TC德昌takcheong选型 ESD二极管,开关二极管,肖特基二极管,触发二极管,数字三极管,场效应管MOS,双极型三极管

TC德昌takcheong

ESD二极管产品选型

Ptot C Max VBR VRWM Max IR Max Max IPP PPK Max Package (W)(pF)(V)(V)(μA)(A)(W)Outline

ESD5Z5V0C0.15Typ. 15 5.6~7.851448SOD-523

ESD5Z12V0.15Typ. 55>13.5121595SOD-523

ESD5Z3V30.15Typ. 80>5.03.3111.2158SOD-523

ESD5Z5V00.15Typ. 80>6.2519.4174SOD-523

ESD8D3V3CA0.1516>5 3.30.16SOD-882

ESD5Z7V00.15Typ. 65>7.5718.8200SOD-523

ESD5Z36V0.15Typ. 20>403615120SOD-523

ESD8D5V0C0.15Typ. 15>5.6515SOD-882

ESD8LM5V0C0.15Typ. 3.5>5.651 3.5SOD-882

ESD8L5V0C0.150.9>5.4511SOD-882

ESD11D5V0C0.15Typ. 15>5.650.5 5.5DFN0603

ESD11LL5V00.15Typ. 0.75>6.050.54DFN0603

ESD8LL5V00.150.65>5.4514SOD-882

开关二极管产品类型

Ptot VR VR Ir V F VF IF I R IR VR trr Package

(W)(V)(uA)(V)(mA)(uA)(V)(ns)Outline

BAV21W0.425010011000.120050SOD-123

BAV19W0.412010011000.110050SOD-123

BAV20W0.420010011000.115050SOD-123

1N914BW0.41001000.7255754SOD-123

1N4448W0.41001000.7255754SOD-123

1N4148WS0.21001001105754SOD-323

1N4148W0.41001001105754SOD-123

1N4448WS0.21001000.7255754SOD-323

1N914BWS0.21001000.7255754SOD-323 BAV21WSG0.225010011000.120050SOD-323G BAV21WG0.425010011000.120050SOD-123G BAV20WS0.220010011000.115050SOD-323

1N914BS0.41001000.7255754DO-35

BAV20WSG0.220010011000.115050SOD-323G BAV20WG0.420010011000.115050SOD-123G BAV21WS0.225010011000.120050SOD-323

1N4448S0.41001000.7255754DO-35

BAV19WSG0.212010011000.110050SOD-323G BAV19WG0.412010011000.110050SOD-123G

1SS3550.2801001.21000.1804SOD-323

产品类型Ptot VR VR Ir V F VF IF I R IR VR trr Package (W)(V)(uA)(V)(mA)(uA)(V)(ns)Outline

1N4148S0.41001001105754DO-35

1N4448WSG0.21001000.7255754SOD-323G 1N4448WG0.41001000.7255754SOD-123G CDSQR41481251001001105754SOD-882

1N4148WSG0.21001001105754SOD-323G

1N4148WG0.41001001105754SOD-123G

1SS400BS150- - 1.21000.1804SOD-882

KEL 1N914BWT0.21001000.7255754SOD-523 KEL 1N4448WT0.21001000.7255754SOD-523 KEL 1N4148WT0.21001001105754SOD-523 KEL BAV21WS0.225010011000.120050SOD-323 KEL BAV20WS0.220010011000.115050SOD-323 KEL BAV19WS0.212010011000.110050SOD-323 KEL 1N914BWS0.21001000.7255754SOD-323 KEL 1N4448WS0.21001000.7255754SOD-323 KEL 1N4148WS0.21001001105754SOD-323 KEL BAV21W0.425010011000.120050SOD-123 KEL BAV20W0.420010011000.115050SOD-123

KEL BAV19W0.412010011000.110050SOD-123

产品类型Ptot VR VR Ir V F VF IF I R IR VR trr Package (W)(V)(uA)(V)(mA)(uA)(V)(ns)Outline

KEL 1N914BW0.41001000.7255754SOD-123 KEL 1N4448W0.41001000.7255754SOD-123 KEL 1N4148W0.41001001105754SOD-123 TCBAV210.525010011000.120050DO-35

TCBAV200.520010011000.115050DO-35

TC1SS133M0.3800.5 1.21000.5804DO-34

1SS4220.20.5 1.21500.1854SOD-523 TCBAS160.2751000.71511754SOD-523 TC1SS4000.21001001.21000.1804SOD-523

BAV99T0.158500.71510.03254SOT-523 BAV70T0.158500.71510.03254SOT-523 BAW56T0.158500.71510.03254SOT-523

TC1N914BWT0.21001000.7255754SOD-523 TC1N4448WT0.21001000.7255754SOD-523 TC1N4148WT0.21001001105754SOD-523 TCLL914B0.51001000.7255754LL-34

TCBAV1030.525010011000.120050LL-34 TCBAV1020.520010011000.115050LL-34

TCBAV1010.512010011000.110050LL-34

产品类型Ptot VR VR Ir V F VF IF I R IR VR trr Package (W)(V)(uA)(V)(mA)(uA)(V)(ns)Outline

TCBAV1000.56010011000.15050LL-34 TCLL41510.57551500.05504LL-34

TCLL44480.51001000.7255754LL-34

TCLL41480.51001001105754LL-34

TCBAW760.575511000.1504DO-35

TC1N914B0.51001000.7255754DO-35

TC1N44480.51001000.7255754DO-35

TC1N41480.51001001105754DO-35

TC1SS244M0.32501001.520010022050DO-34

TC1N914BM0.31001000.7255754DO-34

TC1N4448M0.31001000.7255754DO-34

TC1N4148M0.31001001105754DO-34

肖特基二极管

产品类型Ptot VRRM IFSM VF VF@IF IR IR@VR Trr Package (W)(V)(A)(V)(mA)(μA)(V)(ns)Outline

RB501V-40G0.24010.551003010SOD-323G

B5819WSG0.254090.6100010004030SOD-323G

BAT54WSG0.23040.81002255SOD-323G

SD103CWG0.42020.6200510SOD-123G

RB751BS-400.15400.20.3710.530SOD-882

SD103CWSG0.22020.6200510SOD-323G

SD103BWG0.43020.6200520SOD-123G

MBR30200CT2000.91520200TO-220

SD103BWSG0.23020.6200520SOD-323G

SD103AWG0.44020.6200530SOD-123G

RB521S8-300.15300.50.52003010SOD-882

B5819WS0.254090.6100010004030SOD-323

MSK4010 -- 4060.810001000040-- SOD-523

SD103AWSG0.24020.6200530SOD-323G

B5819WG0.54090.61000100040SOD-123G

RB520S8-300.15300.50.6200110SOD-882

MBR10100CT1000.855100100TO-220

BAS850.23040.240.12255LL-34

TCBAT850.23040.240.12255DO-35

TCBAT430.23040.3320.5255DO-35

产品类型Ptot VRRM IFSM VF VF@IF IR IR@VR Trr Package (W)(V)(A)(V)(mA)(μA)(V)(ns)Outline

TCBAT420.23040.4100.5255DO-35

TCRB520S-300.20.6200110SOD-523

MBRF3065CT652000.6415150065TO-220

MBRF20200CT2000.9510200200TO-220

MBRF20150CT1500.910200150TO-220

MBRF20100CT1000.8510200100TO-220

MBRF10200CT2000.955100200TO-220

MBRF10150CT1500.95100150TO-220

MBRF10100CT1000.855100100TO-220

MBR20200CT2000.910200200TO-220

MBR20150CT1500.8510200150TO-220

MBR20100CT1000.810200100TO-220

MBR10200CT2000.955100200TO-220

MBR10150CT1500.95100150TO-220

BAT54ST0.15300.241002255SOT-523

BAT54T0.15300.241002255SOT-523

RB520S-400.2400.6200110SOD-523

BAT43XV20.23040.410500255SOD-523

BAT42XV20.23040.410500255SOD-523

BAT54XV20.23040.240.12255SOD-523

产品类型Ptot VRRM IFSM VF VF@IF IR IR@VR Trr Package (W)(V)(A)(V)(mA)(μA)(V)(ns)Outline

TCRB751S-400.2400.20.3710.530SOD-523

TCRB521S-300.20.52003010SOD-523

RB500V-404510.4510110SOD-323

SD103CWS0.22020.6200510SOD-323

SD103BWS0.23020.6200520SOD-323

SD103AWS0.24020.6200530SOD-323

BAT54WS0.23040.240.12255SOD-323

RB751V-400.2400.20.3710.530SOD-323

BAT43WS0.23040.3320.5255SOD-323

BAT42WS0.23040.4100.5255SOD-323

RB501V-400.210.341010040SOD-323

RB551V-300.250.3610010020SOD-323

B5819W0.54090.61000100040SOD-123

SD103CW0.42020.6200510SOD-123

SD103BW0.43020.6200520SOD-123

SD103AW0.44020.6200530SOD-123

BAT54W0.43040.4102255SOD-123

BAT43W0.43040.4100.5255SOD-123

BAT42W0.43040.4100.5255SOD-123

LL60P0.5455000.511151LL-34

产品类型Ptot VRRM IFSM VF VF@IF IR IR@VR Trr Package (W)(V)(A)(V)(mA)(μA)(V)(ns)Outline

LL600.5405000.510.5151LL-34

LLBAT430.23040.3320.5255LL-34

LLBAT420.23040.4100.5255LL-34

TC1N60P0.5450.50.510.5151DO-35

TC1N600.5400.150.510.5151DO-35

触发二极管

产品类型VBR Min.VBR Typ.VBR Max.ΔV@VF at 10mA IBO Package (V)(V)(V)(V)(μA)Outline

LLDB3283236550LL-34

KELDB3283036550DO-35

数字三极管

产品类型Polarity Ptot IC Vcbo V ceo H FE HFE HFE R1R2Package (W)(A)(V)(V)Min.@VCE@IC/IE Outline

(V)(A)

DTA143TE PNP0.15 -100mA-50-50100-5V-1mA 4.7∞SOT523

DTA143EE PNP0.15 -100mA-50-5030-5V-10mA 4.7 4.7SOT523

DTA124XE PNP0.15 -100mA-50-5068-5V-5mA2247SOT523

DTA124EE PNP0.15 -100mA-50-5056-5V-5mA2222SOT523

DTA123JE P NP0.15 -100mA-50-5080-5V-10mA 2.247SOT523

DTA123EE PNP0.15 -100mA-50-508-10V -5mA 2.2 2.2SOT523 DTA114TE PNP0.15 -100mA-50-50100-5V-1mA10∞SOT523 DTA143ZE PNP0.15 -100mA-50-5080-5-0.01 4.747SOT523 DTA144EE PNP0.15 -100mA-50-5068-5-0.0054747SOT523 DTA114YE PNP0.15 -100mA-50-5068-5-0.0051047SOT523 DTA114EE PNP0.15 -100mA-50-5030-5-0.0051010SOT523 DTC123JE N PN0.150.1505080100.005 2.247SOT-523

DTC124XE NPN0.150.1505080100.0052247SOT-523 DTC143ZE NPN0.150.1505080100.005 4.747SOT-523 DTC143EE NPN0.150.1505015100.005 4.7 4.7SOT-523 DTC123EE NPN0.150.150508100.005 2.2 2.2SOT-523 DTC143TE NPN0.150.150********.005 4.7∞SOT-523 DTC114TE NPN0.150.150********.00510∞SOT-523 DTC114YE NPN0.150.1505080100.0051047SOT-523

DTC144EE NPN0.150.1505080100.0054747SOT-523

产品类型Polarity Ptot IC Vcbo V ceo H FE HFE HFE R1R2Package (W)(A)(V)(V)Min.@VCE@IC/IE Outline

(V)(A)

DTC124EE NPN0.150.1505060100.0052222SOT-523 DTC114EE NPN0.150.1505035100.0051010SOT-523

产品类型Ptot VR IF trr VF IR IFSM IFRM Cd Package (mW)(V)(mA)(ns)(mV)(nA)(A)(mA)(pF)

PH1N4148TR50010020041000@IF=10mA25@VR=20V44504SOD27

PH1N4148TB50010020041000@IF=10mA25@VR=20V44504SOD27

PH1N4148T26B50010020041000@IF=10mA25@VR=20V44504SOD27 PH1N4448TR50010020041000@IF=100mA25@VR=20V44504SOD27

PH1N4448TB50010020041000@IF=100mA25@VR=20V44504SOD27

PH1N4448T26B50010020041000@IF=100mA25@VR=20V44504SOD27 PH1N914BTR3507525041000@IF=100mA5000@VR=75V44502SOD27 PH1N914BTB3507525041000@IF=100mA5000@VR=75V44502SOD27

PH1N914BT26B3507525041000@IF=100mA5000@VR=75V44502 SOD27

MOS场效应管

产品类型Type V DS VGS ID Vgs(th)Vgs(th)PD RDSON Package

(V)(±V)(A)MIN(V)MAX(V)(W)MAX(Ω)Outline

LSI1012XT1G MOSFET2060.50.450.90.150.7SOT-523

2SK3019MOSFET30200.10.8 1.50.158SOT-523

2N7002T MOSFET60200.1151 2.50.157.5SOT-523

产品类型Polarity Ptot IC Vcbo V ceo H FE HFE HFE HFE fT Package

Min.Max.@VCE@IC/IE Outline

(W)(A)(V)(V)(V)(A)(MHz)

双极型三极管

MMBT3906T PNP0.2-0.2-40-40100300-1-0.01250SOT523 MMBT3904T NPN0.20.2604010030010.01200SOT-523

2SC4617NPN0.150.1505012056060.001230SOT-523

2SA1774PNP0.15 -0.1-50-50120560-6-0.001230SOT523

肖特基二极管常用参数大全分析

肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称：10A15 ?主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装：TO-220F ?脚位长度：6-12mm ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名：FCH20A15 ?型号简称：20A15 ?主要参数：20A 150V ?产品封装：TO-220F ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：

肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6

0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45

西门子伺服电机选型手册

西门子伺服电机选择手册，SINAMICS S120是一种集V/F、矢量控制和伺服控制于一体的新型驱动控制系统。普通异步电动机不能控制转矩，也不能控制三相异步电动机。 S120系列驱动与伺服电机选型手册第1部分：典型结构的多轴驱动控制单元电机模块与通用直流母线电源模块。带起动机（或scout）和SIMATIC manager软件或s7-300400的书本式柜式PC典型配置图，SIMOTION O/D/P 24 V DL说明：1：主控制模块cu320 2：电源模块SIM 或ALM+24 V电源3：单轴电机模块4：两轴电机模块234电源线终端模块驱动Cliq编码器反馈信号线选项板电抗器功率滤波器传感器模块无编码器电机运动控制，带drivc Cliq接口西门子（中国）自动化传动集团有限公司生产机械SINAMICS S120系列，选自《S120驱动与伺服电机选型手册》第1章多轴传动概述。Sinamics120是一种集V/F、矢量控制和伺服控制于一体的新型驱动控制系统。它不仅可以控制普通的三相异步电动机，还可以控制步进电动机、转矩电动机和直线电动机。其强大的定位功能将实现进给轴的绝对和相对定位。2007年6月发布的DCC（drive control chart）功能将实现逻辑、计算和简单处理功能。SINAMICS S120产品包括：用于普通直流母线的DCAC逆变器和用于单轴的ACAC逆变器。具有公共直流母

线的DC/AC逆变器也称为多轴驱动。它的结构是电源模块和机器模块分开。电源模块将三个交流电整流成540V或600DC，并将电机模块（一个或多个）连接到直流母线。特别适用于多轴控制，特别适用于造纸、包装、纺织、印刷、钢铁等行业。优点是电机轴间能量共享，接线方便简单●单轴控制交流变频器，俗称单轴交流传动，其结构是功率模块和电机模块的组合，特别适合单轴速度和定位控制。本书第一部分包括第1至4章，主要介绍多轴交流传动。第二部分包括第五章至第八章，主要介绍单轴交流传动。第三部分包括第九章，主要介绍电机电缆和信号电缆。第四部分包括第10章，介绍了同步和异步伺服电机的指令数据。第五部分，包括第11章，简要介绍了运动控制系统的指令数据。这本书中的技术资料基本上是英文的。详情请参阅英文原文。西门子（中国）有限公司自动化与传动集团运动控制部生产的机械系列S120系列，源自《S120驱动与伺服电机选型手册》第二章。功率模块是我们通常所说的整流器或整流器/反馈单元。它将三相交流电整流成直流电，并为每个抑制模块（通常称为逆变器）供电。具有反馈功能的模块还可以向电网提供直流电。根据是否有反馈功能和反馈方式，将功率模块分为以下三类：基本线路模块：整流单元，但无反馈功能。智

肖特基二极管特性详解(经典资料)

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

MHCHXM肖特基二极管MBR20100CT

◆Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure.◆Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.◆Low Power Waste，High Efficiency.◆Low Voltage High Frequency Switching Power Supply.◆Low Voltage High Frequency Invers Circuit. ◆Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit. Summarize Absolute Maximum Ratings Symbol Data Unit VRRM 100 V VDC 100 V IFAV 2010 IFSM 150A TJ -40-+170℃ TSTG -40-+170 ℃ Electricity Character Item Minimum representative Maximum Value Unit TJ =25℃ 100 uA TJ =125℃ 10mA VF TJ =25℃IF=10A 0.82 v Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3Half Mssine Wave-According to JEDEC Method)Operating Junction Temperature Storage Temperature Test Condition IR VR=VRRM Item Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage Average Rectified Forward Current TC=150℃Whole Device A unilateral maximal DC interdiction voltage MBR20100Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes:Silicon epitaxial substrate,P+loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology,the device uses the two chip,the common cathode,the plastic half package structure. ◆ RoHs Product. Productor Character ◆Beautiful High Temperature Character. ◆Have Over Voltage protect loop，high reliability.Primary Use Package ITO-220AB TO-220AB Typical Reference Data Internal Equivalent Principle MBR20100CT

MBR10200CT-MBR20100CT ASEMI高压肖特基二极管规格

MBR10200CT ASEMI高压肖特基二极管 肖特基二极管MBR10200CT参数规格： 肖特基二极管MBR10200CT电流：10A； 肖特基二极管MBR10200CT电压：200V； 肖特基二极管MBR10200CT管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。 肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

MBR10200CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料 MBR10200CT肖特基类型：高结温芯片，品牌：ASEMI， 应用市场：电源，小家电，LED电源，各式充电器，开关电源，LED显示屏等。 MBR10200CT肖特基相关参数如下： MBR10200CT电压Vrrm:200V MBR10200CT电流If平均：10A MBR10200CT正向电压Vf最大：0.87V MBR10200CT电流，Ifs最大：150A MBR10200CT工作温度范围：-40°C to+150°C

MBR10200CT封装形式：TO-220/TO-220F/ITO-220 MBR10200CT反向恢复电流，Irrm:10UA 肖特基系列型号： MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT, MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT, MBR10200FCT,MBR10200CT 肖特基二极管封装：TO-251,TO-252,TO-263, TO-220,TO-247,TO-3P

西门子选型手册

西门子选型手册 16ES7?212-1AB23-0XB0CPU（8I/6O）晶体管输出 26ES7?212-1BB23-0XB0CPU??(8I/6O）?继电器输出 36ES7?212-1AB23-0XB8CPU（8I/6O）晶体管输出?CN 46ES7?212-1BB23-0XB8CPU??(8I/6O）?继电器输出?CN 56ES7?214-1AD23-0XB0CPU（14I/10O）晶体管输出 66ES7?214-1AD23-0XB8CPU（14I/10O）晶体管输出?CN 76ES7?214-1BD23-0XB0CPU（14I/10O）继电器输出 86ES7?214-1BD23-0XB8CPU（14I/10O）继电器输出??CN 96ES7?214-2AD23-0XB0CPU224XP（14DI/10DO，2AI,1AO）?晶体管输出? 106ES7?214-2BD23-0XB0CPU224XP?（14DI/10DO，2AI,1AO）继电器输出116ES7?214-2AD23-0XB8CPU224XP?（14DI/10DO，2AI,1AO）晶体管输出126ES7?214-2BD23-0XB8CPU224XP?（14DI/10DO，2AI,1AO）继电器输出136ES7?216-2AD23-0XB0CPU??(?24I/16O?)?晶体管输出 146ES7?216-2BD23-0XB0CPU（24I/16O）继电器输出 156ES7?216-2AD23-0XB8CPU??(?24I/16O?)?晶体管输出?CN 166ES7?216-2BD23-0XB8CPU（24I/16O）继电器输出?CN 176ES7?221-1BF22-0XA08点24VDC输入 186ES7?221-1BF22-0XA88点24VDC输入?CN 196ES7?221-1BH22-0XA016点24VDC输入 206ES7?221-1BH22-0XA816点24VDC输入?CN 216ES7?222-1HF22-0XA08点继电器输出

防护电路设计(SMBJ、肖特基二极管)

防护电路设计 1.防护电路中的元器件 1.1过压防护器件 1.1.1钳位型过压防护器件 ①压敏电阻 MOV电路符号 压敏电阻英文varistor或MOV，它以氧化锌为基料，加入多种添加剂，经过混料造粒， 压制成坯体，高温烧结，两面印烧银电极，焊接引出端，最后包封等工序而制成。 优点是价格便宜，通流量大，响应速度快，缺点是寄生电容大，不适合用在高频电路中。 压敏电阻器广泛应用于家用电器及其它电子产品中，起过电压保护、防雷、抑制浪涌电 流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等作用。 压敏电压的选择：交流电路其最小值一般选择被保护设备电压2-3倍，直流电路选取为 工作电压的1.8-2倍。 由于压敏制作时可能存在微小缺陷，或者当承受不同电流冲击，造成管芯的压敏电阻体 分布不均，一些部位电阻会降低，导致漏电流增加，最终导致薄弱点微融化，最终导致 老化。所以一般串接热熔点来避免。 压敏可串并联使用。 ②TVS TVS电路符号 TVS是一种限压型的过压保护器，它将过高的电压钳制至一个安全范围，藉以保护后 面的电路，有着比其它保护元件更快的反应时间，这使TVS可用在防护lighting、 switching、ESD等快速破坏性瞬态电压。 特点：可分为单双向，响应时间快、漏电流低、击穿电压误差小、箝位电压较易控制、 并且经过多次瞬变电压后，性能不下降，可靠性高，体积小、易于安装。缺点是能承受 的浪涌电流较小，且功率大的寄生电容也大，低电容的功率较小。适用于细保护或者二 级保护。

选型注意，单双向，电压，功率，电容都要考虑到。 单向TVS伏安特性双向TVS伏安特性 1.1.2开关型过压防护器具 ①气体放电管 GDT电路符号 气体放电管是一种陶瓷或玻璃封装的、内充低压惰性气体的短路型保护器件，一般分两电极和三电极两种结构。其基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时，就引起间隙放电，从而限制了极间的电压，使与气体放电管并联的其它器件得到保护。可分为二极和三极两种。 陶瓷气体放电管具有通流量大（KA级），漏电流小，寄生电容小等优点，缺点是其响应速度慢（μs级），动作电压精度低，有续流现象。适用于粗保护或者初级保护。 选型方法：min（UDC）≥1.25*1.15Up 1.25是安全余量，1.15是电源波动系数。 特性曲线

肖特基二极管讲解

肖特基二极管简介 肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 Schottky diode (SBD) is the Schottky barrier diode , is the inventor of the Schottky named semiconductor device. Schottky barrier diode is a low power, high current, super high speed semiconductor devices, instead of using P type semiconductor and the n-type semiconductor contact formation PN junction theory to make, but the use of metal semiconductor contact formation of metal semiconductor junction with the principle of making the. Therefore, SBD is also known as a metal semiconductor (contact) diode or a surface barrier diode, which is a hot carrier diode. 肖特基二极管是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。 SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基(Schottky)二极管

肖特基（Schottky）二极管 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。 肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。 三、晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小； 而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常 把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如 1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用 一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。 3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极 管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好 相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下： 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压（V） 50 100 200 400 600 800 1000 电流（A）均为1 四、稳压二极管 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。 1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电 压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中， 前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表： 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、

肖特基二极管电路特性

万联芯城销售ST,ON,TI等多家国际品牌原装进口肖特基二极管。肖特基二极管价格优秀，质量有保证。万联芯城专为终端工厂企业提供一站式电子元器件报价业务，与全国近5000家企业达成战略合作伙伴关系。点击进入万联芯城 点击进入万联芯城

我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对

于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A 的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

常用肖特基二极管型号

常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。

常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060

30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045

MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050

常用肖特基二极管参数

常用肖特基二极管参数 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00

30 0.39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.5 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0. 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57

SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.75 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0.51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IR SMC 3.00 15 0.35 30BQ040 IR SMC 3.00 40 0.51 30BQ060 IR SMC 3.00 60 0.58 30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 4

肖特基二极管应用选择

肖特基（SCHOTTKY）系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分： 一．肖特基二极管简介 二．我所肖特基二极管生产状况 三．我所肖特基二极管种类 四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五．介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一．肖特基二极管简介：

肖特基的工作原理及特点

肖特基二极管的工作原理和特点 肖特基二极管（SBD）是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。肖特基二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源 整流,高频电源整流中。 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极 管。 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 基本原理是：在金属和N型硅片的接触面上，用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右，大多不高于60V，以致于限制了其应用范围。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管（SBD）的主要特点： 1）正向压降低：由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和 正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）反向恢复时间快：由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN 结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损 耗也特别小，尤其适合于高频应用。 3）工作频率高：由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。 4）反向耐压低：由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝

常用的肖特基二极管型号及参数

肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装I f/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.39 10BQ040 IR S MB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 S S14G S D O214 1.00400.50 M B R S140T3O N- 1.00400.60 10B Q060I R S M B 1.00600.57 S S16G S D O214 1.00600.75 10B Q100I R S M B 1.001000.78

M B R S1100T3O N- 1.001000.75 10M Q040N I R S M A 1.10400.51 15M Q040N I R S M A 1.70400.55 PBY R245CT P S S O T223 2.00450.45 30B Q015I R S M C 3.00150.35 30B Q040I R S M C 3.00400.51 30B Q060I R S M C 3.00600.58 30B Q100I R S M C 3.001000.79 S T P S340U S T M S O D6 3.00400.84 M B R S340T3O N- 3.00400.52 RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45 M B R S360T3O N- 3.00600.70 30W Q04F N I R D P A K 3.30400.62 30W Q06F N I R D P A K 3.30600.70 30WQ10F N I R D P A K 3.301000.91 30W Q03F N I R D P A K 3.50300.52 50W Q03F N I R D P A K 5.50300.53

肖特基二极管作用及型号

肖特基二极管 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B →A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 二、肖特基二极管作用

肖特基二极管 SK310 DO-214AB SMC系列规格书推荐

SK32 THRU SK3200SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current - 3.0 Amperes

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SK32 THRU SK3200 0.1 1.0 10 100 0.01 0.1 1 10 100 100 10 1 0.1 REVERSE VOLTAGE,VOLTS t,PULSE DURATION,sec. FIG. 5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE FIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz FIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE A V E R A G E F O R W A R D R E C T I F I E D C U R R E N T ,A M P E R E S J U N C T I O N C A P A C I T A N C E , p F P E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T ,A M P E R E S 100 10 1 0.1 0.01 0.001 PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,% FIG. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS I N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T ,M I L L I A M P E R E S T R A N S I E N T T H E R M A L I M P E D A N C E ,C /W AMBIENT TEMPERATURE, C FIG. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICS I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T ,A M P E R E S INSTANTANEOUS FORWARD VOLEAGE, VOLTS 50 10.0 1 0.1 0.01

肖特基二极管

肖特基二极管 肖特基势垒二极管SBD（SchottkyBarrierDiode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的

接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 二、肖特基二极管的结构 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。