第一章 电子技术基础

四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案

教学过程

[引入新课]

[新课教案]

一、什么是半导体？

物质的导电能力介于导体和半导体之间。常见的半导体材料如硅、锗等。

二、半导体的基本特性

半导体的导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化。

1、掺杂性：在纯净的半导体中掺入及其微量的杂质元素，则它的导电能力将大大增强。

2、热敏性：温度升高，将使半导体的导电能力大大增强。

3、光敏性：对半导体施加光线照射时，光照越强，导电能力越强。

三、半导体的分类

分为本征半导体和杂质半导体。

1、本征半导体：不含其他杂质的纯净半导体。

【载流子：本征半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，但由于其载流子数量太少，且受温度影响太明显，因此本征半导体不能直接用来制造晶体二极管。】

2、杂质半导体

N型半导体：在本征半导体中掺入少量五价元素磷或砷，称为N型半导体。其多数载流子为电子，少数载流子为空穴，主要靠

自由电子导电。

P型半导体：在本征半导体中参入少量三家

元素铟或硼，称为P型半导体。其多数载流子

为空穴，少数载流子为电子，主要靠空穴导电。

[课后练习]

1、半导体与金属相比较有什么特点？

答：（1）半导体的导电能力较弱

（2）金属靠自由电子导电，半导体靠自由电子和空穴导电。

2、半导体具有哪些特性？答：三个特性

3、什么是P型半导体？什么是N型半导体？

答：主要靠空穴导电的是P型半导体，主要靠自由电子导电的是N型半导体。

4、N型半导体本身是带负电的还是中性的？为什么？

四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案

内容

教学

程序

引入——新课——小结

学情

分析

在元器件课程中学生了解一些基本知识。教学

方法

讲授

教学

重点

二极管的特性及特性曲线

教学

手段

多媒体教学视频

教学

难点

二极管的特性曲线及测量方法

板

书

设

计

晶体二极管

一、二极管的构成和符号二、二极管的导电特性三、例题

（一）构成（一）实验一四、二极管的检测

（二）符号（二）实验二

（三）分类

教

学

过

[引入新课]

以前在元器件当中我们学习过二极管的符号、作用、分类和实训测量方法，以前学的是外表上面的，本书所讲的是从外到内的。

[新课教案]

一、二极管的结构和符号

（一）结构

在本征半导体上利用特殊工艺分别渗入硼元素和磷元素加工出一半是P型半导体、一半是N型半导体，在P型和N型半导体的结合部位形成一个特殊的结构，即PN结，

PN结是构成各种半导体器件的基础。

在P区和N区两侧各接上电极引线，并将其封装在密封的壳体中，即构成半导体二极管，如图。接在P区的引线称为阳极（正极）用a表示，接在N区的引线称为阴

极或负极，用k表示。

二极管的核心即是一个PN结。

（二）符号

程电子技术中的所有元件在电路图中都是用符号来表示的，二极管的符号

图中三角箭头代表二极管正向导电时电流的方向通常用V或D来表示（以后都统一用V来表示）。

二、二极管的导电特性

1、单相导电性:二极管加正向偏压时导通，加反向偏压时截止。

正向偏置：二极管正极加正电压，负极加负电压。二极管导通

反向偏置：二极管负极加正电压，正极加负电压。二极管截止

【实验探究】二极管的导电特性（一）认识元件

认识实验中使用的元件：电池、电阻、开关、二极管、指示灯。

（二）实验一

实验电路如下图：讲解电路构成。

结论：指示灯亮，说明二极管导通，称为导通状态。

二极管导通时，其阳极电位高于阴极电位，此时的外加电压称为正向电压，二极管处于正向偏置状态，简称“正偏”。

（三）实验二

结论：灯泡不亮，说明二极管不导通，称为截止状态

二极管截止时，其阳极电位低于阴极电位，此时的外加电压称为反向电压，二极管处于反向偏置状态，简称“反偏”。

【补充知识】分析下图所示电路中开关S闭合后，H1和H2两个指示灯哪一个能发光.

解：由图可知，开关S闭合后，只有V1二极管处于正向偏置状态，所以H1指示灯发光，V2反偏，H2不发光。

如下图a、图b所示电路中，那些灯泡可能发光，为什么？

解：（图a）V1导通，H1 H2亮V2截止，H 3不亮

（图b）二极管V1截止，指示灯不亮

2、二极管的特性曲线

伏安特性：二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定，这两者之间的关系称为二极管的伏安特性。硅二极管的伏安特性曲线如图所示。

（1）正向特性（二极管正极电压大于负极电压）

①死区：当正向电压较小时，正向电流极小，二极管呈现很大的电阻，如图中OA 段，通常把这个范围称为死区。

死区电压：硅二极管0.5 V左右，锗二极管0.2 V。

②正向导通区：当外加电压大于死区电压后，电流随电压增大而急剧增大，二极管导通。

导通电压：硅二极管0.6~0.7 V，锗二极管0.2~0.3 V。

（2）反向特性（二极管负极电压大于正极电压）

①反向饱和电流：当加反向电压时，二极管反向电流很小，而且在很大范围内不随反向电压的变化而变化，故称为反向饱和电流。

②反向击穿：若反向电压不断增大到一定数值时，反向电流就会突然增大，这种现象称为反向击穿。普通二极管不允许出现此种状态。

备注：二极管的伏安特性不是直线，说明二极管属于非线性器件。锗二极管的特性曲线与硅二极管相似，有一定差异。

三、二极管的选用及主要参数

1、分类

（1）、二极管根据所用半导体材料不同分为锗管和硅管。

（2）、根据内部结构不同可分为点接触型和面接触型。点接触型主要用于高频小电流场合如：检波、混频、小电流整流。面接触

型主要用于低频大电流场合如：大电流整流。

（3）按用途分：

2、主要参数

（1）最大整流电流IFM：二极管长时间工作

时允许通过的最大直流电流。

（2）最高反向工作电压VRM：二极管正常使用时允许加的最高反向电压。

（3）反向漏电流I S：规定的反向电压和环境温度下，二极管反向电流值。

（4）最高工作频率fM

四、二极管的简易测量

1、判别正负极性

万用表测试条件：R ? 100 Ω 或R ? 1 kΩ；将红、黑表笔分别接二极管两端。所测电阻小时，黑表笔接触处为正极，红表笔接触处为负极。

2、判别好坏

万用表测试条件：R ? 1 kΩ。

(1) 若正反向电阻均为零，二极管短路；

(2) 若正反向电阻非常大，二极管开路。

(3) 若正向电阻约几千欧姆，反向电阻非常大，二极管正常。

小结

作业题

思考题

复习课本P14 第1、4、5题

教学

质量反馈

好

课后反思实验探究和补充知识有助于学生理解，和增强其动手能力和思维能力，但实验器材不全和补充知识有一定的难度，应根据学生的实际灵活处理。

四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案

教

学

过

程

实现将电源供给的交流电变换成直流电，并在当电网电压波动或负载改变时，能保持输出直流电压基本不变。（如手机充电器可以给不同型号的手机充电，但不提倡）

2、组成框图

3、各部分作用

(1)电源变压器：将交流电变换为整流所需的交流电压值。（通过电源变压器的降

压作用）。

(2)整流电路：将大小和方向都变化的交流电变为单一方向的脉动直流电。（利用

整流二极管的单向导电性）

(3)滤波电路：将脉动直流电中的交流成分滤掉，转变为平滑的直流电。（利用电

容和电感的充放电特性）

(4)稳压电路：使直流电源的输出电压稳定，消除由于电网电压波动、负载变化对

输出出电压的影响。（利用稳压二极管的反向击穿特性）

二、单相半波整流电路

1、电路结构

T：电源变压器，把v1变成整流电路所需的电压v2。

V：整流二极管，把交流电变成脉动直流电；

2、工作原理

设v2为正弦波，波形如图所示。

(1)v2正半周时，A点电位高于B点电位，二极管V正偏导通，则v L ≈ v2；

(2)v2负半周时，A点电位低于B点电位，二极管V反偏截止，则v L ≈ 0。

由波形可见，v2一周期内，负载只有单方向的半个波形，这种大小波动、方向不变的电压或电流称为脉动直流电。上述过程说明，利用二极管单向导电性可把交流电v2变成脉动直流电v L。由于电路仅利用v2的半个波形，故称为半波整流电路。

3、负载和整流二极管上的电压和电流

(1) 负载电压

V L = 0.45V 2

(2) 负载电流 45.0L

2

L L L R V R V I ==

(3) 二极管正向电流 L

2

L V 45.0R V I I =

= (4) 二极管反向峰值电压

22RM 41.12V V V ≈=

选管条件：

(1) 二极管的额定电压（允许的最大反向电压）应大于承受的反向峰值电压；

22RM 41.12V V V ≈≥

(2) 二极管的额定电流（允许的最大整流电流）应大于流过二极管的实际工作电流。

L

2

L VM 45.0R V I I =

≥ 4、电路优点、缺点

电路优点：电路简单、成本低

电路缺点：电源利用率低，输出电压脉动大。 解决办法：全波整流。

三、单相全波整流电路

?

??桥式变压器中心抽头式

全波整流

（一）、变压器中心抽头式单相全波整流电路

1．电路图

变压器中心抽头式单相全波整流电路如图所示。V 1、V 2为性能相同的整流二极管；T 为电源变压器，作用是产生大小相等而相位相反的v 2a 和v 2b 。

2．工作原理

(1) v 1正半周时，T 次级A 点电位高于B 点电位，在v 2a 作用下，V 1导通(V 2截止)，i V1自上而下流过R L ；

(2) v 1负半周时，T 次级A 点电位低于B 点电位，在v 2b 的作用下，V 2导通(V 1截止)，i V2自上而下流过R L ；

可见，在v 1一周期内，流过二极管的电流i V1、i V2叠加形成全波脉动直流电流i L ，于

是R L 两端产生全波脉动直流电压v L 。故电路称为全波整流电路。

3．负载和整流二极管上的电压和电流 (1) 负载电压

2L 9.0V V =

(2) 负载电流 L

2

L L L 9.0R V R V I =

=

(3) 二极管的平均电流 L V 2

1I I =

(4) 二极管承受反向峰值电压 2RM 22V V =

优点：整流效率高，输出电压波动小

缺点：单管承受的反向峰值压比半波整流高一倍，变压器T 需中心抽头。 （二）、单相桥式全波整流电路 1、电路结构

单相桥式全波整流电路如图所示。V 1 ~ V 4为整流二极管，电路为桥式结构。 2、工作原理

(1) v 2正半周时，A 点电位高于B 点电位，V 1、V 3导通，电流经A-V1-RL-V3-B; i 1自上而下流过负载R L ；

(2) v 2负半周时， A 点电位低于B 点电位，V 2、V 4导通，电流经B-V2-RL-V4-A ，i 2自上而下流过负载R L ；

由波形图可见，v 2一周期内，两组整流二极管轮流导通产生的单方向电流i 1和i 2叠加形成了i L 。于是负载得到全波脉动直流电压v L 。

3、负载和整流二极管上的电压和电流

(1) 负载电压

2L 9.0V V =

(2) 负载电流

L

2

L L L 9.0R V R V I =

= (3) 二极管的平均电流

L V 2

1

I I = (4)二极管承受反向峰值电压为

2RM 2V V =

缺点：电路复杂。优点：输出电压高，纹波小，V RM 较低，应用广泛。桥式整流电路简化画法如图所示。

[例1.2.1] 有一直流负载，需要直流电压V L = 60 V ，直流电流I L = 4 A 。若采用桥式整流电路，求电源变压器次级电压V 2，并选择整流二极管。

解 因为2L 9.0V V = 所以V 7.669

.0V 609.0L 2≈==V V 流过二极管的平均电流

A 2A 421

21L V =?==

I I 二极管承受的反向峰值电压

V 947.6641.122RM ≈?==V V

四、整流桥堆、硅堆

（一）整流桥堆

1、 结构：整流桥堆产品是由四只整流硅芯片作桥式连接，外用绝缘朔料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热。 分为半桥和全桥。

2、特点：桥式整流器品种多，性能优良（内部的四只整流硅芯片一般是挑选配对

的，所以其性能较接近），整流效率高，稳定性好，最大整流电流从0.5A 到50A ，最高反向峰值电压从50V 到1000V 。

3、封装（外形）：有扁形、圆形、方形、板凳形（分直插与贴片）等。 （二）整流硅堆

单独一个硅二极管耐压有限，许多个串接起来做在一个器件中，作为高压整流元件，就叫高压硅堆，在高压电路中相当于一个单独的二极管。

1、特点： 1.采用最新工艺水平制作的管芯结构 2.低漏流、低功率、可靠性高 3.优异的抗瞬间大电流冲击性能 4.反向雪崩击穿特性 5.工作结温-40°C ～+175°C 6.多种外形尺寸选择或定制 7.在电路中起高压整流、隔离、保护等作用

2、产品型号参数： 2CL/2DL(低频系列) （20mA-100mA 30KV-500KV ）

2CLG/2DLG(高频系列) （5mA-1A 30KV-200KV ）

3、检测：高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R ×10k 档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200k Ω，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。

小结：

1．单相半波整流电路负载所获得的电压、电流是正弦半波，其电压平均值为

2O 450V .V =；整流二极管的极限参数选择：应使VM I ≥O I ，RM V ≥22V 。

2．单相全波整流电路采用全波整流，使输出电压平均值提高一倍，即2O 90V .V =。全波整流电路的主要缺点是管子的耐压值需要提高一倍，电源变压器需要有中心抽头，因此元器件费用增加。

3．单相桥式整流电路为全波整流电路，在电源正、负半周时，两组电路轮流工作，所

以二极管的电流平均值仅为负载电流的一半。

[实验链接]

桥式整流电路的连接：

两两先串联，阴阳接电源，共阴出正极，共阳出负端。

[典型例题] P19

1、如图所示桥式整流电路，若出现以下问题，分析对电路正常工作的不良影响。

（1）二极管V1极性被反接：正半周不通，负半周电源经V2 、V1短路，烧毁V2、V1，甚至变压

器。

（2）二极管V2开路或脱焊：半波整流，电压的波动增加，输出电压下降为0.45V2。

（3）二极管V3被击穿短路：在正半周正常，负半周时，电源经过V2，V1短路，会烧毁V2、V1，，

或者变压器。

（4）RL短路，就是电源经过二极管后直接短路，IL很大，会把二极管烧毁或者变压器烧毁。

（5）全部接反，对电路无影响，波形全部变成了负半周。（但如果接入了有极性的滤波电容，则电

容极性反接会烧毁C。）

小结

作业题

思考题

课本P19第3题、第4题

教学

质量反馈

好

四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案

教学过程

交流电压经整流后转换为脉动的直流电压，但不宜为要求较高的电子设备供电，要获得平滑的直流电，需要整流电路的负载之间接入能把脉动直流电中交流成分滤掉的电路，这种将脉动直流电转换为平滑直流电的电路称为滤波电路。构成滤波电路的主要元件有电感线圈和电容器。

[新课教案]

一、电容滤波电路

1、电路结构：滤波电容C与负载电阻R L并联。

2、工作原理：（利用电容的充、放电）

u2＞u C时：二极管正向导通，向电容C充电，

2

2u

u

u

C

L

=

=。

u2＜u C时：二极管反向截止，C通过RL放电。由于RL的阻值远远大于二极管的正向内阻，所以放电缓慢，电压波形平滑。

3、电容滤波电路的特点：

（1）输出电压的波形变得平滑

（2）输出电压的平均值将提高

（3）R L

、C 愈大，C放电越缓慢，输出电压越大，滤波效果越好。

（4）在采用大容量的滤波电容时，流过二极管瞬时电流很大，容易损坏二极管。（整流管导电时间越短→i D的峰值电流越大。）

（5）输出电压受负载变化影响大，只用于负载较轻或变化不大的场合。

4、计算公式

(1)负载电压:

2

L

2.1V

V=

(2)负载电流:

L

2

L

L

L

2.1

R

V

R

V

I=

=

(3)二极管的电流（2只轮流导通半个周期）:

L

V2

1

I

I=

(4)二极管承受反向峰值电压为（峰值）:

2

RM

2V

V=

+

+

+

+

4

1

2

3

2

1

R

220V

+

L

u

-

u

L

2

u

D

4

D

3

D

D

1

C

（5）滤波电容容量：

L

)5

~

3(

R

T

C≥(拉法、秒、欧姆)

（6）滤波电容耐压：

2

2V

V

C

≥

二、电感滤波电路

1、电路结构：滤波电感L与负载电阻R L串联。

（1）滤波原理:

对直流分量( f=0):X L=0 相当于短路,电压大部分降在

R L上。对谐波分量: f 越高,X L越大,电压大部分降在

X L上。因此,在输出端得到比较平滑的直流电压。

U0=0.9U2

当忽略电感线圈的直流电阻时，输出平均电压约为：

u2

u1

R L

L

u0

有电感滤波的整流电路

2、电感滤波的特点:

整流管导电角较大,峰值电流很小,输出特性比较平坦,适用于低电压大电流(负载经常变化)的场合。缺点是电感铁芯笨重,体积大,成本高，易引起电磁干扰。

其它滤波电路：为进一步改善滤波特性，可将上述滤波电路组合起来使用。

三、复式滤波电路

主要有L型、LCπ型（效果好、体积大、成本高）、RCπ型(成本低、体积小、效果较好)三种。

把电感与电容结合使用，它们对不同频率有不同的电抗特性，能使负载上电压（或电流）的直流分量尽可能大，交流分量尽可能小，以减小输出电压纹波。

小结

作业题

思考题

课本P24第1题、第3题

教学

质量反馈

好

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模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

模拟电子技术基础第二章练习题

注意：答案仅供参考！ 一、填空题 1. 半导体三极管属于电流控制器件，而场效应管属于 电压控制器件。 2. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。 3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大； 若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小。 4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态lc 偏小;产生饱和失真 的原因是lc 偏大；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。 5. 静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。 6. 静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。 7. 对于下图所示电路，设 V cc =12V ，R b =510k Q, R=8 k Q ，V B E =0.7V ，V C E （sat ）=0.3V, 当B =50,静态电流I BG 22卩A ，I CQ F 1.1mA ，管压降V C E = 3.2V ;若换 上一个当B =80,静态电流 I BCF 22卩A ， lcd=2mA V C E =4V,则电路中的 R= 282.5 k Q T —v cc 汁A 叫 l cc= 1.46mA ，管压降 V C EC F V cc =12V ，三级管B =50，V B E =0.7V ，若要求静态电流 ，R= 4 k Q o 8.对于下图所示电路，设 饱和状态。

9. 对于下图所示电路，已知V C C=12V,嘉=27 k Q, R=2 k Q ,R e=1 k Q ,V BE=0.7V,现要求静态电流l cd=3mA贝U F b2= 12 k Q 。 10. 已知图示的放大电路中的三级管B =40, V BE=0.7V,稳压管的稳定电压V Z=6V, 则静态电流I B Q= 0.275mA ，I c(= 11mA ，管压降V C E= 3V 。 11. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数 大_，穿透电流I CEO增加：当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。 12. 若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波 形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真,失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的l CBO、V BE和B 三个参数的变化,引起工作点上移；输出波形幅度增大，则是因为B 参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。

第一章 电子技术基础

四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案

教学过程 [引入新课] [新课教案] 一、什么是半导体？ 物质的导电能力介于导体和半导体之间。常见的半导体材料如硅、锗等。 二、半导体的基本特性 半导体的导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化。 1、掺杂性：在纯净的半导体中掺入及其微量的杂质元素，则它的导电能力将大大增强。 2、热敏性：温度升高，将使半导体的导电能力大大增强。 3、光敏性：对半导体施加光线照射时，光照越强，导电能力越强。 三、半导体的分类 分为本征半导体和杂质半导体。 1、本征半导体：不含其他杂质的纯净半导体。 【载流子：本征半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，但由于其载流子数量太少，且受温度影响太明显，因此本征半导体不能直接用来制造晶体二极管。】 2、杂质半导体 N型半导体：在本征半导体中掺入少量五价元素磷或砷，称为N型半导体。其多数载流子为电子，少数载流子为空穴，主要靠 自由电子导电。 P型半导体：在本征半导体中参入少量三家 元素铟或硼，称为P型半导体。其多数载流子 为空穴，少数载流子为电子，主要靠空穴导电。 [课后练习] 1、半导体与金属相比较有什么特点？ 答：（1）半导体的导电能力较弱 （2）金属靠自由电子导电，半导体靠自由电子和空穴导电。 2、半导体具有哪些特性？答：三个特性 3、什么是P型半导体？什么是N型半导体？ 答：主要靠空穴导电的是P型半导体，主要靠自由电子导电的是N型半导体。 4、N型半导体本身是带负电的还是中性的？为什么？

四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案

内容 教学 程序 引入——新课——小结 学情 分析 在元器件课程中学生了解一些基本知识。教学 方法 讲授 教学 重点 二极管的特性及特性曲线 教学 手段 多媒体教学视频 教学 难点 二极管的特性曲线及测量方法 板 书 设 计 晶体二极管 一、二极管的构成和符号二、二极管的导电特性三、例题 （一）构成（一）实验一四、二极管的检测 （二）符号（二）实验二 （三）分类 教 学 过 [引入新课] 以前在元器件当中我们学习过二极管的符号、作用、分类和实训测量方法，以前学的是外表上面的，本书所讲的是从外到内的。 [新课教案] 一、二极管的结构和符号 （一）结构 在本征半导体上利用特殊工艺分别渗入硼元素和磷元素加工出一半是P型半导体、一半是N型半导体，在P型和N型半导体的结合部位形成一个特殊的结构，即PN结， PN结是构成各种半导体器件的基础。 在P区和N区两侧各接上电极引线，并将其封装在密封的壳体中，即构成半导体二极管，如图。接在P区的引线称为阳极（正极）用a表示，接在N区的引线称为阴 极或负极，用k表示。 二极管的核心即是一个PN结。 （二）符号

电子技术基础试题及答案

电子技术基础试卷 一、填空题（20分） 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈，只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络，即________。 10、负反馈放大电路有四种类型：___________、 ___________、___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、放大电路可分为四种类型：_______、_______、_______和_______。 二、判断题（1—5题每题2分，6—15题每题1分，共20分） 1、图示中 R引人电压并联负反 2

图题1 2、图示中 R电流串联正反馈 e1 图题2 3、图示电路不能振荡

图题3 4、图示电路不能振荡 图题4 5、图示电路中T 1为共基极组态，T 2 为共集电极组态 图题5 6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加

电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT有NPN和PNP两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小，说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较，从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题（1题12分，2题13分，3题15分，共40分） 1、设计一反相加法器，使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4），允许使用的最大电阻为280kΩ，求各支路电阻。 2、某反馈放大电路的方框图如图所示，试推导其闭环增益x o/x i的表达式。

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。

（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

阎石《数字电子技术基础》(第5版)(名校考研真题 数-模和模-数转换)【圣才出品】

第11章　数-模和模-数转换一、选择题 1．一个12位的逐次逼近式A/D 转换器，参考电压为4.096V ，其量化单位为（ ）。[北京科技大学2010年研] A ．1mV B ．2mV C ．4mV D ．8mV 【答案】A 【解析】量化单位等于。n 124096==1mV 22 REF V .2．一个8位T 形电阻网络数模转换器，已知R f ＝3R ．U R ＝-10V ，当输入数字量d 7～d 0＝10100000时，输出电压为（ ）V 。[北京科技大学2010年研] A ．7.25 B ．7.50 C ．6.25 D ．6.75 【答案】C 【解析】76107507610n 810d 2+d 2++d 2+d 2=2+2=22 REF V V ()=-???（（6.253．（多选）比较并行式A/D 、逐次逼近式A/D 和双积分式A/D 这三种A/D 转换器的

性能，下列说法正确的是（）。[北京理工大学2008研] A．双积分式A/D的速度最慢，精度最低。 B．并行式A/D的速度最快，精度最低。 C．逐次逼近式A/D的速度居中，精度也居中。 D．双积分式A/D的速度最慢，精度最高。 【答案】BCD 【解析】速度：双积分式A/D＜A/D逐次逼近式A/D＜并行式A/D；精度：并行式A/D＜逐次逼近式A/D ＜双积分式A/D。 二、填空题 1．一个8位数模转换器（DAC）的最小输出电压增量为0.02 V，当输入代码为11010010时，输出电压V0＝______V。[电子科技大学2008研] 【答案】4.18 V 【解析】（11010010）2＝（210）10，输出电压：0.02×（210-1）＝4.18 V。 2.逐次渐近式A／D转换器的转换速度比计数式A／D转换器______（①高；②低），而其电路复杂程度比并联比较式A／D转换器______（①高；②低）。[中山大学2010研]【答案】①；② 【解析】计数式电路非常简单，但缺点是转换时间较长，即转换速度较慢，而逐次渐近式反之。

数字电子技术基础 第一章练习题及参考答案

第一章数字电路基础 第一部分基础知识 一、选择题 1．以下代码中为无权码的为。 A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 2．以下代码中为恒权码的为。 A.8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 3．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。 A.１ B.２ C.４ D. 16 4．十进制数25用8421BCD码表示为。 A.10 101 B.0010 0101 C. D.10101 5．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。 A.（256）10 B.（127）10 C.（FF）16 D.（255）10 6．与十进制数（53.5）10等值的数或代码为。 A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(.1)2 D.(65.4)8 7．矩形脉冲信号的参数有。 A.周期 B.占空比 C.脉宽 D.扫描期 8．与八进制数(47.3)8等值的数为： A. (.011)2 B.(27.6)16 C.(27.3 )16 D. (.11)2 9.常用的B C D码有。 A.奇偶校验码 B.格雷码 C.8421码 D.余三码 10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。 A.容易设计 B.通用性强 C.保密性好 D.抗干扰能力强 二、判断题（正确打√，错误的打×） 1. 方波的占空比为0.5。（） 2. 8421码1001比0001大。（） 3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。（） 4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。（） 5．八进制数（18）8比十进制数（18）10小。（） 6．当传送十进制数5时，在8421奇校验码的校验位上值应为1。（）

模拟电子技术基础第七章

第7章 信号的运算和处理 习题 本章习题中的集成运放均为理想运放。 7.1填空： (1) ( 同相比例 )运算电路可实现A u ＞1 的放大器。 (2) ( 反相比例 )运算电路可实现A u ＜0 的放大器。 (3) ( 微分 )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 (4)( 同相求和 )运算电路可实现函数123Y aX bX cX =++，a 、b 和c 均大于零。 (5) ( 反相求和 )运算电路可实现函数123Y aX bX cX =++，a 、b 和c 均小于零。 (6)( 乘方 )运算电路可实现函数2Y aX =。 7.2电路如图P7.2所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，填表。 (a) (b) 图P7.2 解： 1(/)10O f I I u R R u u =-=-； 2(1/)11O f I I u R R u u =+=。 当集成运放工作到非线性区时，输出电压不是+14V , 就是-14V 。 7.3 设计一个比例运算电路，要求输入电阻20i R k =Ω，比例系数为-100。 解：可采用反相比例运算电路，电路形式如图P7.2(a)所示。 20R k =Ω； 2f R M =Ω。

7.4电路如图P7.4所示，试求其输入电阻和比例系数。 解：由图可知150i R R k ==Ω， 1212 21 ,2I M R R M I I u u i i R R R u u u R -==∴=-=-即 而 243 M O M M u u u u R R R -- =+ 解得：52104O M I u u u ==- 图P7.4 7.5电路如图P7.4所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，I u 为2V 的直流信号。分别求出下列各种情况下的输出电压： (1)R 2短路； (2) R 3短路； (3) R 4短路； (4) R 4断路。 解：(1) R 2短路时，2 1 0M I R u u R =- =，R 4相当于开路（R 4上无电流流过）。 ∴3 1 24O I I R u u u V R =- =-=-； (2) R 3短路时，O M u u =，R 4对反馈网络无影响。 ∴2 1 24O I I R u u u V R =- =-=-； (3) R 4短路时，电路无反馈。 ∴14O u V =-； (4) R 4断路时，23 1 48O I I R R u u u V R +=- =-=-。 7.6试求图P7.6所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。

电子技术基础数字部分(第五版)康光华主编第二章习题答案(可编辑修改word版)

第二章习题答案 2.1.1 用真值表证明下列恒等式 （2）（A+B）(A+C)=A+BC A B C A+B A+C BC (A+B)(A+C) A+BC 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 根据真值表，(A+B)(A+C)和A+BC 的真值表完全相同，因此等式(A+B)(A+C)=A+BC 成立。 2.1.3用逻辑代数定律证明下列等式： （3）A ABC ACD (C D)E A CD E 证明： A ABC ACD (C D)E A ACD CDE A CD CDE A CD E 2.1.4用代数法化简下列各式 （4） AB ABC A(B AB) A(B BC ) A(B A) A(B C ) A A ( B C ) A A A BC 1 BC 1 2.1.5 将下列各式转换成与或形式 （2）

& & & A B C D C D A D ( A B )(C D ) (C D )( A D ) AC AD BC BD AC CD AD D AC BC AD BD CD D AC BC D 2.1.7 画出实现下列逻辑表达式的逻辑电路图，限使用非门和二输入与非门。 （1） L=AB+AC 解：先将逻辑表达式化为与非-与非式： L AB AC AB AC AB AC 根据与非-与非表达式，画出逻辑图如下： B A L C 2.1.8 已知逻辑函数表达式为 L AB AC ，画出实现该式的逻辑电路图，限使用非门和 二输入或非门。 解：先将逻辑函数化为或非—或非表达式 L AB AC AB AC A B A C 根据或非—或非表达式，画出逻辑图如下： B A L C 另一种做法：用卡诺图化简变换为最简或与式 1 ≥1 ≥1 ≥1 1 1

康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)配套模拟试题及详解(一)【圣才出品】

康华光《电子技术基础-模拟部分》（第5版）配套模拟试题及详解（一） 一、选择题（15×2，共,30分） 1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。 A ．19kΩ B ．2kΩ C ．4kΩ D ．3kΩ 【答案】C 【解析】输出电压为原输出电压的34，所以分压电阻值为原电阻值的34，即1231244k k k Ω=Ω+Ω2．图1电路工作于放大状态，为了使静态工作点I CQ 增大，应该（ ）。 A ．减小电阻R 和电容C B ．换成β大的管子 C ．增大电阻R E 的阻值 D ．减小R B1阻值

图1 【答案】D 【解析】电路是一个典型的利用直流电流串联负反馈稳定静态工作点的三极管分压式偏置电路。由于i C≈i E，则 由上述公式可以看出在题目给出的4个选项中，只有D项能满足题目的要求。 3．和TTL电路相比CMOS电路最突出的优势在（）。 A．可靠性高 B．抗干扰能力强 C．速度快 D．功耗低 【答案】D 【解析】TTL电路以速度见长，CMOS以功耗低而著名。 4．单端输出的差分放大器，能够抑制零点漂移，原因是（）。 A．电路参数的对称性

B．采用了正负两个直流电源供电 C．射级电阻R EE（或恒流源动态电阻）的差模负反馈作用 D．射级电阻R EE（或恒流源动态电阻）的共模负反馈作用 【答案】A 【解析】在差分电路中，无论是温度变化，还是电源电压的波动都会引起两管集电极电流以及相应的集电极电压相同的变化，其效果相当于在两个输入端加入了共模信号，由于电路的对称性和恒流源偏置，在理想情况下，可以使输出电压不变，从而抑制零点漂移。 5．由理想运放构成如图2所示电路，试判断电阻R f反馈的类型属于（）。 图2 A．串联电压负反馈 B．串联电流负反馈 C．并联电压负反馈 D．并联电流负反馈 【答案】A 【解析】利用瞬时极性法。输入为正，输出也为正，反馈电压也为正，使运放的输入减

模拟电子技术基础第七章部分答案

7.2电路如图所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，填表。 解：当集成运放工作在线性区时， f O1I I 10R u u u R =-=-，f O2I I (1)11R u u u R =+= 7．4电路如图所示，试求其输入电阻和比例系数。 解：由图可知R i =50k Ω。 因为u M =-2u I ，2 43R R R i i i =+，即 M O M M 243 u u u u R R R --=+ 代入数据，得输出电压 O M I 52104u u u == 7.5电路如图所示，集成运放输出电压最大幅值为±14V ，u I 为2V 的电压信号。分别求出下列各种情况下的输出电压。 u I /V 0.1 0.5 1.0 1.5 U O1/V -1 -5 -10 -14 U O2/V 1.1 5.5 11 14

（1）R 2短路；（2）R 3短路；（3）R 4短路；（4）R 4断路。 解：（1）R 2短路时 3 O I I 1 24V R u u u R =-=-=- （2）R 3短路时 2 O I I 1 24V R u u u R =-=-=- （3）R 4短路时，电路无反馈，u O =-14V 。 （4）R 4断路时 23 O I I 1 48V R R u u u R +=-=-=- 7.6试求下图电路输出电压与输入电压的运算关系。 解：（c ）f P I2N 1f R u u u R R =-=+ I1N N O 1f u u u u R R --= 联立求得：f O I1I2I1I21 ()8()R u u u u u R =-=- 7.7如图所示电路中，集成运放的共模信号分别为多少？要求写出表达式。

电子技术基础及应用

电子技术基础及应用 学习目的： 通过这节课的学习，使我们大家在日常工作中，在电路图上遇到这种元器件，我们应该知道什么是二极管和三极管。 容： 各位战友们大家好今天由我给大家一起学习半导体二极管和三极管的相关基础知识，今天主要从以下三个方面来介绍。 知识重点 一、什么是半导体？半导体的基本特性有哪些？ 二、二极管和三极管的分类、特点与电路符号。 三、二极管和三极管的简易测试。 第一节半导体基础与二极管 半导体器件 近代电子学是在半导体器件的基础上发展起来的。由于半导体器件具有体积小、重量轻、使用寿命长、功率转换效率高等特点，因而在电子技术领域得到了广泛的应用。 一、半导体基础知识 （一）半导体的特性 自然界物质按其导电能力不同可以分为导体、绝缘体和半导体。导体的导电能力很强，而绝缘体几乎不能导电。半导体是导电能力介于导体与绝缘体之间的一类物质，常见的半导体材料有硅、锗等。半导体具有一些独特的性质：（1）在半导体材料中加入少量其它元素

（称“杂质”），导电能力显著增强；（2）给半导体材料加温或用光照射时，导电能力也会显著增强，表现出“热敏”和“光敏”特性。 为什么半导体会具有上述特性呢？我们可以从半导体材料的内部结构来说明这个问题。 我们知道，金属导体是靠自由电子传导电流的，这种传导电流的自由电子叫载流子。在半导体中，不仅有电子这样的载流子，而且还存在另一种带正电的载流子——空穴。正是由于半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，所以其导电就具有特殊性。 （二）杂质半导体 纯净半导体的导电能力相对来说是较弱的。如果在纯净半导体中有选择的加入某种微量元素，会使半导体的导电能力显著提高，这种半导体称为杂质半导体。 1．P型半导体 在纯净半导体中掺入微量的三价元素（如硼元素），就得到P型半导体。在这种掺杂后的半导体中，空穴的数目远大于自由电子的数目，称为多数载流子，而电子称为少数载流子，所以又称它为空穴型半导体。 2．N型半导体 在纯净半导体中加入微量的五价元素（如磷元素），就得到N型半导体。这种半导体中的自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子，所以又称为电子型半导体。 二、PN结

数字电子技术基础第三版第二章答案

第二章逻辑门电路 第一节重点与难点 一、重点： 1．TTL与非门外特性 （1）电压传输特性及输入噪声容限：由电压传输特性曲线可以得出与非门的输出信号随输入信号的变化情况，同时还可以得出反映与非门抗干扰能力的参数U on、U off、U NH和U NL。开门电平U ON是保证输出电平为最高低电平时输入高电平的最小值。关门电平U OFF 是保证输出电平为最小高电平时，所允许的输入低电平的最大值。 （2）输入特性：描述与非门对信号源的负载效应。根据输入端电平的高低，与非门呈现出不同的负载效应，当输入端为低电平U IL时，与非门对信号源是灌电流负载，输入低电平电流I IL通常为1～1.4mA。当输入端为高电平U IH时，与非门对信号源呈现拉电流负载，输入高电平电流I IH通常小于50μA。 （3）输入负载特性：实际应用中，往往遇到在与非门输入端与地或信号源之间接入电阻的情况，电阻的取值不同，将影响相应输入端的电平取值。当R≤关门电阻R OFF时，相应的输入端相当于输入低电平；当R≥ 开门电阻R ON时，相应的输入端相当于输入高电平。 2．其它类型的TTL门电路 （1）集电极开路与非门（OC门） 多个TTL与非门输出端不能直接并联使用，实现线与功能。而集电极开路与非门（OC 门）输出端可以直接相连，实现线与的功能，它与普通的TTL与非门的差别在于用外接电阻代替复合管。 （2）三态门TSL 三态门即保持推拉式输出级的优点，又能实现线与功能。它的输出除了具有一般与非门的两种状态外，还具有高输出阻抗的第三个状态，称为高阻态，又称禁止态。处于何种状态由使能端控制。 3．CMOS逻辑门电路 CMOS反相器和CMOS传输门是CMOS逻辑门电路的最基本单元电路，由此可以构成各种CMOS逻辑电路。当CMOS反相器处于稳态时，无论输出高电平还是低电平，两管中总有一管导通，一管截止，电源仅向反相器提供nA级电流，功耗非常小。CMOS器件门限电平U TH近似等于1/2U DD，可获得最大限度的输入端噪声容限U NH和U NL=1/2U DD。 二、难点： 1．根据TTL与非门特性，正确分析和设计电路； 2．ECL门电路的逻辑功能分析； 3．CMOS电路的分析与设计； 4．正确使用逻辑门。 三、考核题型与考核重点 1．概念 题型为填空、判断和选择。

数字电子技术基础第三版第一章答案

第一章数字逻辑基础 第一节重点与难点 一、重点： 1.数制 2.编码 (1) 二—十进制码（BCD码） 在这种编码中，用四位二进制数表示十进制数中的0~9十个数码。常用的编码有8421BCD码、5421BCD码和余3码。 8421BCD码是由四位二进制数0000到1111十六种组合中前十种组合，即0000~1001来代表十进制数0~9十个数码，每位二进制码具有固定的权值8、4、2、1，称有权码。 余3码是由8421BCD码加3（0011）得来，是一种无权码。 (2)格雷码 格雷码是一种常见的无权码。这种码的特点是相邻的两个码组之间仅有一位不同，因而其可靠性较高，广泛应用于计数和数字系统的输入、输出等场合。 3.逻辑代数基础 (1)逻辑代数的基本公式与基本规则 逻辑代数的基本公式反映了二值逻辑的基本思想，是逻辑运算的重要工具，也是学习数字电路的必备基础。 逻辑代数有三个基本规则，利用代入规则、反演规则和对偶规则使逻辑函数的公式数目倍增。 (2)逻辑问题的描述 逻辑问题的描述可用真值表、函数式、逻辑图、卡诺图和时序图，它们各具特点又相互关联，可按需选用。 (3)图形法化简逻辑函数 图形法比较适合于具有三、四变量的逻辑函数的简化。 二、难点： 1.给定逻辑函数，将逻辑函数化为最简 用代数法化简逻辑函数，要求熟练掌握逻辑代数的基本公式和规则，熟练运用四个基本方法—并项法、消项法、消元法及配项法对逻辑函数进行化简。 用图形法化简逻辑函数时，一定要注意卡诺图的循环邻接的特点，画包围圈时应把每个包围圈尽可能画大。 2.卡诺图的灵活应用 卡诺图除用于简化函数外，还可以用来检验化简结果是否最简、判断函数间的关系、求函数的反函数和逻辑运算等。 3.电路的设计 在工程实际中，往往给出逻辑命题，如何正确分析命题，设计出逻辑电路呢？通常的步骤如下：

模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析

1半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 （A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电

压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 （ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。

万里学院-数字电子技术基础-第七章习题及参考答案

第七章习题 一、选择题 1.集成D/A 转换器DAC0832含有 个寄存器。 A.1 B.2 C.3 D.4 2．一个无符号8位数字量输入的DAC ，其分辨率为 位。 A.1 B.3 C.4 D.8 3．一个无符号10位数字输入的DAC ，其输出电平的级数为 。 A.4 B.10 C.1024 D.210 4．一个无符号4位权电阻DAC ，最低位处的电阻为40K Ω，则最高位处电阻为 。 A.4K Ω B.5K Ω C.10K Ω D.20K Ω 5．4位倒T 型电阻网络DAC 的电阻网络的电阻取值有 种。 A.1 B.2 C.4 D.8 6．为使采样输出信号不失真地代表输入模拟信号，采样频率f s 和输入模拟信号的最高频率 f ax Im 的关系是 。 A. f s ≥f ax Im B. f s ≤f ax Im C. f s ≥2f ax Im D. f s ≤2f ax Im 7．将一个时间上连续变化的模拟量转换为时间上断续（离散）的模拟量的过程称为 。 A.采样 B.量化 C.保持 D.编码 8．用二进制码表示指定离散电平的过程称为 。 A.采样 B.量化 C.保持 D.编码 9．将幅值上、时间上离散的阶梯电平统一归并到最邻近的指定电平的过程称为 。 A.采样 B.量化 C.保持 D.编码 10．若某ADC 取量化单位△=81REF V ，并规定对于输入电压I u ，在0≤I u ＜8 1REF V 时，认为输入的模拟电压为0V ，输出的二进制数为000，则 85REF V ≤I u ＜86REF V 时，输出的二进制数为 。 A.001 B.101 C.110 D.111 11．以下四种转换器， 是A/D 转换器且转换速度最高。 A.并联比较型 B.逐次逼近型 C.双积分型 D.施密特触发器 二、判断题（正确打√，错误的打×） 1.D/A 转换器的建立时间是反映转换速度的一个参数。（ ）

2009年浙江理工大学954电子技术基础(模电、数电)考研真题【圣才出品】

2009年浙江理工大学954电子技术基础（模电、数电）考研真题 考试科目：电子技术基础（模电、数电） 科目代码：954 一、填空题（1分/空，共30分） 1．在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体，加入_____元素可形成P型半导体。 2．电流串联负反馈放大器是一种输出端取样量为_____，输入端比较量为_____的负反馈放大器，它使输入电阻_____，输出电阻_____。 3．当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈_____；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英品体呈_____；其余情况下石英晶体呈_____。 4．用示波器观察PNP管共射单级放大器输出电压得到图1所示两种失真波形，试指出失真类型a：_______，b：_______，增大基极电源可消除____________失真，增大R b可消除______失真，减小β可同时消除________失真。 图1

5．在放大电路中测得一个β=150的三极管I B=10uA，I C=1mA，则这个晶体管处于______工作状态。 6．将二进制数（1010101.0011）2分别转换成下列进制数：十进制数_____，八进制数_____，十六进制数_____。 7．在一个CP脉冲作用下，引起触发器两次或多次翻转的现象称为触发器的_____，触发方式为_____式或_____式的触发器不会出现这种现象。 8．TTL与非门电压传输特性曲线分为_____区、_____区、_____区及_____区。 9．数字电路按照是否有记忆功能通常可分为两类：_____和_____。 10．分别写出RS触发器、JK触发器及T触发器的特性方程_____、_____及_____。 二、分别改正图2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。（12分） 图2

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第七章

第7章信号的运算和处理 自测题 一、现有电路： A.反相比例运算电路 B.同相比例运算电路 C.积分运算电路 D.微分运算电路 E.加法运算电路 F.乘方运算电路 选择一个合适的答案填入空内。 (1)欲将正弦波电压移相＋90o，应选用( C )。 (2)欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用( F )。 (3)欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用( E )。 (4)欲实现A u=?100 的放大电路，应选用( A )。 (5)欲将方波电压转换成三角波电压，应选用( C )。 (6)欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用( D )。 二、填空： (1)为了避免50H z电网电压的干扰进入放大器，应选用( 带阻)滤波电路。 (2)已知输入信号的频率为10kH z~12kH z，为了防止干扰信号的混入，应选用( 带通)滤波电路 (3)为了获得输入电压中的低频信号，应选用( 低通)滤波电路。 (4)为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用( 有源)滤波电路。

三、已知图T7.3所示各电路中的集成运放均为理想运放，模拟乘法器的乘积系数k 大于零。试分别求解各电路的运算关系。 (a) (b) 图T7.3 解：图(a)所示电路为求和运算电路，图(b)所示电路为开方运算电路。它们的运算表达式分别为： (a) 124 13121234 ( )(1)//f I I O f I R u u R u R u R R R R R R =-+++??+ 11 O O u u dt RC =- ? (b) '2 3322144 O I O O R R R u u u ku R R R =- ?=-?=-?

823电子技术基础

西安邮电大学硕士研究生招生考试大纲 科目代码：823 科目名称：《电子技术基础》 一、考试的总体要求 电子技术基础是通信工程、电子信息、电子科学与技术等专业的专业基础课程。模拟电子技术部分要求考生系统地掌握模拟电子技术的基本概念、各种放大电路的工作原理和基本分析方法，能够运用所学知识正确的分析电路的原理、计算电路的参数，并能灵活的进行应用。数字电子技术部分要求考生掌握数字电路逻辑设计的基本知识、基本理论，掌握常用数字电路的分析和设计方法，掌握常用中(大)规模数字电路的应用。 二、考试内容与要求 第一部分模拟电子技术部分 （一）半导体器件 1、半导体的基本概念：本征半导体；PN结； 2、半导体二极管：伏安特性、主要参数和半导体二极管电路的分析； 3、稳压二极管：伏安特性、主要参数和稳压二极管电路的分析； 4、半导体三极管：电流放大特性、特性曲线和主要参数； 5、场效应管：（1）结型场效应管的工作原理、伏安特性、主要参数、输出特性曲线和转移特性曲线。（2）绝缘栅型场效应管的工作原理、伏安特性、主要参数、输出特性曲线和转移特性曲线。 （二）基本放大电路 1.三极管放大电路：固定偏置、分压偏置放大电路的组成和分析；共射、共集放大电路的组成和分析；理解图解分析法，重点掌握小信号模型分析法。 2.场效应管放大电路：微变等效模型、自给偏压电路与分压式偏置电路；基本共源电路的组成、静态和动态分析方法；基本共漏电路及其静态、动态分析。 3.差分放大电路：组成、抑制零漂的原理和信号的三种输入方式；共模、差模电压放大倍数、共模抑制比；差放电路的四种输入输出方式、双端输入双端输

出方式和双端输入单端输出方式；电阻和带恒流两类长尾差分放大电路的静态和动态分析 （三）功率放大电路 1.功率放大电路的特点。 2.功率放大电路的三种工作状态；甲类、乙类、甲乙类功率放大电路的特点。 3.乙类功率放大电路的组成及分析方法（乙类功率放大电路的工作原理，静态分析，动态分析。） 4.甲乙类功率放大电路的组成及分析方法（甲乙类功率放大电路的工作原理，静态分析，动态分析。） （四）负反馈放大电路 1.反馈的基本概念及有无反馈的判别。 2.反馈的方框图表示法及闭环增益的一般表达式：反馈深度、环路增益的概念。 3.反馈类型和极性的判断：瞬时极性法判断正反馈与负反馈；电压反馈与电流反馈及其判别方法；直流反馈与交流反馈及其判别方法；负反馈的四种组态及其判断方法。 4.负反馈对放大电路性能的影响。 5.深度负反馈放大电路的动态估算。 （五）集成运算放大电路 1.集成运算放大器的线性应用：运放的线性工作区、理想运放模型、理想运放分析法（虚短、虚地、虚断）；信号运算电路：反相、同相输入比例运算；反相、同相求和运算；减法运算；积分、微分、对数、反对数运算电路、有源滤波电路。 2.集成运算放大器的非线性应用：运放工作在非线性区时的特点；电压比较器：过零比较器；单限比较器；比较器电路的一般分析方法；滞回比较器；窗口比较器。 第二部分数字电子技术部分 （一）数字逻辑基础 1、熟练掌握二进制、八进制、十进制、十六进制数及其相互转换规律；