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外部性的本质与分类_胡石清

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第十一章 分类资料的回归分析

第十一章分类资料的回归分析 ――Regression菜单详解(下) (医学统计之星:张文彤) 上次更新日期: 10.1 Linear过程 10.1.1 简单操作入门 10.1.1.1 界面详解 10.1.1.2 输出结果解释 10.1.2 复杂实例操作 10.1.2.1 分析实例 10.1.2.2 结果解释 10.2 Curve Estimation过程 10.2.1 界面详解 10.2.2 实例操作 10.3 Binary Logistic过程 10.3.1 界面详解与实例 10.3.2 结果解释 10.3.3 模型的进一步优化与简单诊断 10.3.3.1 模型的进一步优化 10.3.3.2 模型的简单诊断 在很久很久以前,地球上还是一个阴森恐怖的黑暗时代,大地上恐龙横行,我们的老祖先--类人猿惊恐的睁大了双眼,围坐在仅剩的火堆旁,担心着无边的黑暗中不知何时会出现的妖魔鬼怪,没有电视可看,没有网可上... 我是疯了,还是在说梦话?都不是,类人猿自然不会有机会和恐龙同时代,只不过是我开机准备写这一部分的时候,心里忽然想到,在10年前,国内的统计学应用上还是卡方检验横行,分层的M-H卡方简直就是超级武器,在流行病学中称王称霸,更有那些1:M的配对卡方,N:M的配对卡方,含失访数据的N:M 配对卡方之类的,简直象恐龙一般,搞得我头都大了。其实恐龙我还能讲出十多种来,可上面这些东西我现在还没彻底弄明白,好在社会进步迅速,没等这些恐龙完全统制地球,Logistic模型就已经飞速进化到了现代人的阶段,各种各样的Logistic模型不断地在蚕食着恐龙爷爷们的领地,也许还象贪吃的人类一样贪婪的享用着恐龙的身体。好,这是好事,这里不能讲动物保护,现在我们就远离那些恐龙,来看看现代白领的生活方式。 特别声明:我上面的话并非有贬低流行病学的意思,实际上我一直都在做流行病学,我这样写只是想说明近些年来统计方法的普及速度之快而已。

海域使用分类体系

海域使用分类体系 1 范围 本分类体系规定了海域使用的分类原则、类型和用海方式。 本分类体系适用于海域使用权取得、登记、发证、海域使用金征缴、海域使用执法监察以及海籍调查、统计分析、海域使用论证、海域评估、海域管理信息系统建设等工作对海域使用类型和用海方式的界定。 2 术语和定义 2.1 海域使用 指持续使用特定海域三个月以上的排他性用海活动。 2.2 海域使用分类 指按照一定的原则,划分海域使用类型并界定其用海方式。 2.3 用海方式 指根据海域使用特征及对海域自然属性的影响程度划分的海域使用方式。 2.4 有效岸线 指通过填海造地活动形成的能被认定为海岸线的海陆分界线。 2.5 填海造地 指筑堤围割海域填成土地,并形成有效岸线的用海方式。 2.6 非透水构筑物用海 指采用非透水方式构筑不形成围填海事实或有效岸线的码头、突堤、引堤、防波堤、路基等构筑物的用海方式。 2.7 透水构筑物用海 指采用透水方式构筑码头、海面栈桥、高脚屋、人工鱼礁等构筑物的用海方式。

2.8 围海 指通过筑堤或其它手段,以全部或部分闭合形式围割海域进行海洋开发活动的用海方式。 2.9 开放式用海 指不进行填海造地、围海或设置构筑物,直接利用海域进行开发活动的用海方式。 3 分类原则 3.1 依据海域用途 以海域用途为主要分类依据,遵循对海域使用类型的一般认识,并与海洋功能区划、海洋及相关产业等的分类相协调。 3.2 考虑海域使用分类管理需要 体现海域使用管理法律法规在海域使用审批、海域使用期限确定、海域使用金征缴和减免等方面对海域使用的分类管理要求,明确界定法律法规提及的海域使用类型和用海方式。3.3 区分用海方式 区分海域使用的具体用海方式,反映用海活动特征及其对海域自然属性的影响程度,体现海域使用管理工作特点。 3.4 保持项目用海完整性 在海域使用类型划分上保持项目用海的完整性,反映其总体特征,方便海域使用行政管理及相关工作。 4 分类体系 4.1 海域使用类型体系 4.1.1 海域使用类型采用两级分类体系,共分为9个一级类和30个二级类。 4.1.2 海域使用类型采用阿拉伯数字编码,第一位数字表示一级类,第二位数字表示二级类。 4.1.3 海域使用类型名称和编码见附录A。 4.2 用海方式体系

你应该要掌握的7种回归分析方法

你应该要掌握的7种回归分析方法 标签:机器学习回归分析 2015-08-24 11:29 4749人阅读评论(0) 收藏举报 分类: 机器学习(5) 目录(?)[+]转载:原文链接:7 Types of Regression Techniques you should know!(译者/刘帝伟审校/刘翔宇、朱正贵责编/周建丁) 什么是回归分析? 回归分析是一种预测性的建模技术,它研究的是因变量(目标)和自变量(预测器)之间的关系。这种技术通常用于预测分析,时间序列模型以及发现变量之间的因果关系。例如,司机的鲁莽驾驶与道路交通事故数量之间的关系,最好的研究方法就是回归。 回归分析是建模和分析数据的重要工具。在这里,我们使用曲线/线来拟合这些数据点,在这种方式下,从曲线或线到数据点的距离差异最小。我会在接下来的部分详细解释这一点。 我们为什么使用回归分析? 如上所述,回归分析估计了两个或多个变量之间的关系。下面,让我们举一个简单的例子来理解它: 比如说,在当前的经济条件下,你要估计一家公司的销售额增长情况。现在,你有公司最新的数据,这些数据显示出销售额增长大约是经济增长的2.5倍。那么使用回归分析,我们就可以根据当前和过去的信息来预测未来公司的销售情况。 使用回归分析的好处良多。具体如下: 1.它表明自变量和因变量之间的显著关系;

2.它表明多个自变量对一个因变量的影响强度。 回归分析也允许我们去比较那些衡量不同尺度的变量之间的相互影响,如价格变动与促销活动数量之间联系。这些有利于帮助市场研究人员,数据分析人员以及数据科学家排除并估计出一组最佳的变量,用来构建预测模型。 我们有多少种回归技术? 有各种各样的回归技术用于预测。这些技术主要有三个度量(自变量的个数,因变量的类型以及回归线的形状)。我们将在下面的部分详细讨论它们。 对于那些有创意的人,如果你觉得有必要使用上面这些参数的一个组合,你甚至可以创造出一个没有被使用过的回归模型。但在你开始之前,先了解如下最常用的回归方法: 1. Linear Regression线性回归 它是最为人熟知的建模技术之一。线性回归通常是人们在学习预测模型时首选的技术之一。在这种技术中,因变量是连续的,自变量可以是连续的也可以是离散的,回归线的性质是线性的。 线性回归使用最佳的拟合直线(也就是回归线)在因变量(Y)和一个或多个自变量(X)之间建立一种关系。 用一个方程式来表示它,即Y=a+b*X + e,其中a表示截距,b表示直线的斜率,e是误差项。这个方程可以根据给定的预测变量(s)来预测目标变量的值。

海域使用论证

海域使用论证大纲答案整理(一) 一、海籍调查规范 1.术语和定义 (1)掌握宗海、界址点和界址线的概念; 3.2 宗海 指被权属界址线所封闭的同类型用海单元。 3.4 界址点 指用于界定宗海及其内部单元范围和界线的拐点。 3.5 界址线 指由界址点连接而成的线。 (2)熟悉海籍、宗海内部单元的概念。 3.1 海籍 指记载各项目用海的位置、界址、权属、面积、类型、用途、用海方式、使用期限、海域等级、海域使用金征收标准等基本情况的簿册和图件。 3.3 宗海内部单元 指宗海内部按用海方式划分的海域。 2.总则 (1)掌握宗海界址界定的基本原则; 5.1 宗海界址界定的基本原则 5.1.1 尊重用海事实原则 根据用海事实,针对海域使用的排他性及安全用海需要,参照本规范所列宗海界址界定的一般流程和基本方法,界定宗海界址。 5.1.2 用海范围适度原则 宗海界址界定应有利于维护国家的海域所有权,有利于海洋经济可持续发展,应确保国家海域的合理利用,防止海域空间资源的浪费。 5.1.3 节约岸线原则 宗海界址界定应有利于岸线和近岸水域的节约利用。在界定宗海范围时应将实际无需占用的岸线和近岸水域排除在外。 5.1.4 避免权属争议原则 宗海界址界定应保障海域使用权人的正常生产活动,避免毗连宗海之间的相互穿插和干扰,避免将宗海范围界定至公共使用的海域内,避免海域使用权属争议。 5.1.5 方便行政管理原则 宗海界址界定应有利于海域使用行政管理,在保证满足实际用海需要和无权属争议的前提下,对过于复杂和琐碎的界址线应进行适当的归整处理。

(2)掌握用海类型与用海方式的界定; 5.2.2 用海类型与方式确定 按照海域使用分类相关规定,确定宗海的海域使用一级和二级类型,判定宗海内部存在的用海方式。 (3)熟悉海籍调查的内容、海籍调查的单元; 4.2 海籍调查的内容 海籍调查的内容包括权属核查、宗海界址界定、海籍测量、面积量算,以及宗海图和海籍图绘制等。 4.4 海籍调查的单元 海籍调查的单元是宗海。同一权属项目用海中的填海造地用海应独立分宗。 (4)掌握宗海内部单元划分和宗海界址界定; 5.2.3 宗海内部单元划分 在宗海内部,按不同用海方式的用海范围划分内部单元。用海方式相同但范围不相接的海域应划分为不同的内部单元。内部单元界线按照本规范5.3和5.4的要求界定。 5.2.4 宗海平面界址界定 综合宗海内部各单元所占的范围,以全部用海的最外围界线确定宗海的平面界址。 5.2.5 宗海垂向范围界定 遇特殊需要时,应根据项目用海占用水面、水体、海床和底土的实际情况,界定宗海的垂向使用范围。 (5)了解海籍调查的目的、海籍调查的成果。 4.1 海籍调查的目的 海籍调查的目的是通过调查与勘测工作获取并描述宗海的位置、界址、形状、权属、面积、用途和用海方式等有关信息。 4.3 海籍调查的成果 海籍调查的成果包括海籍测量数据、海籍调查报告(含宗海图)和海籍图。 3.宗海界址界定 (1)掌握填海造地、非透水构筑物、透水构筑物用海范围界定方法; 5.3.1 填海造地用海 岸边以填海造地前的海岸线为界,水中以围堰、堤坝基床或回填物倾埋水下的外缘线为界。 5.3.2 构筑物用海 5.3.2.1 非透水构筑物用海 岸边以海岸线为界,水中以非透水构筑物及其防护设施的水下外缘线为界。 5.3.2.2 透水构筑物用海 安全防护要求较低的透水构筑物用海以构筑物及其防护设施垂直投影的外缘线为界。其它透水构筑物用海在透水构筑物及其防护设施垂直投影的外缘线基础上,根据安全防护要求的程度,外扩不小于10m保护距离为界。 (2)掌握港池用海范围界定方法; b) 有防浪设施圈围的港池,外侧以围堰、堤坝基床的外缘线及口门连线为界,内侧以海岸线及构筑物用海界线为界,参见附录C.6中的港池部分;开敞式码头港池(船舶靠泊和回旋水域),以码头前沿线起

场效应晶体管的电路符号及图片识别

场效应管英文缩写:FET(Field-effect transistor),简称为场效应管,是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。场效应管也是一种晶体三极管,也有三个极,分别叫源极S,栅极G,漏极D。 场效应管电路符号 一:场效应管的分类: 1、各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料,可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道,就是电流通道。 2、根据构造和工艺的不同,场效应管分为结型和绝缘型两大类。 结型场效应管的英文是 Junction Field Effect Transistor,简称JFET。JFET 又分为N沟道,P沟道场效应管。 绝缘栅型场效应管:英文是 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,缩写为MO SFET,简称MOS管。 MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

3、按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 二:场效应晶体管具有如下特点: (1)输入阻抗高; (2)输入功耗小; (3)温度稳定性好; (4)信号放大稳定性好,信号失真小; (5)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。 三:场效应管与晶体管的比较 (1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。 (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。 (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管 四:场效应管的主要作用: 1.场效应管可应用于放大。由于场效应管的放大器输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。 2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3.场效应管可以用作可变电阻。

关于印发《海籍调查规程》和《海域使用分类体系》的通知

海域使用分类体系 1范围 本分类体系规定了海域使用的分类原则、类型和用海方式。 本分类体系适用于海域使用权取得、登记、发证、海域使用金征缴、海域使用执法监察以及海籍调查、统计分析、海域使用论证、海域评估、海域管理信息系统建设等工作对海域使用类型和用海方式的界定。 2术语和定义 2.1海域使用 指持续使用特定海域三个月以上的排他性用海活动。 2.2海域使用分类 指按照一定的原则,划分海域使用类型并界定其用海方式。 2.3用海方式 指根据海域使用特征及对海域自然属性的影响程度划分的海域使用方式。 2.4有效岸线 指通过填海造地活动形成的能被认定为海岸线的海陆分界线。 2.5填海造地 指筑堤围割海域填成土地,并形成有效岸线的用海方式。 2.6非透水构筑物用海 指采用非透水方式构筑不形成围填海事实或有效岸线的码头、突堤、引堤、防波堤、路基等构筑物的用海方式。 2.7透水构筑物用海 指采用透水方式构筑码头、海面栈桥、高脚屋、人工鱼礁等构筑物的用海方式。 2.8围海 指通过筑堤或其它手段,以全部或部分闭合形式围割海域进行海洋开发活动的用海方式。 2.9开放式用海 指不进行填海造地、围海或设置构筑物,直接利用海域进行开发活动的用海方式。 3分类原则 3.1依据海域用途 以海域用途为主要分类依据,遵循对海域使用类型的一般认识,并与海洋功能区

划、海洋及相关产业等的分类相协调。 3.2考虑海域使用分类管理需要 体现海域使用管理法律法规在海域使用审批、海域使用期限确定、海域使用金征缴和减免等方面对海域使用的分类管理要求,明确界定法律法规提及的海域使用类型和用海方式。 3.3区分用海方式 区分海域使用的具体用海方式,反映用海活动特征及其对海域自然属性的影响程度,体现海域使用管理工作特点。 3.4保持项目用海完整性 在海域使用类型划分上保持项目用海的完整性,反映其总体特征,方便海域使用行政管理及相关工作。 4分类体系 4.1海域使用类型体系 4.1.1海域使用类型采用两级分类体系,共分为9个一级类和30个二级类。 4.1.2海域使用类型采用阿拉伯数字编码,第一位数字表示一级类,第二位数字表示二级类。 4.1.3海域使用类型名称和编码见附录A。 4.2用海方式体系 4.2.1用海方式采用两级层次体系,共分为5种一级方式和20种二级方式。 4.2.2用海方式采用阿拉伯数字编码,第一位数字表示一级方式,第二位数字表示二级方式。 4.2.3用海方式名称和编码见附录B。 5海域使用类型与用海方式 5.1渔业用海 指为开发利用渔业资源、开展海洋渔业生产所使用的海域。 5.1.1渔业基础设施用海 指用于渔船停靠、进行装卸作业和避风,以及用以繁殖重要苗种的海域,包括渔业码头、引桥、堤坝、渔港港池(含开敞式码头前沿船舶靠泊和回旋水域)、渔港航道、附属的仓储地、重要苗种繁殖场所及陆上海水养殖场延伸入海的取排水口等所使用的海域。其中: a)填成土地后用于建设顺岸渔业码头、渔港仓储设施和重要苗种繁殖场所等的海域,用海方式为建设填海造地。

场效应管的分类和作用

场效应管的分类和作用分别是什么? 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件 概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别: 场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。 2、判定栅极

用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。 3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。 由于人体感应的50Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。少数的管子RDS减小,使表针向右摆动,多数管子的RDS增大,表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS 场效应管,必须用手握住螺钉旋具绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏。 MOS管每次测量完毕,G-S结电容上会充有少量电荷,建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动,此时将G-S极间短路一下即可。 2.场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类. 3.场效应管的主要参数:

可以相互替代的一些场效应管

可以相互替代的一些场管. 如无特别说明,同一条内的管子可以相互替换. 1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ >,可替代市面上各类型9435 : APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等! 2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>,可替代市面上各类型9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、 MT9926、TM9926 、GE9926、 iTM9926、 MI9926、 TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等! 3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>:暂无。 4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>,可替代市面上各类型4953 : GE4953、 iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、 TM4953、STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、SPP4953A、 GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、AKE4953 等等! SD4953BDY替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM4953 5、 SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>,可替代市面上各类型4435 : APM4435、 Si4435DY、 CEM4435、 SDM4435、 SSM4435、 GE4435 、MT4435、 H4435、STM4435、 AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、ME4435、SPP4435、SM4435 等等! 6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ 30V>,替代各型4410: APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、STN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等! 7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>,替代各型2300: APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300、SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等! 8、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>,替代各类2301 : APM2301 、 Si2301、 CEM2301 、STS2301 、 AP2301 、 MT2301、IRLML6401、ST2301、ST2301A、STS2301A、SSS2301、SSS2301A、MI2301、ST2301M、ME2301、TM2301、CES2301、KI2301DY 等等! 9、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>,可替代市面上各类型2301M、2301A、2301S : APM2301A、SSS2301A、STS2301A、ST2301M 等等!

经典三极管与场效应管的比较

第2章晶体三极管和场效应管 教学重点 1 ?掌握晶体三极管的结构、工作电压、基本连接方式和电流分配关系。 2 ?熟练掌握晶体三极管的放大作用;共发射极电路的输入、输出特性曲线;主要参 数及温度对参数的影 响。 3?了解MOS 管的工作原理、特性曲线和主要参数。 教学难点 1 ?晶体三极管的放大作用 2 ?输入、输出特性曲线及主要参数 学时分配 序号 内 容 学时 1 2.1晶体三极管 4 2 2.2场效应管 4 3 本章小结与习题 4 本章总课时 8 2.1晶体三极管 晶体三极管:是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。 特点:管内有两种载流子参与导电。 2.1.1三极管的结构、分类和符号 一、晶体三极管的基本结构 1 ?三极管的外形:如图 2.1.1所示。 2 ?特点:有三个电极,故称三极管。 3?三极管的结构:如图 2.1.2所示。 晶体三极管有三个区一一发射区、 基区、集电区; 两个PN 结一一发射结(BE 结)、集 电结(BC 结); 三个电极一一发射极 e ( E )、基极 图2.1.2 三极管的结构图 图2.1.1三极管外形 雄対箱革极集电姑 坯射纬UK 堆电紬

b(B)和集电极c(C); 两种类型一一PNP 型管和NPN 型管。 工艺要求: 发射区掺杂浓度较大;基区很薄且掺杂最少;集电区比发射区体积大且掺杂少。 二、 晶体三极管的符号 晶体三极管的符号如图 2.1.3所示。 箭头:表示发射结加正向电压时的电流方向。 文字符号:V 三、 晶体三极管的分类 1 .三极管有多种分类方法。 按内部结构分:有 NPN 型和PNP 型 管; 按工作频率分:有低频和高频管; 按功率分:有小功率和大 功率管; 按用途分:有普通管和开关管; 按半导体材料分:有锗管和硅管等等。 2 .国产三极管命名法:见《电子线路》 P 249附录二。 例如:3DG 表示高频小功率 NPN 型硅三极管;3CG 表示高频小功率 PNP 型硅三极 管;3AK 表示PNP 型开关锗三极管等。 2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式 一、晶体三极管的工作电压 三极管的基本作用是放大电信号; 工作在放大状态的外部条件是发射结加正向电压, 集电结加反向电压。 如图2.1.4所示:V 为三极管,G C 为集电极电源,G B 为基极电源,又称偏置电源, R b 为基极电阻,R c 为集电极电阻。 二、晶体三极管在电路中的基本连接方式 如图2.1.5所示,晶体三极管有三种基本连接方式: 共发射极、共基极和共集电极接 法。最常用的是共发射极接法。 但八PIS 型 (b) 型 图2.1.3 三极管符号 图2.1.4 三极管电源的接法

(整理)多项分类Logistic回归分析的功能与意义1.

多项分类Logistic回归分析的功能与意义 我们经常会遇到因变量有多个取值而且无大小顺序的情况,比如职业、婚姻情况等等,这时一般的线性回归分析无法准确地刻画变量之间的因果关系,需要用其它回归分析方法来进行拟合模型。SPSS的多项分类Logistic回归便是一种简便的处理该类因变量问题的分析方法。 例子:下表给出了对山东省某中学20名视力低下学生视力监测的结果数据。试用多项分类Logistic回归分析方法分析视力低下程度(由轻到重共3级)与年龄、性别(1代表男性,2代表女性)之间的关系。

“年龄”使之进入“协变量”列表框。

还是以教程“blankloan.sav"数据为例,研究银行客户贷款是否违约(拖欠)的问题,数据如下所示: 上面的数据是大约700个申请贷款的客户,我们需要进行随机抽样,来进行二元Logistic 回归分析,上图中的“0”表示没有拖欠贷款,“1”表示拖欠贷款,接下来,步骤如下: 1:设置随机抽样的随机种子,如下图所示:

选择“设置起点”选择“固定值”即可,本人感觉200万的容量已经足够了,就采用的默认值,点击确定,返回原界面、 2:进行“转换”—计算变量“生成一个变量(validate),进入如下界面: 在数字表达式中,输入公式:rv.bernoulli(0.7),这个表达式的意思为:返回概率为0.7的bernoulli分布随机值 如果在0.7的概率下能够成功,那么就为1,失败的话,就为"0" 为了保持数据分析的有效性,对于样本中“违约”变量取缺失值的部分,validate变量也取缺失值,所以,需要设置一个“选择条件” 点击“如果”按钮,进入如下界面:

场效应管特性

根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件 -------------------------------------------------------------- 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用: 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器. 场效应管可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源. 2.场效应管的分类:

场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图: 3.场效应管的主要参数: Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比(占空系数,外电路参数) di/dt---电流上升率(外电路参数) dv/dt---电压上升率(外电路参数) ID---漏极电流(直流) IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流(射频功率管)

海洋钻井平台的分类

海洋钻井平台的分类 海洋钻井平台(drilling platform)是主要用于钻探井的海上结构物。平台上装钻井、动力、通讯、导航等设备,以及安全救生和人员生活设施,是海上油气勘探开发不可缺少的手段。主要分为移动式平台和固定式平台两大类。其中按结构又可分为: (1)移动式平台:坐底式平台、自升式平台、钻井船、半潜式平台、张力腿式平台、牵索塔式平台(2)固定式平台:导管架式平台、混凝土重力式平台、深水顺应塔式平台 坐底式钻井平台 坐底式钻井平台又叫钻驳或插桩钻驳,适用于河流和海湾等30m以下的浅水域。坐底式平台有两个船体,上船体又叫工作甲板,安置生活舱室和设备,通过尾郡开口借助悬臂结构钻井;下部是沉垫,其主要功能是压载以及海底支撑作用,用作钻井的基础。两个船体间由支撑结构相连。这种钻井装置在到达作业地点后往沉垫内注水,使其着底。因此从稳性和结构方面看,作业水深不但有限,而且也受到海底基础(平

坦及坚实程度)的制约。所以这种平台发展缓慢。然而我国渤海沿岸的胜利油田、大港油田和辽河油田等向海中延伸的浅海海域,潮差大而海底坡度小,对于开发这类浅海区域的石油资源,坐底式平台仍有较大的发展前途。80年代初,人们开始注意北极海域的石油开发,设计、建造极区坐底式平台也引起海洋工程界的兴趣。目前已有几座坐底式平台用于极区,它可加压载坐于海底,然后在平台中央填砂石以防止平台滑移,完成钻井后可排出压载起浮,并移至另一井位。图为胜利二号坐底式钻井平台。 自升式钻井平台由平台 自升式钻井平台由平台、桩腿和升降机构组成,平台能沿桩腿升降,一般无自航能力。工作时桩腿下放插入海底,平台被抬起到离开海面的安全工作高度,并对桩腿进行预压,以保证平台遇到风暴时桩腿不致下陷。完井后平台降到海面,拔出桩腿并全部提起,整个平台浮于海面,由拖轮拖到新的井位。1953年美国建成第一座自升式平台,这种平台对水深适应性强,工作稳定性良好,发展较快,约占移动式钻井装置总数的1/2。 钻井船

场效应管的主要参数

一:场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。 夹断电压UP 它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS 开启电压UT 它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS (2)交流参数 低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。 (3)极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的UDS。 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。 本站链接:场效应管的参数查询

二:场效应管的特点 场效应管具有放大作用,可以组成放大电路,它与双极性三极管相比具有以下特点:(1)场效应管是电压控制器件,它通过UGS来控制ID; (2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很高; (3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好; (4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数; (5)场效应管的抗辐射能力强。 三. 符号:“Q、VT” ,场效应管简称FET,是另一种半导体器件,是通过电压来控制输出电流的,是电压控制器件 场效应管分三个极:

D极为漏极(供电极) S极为源极(输出极) G极为栅极(控制极) D极和S极可互换使用 场效应管图例: 四. 场效应管的分类: 场效应管按沟道分可分为N沟道和P沟道管(在符号图中可看到中间的箭头方向不一样)。 按材料分可分为结型管和绝缘栅型管,绝缘栅型又分为耗尽型和增强型,一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管,并且大多采用增强型的N沟道,其次是增强型的P沟道,结型管和耗尽型管几乎不用。 五主板上用的场效应管的特性:

海域使用分类体-

海域使用分类体-

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海域使用分类体系 1 范围 本分类体系规定了海域使用的分类原则、类型和用海方式。 本分类体系适用于海域使用权取得、登记、发证、海域使用金征缴、海域使用执法监察以及海籍调查、统计分析、海域使用论证、海域评估、海域管理信息系统建设等工作对海域使用类型和用海方式的界定。 2 术语和定义 2.1 海域使用 指持续使用特定海域三个月以上的排他性用海活动。 2.2 海域使用分类 指按照一定的原则,划分海域使用类型并界定其用海方式。 2.3 用海方式 指根据海域使用特征及对海域自然属性的影响程度划分的海域使用方式。 2.4 有效岸线 指通过填海造地活动形成的能被认定为海岸线的海陆分界线。 2.5 填海造地 指筑堤围割海域填成土地,并形成有效岸线的用海方式。 2.6 非透水构筑物用海 指采用非透水方式构筑不形成围填海事实或有效岸线的码头、突堤、引堤、防波堤、路基等构筑物的用海方式。 2.7 透水构筑物用海 指采用透水方式构筑码头、海面栈桥、高脚屋、人工鱼礁等构筑物的用海方式。2.8 围海 指通过筑堤或其它手段,以全部或部分闭合形式围割海域进行海洋开发活动的用海方式。 2.9 开放式用海 指不进行填海造地、围海或设置构筑物,直接利用海域进行开发活动的用海方式。 3 分类原则 3.1 依据海域用途 以海域用途为主要分类依据,遵循对海域使用类型的一般认识,并与海洋功能区划、海洋及相关产业等的分类相协调。

3.2 考虑海域使用分类管理需要 体现海域使用管理法律法规在海域使用审批、海域使用期限确定、海域使用金征缴和减免等方面对海域使用的分类管理要求,明确界定法律法规提及的海域使用类型和用海方式。 3.3 区分用海方式 区分海域使用的具体用海方式,反映用海活动特征及其对海域自然属性的影响程度,体现海域使用管理工作特点。 3.4 保持项目用海完整性 在海域使用类型划分上保持项目用海的完整性,反映其总体特征,方便海域使用行政管理及相关工作。 4 分类体系 4.1 海域使用类型体系 4.1.1 海域使用类型采用两级分类体系,共分为9个一级类和30个二级类。 4.1.2 海域使用类型采用阿拉伯数字编码,第一位数字表示一级类,第二位数字表示二级类。 4.1.3 海域使用类型名称和编码见附录A。 4.2 用海方式体系 4.2.1 用海方式采用两级层次体系,共分为5种一级方式和20种二级方式。 4.2.2 用海方式采用阿拉伯数字编码,第一位数字表示一级方式,第二位数字表示二级方式。 4.2.3 用海方式名称和编码见附录B。 5 海域使用类型与用海方式 5.1 渔业用海 指为开发利用渔业资源、开展海洋渔业生产所使用的海域。 5.1.1 渔业基础设施用海 指用于渔船停靠、进行装卸作业和避风,以及用以繁殖重要苗种的海域,包括渔业码头、引桥、堤坝、渔港港池(含开敞式码头前沿船舶靠泊和回旋水域)、渔港航道、附属的仓储地、重要苗种繁殖场所及陆上海水养殖场延伸入海的取排水口等所使用的海域。其中: a) 填成土地后用于建设顺岸渔业码头、渔港仓储设施和重要苗种繁殖场所等的海域,用海方式为建设填海造地。 b) 采用非透水方式构筑的不形成围填海事实或有效岸线的渔业码头、堤坝等所使用的海域,用海方式为非透水构筑物。

你应该要掌握的7种回归分析方法

. 种回归分析方法7你应该要掌握的标签:机器学习回归分析 2015-08-24 11:29 4749人阅读评论(0) 收藏举报 分类: (5)机器学习 目录(?)[+] :原文:7 Types of Regression Techniques you should know!(译者/帝伟审校/翔宇、周建丁)责编/朱正贵 什么是回归分析? 回归分析是一种预测性的建模技术,它研究的是因变量(目标)和自变量(预测器)之间的关系。这种技术通常用于预测分析,时间序列模型以及发现变量之间的因果关系。例如,司机的鲁莽驾驶与道路交通事故数量之间的关系,最好的研究方法就是回归。 回归分析是建模和分析数据的重要工具。在这里,我们使用曲线/线来拟合这些数据点,在这种方式下,从曲线或线到数据点的距离差异最小。我会在接下来的部分详细解释这一点。 我们为什么使用回归分析? 如上所述,回归分析估计了两个或多个变量之间的关系。下面,让我们举一个简单的例子来理解它: 文档Word . 比如说,在当前的经济条件下,你要估计一家公司的销售额增长情况。现在,你有公司最新的数

据,这些数据显示出销售额增长大约是经济增长的2.5倍。那么使用回归分析,我们就可以根据当前和过去的信息来预测未来公司的销售情况。 使用回归分析的好处良多。具体如下: 1.它表明自变量和因变量之间的显著关系; 它表明多个自变量对一个因变量的影响强度2.。 回归分析也允许我们去比较那些衡量不同尺度的变量之间的相互影响,如价格变动与促销活动数量之间联系。这些有利于帮助市场研究人员,数据分析人员以及数据科学家排除并估计出一组最佳的变量,用来构建预测模型。 我们有多少种回归技术? 有各种各样的回归技术用于预测。这些技术主要有三个度量(自变量的个数,因变量的类型以及回归线的形状)。我们将在下面的部分详细讨论它们。 对于那些有创意的人,如果你觉得有必要使用上面这些参数的一个组合,你甚至可以创造出一个没有被使用过的回归模型。但在你开始之前,先了解如下最常用的回归方法: 1. Linear Regression线性回归 它是最为人熟知的建模技术之一。线性回归通常是人们在学习预测模型时首选的技术之一。在这种技术中,因变量是连续的,自变量可以是连续的也可以是离散的,回归线的性质是线性的。文档Word . 线性回归使用最佳的拟合直线(也就是回归线)在因变量(Y)和一个或多个自变量(X)之间建立一种关系。 用一个方程式来表示它,即Y=a+b*X + e,其中a表示截距,b表示直线的斜率,e是误差项。这个方程可以根据给定的预测变量(s)来预测目标变量的值。

MOS 场效应管的工作原理及特点

MOS 场效应管的工作原理及特点 场效应管是只有一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P 沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET (Metal Oxide SemIConductor FET)。 MOS场效应管 有增强型(Enhancement MOS 或EMOS)和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS)两大类,每一类有N沟 道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极: D(Drain) 称为漏极,相当双极型三极管的集电极; G(Gate) 称为栅极,相当于双极型三极管的基极; S(Source) 称为源极,相当于双极型三极管的发射极。 增强型MOS(EMOS)场效应管 道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构,它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极,一个是漏极D,一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底(substrat),用符号B表示。 一、工作原理 1.沟道形成原理

当Vgs=0 V时,漏源之间相当两个背靠背的二极管,在D、S之间加上电压,不会在D、S间形成电流。当栅极加有电压时,若0<Vgs<Vgs(th)时(VGS(th) 称为开启电压),通过栅极和衬底间的电容作用,将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥,出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动,但数量有限,不足以形成沟道,所以仍然不足以形成漏极电流ID。 进一步增加Vgs,当Vgs>Vgs(th)时,由于此时的栅极电压已经比较强,在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子,可以形成沟道,将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子,因与P型半导体的载流子空穴极性相反,故称为反型层(inversion layer)。随着Vgs的继续增加,ID将不断增加。 在Vgs=0V时ID=0,只有当Vgs>Vgs(th)后才会出现漏极电流,这种MOS管称为增强型MOS管。 VGS对漏极电流的控制关系可用iD=f(vGS)|VDS=const这一曲线描述,称为转移特性曲线,见图。 转移特性曲线斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。gm 的量纲为mA/V,所以gm也 称为跨导。 跨导的定义式如下: gm=△ID/△VGS| (单位mS) 2.Vds对沟道导电能力的控制 当Vgs>Vgs(th),且固定为某一值时,来分析漏源电压Vds对漏极电流ID的影响。Vds的不同变化对沟 道的影响如图所示。 根据此图可以有如下关系 VDS=VDG+VGS= —VGD+VGS VGD=VGS—VDS 当VDS为0或较小时,相当VGD>VGS(th),沟道呈斜线分布。在紧靠漏极处,沟道达到开启的程度以上,

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