5.电子工程师必备基础知识手册(五)：半导体器件

www.powersystems.eetchina .com

电子工程师必备基础知识手册电子工程师必备基础知识手册((五)：半导体器件半导体器件

半导体器件半导体器件

一、 中国半导体器件型号命名方法中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N 型锗材料、B-P 型锗材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。表示三极管时：A-PNP 型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管

（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号

例如：3DG18 表示NPN 型硅材料高频三极管

二、日本半导体分立器件型号命名方法日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2 三极或具有两个pn 结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn 结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA 注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, 册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP 型高频管、B-PNP 型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN 型低频管、F-P 控制极可控硅、G-N 控制极可控硅、H-N 基极单结晶体管、J-P 沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。

第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA 登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA 登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F 表示这一器件是原型号产品的改进产品。

美国半导体分立器件型号命名方法

三、美国半导体分立器件型号命名方法

美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。

第二部分：用数字表示pn 结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn 结器件、n-n 个pn 结器件。

第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。

第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如： JAN2N3251A 表示PNP 硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA 登记顺序号、A-2N3251A 档。

国际电子联合会半导体器件型号命名方法

四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法

德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html,

第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：

1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E 分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V 之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如：BDX51-表示NPN 硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP 锗高频小功率三极管。

五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法

欧洲早期半导体分立器件型号命名法

欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。

第一部分：O-表示半导体器件

第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, 第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。

第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。

一、半导体二极管参数符号及其意义

半导体二极管参数符号及其意义

CT---势垒电容

Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF 下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF（AV）---正向平均电流

IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov)---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR（AV）---反向平均电流

IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IDR---晶闸管断态平均重复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

Irp---反向恢复电流

Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流

Izk---稳压管膝点电流

IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---反向恢复电流

Iop---工作电流

Is---稳流二极管稳定电流

f---频率

n---电容变化指数；电容比

Q---优值（品质因素）

δvz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

PB---承受脉冲烧毁功率

PFT（AV）---正向导通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

Pd---耗散功率

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, PG---门极平均功率

PGM---门极峰值功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

Pi---输入功率

PK---最大开关功率

PM---额定功率。硅二极管结温不高于150 度所能承受的最大功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Pomax---最大输出功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率

RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。

在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I 称微分电阻

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RE---射频电阻

RL---负载电阻

Rs(rs)----串联电阻

Rth----热阻

R(th)ja----结到环境的热阻

Rz(ru)---动态电阻

R(th)jc---结到壳的热阻

r δ---衰减电阻

r(th)---瞬态电阻

Ta---环境温度

Tc---壳温

td---延迟时间

tf---下降时间

tfr---正向恢复时间

tg---电路换向关断时间

tgt---门极控制极开通时间

Tj---结温

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, Tjm---最高结温

ton---开通时间

toff---关断时间

tr---上升时间

trr---反向恢复时间

ts---存储时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

a---温度系数

λp---发光峰值波长

△ λ---光谱半宽度

η---单结晶体管分压比或效率

VB---反向峰值击穿电压

Vc---整流输入电压

VB2B1---基极间电压

VBE10---发射极与第一基极反向电压

VEB---饱和压降

VFM---最大正向压降（正向峰值电压）

VF---正向压降（正向直流电压）

△VF---正向压降差

VDRM---断态重复峰值电压

VGT---门极触发电压

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

VF（AV）---正向平均电压

Vo---交流输入电压

VOM---最大输出平均电压

Vop---工作电压

Vn---中心电压

Vp---峰点电压

VR---反向工作电压（反向直流电压）

VRM---反向峰值电压（最高测试电压）

V（BR）---击穿电压

Vth---阀电压（门限电压）

VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM---反向工作峰值电压

V v---谷点电压

Vz---稳定电压

△Vz---稳压范围电压增量

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

av---电压温度系数

Vk---膝点电压（稳流二极管）

VL ---极限电压

双极型晶体管参数符号及其意义

二、双极型晶体管参数符号及其意义

Ccb---集电极与基极间电容

Cce---发射极接地输出电容

Ci---输入电容

Cib---共基极输入电容

Cie---共发射极输入电容

Cies---共发射极短路输入电容

Cieo---共发射极开路输入电容

Cn---中和电容（外电路参数）

Co---输出电容

Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容

Coe---共发射极输出电容

Coeo---共发射极开路输出电容

Cre---共发射极反馈电容

Cic---集电结势垒电容

CL---负载电容（外电路参数）

Cp---并联电容（外电路参数）

BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路，CE 结击穿电压

BVebo--- 集电极开路EB 结击穿电压

BVces---基极与发射极短路CE 结击穿电压

BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE 结击穿电压

D---占空比

fT---特征频率

fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1 时的工作频率

hFE---共发射极静态电流放大系数

hIE---共发射极静态输入阻抗

hOE---共发射极静态输出电导

h RE---共发射极静态电压反馈系数

hie---共发射极小信号短路输入阻抗

hre---共发射极小信号开路电压反馈系数

hfe---共发射极小信号短路电压放大系数

hoe---共发射极小信号开路输出导纳

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, IB---基极直流电流或交流电流的平均值

Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值

IE---发射极直流电流或交流电流的平均值

Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB 反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE 条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB 条件下，发射极与基极之间的反向截止电流

Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE 为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流

Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE 条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE 下，集电极与发射极之间的反向截止电流

ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值

ICMP---集电极最大允许脉冲电流

ISB---二次击穿电流

IAGC---正向自动控制电流

Pc---集电极耗散功率

PCM---集电极最大允许耗散功率

Pi---输入功率

Po---输出功率

Posc---振荡功率

Pn---噪声功率

Ptot---总耗散功率

ESB---二次击穿能量

rbb'---基区扩展电阻（基区本征电阻）

rbb'Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻

roe---发射极接地，在规定VCE、Ic 或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

RE---外接发射极电阻（外电路参数）

RB---外接基极电阻（外电路参数）

Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）

RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）

RL---负载电阻（外电路参数）

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, RG---信号源内阻

Rth---热阻

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Ts---结温

Tjm---最大允许结温

Tstg---贮存温度

td----延迟时间

tr---上升时间

ts---存贮时间

tf---下降时间

ton---开通时间

toff---关断时间

VCB---集电极-基极（直流）电压

VCE---集电极-发射极（直流）电压

VBE---基极发射极（直流）电压

VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压

VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压

Vp---穿通电压。

VSB---二次击穿电压

VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）

Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）

VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）

VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB 条件下的集电极-发射极间饱和压降

VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB 条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降） VAGC---正向自动增益控制电压

Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值

V n---噪声电压

Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF 下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF（AV）---正向平均电流

IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov)---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR（AV）---反向平均电流

IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IDR---晶闸管断态平均重复电流

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, IRRM---反向重复峰值电流

IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

Irp---反向恢复电流

Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流

Izk---稳压管膝点电流

IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---反向恢复电流

Iop---工作电流

Is---稳流二极管稳定电流

f---频率

n---电容变化指数；电容比

Q---优值（品质因素）

δvz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

PB---承受脉冲烧毁功率

PFT（AV）---正向导通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

Pd---耗散功率

PG---门极平均功率

PGM---门极峰值功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

Pi---输入功率

PK---最大开关功率

PM---额定功率。硅二极管结温不高于150 度所能承受的最大功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Pomax---最大输出功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率

RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。

在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I 称微分电阻

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RE---射频电阻

RL---负载电阻

Rs(rs)----串联电阻

Rth----热阻

R(th)ja----结到环境的热阻

Rz(ru)---动态电阻

R(th)jc---结到壳的热阻

r δ---衰减电阻

r(th)---瞬态电阻

Ta---环境温度

Tc---壳温

td---延迟时间

tf---下降时间

tfr---正向恢复时间

tg---电路换向关断时间

tgt---门极控制极开通时间

Tj---结温

Tjm---最高结温

ton---开通时间

toff---关断时间

tr---上升时间

trr---反向恢复时间

ts---存储时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

a---温度系数

λp---发光峰值波长

△ λ---光谱半宽度

η---单结晶体管分压比或效率

VB---反向峰值击穿电压

Vc---整流输入电压

VB2B1---基极间电压

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, VBE10---发射极与第一基极反向电压

VEB---饱和压降

VFM---最大正向压降（正向峰值电压）

VF---正向压降（正向直流电压）

△ VF---正向压降差

VDRM---断态重复峰值电压

VGT---门极触发电压

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

VF（AV）---正向平均电压

Vo---交流输入电压

VOM---最大输出平均电压

Vop---工作电压

Vn---中心电压

Vp---峰点电压

VR---反向工作电压（反向直流电压）

VRM---反向峰值电压（最高测试电压）

V（BR）---击穿电压

Vth---阀电压（门限电压）

VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM---反向工作峰值电压

V v---谷点电压

Vz---稳定电压

△Vz---稳压范围电压增量

Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

av---电压温度系数

Vk---膝点电压（稳流二极管）

VL ---极限电压

二、场效应管参数符号意义

场效应管参数符号意义

Cds---漏-源电容

Cdu---漏-衬底电容

Cgd---栅-源电容

Cgs---漏-源电容

Ciss---栅短路共源输入电容

Coss---栅短路共源输出电容

Crss---栅短路共源反向传输电容

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, D---占空比（占空系数，外电路参数）

di/dt---电流上升率（外电路参数）

dv/dt---电压上升率（外电路参数）

ID---漏极电流（直流）

IDM---漏极脉冲电流

ID(on)---通态漏极电流

IDQ---静态漏极电流（射频功率管）

IDS---漏源电流

IDSM---最大漏源电流

IDSS---栅-源短路时，漏极电流

IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）

IG---栅极电流（直流）

IGF---正向栅电流

IGR---反向栅电流

IGDO---源极开路时，截止栅电流

IGSO---漏极开路时，截止栅电流

IGM---栅极脉冲电流

IGP---栅极峰值电流

IF---二极管正向电流

IGSS---漏极短路时截止栅电流

IDSS1---对管第一管漏源饱和电流

IDSS2---对管第二管漏源饱和电流

Iu---衬底电流

Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）

gfs---正向跨导

Gp---功率增益

Gps---共源极中和高频功率增益

GpG---共栅极中和高频功率增益

GPD---共漏极中和高频功率增益

ggd---栅漏电导

gds---漏源电导

K---失调电压温度系数

Ku---传输系数

L---负载电感（外电路参数）

LD---漏极电感

Ls---源极电感

rDS---漏源电阻

rDS(on)---漏源通态电阻

rDS(of)---漏源断态电阻

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, rGD---栅漏电阻

rGS---栅源电阻

Rg---栅极外接电阻（外电路参数）

RL---负载电阻（外电路参数）

R(th)jc---结壳热阻

R(th)ja---结环热阻

PD---漏极耗散功率

PDM---漏极最大允许耗散功率

PIN--输入功率

POUT---输出功率

PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）

to(on)---开通延迟时间

td(off)---关断延迟时间

ti---上升时间

ton---开通时间

toff---关断时间

tf---下降时间

trr---反向恢复时间

Tj---结温

Tjm---最大允许结温

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Tstg---贮成温度

VDS---漏源电压（直流）

VGS---栅源电压（直流）

VGSF--正向栅源电压（直流）

VGSR---反向栅源电压（直流）

VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）

VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）

Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）

VGS(th)---开启电压或阀电压

V（BR）DSS---漏源击穿电压

V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压

VDS(on)---漏源通态电压

VDS(sat)---漏源饱和电压

VGD---栅漏电压（直流）

Vsu---源衬底电压（直流）

VDu---漏衬底电压（直流）

VGu---栅衬底电压（直流）

https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html, Zo---驱动源内阻

η---漏极效率（射频功率管）

Vn---噪声电压

aID---漏极电流温度系数

ards---漏源电阻温度系数

弱电工程师培训教材

目录 ***闭路监控系统*** (5) 一．摄像机 (5) 1. 基础知识 (5) a. 什么是CCD摄像机？ (5) b. CCD摄像机的工作方式 (5) c. 分辨率的选择 (5) d. 成像灵敏度 (5) e. 参考环境照度： (5) f. 电子快门 (6) g.光谱响应特性 (6) h. CCD芯片的尺寸 (6) https://www.wendangku.net/doc/0010937173.html,D摄像机的选择和分类 (6) a.依成像色彩划分 (6) b.依分辨率灵敏度等划分 (6) c.按CCD靶面大小划分 (7) d.按扫描制式划分PAL制, NTSC制 (7) e.依供电电源划分 (7) f.按同步方式划分 (7) g、按照度划分 (7) h.按外观分： (7) 3. CCD摄像机的安装与调整 (8) a. 镜头的安装方式 (8) b.AGC ON/OFF（自动增益控制） (8) c. ATW ON/OFF（自动白平衡）： (8) d. ALC/ELC（自动亮度控制/电子亮度控制） (8) e. BLC ON/OFF（背光补偿开关） (8) f. LL/INT（同步选择开关） (9) g. VIDEO/DC（镜头控制信号选择开关） (9) h. SOFT/SHARP（细节电平选择开关） (9) i. FLICKERLESS（无闪动方式） (9) j.补充说明： (9) 二．摄像机镜头 (10) 1.分类： (10) 2.正确选用摄像机镜头。 (10) a.手动、自动光圈镜头的选用 (10) b.定焦、变焦镜头的选用 (10) c.正确选用镜头焦距的理论计算 (11) 低照度摄像机的正确认识 (11)

三.监控外围设备介绍 (12) 1.云台 (12) 云台有多种类型： (12) 2.云台故障处理方法 (12) 2.支架 (13) 3.防护罩 (13) 4.监视器 (14) 5.视频放大器 (14) 6.视频分配器 (14) 7.视频切换器 (14) 8.画面分割器 (14) 9.录像机 (14) 10.红外光投射器 (15) 11.云台镜头控制器 (15) 12.监听头 (15) 13.顺序式视频音频切换器 (15) 14.矩阵切换控制器 (15) 矩阵与解码器的连接方式 (15) 四．DVR(数字硬盘录像机) (16) 1.摘要 (16) 2.DVR的分类 (16) 3.DVR的选择分析 (16) a.性能满足系统要求 (16) 五．配线的技术要求 (17) 1.室配线的技术要求 (17) 2、室配管的技术要求 (17) 3、空间探测器的安装技术要求 (18) 六.验收通则 (18) 七.监控系统常见的故障现象及其解决方法 (19) ***报警系统*** (22) 一、入侵探测器概述 (22) 入侵探测器的种类 (22) 入侵探测器的主要技术性能指标 (25) 一．红外对射探头 (26)

半导体器件工艺基础知识

半导体基础知识和半导体器件工艺 第一章半导体基础知识 　通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类为导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其它一些物体。第二类为绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类为半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si硅等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。 物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义为长1厘米、截面积为1平方厘米的物质的电阻值，单位为欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。 半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由于它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显著的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏组件（如热敏电阻等），但是由于半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身产生的热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照后导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其它元素（这个过程我们称为掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征。例如在原子密度为5*1022/cm3的硅中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例为10-7（即千万分之一），硅的导电能力提高了几十万倍。 物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少后，整个原子呈现正电，缺少电子的地方产生一个空位，带正电，成为电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。 前面提到掺杂其它元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分为电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分为两种：施主杂质与受主杂质。 将施主杂质加到硅半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要为五族元素：锑、磷、砷等。 将施主杂质加到半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要为三族元素：铝、镓、铟、硼等。 电洞和电子都是载子，在相同大小的电场作用下，电子导电的速度比电洞

硬件工程师必用的20个电子线路图

这20个电子线路图，硬件工程师一定用得上！ 电子技术、无线电维修及SMT电子制造工艺技术绝不是一门容易学好、短时间内就能够掌握的学科。这门学科所涉及的方方面面很多，各方面又相互联系，作为初学者，首先要在整体上了解、初步掌握它。 无论是无线电爱好者还是维修技术人员，你能够说出电路板上那些小元件叫做什么，又有什么作用吗？如果想成为元件（芯片）级高手的话，掌握一些相关的电子知识是必不可少的。 普及DIP与SMT电子基础知识，拓宽思路交流，知识的积累是基础的基础，基础和基本功扎实了才能奠定攀登高峰阶梯！这就是基本功。 电子技术的历史背景： 早在两千多年前，人们就发现了电现象和磁现象。我国早在战国时期（公元前475一211年）就发明了司南。而人类对电和磁的真正认识和广泛应用、迄今还只有一百多年历史。在第一次产业革命浪潮的推动下，许多科学家对电和磁现象进行了深入细致的研究，从而取得了重大进展。人们发现带电的物体同性相斥、异性相吸，与磁学现象有类似之处。 1785年，法国物理学家库仑在总结前人对电磁现象认识的基础上，提出了后人所称的“库仑定律”,使电学与磁学现象得到了统一。 1800年，意大利物理学家伏特研制出化学电池，用人工办法获得了连续电池，为后人对电和磁关系的研究创造了首要条件。

1822年，英国的法拉第在前人所做大量工作的基础上，提出了电磁感应定律，证明了“磁”能够产生“电”,这就为发电机和电动机的原理奠定了基础。 1837年美国画家莫尔斯在前人的基础上设计出比较实用的、用电码传送信息的电报机，之后，又在华盛顿与巴尔的摩城之间建立了世界上第一条电报线路。1876 年，美国的贝尔发明了电话，实现了人类最早的模拟通信。英国的麦克斯韦在总结前人工作基础上，提出了一套完整的“电磁理论”,表现为四个微分方程。这那就后人所称的“麦克斯韦方程组”.麦克斯韦得出结论：运动着的电荷能产生电磁辐射，形成逐渐向外传播的、看不见的电磁波。他虽然并未提出“无线电”这个名词，但他的电磁理论却已经告诉人们，“电”是能够“无线”传播的。 对模拟电路的掌握分为三个层次： 初级层次 熟练记住这二十个电路，清楚这二十个电路的作用。只要是电子爱好者，只要是学习自动化、电子等电控类专业的人士都应该且能够记住这二十个基本模拟电路。 中级层次 能分析这二十个电路中的关键元器件的作用，每个元器件出现故障时电路的功能受到什么影响，测量时参数的变化规律，掌握对故障元器件的处理方法;定性分析电路信号的流向，相位变化;定性分析信号波形的变化过程;定性了解电路输入输出阻抗的大小，信号与阻抗的关系。有了这些电路知识，您极有可能成长为电子产品和工业控制设备的出色的维修维护技师。

电子工程师必备基础知识手册

电子工程师必备基础知识手册 电阻 导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、kΩ、MΩ表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。 第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等。例如：R T11型普通碳膜电阻a1} 二、电阻器的分类 1：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。 4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 三、主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、

电子工程师培训课程.doc

课程主题实训内容实训目标Linux开发环境、开发规范培训课时:2天 Unix开发环境Unix系统原理、Unix C开发环境、Unix常用文 件目录管理命令与 网络命令 能使用并管理Unix操作系统，建立并熟 悉Unix /Linux C开发环境。 嵌入式开发语言课时: 11天 标准C开发数据类型,控制语句,自定义数据类型,模块化程 序设计,指针 熟练掌握c基础语法，函数的编写和调用 标准C库C的常用标准库函数errno.h math.h stdlib.h stdio.h等 熟练掌握C标准库函数的调用与灵活应用 数据结构与算法链表，栈，队列，哈希表，二叉树等容器实现常 用搜索算法与 排序算法实现 掌握各种基本数据结构的实现，了解常用 算法，并能在软件开发中灵活应用。 阶段项目基本信息管理系统能独立使用C语言开发应用。 培养良好的编码风格与编码技巧。 Linux应用开发课时: 20天 Linux内核开发Unix/Linux文件服务，IO，内存管理，进程，IPC， 线程，线程同步 掌握Unix/Linux下的基本的开发技术， 了解Linux内核原理。 Linux QT开发QT类结构，常见QT组件，信号与槽，QT设计器， QT2D与3D 掌握QT类库的使用，能开发Linux下的 用户界面。 Linux网络开发Linux下Socket编程，UDP与TCP，TCP下各种服 务器模式，PCAP数 据抓包处理，ARP、IP、ICMP、TCP、UDP协议。 掌握Linux下网络编程技术，能开发网络 通信应用与网络安全应用软件。 Oracle SQL与Pro*C编程DQL语句，DML语句，DDL语句，Oracle函数，视 图，索引，序列等。宿主变量，指示变量，游标 操作，事务处理，SQL操作与动态SQL， 异常处理，SQL与Oracle通信区。 掌握数据库SQL语句。 能进行数据库查询与操作。 能进行SQL数据库编程。 阶段项目网络爬虫：简易搜索引擎的实现掌握基本的应用软件开发能力。掌握程序的分析设计思路。 独立完成简单应用软件的编码。 嵌入式ARM驱动开发课时: 18天 ARM嵌入式开发环境ARM体系结构（包括指令分类，寻址方式、指 令集、存储系统、异常中断处理），ARM嵌入 式开发板硬件设计原理和基本硬件设计流 程。嵌入式Linux基本概念，ARM板的资源 分配，启动模式，Bootloader工作原理，uboot 的烧写，内核的烧写，根文件系统的烧写， uboot的使用指令，嵌入式Linux开发环境的 搭建。 了解ARM体系结构与设计原理，熟练掌 握各种外设的工作原理与驱动机制。 理解bootloader的工作原理， 能熟练使用uboot指令， 掌握s3c6410开发板的uboot、内核、 根文件系统的烧写 能搭建嵌入式Linux开发环境

顶尖电子工程师笔记(不看后悔)

电子工程师必备基础知识（一） 运算放大器通过简单的外围元件，在模拟电路和数字电路中得到非常广泛的应用。运算放大器有好些个型号，在详细的性能参数上有几个差别，但原理和应用方法一样。 运算放大器通常有两个输入端，即正向输入端和反向输入端，有且只有一个输出端。部分运算放大器除了两个输入和一个输出外，还有几个改善性能的补偿引脚。 光敏电阻的阻值随着光线强弱的变化而明显的变化。所以，能够用来制作智能窗帘、路灯自动开关、照相机快门时间自动调节器等。 干簧管是能够通过磁场来控制电路通断的电子元件。干簧管内部由软磁金属簧片组成，在有磁场的情况，金属簧片能够聚集磁力线并使受到力的作用，从而达到接通或断开的作用。 电子工程师必备基础知识（二） 电容的作用用三个字来说：“充放电。”不要小看这三个字，就因为这三个字，电容能够通过交流电，隔断直流电；通高频交流电，阻碍低频交流电。 电容的作用如果用八个字来说那就：“隔直通交，通高阻低。”这八个字是根据“充放电”三个字得出来的，不理解没关系，先死记硬背住。 能够根据直流电源输出电流的大小和后级（电路或产品）对电源的要求来先择滤波电容，通常情况下，每1安培电流对应1000UF-4700UF是比较合适的。 电子工程师必备基础知识（三） 电感的作用用四个字来说：“电磁转换。”不要小看这四个字，就因为这四个字，电感能够隔断交流电，通过直流电；通低频交流电，阻碍高频交流电。电感的作用再用八个字来说那就：“隔交通直，通低阻高。”这八个字是根据“电磁转换”三个字得出来的。 电感是电容的死对头。另外，电感还有这样一个特点：电流和磁场必需同时存在。电流要消失，磁场会消失；磁场要消失，电流会消失；磁场南北极变化，电流正

电子工程师必备基础知识手册(一)：电阻教学教材

电子工程师必备基础知识手册(一)：电阻

导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、kΩ、MΩ 表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R 表示电阻，W 表示电位器。 第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6- 精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等。例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻a1} 二、电阻器的分类

1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。 4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 三、主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa 及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。

一个电子工程师的创业经验

一个电子工程师的创业经验 教程秘籍一:为什么要创业? 这是在你创业前必须先问自己的第一个问题,切记切记!! 答案一:身边的人创业发了,我又不比他笨,如果我创业,肯定不会错、 答案二:我都年龄不老小了，人总不能打工一辈子吧？现在手头这个项目正好创业！ 答案三：现在手头有点积蓄，年龄也不大，不怕亏，亏了可以再去打工，年龄大了就瞻前顾后了 答案四：开饭馆的都发了（或者其他任意行业，总之是创业者准备去看得事情），我也要开 答案五：职位混到头了，老板也不可能给总经理当，工资也会再涨多少了，此时不创业更待何时？ 答案六：现在房子那么贵，打工看来是这辈子都买不起房了，拼了！ 以上是绝大多数缺乏创业知识的人的心中选择的答案，如果你的答案出现在上述答案中，那么请你千万记住，把创业的想法就当作吹牛的谈资就可以了。 正确的答案是：我已经发现了一个确定可以赚到钱的项目！ 千万要记住此秘籍：

创业教程初级班秘籍之一：因为发现了确定的可以赚到钱的可行的项目，所以我决定创业！ 任何非此答案的创业理由都是错误的！年龄大了，别人发了，房子贵了，现在有闲钱都不是你可以去创业的理由，只能成为你败家的借口！教程秘籍二：我是个有经营头脑的人吗？ 很不幸，这个世界绝大多数人是不适合独立创业的，但是只有极少数人可以清醒地认识到这个问题（一般是把自己的老婆孩子都亏光之后） 注意：经营头脑不等于管理头脑，也不等于执行头脑。但，如果你要独立创业的话，没有经营头脑等于自杀，等于拿自己钱玩过家家。所以鉴定一下自己这个脑袋，是至关重要的头等大事，如果你有幸可以碰到我这样的好人的话，我可以免费帮你鉴定，呵呵！ 太多的故事是这样告诉大家的：王老三勤勤恳恳，拿吃亏当福，最终终于成了大地主！ 李老四早上3点起床干活，晚上2点上床睡觉，终于成了一代富豪！故事本来是逗人玩的，无非是善有善报，恶有恶报那一套，但是不幸的是，我发现很多人正是拿这样的故事来看待自己的创业的：我能吃苦！我不怕吃亏！我意志坚强，可以顶住所有的压力！这些都不是你可以成功的充分条件 拿我遇到的真实故事告诉大家什么叫经营头脑吧。

电子工程师必备知识

电子工程师的设计经验笔记(经典) 关键字：电子工程师设计经验 电子工程师必备基础知识(一) 运算放大器通过简单的外围元件，在模拟电路和数字电路中得到非常广泛的应用。运算放大器有好些个型号，在详细的性能参数上有几个差别，但原理和应用方法一样。 运算放大器通常有两个输入端，即正向输入端和反向输入端，有且只有一个输出端。部分运算放大器除了两个输入和一个输出外，还有几个改善性能的补偿引脚。 光敏电阻的阻值随着光线强弱的变化而明显的变化。所以，能够用来制作智能窗帘、路灯自动开关、照相机快门时间自动调节器等。 干簧管是能够通过磁场来控制电路通断的电子元件。干簧管内部由软磁金属簧片组成，在有磁场的情况，金属簧片能够聚集磁力线并使受到力的作用，从而达到接通或断开的作用。 更多阅读：电容性负载的稳定性—具有双通道反馈的RISO(1) 电子工程师必备基础知识(二) 电容的作用用三个字来说：“充放电。”不要小看这三个字，就因为这三个字，电容能够通过交流电，隔断直流电;通高频交流电，阻碍低频交流电。 电容的作用如果用八个字来说那就：“隔直通交，通高阻低。”这八个字是根据“充放电”三个字得出来的，不理解没关系，先死记硬背住。 能够根据直流电源输出电流的大小和后级(电路或产品)对电源的要求来先择滤波电容，通常情况下，每1安培电流对应1000UF-4700UF是比较合适的。 电子工程师必备基础知识(三) 电感的作用用四个字来说：“电磁转换。”不要小看这四个字，就因为这四个字，电感能够隔断交流电，通过直流电;通低频交流电，阻碍高频交流电。电感的作用再用八个字来说那就：“隔交通直，通低阻高。”这八个字是根据“电磁转换”三个字得出来的。

新编电气工程师手册(一)

第一篇电气工程基础篇

第一篇电气工程基础篇·0·第一章电气工程基础理论 第一节电路及其基本定律 一、 电路的内涵 电路的物理量 （一） !"电流当我们合上电源开关的时候，电灯就会发光，电炉就会发热，电动机就会转动，这是因为在电路 但是可以通过它的各种表现而被人们所觉察。 中有电流通过的缘故。电流虽然用肉眼看不见， （带电粒子）有规则的定向运动而形成的。如图!#!所示，若将电源那么什么叫做电流呢？电流是电荷 就发生了电荷向一定方向的移动。 从灯泡闪光的一瞬间开始， 灯泡就会发光， 开关闭合， 图!#!简单电 路 “!”或 用字母 “"”表示。电流 简称电流， （!）电流的大小和单位： 表征电流强弱的物理量叫做电流强度， 即 在数值上等于单位时间内通过某一导体横截面的电荷量， " $%&’% ( 常用大写字母!表 简称直流， 即%&’%($常数， 如果电流不随时间而变化， 则这种电流称为恒定电流， 示。即 !$# $% 简称安，用 电流的单位名称是安培， 式中#是在时间%内通过导体横截面&的电荷量。在国际单位制 （)*）中， 符号+表示。并规定每秒钟通过导线截面的 微安 （!+）或纳安（.+）表示，它们之间的换算电量为!库时的电流为!安。电流的单位也可用千安 （-+）、 毫安 （,+）、 关系是：

!,+$!///+ !-+$!/#0 +

·/·新编电气工程师手册 !!"#!$% &’" !("#!$% & !" （)）电流的方向： 实际上， 导体中的电流是由负电荷在导体中流动形成的， 而我们习惯上规定正电荷运动的方向或负电荷运动的相反方向作为电流的方向 （实际方向）。 电流的实际方向是一定的， 但在实际电路中，电流的实际方向，往往难以确定。为此，在分析与计算电路时， 常可任意选定某一方向作为电流的正方向或称为参考方向。所选电流的正方向并不一定与电流的实际方向一致。当电流的实际方向与其正方向一致时， 则电流为正值 （图!%)*） ； 反之， 电流为负值 （图!%)+） 。因此，在正方向选定之后， 电流之值才有正负之分， 显然， 在未标定正方向的情况下， 电流的正或负是毫无意义的。 图!%)电流的方 向 综上所述， 导体中的电流不仅具有大小， 而且具有方向性。大小和 方向都不随时间而变化的电流为恒定直流，简称直流，如图! %&*所示。方向始终不变，大小随时间而变化的电流称为脉动直流电 流，如图! %&+所示。大小和方向均随时间变化的电流称为交流电流，通常其大 小和方向 周期性变化， 且平均值为零的交流电， 简称交流。工业上普遍应用的交流电 流是按正弦函数规律变化的，称为正弦交流电流， 如图!%&,所 示。图!%&-所表示的电流， 是非正弦交流电流。 ).电压（电位差）与电位电路中负载与电源接通后就会有电流通 过。电灯发光， 是因为电源正负极之间存在电压。电压是电场中两点间 的电位差， 是变量电场力做功本领的物理量，是产生电流的能力，如图! %/所示，在导体内部，单位正电荷自*点移动到+点，电场力所作的功 定义为*、+两点间的电压。用!*+表示。即 "* + !*+# # 式中"*+——电场力所做的功，单位为焦（0）； #——被移动正电荷的电量，单位为库（1）。电压有时也叫电位差。电位是电场中某点与零电位之间的电位差， 其数值与零电位点的选择有关。供电线路中，通常选择大地的电位为零电位； 但在电路中通常以电源的负极作为参考点 （零电位）。 若!*、!+分别表示*点、+点电位（且*点电位高于+点 电位），若用电位来表示*、+两点间的电压， 则 !*+#!*%!+在电路中，习惯上将正电荷受电场力方向即电位降方向，定为电压方向。当正电荷顺电场方向由*点移向 +点，电场力作正功，!*+2$，即*点电位高于+点电位， 反之相反。

硬件工程师培训教程(15个doc)1

硬件工程师培训教程（一） 硬件工程师培训教程（一） 第一章计算机硬件系统概述 要想成为一名计算机硬件工程师，不了解计算机的历史显然不行。在本书的第一章中，我们将带你走进计算机硬件世界，去回顾计算机发展历程中的精彩瞬间。 第一节计算机的发展历史 现代电子计算机技术的飞速发展，离不开人类科技知识的积累，离不开许许多多热衷于此并呕心沥血的科学家的探索，正是这一代代的积累才构筑了今天的“信息大厦”。从下面这个按时间顺序展现的计算机发展简史中，我们可以感受到科技发展的艰辛及科学技术的巨大推动力。 一、机械计算机的诞生 在西欧，由中世纪进入文艺复兴时期的社会大变革，极大地促进了自然科学技术的发展，人们长期被神权压抑的创造力得到了空前的释放。而在这些思想创意的火花中，制造一台能帮助人进行计算的机器则是最耀眼、最夺目的一朵。从那时起，一个又一个科学家为了实现这一伟大的梦想而不懈努力着。但限于当时的科技水平，多数试验性的创造都以失败而告终，这也就昭示了拓荒者的共同命运: 往往在倒下去之前见不到自己努力的成果。而后人在享用这些甜美成果的时候，往往能够从中品味出 汗水与泪水交织的滋味…… 1614 年:苏格兰人John Napier(1550 ～1617 年)发表了一篇论文，其中提到他发明了一种可以进行四则运算和方根运算的精巧装置。 1623 年:Wilhelm Schickard(1592 ～1635 年)制作了一个能进行6 位数以内加减法运算，并能通过铃声输出答案的“计算钟”。该装置通过转动齿轮来进行操作。 1625 年:William Oughtred(1575 ～1660 年)发明计算尺。 1668 年:英国人Samuel Morl(1625 ～1695 年)制作了一个非十进制的加法装置，适宜计算钱币。 1671 年:德国数学家Gottfried Leibniz 设计了一架可以进行乘法运算，最终答案长度可达16位的计算工具。 1822 年:英国人Charles Babbage(1792 ～1871 年)设计了差分机和分析机，其设计理论非常超前，类似于百年后的电子计算机，特别是利用卡片输入程序和数据的设计被后人所采用。 1834 年:Babbage 设想制造一台通用分析机，在只读存储器(穿孔卡片)中存储程序和数据。Babb age在以后的时间里继续他的研究工作，并于1840 年将操作位数提高到了40 位，并基本实现了控制中心(CPU)和存储程序的设想，而且程序可以根据条件进行跳转，能在几秒内做出一般的加法，几分钟内做出乘、除法。 1848 年:英国数学家George Boole 创立二进制代数学，提前近一个世纪为现代二进制计算机的发展铺平了道路。 1890 年:美国人口普查部门希望能得到一台机器帮助提高普查效率。Herman Hollerith (后来他的公司发展成了IBM 公司)借鉴Babbage 的发明，用穿孔卡片存储数据，并设计了机器。结果仅用6 周就得出了准确的人口统计数据(如果用人工方法，大概要花10 年时间)。 1896 年:Herman Hollerith 创办了IBM 公司的前身。 二、电子计算机问世 在以机械方式运行的计算器诞生百年之后，随着电子技术的突飞猛进，计算机开始了真正意义上的由机械向电子时代的过渡，电子器件逐渐演变成为计算机的主体，而机械部件则渐渐处于从属位置。二者地位发生转化的时候，计算机也正式开始了由量到质的转变，由此导致电子计算机正式问世。下面就是这一过渡时期的主要事件: 1906 年:美国人Lee De Forest 发明电子管，为电子计算机的发展奠定了基础。 1924 年2 月:IBM 公司成立，从此一个具有划时代意义的公司诞生。

电子电路工程师必备的20种模拟电路

电子电路工程师必备的20种模拟电路 对模拟电路的掌握分为三个层次：初级层次:是熟练记住这二十个电路，清楚这二十个电路的作用。只要是电子爱好者，只要是学习自动化、电子等电控类专业的人士都应该且能够记住这二十个基本模拟电路。中级层次:是能分析这二十个电路中的关键元器件的作用，每个元器件出现故障时电路的功能受到什么影响，测量时参数的变化规律，掌握对故障元器件的处理方法;定性分析电路信号的流向，相位变化;定性分析信号波形的变化过程;定性了解电路输入输出阻抗的大小，信号与阻抗的关系。有了这些电路知识，您极有可能成长为电子产品和工业控制设备的出色的维修维护技师。高级层次:是能定量计算这二十个电路的输入输出阻抗、输出信号与输入信号的比值、电路中信号电流或电压与电路参数的关系、电路中信号的幅度与频率关系特性、相位与频率关系特性、电路中元器件参数的选择等。达到高级层次后，只要您愿意，受人尊敬的高薪职业--电子产品和工业控制设备的开发设计工程师将是您的首选职业。一、桥式整流电路 1、二极管的单向导电性：伏安特性曲线：理想开关模型和恒压降模型： 2、桥式整流电流流向过程：输入输出波形： 3、计算：Vo, Io,二极管反向电压。

二、电源滤波器 1、电源滤波的过程分析：波形形成过程： 2、计算：滤波电容的容量和耐压值选择。三、信号滤波器 1、信号滤波器的作用：与电源滤波器的区别和相同点： 2、LC 串联和并联电路的阻抗计算，幅频关系和相频关系曲线。 3、画出通频带曲线。计算谐振频率。

四、微分和积分电路 1、电路的作用，与滤波器的区别和相同点。 2、微分和积分电路电压变化过程分析，画出电压变化波形图。 3、计算：时间常数，电压变化方程，电阻和电容参数的选择。 五、共射极放大电路 1、三极管的结构、三极管各极电流关系、特性曲线、放大条件。 2、元器件的作用、电路的用途、电压放大倍数、输入和输出的信号电压相位关系、交流和直流等效电路图。 3、静态工作点的计算、电压放大倍数的计算。 六、分压偏置式共射极放大电路

新编电气工程师手册目录页码

【第一卷目录】 第一篇电气工程基础篇 1 (1-1) 第一章电气工程基础理论 3 (1-2) 第一节电路及其基本定律3 (1-2) 第二节电场与电磁场22 (1-21) 第三节电气识图与电工标准36 (1-35) 第四节计量单位与单位换算71 (1-70) 第五节电路分析方法80 (1-79) 第六节电路的动态分析90 (1-89) 第七节电磁路分析103 (1-102) 第二章电工材料与电线电缆107 (1-106) 第一节绝缘材料107 (1-106) 第二节电线电缆110 (1-109) 第三节通信（光纤）电缆114 (1-113) 第三章仪器仪有及其检测125 (1-124) 第一节电工仪表的基本知识125 (1-124) 第二节常用电气测量仪表131 (1-130) 第三节电流表与电压表141 (1-140) 第四节万用表与功率表145 (1-144) 第五节测量仪表附件（钳形电表与电度表）161 (1-160) 第六节自动化测量仪表164 (1-163) 第七节仪器仪表检测技术166 (1-165) 第四章电子器件与电子电路185 (1-184) 第一节电子器件185 (1-184) 第二节半导体电路207 (1-206) 第三节数字电路236 (1-235) 第四节案例分析259 (1-258) 第二篇电气工程安装与维护篇265 (1-263) 第五章电机及其安装维护技术267 (1-264) 第一节电机设计技术267 (1-264) 第二节三相异步电机安装与维护281 (1-278) 第三节同步电机运行与维修293 (1-290) 第四节直流电动机安装与维护301 (1-298) 第五节小功率电机运行与维护322 (1-319) 第六章变压器及其安装与维护技术333 (1-330) 第一节电力变压器原理与参数333 (1-330)

半导体基础知识和半导体器件工艺

半导体基础知识和半导 体器件工艺 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#

半导体基础知识和半导体器件工艺 第一章半导体基础知识 通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类爲导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其他一些物体。第二类爲绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类爲半导体，其导电能力介於导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si矽等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。 物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义爲长1厘米、截面积爲1平方厘米的物质的电阻值，单位爲欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。 半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由於它的导电能力介於导体和绝缘体之间，而是由於半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显着的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏元件（如热敏电阻等），但是由於半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身産生的

热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照後导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其他元素（这个过程我们称爲掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特徵。例如在原子密度爲5*1022/cm3的矽中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例爲10-7（即千万分之一），矽的导电能力提高了几十万倍。 物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少後，整个原子呈现正电，缺少电子的地方産生一个空位，带正电，成爲电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。 前面提到掺杂其他元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分爲电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分爲两种：施主杂质与受主杂质。 将施主杂质加到矽半导体中後，他与邻近的4个矽原子作用，産生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要爲五族元素：锑、磷、砷等。 将施主杂质加到半导体中後，他与邻近的4个矽原子作用，産生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要爲三族元素：铝、镓、铟、硼等。

电子设计的必备知识

电子设计的必备知识 作者：唐寅喜 必须知道常用IC的PDF常用IC的PDF 最新最全的IC手册_包括绝大部分芯片的引脚定义及功能介绍_对于新入门电子工程师来说是一份很实用的资料_.do 必须知道常用晶体管的PDF 常用三极管型号参数大全 MPS2222A NPN 21 高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 9011 NPN EBC 高频放大50V30mA0.4W150MHz 9012 PNP 贴片低频放大50V0.5A0.625W 9013 NPN EBC 低频放大50V0.5A0.625W 9013 NPN 贴片低频放大50V0.5A0.625W 9014 NPN EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ 9015 PNP EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ 9018 NPN EBC 高频放大30V50MA0.4W1GHZ 8050 NPN EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ 8550 PNP EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ 2N2222 NPN 4A 高频放大60V0.8A0.5W25/200NSβ=45 2N2222A NPN 小铁高频放大75V0.6A0.625W300MHZ 2N2369 NPN 4A 开关40V0.5A0.3W800MHZ 2N2907 NPN 4A 通用60V0.6A0.4W26/70NSβ=200 2N3055 NPN 12 功率放大100V15A115W 2N3440 NPN 6 视放开关450V1A1W15MHZ 2N3773 NPN 12 音频功放开关160V16A150W COP 2N6609 2N3904 NPN 21E 通用60V0.2Aβ=100-400 2N3906 PNP 21E 通用40V0.2Aβ=100-400 2N5401 PNP 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ 2N5551 NPN 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ 2N5685 NPN 12 音频功放开关60V50A300W 2N6277 NPN 12 功放开关180V50A250W 2N6609 PNP 12 音频功放开关160V15A150W COP 2N3773 2N6678 NPN 12 音频功放开关650V15A175W15MHZ 2N6718 NPN 小铁音频功放开关100V2A2W50MHZ 3DA87A NPN 6 视频放大100V0.1A1W 3DG6A NPN 6 通用15V20mA0.1W100MHz 3DG6B NPN 6 通用20V20mA0.1W150MHz 3DG6C NPN 6 通用20V20mA0.1W250MHz 3DG6D NPN 6 通用30V20mA0.1W150MHz 3DG12C NPN 7 通用45V0.3A0.7W200MHz 3DK2B NPN 7 开关30V30mA0.2W 3DK4B NPN 7 开关40V0.8A0.7W 3DK7C NPN 7 开关25V50mA0.3W

研发部电子工程师标准作业流程

研发部电子工程师标准作业流程 一，目的： 规范研发部电子工程师作业流程 二，职责： 1，负责电子部份的设计标准化建立与维护 2，负责电子图面的设计及新产品电路调试 3，负责在PV阶段对生产线提供技术指导 4，负责在资料发行阶段发行相关技术图纸 三，作业流程 1.0在EV阶段 1.1在新品导入时，由电子组长指派电子组中任一电子工程师担当该新产品电子开发 1.2受指派的电子工程师需参加研发经理主持的<<新产品输入评审会>>，详细了解产品部所提出各项设计要求。 1.3电子工程师依“新产品输入评审会”所制定的开发计划和详细要求，着手该项目的原理图规划，对于新材料写出<<零件样品申请单>>交给研发部文员 1.4依开发计划完成原理图和PCB图，PCB板图转成GERBER FILE文件传给PCB供应商打样，并填写，<<零件样品申请单>>，在申请单上需注明使用材质、文件编号、需要数量及需要交期及用途。 1.5设计完毕后，制作手板BOM，变压器图纸，机内线材图等图面 1.6依开发计划时间完成PCB调试， 1.7将调试完毕的PCB交与实验室担当技术员组装样机 1.8实验室组装完样机后，电子工程师参与样机试听，对于需修改参数进行修改。 1.9样机完成后，电子工程师参加由研发经理主持的“手板样机评审会” 1.10电子工程师依据实验室提供的<<新样机制作问题汇总反馈表>>及“手板样机评审会”所提出的问题和调试过程中的修改对BOM、机内线材图等图面进行修订 2.0在DV阶段 2.1依EV阶段所做的修改要求，重新对原理图、PCB进行设计及修订，并再次打样 2.2依开发计划时间完成调试 2.2依开发计划时间组装DV功能样机及样机调音 2.2参加由研发经理主持的“DV功能样机评审会” 2.3对于DV功能样机的问题再一次进行修订。 2.4依开发计划PCB发出<<开模申请单>>，申请单上需注明模具编号，版本号，使用材质，一模穴数，计划完成时间。 2.5整理相关技术资料并完善<>，需完善的技术资料有：<<电性能规格书>>，<<电性能测试报告>>，

电子工程师必备基础知识67534

电子工程师必备基础知识运算放大器通过简单的外围元件，在模拟电路和数字电路中得到非常广泛的应用。运算放大器有好些个型号，在详细的性能参数上有几个差别，但原理和应用办法一样。运算放大器通常有两个输入端，即正向输入端和反向输入端，有且只有一个输出端。部分运算放大器除啦两个输入和一个输出外，还有几个改善性能的补偿引脚。光敏电阻的阻值随着光线强弱的变化而明显的变化。所以，能够用来制作智能窗帘、路灯自动开关、照相机快门时间自动调节器等干簧管是能够通过磁场来掌握电路通断的电子元件。干簧管内部由软磁金属簧片组成，在有磁场的情况，金属簧片能够聚集磁力线并使受到力的作用，从而达到接通或断开的作用耦合是传递信号的意思，光电耦合器自然那就用光来完成传递电信号的元件，通常是指有一个发光部分和接收部分对应并制作在一体的电子元件。通常四个有效引脚（即四个引脚接入电路中起作用）为一组。光电耦合器的优点是能够轻松实现电源隔离，在用市电的开关电源初次级隔离中最为常用。另外，在计算机外设通信中，也有较多的应用，一个元件中能够集成有多组光电耦合器（每组最少四个引脚）压电陶瓷片能够做性能优良的震动检测器，它是一种电声器件，当加上音频电压后，能够听到声音；当受到振动（产生机械形变）后，能够感应出微弱的电压。焊接时，适当的调整被焊接处、烙铁头、焊锡丝（带助焊剂），让三点合一，充分接触，当焊接处已经有啦适当的焊锡和助焊剂时，就应撤走焊锡丝。焊接进程通常掌握在2-3秒比较合适。工厂需要的是操作熟练并有丰富工作经验的人才。可是，获取丰富经验的主要途径一定是勤动手、日集月累。助焊剂：松香水常在工厂当做助焊剂用。大家能够业余自制，用工业酒精（医用酒精较贵，没必要）熔解松香即可。留意：一次不要配得太多，浓度能够灵活掌握。电容的作用用三个字来说：“充放电。”不要小看这三个字，就因为这三个字，电容能够通过交流电，隔断直流电；通高频交流电，阻碍低频交流电。电容的作用如果用八个字来说那就：“隔直通交，通高阻低。”这八个字是根据“充放电”三个字

电子工程师必备基础知识手册(二)：电容

电子工程师必备基础知识手册(二)：电容.txt求而不得，舍而不能，得而不惜，这是人最大的悲哀。付出真心才能得到真心，却也可能伤得彻底。保持距离也就能保护自己，却也注定永远寂寞。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C 表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF。 一、电容器的型号命名方法 国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别 代表名称、材料、分类和序号。 第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。 第二部分：材料，用字母表示。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。 第四部分：序号，用数字表示。 用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E- 其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 二、电容器的分类 1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。 2、按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介 质电容器等。 3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型 电容器。 4、频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容

器。 5、低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。 6、滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。 7、调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。 8、高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。 9、低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容 器。 10、小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。 三、常用电容器 1、铝电解电容器 用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器。因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流，容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz 以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。 电容量：0.47--10000u 额定电压：6.3--450V 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 2、钽电解电容器（CA）铌电解电容（CN） 用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普