成都理工大学应用物理07级半导体期末试题

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成都理工大学二零零九至二零一零学年第二学期期末考试

半导体物理课程考试题 A 卷（120 分钟）考试形式：闭卷考试日期20 年月日课程成绩构成：平时30 分，期末70 分

一二三四五六七八九十合计复核人签名

得分

签名

可能用到的物理常数：电子电量q=1.602×10-19C，真空介电常数ε0=8.854×10-12F/m，室温（300K）的k0T=0.026eV，SiO2相对介电常数=3.9，n型<100>Si，A*=2.1×120A/(cm2·K2)，N C=2.8×1019cm-3,N V=1.04×1019cm-3

一、填空题:在括号中填入正确答案（共40分，共19题，每空1 分）

1.半导体Si是（）结构；导带和价带间的能隙称为（）；Si, Ge为（）能

隙半导体。

2.从价带中移出一个电子，会生成（）；半导体中同时存在电子和空穴两种载流子。

3.掺杂一般是为了（）半导体的电导率，如向Si中掺入（）可以得到n型半导

体；掺（）可以得到p型半导体。

4.如同时向硅Si中掺入浓度为N D的磷P和浓度为N A的硼B且全部电离，设N A>N D，则

此时Si为( )半导体。

5.对于杂质浓度较低的样品，迁移率随着温度升高而（）,这是由于晶格散射起主要

作用。到杂质浓度高到1018cm-3以上后，在低温范围，随着温度的升高，电子迁移率反而（），到一定温度后才稍有下降，这是由于温度低时，（）起主要作用。

6.光照一块p型半导体，产生非平衡电子Δn和非平衡空穴Δp，则把非平衡电子Δn称为

（），而把非平衡空穴Δp称为非平衡多数载流子。并且非平衡电子浓度Δn （）非平衡空穴浓度Δp；

7.金是有效的（），在半导体中引入少量的金，就能够显著（）少数载流子的寿命；得分

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8.对于空穴陷阱来说，电子俘获系数r n( )空穴俘获系数r p。对于电子陷阱来说，费米

能级E F以上的能级，越（）E F，陷阱效应越显著；

9.稳定注入，样品足够厚情况，非平衡载流子从表面向内部以（）衰减，用L P标

志着非平衡载流子深入样品的平均距离，称为（）；

10.爱因斯坦定律描述了同一种载流子的迁移率和（）之间的关系，如果扩散系数越

大，那么迁移率也（）；

11.连续性方程式是描述少数载流子随空间和时间变化所遵守的方程，同时考虑了

（）、扩散运动、（）以及其他外界因素引起单位时间、单位体积少数载流子的变化；

12.pn结的接触电势差和pn结两边的（）、温度、材料的禁带宽度有关系。在一定温

度下，突变结两边掺杂浓度越高、接触电势差V D越大；禁带宽度越大，V D也越（）；

pn结中，耗尽区主要在（）一边。

13.半导体的功函数定义为真空能级E0和（）之差，n型硅半导体的功函数（）

p型硅半导体的功函数；

14.金属和p型半导体接触，如果金属功函数大于半导体功函数，则称它们接触后形成的空

间电荷区为（）；

15.金属和n型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电子势

垒高度将（），空间电荷区宽度将（）。

16.在实际工艺中，实现欧姆接触主要采用（）原理。因此，制造欧姆接触最常用的

办法是用（）半导体与金属接触；

17.对于p型半导体形成的MIS结构，当半导体表面处于深耗尽状态时，此时耗尽层宽度

（）半导体表面处于强反型状态的耗尽层宽度；

18.平带电容和半导体掺杂浓度以及（）有关。若绝缘层厚度一定，掺杂浓度越大时，

平带电容将（）；

19.本征吸收的条件是光子能量必须（）禁带宽度E g。光电池的光生电流I L和由于

光生电压产生的正向电流I F方向（）。

20.n型半导体的霍耳系数为（）。对于迁移率越（）的半导体，越容易观察到

霍耳效应；

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二、简答题（ 共30分）

1、说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？什么叫杂质补偿？什么叫高度补偿的半导体？杂质补偿有何实际应用？（8分）

2、写出下面能带图代表的半导体类型，掺杂程度。（12分）

(a) (b) (c )

(d ) (e ) (f )

E C

E V

E F E i E C E V

E F E i E C E V

E F E i E C E V

E F E i E C E V

E F E C E V

E F E i 得 分

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3、n型半导体衬底形成的MIS结构，画出外加不同偏压下积累、耗尽、反型三种状态的能带图。画出理想的低频和高频电容-电压曲线。解释平带电压(10分)

三计算题（共30分）

1、T=300K时，p型Si半导体的掺杂浓度为N A=5×1014cm-3，假设E F-E FP=0.1k0T。1）这时是否是小注入，为什么？2）计算E Fn-E i。（10分）

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2、PtSi肖特基二极管在T=300K时生长在掺杂浓度为N

=1016cm-3的n型<100>Si上。肖特基

D

势垒高度为0.89eV。计算1）E n=E C-E F，2）qV D,，3）忽略势垒降低时的J ST，4）使J=2A/cm2时的外加偏压V。（12分）

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3、一个MOS电容器的高频特性曲线如下图所示。器件面积为2×10-3cm2，金属-半导体功函

数差φms=-0.50V，氧化层为SiO2，半导体为硅，半导体掺杂浓度为2×1016cm-3。（8分）

a)半导体是n型的还是p型的？

b)氧化层厚度是多少？

c)等价氧化层电荷的密度是多少？

C (pF)

200

C FB

20

V FB

-0.8V

半导体物理器件期末考试试题(全)

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 2015半导体物理器件期末考试试题(全) 半导体物理器件原理（期末试题大纲）指导老师：陈建萍一、简答题（共 6 题，每题 4 分）。 代表试卷已出的题目1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，因为它不存在任何可动的电荷，为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。 2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应，即反偏 Fpn 结的电容。 3、Pn 结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流迅速增大的现象。 4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。 5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。 6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。 7、基区宽度调制效应：随 C-E 结电压或 C-B 结电压的变化，中性基区宽度的变化。 8、截止频率：共发射极电流增益的幅值为 1 时的频率。 9、厄利效应：基带宽度调制的另一种称呼（晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象） 10、隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。 11、爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系： 12、扩散电容：正偏 pn 结内由于少子的存储效应而形成的电容。 1/ 11

13、空间电荷区：冶金结两侧由于 n 区内施主电离和 p 区内受主电离

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。 14、单边突变结：冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的 pn 结。 15、界面态：氧化层--半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 16、平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。 17、阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。 18、表面散射：当载流子在源极和源漏极漂移时，氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。 19、雪崩击穿：由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大，称为雪崩击穿。 20、内建电场：n 区和 p 区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场，方向由正电荷区指向负电荷区，就是由 n 区指向 p 区。 21、齐纳击穿：在重掺杂 pn 结内，反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近，以至于电子可以由 p 区的价带直接隧穿到 n 区的导带的现象。 22、大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，既三个效应，分别称为：（1）基区电导调制效应；（2）有效基区扩展效应； (3)发射结电流集边效应。 它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。 3/ 11

半导体物理期末试卷含部分答案

一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度

半导体物理学期末复习试题及答案三汇编

一、选择题。 1. 电离后向半导体提供空穴的杂质是（ A ），电离后向半导体 提供电子的杂质是（ B ）。 A. 受主杂质 B. 施主杂质 C. 中性杂质 2. 在室温下，半导体Si 中掺入浓度为31410-cm 的磷杂质后，半导体中 多数载流子是（ C ），多子浓度为（ D ），费米能级的位置（ G ）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为 315101.1-?cm 的硼杂质，半导体中多数载流子是（ B ），多子浓度为（ E ），费米能级的位置（ H ）；如果，此时温度从室温升高至K 550，则杂质半导体费米能级的位置（ I ）。（已知：室温下，31010-=cm n i ；K 550时，31710-=cm n i ） A. 电子和空穴 B. 空穴 C. 电子 D. 31410-cm E. 31510-cm F. 315101.1-?cm G. 高于i E H. 低于i E I. 等于i E 3. 在室温下，对于n 型硅材料，如果掺杂浓度增加，将导致禁带宽 度（ B ），电子浓度和空穴浓度的乘积00p n （ D ）2i n ，功函数（ C ）。如果有光注入的情况下，电子浓度和空穴浓度的乘积np （ E ）2i n 。 A. 增加 B. 不变 C. 减小 D. 等于 E. 不等于 F. 不确定 4. 导带底的电子是( C )。

A. 带正电的有效质量为正的粒子 B. 带正电的有效质量为负的准粒子 C. 带负电的有效质量为正的粒子 D. 带负电的有效质量为负的准粒子 5. P 型半导体MIS 结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材 料的类型（ B ）。在如图所示MIS 结构的C-V 特性图中，代表去强反型的（ G ）。 A. 相同 B. 不同 C. 无关 D. AB 段 E. CD 段 F. DE 段 G. EF 和GH 段 6. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. ???? ??= i A S n N q T k V ln 0 B. ???? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??=i D S n N q T k V ln 0 D. ??? ? ??≥i D S n N q T k V ln 20 7. 由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是（ B ）电流，由 于载流子在一定电场力的作用下而产生电流是（ A ）电流。 A. 漂移 B. 扩散 C. 热运动 8. 对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示， 其中，AB 段电阻率随温度升高而下降的原因是（ A ）。 A. 杂质电离和电离杂质散射 B. 本征激发和晶格散射

成都理工大学2017年硕士研究生入学考试(819土力学)试题

成都理工大学2017年硕士研究生入学考试（819土力学）试题 一、名词解释 1. 地基容许承载力 2. 土的固结度 3. 压缩系数 4. 被动土压力 5. 基地附加压力 6. 地基沉降计算深度 二、填空题 1. 黏性土的软硬状态由划分，据其将黏性土分为坚硬、硬塑、可塑、软塑、流塑5种不同状态。 2. 在荷载作用下，建筑物地基的破坏通常是由于承载力不足引起的剪切破坏，地基剪切破坏的形式可分为整体剪切破坏、和三种。 3. 已知某天然地基上的浅基础，基础底面尺寸为3.50m×5.00m，埋深d=2.00m，由上部结构传下的竖向荷载F=4500.00KN，则基底压力等于KPa。 4. 某薄层天然地基，土的孔隙比为0.8，在建筑物荷载作用下其压缩稳定后的空隙比为0.6，若地基压缩层厚度为3m，则该建筑物的最终沉降量等于。 5. 渗透破坏主要有和两种基本形式。 6. 由于的存在，黏性土坡不会像无黏性土坡一样沿坡表滑动。 7. 朗肯土压力理论与库伦土压力理论计算所得土压力相同的情况是。

三、判断题 1. 渗透力的大小和水力坡降成正比，其方向与渗流方向一致。 2. 在一般压力作用下，土体的压缩主要是由土粒受压破碎产生的。 3. 瑞典条分法的计算原理能满足整个滑动土体的整体力矩平衡条件，但对每一个土条本身的力矩平衡是不满足的。 4. 在土压力的计算中，当墙后填土有地下水时，一般对黏性土采用水土分算法，对无黏性土常采用水土合算法。 5. 对于透水性好的砂性土，无论处于饱和还是非饱和状态，其沉降计算均可按照瞬时沉降考虑。 6. 若不透水土层在地下水位以下时，该层土的自重应力应取有效重度来计算。 7. 建立土的极限平衡条件的依据是整个莫尔圆位于抗剪强度包线下方的几何关系。 四、简答题 1. 简述均布条形荷载作用下地基中竖向附加附加应力的分布规律。 2. 画图说明典型的地基载荷试验p-s曲线上土体变形的三个阶段，简述这三个阶段的特征及其界限荷载。 3. 简述有效应力原理，并分析在对饱和黏性土样施加各向相等的压力后，土样孔隙水压力和有效应力的变化过程。 4. 简述库伦公式与莫尔-库伦强度理论。 五、论述题

半导体物理学期末复习试题及答案一

一、选择题 1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 （ B ）。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半 导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费 米能级会（ B ）。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数，它和（ B ）有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.· 6.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型 （ B ）。 A.相同 B.不同 C.无关 7.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 8.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。

A. 直接 B. 间接 9. 将Si 掺杂入GaAs 中，若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作 用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 10. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 （ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。 · A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 11. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中，AB 段代表 （ A ），CD 段代表（B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 12. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??= i D S n N q T k V ln 0 D. ???? ??≥i D S n N q T k V ln 20 13. - 14. 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触

电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ） A.甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙 3．题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ B ） 4．题2中费米能级由高到低的顺序是（ C ） 5. 欧姆接触是指（ D ）的金属一半导体接触 A. W ms = 0 B. W ms < 0 C. W ms > 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性 6．有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 7．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ） A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p 8．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 9．MOS 器件绝缘层中的可动电荷是（ C ） A. 电子 B. 空穴 C. 钠离子 D. 硅离子 10．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ） A. Si B. Ge C. GaAs D. GaN 二、解释并区别下列术语的物理意义（30 分，7+7+8+8，共4 题） 1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量（7 分） 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。(3分) 纵向有效质量、横向有效质量：由于k空间等能面是椭球面，有效质量各向异性，在回旋共振实验中，当磁感应强度相对晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰。我们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。(4分) 2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度（7 分） 答：扩散长度：指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数

半导体物理期末考试试卷A参考答案与评分标准

电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 一 学期期 末 考试 一、选择填空（22分） 1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ）， 对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。 A. 曲率大； B. 曲率小； C. 大； D. 小； E. 重空穴； F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（ F ）。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质 3、在通常情况下，GaN 呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（ F ）半导体材料。 A. 纤锌矿型； B. 闪锌矿型； C. 六方对称性； D. 立方对称性； E.间接带隙； F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr 是乙的3/4， m n */m 0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8 5、.一块半导体寿命τ=15μs ，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e 2 ； D.1/2 6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、n i >> /N D -N A / 时，半导体具有 （ B ） 半导体的导电特性。 A. 非本征 B.本征 7、在室温下，非简并Si 中电子扩散系数D ｎ与ＮＤ有如下图 （C ） 所示的最恰当的依赖关系： Ｄｎ Ｄｎ Ｄｎ Ｄｎ Ａ Ｂ Ｃ Ｄ 8、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（ A ）移动；当掺 ＮＤ ＮＤ ＮＤ ＮＤ

成都理工大学2016年土力学(819)考试试题(含答案)

成都理工大学2016年土力学（819）考试试题 一、名词解释 1. 库伦定律：将土的抗剪强度表示为剪切面上法向应力的函数，即τ=c+σtanφ，式中c、φ分别为粘聚力和内摩擦角，该关系式即为库伦定律。 2. 土的固结度：地基在某一时刻t的固结沉降量与地基最终沉降量之比。 3. 临塑荷载：地基中即将出现塑性区但还未出现塑性区时对应的基底压力，即相应于塑性区的最大深度等于零时所对应的基底压力。 4. 主动土压力：挡土墙受到墙后填土的作用产生离开填土方向的位移，当位移量足够大，墙后填土土体处于极限平衡状态时，墙背上的土压力称为主动土压力。 5. 砂土液化：当饱和松砂受到动荷载作用，由于孔隙水来不及排出，孔隙水压力不断增加，就有可能使有效应力降到零，因而使砂土像流体那样完全失去抗剪强度。 二、填空题 1. 已知某种土的密度为1.8g/cm3，土的相对密度为 2.70，土的含水量为18.0%，则每立方米土体中气体的体积为 0.16m3。 2. 挡土墙后土体处于朗肯主动土压力状态时，土体剪切破坏面与竖直面的夹角为 45°-φ/2 ；当墙后土体处于朗肯被动土压力状态时，

土体剪切破坏面与水平面的夹角为 45°-φ/2 。 3. 某柱下方形基础边长2m，埋深d=1.5m，柱传给基础的竖向力F=800KN，地下水位在地表下0.5m处，则基底压力等于 220KPa 。 4. 某薄层天然地基，土的孔隙比为0.8，在建筑物荷载作用下其压缩稳定后的孔隙比为0.6，若地基压缩层厚度为3m，则该建筑物的最终沉降量等于 0.333m 。 5. 影响无黏性土坡的稳定性的主要因素是内摩擦角和坡角。 6. 饱和土的渗透固结是土中孔隙水压力消散与有效应力相应增长的过程。 7. 达西定律只适用于层流的情况，而反映土的透水性的强弱的指标称之为土的渗透系数。 三、简答题 1. 影响基底压力分布的因素有哪些？简述将基底压力视为直线分布的理由。 答：试验和理论都证明，基底压力的分布与多种因素有关，如基础的形状、平面尺寸、刚度、埋深、基础上作用荷载的大小及性质、地基土的性质等。精确的确定基底压力是一个相当复杂的问题，根据弹性力学中的圣维南原理，基础下与底面距离大于基底尺寸的土中应力分布主要取决于荷载合力的大小和作用点位置，基本上不受基底压力分布形式的影响，为了使计算简便，基底压力可以近似的按直线分布的图形计算。

成都理工大学地质工程专业本科培养方案081401

成都理工大学地质工程专业本科培养方案（081401） Geological Engineering (081401) 一、专业简介（Ⅰ Major Introduction） 地质工程专业门类为工科，一级学科为地质资源与地质工程。地质工程是国内最早通过中国工程教育认证的地学类专业之一，是我校双一流学科“地球科学”的主要支撑专业。 地质工程专业是在原成都地质学院“水文地质与工程地质”“探矿工程”两个专业的基础上，经过60余年的艰苦奋斗发展起来的。“水文地质与工程地质”专业始建于1956年，“探矿工程系”专业始建于1959年。1993年原成都地质学院更名为成都理工学院，“探矿工程”专业改名为“勘察工程”专业。1999年，因国家专业目录调整，“水文地质与工程地质”和“勘察工程”专业分别调整为“勘查技术与工程”专业的工程地质方向和岩土钻掘工程方向，分别隶属于当时的环境与土木工程学院和勘察与机电工程系。2001年底，成都理工学院重新组建并更名为成都理工大学，学校进行院系调整，将勘查技术与工程专业的岩土钻掘工程方向和工程地质方向统一归属环境与土木工程学院。2012年，按照国家专业目录调整要求，环境与土木工程学院的勘查技术与工程专业更名为“地质工程”专业并沿用至今，仍设工程地质和钻掘工程两个方向。 地质工程是地质学与工程学相互渗透交叉的学科，主要研究人类工程活动与地质环境相互关系，以地质学及机械学原理为基础，认识、分析和解决地质工程问题，采用先进的工程技术方法和手段，为工程建设、资源开发和地质环境保护服务。我校工程地质方向主要在山区复杂地质工程问题分析与解决、工程地质勘察设计与施工、地质灾害评价与防治、地质环境评价与保护等方面形成了鲜明的特色和优势，钻掘工程方向在岩土钻掘工程材料、岩土钻掘机具、定向钻探与取心、非开挖水平定向钻进等方面的新技术新方法开发与研究形成了鲜明的特色和优势。 本专业人才质量保障体系实现了国家级本科教学质量工程全覆盖，包括国家级精品课程、国家级特色专业、国家级教学名师、国家级实验教学示范中心、国家级教学团队、教育部专业综合改革试点专业，还入选国家级卓越工程师教育培养计划、国家级工程实践教育中心、国家级虚拟仿真实验教学中心。本专业达到国内一流、国际知名的水平。 本专业全面落实企业导师制度，采用企业导师和专业教师联合指导的教学方式。注重实践能力和创新精神的培养，大学四年中，每年一次校外实习。 二、培养目标（Ⅱ Academic Objectives） 本专业培养知识、能力、素质全面发展，系统掌握地质工程的基本理论、基本方法和基本技能，受到相关工程训练，具有较强创新实践能力以及良好的人文与职业素养、具备分析和解决复杂地质工程问题能力，能在地质工程相关领域承担资源开发、工程勘察、设计、施工、管理及研发等工作的应用型工程技术人才。毕业5年后经过持续学习和工程实践锻炼达

半导体物理期末试卷(含部分答案

一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺错误！未找到引用源。族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度

成都理工大学2017年土力学(819)考试试题

成都理工大学2017年土力学（819）考试试题 一、名词解释 1.地基容许承载力 2.土的固结度 3.压缩系数 4.被动土压力 5.基地附加压力 6.地基沉降计算深度 二、填空题 1.黏性土的软硬状态由划分，据其将黏性土分为坚硬、硬塑、可塑、软塑、流塑5种不同状态。 2.在荷载作用下，建筑物地基的破坏通常是由于承载力不足引起的剪切破坏，地基剪切破坏的形式可分为整体剪切破坏、和三种。 3.已知某天然地基上的浅基础，基础底面尺寸为3.50m×5.00m，埋深d=2.00m，由上部结构传下的竖向荷载F=4500.00KN，则基底压力等于KPa。 4.某薄层天然地基，土的孔隙比为0.8，在建筑物荷载作用下其压缩稳定后的空隙比为0.6，若地基压缩层厚度为3m，则该建筑物的最终沉降量等于。

5.渗透破坏主要有和两种基本形式。 6.由于的存在，黏性土坡不会像无黏性土坡一样沿坡表滑动。 7.朗肯土压力理论与库伦土压力理论计算所得土压力相同的情况是。 三、判断题 1.渗透力的大小和水力坡降成正比，其方向与渗流方向一致。 2.在一般压力作用下，土体的压缩主要是由土粒受压破碎产生的。 3.瑞典条分法的计算原理能满足整个滑动土体的整体力矩平衡条件，但对每一个土条本身的力矩平衡是不满足的。 4.在土压力的计算中，当墙后填土有地下水时，一般对黏性土采用水土分算法，对无黏性土常采用水土合算法。 5.对于透水性好的砂性土，无论处于饱和还是非饱和状态，其沉降计算均可按照瞬时沉降考虑。 6.若不透水土层在地下水位以下时，该层土的自重应力应取有效重度来计算。 7.建立土的极限平衡条件的依据是整个莫尔圆位于抗剪强度包线下方的几何关系。 四、简答题 1.简述均布条形荷载作用下地基中竖向附加附加应力的分布规律。 2.画图说明典型的地基载荷试验p-s曲线上土体变形的三个阶段，简

成都理工大学(已有10试题)

成都理工大学 地球科学学院 高等数学（一）2002——2005 高等数学（二）2000——2005 自然地理学2004——2005 旅游资源学2004——2005 城市规划原理2004——2005 普通地质学2004——2005 测量学2004——2005 地理信息系统概论2004——2005，2010（2010为回忆版） C语言及程序设计2004——2006 遥感地质学2004 遥感导论2005 微机原理及应用2001——2002，2004——2006（2005有答案） 沉积岩石学2004——2005 地球科学概论2004——2005 找矿勘探地质学2004——2005 环境化学2004——2005 普通化学2004——2005 地质学基础2004——2005 油藏工程2004——2005 石油地质学2004——2005（注：2005年试卷共6页，缺第5页和第6页）渗流力学2004——2005 油层物理学2004——2005 普通生物学2004——2005 结晶学与矿物学2005 能源学院 普通地质学2004——2005 油层物理学2004——2005 沉积岩石学2004——2005 石油地质学2004——2005（注：2005年试卷共6页，缺第5页和第6页）找矿勘探地质学2004——2005 渗流力学2004——2005 油藏工程2004——2005 机械原理2004——2005 环境与土木工程学院 混凝土结构2004——2005 工程岩土学2004 岩土力学2004——2005 结构力学2004——2005

工程力学2004——2005 环境化学2004——2005 水力学2004——2005 建筑设计原理2004——2005 城市规划原理2004——2005 普通生物学2004——2005 机械原理2004——2005 信息工程学院 普通物理2004 物理2005 地球科学概论2004——2005 地质学基础2004——2005 信号与系统2004——2006 通信原理2004——2006 微机原理及应用2001——2002，2004——2006（2005有答案）C语言及程序设计2004——2006 数据结构2004——2006 数字电子技术2004，2006 计算数学2004 线性代数2004——2005 概率论2004 计算方法2004——2005 高等数学（一）2002——2005 高等数学（二）2000——2005 核技术与自动化工程学院 高等数学（一）2002——2005 高等数学（二）2000——2005 普通地质学2004——2005 分析化学2004——2005 无机化学2004——2005 普通化学2004——2005 电子测量与仪器2005 微机原理及应用2001——2002，2004——2006（2005有答案）核电子学基础2005 普通物理2004 物理2005 机械原理2004——2005 材料与化学化工学院 高等数学（一）2002——2005 高等数学（二）2000——2005

北工大 10年 半导体物理 期末试卷

半导体物理2010-2011学年(2011.1.5) 一、简答题（8*6’=48’） 1.请填写下表中的数据： 解理面 材料晶格结构布拉伐格子直接/间接 带隙 Si GaAs 2.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？示意画出掺杂浓度为Nd的N型半导体样品电子浓度n和本征载流子浓度ni随T变化曲线。 3.“纯净的半导体中，掺入百万分之一的杂质，可以减小电阻率达1百万倍，”是估算说明之。 4.一块杂志补偿的半导体，受主杂质和施主杂质浓度相等。设杂质全部电离，判断当杂质浓度分别为 (a) Na=Nd=1014cm-3(b) Na=Nd=1018cm-3 时，哪种情况的电导率大？简述分析理由。 5.什么是载流子的平均自由时间τ？有两块Si半导体材料1和2，其中τ1>τ2，迁移率哪个大？ 如果同一块半导体中，有两种机理的平均自由时间τ1和τ2，其总迁移率如何确定？ 6.写出以n型样品为例少子空穴的连续性方程。 由连续性方程写出：不考虑电场的作用、无产生、稳态载流子扩散方程； 7.什么是PN结的势垒电容？定性说明掺杂浓度对势垒电容有何影响。 8.一个p-N异质结接触前能带图见图1。画出平衡状态下能带图。

电阻率为7Ω·cm的p型硅，T=300K。 ⑴试计算室温时多数载流子和少子浓度（可查图）。 ⑵计算该半导体的功函数。 ⑶不考虑界面态，在金属铝（功函数W Al=4.20eV）和金属铂（功函数W Pi=5.3eV）中选择制备肖特基二极管的金属，给出选择理由。 ⑷求金属一侧势垒高度的理论值qΦms和半导体一侧势垒高度qV D 。 三、(16’) 室温下，一个Si的N-P结，N区一侧掺杂浓度为1017cm-3，P区为1015cm-3 ⑴求该N-P结的接触电势差。 ⑵画出平衡PN结、正向偏置PN结、反向偏置PN结空间电荷区中及边界处的载流子分布示意图。 ⑶根据正向和反向少子分布情况，解释PN结正向导通，反向截止的饱和特性。 ⑷写出理想PN结电流-电压关系公式，在对数坐标下，定性画出理想和实际I-V特性示意图。 四、（15’） 一理想的MOS结构的高频测量的C-V曲线如图2. （1）判断该结构中，半导体的导电类型。 （2）说明图中1,2,3,4,5点的半导体一侧的状态，并示意画出每点半导体一侧的能带形状，以及金属和半导体一侧的电荷分布。

半导体物理学期末复习试题及答案一

1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 （ B ）。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半 导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费 米能级会（ B ）。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数，它和（ B ）有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型 （ B ）。 A.相同 B.不同 C.无关 6.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。 A. 直接 B.间接 8.将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（ A ）杂质作

用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 9. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 （ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的 量子态被电子占据的概率为（ A ）。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 10. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中，AB 段代表 （ A ），CD 段代表（B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??=i D S n N q T k V ln 0 D. ??? ? ??≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 13. 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照

大学概率统计试卷

一）单项选择题： 1、对掷一粒骰子的试验，在概率论中将“出现偶数点”称为（ ）。 （A ）样本空间 （B ）必然事件 （C ）不可能事件 （D ）随机事件 2、甲、乙两人射击，A 、B 分别表示甲、乙射中目标，则AB 表示（ ）。 （A ） 两人都没射中 （B ）两人没有都射中 （C ）两人都射中 （D ）至少一人射中 3、下列概率的性质中不属于概率的公理化定义的是（ ）。 （A ）1)A (P 0≤≤ （B ）0)P( ,1)(P =Φ=Ω （C ）)A (P 1)A (P -= （D ）若j)(i A A j i ≠Φ=，则∑∞ =∞ == 1 i i i 1 i )A (P )A (P 4、设有10个零件，其中2个是次品，现随机抽取2个，恰有一个是正品的概率为（ ）。 （A ）8/45 （B ）16/45 （C ）8/15 （D ）8/90 5、设3/1)A (P =，2/1)B (P =，8/1)AB (P =，则)A B (P = （ ）。 （A ）1/6 （B ）5/24 （C ）3/8 （D ）1/8 6、设A 、B 为任意两事件，且B A ?，0)B (P >，则下列选项必然成立的是（ ）。 （A ）)B A (P )A (P < （B ） )B A (P )A (P ≤ （C ）)B A (P )A (P > （D ）)B A (P )A (P ≥ 7、甲、乙、丙三人独立地破译一份密码，他们每人译出此密码的概率都是1/4，则密码能被译出的概率为（ ）。 （A ）1/4 （B ）1/64 （C ）37/64 （D ）63/64 8、设A 、B 为两个概率不为0的互不相容事件，则（ ）。 （A ）A 和B 互不相容 （B ）A 和B 相容 （C ）)B (P )A (P )AB (P = （D ）)A (P )B A (P =- 9、已知5%的男人和0.25%的女人是色盲，现随机挑选一人，此人恰好为色盲者，则此人是男人的概率为（ ）。 （A ）1/20 （B ）1/21 （C ）1/5 （D ）20/21 10、设X 的概率分布为右表， 则=>) 3 X ( P （ ）。 （A ）2/5 （B ）1/5 （C ）2/15 （D ）1/15 11、若随机变量X 服从参数为λ的泊松分布，且有)4X (P )2X (P ===，则λ为（ ）。

半导体物理期末考试试卷a-参考答案与评分标准

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试 一、选择填空（22分） 1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ）， 对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。 A. 曲率大； B. 曲率小； C. 大； D. 小； E. 重空穴； F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（F ）。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质 3、在通常情况下，GaN呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（F ）半导体材料。 A. 纤锌矿型； B. 闪锌矿型； C. 六方对称性； D. 立方对称性； E.间接带隙； F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，m n*/m0值是乙的2 倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8 5、.一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载 流子将衰减到原来的（C ）。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2； D.1/2 6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、n i>> /N D-N A/ 时，半导体具有（ B ）半导体的导电特性。 A. 非本征 B.本征 7、在室温下，非简并Si中电子扩散系数Dｎ与ＮＤ有如下图（C ）所示的最恰当的依赖关系： ＤｎＤｎＤｎＤｎ 8、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（A ）移动；当掺

概率论与数理统计10—11学年第一学期A

特别提示：请诚信应考,考试违纪或作弊将带来严重后果！ 成都理工大学工程技术学院 2010－2011学年第一学期 《概率论与数理统计》期末试卷A 注意事项：1. 考前请将密封线内的各项内容填写清楚； 2. 所有答案请直接答在答题纸上； 3．考试形式：闭卷； 4. 参考数据： 8413.0)1(=Φ，9332.0)5.1(=Φ，9772.0)2(=Φ，9938.0)5.2(=Φ 4669.2)6(975.0=t ，3646.2)7(975.0=t ，9432.1)6(95.0=t ,8946.1)16(95.0=t 96.1975.0=u ，645.195.0=u ，282.19.0=u 一、单项选择题：（本大题共8小题，每小题3分，共24分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1、若A 与B 互为对立事件，则下式成立的是（ ） A)、Ω=?)(B A P B)、)()()(B P A P AB P = C)、)(1)(B P A P -= D)、φ=)(AB P 2、将一枚均匀的硬币抛掷三次，恰有一次出现正面的概率为（ ） A)、21 B)、83 C)、41 D)、81 3、设随机变量X 则=k （ ） A)、0.4 B)、0.3 C)、0.2 D)、0.1 4、设随机变量X 的概率密度为)(x f ，且)()(x f x f =-，)(x F 是X 的分布函数，则对任意的实数a ，有（）

A)、? -=-a dx x f a F 0 )(1)( B)、?-=-a dx x f a F 0 )(21)( C)、)()(a F a F =- D)、1)(2)(-=-a F a F 5、设二维随机变量),(Y X 的联合分布律为 则==}0{XY P （） A)、 32 B)、31 C)、61 D)、12 1 6、设随机变量X 具有分布5 1 )(==k X P ，5,4,3,2,1=k ，则=)(X E （） A)、2 B)、3 C)、4 D)、5 7、设)2,1( ~2 N X ，n X X ,,1Λ为X 的样本，记∑==n i i X n X 1 1则有( ) A ）、 )1,0(~2 1 N X - B ）、 )1,0(~/21N n X - C ）、 )1,0(~2 1N X - D ）、 )1,0(~4 1 N X - 8、设54321,,,,x x x x x 是来自标准正态总体)1,0(N 的简单随机样本，则，当=K （ ）时，对于随机变量25 24 2 3 21)(x x x x x K +++服从于t 分布。 A)、2 B)、3 C)、 22 D)、2 6 二、填空题：（本大题共12小题，每空3分，共36分） 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 9、设4.0)(=A P ，3.0)(=B P ，4.0)(=?B A P ，则=)(B A P 。 10、设B A ,相互独立且都不发生的概率为9 1 ，又A 发生而B 不发生的概率与 B 发生而A 不发生的概率相等，则=)(B P 。 11、设随机变量X ∽)8.0,1(B ，则X 的分布函数为 。