器件厂家名称
Actel Corporation(Actel)
阿卡特公司（美） 1
Advanced Micro Devices, Inc.(AMD)
超威半导体公司（美） 2
Advanced Analogic Technologies Inc. (AnalogTech) 研诺逻辑科技有限公司（美）8
Advanced Linear Devices,Inc(ALD)
高级线性电子器件公司（美）9
Advanced Electronic Packing
高级电子封装公司（美） 10
Altera Corporation(Altera)
奥特莱公司（美）11
American Microsystems Inc.(AMI)
美国微系统公司（美）12
AMI Semiconductor(AMIS)
AMI半导体公司（美）12
Amperex Electronic Corp.
安普雷斯电子公司（美） 12
Amptex Inc.
安弗泰克斯公司（美）13
Analog Device,Inc. (ADI)
模拟器件公司（美）13
ANADIGICS,Inc(ANADIGICS)
爱奈狄克公司（美）15
Analogue Systems
模拟系统公司（美）16
Apex Microtechnology Corporation(Apex)
顶点微技术公司（美）17
AT＆T
AT＆T公司（美）18 Atmel Corporation(ATMEL)
爱特梅尔公司（美）19
Bel Fuse,lnc.(Bel)
贝尔保险丝公司（美）20
Bharat Electronics Ltd.(BEL)
伯哈特电子有限责任公司（印）20
Bipolar Integrated Technology(Bipolar) 双极集成技术公司（美） 21
Brooktree Corporation(Brooktree)
溪树公司（美）21
Burr-Brown Corporation(Burr-Brown)
伯尔-布朗公司（美）23
California Micro Devices Corp. (CMD)
加利福尼亚微器件公司（美）26 Calmos Semiconductor,Inc.(Calmos)
加利福尼亚MOS半导体公司（美）27 Catalyst Semiconductor, Inc.(Catalyst) 凯特利斯特半导体公司（美）28
Cherry Semiconductor Corporation(Cherry) 齐瑞半导体公司（美）29
Comlinear Corporation(CLC)
共线性器件公司（美）30
Conexant Systems, Inc.
科胜讯系统公司30
Cirrus Logic Inc.(Cirrus)
凌云逻辑公司（美）30
CML Microcircuits(USA) Inc(CML)
CML微电路公司（美）31
Crystal Semiconductor(Crystal)
克瑞斯涛半导体公司（美）32
CTS Corporation(CTS)
CTS公司（美）33
Custom Micro Systems,Inc.
克斯特姆微系统公司（美）33 Cybernetic Micro System(Cybernetic)
西伯奈蒂克微系统公司（美）34 Cypress Semiconductors(Cypress)
赛普拉斯半导体公司（美）34
Dallas Semiconductor(Dallas)
达拉斯半导体公司（美） 35
Datel, Inc.(Datel)
丹特电子公司（美）37
Delco Electronics,Inc.(Delco)
德科电子公司（美）39
DPAC Technologies Corp.(DPAC)
DPAC技术公司（美）39
EG&G Reticon Corp.
EG&G雷狄康公司（美）42
Elantec Semiconductor(Elantec)
依兰泰克半导体公司（美）43 Electronic Arrays,Inc.
电子阵列公司（美）45
Ericsson Components AB (Ericsson)
爱立信元件公司（瑞典） 46
Exar Integrated Systems, Inc(Exar)
埃克萨集成系统公司47
EXEL Microelectronics Inc. (EXEL)
爱克西尔微电子公司（美）48 Fairchild Semiconductor Corp.(Fairchild) 飞兆半导体公司（美）49 Freescale Semiconductor, Inc
飞思卡尔半导体公司52
Fujitsu Components America, Inc(Fujitsu) 富士通元件美国公司（美）52
Fujitsu Limited(Fujitsu)
富士通有限公司（日）53
Fujitsu Microelectronics,Inc.(Fujitsu) 富士通微电子公司（美） 54
F.W.Bell
F.W.贝尔公司（美）57
GE SOLID STATE (GE)
通用电气固态公司（美） 57
GE Intersil,Inc.(GE)
通用电气英特矽尔公司（美）59 General Instrument Corporation(GI)
通用仪器公司（美）61
General Instrument Microelectronics (GI) 通用仪器微电子公司（美）65 Gennum Corporation(Gennum)
智勒姆公司（加）66
GigaBit Logic,Inc. (GBL)
吉盖比特逻辑公司（美） 67
Goldstar Semiconductor(Goldstar)
金星半导体公司（韩）68
Gould Semiconductor Division(Gould)
古尔德半导体分部（美） 69
Grant Technology Systems
格雷特技术系统公司（美）70
GTE Microciruits Div. (GTE)
GTE微电路公司（美）70
Harris Semiconductor(Harris)
哈里斯半导体公司（美） 71
Harris Microwave Semiconductor(Harris) 哈里斯微波半导体公司（美）73
Hitachi Ltd. (Hitachi)
日立公司半导体事业部（日）74 Honeywell,Inc.(Honeywell)
霍尼韦尔公司（美）75
Hughes Aircraft Company(Hughes)
休斯飞机公司（美）77
Hybrid System Corp.
混合系统公司（美）78
Hybrid Memory Products Limited
混合存储器有限公司（英）79
Hynix Semiconductor Inc.(Hynix)
海力士半导体公司（韩） 79
Data Device Corp.(DDC)
数据器件公司（美）80
Industria Mexicana Toshiba S.A.(Toshiba) 东芝墨西哥工业公司（墨西哥）82
Inmos Corp.(Inmos)
英莫斯公司（英）83
Inova Microelectronics Corp.(Inova)
奥沃微电子公司（美）84
Integrated Device Technology(IDT)
IDT公司（美）85
Intel Corp.(Intel)
英特尔公司（美）86
International CMOS Technology.Inc. (ICT) 国际CMOS技术公司（美）87 International Microcircuits，Inc. (IMI) 国际微电路公司（美）88
International Rectifier(IR)
IR公司（美）89
Intersil Corporation(Intersil)
英特矽尔公司（美）90
IXYS Corp.(IXYS)
IXYS公司（美）92
JAN Nomenclature(JNC)
JAN术语公司（美）93
Lansdale Semiconductor, Inc. (Lansdale) 兰斯达勒公司（美）94
Lambda Americas, Inc.(Lambda)
兰姆达美国（美）95
Lattice Semiconductor Corp.(Lattice)
莱迪思半导体公司（美） 96
LG Electronics(LG)
LG电子公司（韩）97
Linear Technology Corporation(Linear)
凌力尔特公司（美）97
Logic Devices Inc.
逻辑器件公司（美）98
LSI Logic Corporation(LSI)
LSI公司（美）99
Marconi Electronic Devices,Inc.(Marconi) 马可尼电子器件公司（美）100
Matra-Harris Semiconductor SA(MHS)
麦特莱-哈里斯半导体公司（法）101 Master Logic
马斯特逻辑公司（美）106
Matsushita Electronic Industrial Co.Ltd. (Panasonic)
松下电器产业株式会社（日）107
Maxim Integrated Products ,Inc.(Maxim)
美信集成产品公司（美） 107
MCE Semiconductor, Inc.(MCE)
MCE半导体公司（美）112
Micrel Semiconductor, Inc.(Micrel)
麦瑞半导体公司（美）112
Micra Corp.
密克莱公司（美）113
Micro Linear Corp.(Micro-Linear)
微线性器件公司（美）113
Micro Networks Corp.(MNC)
微网络公司（美）114
Micropac Micropac Industries,Inc. (MICROPAC)
微派斯工业公司（美）115
Micro Power Systems, Inc.
微型电源系统公司（美） 116
Micron Technology,Inc. (Micron)
美光科技公司（美）116
Mikro Elektronik
米克罗电子公司（德）117
Mitel Semiconductor(Mitel)
敏迪半导体公司（加）118
Mitsubishi Electric Corp.(Mitsubishi)
三菱公司（日）119
Mitsubishi Mitsubishi Electric America,Inc.(Mitsubishi) 美国三菱电子公司（美） 121
Monolithic Memories Inc.(MMI)
单片存储器公司（美）122 Mosel Vitelic Corp.(MVC)
茂矽电子公司（美）125
Motorola Semiconductor Products,Inc.(Motorola) 摩托罗拉公司半导体部（美）127
Mostek
莫斯泰克公司（美）129
Mullard Ltd.(Mullard)
大盾公司（英）130
MX-COM,Inc.(MX-COM)
MX-COM公司（美）131
National Semiconductor (NS)
国家半导体公司（美）132
NCM Corporation(NCM)
NCM公司（日）139
NCR Corporation(NCR)
NCR公司（美）140
NEC Corporation(NEC)
NEC公司（日）141
NEC Electronics,Inc. (NEC)
NEC电子公司（美）142
NMB Technologies corporation(NMB)
NMB技术公司（日）144
New Japan Radio Co., Ltd.(JRC)
新日本无线株式会社（日）145
Oki Electric Industry Co., Ltd.
日本冲电气电子株式会社（日）145
Nortec Communications, Inc.(Nortec)
诺泰克公司（美）146
Omnirel Corp.(Omnirel)
欧涅莱公司（美）147
Optical Electronics,Inc.(OEI)
光电公司（美）148
Panasonic Industrial Company(Panasonic)
松下工业公司（美）149
Performance Semiconductor Corpration(Performance) 弗尔曼斯半导体公司（美）150
Philips Components(Philps)
菲利普公司（荷）151
Plessy Semiconductors Ltd. (Plessy)
普莱赛半导体公司（英） 152
Precision Monolithics,Inc. (PMI)
精密单片公司（美）155
Pro Electron
欧洲电子联盟156
Raytheon Company(Raytheon)
雷神公司（美）158
Renesas Technology Corp.(Renesas)
瑞萨科技公司（日）160
RS Components Ltd.(RS)
RS器件公司（英）160
RCA Corp.Sold State Div.(RCA)
RCA公司固态电路分部（美）161
Ricoh Co.,Ltd. (Ricoh)
理光公司（日）162
Ricoh Corporation
理光公司电子器件分部（美）162
Rockwell Iernational Corp.(Rockwell)
罗克威尔公司半导体部（美）163
Rohm Co.Ltd.(Rohm)
罗姆公司（日）164 Samaung Semiconductor,Inc.(Samaung)
三星半导体公司（韩）165
SANYO Electric Co.,Ltd(Sanyo Electric Co.,Ltd)
三洋电机公司（日）167
Saratoga Semiconductor(Saratoga)
赛伦半导体公司（美）168
SEEQ Technology(SEEQ)
SEEQ技术公司（美）169
Sensym ICT(Sensym)
赛西姆公司（美）170
SGS-ATES Component Electronic SpA (SGS-ATES)
SGS-亚特斯电子元件公司（意大利）170
SGS-Thomson Microelectronics (SGS-Thomson)
SGS-汤姆逊公司（意、法）172
Sharp Electronics Corporation of American (SHARP) 美国夏普电子公司（美） 176
Siemens Aktiengesellschaft (Siemens)
西门子公司（德）177
Simens Corp.(Simens)
美国西门子公司（美）179
Sierra Semiconductor Corp.(Sierra)
西雷半导体公司（美）180
Signetics Corp.
西格尼蒂克公司（美）180
Silicon Systems,Inc.
硅系统公司（美）182
Silicon MicroSystems Inc.
硅微系统公司（美）184
Siliconix,Inc.(Siliconix)
硅尼克斯公司（美）185
Solid State Devices,Inc(SSDI)
固态器件公司（美）186
Solitron Devices,Inc. (Solitron)
索列特朗公司（美）187
S-MOS Systems Inc.(S-MOS)
S-MOS系统公司（美）188
Sony Corp.(Sony)
索尼公司（日）189
Sorep SA(Sorep)
索莱弗?赛公司（法）190
Space Reaearch Technology
空间研究技术公司（美） 190
Sprague Electric Co.(Spragu)
美国史普拉格电子公司191
Sprague Semiconductor Group(Sprague)
史普拉格半导体集团（美）193 STMicroelectronics N.V.(ST)
意法半导体（意、法）195
Standard Microsystems Corporation(SMSC) 标准微系统公司（美）196
Stantel Components, Inc.
斯坦泰尔器件公司（美） 196
Synertek System Corp.(Synertek)
辛纳泰克系统公司（美） 197
Supertex,Inc. (Supertex)
超科公司（美）198
Teledyne Semiconductor Corp. (Teledyne) 德律戴恩半导体公司（美）199 Telefunken Electronic GmbH(Telefunken) 特洛芬肯电子公司（德） 201 Teledyne Philbrick(Teledyne)
德律戴恩菲尔布里克公司（美）202
Teltone Corporation(Teltone)
泰尔通公司（美）202
Texas Instruments, nc.(TI)
德州仪器公司（美）203
Texas Instruments Ltd.(TI)
德州仪器有限责任公司（英）210
Thaler Corporation(Thaler)
萨勒公司（美）212
Third Domain,Inc.
第三产业公司（美）213
Thomson CSF
汤姆逊半导体公司（法） 213
Toko America,Inc.(Toko)
Toko美国有限公司（美）217
Topaz Semiconductor Inc.(Topaz)
黄晶半导体公司（美）217
Toshiba America,lnc.(Toshiba)
东芝美国有限公司（美） 218
Toshiba Corp.(Toshiba)
东芝公司（日）220
Toyocom USA,Inc. (Toyocom)
美国东洋通信机美国有限公司（美）222
TRW LSI Products, Inc.(TRW)
TRW 大规模集成电路产品公司（美）223
United Technologies Microelectronics Center(UTMC) 微电子技术联合中心（美）225
Unitrode Corp.(Unitrode)
尤尼罗德公司（美）226
Valvo GmbH(Valvo)
沃奥格姆巴公司（德）227
Vitesse Semiconductor Corporation(Vitessse) 威泰斯半导体公司（美） 227
VLSI Technology,Inc.(VLSI)
VLSI技术公司（美）228
VTC Incorporated(VTC)
VTC公司（美）229
Walmsley Microsystems Ltd.(WML)
沃姆斯莱微系统公司（英）230 Waferscale Integated,Inc. (WSI)
晶片集成电路公司（美） 230
Weitek Corp.(Weitek)
威泰克公司（美）231 Western Design Center(WDC)
西方设计中心（美）232
Western Digital Corp.(WD)
西部数据公司（美）233
White Electronic Designs Corporation(WEDC) 怀特电子设计公司（美） 233
White Microelectronics
怀特微电子公司（美）236
Xicor,Inc. (Xicor)
辛卡公司（美）237
Zilog,Inc. (ZiLOG)
齐洛格公司（美）238
Zyrel,Inc.(Zyrel)
西奈尔公司（美）239
A-Data Technology
Advanced Analogic Technologies
Advanced Linear Devices
Advanced Micro Devices （美国先进微电子器件公司）Advanced Monolithic Systems
Advanced Power Technology
Advanced Semiconductor
AECO(日本阿伊阔公司)
AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司)
Aeroflex Circuit Technology
Agere Systems
Agilent(Hewlett-Packard)
Allegro MicroSystems
Alpha Industries Altera Corporation
AMIC Technology
ANADIGICS, Inc
Analog Devices (美国模拟器件公司) Analog Intergrations Corporation Analog Microelectronics
Analog Systems (美国模拟系统公司) Apuls Intergrated Circuits
Asahi Kasei Microsystems
ATMEL Corporation
AUK corp
austriamicrosystems AG
AVX Corporation
AZ Displays
Boca Semiconductor Corporation
Brilliance Semiconductor
Burr-Brown Corporation
Bytes
C&D Technologies
California Micro Devices Corp
Calogic, LLC
Catalyst Semiconductor
Central Semiconductor Corp
Ceramate Technical
Cherry Semiconductor Corporation (美国切瑞半导体器件公司) Chino-Excel Technology
Cirrus Logic
Clare, Inc.
CML Microcircuits
Comchip Technology
Compensated Deuices Incorporated
Cypress Semiconductor
Daewoo Semiconductor (韩国大宇电子公司)
Dallas Semiconducotr
Dc Components
DENSEI-LAMBDA
Diodes Incorporated
Diotec Semiconductor
Dynex Semiconductor
EIC discrete Semiconductors
ELAN Microelectronics Corp
Elantec Semiconductor
Elpida Memory
Epson Company
Ericsson ETC
Etron Technology, Inc.
Exar Corporation
Fairchild Semiconductor (美国仙童公司)
Filtronic Compound Semiconductors
Formosa MS
Fuji Electric
Fujitsu Media Devices Limited (日本富士通公司) General Semiconductor
General Instruments [GI] (美国通用仪器公司) Gilway Technical Lamp
GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
GOOD-ARK Electronics
Hamamatsu Corporation
Harris Corporation
Hi-Sincerity Mocroelectronics
Hirose Electric
Hitachi Semiconductor (日本日立公司)
Hittite Microwave Corporation
Holt Integrated Circuits
Holtek Semiconductor Inc
Humirel
Hynix Semiconductor
IMP, Inc
Impala Linear Corporation
Infineon Technologies AG
InnovASIC, Inc
inntech (美国英特奇公司)
Integrated Circuit Solution Inc
Integrated Circuit Systems
Integrated Device Technology
Intel Corporation
International Rectifier
Intersil Corporation (美国英特锡尔公司)
ITT(德国ITT-半导体公司)
Jinan Gude Electronic Device
KEC(Korea Electronics)
Kemet Corporation
Knox Semiconductor, Inc
Kodenshi Corp
Kyocera Kinseki Corpotation
Lattice Semiconductor
LEM
Leshan Radio Company
Level One ?s
Linear Technology
Lite-On Technology Corporation
Littelfuse
LOGIC Devices Incorporated
LSI Computer Systems
Macronix International
Marktech Corporate
Matsushita Electric Works(Nais)
Maxim Integrated Products （美国）美信集成产品公司Micrel Semiconductor
Micro Commercial Components
Micro Electronics
Micro Linear Corporation
MICRO NETWORK(美国微网路公司)
MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司) AMERICAN MICRO SYSTEMS(美国微系统公司)
Microchip Technology
Micron Technology
Micropac Industries
Microsemi Corporation
Mitel Networks Corporation
MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特尔半导体公司)
Mitsubishi Electric Semiconductor (日本三菱电机公司) Mosel Vitelic, Corp
Mospec Semiconductor
MOSTEK(美国莫斯特卡公司)
Motorola, Inc (美国莫托罗拉半导体产品公司)
MULLARD(英国麦拉迪公司)
National Semiconductor (美国国家半导体公司)
NEC ELECTRON(日本电气公司)
New Japan Radio (新日本无线电公司)
Nippon Precision Circuits Inc
NITRON(美国NITROR公司)
NTE Electronics
OKI electronic componets (日本冲电气有限公司)(美国OKI半导体公司)
ON Semiconductor
OTAX Corporation
Pan Jit International Inc.
Panasonic Semiconductor (日本松下电器公司)
PerkinElmer Optoelectronics
Philips Semiconductors (荷兰菲利浦公司)
PLESSEY(英国普利西半导体公司) Plessey
PMC-Sierra, Inc
Polyfet RF Devices
Power Innovations Limited
Power Integrations, Inc.
Power Semiconductors
Power-One
Powerex Power Semiconductors
Powertip Technology
Precid-Dip Durtal SA
Princeton Technology Corp
PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
QT Optoelectronics
QUALCOMM Incorporated
RAYTHEON(美国雷声公司)
RCA(美国无线电公司)
Recom International Power
Rectron Semiconductor
RF Micro Devices
RICOH electronics devices division
Rohm (日本东洋电具制作所)(日本罗姆公司)
Sames
Samsung semiconductor (韩国三星电子公司)
Sanken electric (日本三肯电子公司)
Sanyo Semicon Device (日本三洋电气公司)
Seiko Instruments Inc
Seme LAB
Semicoa Semiconductor
Semtech Corporation
Semtech International Holdings Limited
SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) Shanghai Lunsure Electronic Tech
Shanghai Sunrise Electronics Sharp Electrionic Components [日本夏普(声宝)公司] Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
Siemens Semiconductor Group (德国西门子公司) SiGe Semiconductor, Inc.
SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)
SILICON GENERAL(美国通用硅片公司)
Silicon Storage Technology, Inc
Sipex Corporation
SOLITRON(美国索利特罗器件公司) Solitron
SONiX Technology Company
Sony Corporation (日本索尼公司)
SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子司)
SSS(美国固体科学公司)
STMicroelectronics
Supertex, Inc
Surge Components
System Logic Semiconductor
Taiwan Memory Technology
Taiyo Yuden (U.S.A.), Inc
Teccor Electronics
TelCom Semiconductor, Inc
TEMIC Semiconductors
TEXAR INTEGRATED SYSTEMS(美国埃克萨集成系统公司) Texas Instruments (美国德克萨斯仪器公司) Thermtrol Corporation
THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司)
TOKO, Inc
Tontek Design Technology
Torex Semiconductor
Toshiba Semiconductor
TRACO Electronic AG
Traco Electronic AG
TRANSYS Electronics Limited
TriQuint Semiconductor
TRSYS
TRW LSI PRODUCTS(美国TRW大规模集成电路公司) Tyco Electronics
UMC Corporation
UNISEM
Unisonic Technologies
United Monolithic Semiconductors
Unity Opto Technology
Vaishali Semiconductor
Vanguard International Semiconductor
Vicor Corporation
Vishay Siliconix
Vishay Telefunken
Winbond
Wing Shing Computer Components
Wolfgang Knap
Wolfson Microelectronics plc
Won-Top Electronics
Xicor Inc.
Xilinx, Inc
YAMAHA(日本雅马哈公司)
Zetex Semiconductors
Zilog, Inc.
Zowie Technology Corporation
电子元件封装大全及封装常识
修改者：林子木 电子元件封装大全及封装常识 一、什么叫封装 封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连 接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、 密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线 连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连 接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空 气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也 更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与 之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比 值越接近1 越好。封装时主要考虑的因素： 1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1； 2、引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性 能； 3、基于散热的要求，封装越薄越好。 封装主要分为DIP 双列直插和SMD 贴片封装两种。从结构方面，封装经历了最 早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP 公司开发出了SOP 小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J 型引脚小外形封装）、 TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、 TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电 路）等。从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作 条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。 封装大致经过了如下发展进程： 结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP； 材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料； 引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点； 装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装 二、具体的封装形式 1、SOP/SOIC 封装 SOP 是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。SOP 封装技术由 1968～1969 年菲利浦公司开发成功，以后逐渐派生出SOJ（J 型引脚小外形封 装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、 TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电 路）等。 SOP(Small Out-Line package) 也叫SOIC，小外形封装。表面贴装型封装之一， 引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料和陶瓷两种。SOP 除了用 于存储器LSI 外，也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过10～40 的领域，SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距 1.27mm，引脚数从8～44。另外，引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP；装配 高度不到1.27mm 的SOP 也称为TSOP。还有一种带有散热片的SOP。
Proteu元件库元件名称
Proteus元件库 AND 与门 ANTENNA 天线 BA TTERY 直流电源 BELL 铃,钟 BVC 同轴电缆接插件 BRIDEG 1 整流桥(二极管) BRIDEG 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器 BUZZER 蜂鸣器 CAP 电容 CAPACITOR 电容 CAPACITOR POL 有极性电容CAPV AR 可调电容 CIRCUIT BREAKER 熔断丝 COAX 同轴电缆 CON 插口 CRYSTAL 晶体整荡器 DB 并行插口 DIODE 二极管 DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3段LED DPY_7-SEG 7段LED DPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容 FUSE 熔断器 INDUCTOR 电感 INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感 JFET N N沟道场效应管 JFET P P沟道场效应管 LAMP 灯泡 LAMP NEDN 起辉器 LED 发光二极管 METER 仪表 MICROPHONE 麦克风 MOSFET MOS管 MOTOR AC 交流电机 MOTOR SERVO 伺服电机 NAND 与非门 NOR 或非门 NOT 非门NPN NPN三极管 NPN-PHOTO 感光三极管 OPAMP 运放 OR 或门 PHOTO 感光二极管 PNP 三极管 NPN DAR NPN三极管 PNP DAR PNP三极管 POT 滑线变阻器 PELAY-DPDT 双刀双掷继电器 RES1.2 电阻 RES3.4 可变电阻 RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻RESPACK ? 电阻 SCR 晶闸管 PLUG ? 插头 PLUG AC FEMALE 三相交流插头SOCKET ? 插座 SOURCE CURRENT 电流源 SOURCE VOLTAGE 电压源 SPEAKER 扬声器 SW ? 开关 SW-DPDY ? 双刀双掷开关 SW-SPST ? 单刀单掷开关 SW-PB 按钮 THERMISTOR 电热调节器 TRANS1 变压器 TRANS2 可调变压器 TRIAC ? 三端双向可控硅 TRIODE ? 三极真空管 V ARISTOR 变阻器 ZENER ? 齐纳二极管 DPY_7-SEG_DP 数码管 SW-PB 开关 元件名称中文名说明 7407 驱动门 1N914 二极管 74Ls00 与非门 74LS04 非门 74LS08 与门 74LS390 TTL 双十进制计数器 7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4
各种常用电子元件符号及其名称【全】
各种常用电子元件符号 二极管变容二极管 表示符号:D 表示符号:D 双向触发二极管稳压二极管 表示符号:D 表示符号:ZD,D 稳压二极管桥式整流二极管表示符号:ZD,D 表示符号:D
肖特基二极管隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管 发光二极管双色发光二极管 表示符号：LED 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极管单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT
复合三极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT PNP型三极管PNP型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT NPN型三极管带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT
带阻尼二极管IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 电子元器件符号图形 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS
电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻二脚消磁电阻 表示符号：RT 表示符号：RT 压敏电阻表示符号：RZ,VAR 热敏电阻表示符号：RT
光敏电阻电容（有极性电容）CDS 表示符号： 电容（有极性电容）可调电容 表示符号：C 表示符号：C 电容（无极性电容）四端光电光电耦合器 表示符号：C 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 电子元器件符号图形
常见电子元件选型方法
电子元器件选型 目录 一、集成电路 (1) 二、二极管 (2) 三、功率MOS (2) 四，三极管 (3) 五，电解电容 (3) 六，瓷片电容 (4) 七，薄膜电容 (4) 八，电阻 (5) 九，磁性元件 (6) 十，金属氧化物压敏电阻MOV (7) 十一，印刷电路板 (7) 十二，保险丝 (8) 十三，光耦 (8) 电子元器件选型主要注意的几个参数和标准，大家可以参考一下，这些都是比较保守的值，在实际使用中还可以根据需要适当提高。 一、集成电路 因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。 我们通常规定： 1，最大工作电压，不超过额定电压80% 2，最大输出电流，不超过额定电流75% 3，结温，最大85摄氏度，或不超过额定最高结温的80%
二、二极管 二极管种类繁多，特性不一。故而，有通用要求，也有特别要求： 通用要求： 长期反向电压<70%～90%×VRRM（最大可重复反向电压） 最大峰值反向电压<90%×VRRM 正向平均电流<70%～90%×额定值 正向峰值电流<75%～85%×IFRM正向可重复峰值电流 对于工作结温，不同的二极管要求略有区别： 信号二极管< 85～150℃ 玻璃钝化二极管< 85～150℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（<1000V）<85～125℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（≥1000V）<85～115℃ 肖特基二极管< 85～115℃ 稳压二极管（<0.5W）<85～125℃ 稳压二极管（≥0.5W）<85～100℃ Tcase(外壳温度)≤0.8×Tjmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。 这里很多指标给的是个范围，因为不同的可靠性要求和成本之间有矛盾。所以给出一个相对比较注重可靠性的和一个比较注重成本的两个值供参考。下面同理。 三、功率MOS VGS<85%×VGSmax(最大栅极驱动电压) ID_peak<80%×ID_M(最大漏极脉冲电流)
电气元器件名称
AND与门XNOR 异或非门XOR 异或门NAND 与非门NOT 非门OR 或门NOR 或非门 ANTNNA天线 BA TTERY电池 BELL电铃 BNC高频线接插器 BUFFER缓冲器 BUZZER蜂鸣器 COAXPAIR带屏蔽的电缆进线器 FUSE1熔断器 FUSE2熔断丝 GND 地 LAMP 电灯 METE 表头 MICROPHONE 麦克风(话筒) NEON 氖灯 OPAMP 运算放大器 PHONEJACKl 耳机插座 PHONEJACK2 耳机插座 PHONEPLUGl 耳机插头 PHONEPLUG2 耳机插头 PHONEPLUG3 耳机插头 PLUG 电气插头 PLUGSOCKET 电气插头 RCA 高频线接插器 RELAY-SPST 单刀单掷开关继电器 RELAY-SPDT 单刀双掷开关继电器 RELAY-DPST 双刀单双掷开关继电器 RELAY-DPDT 双刀双掷开关继电器 SOCKET 电气插座 SPEAKER 扬声器 SW-SPS 单刀单掷开关 SW-SPDT 单刀双掷开关 SW-DPST 双刀单掷开关 SW-DPDT 双刀双掷开关 SW-PB 按键开关 SW-6WAY 六路旋钮转换开关 SW—12W AY 十二路旋钮转换开关 SW-DIP4 双列直插封装四路开关DIP8 SW-DIP8 双列直插封装八路开关DIPl6 VOLTREG 电压变换器 TO-220
GND 地 VCC 电压螈 VDD 电压塬 VSS 电压源 +5 +5电压源 -5 -5电压源 +12 +12电压源 -12 -12电压源 +15 +15电压源 -15 -15电压源 +18 +18电压源 -18 -18电压源 +24 +24电压源 -24 -24电压源 +30 +30电压源 -30 -30电压源 BRIDGEl 二极管整流电桥 BRIDGE2 内封装二极管整电桥 BRIDGE DIODE 极管 JFET-N N沟道结型场效应管JFET-P LED 发光二极管 OPT01SO1 光电隔离开关(发光二极管+光敏二极管型) OPTOIS02 光电隔离开关(发光二极管+光敏三极管型) OPTOTRIAC 光电隔离开关(发光二极管+三端可控制硅型) PHOTO 光敏二极管 TUNNEL 隧道二极管 ZENERI 齐纳二极管 ZENER2 齐纳二极管 ZENER3 齐纳二极管 MOSFET-N1 N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET-N2 双栅型N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET-N3 增强型N沟道金属氧化物半导体效应管MOSFET-N4 耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET-PI P沟道金属氧化物半导体场效应管 MOSFET-P2 双栅型P沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET-P3 增强型P沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET-P4 耗尽型P沟道金属氧化物半导体场效应管
图解：电子元器件知识大全
电子元器件知识大全：看图识元件 介绍:电压.电流.电阻器.电容器.电感器.二极管.三极管.电位器.稳压块.保险管.集成块IC 无论是硬件DIY爱好者还是维修技术人员，你能够说出主板、声卡等配件上那些小元件叫做什么，又有什么作用吗？如果想成为元件（芯片）级高手的话，掌握一些相关的电子知识是必不可少的。 譬如在检修某硬件时用万用表测量出某个电阻的阻值已为无穷大，虽然可断定这个电阻已损坏，但由于电脑各板卡及各种外设均没有电路图（只有极少数产品有局部电路图），故并不知电阻在未损坏时的具体阻值，所以就无法对损坏元件进行换新处理。可如果您能看懂电阻上的色环标识的话，您就可知道这个已损坏电阻的标称阻值，换新也就不成问题，故障自然也就会随之排除。 诸如上述之类的情况还有很多，比如元器件的正确选用等，笔者在此就不逐一列举了，下面笔者就来说一些非常实用的电子知识，希望大家都能向高手之路再迈上一步。注：下文内容最好结合图一和后续图片进行阅读。看图识元件 一、电压，电流 电压和电流是亲兄弟，电流是从电压（位）高的地方流向电压（位）低的地方，有电流产生就一定是因为有电压的存在，但有电压的存在却不一定会产生电流——如果只有电压而没有电流，就可证明电路中有断路现象（比如电路中设有开关）。另外有时测量电压正常但测量电流时就不一定正常了，比如有轻微短路现象或某个元件的阻值变大现象等，所以在检修中一定要将电压值和电流值结合起来进行分析。在用万用表测试未知的电压或电流时一定要把档位设成最高档，如测量不出值来再逐渐地调低档位。 注：电压的符号是“V”，电流的符号是“A”。二、电阻器 各种材料对它所通过的电流呈现有一定的阻力，这种阻力称为电阻，具有集总电阻这种物理性质的实体（元件）叫电阻器（简单地说就是有阻值的导体）。它的作用在电路中是非常重要的，在电脑各板卡及外设中的数量也是非常多的。它的分类也是多种多样的，如果按用处分类有：限流电阻、降压电阻、分压电阻、保护电阻、启动电阻、取样电阻、去耦电阻、信号衰减电阻等；如果按外形及制作材料分类有：金膜电阻、碳膜电阻、水泥电阻、无感电阻、热敏电阻、压敏电阻、拉线电阻、贴片电阻等；如果按功率分类有：1/16W、1/8W、1/4W、1/2W、1W……等等。
电子元件符号、作用、单位大全
电子元器件基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Q、K Q、MQ表示。一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、 N-无机实心、J-金属膜、丫-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识（2）――电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10A6uF=10A12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用 字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D- 铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、0-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、丫-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识（3）――电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利（H）、毫亨利（mH）、微亨利（uH），1H=10A3mH=10A6uH。 电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数1、电感量L电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2冗fL 3、
电气元器件符号大全.
文字符 仪表P 电流表 PA 电压表 PV 有功电度表 PJ 无功电度表 PJR 频率表 PF 相位表 PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF 有功功率表 PW 无功功率表 PR 无功电流表PAR 信号灯H 声信号 HA 光信号 HS 指示灯 HL 红色灯 HR 绿色灯 HG 黄色灯 HY 蓝色灯 HB 白色灯 HW 连接X 连接片 XB 插头 XP 插座 XS 端子板 XT 母线W 电线,电缆,母线 W 直流母线 WB 插接式(馈电)母线 WIB 电力分支线 WP 照明分支线 WL 应急照明分支线 WE 电力干线 WPM 照明干线 WLM 应急照明干线 WEM 滑触线 WT 合闸小母线 WCL 控制小母线 WC 信号小母线 WS 闪光小母线 WF 事故音响小母线 WFS 预告音响小母线 WPS 电压小母线 WV 事故照明小母线 WELM 熔断F 避雷器 F 熔断器 FU 快速熔断器 FTF 跌落式熔断器 FF 限压保护器件 FV 电容C 电容器 C 电力电容器 CE 接触开关S 正转按钮 SBF 反转按钮 SBR 停止按钮 SBS 紧急按钮 SBE 试验按钮 SBT 复位按钮 SR 限位开关 SQ 接近开关 SQP 手动控制开关 SH 时间控制开关 SK 液位控制开关 SL 湿度控制开关 SM 压力控制开关 SP 速度控制开关 SS 温度控制开关,辅助开关 ST 电压表切换开关 SV 电流表切换开关 SA 整流U 整流器 U 可控硅整流器 UR 控制电路有电源的整流器 VC 变频器 UF 变流器 UC 逆变器 UI 电机M 电动机 M 异步电动机 MA 同步电动机 MS 直流电动机 MD 绕线转子感应电动机MW鼠笼型电动机 MC 执行器Y 电动阀 YM 电磁阀 YV 防火阀 YF 排烟阀 YS 电磁锁 YL 跳闸线圈 YT 合闸线圈 YC 气动执行器 YPA,YA 电动执行器 YE 电阻R 电阻器,变阻器 R 电位器 RP 热敏电阻 RT 光敏电阻 RL 压敏电阻 RPS 接地电阻 RG 放电电阻 RD 启动变阻器 RS 频敏变阻器 RF 限流电阻器 RC 电感L 感应线圈,电抗器 L 励磁线圈 LF 消弧线圈 LA 滤波电容器 LL 电热E
常用电子元器件大全
第一章电子元器件 第一节、电阻器 1.1 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻. 1.2 电阻器的英文缩写：R（Resistor）及排阻RN 1.3 电阻器在电路符号：R 或WWW 1.4 电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）, 兆欧姆（MΩ） 1.5 电阻器的单位换算: 1兆欧=103千欧=106欧 1.6 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过 这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。 表 1.7 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。 1.8 电阻器在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻器。 1.9 电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。 a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百 分数表示,未标偏差值的即为±20%. b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右第一,二位数表示 有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表示(R表示0.)如：472 表示47×102Ω（即4.7K Ω）；104则表示100KΩ、;R22表示0.22Ω、 122=1200Ω=1.2KΩ、 1402=14000Ω=14KΩ、R22=0.22Ω、 50C=324*100=32.4KΩ、17R8=17.8Ω、000=0Ω、 0=0Ω. c、色环标注法使用最多，普通的色环电阻器用4环表示,精密电阻器用5环表示,紧靠电阻体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色较多的另一端头为末环.现举例如下：如果色环电阻器用四环表示,前面两位数字是有效数字,第三位是10的倍幂, 第四环是 色环电阻器的误差范围(见图一) 四色环电阻器（普通电阻) 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数(10的倍幂) 允许误差 颜色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差黑0 0 0 10 棕 1 1 1 10±1% 红 2 2 2 10±2% 橙 3 3 3 10 黄 4 4 4 10
电子元件符号大全资料
电子元器件符号 电气符号大全 电路图符号大全 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用?、K?、M?表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识（2）——电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识（3）——电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。 电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。 电子元器件基础知识（4）——半导体器件 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-
Proteus中常用元器件名称
Proteus中常用元器件名称 一，电阻Resistors和单片机Microprocessor Ics AT89C51 排阻R*8 上拉电阻RESPACK8 可变电阻POT 二, 开关和继电器Switchs&Relays BUTTON 按钮开关Switch 开关TSC-112D3H 继电器DIPSW_8 拨动开关SW-SPST 单刀单掷开关SW-SPDT 单刀双掷开关 W107DIP-4 固态继电器SW-ROT-6 单刀6掷开关 三,简单模拟器库Simulator primitives ALTERNATOR 交流电源BATTERY 直流电源VSOURCE 直流电源 四,光电器件Optoelectronics LAMP 灯泡LED-BIBY高亮度黄灯LED LED-GREEN绿色发光二极管LED-BIRG高亮度绿灯LED LED-RED红色发光二极管 LED-BIRG高亮度蓝灯LED LED-YELLOW黄色发光二极管 LED-BARGRAPH-RED光柱 TSEG-COM-ANODE 共阳极红色数码管 TSEG-COM-AN-GRN 共阳极绿色数码管 TSEG-COM-AN-BLUE 共阳极蓝色数码管 TSEG-COMCAT-BLUE 共阴极蓝色数码管 TSEG-COM-CAT-GRN 共阴极绿色数码管 TSEG-COM-CAT-HODE 共阴极红色数码管
TSEG-MPX2-CA 红色共阳极2数码管组 TSEG-MPX2-CC 红色共阴极2数码管组 LM016L液晶显示器 五,电动机库Electromechanical MOTOR-DC直流电动机MOTOR SERVO伺服电机 MOTOR-PWMSERVO MOTOR交直流电动机MOTOR-STEPER单级性步进电机 六,混合类库 CRYSTAL晶体振荡器BATTERY电池组COMPIM9针串行口插座AERIAL天线CELL干电池FUSE保险丝 七,二极管和整流桥DIODE DIODE二极管BRIDEG整流桥DIODE-ZEN稳压二极管 DIODE SCHOTTKY稳压二极管 八,电容器Ca ELECTRO电解电容CAPVAR可调电容 九,三极管Transistors Bipolar双极性三极管Generic通用三极管MOSFET场效应管IGBT 电力三极管十,扬声器SpeakersSounders BUZZER蜂鸣器SOUNDER发声器SPEAKER扬声器
电子元器件大全
电子元器件大全 内容来源网络，由“深圳机械展（11万㎡，1100多家展商，超10万观众）”收集整理！ 更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、数控系统、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示，就在深圳机械展. 电子元器件基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识（2）——电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉 （pF）,1F=10^6uF=10^12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，
集成电路电子元器件型号及功能查询
集成电路|电子元器件型号及功能查询(常用部份二) 1710 视频信号处理集成电路 0206A 天线开关集成电路 03VFG9 发射压控振荡集成电路 1021AC 发射压控振荡集成电路 1097C 升压集成电路 140N 电源取样比较放大集成电路 14DN363 伺服控制集成电路 15105 充电控制集成电路 15551 管理卡升压集成电路 1N706 混响延时集成电路 20810-F6096 存储集成电路 2252B 微处理集成电路 2274 延迟集成电路 24C01ACEA 存储集成电路 24C026 存储集成电路 24C04 存储集成电路 24C64 码片集成电路 24LC16B 存储集成电路 24LC65 电可改写编程只读存储集成电路 27C1000PC-12 存储集成电路 27C2000QC-90 存储集成电路 27C20T 存储集成电路 27C512 电可改写编程只读存储集成电路 2800 红外遥控信号接收集成电路 28BV64 码片集成电路 28F004 版本集成电路 31085 射频电源集成电路
32D54 电源、音频信号处理集成电路 32D75 电源、音频信号处理集成电路 32D92 电源中频放大集成电路 4066B 电子开关切换集成电路 4094 移位寄存串入、并出集成电路424260SDJ 存储集成电路 4260 动态随机存储集成电路 4270351/91B9905 中频放大集成电路4370341/90M9919 中频处理集成电路4464 存储集成电路 4558 双运算放大集成电路 4580D 双运算放大集成电路 47C1638AN-U337 微处理集成电路 47C1638AU-353 微处理集成电路 47C432GP 微处理集成电路 47C433AN-3888 微处理集成电路 49/4CR1A 中频放大集成电路 5101 天线开关集成电路 5G052 发光二极管四位显示驱动集成电路5G24 运算放大集成电路 5W01 双运算放大集成电路 649/CRIA70612 中频放大集成电路 673/3CR2A 多模转换集成电路 74122 可重触发单稳态集成电路 74HC04 逻辑与非门集成电路 74HC04D 六反相集成电路 74HC123 单稳态集成电路 74HC125 端口功能扩展集成电路 74HC14N 六反相集成电路
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单片机 单片机套件 单片机实验板 单片机MCU 单片机仿真器? 单片机编程器 其它单片机 二极管 限幅二极管? 稳压二极管 微波二极管 开关二极管 检波二极管 混频二极管? 红外发射二极管 恒流二极管 硅粒子、硅堆、高压二极 管 光电二极管 功率二极管? 高频二极管 PIN二极管? 变容二极管 触发二极管 磁敏二极管 调制二极管 发光二极管 放大二极管? 肖特基二极管 旋转二极管? 雪崩二极管 整流二极管? 整流桥 阻尼二极管 特快恢复二极管 频率倍增二极管 高压硅 光敏二极管 齐纳二极管 热敏二极管 色敏二极管 双基极二极管 瞬态抑制二极管 SMD二极管 二极管模组? 其他二极管 二极管模块 整流桥模块 快速反应二极管模块 三极管(晶体管) 场效应三极管 达林顿三极管? 阻尼三极管? 低噪声放大三极管 高反压三极管 快恢复三极管 功率三极管 其他三极管 晶闸管模块 场效应管(模块) GTR达林顿模块 IGBT 结型场效应管 绝缘栅(MOS)场效应管 其他场效应管 电阻器 压敏电阻 贴片、片式电阻 碳膜电阻 水泥电阻 湿敏电阻 色环电阻 刹车、制动电阻 熔断、保险丝电阻 薄膜金属氧化膜电阻 绕线电阻器 气敏电阻 铝壳电阻 排电阻、网络电阻 可变电阻 精密电阻 金属膜、金属氧化膜电阻 光敏电阻 功率电阻器 高压电阻 分流电阻 珐琅电阻 电阻(负载)箱 玻璃釉膜电阻 其他电阻 电阻排 薄膜电阻器 厚膜芯片网络电阻 厚膜芯片电阻 普通线绕电阻 金属氧化膜固定电阻器 金属膜电阻器 热敏电阻 金属覆膜熔断电阻器 薄膜芯片网络电阻器 电容器 电解电容 校正电容 无感电容 陶瓷电容 钽电容 贴片电容 马达、启动电容 铝电解电容 可调电容 聚丙烯电容 法拉电容 多层陶瓷电容 独石电容 涤纶电容 瓷片电容 玻璃釉电容 穿芯电容 薄膜电容器? 玻璃电容 安规电容 机薄膜电容 云母电容 真空电容 纸介电容 其他电容 铁壳油浸电容 高频电容 异电性高分子固定电容器 滤波电容器 谐振电容器 开关 DIP、拨码开关 钮、按键开关
proteus元件名称对照表
元件名称中英文名说明 7407 驱动门 1N914 二极管 74Ls00 与非门 74LS04 非门 74LS08 与门 74LS390 TTL 双十进制计数器 7SEG 4针BCD-LED输出从0-9对应于4根线的BCD码 7SEG 3-8译码器电路BCD-7SEG专换电路 ALTERNATO交流发电机 AMMETER-MILLI mA安培计 AND 与门 BATTER丫电池/电池组 BUS 总线 CAP 电容 *** CAPACITOR电容器 CLOCK寸钟信号源 ***CRYSTAL 晶振 D-FLIPFLOP D 触发器 FUSE 保险丝 GROUNDS LAMP 灯 LED-RED 红色发光二极管 LM016L2行16列液晶可显示2行16列英文字符，有8位数据总线D0-D7, RS R/W EN三个控制端口（共14线），工作电压为5V。没背光，和常用的1602B功能和引脚一样（除了调背光的二个线脚） LOGIC ANALYSER逻辑分析器 LOGICPROB逻辑探针 LOGICPROBE[BIG] 逻辑探针用来显示连接位置的逻辑状态 LOGICSTATE逻辑状态用鼠标点击，可改变该方框连接位置的逻辑状态 LOGICTOGGL逻辑触发 MASTERSWITC按钮手动闭合，立即自动打开 *** MOTORS OR 或门 POT-LIN 三引线可变电阻器 POWER!源 *** RES 电阻
RESISTOR电阻器 SWITCH按钮手动按一下一个状态 SW-SPDT-mon二选通一按钮 *** 触发开关BUTTON VOLTMETERS 特计 VOLTMETER-MILLI m\伏特计 VTERM串行口终端 *** Electromechanical 电机 Inductors 变压器 Laplace Primitives 拉普拉斯变换 Memory Ics Microprocessor Ics Miscellaneous 各种器件AERIAL-天线；ATAHDDATMEGA6;4BATTERYCELI L CRYSTAL- 晶振；FUSE METER仪表； Modelling Primitives 各种仿真器件是典型的基本元器模拟，不表示具体型号，只用于仿真，没有PCB Optoelectronics 各种发光器件发光二极管，LED,液晶等等 PLDs & FPGAs Resistors 各种电阻 Simulator Primitives 常用的器件 Speakers & Sounders Switches & Relays 开关，继电器，键盘 BUTTON 触发开关 Switching Devices 晶阊管 Transistors 晶体管（三极管，场效应管） TTL 74 series TTL 74ALS series TTL 74AS series TTL 74F series TTL 74HC series TTL 74HCT series TTL 74LS series TTL 74S series Analog Ics 模拟电路集成芯片 Capacitors 电容集合 CMOS 4000 series Connectors 排座，排插 Data Converters ADC,DAC Debugging Tools 调试工具*** 7SEG 数码管
超详细的电子元器件选型指南(电阻器)
超详细的电子元器件选型指南（电阻器） 电阻器，简称电阻（Resistor,通常用“R”表示）是电路元件中应用最广的一种，在电子设备中约占元件总数的30%以上，其性能好坏对电路工作的稳定性有极大影响。它的主要用途是稳定和调节电路中的电流和电压，其次还可作为消耗电能的负载、分流器、分压器、稳压电源中的取样电阻、晶体管电路中的偏置电阻等。 一、基础知识 1.电阻的分类 电阻器的种类有很多，通常分为三大类：固定电阻、可变电阻、特殊电阻。固定电阻按照制作材料和工艺的不同，主要分为以下四大类： 2.电阻的型号命名方法 电阻器、电位器的命名由四部分组成：主称、材料、特征和序号。
3.主要性能指标 （1）标称阻值 产品上标示的阻值，单位为欧，千欧，兆欧，标称阻值都应符合下表所列数值乘 以10n倍（n为整数）。
（2）允许误差 电阻和电位器实际阻值对于标称阻值的最大允许偏差范围，它表示产品的精度。允许误差的等级如下表所示。 （3）额定功率 在规定的环境温度和湿度下，假定周围的空气不流通，在长期连续负载而不损坏或基本不改变性能的情况下，电阻器上允许消耗的最大功率，一般选用其额定功率比它在电路中消耗的功率高1-2倍。额定功率分19个等级，常用的有0.05W、0.125W、0.25W、0.5W、1W、2W、3W、5W、7W、10W。 （4）最高工作电压 电阻在长期工作不发生过热或电击穿损坏时的电压。如果电压超过规定值，电阻器内部产生火花，引起噪声，甚至损坏。 （5）稳定性 稳定性是衡量电阻器在外界条件（温度、湿度、电压、时间、负荷性质等）作用下电阻变化的程度。
温度系数a，表示温度每变化1度时，电阻器阻值的相对变化量; 电压系数av，表示电压每变化1伏时，电阻器阻值的相对变化量。 二、电阻器选型与运用 在电子电路设计的时候，应根据电子设备的技术指标、电路的具体要求和电阻的特性参数“因地制宜”地来选用电阻的型号和误差等级；额定功率应大于实际消耗功率的1.5-2倍；电阻装接前要测量核对，尤其是要求较高时，还要人工老化处理，提高稳定性。下面是有关电阻的选型基本原则。 1.电阻器的归一化选型 归一化选型原则只是针对电阻选型的一个“轮廓”，根据以往工程师的选型经验总结出来的，具有大众化的选型意义，在要求严格的电路设计中，还需要根据具体电路设计中的电器要求对电阻选型进行进一步的考量。 （1）金属膜电阻器：1W以下功率优选金属膜电阻；1W及1W以上功率优选金属氧化膜电阻； （2）熔断电阻器：不推荐使用。反应速度慢，不可恢复。建议使用反应快速、可恢复的器件，以达到保护的效果，并减少维修成本。 （3）绕线电阻器：大功率电阻器。 （4）集成电阻器：贴片化。插装项目只保留并联式，插装的独立式项目将逐步淘汰，用同一分类的片状集成电阻器替代。 （5）片状厚膜电阻器：在逐步向小型化、大功率方向发展，优选库会随着适应发展方向的变化而动态调整。这类电阻器是小功率电阻的优选对象。 （6）片状薄膜电阻器：建议使用较高精度类别。
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