计算机专业基础综合考研真题

2015年全国硕士研究生入学统一考试

计算机学科专业基础综合试题

一、单项选择题：140小题，每小题2分，共80分。下列每题给出的四个选项中，只有一个选项符合题目要求。请在答题卡上将所选项的字母涂黑。

1．已知程序如下：

int s(int n)

{ return (n<=0) ? 0 : s(n-1) +n; }

void main()

{ cout<< s(1); }

程序运行时使用栈来保存调用过程的信息，自栈底到栈顶保存的信息一次对应的是A．main()->S(1)->S(0) B．S(0)->S(1)->main()

C．m ain()->S(0)->S(1) D．S(1)->S(0)->main()

2．先序序列为a,b,c,d的不同二叉树的个数是

A．13 B．14 C．15 D．16

3．下列选项给出的是从根分别到达两个叶节点路径上的权值序列，能属于同一棵哈夫曼树的是

A．24，10，5和24，10，7 B．24，10，5和24，12，7

C．24，10，10和24，14，11 D．24，10，5和24，14，6

4．现在有一颗无重复关键字的平衡二叉树（A VL树）,对其进行中序遍历可得到一个降序序列。下列关于该平衡二叉树的叙述中，正确的是

A．根节点的度一定为2 B．树中最小元素一定是叶节点

C．最后插入的元素一定是叶节点D．树中最大元素一定是无左子树

5．设有向图G=(V,E)，顶点集V={V0,V1,V2,V3}，边集E={,,，},若从顶点V0 开始对图进行深度优先遍历，则可能得到的不同遍历序列个数是A．2 B．3 C．4 D．5

6．求下面带权图的最小（代价）生成树时，可能是克鲁斯卡（kruskal）算法第二次选中但不是普里姆（Prim）算法（从V4开始）第2次选中的边是

A．(V1,V3) B．(V1,V4) C．(V2,V3) D．(V3,V4)

7．下列选项中，不能构成折半查找中关键字比较序列的是

A．500，200，450，180 B．500，450，200，180

C．180，500，200，450 D．180，200，500，450

8．已知字符串S为“abaabaabacacaabaabcc”. 模式串t为“abaabc”, 采用KMP算法进行匹配，第一次出现“失配”(s[i] != t[i]) 时，i=j=5,则下次开始匹配时，i和j的值分别是A．i=1，j=0 B．i=5，j=0 C．i=5，j=2 D．i=6，j=2

9．下列排序算法中元素的移动次数和关键字的初始排列次序无关的是

A．直接插入排序 B．起泡排序C．基数排序 D．快速排序

10．已知小根堆为8，15，10，21，34，16，12，删除关键字8之后需重建堆，在此过程中，关键字之间的比较数是

A．1 B．2 C．3 D．4

11．希尔排序的组内排序采用的是（）

A．直接插入排序 B．折半插入排序 C．快速排序 D．归并排序

12．计算机硬件能够直接执行的是（）

Ⅰ．机器语言程序Ⅱ．汇编语言程序Ⅲ．硬件描述语言程序

A．仅ⅠB．仅ⅠⅡC．仅ⅠⅢD．ⅠⅡⅢ

13．由3个“1”和5个“0”组成的8位二进制补码，能表示的最小整数是（）

A．-126 B．-125 C．-32 D．-3

14．下列有关浮点数加减运算的叙述中，正确的是（）

Ⅰ. 对阶操作不会引起阶码上溢或下溢

Ⅱ. 右规和尾数舍入都可能引起阶码上溢

Ⅲ. 左规时可能引起阶码下溢

Ⅳ. 尾数溢出时结果不一定溢出

A．仅ⅡⅢB．仅ⅠⅡⅣ C．仅ⅠⅢⅣD．ⅠⅡⅢⅣ

15．假定主存地址为32位，按字节编址，主存和Cache之间采用直接映射方式，主存块大小为4个字，每字32位，采用回写（Write Back）方式，则能存放4K字数据的Cache 的总容量的位数至少是（）

A．146k B．147K C．148K D．158K

16．假定编译器将赋值语句“x=x+3;”转换为指令”add xaddt, 3”，其中xaddt是x 对应的存储单元地址，若执行该指令的计算机采用页式虚拟存储管理方式，并配有相应的TLB，且Cache使用直写（Write Through）方式，则完成该指令功能需要访问主存的次数至少是（）A．0 B．1 C．2 D．3

17．下列存储器中，在工作期间需要周期性刷新的是（）

A．SRAM B．SDRAM C．ROM D．FLASH

18．某计算机使用4体交叉存储器，假定在存储器总线上出现的主存地址（十进制）序列为8005，8006，8007，8008，8001，8002，8003，8004，8000，则可能发生发生缓存冲突的地址对是（）

A．8004、8008 B．8002、8007 C．8001、8008 D．8000、8004

19．下列有关总线定时的叙述中，错误的是（）

A．异步通信方式中，全互锁协议最慢

B．异步通信方式中，非互锁协议的可靠性最差

C．同步通信方式中，同步时钟信号可由多设备提供

D．半同步通信方式中，握手信号的采样由同步时钟控制

20．若磁盘转速为7200转/分，平均寻道时间为8ms,每个磁道包含1000个扇区，则访问一个扇区的平均存取时间大约是( )

A．8.1ms B．12.2ms C．16.3ms D．20.5ms

21．在采用中断I/O方式控制打印输出的情况下，CPU和打印控制接口中的I/O端口之间交换的信息不可能是( )

A．打印字符 B．主存地址 C．设备状态 D．控制命令

22．内部异常(内中断)可分为故障(fault)、陷阱(trap)和终止(abort)三类。下列有关内部异常的叙述中，错误的( )

A．内部异常的产生与当前执行指令相关

B．内部异常的检测由CPU内部逻辑实现

C．内部异常的响应发生在指令执行过程中

D．内部异常处理的返回到发生异常的指令继续执行

23．处理外部中断时，应该由操作系统保存的是( )

A．程序计数器(PC)的内容B．通用寄存器的内容

C．块表(TLB)的内容D．Cache中的内容

24．假定下列指令已装入指令寄存器。则执行时不可能导致CPU从用户态变为内核态(系统态)的是( )

A．DIV R0，R1;(R0)/(R1)→R0

B．INT n；产生软中断

C．NOT R0；寄存器R0的内容取非

D．MOV R0,addr；把地址处的内存数据放入寄存器R0中

25．下列选项中会导致进程从执行态变为就绪态的事件是（）

A．执行P(wait)操作B．申请内存失败

C．启动I/O设备D．被高优先级进程抢占

26．若系统S1 采用死锁避免方法，S2采用死锁检测方法，下列叙述中正确的是（）Ⅰ．S1会限制用户申请资源的顺序

Ⅱ．S1需要进行所需资源总量信息，而S2不需要

Ⅲ．S1不会给可能导致死锁的进程分配资源，S2会

A．仅ⅠⅡB．仅ⅡⅢC．仅ⅠⅢD．ⅠⅡⅢ

27．系统为某进程分配了4个页框，该进程已访问的页号序列为2,0,2,9,3,4,2,8,2,3,8,4,5，若进程要访问的下一页的页号为7，依据LRU算法，应淘汰页的页号是（）A．2 B．3 C．4 D．8

28．在系统内存中设置磁盘缓冲区的主要目的是（）

A．减少磁盘I/O次数

B．减少平均寻道时间

C．提高磁盘数据可靠性

D．实现设备无关性

29．在文件的索引节点中存放直接索引指针10个，一级二级索引指针各1个，磁盘块大小为1KB。每个索引指针占4个字节。若某个文件的索引节点已在内存中，到把该文件的偏移量（按字节编址）为1234和307400处所在的磁盘块读入内存。需访问的磁盘块个数分别是（）

A．1，2 B．1，3 C．2，3 D．2，4

30．在请求分页系统中，页面分配策略与页面置换策略不能组合使用的是（）

A．可变分配，全局置换B．可变分配，局部置换

C．固定分配，全局置换D．固定分配，局部置换

二、综合应用题：41~47小题，共70分。

41. 用单链表保存m个整数，节点的结构为(data,link)，且|data|

例如若给定的单链表head如下

删除节点后的head为

要求

(1) 给出算法的基本思想

(2) 使用c或c++语言，给出单链表节点的数据类型定义。

(3) 根据设计思想，采用c或c++语言描述算法，关键之处给出注释。

(4) 说明所涉及算法的时间复杂度和空间复杂度。

42. 已知有5个顶点的图G如下图所示

2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳

2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳第一部分模拟部分 第1章半导体二极管 1.1 考点归纳 一、半导体基础知识 1．半导体的分类 （1）本征半导体 ①概念 本征半导体是指纯净的具有晶体结构的半导体。 ②载流子：自由电子和空穴。 ③本征激发 受光照或热激发，半导体中共价键的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚，成为自由电子，此时共价键中留下一个空位，即空穴。 （2）杂质半导体 ①N型半导体 N型半导体是通过掺杂具有5个价电子的施主杂质形成的，如锑、砷和磷。自由电子浓度远大于空穴浓度，因此电子为多数载流子，空穴为少数载流子，显电中性。 ②P型半导体 P型半导体是通过掺杂具有3个价电子的受主杂质形成的，如硼、镓和铟。空穴浓度远大于自由电子浓度，因此空穴为多数载流子，电子为少数载流子，显电中性。2．半导体特性

半导体导电性能的两个重要特性：掺杂特性与温度特性。掺杂浓度增大，温度升高，导电能力增强。 二、PN结 1.PN结的形成 （1）耗尽区 PN结是指由P型半导体和N型半导体相结合形成的不能移动的正、负离子组成的空间电荷区，又称耗尽区。 （2）内电场 在空间电荷区的两侧，P区带负电，N区带正电，形成内电场，方向由N区指向P 区，可以阻止载流子的运动。 2.PN结的单向导电性 （1）正向导通 PN结外加正向电压时，与内外电场方向相反，外电场的存在削弱内电场，使耗尽区变窄，促进扩散运动，从而形成较大的正向电流。正向偏置的PN结表现为一个阻值很小的电阻。 （2）反向截止 PN结外加反偏电压时，内电场和外电场的方向相同，增强内电场，使耗尽区变宽，形成了较小的反向电流。反向偏置的PN结表现为一个阻值很大的电阻。 3.PN结反向击穿 PN结的反向击穿是指当PN结的反向电压逐渐增加到一定数值时，反向电流会突然快速增加的现象。 （1）电击穿

东南大学计算机专业基础历年考研真题答案汇编附答案

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2014年东南大学935计算机专业基础考研真题 (3) 2005年东南大学935计算机专业基础考研真题 (5) 2004年东南大学935计算机专业基础考研真题 (10)

2014年东南大学935计算机专业基础考研真题 2014年东南大学935计算机专业基础（回忆版） 题量：40道选择题，7道大题。 39.磁盘上有1800个磁道，每个磁道有120个分区，每个分区最多2KB，现磁盘5400MB/min的转速，求最大带宽 A.2点多 MB/S B.好像是9点多 MB/S C.20.6 MB/S D.20点多 MB/S （记得不是很清楚） 大题 1.死锁的四个条件. 银行家算法 2.PV同步 3.hash排序 散列表，求成功和不成功下平均查找长度 4.设计一个判断一维数组中是否有主函数存在。比如说 A[]={’a’,’b’,’a’,’c’,’a’,’a’}，A中’a’有4个，大于长度的一半，输出存在主函数’a’，B[]={’a’,’b’,’d’,’c’,’e’,’f’}，B 中没有元素的个数大于长度的一半，输出不存在主函数’a’。c/c++语言实现，简单文字说对程序的思路，并求时间复杂度和空间复杂度。 5.cache地址，偏移量和指令格式综合在一起 6.基址运算 这一个月来睡了不超过150小时，记忆变得很差，大题怎么也想不起来第一题是什么了，只感觉是很简单的 选择都是些基础性的东西，知识点很多，尽量看全 补充： 一、选择包含知识点： 1.给了一个入栈序列，下列是合法出栈序列的是？ 2.下列哪个不是特权指令 3.下列哪个不是算法的重要特性 4.排序（很常规，有关排序有几道选择） 5.一个有7个数的数列，采用快速排序，至少需要比较多少次？ 6.组成原理有关中断....串行判优平行判优的内容……. 7．四个序列中哪个不是二叉排序树的先序遍历序列 8．选择题哪个是特权指令的题目两个选项B读时钟指令，C设置基址寄存器的值 9．流水线加速比 10．图的层次遍历 11．Round Robin

计算机专业基础综合考研真题

2015年全国硕士研究生入学统一考试 计算机学科专业基础综合试题 一、单项选择题：140小题，每小题2分，共80分。下列每题给出的四个选项中，只有一个选项符合题目要求。请在答题卡上将所选项的字母涂黑。 1．已知程序如下： int s(int n) { return (n<=0) ? 0 : s(n-1) +n; } void main() { cout<< s(1); } 程序运行时使用栈来保存调用过程的信息，自栈底到栈顶保存的信息一次对应的是A．main()->S(1)->S(0) B．S(0)->S(1)->main() C．m ain()->S(0)->S(1) D．S(1)->S(0)->main() 2．先序序列为a,b,c,d的不同二叉树的个数是 A．13 B．14 C．15 D．16 3．下列选项给出的是从根分别到达两个叶节点路径上的权值序列，能属于同一棵哈夫曼树的是 A．24，10，5和24，10，7 B．24，10，5和24，12，7 C．24，10，10和24，14，11 D．24，10，5和24，14，6 4．现在有一颗无重复关键字的平衡二叉树（A VL树）,对其进行中序遍历可得到一个降序序列。下列关于该平衡二叉树的叙述中，正确的是 A．根节点的度一定为2 B．树中最小元素一定是叶节点 C．最后插入的元素一定是叶节点D．树中最大元素一定是无左子树 5．设有向图G=(V,E)，顶点集V={V0,V1,V2,V3}，边集E={,,，},若从顶点V0 开始对图进行深度优先遍历，则可能得到的不同遍历序列个数是A．2 B．3 C．4 D．5 6．求下面带权图的最小（代价）生成树时，可能是克鲁斯卡（kruskal）算法第二次选中但不是普里姆（Prim）算法（从V4开始）第2次选中的边是 A．(V1,V3) B．(V1,V4) C．(V2,V3) D．(V3,V4)

材料科学基础试题及答案考研专用

一、名词： 相图：表示合金系中的合金状态与温度、成分之间关系的图解。 匀晶转变：从液相结晶出单相固溶体的结晶过程。 平衡结晶：合金在极缓慢冷却条件下进行结晶的过程。 成分起伏：液相中成分、大小和位置不断变化着的微小体积。 异分结晶：结晶出的晶体与母相化学成分不同的结晶。 枝晶偏析：固溶体树枝状晶体枝干和枝间化学成分不同的现象。 共晶转变：在一定温度下，由—定成分的液相同时结晶出两个成分一定的固相的转变过程。 脱溶：由固溶体中析出另一个固相的过程，也称之为二次结晶。 包晶转变：在一定温度下，由一定成分的固相与一定成分的液相作用，形成另一个一定成分的固相的转变过程。 成分过冷：成分过冷：由液相成分变化而引起的过冷度。 二、简答： 1. 固溶体合金结晶特点？ 答：异分结晶；需要一定的温度范围。 2. 晶内偏析程度与哪些因素有关？ 答：溶质平衡分配系数k0；溶质原子扩散能力；冷却速度。 3. 影响成分过冷的因素？ 答：合金成分；液相内温度梯度；凝固速度。

三、书后习题 1、何谓相图？有何用途？ 答：相图：表示合金系中的合金状态与温度、成分之间关系的图解。 相图的作用：由相图可以知道各种成分的合金在不同温度下存在哪些相、各个相的成分及其相对含量。 2、什么是异分结晶？什么是分配系数？ 答：异分结晶：结晶出的晶体与母相化学成分不同的结晶。 分配系数：在一定温度下，固液两平衡相中溶质浓度之比值。 3、何谓晶内偏析？是如何形成的？影响因素有哪些？对金属性能有何影响，如何消除？ 答：晶内偏析：一个晶粒内部化学成分不均匀的现象 形成过程：固溶体合金平衡结晶使前后从液相中结晶出的固相成分不同，实际生产中，液态合金冷却速度较大，在一定温度下扩散过程尚未进行完全时温度就继续下降，使每个晶粒内部的化学成分布均匀，先结晶的含高熔点组元较多，后结晶的含低熔点组元较多，在晶粒内部存在着浓度差。 影响因素：1）分配系数k0：当k0<1时，k0值越小，则偏析越大；当k0>1时，k0越大，偏析也越大。2）溶质原子扩散能力，溶质原子扩散能力大，则偏析程度较小；反之，则偏析程度较大。3）冷却速度，冷却速度越大，晶内偏析程度越严重。 对金属性能的影响：使合金的机械性能下降，特别是使塑性和韧性显著降低，

《电子技术基础》研究生入学考试大纲

《电子技术基础》研究生入学考试大纲 课程名称：模拟电子技术、数字电子技术 一、考试的总体要求 模拟电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度，要求学生能分析计算基本放大电路、集成运算放大电路等模拟电子电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 数字电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度，要求学生能够运用基本理论分析、设计组合逻辑电路及时序逻辑电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 二、考试内容及比例： 模拟部分： 1、半导体器件（5～10％） （1）理解二极管单向导电特性，掌握二极管伏安特性； （2）理解三极管放大原理，掌握三极管的输入、输出特性曲线； （3）掌握MOS管的转移特性曲线、漏极特性曲线。 2、放大电路的基本原理（20～25％） （1）掌握基本放大电路的结构、工作原理及静态工作点计算； （2）掌握放大电路微变等效电路分析法，理解放大电路的图解分析法。 3、放大电路的频率响应（5～10％） 放大电路的上限频率、下限频率、通频带的概念。正确理解Bode图。 4、集成运算放大器（10～20％） （1）理解零点漂移的概念，理解差动电路克服温漂的原理； （2）掌握差动电路的分析与计算。 5、放大电路中的反馈（5～10％） （1）理解反馈的概念，掌握反馈类型的判断方法，能根据要求引入负反馈； （2）理解反馈对放大器性能的影响； （3）掌握放大电路在深度负反馈条件下的分析计算； （4）理解自激的概念，能根据波特图判断负反馈放大电路是否自激。

6、摸拟信号运算电路（20～25％） （1）理解集成运放电路中“虚短”、“虚断”概念。 （2）掌握基本运算电路的工作原理及分析计算。 7、信号处理电路（10～15％） 掌握信号处理电路原理及分析计算。 8、波形发生电路（10～20％） （1）掌握正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅措施及分析计算； （2）能用相位平衡条件判断各种振荡电路能否起振。 9、功率放大电路（15～20％） OCL、OTL电路的工作原理及分析计算。 10、直流稳压电源（0～10％） （1）整流电路的工作原理及分析计算； （2）电容滤波电路的工作原理及分析计算； （3）稳压电路的工作原理及分析计算。 数字部分： 一、逻辑代数基础（5～10％） （1）逻辑代数基本概念、公式和定理； （2）逻辑函数的化简方法。 二、门电路（15～20％） （1）掌握分立器件门电路的分析方法； （2）理解TTL集成门电路的结构特点，掌握其外特性； （3）理解COMS集成门电路的结构特点，掌握其外特性。 三、组合逻辑电路（30～40％） （1）掌握组合逻辑电路的分析方法及设计方法； （2）熟悉典型组合逻辑电路的设计及逻辑功能表示方法； （3）掌握用中规模集成芯片MSI（译码器、数据选择器等）实现组合逻辑函数。 四、触发器（15～20％） （1）熟悉触发器电路的结构特点； （2）掌握各种结构触发器的功能特点、功能表示方法及应用。

东南大学935计算机专业基础历年考研真题汇编word版

目录 2014 年东南大学935 计算机专业基础考研真题 (2) 2005 年东南大学935 计算机专业基础考研真题 (4) 2004 年东南大学935 计算机专业基础考研真题 (7)

2014 年东南大学935 计算机专业基础考研真题 2014 年东南大学935 计算机专业基础（回忆版）题量： 40 道选择题，7 道大题。 39.磁盘上有1800 个磁道，每个磁道有120 个分区，每个分区最多2KB，现磁盘5400MB/min 的转速，求最大带宽 A.2 点多MB/S B.好像是9 点多 MB/S C.20.6 MB/S D.20 点多MB/S （记得不是很清楚） 大题 1.死锁的四个条件. 银行家算法 2.PV 同步 3.hash 排序 散列表，求成功和不成功下平均查找长度 4.设计一个判断一维数组中是否有主函数存在。比如说A[]={’a’,’b’,’a’,’c’,’a’,’a’}，A 中’a’有4 个，大于长度的一半，输出存在主函数’a’，B[]={’a’,’b’,’d’,’c’,’e’,’f’}，B 中没有元素的个数大于长度的一半，输出不存在主函数’a’。c/c++语言实现，简单文字说对程序的思路，并求时间复杂度和空间复杂度。 5.cache 地址，偏移量和指令格式综合在一起 6.基址运算 这一个月来睡了不超过150 小时，记忆变得很差，大题怎么也想不起来第一题是什么了，只感觉是很简单的选择都是些基础性的东西，知识点很多，尽量看全 补充： 一、选择包含知识点： 1.给了一个入栈序列，下列是合法出栈序列的是？ 2.下列哪个不是特权指令 3.下列哪个不是算法的重要特性 4.排序（很常规，有关排序有几道选择） 5.一个有7 个数的数列，采用快速排序，至少需要比较多少次？ 6.组成原理有关中断....串行判优平行判优的内容……. 7．四个序列中哪个不是二叉排序树的先序遍历序列 8．选择题哪个是特权指令的题目两个选项B 读时钟指令，C 设置基址寄存器的值 9．流水线加速比 10．图的层次遍历 11．Round Robin 12．进程 状态转换，等点 综合应用题： 操作系统： 1.（1）写出外层页表，页号，页内地址位数； （2）叙述逻辑地址转换为物理地址的过程； 2.（1）回答死锁产生的四个必要条件； （2）写出Need 矩阵 （3）系统是否处于安全状态 3．PV 操作：有两个进程P1，P2，一个容量为n 的缓冲区，P1 向缓冲区放数据，一次放一个，当缓冲区中数据个数大于m（n>m）时，P2 才能从缓冲区取数据，一次取一个。该同步机制用用pv 操作描述

2018考研计算机学科专业基础408综合考试大纲

2018考研计算机学科专业基础综合考试大纲 I考试性质 计算机学科专业基础综合考试是为高等院校和科研院所招收计算机科学与技术学科的硕士研究生而设置的具有选拔性质的联考科目，其目的是科学、公平、有效地测试考生掌握计算机科学与技术学科大学本科阶段专业知识、基本理论、基本方法的水平和分析问题、解决问题的能力，评价的标准是高等院校计算机科学与技术学科优秀本科毕业生所能达到的及格或及格以上水平，以利于各高等院校和科研院所择优选拔，确保硕士研究生的招生质量。 II考查目标 计算机学科专业基础综合考试涵盖数据结构、计算机组成原理、操作系统和计算机网络等学科专业基础课程。要求考生比较系统地掌握上述专业基础课程的基本概念、基本原理和基本方法，能够综合运用所学的基本原理和基本方法分析、判断和解决有关理论问题和实际问题。III考试形式和试卷结构 一、试卷满分及考试时间 本试卷满分为150分，考试时间为180分钟。 二、答题方式 答题方式为闭卷、笔试。 三、试卷内容结构 数据结构45分 计算机组成原理45分 操作系统35分 计算机网络25分 四、试卷题型结构

单项选择题80分(40小题，每小题2分) 综合应用题70分 IV考查内容 数据结构 【考查目标】 1.掌握数据结构的基本概念、基本原理和基本方法。 2.掌握数据的逻辑结构、存储结构及基本操作的实现，能够对算法进行基本的时间复杂度与空间复杂度的分析。 3.能够运用数据结构基本原理和方法进行问题的分析与求解，具备采用C或C++语言设计与实现算法的能力。 一、线性表 (一)线性表的定义和基本操作 (二)线性表的实现 1.顺序存储 2.链式存储 3.线性表的应用 二、栈、队列和数组 (一)栈和队列的基本概念 (二)栈和队列的顺序存储结构 (三)栈和队列的链式存储结构 (四)栈和队列的应用 (五)特殊矩阵的压缩存储

材料科学基础考研经典题目doc资料

材料科学基础考研经 典题目

16.简述金属固态扩散的条件。 答：⑴扩散要有驱动力——热力学条件，化学势梯度、温度、应力、电场等。 ⑵扩散原子与基体有固溶性——前提条件；⑶足够高温度——动力学条件；⑷足够长的时间——宏观迁移的动力学条件 17. 何为成分过冷？它对固溶体合金凝固时的生长形貌有何影响？ 答：成分过冷：在合金的凝固过程中，虽然实际温度分布一定，但由于液相中溶质分布发生了变化，改变了液相的凝固点，此时过冷由成分变化与实际温度分布这两个因素共同决定，这种过冷称为成分过冷。成分过冷区的形成在液固界面前沿产生了类似负温度梯度的区域，使液固界面变得不稳定。当成分过冷区较窄时，液固界面的不稳定程度较小，界面上偶然突出部分只能稍微超前生长，使固溶体的生长形态为不规则胞状、伸长胞状或规则胞状；当成分过冷区较宽时，液固界面的不稳定程度较大，界面上偶然突出部分较快超前生长，使固溶体的生长形态为胞状树枝或树枝状。所以成分过冷是造成固溶体合金在非平衡凝固时按胞状或树枝状生长的主要原因。 18.为什么间隙固溶体只能是有限固溶体，而置换固溶体可能是无限固溶体？ 答：这是因为当溶质原子溶入溶剂后，会使溶剂产生点阵畸变，引起点阵畸变能增加，体系能量升高。间隙固溶体中，溶质原子位于点阵的间隙中，产生的点阵畸变大，体系能量升高得多；随着溶质溶入量的增加，体系能量升高到一定程度后，溶剂点阵就会变得不稳定，于是溶质原子便不能再继续溶解，所以间隙固溶体只能是有限固溶体。而置换固溶体中，溶质原子位于溶剂点阵的阵点上，产生的点阵畸变较小；溶质和溶剂原子尺寸差别越小，点阵畸变越小，固溶度就越大；如果溶质与溶剂原子尺寸接近，同时晶体结构相同，电子浓度和电负性都有利的情况下，就有可能形成无限固溶体。 19.在液固相界面前沿液体处于正温度梯度条件下，纯金属凝固时界面形貌如何？同样 条件下，单相固溶体合金凝固的形貌又如何？分析原因

电子技术基础考研

注意事项：1．本试卷共12道大题，满分150分； 2．本卷属试题卷，答案一律写在答题纸上，写在该试题卷上或草稿纸上均无效。要注意试卷清洁，不要在试卷上涂划； 3．必须用蓝、黑色钢笔或圆珠笔答题，其它笔答题均无效。 ﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡ 一 填空题（本题共14小题除标注外每空1分，共30分） 1、设VD 1、VD 2的正向压降为0.3V ，试分析在不同的U 1、U 2组态下，VD 1、VD 2是导通还是截止，并求U O 的值，把正确答案填入表内。（每三空1分） 2、图中 VT 为小功率锗晶体管当R b 不同时，VT 可能处于放大、饱和、截止状态。把不同状态下基射极电压U BE 、集射极电压U CE 的大致数值范围填入表内。（每三空1分） V CC 3、某放大电路在接有2Ωk 负载电阻时，测得输出电压为3V ，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V ，说明该放大电路的输出电阻为 ________________。 U 2 U VD 1

4、某放大电路当接接入一个内阻等于零的信号源电压时，测得输出电压为5V，在信号源内阻增大到1Ω k，其它条件不变时，测得输出电压为4V，说明该放大电路的输入电阻为________________。 5、下限截止频率为10Hz的两个相同的单级放大电路连接成一个两级放大电路，这个两级放大电路在信号频率为10Hz时，放大倍数的幅值下降到中频放大倍数的________________倍，或者说下降了________________dB，放大倍数的相位与中频时相比，附加相移约为________________度。（每空0.5分） 6、试在下列空格中填写合适数值。（每空0.5分） 在两边完全对称的差分放大电路中，若两输入端电压u I1＝u I2，则双端输出电压u O＝＿＿＿V；若u I1＝1mV，u I2＝0mV，则差分放大电路的差模输入电压u Id＝＿＿＿mV，其分配在两边的一对差模输入信号为u Id1＝＿＿＿mV，u Id2＝＿＿＿mV，共模输入信号u Ic＝＿＿＿mV。 7、电路如图所示，A1、A2为理想运算放大器。A1组成电路，A2组成电路，VD1、VD2和R组成的电路起作用，u O与u I的关系说明整个电路构成的是电路。 u I O 8、在如图所示电路中，已知稳压管VD Z1的稳定电压U Z1＝6.3V，VD Z2的稳定电压 U Z2＝7.7V，它们的正向导通电压U D均为0.7V，U I和R的取值合理，U I的实际极性和U O1～U O4的假设极性如图中所标注。（每空0.5分） 填空： U O1＝V，U O2＝V，U O3＝V， U O4＝V。

材料科学基础考研经典题目教学内容

16.简述金属固态扩散的条件。 答：⑴扩散要有驱动力——热力学条件，化学势梯度、温度、应力、电场等。 ⑵扩散原子与基体有固溶性——前提条件；⑶足够高温度——动力学条件；⑷足够长的时间——宏观迁移的动力学条件 17. 何为成分过冷？它对固溶体合金凝固时的生长形貌有何影响？ 答：成分过冷：在合金的凝固过程中，虽然实际温度分布一定，但由于液相中溶质分布发生了变化，改变了液相的凝固点，此时过冷由成分变化与实际温度分布这两个因素共同决定，这种过冷称为成分过冷。成分过冷区的形成在液固界面前沿产生了类似负温度梯度的区域，使液固界面变得不稳定。当成分过冷区较窄时，液固界面的不稳定程度较小，界面上偶然突出部分只能稍微超前生长，使固溶体的生长形态为不规则胞状、伸长胞状或规则胞状；当成分过冷区较宽时，液固界面的不稳定程度较大，界面上偶然突出部分较快超前生长，使固溶体的生长形态为胞状树枝或树枝状。所以成分过冷是造成固溶体合金在非平衡凝固时按胞状或树枝状生长的主要原因。 18. 为什么间隙固溶体只能是有限固溶体，而置换固溶体可能是无限固溶体？ 答：这是因为当溶质原子溶入溶剂后，会使溶剂产生点阵畸变，引起点阵畸变能增加，体系能量升高。间隙固溶体中，溶质原子位于点阵的间隙中，产生的点阵畸变大，体系能量升高得多；随着溶质溶入量的增加，体系能量升高到一定程度后，溶剂点阵就会变得不稳定，于是溶质原子便不能再继续溶解，所以间隙固溶体只能是有限固溶体。而置换固溶体中，溶质原子位于溶剂点阵的阵点上，产生的点阵畸变较小；溶质和溶剂原子尺寸差别越小，点阵畸变越小，固溶度就越大；如果溶质与溶剂原子尺寸接近，同时晶体结构相同，电子浓度和电负性都有利的情况下，就有可能形成无限固溶体。 19. 在液固相界面前沿液体处于正温度梯度条件下，纯金属凝固时界面形貌如何？同样条件下，单相 固溶体合金凝固的形貌又如何？分析原因 答：正的温度梯度指的是随着离开液—固界面的距离Z 的增大，液相温度T 随之升高的情况，即0>dZ dT 。在这种条件下，纯金属晶体的生长以接近平面状向前推移，这是由于温度梯度是正的，当界面上偶尔有凸起部分而伸入温度较高的液体中时，它的生长速度就会减慢甚至停止，周围部分的过冷度较凸起部分大，从而赶上来，使凸起部分消失，这种过程使液—固界面保持稳定的平面形状。固溶体合金凝固时会产生成分过冷，在液体处于正的温度梯度下，相界面前沿的成分过冷区呈现月牙形，其大小与很多因素有关。此时，成分过冷区的特性与纯金属在负的温度梯度下的热过冷非常相似。可以按液固相界面前沿过冷区的大小分三种情况讨论：⑴当无成分过冷区或成分过冷区较小时，界面不可能出现较大的凸起，此时平界面是稳定的，合金以平面状生长，形成平面晶。⑵当成分过冷区稍大时，这时界面上凸起的尖部将获得一定的过冷度，从而促进了凸起进一步向液体深处生长，考虑到界面的力学平衡关系，平界面变得不稳定，合金以胞状生长，形成胞状晶或胞状组织。⑶当成分过冷区较大时，平界面变得更加不稳定，界面上的凸起将以较快速度向液体深处生长，形成一次轴，同时在一次轴的侧向形成二次轴，以此类推，因此合金以树枝状生长，最终形成树枝晶。 20. 纯金属晶体中主要的点缺陷类型是什么？试述它们可能产生的途径？ 答：纯金属晶体中，点缺陷的主要类型是空位、间隙原子、空位对及空位与间隙原子对等。产生的途径：⑴依靠热振动使原子脱离正常点阵位置而产生。空位、间隙原子或空位与间隙原子对都可由热激活而形成。这种缺陷受热的控制，它的浓度依赖于温度，随温度升高，其平衡态的浓度亦增高。⑵冷加工时由于位错间有交互作用。在适当条件下，位错交互作用的结果能产生点缺陷，如带割阶的位错运动会放出空位。⑶辐照。高能粒子（中子、α粒子、高速电子）轰击金属晶体时，点阵中的原子由于粒子轰击而离开原来位置，产生空位或间隙原子。 21. 简述一次再结晶与二次再结晶的驱动力，并如何区分冷热加工？动态再结晶与静态再结晶后的组 织结构的主要区别是什么？ 答：一次再结晶的驱动力是基体的弹性畸变能，而二次再结晶的驱动力是来自界面能的降低。再结晶温

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点总结

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点 总结 第1章常用半导体器件 1.1 复习笔记 本章首先介绍了半导体的基础知识，随后重点阐述了半导体二极管、晶体管（BJT）和场效应管（FET）的工作原理、特性曲线以及主要参数。半导体器件是组成电子电路的核心元件，因此本章内容是整本书学习的重要基础。通过本章的学习，应能熟练掌握常用半导体器件的工作原理、外特性和主要参数，并熟悉半导体相关基础知识，最后需要了解半导体器件的选用原则，为今后的模拟电路分析和设计打下基础。 一、半导体基础知识 半导体器件是构成电子电路的基本元件，所用的原料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料，所以在学习半导体器件之前，需要了解一些半导体的基本名词术语（见表1-1-1）。 表1-1-1 半导体基本名词术语

二、半导体二极管 1二极管的结构和分类（见表1-1-2） 表1-1-2 二极管的结构和分类 2二极管的伏安特性 与PN结一样，二极管具有单向导电性，但由于二极管结构上的不同，具体的伏安特性与PN结又有区别（见表1-1-3）。 表1-1-3 二极管的伏安特性

3二极管的主要参数 为描述二极管性能，常引用以下几个主要参数（见表1-1-4）。 表1-1-4 二极管主要参数 4二极管的等效电路 二极管的伏安特性具有非线性，这给二极管的应用和分析带来了一定的困难。为了便于分析，常在一定的条件下，用线性原件构成的电路来模拟二极管的特性，并取代电路中的二极管，称为二极管的等效电路，也叫等效模型（见表1-1-5）。

表1-1-5 二极管等效电路

5稳压二极管 稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性。关于稳压二极管见表1-1-6。 表1-1-6 稳压二极管

北京理工大学考研813计算机专业基础

813计算机专业基础 数据结构 考查内容： 数据结构主要考查考生以下几个方面： 1.理解数据结构的基本概念；掌握数据的逻辑结构、存储结构及其差异，以及各种基本操作的实现。 2.掌握基本的数据处理原理和方法的基础上，能够对算法进行设计与分析。 3.能够选择合适的数据结构和方法进行问题求解。 应掌握的具体内容为： 一、线性表 （一）线性表的定义和基本操作 （二）线性表的实现 1.顺序存储结构 2.链式存储结构 3.线性表的应用 二、栈、队列和数组 （一）栈和队列的基本概念 （二）栈和队列的顺序存储结构 （三）栈和队列的链式存储结构 （四）栈和队列的应用 （五）特殊矩阵的压缩存储 三、树与二叉树 （一）树的概念 （二）二叉树 1.二叉树的定义及其主要特征 2.二叉树的顺序存储结构和链式存储结构 3.二叉树的遍历 4.线索二叉树的基本概念和构造 5.二叉排序树 6.平衡二叉树 （三）树、森林 1.书的存储结构 2.森林与二叉树的转换 3.树和森林的遍历 （四）树的应用 1.等价类问题 2.哈夫曼（Huffman）树和哈夫曼编码 四、图 （一）图的概念 （二）图的存储及基本操作 1.邻接矩阵法

2.邻接表法 （三）图的遍历 1.深度优先搜索 2.广度优先搜索 （四）图的基本应用及其复杂度分析 1.最小（代价）生成树 2.最短路径 3.拓扑排序 4.关键路径 五、查找 （一）查找的基本概念 （二）顺序查找法 （三）折半查找法 （四）B-树 （五）散列（Hash）表及其查找 （六）查找算法的分析及应用 六、内部排序 （一）排序的基本概念 （二）插入排序 1.直接插入排序 2.折半插入排序 （三）起泡排序（bubble sort） （四）简单选择排序 （五）希尔排序（shell sort） （六）快速排序 （七）堆排序 （八）二路归并排序（merge sort） （九）基数排序 （十）各种内部排序算法的比较 （十一）内部排序算法的应用 题型和分值 填空题15%、选择题20%、问答题40%、算法题25% 参考书目 数据结构（C语言版）严蔚敏吴伟民清华大学出版社 计算机组成原理 考查目标 1.理解单处理器计算机系统中各部件的内部工作原理、组成结构以及相互连接方式，具有完整的计算机系统的整机概念。

【考研】材料科学基础试题库答案

Test of Fundamentals of Materials Science 材料科学基础试题库 郑举功编

东华理工大学材料科学与工程系 一、填空题 0001.烧结过程的主要传质机制有_____、_____、_____ 、_____，当烧结分别进行四种传质时，颈部增长x/r与时间t的关系分别是_____、_____、_____ 、_____。 0002.晶体的对称要素中点对称要素种类有_____、_____、_____ 、_____ ，含有平移操作的对称要素种类有_____ 、_____ 。 0003.晶族、晶系、对称型、结晶学单形、几何单形、布拉菲格子、空间群的数目分别是_____、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 。 0004.晶体有两种理想形态，分别是_____和_____。 0005.晶体是指内部质点排列的固体。 0006.以NaCl晶胞中（001）面心的一个球（Cl-离子）为例，属于这个球的八面体空隙数为，所以属于这个球的四面体空隙数为。 0007.与非晶体比较晶体具有自限性、、、、和稳定性。 0008.一个立方晶系晶胞中，一晶面在晶轴X、Y、Z上的截距分别为2a、1/2a 、2/3a，其晶面的晶面指数是。 0009.固体表面粗糙度直接影响液固湿润性，当真实接触角θ时，粗糙度越大，表面接触角，就越容易湿润；当θ，则粗糙度，越不利于湿润。 0010.硼酸盐玻璃中，随着Na2O（R2O）含量的增加，桥氧数，热膨胀系数逐渐下降。当Na2O含量达到15%—16%时，桥氧又开始，热膨胀系数重新上升，这种反常现象就是硼反常现象。 0011.晶体结构中的点缺陷类型共分、和三种，CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为。 0012.固体质点扩散的推动力是________。 0013.本征扩散是指__________，其扩散系数D＝_________,其扩散活化能由________和_________ 组成。0014.析晶过程分两个阶段，先______后______。 0015.晶体产生Frankel缺陷时，晶体体积_________，晶体密度_________；而有Schtty缺陷时，晶体体积_________,晶体密度_________。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时，_________是主要的；两种离子半径相差大时，_________是主要的。 0016.少量CaCl2在KCl中形成固溶体后，实测密度值随Ca2+离子数/K＋离子数比值增加而减少，由此可判断其缺陷反应式为_________。 0017.Tg是_________,它与玻璃形成过程的冷却速率有关，同组分熔体快冷时Tg比慢冷时_________ ,淬冷玻璃比慢冷玻璃的密度_________,热膨胀系数_________。 0018.同温度下，组成分别为：(1) 0.2Na2O－0.8SiO2 ；(2) 0.1Na2O－0.1CaO－0.8SiO2 ;(3) 0.2CaO－0.8SiO2 的三种熔体，其粘度大小的顺序为_________。 0019.三T图中三个T代表_________, _________,和_________。 0020.粘滞活化能越_________ ,粘度越_________ 。硅酸盐熔体或玻璃的电导主要决定于_________ 。 0021.0.2Na2O-0.8SiO2组成的熔体，若保持Na2O含量不变，用CaO置换部分SiO2后，电导_________。0022.在Na2O－SiO2熔体中加入Al2O3(Na2O/Al2O3<1),熔体粘度_________。 0023.组成Na2O . 1/2Al2O3 . 2SiO2的玻璃中氧多面体平均非桥氧数为_________。 0024.在等大球体的最紧密堆积中，六方最紧密堆积与六方格子相对应，立方最紧密堆积与_______ 相对应。0025.在硅酸盐晶体中，硅氧四面体之间如果相连，只能是_________方式相连。

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习笔记

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习 笔记 第一部分考研真题精选 第1章数制和码制 一、选择题 在以下代码中，是无权码的有（）。[北京邮电大学2015研] A．8421BCD码 B．5421BCD码 C．余三码 D．格雷码 【答案】CD查看答案 【解析】编码可分为有权码和无权码，两者的区别在于每一位是否有权值。有权码的每一位都有具体的权值，常见的有8421BCD码、5421BCD码等；无权码的每一位不具有权值，整个代码仅代表一个数值。 二、填空题 1（10100011.11）2＝（）10＝（）8421BCD。[电子科技大学2009研] 【答案】163.75；000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时，按公式D＝∑k i×2i求和即可，再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数（39.875）10的二进制数为（），十六进制数为（）。[重庆大学2014研] 【答案】100111.111；27.E查看答案

【解析】将十进制数转化为二进制数时，整数部分除以2取余，小数部分乘以2取整，得到（39.875）10＝（100111.111）2。4位二进制数有16个状态，不够4位的，若为整数位则前补零，若为小数位则后补零，即（100111.111）2＝（0010 0111.1110）2＝（27.E）16。 3（10000111）8421BCD＝（）2＝（）8＝（）10＝（）16。[山东大学2014研] 【答案】1010111；127；87；57查看答案 【解析】8421BCD码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制，八进制和十六进制的转换。（1000 0111）8421BCD＝（87）10＝（1010111）2 2进制转8进制，三位为一组，整数向前补0，因此（001 010 111）2＝（127）8。同理，2进制转16进制每4位为一组，（0101 0111）2＝（57）16。 4（2B）16＝（）2＝（）8＝（）10＝（）8421BCD。[山东大学2015研] 【答案】00101011；53；43；01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态，因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数，得到（2B）16＝（0010 1011）2；八进制由0～7八个数码表示，可以将一组二进制数从右往左，3位二进制数分成一组，得到（00 101 011）2＝（53）8；将每位二进制数与其权值相乘，然后再相加得到相应的十进制数，（0010 1011）2＝（43）10；8421BCD码是一种二进制的数字编码形式，用二进制编码的十进制代码。因此可以将每位二进制数转化为4位8421BCD码，（43）10＝（0100 0011）8421BCD。

2021年电子技术基础考研题库

2021年电子技术基础考研题库 2021年电子技术基础考研题库【考研真题精选＋章节题库】（上册） 目录 第一部分考研真题精选 一、填空题 二、选择题 三、分析题 第二部分章节题库 第1章数字逻辑概论 第2章逻辑代数与硬件描述语言基础 第3章逻辑门电路 第4章组合逻辑电路 第5章锁存器和触发器 第6章时序逻辑电路 第7章半导体存储器 第8章CPLD和FPGA 第9章脉冲波形的变换与产生 第10章数模与模数转换器

第11章数字系统设计基础 ? 试看部分内容 考研真题精选 一、填空题 1（10100011.11）2＝______10＝______8421B C D。[电子科技大学2 009年研] 【答案】163.75；000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时，按公式D＝∑k i×2i求和即可，再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数（39.875）10的二进制数为______，十六进制数为______。[重庆大学2014年研] 【答案】100111.111；27.E查看答案 【解析】将十进制数转化为二进制数时，整数部分除以2取余，小数部分乘以2取整，得到（39.875）10＝（100111.111）2。4位二进制数有16个状态，不够4位的，若为整数位则前补

零，若为小数位则后补零，即（100111.111）2＝（0010 0111. 1110）2＝（27.E）16。 3（10000111）8421B C D＝______2＝______8＝______10＝______16。[山东大学2014年研] 【答案】1010111；127；87；57查看答案 【解析】8421BC D码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制，八进制和十六进制的转换。 （1000 0111）8421B C D＝（87）10＝（1010111）2 2进制转8进制，三位为一组，整数向前补0，因此（001 010 1 11）2＝（127）8。 同理，2进制转16进制每4位为一组，（0101 0111）2＝（57）16。 4（2B）16＝______2＝______8＝______10＝______8421B C D。[山东大学2015年研] 【答案】00101011；53；43；01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态，因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数，得到（2B）16＝（0010 1011）2；八进制由0～7八个数码表示，可以将一组二进制数从右往左，3位二进制数分成一组，得到（00 101 011）2＝（53）8；将每位二

计算机专业考研专业基础课

计算机专业考研专业基础课 全国统考考试大纲与复习方法 从2009年起，计算机专业考研实行计算机学科专业基础综合课全国统考，考试内容涵盖数据结构、计算机组成原理、操作系统和计算机网络等学科专业基础课程。要求考生比较系统地掌握上述专业基础课程的概念、基本原理和方法，能够运用所学的基本原理和基本方法分析、判断和解决有关理论问题和实际问题。 根据考试大纲的要求： (1)试卷满分为150分，考试时间为180分钟(3个小时)。答题方式为闭卷、笔试。 (2)试卷内容的结构是：数据结构45分(占30%)，计算机组成原理45分(占30%)，操作系统35分(占23%)，计算机网络25分(占17%)。 (3)试卷题型结构：单项选择题80分(40小题，每小题2分)，综合应用题70分。 根据这个试题结构，数据结构、计算机组成原理、操作系统和计算机网络将各有1～2道综合应用题，整个考试时间会有些紧。按照正常的时间做答，把单项选择题做完一般需要70～90分钟，也就是说，考试大纲是把单项选择题和综合应用题的时间进行平均分配的。单项选择题主要考查数据结构、计算机组成原理、操作系统和计算机网络的基本概念、基本原理和方法，注重识记类知识点。 对于选择题，我们建议考生学习有关软件设计师和网络工程师考试的上午试题，因为软考的上午试题全部单项选择，而且具有一定的难度。2009年计算机专业考研专业课统考是首次进行，没有现成的试题可供分析，所以软考中级的试题是作为考生考前练习的最好参考。 综合应用题主要考查考生运用数据结构、计算机组成原理、操作系统和计算机网络的基本原理和基本方法分析、判断和解决有关理论问题和实际问题的能力，在这方面的试题类型，考生可参考各大学历年的这4个学科的考试试题 推荐教材： 1、数据结构 严蔚敏、吴伟民编著：《数据结构（c语言版）》，清华大学出版社 严蔚敏、吴伟民编著：《数据结构题集(C语言版)》，清华大学出版社 2、计算机组成原理

模拟电路电子技术基础考研试题

第一部分：模拟电路 一、填空题(共10分，每小题2分) 1、由二极管D和正偏直流电源V，交流信号源υs及负载R L构成的串连电路，当V＝3V时，测得R L上的交流压降υL＝100mV。若调节V＝4V，其他参数不变，则υL100mV。 2、基本放大电路的静态工作电流调得太大，容易产生失真，这种失真属于失真。 3、放大器中的噪声是是放大器中所造成的。放大器的噪声系数N F的定义是：。 4、某负反馈放大电路，其开环增益Ag＝100mS，反馈系数Fr＝10KΩ，开环输入电阻R i＝3KΩ，则其闭环输入电阻R if ＝。（R i 和R if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻） 5、由集成运放构成的非正弦波信号（三角波、矩形波、锯齿波）发生电路，通常由 和电路两部分组成。 二、分析与计算题 1．（8分）对于增强型n沟MOSFET ， 1）写出其在线性区的伏安特性表达式； 2）在V DS＞＞2（V GS－V TH）条件下，写出上述伏安特性表达式的近似表达式； 3）已知MOSFET的μn·Cox＝50μA/V2，V TH＝0.7V, 当V GS=2.5V ，求此时该MOSFET的等效导通电阻R ON＝？ 2．（10分）两相同单级放大器组成二级放大器，回答如下问题1）在其单级放大器的截止频率处，二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍数下降多少dB？ 2）为保证二级放大器的上限频率为106Hz，下限频率为156Hz，计算每个单级放大器的上限频率和下限频率分别应为多少？ 3．（6分）一理想运算放大器组成的电路如图所示，试求该电路的输入电阻R i表达式。

4． （12分）在下图所示的多级运算放大电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运放电路： 1）写出计算υO1、υO2、υO 的表达式 2）若 R 3＝R 5＝R f1＝R f2 ＝200K Ω，R 1＝R 2＝R 4＝R 7＝20K Ω，C ＝5μF ，t ＝0 时，加入阶跃信号υi 1＝－0.1V,υi2=0.3V, 而电容C 上的初始电压υC ＝0，求需经过多长时间使υO ＝5V ？ 5．（15分）在下图（a ）所示的单极放大电路中，场效应管T 的转移特性如下图（b ）所示。已知＋V DD ＝＋15V ，R D ＝15k Ω，R S ＝8 k Ω，R G ＝100 k Ω，R L ＝75 k Ω；要求 （！）用近似方法计算电路的静态工作点；（提示：T 的伏安特性方程可近似为：2 P GS D 1???? ??U U I I DSS －＝，U GS ＝－I D ×R S ，U P 为夹断电压）。 （2）计算放大器的输入电阻 R i 和输出电阻 R o ； （3）计算场效应晶体管的跨导 g m ； （4）计算放大器的电压放大倍数 A u ； 6、（14分）下图所示RC 桥式振荡电路中，设运放A 为理想组件，设R ＝3.9K Ω， C ＝0.01μF ，R T ＝15K Ω，＋V CC ＝＋15V ，－V CC ＝－15V ，试回答如下问题：