电子技术基础(于宝明)第三章 习题答案
第三章习题
3.1 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？
答：结型场效应管输入极的PN结GS结始终是处于反偏状态，PN结反偏时耗尽层加宽、结电阻增大。BJT管输入极的PN结BE结始终是处于正偏状态，PN结正偏时耗尽层变窄，结电阻减小。
3.2 JEFT的栅极与沟道间的PN结在一般作为放大器件工作时，能用正向偏置吗？BJT的发射结呢？
答：JEFT的栅极与沟道间的PN结在一般作为放大器件工作时，不可以用正向偏置。因为当JFET正偏时，其PN结都处于正偏状态，沟道两侧的耗尽层消失，对DS沟道失去了控制作用。所以失去放大作用。
3.3 图所示符号各表示哪种沟道的JEFT？其箭头方向代表什么？
答：图(a)为N沟道，(b)为P沟道场效应管。其箭头方向代表正偏方向
3.4 试由图所示输出特性曲线判断它们各代表何种器件，如是JFET管，请说明它属于何种沟道。
答：（a）BJT晶体管。（b）N沟道场效应管（c）P沟道场效应管
3.5 试分别画出N沟道和P沟道JEFT的输出特性和转移特性曲线示意图，并在特性曲线中标出i D、u DS、u GS、I DSS和U p等参数，说明u DS、u GS和U p在两种沟道JETF中的极性。答：（a）N沟道场效应管U DS>0V 、U GS<0V 。（b）P沟道场效应管U DS <0V 、U GS>0V 。
3.6 为什么MOSFET的输入电阻比JEFT高？
答：MOSFET的输入部分是绝缘的，所以栅极没有电流。而JEFT的输入部分是反偏的。在一定温度下由于本征激发的作用，在半导体内还会产生电子、空穴对，反向漏电流虽然很小，但是还是存在的。所以MOSFET的输入电阻比JEFT高。
3.7判断工作区域
a）恒流，b）恒流c）恒流d）可变电阻
3.8 FET有许多类型，它们的输出特性及转移特性各不相同，试总结出判断类型及电压极性的规律。
答：N沟道：结型U GS<0V，U P<0V。电流由漏端流进，源端流出I D>0。
MOS增强型：U GS>0V，U T>0V。电流由漏端流进，源端流出I D>0。
MOS耗尽型：U P0。
P沟道：结型U GS>0V，U P>0V。电流由源端流进，漏端流出I D<0。
MOS增强型：U GS<0V，U T<0V。电流由源端流进，漏端流出I D<0。
MOS耗尽型：U P>U GS>U BR，U P>0V。电流由源端流进，漏端流出I D<0。
3.9 考虑P沟道FET对电源极性的要求，画出自这种类型管子组成的共源放大电路。
答：如图所示
3.10 一个JFET 的转移特性曲线如图所示，试问：(1) 它是N 沟道还是P 沟道的FET ？(2) 它的夹断电压U P 和饱和漏极电流I DSS 各是多少？
答：(-3V ,3mA)
3.11一个MOSFET 的转移特性如图所示（其中漏极电流i D 的方向是它的正方向）。试问：
（1）该管是耗尽型还是增强型？（2）是N 沟道还是P 沟道？（3）从这个转移特性上可求出该FET 的夹断电压U P 还是开启电压U T ？其值等于多少？
答：（1）增强型（2）MOSFET-P 沟道（3）U T =-4V
3.12 增强型FET 能否用自偏压的方法来设置静态工作点？试说明理由。
解：增强型FET 不能用自偏压的方法来设置静态工作点。因为增强型FET 的栅极电压必须大于零伏。而自偏压形成的栅极电压都是小于零伏。
3.13 已知电路参数如图所示，FET 工作点上的互导g m = 1ms ，设r d ＞＞R d 。（1）画出电路的小信号模型；（2）求电压增益A u ；（3）求放大器的输入电阻R i 。
解（1）：小信号等效模型如图所示：
解（2）：3
102X 1110X 1R g 1R g u u A K mS K mS L m L m i o u -=+-=+-==ΩΩ'' 解（3）：ΩM 0752K 10K 30M 22Rg 1Rg 3Rg Ri .////=+=+=
答：A u =-3.33，R i =2.07M 解毕
3.14 源极输出器电路如图所示，已知FET 工作点上的互导g m =0.9ms ，其它参数如图中所示。求电压增益A u 、输入电阻R i 和输出电阻R o 。
解1：91508
10181090X 121K 90X 12R g 1R g u u A L m L m i o u .....''=+=+=+== 解2：ΩM 0752M 0750M 2K 100K 300M 22Rg 1Rg 3Rg Ri ..////=+=+=+= 解3：ΩK 0171K 12111K 12mS
901R g 1R S m O .//.//.//==== 答：A u = 0.915；R i = 2.075M ；Ro = 1.017K 解毕
第三章【思考与练习】及答案
【思考与练习】 一、判断题 1、各组名称和各组分配次数是分配数列的两个要素。( ) 2、单项数列只有一栏数值。（） 3、单项数列和组距数列，其分组方法均对总体按某标志分组。（） 4、连续型变量只能进行组距式分组。（） 5、简单表就是将总体各单位按一个标志分组所形成的统计表。（） 答案：1、√2.×3.√4.√5.× 二、单项选择题 1、下列属于品质标志分组的是（）。 A．企业按职工人数分组B．企业按工业总产值分组 C．企业按经济类型分组D．企业按资金占用额分组 2、下列属于按数量标志分组的是（）。 A．工人按政治面貌分组B．工人按年龄分组 C．工人按性别分组D．工人按民族分组 3、变量数列中各种频率的总和是（）。 A．大于100％B．小于100％ C．等于100％D．不等于100％ 4、在编制等距数列时，如果全距等于52，组数为6，则组距为（）。 A．8.6 B．8 C．6 D．9 5、某变量数列，如第一组为75以下、第二组为75－85、第三组为85－95、第四组为95以上，则数据（）。 A．85在第一组B．75在第二组 C．95在第三组D．85在第二组 6、某小组5个学生的统计课考试成绩分别为80分、70分、62分、86分和76分，这5个数字是（）。 A．标志B．标志值 C．变量D．指标 7、说明统计表名称的词句，在统计表中成为（）。 A．横行标题B．纵栏标题C．总标题D．指标数值8、统计表的纵栏标题是用来说明（）。 A．统计表的名称B．各组的名称 C．统计指标的名称D．指标数值 9、在填列统计表时，若某项统计数据免填，其符号为（）。 A．…B．×C．－D．0 10、区分简单表与分组表是看（）。 A．对总体是否分组B．对总体按几个标志分组 C．宾词部分有几栏数值 答案：1.C；2.B；3.C；4.D；5.B；6.B；7.C；8.C；9.B；10.A 三、多项选择题 1、对统计调查所搜集的原始资料进行整理，是因为这些原始资料是（）。 A．零碎的B．系统的C．分散的D．具体的 2、统计分组的关键（）。
《数字电子技术基础》课后习题答案
《数字电路与逻辑设计》作业 教材：《数字电子技术基础》 （高等教育出版社，第2版，2012年第7次印刷） 第一章： 自测题： 一、 1、小规模集成电路，中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路 5、各位权系数之和，179 9、01100101，01100101，01100110； 11100101，10011010，10011011 二、 1、× 8、√ 10、× 三、 1、A 4、B 练习题： 1.3、解： (1) 十六进制转二进制： 4 5 C 0100 0101 1100 二进制转八进制：010 001 011 100 2 1 3 4 十六进制转十进制：(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10 所以：(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10 (2) 十六进制转二进制： 6 D E . C 8 0110 1101 1110 . 1100 1000 二进制转八进制：011 011 011 110 . 110 010 000 3 3 3 6 . 6 2 十六进制转十进制：(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1758.78125)10 所以：(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10 (3) 十六进制转二进制：8 F E . F D 1000 1111 1110. 1111 1101
二进制转八进制：100 011 111 110 . 111 111 010 4 3 7 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(2302.98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(437 6.772)8=(2302.98828125)10 (4) 十六进制转二进制：7 9 E . F D 0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制：011 110 011 110 . 111 111 010 3 6 3 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(1950. 98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1950.98828125)10 1.5、解： (74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10 =(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD (136.45)10 =(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10 =(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD 1.8、解 （1）(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补 （2）(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补 （3）(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补 （4）(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补
材基第三章习题及答案
第三章 作业与习题的解答 一、作业： 2、纯铁的空位形成能为 105 kJ/mol 。将纯铁加热到 850℃后激冷至 室 温（ 20℃），假设高温下的空位能全部保留，试求过饱和空位浓度与室 温平衡空位浓度的比值。 （e 31.8=6.8X1013） 6、如图 2-56，某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为 b 的位错环， 并 受到一均匀切应力τ。 （1）分析该位错环各段位错的结构类型。 （2）求各段位错线所受的力的大小及方向。 （3）在τ的作用下，该位错环将如何运动？ （4）在τ的作用下，若使此位错环在晶体中稳 定不动，其最小半径应为多大？ 直。 （3）右手法则（ P95）：（注意：大拇指向下， P90 图 3.8 中位错环 ABCD 的箭头应是向内，即是 位错环压缩）向外扩展（环扩大） 。 解： （2）位错线受力方向如图，位于位错线所在平面，且于位错垂
如果上下分切应力方向转动180 度，则位错环压缩。
d s Rd ； sin d 2 d / 2 注：k 取 0.5 时，为 P104中式 3.19 得出的结果。 7、在面心立方晶体中，把两个平行且同号的单位螺型位错从相距 100nm 推进到 3nm 时需要用多少功（已知晶体点阵常数 a=0.3nm,G=7 ﹡ 10 1010Pa ）？ 8、在简单立方晶体的（ 100）面上有一个 b=a[001] 的螺位错。如 果 它（a ） 被（001）面上 b=a[010] 的刃位错交割。 （b ） 被（001）面上 b=a[100] 的螺位错交割， 试问在这两种情形下每个位错上会形成割阶还是弯折？ （（a ）：见 P98图 3.21 ， NN ′在（100）面内，为扭折，刃型位错； （b ） 图 3.22 ，NN ′垂直（ 100）面，为割阶，刃型位错） b [110 ] 9、一个 2 的螺位错在（ 111）面上运动。若在运动过程中 遇 到障碍物而发生交滑移，请指出交滑移系统。 对 FCC 结构：（ 1 1 -1 ）或写为（ -1 -1 1 ） a b [110 ] 10、面心立方晶体中，在（ 111）面上的单位位错 2 ，在 （ 111） (4) P103-104 ： b d s 2T sin d 2 kGb 2 b kGb 100 (w Gb ln 1300 ； 3 1.8X10-9J )
第三章习题及答案
第三章处理机的调度与死锁 1．高级调度与低级调度的主要任务是什么？为什么要引入中级调度？ 答：高级调度的主要任务是根据某种算法，把外存上处于后备队列中的那些作业调入内存。低级调度是保存处理机的现场信息，按某种算法先取进程，再把处理器分配给进程。引入中级调度的主要目的是为了提高内存利用率和系统吞吐量。使那些暂时不能运行的进程不再占用内存资源，将它们调至外存等待，把进程状态改为就绪驻外存状态或挂起状态。 2．何谓作业、作业步和作业流？ 答：作业包含通常的程序和数据，还配有作业说明书。系统根据该说明书对程序的运行进行控制。批处理系统中是以作业为基本单位从外存调入内存。 作业步是指每个作业运行期间都必须经过若干个相对独立相互关联的顺序加工的步骤。作业流是指若干个作业进入系统后依次存放在外存上形成的输入作业流；在操作系统的控制下，逐个作业进程处理，于是形成了处理作业流。 3．在什么情况下需要使用作业控制块JCB？其中包含了哪些内容？ 答：每当作业进入系统时，系统便为每个作业建立一个作业控制块JCB，根据作业类型将它插入到相应的后备队列中。JCB 包含的内容通常有： 1) 作业标识 2)用户名称 3)用户账户 4)作业类型（CPU繁忙型、I/O 芳名型、批量型、终端型） 5)作业状态 6)调度信息（优先级、作业已运行） 7)资源要求 8)进入系统时间
9) 开始处理时间 10) 作业完成时间 11) 作业退出时间 12) 资源使用情况等 4．在作业调度中应如何确定接纳多少个作业和接纳哪些作业？ 答:作业调度每次接纳进入内存的作业数，取决于多道程序度。应将哪些作业从外存调入内存，取决于采用的调度算法。最简单的是先来服务调度算法，较常用的是短作业优先调度算法和基于作业优先级的调度算法。 5．试说明低级调度的主要功能。 答：（1）保存处理机的现场信息 （2）按某种算法选取进程 （3）把处理机分配给进程。 6．在抢占调度方式中，抢占的原则是什么？ 答：抢占的原则有：时间片原则、优先权原则、短作业优先权原则等。 7．在选择调度方式和调度算法时，应遵循的准则是什么？ 答：1）面向用户的准则：周转时间短、响应时间快、截止时间的保证、优先权准则。2）面向系统的准则：系统吞吐量高、处理机利用率好、各类资源的平衡利用。 8．在批处理系统、分时系统和实时系统中，各采用哪几种进程（作业）调度算法？ 答：批处理系统的调度算法：短作业优先、优先权、高响应比优先、多级反馈队列调度算法。分时系统的调度算法：时间片轮转法。实时系统的调度算法：最早截止时间优先即EDF、最低松弛度优先即LLF算法。 9．何谓静态和动态优先级？确定静态优先级的依据是什么？ 答：静态优先级是指在创建进程时确定且在进程的整个运行期间保持不变的优先级。动
电子技术基础习题答案
三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、单极型半导体器件就是( C )。 A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P型半导体就是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态就是( C )。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管( C )。 A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流就是( A )而成。 A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2、1V,V B＝2、8V,V C＝4、4V,说明此三极管处在( A )。 A、放大区; B、饱与区; C、截止区; D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流( C )。 A、较大; B、较小; C、为零; D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为( C )。 A、矩形方波; B、等腰三角波; C、正弦半波; D、仍为正弦波。 9、三极管超过( C )所示极限参数时,必定被损坏。 A、集电极最大允许电流I CM; B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO; C、集电极最大允许耗散功率P CM; D、管子的电流放大倍数 。 10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件就是( C ) A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏; C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。 A、直流成分; B、交流成分; C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象就是(B)。 A、直流信号; B、交流信号; C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现(B)。 A、截止失真; B、饱与失真; C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件就是(B)。 A、电阻R B; B、电阻R E; C、电阻R C。 5、功放首先考虑的问题就是(A)。
第三章练习题及参考答案
第三章 恒定电流的电场和磁场 练习题及答案 1、一铜棒的横截面积为,mm 80202 ?长为2m ，两端的电位差为50V 。已知铜的电导率为 S/m 107.57?=σ。求（1）电阻（2）电流（3）电流密度（4）棒内的电场强度（5）所消 耗的功率 解：（1）铜棒电阻Ω?=???=?= -571019.210 7.508.002.02 1R S l σ （2）铜棒内电流A R U I 35 3 1028.21019.21050?=??==-- （3）铜棒内电流密度263 /1043.108.002.01028.2m A S I J ?=??== （4）棒内的电场强度m V J E /1050.210 7.51043.127 6 -?=??==σ （5）所消耗的功率W R I P 2 2 1014.1?== 2、电缆的芯线是半径为cm a 5.0=的铜线，外面包一层同轴的绝缘层，绝缘层的外半径为 cm b 2=，电阻率m ?Ω?=12101ρ。绝缘层外又用铅层保护起来。 （1）求长度m L 1000=的这种电缆沿径向的电阻 （2）求当芯线与铅层的电位差为V 100时的径向电流 解：（1）距离电缆轴线处的电阻为rL dr S dr dR πρ ρ 2== 则长度的电缆沿径向的电阻可积分求得 Ω?===?81021.2ln 22a b L rL dr R b a πρπρ （2）据欧姆定律可求得径向电流 A R U I 71052.4-?== 3、已知半径为R 的环形导线，载有电流为I ，如图所示。求其中心的磁感应强度的大小。 解：由毕奥--萨伐尔定律可得回路在中心点的磁场大小为 R I d R IR R R l Id B L 244020 2 03 0μθπμπμπ ==?= ? ? 磁场方向为垂直纸面向外。
电子技术基础_习题集(含答案)
《电子技术基础》课程习题集 一、单选题 1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2.二极管的主要特性是（）。 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在N型半导体中（）。 A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。 A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在（）。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。 A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿 10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.大于或等于 11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。 A.自由电子 B.空穴 C.硼元素 D.磷元素 12.三极管工作在放大区的条件是（）。 A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结正偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结反偏 13.下列关于半导体的说法正确的是（）。 A.P型半导体带正电，N型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态 C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用 D.以上说法都是错误的
第三章习题与参考答案
第三章习题与参考答案 3-1 输水管路的直径为150㎜输水量为981kN/hr 求断面平均流 速。 （答：1.57m/s ） 3-2 矩形风道的断面为300×400㎜2，风量为2700m 3/hr ，求断面 平均流速，若出风口断面缩小为150×700㎜2，该处的平均流速多大？ （答：6.25m/s,25.0m/s ） 3-3 一圆形风道，风量为10000 m 3/hr ，最大允许流速为20 m/s ， 试设计其直径（应为50㎜的整倍数）并核算其流速. (答：450㎜，17.5 m/s) ， 各为多大才能保证两支管的质量流量相等？ （答：s m v s m v /2.22,/1832==） 3-6 在4×4㎝2的空气压缩机进口管路中，空气的密度委1.2kg/m 3, 平均流速为4m/s ，经过压缩后，在直径为2.5cm 的圆管中，以 3m/s 的平均流速排出，求出口的空气密度和质量流量。 （答：5.22kg/m 3,7.68×10-3kg/s ）
3-7 试比较1和3点流速的大小：1）在等直径立管中，2）在渐 () () () 10107 1 0203; 2; 11? ?? ?????=????????=???? ?????????????=r y u u r y u u r y u u m m m 3-9 已知圆管中的流速分布曲线为7 1 0????????=r y u u m ，求流速等于平均 流速的点离壁面的距离。 c y （答：0242） 0r 3-10 求题（3-8）中各种情况的动能修正系数α值 （答：2，1.057，1.03） 3-11 圆喷嘴在圆管中喷射流体，流速分布如图，已知， mm d 501=
电子技术基础复习题及答案最新版本
电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C；(B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为（）
材基第三章习题及答案
第三章 作业与习题的解答 一、作业： 2、纯铁的空位形成能为105 kJ/mol 。将纯铁加热到850℃后激冷至室温（20℃），假设高温下的空位能全部保留，试求过饱和空位浓度与室温平衡空位浓度的比值。(e 31.8=6.8X1013） 6、如图2-56，某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为b 的位错环，并受到一均匀切应力τ。 （1）分析该位错环各段位错的结构类型。 （2）求各段位错线所受的力的大小及方向。 （3）在τ的作用下，该位错环将如何运动？ （4）在τ的作用下，若使此位错环在晶体中稳定 不动，其最小半径应为多大？ 解： （2）位错线受力方向如图，位于位错线所在平面，且于位错垂 直。 （3）右手法则（P95）：（注意：大拇指向下，P90图3.8中位错 环ABCD 的箭头应是向内，即是位错环压缩）向外扩展（环扩大）。 如果上下分切应力方向转动180度，则位错环压缩。 (4) P103-104： 2sin 2d ?τd T s b = θRd s =d ； 2/sin 2 θ?d d = ∴ τ ττkGb b kGb b T R ===2 注：k 取0.5时，为P104中式3.19得出的结果。 7、在面心立方晶体中，把两个平行且同号的单位螺型位错从相距100nm 推进到3nm 时需要用多少功（已知晶体点阵常数a=0.3nm,G=7﹡1010Pa ）？ (31002100 32ln 22ππGb dr w r Gb ==?； 1.8X10-9J ） 8、在简单立方晶体的（100）面上有一个b=a[001]的螺位错。如果
它(a)被（001）面上b=a[010]的刃位错交割。(b)被（001）面上b=a[100]的螺位错交割，试问在这两种情形下每个位错上会形成割阶还是弯折？ （（a ）：见P98图3.21， NN ′在（100）面内，为扭折，刃型位错；(b)图3.22，NN ′垂直（100）面，为割阶，刃型位错） 9、一个 ]101[2- =a b 的螺位错在（111）面上运动。若在运动过程中遇 到障碍物而发生交滑移，请指出交滑移系统。 对FCC 结构：（1 1 -1）或写为（-1 -1 1） 10、面心立方晶体中，在（111）面上的单位位错]101[2-=a b ，在（111） 面上分解为两个肖克莱不全位错，请写出该位错反应，并证明所形成的扩展位错的宽度由下式给出： γπ242 b G d s ≈ 应为 γπ242a G d s ≈ （G 为切变模量，γ为层错能） （P116式3.33，两个矢量相乘的积=|b1|˙|b2|˙cos(两矢量夹角) 11、在面心立方晶体中，（111）晶面和）（- 111晶面上分别形成一个扩展位错： （111）晶面：]211[6]112[6]110[2----+→a a a =A+B )111(- 晶面：]211[6]211[6]011[2a a a +→-=C+D 两个扩展位错在各自晶面上滑动时，其领先位错相遇发生位错反应，求出新位错的柏氏矢量；用图解说明上述位错反应过程；分析新位错的组
习题答案电子技术基础与技能资源
习题答案电子技术基础与技能资源 1.填空题 （1）单向导电 导通 截止 （2）硅管 锗管 0.6~0.7 0.2~0.3 （3）最大整流电流 最高反向工作电压 （4）将电信号转换成光信号 将光信号转换成电信号 （5）将交流电网电压转换成为稳固的直流电压 （6）桥式整流 （7）将交流电变成单向脉动直流电 将脉动的直流电转换成较平滑的直流电 2.判定题 （1）（ √ ） （2）（ × ） （3）（ √ ） （4）（ √ ） （5）（ √ ） （6）（ √ ） 3.选择题 （1）C （2）B （3）B （4）C （5）A （6）D （7）C 4.分析与运算 解：a)VT 导通。Uao=－9V b)VT1导通，VT2截止。Uao=0V c)VT2导通，VT1截止。Uao=－4.5V 5.画图题 略 第1章 测试题一解答 1.填空题 （1）导体 绝缘体 （2）本征半导体 （3）P 型 （4）负极 正极 （5）反向击穿 （6）反向 （7）反偏 （8）半波整流 2.判定题 （1）（ × ） （2）（ × ） （3）（ × ） （4）（ √ ） （5）（ × ） （6）（ × ） 3.选择题 （1）C （2）C （3）D （4）A 4.分析与运算 （1）解：依照二极管的正向伏安特性曲线可知，若按此接法，由于电源本身内阻专门小，1.6V 电压几乎全加在二极管两端，通过二极管的电流会专门大，容易烧坏二极管，电源也会因过热而损坏，因此不承诺把二极管按此方法连接。 （2）解：8种接法；5个不同值，16V 、8.7V 、1.4V 、8V 、0.7V 。 （3）解：VD1、VD4接反，电容C 极性接反。 （4）解：V V U U O 1081209.09.02=?==； 空载时V V U U O 1681204.122=?≈=； 二极管承担反向电压可达168V 。 第1章 测试题二解答 1.填空题 （1）空穴 （2）0.5 0.2
第三章习题及答案
六．补充练习题 （一）单项选择题 1．以下各项目属于会计科目的有（） A．欠供应单位料款B．所有者投资 C．银行存款D．未分配利润 2．对会计要素进行分类核算的工具是（） A．会计科目B．账户 C．会计科目和账户D．会计科目或账户 3．会计科目是（） A．会计报表的名称B．会计账户的名称 C．会计账簿的名称D．会计要素的名称 4．每一项经济业务的发生，都会影响（）账户发生增减变化。 A．一个B．两个 C．两个或更多D．全部 5．对每个账户来说，在某一时刻其期末余额（） A．只能在借方B．只能在账户的一方 C．只能在贷方D．可能在借方和贷方 6．按照借贷记账法的记账规则记账，资产类账户的借方发生额和贷方发生额（）A．总是相等的B．总是不等的 C．借方发生额一定大于贷方发生额 D．两者之间没有必然的对应关系 7．被世界各国普遍采用的复式记账法是（） A．增减记账法B．收付记账法 C．单式记账法D．借贷记账法 8．采用复式记账的方法，主要为了（） A．便于登记账簿B．全面地、相互联系地反映资金运动的来龙去脉 C．提高会计工作效率D．便于会计人员的分工协作 9．在借贷记账法下，应付账款账户的贷方表明（） A．企业债权的增加B．企业债务的减少 C．企业债务的增加D．企业债权的减少 10．在借贷记账法下，负债类账户的借方表明（） A．企业债权的增加B．企业债务的减少 C．企业债务的增加D．企业债权的减少 11．下列账户中本期发生额减少登记在借方的是（） A．管理费用B．财务费用 C．短期借款D．制造费用 12．本月共购入材料5 000元，各车间部门领用3 500元，退回200元，月末结存为2 000元，则材料上月结存应为（） A．300元B．700元 C．500元D．900元 13．账户发生额试算平衡公式存在的依据是（） A．借贷记账法的记账规则B．经济业务的内容 C．静态会计方程式D．动态会计方程式 14．采用借贷记账法，哪方记增加、哪方记减少，是根据（）
中国近代史纲要第三章习题参考答案
第三章习题参考答案 第三章辛亥革命与君主专制制度的终结 一、单项选择题 1.B 2.C 3.C 4.C 5.A 6.C 7.C 8.D 9.D 10.C 11.B 12.B 13.C 14.A 15.B 16.B 17.B 18.B 19.D 20.C 21.D 22. A 23. C 24. A 25.C 26.D 27. D 28.C 29. A 30. B 31. A 二、多项选择题 1. ABCD 2. ABCD 3. AB 4. ABD 5.BCD 6. ABCD 7. ABD 8.ABC 9.CD 10. ABD 11. ABC 12.BCD 13.BCD 14.ABC 15.ABCD 16.ABCD 17.ABC 18.AC 三、简答题 1.简述资产阶级革命派形成的阶级基础 参考答案：19 世纪末20 世纪初，中国民族资本主义得到了初步的发展。随着民族资本主义企业发展数量的增多和规模的扩大，民族资产阶级及与它相联系的社会力量也有了较大的发展。民族资产阶级为了冲破帝国主义、封建主义的桎梏，发展资本主义，需要自己政治利益的代言人和经济利益的维护者。这正是资产阶级革命派形成的阶级基础。 2.简述资产阶级革命派所进行的宣传和组织工作 答：历史进入20 世纪，随着一批新兴知识分子的产生，各种宣传革命的书籍报刊纷纷涌现，民主革命思想得到广泛传播。 1903 年，章炳麟发表了《驳康有为论革命书》，反对康有为的保皇观点，强调中国人民完全有能力建立民主共和制度。邹容创作了《革命军》，阐述在中
国进行民主革命的必要性和正义性，号召人民推翻清朝统治，建立“中华共和国”。陈天华创作了《警世钟》、《猛回头》两本小册子，痛陈帝国主义侵略给中国带来的沉重灾难，揭露清政府已经成了帝国主义统治中国的工具，号召人民推翻清政府。 在资产阶级革命思想的传播过程中，资产阶级革命团体也在各地相继成立。从1904 年开始，出现了10 多个革命团体，其中重要的有华兴会、科学补习所、光复会等。这些革命团体的成立为革命思想的传播及革命运动的发展提供了不可缺少的组织力量。 3.三民主义学说的基本内容是什么？ 答：“三民主义”即名族主义、民权主义、民生主义三大主义。 民族主义民族主义包括“驱除鞑虏，恢复中华”，两项内容。一是要以革命手段推翻清朝政府，改变它一贯推行的民族歧视和民族压迫政策；二是追求独立，建立民族独立的国家。 民权主义民权主义的内容是“创立民国”，即推翻封建君主专制制度，建立资产阶级民主共和国。 民生主义民生主义即“平均地权”，也就是社会革命，它主张核定全国地价，其现有之地价，仍属原主，革命后的地价，则归国家，为民共享。国家还可以按原定地价收买地主的土地。 4.简述三民主义的影响 答：三民主义学说初步描绘出中国的资产阶级共和国方案，是一个比较完整而明确的资产阶级民主革命纲领。它的提出，对推动革命的发展产生了重大而积极的影响。 5.资产阶级革命派和改良派关于革命与改良的辩论的主要内容和意义是什么？ 答：资产阶级革命派和改良派关于革命与改良的辩论的主要内容是要不要以革命手段推翻清王朝; 要不要推翻帝制，实行共和；要不要社会革命。
电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N 区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错） 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错） 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（C）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
第三章 习题参考答案与提示
第三章习题参考答案与提示 第三章随机变量的数字特征习题参考答案与提示1．设随机变量X的概率分布为X －3 0 1 5 p 试求EX。 答案与提示：2EX=。 2．已知随机变量X的分布列为 X 0 1 2 3 k P p 求：（1）常数p ；（2）数学期望EX；（3）方差。DX 答案与提示：（1）由归一性，=p； （2）； = （3） = 3．已知随机变量X的分布列为 X 0 1 2 pp 求：（1）数学期望；（2）方差。2)1(?XE2)1(?XD 答案与提示：由归一性，=p； （1）； (1)?= 8 （2） (1)?= 4．已知连续型随机变量X的概率分布为???<<=其它,080,8/1)(xxf 求X的数学期望。 答案与提示：4EX= 5．设随机变量X服从拉普拉斯分布，其分布密度为αβα21)(=exf，0>α（+∞<<∞?x）。 求X的数学期望。
答案与提示：该题要求熟练掌握计算连续型随机变量的数学期望的公式。EXβ=。—1— 第三章习题参考答案与提示 6．设随机变量X的概率密度为 ?????≤
第三章习题和思考题参考答案
第三章习题和思考题 一、填空题 1、对于指令XCHG BX, [BP+SI]，如果指令执行前，(BX)=6F30H,(BP)=0200H,(SI)=0046H,(SS)=2F00H,(2F246H)=154H,(2F247H)=41 H,则执行指令后：(BX)=__4154H__，(2F246H)=___30H______，(2F247H)=___6FH____。 2、指令LOOPZ/LOOPE是结果_为零_且_相等发生转移的指令；而指令LOOPNZ/LOOPNE则是结果__不为零__且____不相等___发生转移的指令。 3、串操作指令规定源串在____数据_____段中，用__SI___来寻址源操作数；目的串在__附加__段中，用__DI__来寻址目的操作数。 4.、中断返回指令IRET后，从堆栈顺序弹出3个字分别送到___IP____、__CS_____、____标志寄存器FR____。 5、设(SS)=0FFA0H,(SP)=00B0H,(AX)=8057H,(BX)=0F79H，执行指令PUSH AX 后，(SP)=__00AEH________;若再执行指令： PUSH BX POP AX 后，(SP)=__00AEH________，(AX)=____0F79H________，(BX)=___0F79H_____。 6、设(SS)=2250H，(SP)=0140H，若在堆栈中存入5个数据，则栈顶的物理地址为___22636H________，如果再从堆栈中取出3个数据，则栈顶的物理地址为_____2263CH____。 7、M OV AL, ‘A’指令的源操作数的寻址方式为__立即寻址方式________。 8、指出下列指令源操作数的寻址方式： (1).MOV AX, BLOCK[SI] 寄存器相对寻址方式 (2).MOV AX, [SI] 寄存器间接寻址方式 (3).MOV AX, [6000H] 直接寻址 (4).MOV AX, [BX+SI] 基址变址寻址 (5).MOV AX, BX 寄存器寻址 (6).MOV AX, 1500H 立即寻址 (7).MOV AX, 80[BX+DI] 相对基址变址 (8).MOV AX, [DI+60] 寄存器相对寻址 9、以CX寄存器内容为计数对象的指令有循环控制指令和串操作重复指令。
第三章习题作业参考答案
第三章晶体空间格子的晶向及晶面的标定 练习题1. 以下两个平面点阵图案，画出其空间格子： 练习题2.六方点阵中布拉菲格子的先取： 练习题3. 请判断NaCl和CsCl晶体的格子类型： 氯化钠是面心立方格子、氯化铯属于简单立方格子。 练习题4. 晶向标定 (1)请在上图中标出晶向[001], [101], [110], [1-10], [1-11], [112]及[12-3]。 (2) 指出晶向族<111>包括哪几个晶向。 [111]、[-111]、[1-11]、[11-1]、[-1-1-1]、[1-1-1]、[-11-1]、[-1-11]
说明“-1”的负号应放于1的正上方，以下类同。 练习题5. 二维晶面标定 练习题6.三维晶面标定 练习题7. 请在图中画出面(001), (101), (1-11), (112)及(12-3) 练习题8. 四轴坐标系晶面标定 (1) 请把图中三个彩色晶面用三指数和四指数表示，如上图。 (2)请在右图画出(-112), (-1100), (11-20), (123), (12-33)等面。
(-112) (-1100) (11-20) (123) (12-33) 练习题9. 四轴坐标系晶向标定 (1) 请用三指数和四指数标定右图彩色晶向； 红色 绿色 蓝色 紫色 [041] [232] [210] [1-2-2] [-48-43] [14-56] [10-10] [4-51-6] (2) 请在上图中画出晶向[101], [11-1], [121], [1-11]，[-2111], [-12-11]。并指出哪些属于同一晶向簇。 [101] [11-1] [121] [1-11] [-2111] [-12-11] [11-1]、[1-11]属于<111>晶向族；[-2111]、[-12-11]属于<2111>晶向族。
第三章 课后习题及答案
第三章自我意识课后习题及答案 一、理论测试题 （一）不定项项选择题 1．自我意识是对自己身心活动的觉察，即自己对自己的认识，具体包括（）。A．生理状况 B．心理特征 C．自己与他人关系 D．他人 2．（）是自我意识在情感方面的表现，主要包括自尊心、自信心。 A．自我认识 B．自我体验 C．自我调节 D．自我控制 3．对于自卑感很强的学生，教师可以从（）两方面来给予必要的指导。 A．系统脱敏 B．认知矫正 C．行为训练 D．森田疗法 4．中学生出现自负、自卑、逆反、自我中心等问题，归根结底是（）需要发展。A．自我观察 B．自我体验 C．自我评价 D．自我意识 （二）简答题 1．中学生自我意识的特点有哪些? 2．简答自我意识的结构。 3．影响个体自我意识发展的因素有哪些？ 4．对于自负的中学生，我们可以从哪些方面进行调节?
5．对于自我中心的学生，我们可以从哪些方面进行调节？ 二、实践操作题 （一）材料分析题 1.刚上初中，贾珍就发生了很大的变化，变得妈妈都有点不认识她了。她不像以前那样活泼外向了，有的时候，她好像郁郁寡欢，心事重重。小的时候，不论学校里发生了什么，贾珍总像“实况转播”似的在家叙述一遍。吃饭的时候，爸爸妈妈就听她不停地说呀说，连插话的机会都没有。可现在，贾珍不在饭桌上讲学校的事了，即使有时妈妈问起来，她也只是敷衍几句，一幅爱理不理的样子。吃完饭，就把自己锁在她的小屋子里，在一个小本子上写啊写的。那个本子可是贾珍的宝贝，她还特意买了一把小锁把它锁在自己的抽屉里，爸爸妈妈是难得一见的。贾珍有时写着写着，还会莫名其妙地流出几滴眼泪；有时又什么也不做，就那么望着窗外待一下午。别看贾珍在家里的话越来越少，和朋友在一起的时候可不是这样，有一次妈妈在下班路上看到她和几个要好的“姐妹”在一起，那眉飞色舞的样子绝对是家里见不到的……贾珍的妈妈真搞不懂女儿，她这是怎么了？ 2.俞敏洪是北京地区最大的出国留学培训机构——新东方教育集团的董事长，他被众多高校学子称为“留学教父”。新东方学校累计培训学员30多万，在出国留学培训领域取得了极大的成功。就是这样的一个人，他也曾深深的自卑过。他出生在江苏农村，参加过1978、1979、1980年三次高考才考上北大。上大学后，他性格内向、不善言谈、而且不会说普通话，甚至连开口和别人讲话都不敢。开学的时候，他看到同学在看小说《约翰·克里斯朵夫》，由于之前没看过，就问同学：“你看的是什么呀？”当时，同学睁大眼睛，仿佛是在看外星人，半天才说：“这本书你都不知道？”话语中充满了惊讶和鄙夷。大三的时候，他得了肺结核，休学一年治病，他又把自己贴上了“肺结核病人”的标签，更加自卑。俞敏洪在感觉自己的不足后，刻苦读书，经常去北大图书馆看书，后来他们宿舍的同学开始向他询问问题了。再后来，俞敏洪获得了极大的成功。 （二）心理辅导设计 请为初中生设计一个30分钟左右的心理辅导方案，有助于提升初中生的自我了解及相互了解。