CH601_MPS最新经典驱动方案2016
CH601
Non-Isolated, High Brightness,
LED Driver
The Future of Analog IC Technology
DESCRIPTION
The CH601 is a constant current LED driver integrated with an internal 500V MOSFET. It is specifically designed for energy efficient and low cost LED bulk replacement applications.
CH601 is designed to drive high-brightness LEDs from an 85V AC to 265V AC line. It is also useable under DC input voltage. The accurate output LED current is achieved by an averaging internal current feedback loop. Constant LED current is delivered quietly by switching the internal MOSFET at a frequency regulated above 22kHz.
CH601 can be directly powered by the high input voltage. An internal high voltage current source regulates supply voltage without external circuitry. CH601 features various protections like Thermal Shutdown (TSD), VCC Under Voltage Lockout (UVLO), Open Lamp Protection and Short Lamp Protection. All of there features make CH601 an ideal solution for simple, off-line and non-isolated LED applications.
CH601 is available in the TSOT23-5 and SOIC8 packages. FEATURES
?Constant Current LED Driver
? 500V/7.2? MOSFET integrated
?Low Vcc Operating Current
? Maximum frequency limit
?Audible noise restrain
?Internal High Voltage Current Source ?Internal 200ns Leading Edge Blanking ?Thermal Shutdown (auto restart with Hysteresis)
?VCC Under Voltage Lockout with Hysteresis (UVLO)
?Open Lamp Protection
?Short Lamp Protection APPLICATIONS
?AC/DC or DC/DC LED driver application ? General Illumination
? Industrial Lighting
?Automotive/Decorative LED Lighting
All MPS parts are lead-free and adhere to the RoHS directive. For MPS green status, please visit MPS website under Quality Assurance. “MPS” and “The Future of Analog IC Technology” are Registered Trademarks of Monolithic Power Systems, Inc.
TYPICAL APPLICATION
ORDERING INFORMATION
Part Number Package Top Marking
CH601GJ* TSOT23-5 ANG CH601GS** SOIC-8 CH601 *For Tape & Reel, add suffix –Z (e.g. CH601GJ–Z);
** For Tape & Reel, add suffix –Z (e.g. CH601GS–Z);
PACKAGE REFERENCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (1) Drain to SOURCE ........................ -0.3V to 500V VCC, SOURCE to GND… ……..-0.3V to 6.5V PRO to GND ................................. -0.7V to 6.5V Source Current on PRO ............................. 4mA Continuous Power Dissipation (T A = +25°C) (2) --TSOT23-5, T A=25°C ...................................1W --SOIC8, T A=25°C .........................................1W Junction Temperature .............................. 150°C Lead Temperature ................................... 260°C Storage Temperature ............... -60°C to +150°C ESD Capability Human Body Mode .......... 2.0kV ESD Capability Machine Mode .................. 200V Recommended Operating Conditions (3) Operating Junction Temp. (T J).. -40°C to +125°C Operating VCC range .................... 4.5V to 4.7V Thermal Resistance (4)θJA θJC
TSOT23-5 ............................. 100 ..... 55 ... °C/W SOIC-8 ................................... 96 ...... 45 ... °C/W Notes:
1) Exceeding these ratings may damage the device.
2) The maximum allowable power dissipation is a function of the
maximum junction temperature T J (MAX), the junction-to-ambient thermal resistance θJA, and the ambient temperature T A. The maximum allowable continuous power dissipation at any ambient temperature is calculated by P D (MAX) = (T J (MAX)-T A)/θJA. Exceeding the maximum allowable power dissipation will cause excessive die temperature, and the regulator will go into thermal shutdown. Internal thermal shutdown circuitry protects the device from permanent damage.
3) The device is not guaranteed to function outside of its
operating conditions.
4) Measured on JESD51-7, 4-layer PCB.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V CC = 4.7V, T A = 25°C, unless otherwise noted.
Parameter Symbol Condition Min Typ
Max Units
Start-up Current Source (Drain Pin)
Internal regulator supply current I Regulator V CC=4.5V;V Drain
=100V 4.5 5 6 mA Leakage Current from Pin Drain I Leak V CC=6V;V darin
=400V 14 20
μA
Supply Voltage Management (VCC Pin)
VCC Increasing Level at which the
internal regulator stops
VCC OFF 4.45 4.65 4.85 V
VCC Decreasing Level at which the
internal regulator Turns-On
VCC ON 4.20 4.40 4.60 V
VCC Hysteresis between regulator ON/OFF VCC OFF-ON 0.18
0.24
0.3
V
VCC Decreasing level at which the IC stops working VCC STOP 3.17
3.27
3.37
V
VCC Hysteresis between regulator OFF to VCC stop VCC OFF-
STOP
1.23
1.38
1.52
V
VCC Decreasing Level at which the
protection Phase Ends
VCC PRO 2.10 2.35 2.60 V
Internal IC Consumption I CC V CC=4.6V, Fs=33kHz,
D=84%
350 400 uA
Internal IC Consumption, Latch off
Phase
I CCLATCH V CC=5V 18 21 μA
Internal MOSFET (Drain Pin)
Break Down Voltage V BRDSS500 V
On-State resistance R ON I D=10mA, Tj=25℃ 7.2 10 ?
Current Sampling Management (Source Pin)
Peak Current Limit V Limit0.42 0.45 0.49 V
Leading edge blanking T LEB200 ns
Feedback Threshold to turn on the
primary MOSFET
V FB0.1880.194 0.200V
Minimum OFF time limitation T OFF MIN 3.5
4.7
5.9
μs
Maximum ON time limitation T ON MAX 18
25
33
μs
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
V CC = 4.7V, T A = 25°C, unless otherwise noted.
Max Units Parameter Symbol Condition Min Typ Protection input (PRO Pin)
Threshold to trigger the OVP V OVP 1.9 2.0 2.1 V
Time Constraint on the OVP
T OVP21 28 μs Comparator
Threshold to trigger the UVP V UVP0.35 0.39 0.43 V Thermal Shutdown
Thermal shutdown threshold 150 oC
Thermal shutdown recovery
60 oC hysteresis
TYPICAL CHARACTERISTICS
V C C O F F (V )
Leakage Current vs. Junction Temperature
Break Down Voltage vs. Junction Temperature
VCC OFF Threshold vs. Junction Temperature
VCC ON Threshold vs. Junction Temperature
VCC Current In Latch Phase vs. Junction Temperature
VCC Protection Threshold vs. Junction Temperature
Feedback Reference vs. Junction Temperature
VCC Stop Threshold vs. Junction Temperature
V C C P R O (V )
V C C S T O P (V )
I R E G U L A T O R (m A )
Internal Regulation Currentt vs. Junction Temperature
12.0
13.014.0
15.016.017.018.019.020.0-50-25
25
50
75100125
-50-25
25
50
75100125
-50-25
25
50
75100125
-50-25
0255075100125-50
-25
0255075100125-50-25
0255075100125
-50-25
0255075
100125
-50-25
25
50
75100125
-50-25
0255075100125
3.5
4.04.5
5.05.5
6.0
6.5500
520540560580600
620640V B R D S S (V
)
10.0
13.016.019.022.025.0
28.0 4.2
4.34.44.54.64.7
4.8 4.0
4.14.24.34.44.5
4.6V C C O N (V )
2.9
3.03.13.23.33.4
3.5 2.0
2.12.22.32.4
2.5
2.60.189
0.1910.1930.1950.197
0.199V F B (V )
TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)
V U V P (V )
Under Voltage Protection Reference vs. Junction Temperature
Minimum OFF Time vs. Junction Temperature
On-State Resistance vs. Junction Temperature Peak Current Limit vs. Junction Temperature
Minimum ON Time vs. Junction Temperature
V O V P (V )
Over Voltage Protection Reference vs. Junction Temperature
-50-25
0255075100125
-50-25
0255075100125
-50-25
0255075100125
-50-25
0255075100125
-50-25
25
50
75100125
-50-25
0255075100125
V L I M I T (V )
1.9
2.02.0
2.12.1
0.370
0.380
0.390
0.400
0.410
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.020.0
22.024.026.0
28.030.0 2.00
4.006.008.00
10.00
12.00
14.000.40
0.420.440.460.48
0.50
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
Performance waveforms are tested on the evaluation board of the Design Example section. V IN = 230Vac, V OUT = 40V, I OUT =115mA, L = 4.7mH, C OUT =47uF, T A
= 25°C, unless otherwise noted.
Input Power Shutdown SCP Entry OVP Entry
SCP Recovery
Output Current Ripple
OVP Recovery V DS 100V/div.
I L
100mA/div.
V DS 100V/div.
I L
100mA/div.V OUT 10V/div.
I L
100mA/div.
V DS 10V/div.I L
100mA/div.
V OUT 10V/div.I L
100mA/div.
V OUT 10V/div.I L
100mA/div.
Steady State
V BULK 100V/div.V OUT 10V/div.
I OUT 50mA/div.I OUT 20mA/div.
V DS 100V/div.
I L
100mA/div.
Turn On Delay
Input Power Startup
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS (continued)
Performance waveforms are tested on the evaluation board of the Design Example section. V IN = 230Vac, V OUT = 40V, I OUT =115mA, L = 4.7mH, C OUT =47uF, T A = 25°C, unless otherwise noted.
INPUT VOLTAGE (VAC)
Input Line Voltage to Output Current Regulation
High/Low Temperature Output Current Regulation -2
-1.5-1-0.500.511.52-30-10
10
30
50
70
90
-1-0.8-0.6-0.4-0.200.20.40.60.8175
115
155
195
235
275
PIN FUNCTIONS
Pin # TSOT23-5
Pin # SOIC8 Name Description 1
1
VCC
Power supply for all the control circuits.
2 2 PRO
Open lamp protection if the voltage is higher than V OVP , Short Lamp
protection if the voltage is lower than V UVP .
3 3 GND Ground of the IC
4 4 SOURCE
Source of internal power MOSFET. Internal peak current limit is 0.45V
(typical value). Output current sample. 5
7
DRAIN
Drain of internal power MOSFET. Input of high voltage current source.
5,6,8 N.C Not Connected.
FUNCTION BLOCK DIAGRAM
Figure 1: Functional Block Diagram
OPERATION
CH601 is a non-isolated, cost-effective, high efficiency converter designed to drive high-brightness light emitting diodes (LEDs) from an 85Vac to 265 Vac line, or a DC input. As shown in the typical application diagram, the regulator is designed to operate with a minimum number of external components. It incorporates the following features:
Start-up and Under Voltage Lock-out (UVLO) The IC is self supplied by the internal high voltage regulator which is drawn from the Drain pin. The IC starts switching and the internal high voltage regulator turns off as soon as the voltage on pin V CC reaches VCC OFF (4.65V, typical). When the voltage on Pin VCC decreases below VCC ON (4.4V, typical), the internal high voltage regulator turns on again to charge the external V CC capacitor. A small capacitor such as several μF capacitor is enough to hold on the voltage of V CC and a smaller capacitor also reduce component cost. When the voltage on Pin V CC drops blow VCC STOP (3.27V, typical), the IC stops working, the internal high voltage regulator recharges the Vcc capacitor.
When fault conditions happen, such as Short Lamp Protection, Open Lamp Protection and Over Temperature Protection (OTP), CH601 stops working and a 18uA internal current source discharges the Vcc capacitor. After the V CC drops below VCC PRO (2.37V, typical), the internal high voltage regulator recharges the V CC capacitor again. The restart time can be calculated by the following equation,
restart
Vcc Vcc Vcc 2.37V 4.65V 2.37V
t C C 18A 5mA
??=×+×μ
Figure 2 shows the typical waveform with VCC under voltage lock out.
VCC Signal
Figure 2: VCC Under-Voltage Lock Out
(UVLO) Constant Current Operation
CH601 is a fully integrated regulator, the internal feedback logic responds to the internal sample and hold circuit to achieve constant output current regulation. The voltage of the internal sampling capacitor (V FB ) is compared to the internal reference 0.194V, when the sampling capacitor voltage (V FB ) falls below the reference voltage, which indicates insufficient output current, the integrated MOSFET is turned ON. The ON period is determined by the peak current limit. After the ON period elapses, the integrated MOSFET is turned OFF. The detail operation is shown as Figure 3.
MOS
I L V O
V FB
Figure 3: V FB vs I OUT
Thus by monitoring the internal sampling capacitor voltage, the output current can be regulated and the output current is determined by the following equation:
O 0.194V
I R1
=
The peak current can be obtained as follow:
Peak 0.45V
I
R1
=
R1 is the sense resistor.
Minimum Operating Frequency Limit
CH601 incorporates minimum operating frequency (22kHz) to eliminate the audible noise when frequency is less than 20kHz.
When operating frequency is less than 22kHz, the internal peak current regulator will decrease the peak current value to keep the operating frequency constant about 22kHz.
If the inductance value is too large to make the operating frequency reach the minimum operating frequency, the converter will enter the CCM. And the converter works in DCM when operating frequency is larger than 22kHz. Minimum Off Time Limit
A minimum off time limit is implemented. During the normal operation, the minimum off time limit
is 4.7us, and during the start up period, the minimum off time limit is shortened gradually from 18.8μs, 9.4μs to 4.7μs (Shown as Figure 4).Each minimum off time keeps 128 switching cycle. This soft start function enables safe start-up.
D riv
Figure 4: t minoff at start-up
Thermal Shutdown (TSD)
To prevent CH601 from any thermal damage, CH601 shuts down switching cycle when the junction temperature exceeds 150°C. As soon as the junction temperature drops below 90°C, the power supply resumes operation. During the thermal shutdown (TSD), the V CC is discharged to VCC PRO, and then is re-charged by the internal high voltage regulator. Open Lamp Protection
If the PRO pin voltage (V PRO)is higher than V OVP
when MOSFET turns off, CH601 stops working and a re-start cycle begins. Open lamp protection is hiccup mode. CH601 monitors the PRO pin voltage continuously and the VCC voltage discharges and charges repeatedly. CH601 resumes work until the fault disappears. Short Lamp Protection
If the PRO pin voltage (V PRO) is lower than V UVP when MOSFET turns off, CH601 stops working and a re-start cycle begins. Short lamp protection is hiccup mode. CH601 monitors the PRO pin voltage continuously and the VCC voltage discharges and charges repeatedly. CH601 resumes work until the fault disappears. Leading Edge Blanking
There are parasitic capacitances in the circuit which can cause high current spike during the turn-on of the internal MOSFET. In order to avoid the premature termination of the switching pulse, an internal Leading Edge Blanking (LEB) unit is employed. During the blanking time, the current comparator is disabled and blocked from turning off the internal MOSFET. Figure 5 shows the leading edge blanking.
Figure 5: Leading Edge Blanking (LED)
APPLICATION INFORMATION
Component Selection Input Capacitor
The input capacitor is used to supply the DC input voltage for the converter. Figure 6 shows the typical DC bus voltage waveform of full bridge rectifier.
V
Figure 6: Input voltage waveform When the full-bridge rectifier is used, the input capacitor is usually set as 2μF/W for the universal input condition. And when small power output, the half-bridge rectifier could also be used with a bigger capacitor.
Very low DC input voltage could cause thermal problem in LED application in Buck topology application. The minimum DC voltage is limited by the maximum duty cycle of CH601 as following expression:
O ON _MAX OFF _MIN DC(min)ON _MAX
V (t t )
V t ?+>
Inductor
CH601 has a minimum off time limit and maximum on time limit. Both time limits affect the inductance value. The maximum inductance value and minimum inductance value can be obtained as follows:
DC(min)O ON _MAX
m MAX Peak
(V V )t L L I ??<=
O OFF _MIN
m MIN Peak
V t L L I ?>=
If the inductance value is too large, the
converter enters CCM when the frequency reaches the minimum operating frequency. In such case, the reverse recovery of freewheeling diode results more power loss. Normally, it’s
better to make the converter operate in DCM. The following expression shows the limit of the minimum operating frequency.
O
m 2
SMIN Peak DC(min)O O
2I L 1
1
f ()I V V V ?<
?+??
Freewheeling Diode
The diode should have a maximum reverse voltage rating which is greater than the maximum input voltage. The current rating of diode is determined by the output current which should be larger than 1.5~2 times output current.
Slow diodes cause excessive leading edge current spikes during start-up which is not acceptable. Long reverse recovery time of freewheeling diode can also affect the efficiency and the circuit operation. So ultrafast diode (Trr<75ns) such as WUGC10JH or EGC10GH are recommended. Output Capacitor
The output capacitor is required to filter the inductance current and maintain the DC output voltage.
The output current ripple is reduced by using a bigger output capacitor. A low ESR capacitor is necessary in low temperature application. If the output voltage ripple is limited, the ceramic, tantalum or low ESR electrolytic capacitors are recommends to use. The output voltage ripple can be estimated by:
CCM_Ripple ESR S O
i
V i R 8f C Δ=
+Δ? CCM 2
O Peak O DCM_Ripple Peak ESR S O Peak
I I I V (
)I R f C I ?=
?+? DCM
Sense Resistor
The sense resistor needs to choose properly for better output current regulation. The right
resistor guarantees stable output current regulation in high temperature and low temperature conditions. The sense resistor should have 1% tolerance. It is even better to parallel two 1% tolerance resistors to decrease the resistance value error further. Sense resistor with ±400PPM/℃ temperature coefficient can be used for better output current regulation in high temperature and low temperature. Feedback Resistor
Feedback resistor is used to detect the fault operation mode such as open lamp or short lamp conditions. Figure 7 shows the feedback resistors connection.
Figure 7: Feedback resistor connection CH601 is integrated with open lamp protection and the over voltage protection point can be designed as following function.
OVP PRO D R2R3
V V (1)V R2
+=?+
? V D is the freewheeling diode forward voltage drop.
The upper feedback resistor (R3) is suggested to be larger than 100k ? to avoid the efficiency reduction in application. And the 1% tolerance type is recommended to use as feedback resistor to achieve accurate protection such over voltage protection when open lamp.
The feedback resistor R2 could be sized down to SMD 0603 package. Considering the dielectric withstanding voltage, R3 is recommended to have a minimum size of SMD 1206 package. Dummy Load
Dummy load is recommended to regulate the output voltage low than over voltage protection point when open lamp condition. The dummy load is used to consume the power transferred to output capacitor when hiccup mode without any power consumption.
Normally less than 1mA dummy load is suggested which not deteriorate the system efficiency and also guarantees the normal open lamp protection.
PRO Decoupling Capacitor
One decoupling cap is recommended to parallel between the PRO pin and GND pin. The floating GND pin is sensitive to the voltage noise spike in high side Buck solution. One
ceramic capacitor is suggested to use as decoupling capacitor to decouple the voltage noise for more stable operation.
Around 30pF PRO decoupling capacitor could be used in SOIC8 package application and as for smaller package TSOT23-5, no less than 100pF decoupling capacitor is recommended. Figure 8 shows the PRO pin decoupling capacitor connection.
Figure 8: Decoupling capacitor
PRO Time Constant
CH601 detects the PRO pin voltage to judge the fault condition when internal MOSEFET turns off. Long rise time of the PRO pin voltage affects CH601 normal output voltage sample which can not judge the open lamp immediately. The PRO pin time constant (τ) should satisfy the following expression to guarantee the normal open lamp protection.
PRO R2R3
C 1s R2R3
?τ=?<μ+
Output Power V-I Curve
The thermal performance limits the output power of CH601 in very small size LED application. Different output voltage and output current specification bring about different maximum output power delivered form the CH601 device.
Figure 9 and Figure 10 separately show the reference V-I curve in universal input voltage and high voltage input under following assumed conditions: 1. Buck topology.
2. Ambient temperature 90.℃
3. Around 30kHz working frequency.
4. No PF required where input capacitor >9uF.
5. Not trigger the thermal shutdown and leave
one LED margin.
I O U T (m A )
V OUT (V)
MP4050 V-I Curve Universal Input
051015202530354045505560657075
Figure 9: Universal input V-I curve
(85VAC~265VAC)
I O U T (m A )
V OUT (V)
MP4050 V-I Curve High Voltage Input
50020406080100120140160180200220
Figure 10: High voltage input V-I curve
(200VAC~265VAC)
Power Factor
CH601 is mainly used for non-isolated, space constrained and cost sensitive LED driver solution. As for the PF>0.5 when 120VAC input required, CH601 is also the best choose. The input capacitance is reduced to achieve the highest possible power factor as PF>0.7 when 120VAC and PF>0.5 when 230VAC if the output current regulation is not strict. Surge
Select the appropriate input capacitance to obtain a good surge performance. With the input capacitor C2 (4.7uF) and C3 (4.7uF) as Figure 13, the board can pass 1kV differential input line 1.2/50us surge test (IEC61000-4-5). It is recommended to increase the input capacitor value to suppress above 1kV surge test. As for high PF required application with lower input capacitor value giving a greater voltage rise, a Metal Oxide Varistor (MOV) is typically required to pass the above 1kV or greater surge test. Table 1 shows input capacitor value required for pass the differential surge test.
Table 1: Recommended input capacitance Surge
voltage
500V 1000V 1500V 2000V C2 3.3μF 4.7μF 4.7μF Show in
Figure11 C3 3.3μF 4.7μF 10μF
The demo board can pass the 2000V differential surge test by adopting below circuit setup.
(1) Add a MOV RV1(TVR14431)
(2) Add a fuse F1 (SS-5-2A)
Figure11: 2kV surge solution
Layout Guide
PCB layout is very important to achieve reliable operation, good EMI and good thermal performance especially in very small size LED application. The following describe some layout recommendations.
1. The loop formed between the CH601,
inductor, freewheeling diode and output capacitor should be kept as small as possible for better EMI.
2. Put the AC input far away from the switching
nodes to minimize the noise coupling that may bypass the input filter.
3. The VCC pin and PRO pin capacitor should
be located physically close to the IC and GND.
4. Put the feedback resistor next to the PRO
pin as possible and minimize the feedback sampling loop to minimize the noise coupling route.
5. In the buck topology, since the CH601
SOURCE pin is switching nodes, the copper area connected to SOURCE should be minimize to minimize EMI with the thermal constraints of the design. 6. Since CH601 DRAIN pin is static node
connecting to DC input, the copper area connected to DRAIN could be maximized to
improve the heat sinking.
Figure 12 shows a sample layout.
Top Layer
Bottom Layer
Figure 12: PCB Layout
Design Example
Below is a design example following the application guidelines based on these specifications:
Table 2: Design Example
V IN85Vac~265Vac
V OUT40V
I OUT115mA
Figure 13 shows the detailed application schematic. This circuit is used for the typical performance and circuit waveforms. For more device applications, please refer to the related evaluation board datasheets.
TYPICAL APPLICATION CIRCUITS
Figure 13 shows a typical application example of a 40V, 115mA non-isolated buck topology power supply using CH601.
Figure 13: Typical Buck Converter Application
FLOW CHART
UVLO, OTP, Short Lamp Protection, Open Lamp Protection
All protections are auto restart
Figure 14: Control Flow Chart
VCC
Driver
Supply Current
Fault Condition
V CC VCC VCC VCC Figure 15: Evolution of the signal in presence of a Fault
PACKAGE INFORMATION
TSOT23-5
TOP VIEW
FRONT VIEW SIDE VIEW
RECOMMENDED LAND PATTERN
NOTE:
1) ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
2) PACKAGE LENGTH DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH,
PROTRUSION OR GATE BURR.
3) PACKAGE WIDTH DOES NOT INCLUDE INTERLEAD FLASH
OR PROTRUSION.
4) LEAD COPLANARITY (BOTTOM OF LEADS AFTER FORMING)
SHALL BE 0.10 MILLIMETERS MAX.
5) DRAWING CONFORMS TO JEDEC MO-193, VARIATION AA.
6) DRAWING IS NOT TO SCALE.
SEE DETAIL "A"
DETAIL “A”
班级经典诵读活动方案
古城营诵读活动方案 “诵千古美文，做少年君子”，“与圣贤为友，与经典同行”，读经典一部，胜读杂书万本。诵读经典，陶冶性情，积淀底蕴，让学生与书本为友，与大师对话，在人类优秀文化遗产中净化自己的灵魂，升华自己的人格。 一、活动目标： 通过开展“经典诵读”活动，让学生感悟优秀传统文化经典作品，使同学们从阅读经典中感受中华文化的源远流长，汲取民族精神的丰富营养。培育同学们的爱国情操、崇高志向、自强人格、诚信品质。让同学们感受汉语言的魅力，培养同学们对文学的兴趣爱好，提高学习能力，为终身发展奠定基础。中华文化博大精深，源远流长，从古代的《诗经》到诸子百家的诗文，其知识之广泛，包容之博厚，辞章之精华，内涵之丰富，是任何一个民族都难以望其项背的。国学经典是中华传统文化的精华。为了弘扬民族文化，提高少年儿童阅读国学经典的能力，丰富和积累文学知识，创建良好的校园文化，营造浓郁的读书氛围，提高道德素质，增强民族自信心和自豪感；特结合学校的养成教育和国学教育活动，开展了“经典诵读比赛”活动，努力将国学教育与培养学生良好习惯、高尚情操、优秀品格的人文教育有机地融合，着力打造有特质的工小少年。 二、活动主题：诵千古美文，做少年君子 三、活动原则： 本着基础性、趣味性、参与性、发展性、自主性的原则，在班级中精心组织学生参加活动，让所有学生全程参与整个活动，让学生在活动中积累知识、提高审美情趣、陶冶道德情操、养成读书习惯。 四、参赛对象:六（2）班全体学生。 五、具体要求： 1、时间上要有保障 （1）每天晨读10分钟为诵读经典古诗词。 （2）语文课前2-3分钟进行诵读。 （3）午读前20分钟进行诵读。 （4）回家诵读7-8分钟。 2、组织上要有保障
经典诵读实施方案
中国传统文化“经典诵读”实施方案我国传统文化中的经典名著，极富哲理与文学精华，是古圣前贤留给子孙后代的一份珍贵财富。其中，经过千百年锤炼与洗礼的蒙学教材，语言相袭，血脉相承，以其显著的教育功效与广泛持久的影响力，成为蒙养教育的经典教材。如《三字经》已有七百多年历史，包括了中国传统的教育、历史、天文、地理、伦理、道德以及一些民间传说等内容，三字一句的韵文极易成诵，言简意赅，广泛生动。诵读《三字经》，不仅可以学习语言文字，而且能够“知天下事，通圣人礼”，堪称“蒙学之冠”。1990年新加坡出版的英文新译本《三字经》，被联合国教科文组织选入“儿童道德丛书”，向全世界推广。这类蒙学教材以精炼优美的语言为载体，文以载道，渗透着本民族的核心价值观念，在当今电子媒体发达、垃圾文化泛滥、传统道德滑坡的社会环境中，对于儿童教育显得更为珍贵而必要。在小学阶段有目的、有组织、有步骤、有选择地学习传统的蒙学教材，开展“经典诵读”活动，对于提升小学生的语文素养、加强学生的道德教育、弘扬民族优秀文化，具有十分重要的现实意义。我校在“大量阅读”语文教改实验的架构下，为补充当前小学语文教材和近现代白话读物之不足，系统地组织开展我国传统文化“经典诵读”活动。为保证该活动的有序性、有效性和系统化，特制定本实施方案。 一、经典诵读的指导思想
传承与弘扬我国优秀的传统文化，补充当下小学语文教材之不足，提高小学生的文化素养与道德素质，促进学生健康、和谐的全面发展。 二、经典诵读的设定目标 总体目标： 在不加重小学生课业负担的前提下，开展经典诵读活动，使小学生从小受到我国传统文化的熏陶，加强小学生对传统文化的了解与热爱，提高小学生的国学修养和文化水平；发挥传统文化的教化力量，增强道德教育的实效性；把小学生培养成长为新一代兼具世界眼光和现代人意识、胸含传统文化底蕴的未来社会的建设者。 具体目标： 1、各年级学生在学好规定的小学语文教材的基础上，低中年纪以学习传统的蒙学教材为主；高年级以诵读传统文化中的经典名篇为主。我校一至六年级学生依次系统地学习《三字经》《弟子规》《百家姓》《千字文》《笠翁对韵》《增广贤文》《朱子家训》《大学》《中庸》《孟子》《论语》《道德经》等，使之具备一定的国学基础，促进语文能力的提高。 2、充分利用学生记忆力发展的黄金时期，大量诵读，为学生的未来发展作好知识储备，并以此锻炼与增强学生的记忆能力，提高记忆内容的质量。 3、将学生长期置于诵读经典的氛围之中，使之受到传统道德和价值观的熏陶，提升学生的道德品质水平和道德实践能力，达到人格教化的目的，促进学生身心健康成长。
旅游活动策划方案
旅游活动策划方案 为给第三届“天马”文化旅游节营造浓郁的节庆氛围，根据第三届“天马”文化旅游节凉州区筹委会的安排，由武威城东生态农业观光旅游区管委会和凉州区旅游局主办，荣华旅行社承办这次“观生态农业长自然知识寻先祖遗迹探大漠神秘”夏令营活动，现制定如下方案： 一、活动目的及意义 通过举办此次活动，充分展示和推介凉州城东生态农业丰富的旅游资源，隆重推出适合“武威人游武威”的旅游新线路，全面启动凉州生态农业观光旅游项目，营造我区特色文化与生态农业有机结合的大旅游环境。 二、活动名称 “观生态农业长自然知识寻先祖遗迹探大漠神秘”夏令营活动 三、前期准备工作安排 （一）宣传时间与地点 1、宣传时间：6月12日下午17：00——20：00 2、宣传地点：世纪经典广场 （二）活动安排 1、场地：由“节会”凉州区筹委会办公室协调安排。
2、会场布置：活动所需气球、拱门、条幅、会标、乐队表演由荣华旅行社负责，由凉州区旅游局和城东生态农业观光旅游区管委会协助活动会场的布置。 3、宣传材料：由荣华旅行社负责印制5000份。材料中包括线路所涉景点简介、参加活动报价、报名电话、联系人等。 4、报名方式：由荣华旅行社提供现场报名或开通报名热线。 报名地点：北大街19号荣华旅行社（雪莲宫对面） 报名联系人： 报名热线：225ｘｘｘｘ 5、景点门票情况： 张清堡古槐（免）、林业科技示范园区（免）、神州荒漠野生动物园10元/人（半价）、高沟堡遗址（免）、沙漠公园2元/人。各游览景点门票费用由武威城东生态农业观光旅游区管委会、凉州区旅游局协调减免或减半收取。 （三）印制有活动名称及主办单位名称的文化衫、旅游帽或旅行包。费用由荣华旅行社承担。 （四）旅游车辆、导游和保险费、随团医护人员。由荣华旅行社按照标准团队安排。 四、活动线路 凉州城区（义乌商贸城广场）——张清堡古槐——林业科技示范园区——神州荒漠野生动物园（农家乐午餐）——高沟堡遗址——腾格里沙漠——沙漠公园（晚餐）——沙漠公园联谊篝火晚会——市区
高中经典诵读活动方案
高中经典诵读活动方案 正是通过文化经典，民族精神才得以传承和不断发展，开展经典诵读活动意义深远，基于此种认识，我校把“中学生诵读中华文化经典活动作为民族精神教育规划中的重要板块之一。 优秀的古典诗文(唐诗、宋词、元曲等)、典范的现代白话文以及反映本地区改革开放新成就的优秀作品都在我们的诵读之列。 这些作品既是我校开展经典诵读活动的蓝本，也是我校开展民族精神教育活动的主要载体。 二、成立学校经典诵读活动领导小组组长：何飞胜副组长：杨丽华、黄利民成员：廖延安、欧美英、李玉玲、张荣英、张家贵、陈铮、杨剑文、邱煜婷、陈月英、江艳、林华、杨秋娟、兰卫芳、陈海玲三、活动目标通过诵读、熟背经典、美文、唐宋诗词，以达到文化熏陶、智能锻炼与人格培养的目的。 了解优秀的中华文化和民族精神，从而产生民族自豪感和爱国主义情感。 让优秀的中华文化和民族精神在学生的心灵中不断地产生潜移默化的作用，陶冶其性情。 1、弘扬中国优秀传统文化，教育学生从小热爱祖国传统文化，了解祖国优秀文化，提升人文素养。 2、让学生诵读经典、理解经典，以经典诗文，陶冶学生高雅情操，开阔胸襟，帮助学生养成良好的学习、行为习惯，培养开朗豁达的性
情、自信自强的人格、和善诚信的品质。 3、在诵读熟背中增大识字量、扩大阅读量、增加诗文诵读量，培养学生读书兴趣，掌握诵读技巧，培养阅读习惯和能力，使学生在诵读中增强语感，感受文言精华，提高学生的语文水平和审美能力，提升学生语文素养。 4、在学校营造浓厚的阅读氛围，通过开展经典诵读活动，营造和谐的、人文的、丰富的校园文化。 四、活动原则1、参与性原则：大众参与，熟读成诵。 2、差异性原则：承认学生个体间记忆思维等的差异性。 3、自主性原则：允许学生在规定阶段完成规定内容外，诵读更多的经典，并给予相应的评价。 4、鼓励性原则：以鼓励为主，引导学生热爱经典为根本。 五、诵读内容以国家语言文字工作委员会组织编写的《中华经典诗文诵读读本》(中学篇)及中学《语文课程标准》中规定的必读诗文为主要内容，以及旨在提高中学生人文素养和弘扬民族精神的有关励志、爱国、惜时、亲情、好学等方面的诗文和中外现、当代美文。 如：六、诵读活动基本时间安排保证学生不少于20分钟的诵读时间。 1、早读：利用部分时间诵读经典。 2、语文课前3分钟。 语文老师负责，为减轻学生背诵古诗的负担，教师要见缝插针，
道德经典诵读100条
道德经典诵读100条 《道德经》 1.上善若水，水善利万物而不争。 2.信不足焉，有不信焉。 3.曲则全，枉则直，洼则盈，敝则新，少则得，多则惑。 4.知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强，知足者富，强行者有志。 5.轻则失根，躁则失君。 6.大方无隅，大器晚成，大音希声，大象无形。 7.甚爱必大费多藏必厚亡。知足不辱，知止不殆，可以长久。 8.天下难事，必作于易；天下大事，必作于细。 9.为之于未有，治之于未乱。 10.合抱之木，生于毫末；九层之台，起于累土；千里之行，始于足下。 11.慎终如始，则无败事。 12.江海所以能为百谷王者，以其善下之，故能为百谷王。 13.我有三宝，持而保之：一曰慈，二曰俭，三曰不敢为天下先。 14.信言不美，美言不信。善者不辩，辩者不善。知者不博，博者不知。 15.生而不有，为而不恃，功成而弗居。 《论语》 16.子曰：“人无远虑，必有近忧。” 17.不迁怒，不贰过。 18.子曰：“贫而无怨难，富而无骄易。” 19.子曰：“君子求诸己，小人求诸人。” 20.子曰：“学而时习之，不亦说乎？有朋自远方来，不亦乐乎？人不知而不愠，不亦君子乎？” 21.子曰：“三人行，必有我师焉；择其善者而从之，其不善者而改之。” 22.子曰：“益者三友，损者三友。友直，友谅，友多闻，益矣。友便辟，友善柔，友便佞，损矣。” 23.子曰：“其身正，不令而行；其身不正，虽令不从。”
24.曾子曰：“士不可以不弘毅，任重而道远。仁以为己任，不亦重乎？死而后已，不亦远乎？” 25.曾子曰：“吾日三省吾身:为人谋而不忠乎？与朋友交而不信乎？传不习乎？” 26.子曰：“君子泰而不骄，小人骄而不泰。” 27.子曰：“知之者不如好之者，好之者不如乐之者。” 28.子曰：“默而识之，学而不厌，诲人不倦，何有于我哉？” 29.子曰：“君子坦荡荡，小人长戚戚。” 30.子曰：“君子耻其言而过其实。 31.子曰：“巧言乱德。小不忍则乱大谋。” 32.子曰：“不患人之不己知，患不知人也。” 33.子曰：“君子周而不比，小人比而不周。” 34.子曰：“学而不思则罔，思而不学则殆。” 35.子曰：“见贤思齐焉，见不贤而内自省也。” 36.子曰：“质胜文则野，文胜质则史。文质彬彬，然后君子。” 37.子曰：“不义而富且贵，于我如浮云。” 38.子曰：“己所不欲，勿施于人。” 39.子曰：“夫仁者，己欲立而立人，己欲达而达人。能近取譬，可谓仁之方也已。” 《孟子》 40.不以规矩，不能成方圆。 41.富贵不能淫，贫贱不能移，威武不能屈，此之谓大丈夫。 42.天将降大任于斯人也，必先苦其心志，劳其筋骨，饿其体肤，空乏其身，行拂乱其所为。 43.生于忧患，死于安乐。 44.老吾老，以及人之老；幼吾幼，以及人之幼。 《弟子规》 45.父母教须敬听父母责须顺承 46.称尊长勿呼名对尊长勿现能 47.衣贵洁不贵华上循份下称家 48.事勿忙忙多错勿畏难勿轻略 49.用人物须明求倘不问即为偷 50.己有能勿自私人有能勿轻眦
2017年高考任务驱动型作文.
2017年高考任务驱动型作文 “网红”写作指导及例文 4篇 阅读下面的材料,根据要求写一篇不少于 800字的文章。 (60分 伴随着互联网在中国的发展,新业态、新话题层出不穷。网红即在互联网上走红的普通人, 20多年来经历了从靠个人才华或出位的言行博得网民关注但无“变现”能力的初级阶段,到借助社交媒体成为微博名人,再到当前依托团队运营具有强大吸金能力的变迁。据今年上半年由民间机构发布的《“网红”经济白皮书》提供的数据,中国网红人数已达百万。越来越多的人通过在互联网上贩卖低俗劣质的内容走红, 且支持者不断扩大。 以上材料引发了你怎样的思考?结合自己的体验与感悟, 写一篇文章。要求:①自选角度, 自拟标题, 自定文体;②不得套作,不得抄袭;③用规范汉字书写。 【写作提示】 一、看清楚材料的内容层次与命题者的意图 伴随着互联网在中国的发展,新业态、新话题层出不穷【网红产生的背景】。网红即在互联网上走红的普通人【网红的定义】 , 20多年来经历了从靠个人才华或出位的言行博得网民关注但无“变现”能力的初级阶段,到借助社交媒体成为微博名人,再到当前依托团队运营具有强大吸金能力的变迁【网红的发展过程】。据今年上半年由民间机构发布的《“网红”经济白皮书》提供的数据,中国网红人数已达百万【网红结出的果】。网红本无原罪,越来越多的人通过在互联网上贩卖低俗劣质的内容走红,且支持者不断扩大【材料末尾往往是命题者的意图所在】。 二、可以从三个角度来立意 (一从人性的角度出发,低俗网红打开了盛有人性恶的潘多拉之盒,可以在不知不觉中侵蚀浸淫于此的人。可以立意为“纯洁人性,反对以丑为美” “抵制恶的诱惑” “低俗网红容易突破法律的界限” 。 (二从集体精神养成的角度来说,低俗网红导致
经典诵读比赛活动方案
西海岸新区后立柱小学中华经典诵读比赛活动方案 一、活动主题：诵读中华经典，营造书香校园。 二、活动目的： 通过组织学生经典诵读比赛的方式，弘扬祖国优秀的传统文化，让学生在诵读过程中获得古诗文及近现代经典诗文的基本熏陶和修养，接受中国传统美德潜移默化的影响和教育，培养学生博览群书、诵读国学经典的良好习惯，在校内形成热爱读书的良好风气，营造勤奋读书、努力学习、奋发向上的校园文化，提高学生阅读古诗文经典的兴趣，增强广大学生文化和道德素质。 三、组织领导： 中华经典诵读活动是一项重要的文化教育工程，贵在天天诵读，持之以恒。广大教师要怀抱历史使命感，增强时代责任感，积极组织，认真落实，确保此项活动取得良好效果。经研究决定，成立西海岸新区后立柱小学“中华经典诵读”活动领导小组： 组长：吕复勇 副组长：管延金潘玉亭 组员：丁一君王瑞秀刘欢张凌雪张欢蔡亚文潘增科马清传刘玉先王莎莎张在春活动做到责任明确，责任到人，确保诵读活动顺利进行；要严格初赛选拔，不得随意指定参加决赛人选；要以这次比赛活动为契机，在师生中广泛开展“中华经典诵读”活动，在全校掀起中华经典诵读的热潮，真正让广大师生阅读经典，亲近经典，热爱经典。
四、比赛时间及地点： 预赛时间：2018年4月17日--- 4月21日 地点：后立柱小学学校操场 决赛时间：2018年4月26日--- 4月27日 地点：后立柱小学学校操场 五、参赛对象及内容： 1、对象：全体师生。 2、内容：分自选内容和抽选内容，自选诵读内容为《语文课程标准》推荐的优秀古诗文篇目及近现代经典诗文、《三字经》、《弟子规》、《论语》、《大学》、《中庸》、《孟子》、《朱子家训》等。抽选内容均选自本学期校“每周弟子规诵读”的内容。 六、比赛方式： 比赛分自选背诵、抽背两种形式： （1）自选：全班齐背，可穿插舞蹈、吟唱、书画等其他艺术表演艺术表演形式。 （2）抽背：在“每周经典诵读”的诵读篇目中，任意抽取内容（自选的内容除外）。每班班长抽选内容后，全班齐背。 七、比赛程序 1、初赛： 初赛由各年级自行组织进行。各年级要在全组师生中广泛开展“中华经典诵读”活动，在此基础上组织进行初赛，初赛都采用相同的比赛形式，根据相同的评分标准来评奖。
道德经典诵读年度工作方案
国学经典诵读实施方案 为了使每一名学生的终身发展积淀厚重的国学底蕴，让中华民族的优秀传统文化焕发出勃勃生机，“博观而约取，厚积而薄发”，以促进职工终身发展，积极营造“诵读国学经典，积淀文化底蕴”的书香基层医院。特制活动实施方案。 一、活动宗旨： 1、传承中华文化。通过诵读活动的开展，使学生感受到民族文化源远流长，儒家思想博大精深，从经典之作中去吸取民族精神的源头活水，获得古圣先贤的智慧之光。 2、陶冶性情品德。与圣贤为友，与经典同行，美心美文，嘉言懿行。在熟读成诵之中潜移默化，培养开朗豁达的性情，自信自强的人格，和善诚信的品质。 3、推进素质教育。读经诵典，培育心灵，吸取营养，开发心智，使学生道德、文化、智能等方面的素质得到全面提高；丰富“重德崇智、和谐发展、体验成长”的办学思想；营造儒雅高洁的社区中心文化。 二、活动领导小组: 组长：王体伟 副组长：邹长群，周长喜。 成员：中心全体职工 三、活动时间： 1、活动筹划：2015年2月 2、活动实施：2015年3月——12月 四、活动内容： 1、诵读的名篇：《劝学》、《论语》、《大学》、《孝经》、《正气歌》、《三字经》、《弟子规》、《孟子》、《中庸》、《诗经》、《尚书》、《礼记》等。 2、诵读时间：每周中心会课——班级诵读，假期独立自读。 3、领诵人：王体伟 4、实施快乐学习法。领导引导职工熟读，让学生在默读、轻声读、分组读、齐读，轮读，示范读、听读等多种形式中水到渠成地熟读成诵。 5、营造氛围，走进中心，处处弥漫着浓郁的书香气。科室精选古诗文、名言警句布置楼道、橱窗。在中心广播、橱窗、板报等媒介开辟国学经典诵读专栏，让职工时时处
XX旅游景区文化艺术节活动实施方案
XX旅游景区文化艺术节活动实施方案
一、指导思想 坚持育人为本，以学校为基础，开展丰富多彩の日勺艺术活动，使学生参加展演活动の日勺过程成为受教育の日勺过程，培养健康の日勺审美情趣和良好の日勺艺术修养，进一步推进“校校有艺术团队，人人有艺术项目”“人人会种乐器，校校有支乐队”工程。通过才艺展示活动，进一步丰富学生课余生活，促进学生德智体美全面发展，加快校园文化建设。 二、主题内容 展现少年儿童热爱祖国、健康活泼、积极向上の日勺思想情趣，努力学习、勤于探索、敢于创新の日勺风采才华和丰富多彩の日勺校园生活。体现向真、向善、向美、向上の日勺校园文化特质，促进学校艺术教育の日勺改革和发展，展示中小学、幼儿园艺术教育の日勺丰硕成果。 三、参加对象和分组 参加对象为全体幼儿、中小学生，分为幼儿组、小学组、初中组。 四、活动项目和要求 本届艺术节活动按照声乐、器乐、舞蹈、语言、戏曲、书画六大类进行，具体内容如下: （一）声乐类:独唱、重唱、合唱（大合唱、小合唱、表演唱） 大合唱：合唱队人数不超过60人，钢琴或手风琴伴奏1人，指挥1人，演出时间不超过10分钟(必须演唱2声部以上作品)。 小合唱或表演唱：人数不超过15人，含伴奏，不设指挥，不得伴舞，演出时间不超过5分钟。 重唱：不超过5人，可有伴奏，演出时间不超过5分钟。
独唱：可有伴奏1人，演出时间不超过5分钟。 （二）器乐类：独奏、重奏、齐奏。 齐奏或重奏：人数不超过10人，演出时间不超过5分钟； 独奏：可有伴奏1人，演出时间不超过5分钟。 （三）舞蹈类：独舞、双人舞、三人舞、群舞。 群舞：人数不少于8人、不超过36人，演出时间不超过5分钟。 双人舞或三人舞：演出时间不超过5分钟。 独舞：演出时间不超过5分钟。 （四）语言类:朗诵、演讲、主持、相声、小品、快板。节目限时5分钟。 （五）戏曲类: 戏曲、话剧、歌剧、歌舞剧、音乐剧、校园剧、课本剧、小品剧。演出人数不超过8人，演出时间不超过12分钟， （六）书画类：美术、书法、摄影。 ①美术：国画、油画、水彩、水粉、版画、素描、儿童画。必须昰学生独立创作の日勺作品，形式自选，题材自定；作品不超过132×60厘米，不小于40×30厘米。 ②书法：硬笔、软笔。作品不超过132×60厘米，不小于40×30厘米。 ③摄影：单张照和组照（每组不超过4幅，需标明顺序号），尺寸均为14吋，不得进行电脑制作和暗房技术处理 五、活动安排 本届展演活动分三个阶段进行。各学校根据下列安排，做好宣传发动和组织实施工作。 （一）学校开展活动阶段（2016年4月至5月中旬） 本阶段活动主要内容：以学校为单位，组织开展内容丰富、形式多样の日勺艺术活动，要发动全体学生参与，达到每个学生至少参加一项艺术活动
XX经典诵读活动方案(4篇)
XX经典诵读活动方案(4篇) 一、指导思想 经典著作是我国民族文化教育精神的一个庞大载体，是我们民族生存的根基，也是我们民族精神的纽带。正是通过文化经典，民族精神才得以传播和不断发展，开展经典诵读活动意义深远，基于此种认识，我校把“中学生诵读中华文化经典”活动作为民族精神教育规划中的重要板块之一。优秀的古典诗文（唐诗、宋词、元曲等）、典范的现代白话文以及反映本地区改革开放新成就的优秀作品都在我们的诵读之列。这些作品既是我校开展经典诵读活动的蓝本，也是我校开展民族精神教育活动的主要载体。 二、活动目标 通过诵读、熟背经典、美文、唐宋诗词，以达到文化熏陶、智能锻炼与人格培养的目的。了解优秀的中华文化和民族精神，从而产生民族自豪感和爱国主义情思。让优秀的中华文化和民族精神在学生的心灵中不断地产生潜移默化的作用，潜移默化地陶冶其性情。 1、弘扬中国优秀传统文化，教育学生从小热爱祖国传统文化，了解祖国优秀文化，提升人文素养。 2、让学生诵读经典、理解经典，以经典诗文，陶冶学生高雅情趣，开阔胸襟，帮助学生养成良好的学习、行为习惯，培养开朗豁达的性情、自信自强的人格、和善诚信的品
质。 3、在诵读熟背中增大识量、扩大阅读量、增加诗文诵读量, 培养学生读书兴趣，掌握诵读技巧，培养阅读习惯和能力，使学生在诵读中增强语感，感受文言精华，提高学生的语文水平和审美能力，提升学生语文素养。 4、在学校营造浓厚的阅读氛围，通过开展经典诵读活动，营造和谐的、人文的、丰富的校园文化。 三、活动原则 1、模糊性原则：不求甚解，只求熟读成诵。 2、差异性原则：承认学生个体间记忆思维等的差异性。 3、自主性原则：允许学生在规定阶段完成规定内容外，诵读更多的经典，并给予相应的评价。 4、鼓励性原则：以鼓励为主，引导学生热爱经典为根本。 四、诵读内容 以国家语言文工作委员会组织编写的《中华经典诗文诵读读本》（小学篇）及小学《语文课程标准》中规定的必读诗文为主要内容，以及旨在提高中小学生人文素养和弘扬民族精神的有关励志、爱国、惜时、亲情、好学等方面的诗文和中外现、当代美文。 各年级诵读内容附后。 四、诵读活动基本时间安排
经典诵读活动的实施方案
濮阳市实验中学 中华文化经典诵读实施方案 为进一步弘扬中华传统文化，充分利用文化经典优秀资源，深化和拓展未成年人思想道德教育，促进未成年人全面发展、健康成长，按照市委宣传部、文明办、市教育局关于《在全市未成年人中深入开展中华文化经典诵读活动实施意见》的通知要求，结合我校实际，制定本方案。 一、指导思想 以党的十七大精神为指导，深入贯彻落实科学发展观，进一步落实《爱国主义教育实施纲要》、《公民道德建设实施纲要》和中共中央、国务院《关于进一步加强和改进未成年人思想道德建设的若干意见》，坚持以社会主义核心价值体系建设为根本，充分依托学校教育资源和优势，发挥广大师生的积极性、主动性和创造性，以相关课程、课外活动及校园文化建设为载体和平台，充分发挥中华文化经典的现代德育功能，广泛深入开展中华文化经典诵读活动，弘扬传统文化，践行道德规范，培育良好风尚，提高未成年人人文素养，全面推进素质教育，促进未成年人全面发展，健康成长。 二、目标任务 1、教育和引导广大未成年人在诵读经典中感受传统文化博大精深和
巨大魅力，认知传统、尊重传统、继承传统，弘扬和培育民族精 神，激发爱国情感，增强民族自信心和民族自豪感，建设中华民族共有精神家园。 2、教育和引导广大未成年人在诵读经典中受到高尚道德品格的熏陶，在与古人关于励志、修身、勉学、处世的经典对话中，锻炼人格、塑造品德，提高人文修养。 3、教育和引导广大未成年人把道德文章转化为道德观念，自觉践行 道德规范，养成良好的行为习惯。 三、任务要求 要充分发挥学校中华文化经典诵读主阵地的作用，坚持把中华文化经典诵读纳入学校教育教学工作，做到每个学期有计划、有落实、有总结。具体就是要做到坚持五个原则，通过五条途径，抓好六个落实。（一）坚持五个原则 1、坚持“三贴近”原则。遵循未成年人身心特点和成长规律，贴近 实际、贴近生活、贴近未成年人，根据未成年人认知特点和接受能力，精选内容，创新形式，增强诵读活动的针对性和实效性。鼓励每名学生参加诵读活动，组织各类比赛活动，人人参与，人人锻炼，提高学生的审美水平和心理素质。 2、坚持继承传统文化和弘扬时代精神相结合。紧密结合时代特点组 织开展诵读活动，使广大未成年人在诵读经典中受到优秀文化的熏陶，弘扬和培育民族精神，激发爱党爱国爱社会主义情感，树立正确的 道德观和理想信念，促进社会主义核心价值体系建设
2016年旅游文化活动方案
2016旅游文化活动方案