌奖EXTRA－特别奖（同时获得超级生产奖和超级外貌奖）ET－胚胎移植RC－红色基因携带者NDF－中性洗涤纤维ADF－酸性洗涤纤维EFNDF－有效中性洗涤纤维NFC－非纤维碳水化合物NSC－非结构性碳水化合物ME－奶牛成年平均产奶量TDN－总可消化养分DM－饲料干物质NE－净能NEL－产奶净能CP－粗蛋白质RDP－可降解蛋白质UDP－非降解蛋白质Ash －粗灰分Lactose－乳糖SNF－非脂固形物(非脂干物质) SCS－体细胞分

APD光电二极管特性测试实验

APD光电二极管特性测试实验一、实验目的 1、学习掌握APD光电二极管的工作原理 2、学习掌握APD光电二极管的基本特性 3、掌握APD光电二极管特性测试方法 4、了解APD光电二极管的基本应用二、实验内容 1、APD光电二极管暗电流测试实验 2、APD光电二极管光电流测试实验 3、APD光电二极管伏安特性测试实验 4、APD光电二极管雪崩电压测试实验 5、APD光电二极管光电特性测试实验 6、APD光电二极管时间响应特性测试实验 7、APD光电二极管光谱特性测试实验三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1台 4、光敏电阻及封装组件 1套 5、2#迭插头对（红色，50cm） 10根 6、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 9、示波器 1台四、实验原理雪崩光电二极管APD—Avalanche Photodiode是具有内部增益的光检测器，它可以用来检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。当PN结上加高的反偏压时，耗尽层的电场很强，光生载流子经过时就会被电场加速，当电场强度足够高(约3x105V／cm)时，光生载流子获得很大的动能，它们在高速运动中与半导体晶格碰撞，使晶体中的原子电离，从而激发出新的电子一空穴对，这种现象称为碰撞电离。碰撞电离产生的电子一空穴对在强电场作用下同样又被加速，重复前一过程，这样多次碰撞电离的结果使载流子迅速增加，电流也迅速增大，这个物理过程称为雪崩倍增效应。图6-1为APD的一种结构。外侧与电极接触的P区和N区都进行了重掺杂，分别以P+和N+表示；在I区和N+区中间是宽度较窄的另一层P区。APD工作在大的反偏压下，当反偏压加大到某一值后，耗尽层从N+-P结区一直扩展(或称拉通)到P+区，包括了中间的P层区和I区。图4的结构为拉通型APD的结构。从图中可以看到，电场在I区分布较弱，而在N+-P区分布较强，碰撞电离区即雪崩区就在N+-P区。尽管I区的电场比N+-P区低得多，但也足够高(可达2x104V／cm)，可以保证载流子达到饱和漂移速度。当入射光照射时，由于雪

二极管的特性与应用

二极管的特性与应用几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si 管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称

各英文缩写代表的意思

各英文缩写代表的意思一、A类 AAA1美国会计协会2美国广告协会3美国商务仲裁协会 AAL美国航空公司 https://www.wendangku.net/doc/0011607009.html,英国商会联合会 ABS美国运局 AC加拿大航空公司 ACC美国商会 A.E.A美国经济协会 AF法国航空公司 AFEB指定外汇银行 AFRASEC亚非经济合作组织 AGM年度大会 AID国际开发署 AMA美国管理协会 Amex美国证券交易所 ADB亚洲开发银行 APEC亚太经济合作组织AIDS艾滋病ACPC咖啡产国协会 AUS 澳大利亚 AUT奥利地二、B类 BBS论坛BSE疯牛病 BLR保加利亚 BEL比利时 BIH波黑 BRA巴西三、C类 CEO首席执行官CS反恐精英CAAC中国名航CET大学英语等级考试CN1硝酸纤维素2十六烷值3染色体数4英联邦国家5合同号 Cn(域)中国CCTV中央电视台CIA美国中情局 CAN加拿大 CHN中国 CHN TPE 中国台北 CRO克罗地亚 CZE捷克 CPU中央处理单元 CBO首席品牌官 CCO首席文化官 CDO开发总监 CFO首席财务官 CHO人事总监

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二极管的特性与应用及英文代码含义

二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 2. 反向特性。

一,概念二,英文缩写及其含义

一、概念二、英文缩写及其含义一、概念： 1、芯片组：是电脑微处理器CPU与、调制解调器、驱动器等其它部件的控制芯片之间建立数据通讯的纽带，它在电脑中处于举足轻重的协调地位。 2、CMM/SEI:CMM简介：全称为SW_CMM(CapabilityMaturityModelForSoftware)简称“CMM”，即：软件生产能力成熟度模型。是美国卡内基梅隆大学软件工程研究所（CMU SEI）1987年的研究成果。是一种用于评价软件承包商能力并帮助改善软件质量的方法。其目的是帮助软件企业对软件工程过程进行管理和改进，增强开发与改进能力，从而能按时地、不超预算地开发出高质量的软件。其依据的想法是：只要集中精力持续努力去建立有效的软件工程的基础结构，不断进行管理的实践和过程的改进，就可以克服软件生产中的困难。CMM它是目前国际上最流行、最实用的一种软件生产过程标准，已得到了国际软件产业界的认可，成为当今企业从事规模软件生产不可缺少的一项内容。CMM标准共分五级，第五级为最高，即优化级。 3、GIS: 地理信息系统（Geographic Information Systems，简称GIS）是专门用于采集、存储、管理、分析和表达空间数据的信息系统，兼具"工具"、"资源"和"学科"三大属性。其"工具"属性是指为人们采用数字形式表示和分析现实空间世界的一系列空间操作和分析方法，包括综合地存储管理人们研究和解决空间问题所需的各种空间数据，查询、检索空间分布信息和进行各种统计计算、列表制图，进行多因素的综合研究、决策方案的模拟优化等。GIS的"资源" 属性是指将单一分散的数据资料和科学积累集成起来，成为研究和解决空间问题所需的综合信息资源。就"学科"属性而言，GIS主要是研究现实世界空间实体及其相互间关系的描述和表达，在计算机环境下的空间数据组织、存取、分析、可视化，以及应用系统的设计、数据集成和业务化运作等。GIS有着相对独特的研究对象和技术体系，正在逐步地发展形成一门关于空间信息处理分析的科学技术。 GIS应用范围非常广泛。它不但在资源环境的管理与规划中发挥作用，而且逐渐成为城市交通设施管理和工程建设、商业策划、灾害防治、军事战略分析等领域的重要工具，并逐步走进人们的日常生活之中。GIS与数据库技术、通信技术一样，已成为现代信息技术的重要组成部分二、英文缩写及其含义：

二极管的基本特性与应用(精)

几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流” 电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1、正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 2、反向特性在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。二极管的主要参数用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数： 1、额定正向工作电流是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 2、最高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工

汽车英文缩写及保险丝含义

?奥迪英文缩写含义 ?ABS：防抱死制动系统，在保证足够的制动力时，具有良好的转向能力； ?EBV：制动压力分配系统（集成在ABS系统内部），调整各个车轮的制动压力，减少后轮的制动压力，防止甩尾，EBV—德文缩写 = EBPD—英文缩写； ?ASR：驱动防滑装置，英文缩写TCS，在驱动轮打滑时，推迟点火提前角，间歇关闭喷油器（即减小喷油量），实现降速增扭，进而使加速平稳。 ?EDS：电子差速锁，英文缩写：EDL电子差速锁。用于车辆在光滑的路面起步，可使打滑的车轮停转，把扭矩传给不打滑的车轮 ?3、电气——仪表显示17： ?仪表背光：红色为德国产、白色为中国产； ?时钟：国产为电子时钟，原装为电子和模拟时钟同时生产； ?EPC灯：发动机电控系统指示灯（说明书有误），KEY-ON，亮3秒后熄灭——系统正常； ?ASR警告灯（驱动防滑系统）：当把副仪表台上的ASR按钮按下去时，表示断开ASR功能，此时ASR灯常亮；行驶中ASR有故障，此灯连续闪亮；行驶中ABS有故障时，此灯连续闪亮。 ?防盗指示灯：用未经授权的钥匙起动车辆时，此灯闪烁，然后锁定发动机电控系统 CMP凸轮轴传感器 CKP曲轴传感器 IAT进气温度 MAF空流 BARO本田汽车大气压力传感器 VAD真空电磁阀

别克汽车 MIL 发动机排放指示灯，排放或油耗超标 ANTI-LOCK 防抱死制动系统警告灯 TRAC OFF 牵引力控制系统警告灯，该灯有个控制按钮，在转向柱左边 LOW TRAC 全变速范围牵引力控制系统作用显示灯该灯亮起证明TCS统统工作，正在控制驱动轮扭矩 LOW COOLANT 冷却液液位低警告灯， LOW TIRE 轮胎压力监控灯，该灯亮起说明汽车4个轮胎气压不平衡，需检查胎压，此等复位在仪表右方保险丝盒处有个红色按钮，（REST) 按5秒即可CHANGE OIL SOON立即更换机油指示灯， SECURITY 安全灯，该灯亮起证明车的防盗系统处于锁止状态 LOW WASH 清洗液液位指示灯 DOOR/TRUNK 车门行李箱未关紧警告灯 TEAP 指的是水温 RPM 指的是转速 FUEL 指的是满箱油 BREA 指的是故障马自达保险 RELAY 继电器 HORN 喇叭 AD FAN# RELAY 3号风扇继电器 ST RELAY 启动继电器 BOSE RELAY 未知 DEFOG RELAY 除霜继电器 DEICER RELAY 除雾冰

(完整版)生物化学重点名词英文缩写

生物化学英文缩写第一章蛋白质氨基酸分类 1、非极性脂肪族氨基酸Gly 甘氨酸 Ala 丙氨酸 Val 缬氨酸 Leu 亮氨酸 Ile 异亮氨酸 Pro 脯氨酸 2、极性中性氨基酸 Ser 丝氨酸 Cys 半胱氨酸 Met 蛋氨酸 Asn 天冬酰胺 Gln 谷氨酰胺 Thr 苏氨酸 3、芳香族氨基酸 Phe 苯丙氨酸 Trp 色氨酸 Tyr 酪氨酸 4、酸性氨基酸 Asp 天冬氨酸 Glu 谷氨酸 5、碱性氨基酸 Lys 赖氨酸 Arg 精氨酸 His 组氨酸 Hb 血红蛋白 Mb 肌红蛋白 PrP 阮病毒蛋白 PI 等电点 CD 圆二色光谱 NMR 核磁共振技术第二章核酸 cAMP 环腺苷酸 HGP 人类基因组计划 hnRNA 不均一核RNA m7GpppN 7-甲基鸟嘌呤-三磷酸核苷 CBP 帽结合蛋白 PABP poly（A）结合蛋白 ORF 开放阅读框 DHU 双氢尿嘧啶 ψ假尿嘧啶核苷 m G，m A 甲基化嘌呤 snmRNA 非mRNA小RNA snRNA 核内小RNA snoRNA 核仁小RNA scRNA 胞质小RNA siRNA 小片段干扰RNA 第三章酶 NAD+尼克酰胺腺嘌呤二核苷酸，辅酶I NADP+尼克酰胺腺嘌呤二核苷酸磷酸，辅酶II FMN 黄素单核苷酸 FAD 黄素腺嘌呤核苷酸 LDH 乳酸脱氢酶 CK 肌酸激酶 PCR 聚合酶链反应 BAL 二巯基丙醇 PAM 解磷定

第四章糖代谢 SGLT Na 依赖型葡萄糖转运体 GLUT 依赖一类葡萄糖转运体 G-6-P 6-磷酸葡萄糖 PEK-1 6-磷酸果糖激酶-1 PEP 磷酸烯醇式丙酮酸 FBP-2 果糖二磷酸酶-2 TAC 三羧酸循环（TCA循环）GSH 谷胱甘肽 UDPG 尿苷二磷酸葡萄糖UDPGA尿苷二磷酸葡萄糖醛酸PKA 蛋白激酶A 第五章脂类代谢 FA 脂肪酸 PG 前列腺素 TX 血栓烷 LTs 白三烯 CM 乳糜微粒 FFA 游离脂肪酸 HSL 激素敏感性甘油三酯脂酶ACP 酰基载体蛋白 VLDL 极低密度脂蛋白 LDL 低密度脂蛋白 IDL 中密度脂蛋白 HDL 高密度脂蛋白 SRS-A 过敏反应的慢反应物质 5-HPETE 氢过氧化廿碳四烯酸PA 磷脂酸 PIP 2 磷脂酰肌醇-4，5-二磷酸 IP 3 三磷酸肌醇 RCDP 康-亨综合症 MV A 甲羟戊酸 SCP 固醇载体蛋白 CE 胆固醇酯 LRP LDL受体相关蛋白 HL 肝脂酶 FC 游离胆固醇 CERP 胆固醇流出调节蛋白LCAT 卵磷脂胆固醇脂肪酰转移酶第六章生物氧化 Fe-S 铁硫中心 CoQ 辅酶Q（泛醌） F P 2 黄素蛋白-2（人复合体2） Cyt 细胞色素 OSCP 寡霉素敏感蛋白 DNP 二硝基苯酚 mtDNA 线粒体DNA CP 磷酸肌酸 ROS 反应活性氧类（自由基） SOD 超氧物歧化酶第七章氨基酸代谢 GPT 谷丙转氨酶 ALT 丙氨酸转氨酶 GOT 谷草转氨酶 AST 天冬氨酸转氨酶 IMP 次黄嘌呤核苷酸 CPS-I 氨基甲酰磷酸合成酶I AGA N-乙酰谷氨酸 OCT 鸟氨酸氨基甲酰转移酶 5-HT 5-羟色胺 FH 4 四氢叶酸 SAM S-腺苷甲硫氨酸 NOS 一氧化氮合酶第八章核苷酸代谢 HGPRT 次黄嘌呤-鸟嘌呤磷酸核糖转移酶PRPP 磷酸核糖焦磷酸 6MP 6-巯基嘌呤 MTX 甲氨蝶呤 5-FU 5-氟尿嘧啶 FUTP 三磷酸氟尿嘧啶核苷

实验五二极管特性及应用

实验四二极管特性曲线及应用一、实验目的 1. 了解二极管的单向导电特性。 2. 学习二极管极性及性能是否良好的判断方法。 3. 用仿真软件仿真测试和二极管的伏安特性曲线。二、实验原理二极管，是电子元件当中一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。许多二极管的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode ）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying ）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性，而是较为复杂的非线性电子特征。晶体二极管为一个由p 型半导体和n 型半导体形成的pn 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN 结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN 结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，电流迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V ，锗管约为0.1V 。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V ，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V 。外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅（a ）（b ）（c ）（d ）图3.1 常见二极管的符号

质量体系中英文缩写与含义

质量管理体系中英文缩写与其解释 Abbreviations and their explanations 缩写与其解释 Engineering 工程 / Process 工序（制程） 4M&1E Man, Machine, Method, Material, Environment 人，机器，方法，物料，环境- 可能导致或造成问题的根本原因 AI Automatic Insertion 自动插机 ASSY Assembly 制品装配 ATE Automatic Test Equipment 自动测试设备 BL Baseline 参照点 BM Benchmark 参照点 BOM Bill of Material 生产产品所用的物料清单 C&ED/CAED Cause and Effect Diagram 原因和效果图 CA Corrective Action 解决问题所采取的措施 CAD Computer-aided Design 电脑辅助设计.用于制图和设计3维物体的软件 CCB Change Control Board 对文件的要求进行评审，批准，和更改的小组 CI Continuous Improvement 依照短期和长期改善的重要性来做持续改善 COB Chip on Board 邦定-线焊芯片到PCB 板的装配方法. CT Cycle Time 完成任务所须的时间 DFM Design for Manufacturability 产品的设计对装配的适合性 DFMEA Design Failure Mode and Effect Analysis 设计失效模式与后果分析--在设计阶段预测问题

二极管特性及应用实验

姓名班级________学号____ 实验日期__节次教师签字成绩二极管的特性研究及其应用一．实验目的 1.通过二极管的伏安特性的绘制，加强对二极管单向导通特性的理解； 2.了解二极管在电路中的一些应用； 3，学习自主设计并分析实验二．实验内容： 1.二极管伏安特性曲线绘制； 2.交流条件下二极管电压波形仿真； 3.二极管应用电路三．实验仪器稳压电源RIGOL DS5102CA FLUKE190型测试仪；1N4001二极管若干；函数信号发生器 TFG2020G ；电阻若干；四．实验步骤 1.二极管伏安特性曲线绘制；二极管测试电路

（1）创建电路二极管测试电路；（2）调整V1电源的电压值，记录二极管的电流与电压并填入表1；（3）调整V2电源的电压值，记录二极管的电流与电压并填入表2；（4）根据实验结果，绘制二极管的伏安特性。表一 V1 200mv 300mv 400mv 500mv 600mv 700mv 800mv 1v 2v 3v ID VD 表二 V1 I D V D 绘制U—I图: 2．交流条件下二极管电压波形仿真；

D1 1N4001GP R1 100Ω V16 Vpk 100 Hz 0° XSC1 A B C D G T 2 1 仿真电路图仿真结果

3.二极管应用电路（1）桥式整流电路 D1 1N4001 D2 1N4001 D3 1N4001 D4 1N4001 V115 Vpk 60 Hz 0° R1100Ω 1 3 45 用示波器测量R1两端波形，并记录

桥式整流电路仿真 D1 1N4001 D21N4001 D3 1N4001 D41N4001 V115 Vpk 60 Hz 0° R12kΩ 4 XSC1 A B Ext Trig + + _ _ + _ 3 2 仿真结果

盐酸理化特性

盐酸理化特性表81007 盐酸理化性质及危险特性表第一部分:化学品名称中文名称盐酸、氢氯酸英文名称 hydrochloric acid 分子式 HCl 分子量36.46 第二部分:成分/组成信息有害物成分盐酸含量 36% CAS NO. 7647-01-0 第三部分:危险性概述危险性类别第8.1类酸性腐蚀品侵入途径 -- 接触其蒸气或烟雾，可引起急性中毒，出现眼结膜炎，鼻及口腔粘膜有烧灼感，鼻衄、齿龈出血，气管炎等。误服可引起消化道灼伤、溃疡形成，有可能引起健康危害胃穿孔、腹膜炎等。眼和皮肤接触可致灼伤。慢性影响:长期接触，引起慢性鼻炎、慢性支气管炎、牙齿酸蚀症及皮肤损害。环境危害对环境有危害，对水体和土壤可造成污染。燃爆危险: 本品不燃，具强腐蚀性、强刺激性，可致人体灼伤。第四部分:急救措施皮肤接触立即脱去污染的衣着，用大量流动清水冲洗至少15分钟。就医。。眼睛接触立即提起眼睑，用大量流动清水或生理盐水彻底冲洗至少15分钟。就医。

迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难，给输氧。如呼吸吸入停止，立即进行人工呼吸。就医。食入用水漱口，给饮牛奶或蛋清。就医。第五部分:消防措施能与一些活性金属粉末发生反应, 放出氢气。遇氰化物能产生剧毒的氰化氢气危险特性体。与碱发生中合反应，并放出大量的热。具有较强的腐蚀性。有害燃烧产物氯化氢灭火方法用碱性物质如碳酸氢钠、碳酸钠、消石灰等中和。也可用大量水扑救。第六部分:泄漏应急处理迅速撤离泄漏污染区人员至安全区，并进行隔离，严格限制出入。建议应急处理人员戴自给正压式呼吸器，穿防酸碱工作服。不要直接接触泄漏物。尽可能应急处理: 切断泄漏源。小量泄漏:用砂土、干燥石灰或苏打灰混合。也可以用大量水冲洗，洗水稀释后放入废水系统。大量泄漏:构筑围堤或挖坑收容。用泵转移至槽车或专用收集器内，回收或运至废物处理场所处置。第七部分:操作处置与储存密闭操作，注意通风。操作尽可能机械化、自动化。操作人员必须经过专门培操作注意事项训，严格遵守操作规程。建议操作人员佩戴自吸过滤式防毒面具(全面罩)，穿橡胶耐酸碱服，戴橡胶耐酸碱手套。远离易燃、可燃物。防止蒸气泄漏到工作场所空气中。避免与碱类、胺类、碱金属接触。搬运时要轻装轻卸，防止包装及容器损坏。配备泄漏应急处理设备。倒空的容器可能残留有害物。储存于阴凉、通风的库房。库温不超过30?，相对湿度不超过85,。保持容器

二极管正反特性及应用

二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（S i管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1、正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 2、反向特性在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。二极管的主要参数用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数： 1、额定正向工作电流是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯

半导体发光二极管工作原理、特性及应用(精)

（一）LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP （磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光! 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。（二）LED的特性 1．极限参数的意义（1）允许功耗Pm:允许加于LED 两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。2．电参数的意义（1）光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大，该波长为峰值波长。（2）发光强度IV：发光二极管的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd）。由于一般LED的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。（3）光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔. （4）半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。半值角的2倍为视角（或称半功率角）给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线（法线）AO的坐标为相对发光强度（即发光强度与最大发光强度的之比）。显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。（5）正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在 0.6·IFm以下。（6）正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正

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