多晶硅太阳电池的酸腐蚀绒面技术
１０２０
收稿日期：２００６－０５－２３
作者简介：王涛（１９８２—），男，山东省人，硕士生，主要研究方向为太阳能光伏技术；王正志（１９４５—），男，教授，博士生导师，主要研究方向为新能源。
Ｂｉｏｇｒａｐｈｙ：ＷＡＮＧＴａｏ（１９８２—），ｍａｌｅ，ｃａｎｄｉｄａｔｅｆｏｒｍａｓｔｅｒ；ｔｕｔｏｒ：ＷＡＮＧＺｈｅｎｇ－ｚｈｉ（１９４５—），ｍａｌｅ，ｐｒｏｆｅｓｓｏｒ，ｔｕｔｏｒｆｏｒｄｏｃｔｏｒ．
多晶硅太阳电池的酸腐蚀绒面技术
王
涛，王正志
（国防科技大学自动化学院，湖南长沙４１００７３）
摘要：比较了几种多晶硅太阳电池的绒面技术，重点介绍了目前研究和应用较多的酸腐蚀技术。给出了该技术的基本原理、一般的绒面特征、常见的一些改进和对蚀刻时间的优化。这对于相关领域的研究人员具有参考价值。关键词：多晶硅绒面；酸腐蚀；表面特征中图分类号：ＴＭ９１４．４
文献标识码：Ａ
文章编号：１００２－０８７Ｘ（２００６）１２－１０２０－０３
Ｓｕｍｍａｒｙｏｎａｃｉｄｉｃｔｅｘｔｕｒｉｎｇｏｆｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ
ＷＡＮＧＴａｏ，ＷＡＮＧＺｈｅｎｇ－ｚｈｉ
（ＡｕｔｏｍａｔｉｏｎＣｏｌｌｅｇｅ，ＮａｔｉｏｎａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＤｅｆｅｎｃｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＣｈａｎｇｓｈａＨｕｎａｎ４１００７３，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｓｅｖｅｒａｌｔｅｘｔｕｒｉｎｇｍｅｔｈｏｄｓｆｏｒｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｗｅｒｅｃｏｍｐａｒｅｄ．Ｔｈｅａｃｉｄｉｃｔｅｘｔｕｒｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｗｅｒｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ，ｗｈｉｃｈｗｅｒｅｗｉｄｅｌｙａｐｐｌｉｅｄａｎｄｄｅｖｅｌｏｐｅｄ．Ｔｈｅｅｓｓｅｎｔｉａｌｐｒｉｎｃｉｐｌｅｏｆｔｈｉｓｍｅｔｈｏｄ，ｇｅｎｅｒａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｔｈｅｖｅｌｖｅｔ，ｓｅｖｅｒａｌｆａｍｉｌｉａｒｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｓａｎｄｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｆｏｒｔｈｅｅｔｃｈｉｎｇｔｉｍｅｗｅｒｅｓｈｏｗｎ，ｗｈｉｃｈｗｅｒｅｕｓｅｆｕｌｆｏｒｔｈｅｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃｒｅｓｅａｒｃｈｅｒｓｗｈｏｅｎｇａｇｅｄｉｎｔｈｅｒｅｌａｔｅｄｆｉｅｌｄ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｔｅｘｔｕｒｅ；ａｃｉｄｉｃｅｔｃｈｉｎｇ；ｓｕｒｆａｃｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ目前，太阳能光伏市场中多晶硅（ｍｃ－Ｓｉ）太阳电池所占据的份额是最大的。根据ＰＶ－ＴＲＡＣｏｆＥＵＲＯＰＥＡＮＣＯＭＭＩＳ－ＳＩＯＮ发表的题为“ＡＶｉｓｉｏｎｆｏｒＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｉｎ２００５”的展望报告，ｍｃ－Ｓｉ太阳电池在２００５年的世界太阳电池市场中占的份额是５８％［１］，
见图１。但是，ｍｃ－Ｓｉ太阳电池的效率总体上没有单晶硅太阳电池的高。这主要是由于两个原因：一方面单晶硅材料本身的有效少数载流子寿命比ｍｃ－Ｓｉ材料的高；另一方面，单晶硅太阳电池表面的陷光效果要优于ｍｃ－Ｓｉ。因为少数载流子寿命是由于材料本身的特性决定的，当材料选定后就很难改变，所以，要缩小ｍｃ－Ｓｉ太阳电池与单晶硅太阳电池之间效率上的差距，提高ｍｃ－Ｓｉ表面对光的吸收是最有希望的办法，也就是采用绒面技术。目前，已经出现的ｍｃ－Ｓｉ绒面技术主要有机械刻槽［２］、等离子蚀刻［３￣５］和各向同性的酸腐蚀［６］。机械刻槽的绒面方法要求硅片厚度在２００ｍｍ以上，因为刻槽的深度一般在５０ｍｍ的量级上［７］，所以它对硅片的厚度要求很高，这样的技术会增加材料成本。等离子蚀刻制备出绒面的陷光效果是非常好的，但是，它需要相对复杂的处理工序和昂贵的加工系统，不能满足大批量生产的要求［７］。酸腐蚀绒面技术可以比较容易地整合到当前的太阳电池处理工序中［８］
，它应用起来基
本上是成本最低的，是最有可能广泛应用的ｍｃ－Ｓｉ太阳电池绒面技术。
１酸腐蚀法制备绒面的基本原理
目前广泛使用的酸腐蚀溶液是以ＨＦ－ＨＮＯ３为基础的水溶液体系，为了控制化学反应的剧烈程度，有时还加入一些其他的化学品。但是，基本的化学反应是不变的，大致的蚀刻机制是ＨＮＯ３（一种氧化剂）腐蚀，在硅片表面形成了一层ＳｉＯ２，然后这层ＳｉＯ２在ＨＦ酸的作用下去除［７］。酸对硅的腐蚀速度与晶粒取向无关，因此酸腐蚀又称为各向同性腐蚀。酸与硅的反应可以看作局部电化学过程，在反应发生的地方形成了阳极和阴极，反应的过程中有电流在它们之间流过。阳极是硅的溶解反应，阴极是ＨＮＯ３的消耗反应，阳极、阴极及总的反应可
图１主要的太阳电池在２００５年世界光伏市场中的份额
Ｆｉｇ．１Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆｍａｉｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｉｎｗｏｒｌｄｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ
ｍａｒ
ｋｅｔｏｆ２００５
综述
２００６．１２Ｖｏｌ．３０Ｎｏ．１２
由下式表示［９］：
阳极：Ｓｉ＋２Ｈ
２
Ｏ＋ｎｈ＋→ＳｉＯ２＋４Ｈ＋＋（４－ｎ）ｅ—
ＳｉＯ２＋６ＨＦ→Ｈ２ＳｉＦ６＋２Ｈ２Ｏ
阴极：ＨＮＯ
３
＋３Ｈ＋→ＮＯ＋２Ｈ２Ｏ＋３ｈ＋
总体的反应式：
３Ｓｉ＋４ＨＮＯ３＋１８ＨＦ→３Ｈ２ＳｉＦ６＋４ＮＯ＋８Ｈ２Ｏ＋３（４－ｎ）ｈ＋＋
３（４－ｎ）ｅ—
其中，ｎ表示分离一个Ｓｉ原子平均需要的电荷数量，ｈ＋表示正电荷或者空穴，ｅ—表示电子。
２酸腐蚀处理后的ｍｃ－Ｓｉ片表面特征对于单晶硅片，使用碱性溶液的各向异性腐蚀得到的绒面是由随机分布的“金字塔”组成的［１０］。但是，使用酸腐蚀在ｍｃ－Ｓｉ片上得到的绒面是类似于半球形状的“凹陷”，这些“凹陷”的直径在０．５～１．０ｍｍ之间，另外，直径小于１ｍｍ的凹陷出现在大量的直径约为１０ｍｍ的凹陷内［７］。为了制得均匀的多晶硅绒面，可以在酸腐蚀之前在硅片上生长一层有均匀小孔的氧化物作为掩膜，但是，这种方法不适合工业化生
产。文献［１１］中使用了无掩膜的ＨＦ－ＨＮＯ
３
酸腐蚀方法来制备ｍｃ－Ｓｉ表面的绒面，ｍｃ－Ｓｉ片表面的电子扫描电镜（ＳＥＭ）照片在图２中给出，左边和右边分别是整体和局部照片。
酸腐蚀易在多晶硅表面形成一层彩色均匀的多孔硅膜［１２］。这个多孔硅膜具有极低的反射系数，但是，它不利于ｐ－ｎ结的形成和印刷电极，所以，一般使用稀释的ＮａＯＨ溶液来去除这个多孔硅膜［１３］。
３一些改进的酸腐蚀绒面技术
最简单的酸腐蚀溶液是仅仅包含ＨＦ－ＨＮＯ
３
的混合溶液，但是，这样的溶液发生的反应是剧烈的放热反应，必须控制它的反应温度。所以，经常要附加一些化学品。比如醋酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ），它并不参加反应，而是通过减小反应剂的浓度起
到缓和反应的作用［１２］。文献［８］中使用去除离子的水［Ｈ
２
Ｏ（ＤＩ）］，
磷酸（Ｈ
３
ＰＯ４）和硫酸（Ｈ２ＳＯ４）作为稀释剂，使得ｍｃ－Ｓｉ片的反射
系数降低到１５％。文献［１１］中在原来的ＨＦ－ＨＮＯ
３
混合酸液的
基础上加入了硫酸（Ｈ
２
ＳＯ４）和亚硝酸钠（ＮａＮＯ２），少量的ＮａＮＯ２作为催化剂来减少初始反应时间并且控制反应的剧烈
程度，Ｈ
２
ＳＯ４对整个蚀刻溶液起到一种稳定作用，得到的ｍｃ－Ｓｉ太阳电池在没有沉积减反射膜时的反射系数为９．８％，
并且把短路电流密度Ｊ
ｓｃ
提高到３１．４ｍＡ／ｃｍ２。
４蚀刻深度的优化
在酸腐蚀的绒面处理中，时间是一个非常重要的蚀刻参数。对蚀刻时间的控制直接影响到电池的性能。蚀刻时间长短
的直接表现是蚀刻深度。时间越长，蚀刻越深。如果蚀刻的时间很短，那么切割造成的硅片表面损伤就没有完全地被酸液去除掉，晶体缺陷层就仍然存在。这个晶体缺陷层降低了开路电压Ｕ
ｏｃ
和短路电流密度Ｊ
ｓｃ
，见图３和图４［１４］。如果蚀刻时间过长，蚀刻出来的凹陷尺寸就变得太大，这样就会增加反射系
数（相应的减少Ｊ
ｓｃ
）和增加表面积（相应的减少Ｕｏｃ）。这两种作用在蚀刻深度为４～５ｍｍ的时候可以达到最优，因此，在相同的蚀刻深度下效率也达到最优，见图５［１４］。
５结束语
以ＨＦ－ＨＮＯ
３
为基础的酸腐蚀技术制备出的ｍｃ－Ｓｉ片的
图２无掩膜的酸腐蚀方法制备的ｍｃ－Ｓｉ绒面
Ｆｉｇ．２ｍｃ－Ｓｉｓｕｒｆａｃｅｔｅｘｔｕｒｅｄｂｙｍａｓｋｌｅｓｓａｃｉｄｉｃ－ｅｔｃｈｅｄｍｅｔｈｏｄ
图３蚀刻深度与短路电流密度Ｊ
ｓｃ
的关系
Ｆｉｇ．３Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｂｅｔｗｅｅｎｅｔｃｈｄｅｐｔｈａｎｄｓｈｏｒｔ－ｃｉｒｃｕｉｔｃｕｒｒｅｎｔ
ｄｅｎｓｉｔｙＪ
ｓｃ
图４蚀刻深度与开路电压Ｕ
ｏｃ
的关系
Ｆｉｇ．４Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｂｅｔｗｅｅｎｅｔｃｈｄｅｐｔｈａｎｄｏｐｅｎ－ｃｉｒｃｕｉｔｖｏｌｔａｇｅＵ
ｏｃ
图５蚀刻深度与效率η的关系
Ｆｉｇ．５Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｂｅｔｗｅｅｎｅｔｃｈｄｅｐｔｈａｎｄｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ
１０２１综述
２００６．１２Ｖｏｌ．３０Ｎｏ．１２
绒面是由很多半球形状的“凹陷”组成，这些凹陷具有很好的陷光作用，因此极大地提高了ｍｃ－Ｓｉ太阳电池的性能。在应用这种技术时，需要控制化学反应的剧烈程度，以便更容易操作。蚀刻的时间也要进行优化，使得太阳电池的电学参数达到最优。
参考文献：
［１］
ＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＲｅｓｅａｒｃｈＡｄｖｉｓｏｒｙＣｏｕｎｃｉｌ（ＰＶ－ＴＲＡＣ）ｏｆ
ＥｕｒｏｐｅａｎＣｏｍｍｉｓｉｏｎ．Ａｖｉｓｉｏｎｆｏｒｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ［Ｚ］．Ｂｅｌｇｉｕｍ：ＥｕｒｏｐｅａｎＣｏｍｍｕｎｉｔｉｅｓ，２００５．２２．
［２］
ＧＥＲＨＡＲＤＳＣ，ＭＡＲＣＫＭＡＮＮＣ，ＴＯＮＥＲ，ｅｔａｌ．ＭｅｃｈａｎｉｃａｌｌｙＶ－ｔｅｘｔｕｒｅｄｌｏｗｃｏｓｔｍｕｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｗｉｔｈａｎｏｖｅｌｐｒｉｎｔｉｎｇｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ［Ａ］．ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓＳｏｃｉｅｔｙ．２６ｔｈＩＥＥＥＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｐｅｃｉａｌｉｓｔｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ［Ｃ］．Ａｎａｈｅｉｍ，ＣＡ，ＵＳＡ：ＩＥＥＥ，１９９７．４３—４６．
［３］
ＲＵＢＹＤＳ，ＺＡＩＤＩＳＨ，ＮＡＲＡＹＡＮＡＮＳ，ｅｔａｌ．ＲＩＥ－ｔｅｘｔｕｒｉｎｇｏｆｉｎｄｕｓｔｒｉａｌｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ａ］．ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅ－ｖｉｃｅｓＳｏｃｉｅｔｙ．２９ｔｈＩＥＥＥＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｐｅｃｉａｌｉｓｔｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ［Ｃ］．ＮｅｗＯｒｌｅａｎｓＬｏｕｉｓｉａｎａ：ＩＥＥＥ，２００２．１４６—１４９．
［４］
ＮＯＳＩＴＳＣＨＫＡＷＡ，ＶＯＩＧＴＯ，ＭＡＮＳＨＡＮＤＥＮＰ，ｅｔａｌ．Ｔｅｘｔｕｒ－ｓａｔｉｏｎｏｆｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｂｙＲＩＥａｎｄｐｌａｓｍａｅｔｃｈ－ｉｎｇ［Ｊ］．ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒｉａｌｓ＆ＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，２００３，８０：２２７—２３７．［５］
ＬＥＥＷＪ，ＬＥＥＪＨ，ＧＡＮＧＯＰＡＤＨＹＡＹＵ，ｅｔａｌ．Ｈｉｇｈ－ｄｅｎｓｉｔｙｈｏｌ－ｌｏｗｃａｔｈｏｄｅｐｌａｓｍａｅｔｃｈｉｎｇｆｏｒｌａｒｇｅａｒｅａｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ａ］．ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓＳｏｃｉｅｔｙ．２９ｔｈＩＥＥＥＰｈｏｔｏ－ｖｏｌｔａｉｃＳｐｅｃｉａｌｉｓｔｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ［Ｃ］．ＮｅｗＯｒｌｅａｎｓＬｏｕｉｓｉａｎａ：ＩＥＥＥ，２００２．２９６—２９９．
［６］
ＳＺＬＵＦＣＩＫＪ，ＤＵＥＲＩＮＣＫＸＦ，ＨＯＲＺＥＬＪ，ｅｔａｌ．Ｈｉｇｈ－ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ
ｌｏｗ－ｃｏｓｔｉｎｔｅｇｒａｌｓｃｒｅｅｎ－ｐｒｉｎｔｉｎｇｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ｊ］．ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒｉａｌｓ＆ＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，２００２，７４：１５５—１６３．［７］
ＰＡＲＫＳＷ，ＫＩＭＪ．Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆａｃｉｄｔｅｘｔｕｒｉｎｇｔｏｍｕｌｔｉ－ｃｒｙｓ－ｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆｔｈｅＫｏｒｅａｎＰｈｙｓｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ，２００３，４３（３）：４２３—４２６．
［８］ＭＡＲＳＴＥＩＮＥＳ，ＳＯＬＨＥＩＭＨＪ，ＷＲＩＧＨＴＤＮ，ｅｔａｌ．Ａｃｉｄｉｃｔｅｘ－ｔｕｒｉｎｇｏｆｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓ［Ａ］．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅ３１ｓｔＩＥＥＥＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｐｅｃｉａｌｉｓｔｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ［Ｃ］．Ｏｒｌａｎｄｏ，Ｆｌｏｒｉｄａ，ＵＳＡ：ＩＥＥＥ，２００５．１３０９．
［９］
ＳＨＩＨＳ，ＪＵＮＧＫＨ，ＨＳＩＥＨＴＹ，ｅｔａｌ．Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅａｎｄｆｏｒ－ｍａｔｉｏｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｃｈｅｍｉｃａｌｌｙｅｔｃｈｅｄｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．ＡｐｐｌＰｈｙｓＬｅｔｔ，１９９２，６０（１５）：１８６３—１８６５．
［１０］ＳＥＩＤＥＬＨ．Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃｅｔｃｈｉｎｇｏｆｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｉｎａｌｋａｌｉｎｅｓｏｌｕｔｉｏｎｓ［Ｊ］．ＪＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍＳｏｃ，１９９０，１３７：３６１２—３６２６．
［１１］
ＭＡＣＤＯＮＡＬＤＤ，ＣＵＥＶＡＳＡ，ＫＥＲＲＭ，ｅｔａｌ．Ｔｅｘｔｕｒｉｎｇｉｎｄｕｓ－ｔｒｉａｌｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ａ］．ＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆＩＳＥＳ２００１ＳｏｌａｒＷｏｒｌｄＣｏｎｇｒｅｓｓ［Ｃ］．Ａｄｅｌａｉｄｅ，ＳｏｕｔｈＡｕｓｔｒａｌｉａ：Ｉｎｔｅｒ－ｎａｔｉｏｎａｌＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＳｏｃｉｅｔｙ，２００１．１—７．
［１２］
刘志刚，孙铁囤，于化丛，等．酸腐蚀在多晶硅太阳能电池上的应用［Ａ］．第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛论文集［Ｃ］．广东省深圳市－香港特区：中国太阳能学会，２００４．７６７—７７０．［１３］
ＴＳＵＪＩＮＯＫ，ＭＡＴＳＵＭＵＲＡＭ，ＮＩＳＨＩＭＯＴＯＹ．Ｔｅｘｔｕｒｉｚａｔｉｏｎｏｆｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓｆｏｒｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｂｙｃｈｅｍｉｃａｌｔｒｅａｔ－ｍｅｎｔｕｓｉｎｇｍｅｔａｌｌｉｃｃａｔａｌｙｓｔ［Ｊ］．ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒｉａｌｓ＆ＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，２００６，９０：１００—１１０．
［１４］
ＨＡＵＳＥＲＡ，ＭＥＬＮＹＫＩ，ＦＡＴＨＰ，ｅｔａｌ．Ａｓｉｍｐｌｉｆｉｅｄｐｒｏｃｅｓｓｆｏｒｉｓｏｔｒｏｐｉｃｔｅｘｔｕｒｉｎｇｏｆｍｃ－Ｓｉ［Ａ］．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ３ｒｄＷｏｒｌｄＣｏｎ－ｆｅｒｅｎｃｅｏｎＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＥｎｅｒｇｙＣｏｎｖｅｒｓｉｏｎ［Ｃ］．Ｏｓａｋａ，Ｊａｐａｎ：ＩＥＥＥ，２００３．１—４．
１０２２
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２００６．１２Ｖｏｌ．３０Ｎｏ．１２