p-n复合半导体光催化剂研究进展
作者:吴欢文;张宁;钟金莲;洪三国
作者机构:南昌大学理学院化学系,江西,南昌,330031;南昌大学理学院化学系,江西,南昌,330031;南昌大学理学院化学系,江西,南昌,330031;南昌大学理学院化学系,江西,南昌,330031
来源:化工进展
ISSN:1000-6613
年:2007
卷:026
期:012
页码:1669-1674
页数:6
中图分类:O643.31;TB33;TQ426
正文语种:chi
关键词:光催化剂;p-n复合半导体光催化剂;p-n结光催化剂;光催化二极管;复合界面
摘要:综述了p-n复合半导体光催化剂的光催化原理及研究现状.根据p-型材料种类,将p-n复合半导体光催化剂分为4类:p-型半导体材料为镍氧化物、p-型半导体材料为钴氧化物、p-型半导体材料铜氧化物及由其它p-型半导体材料组成的"p-n结型"、"二极管"式p-n复合半导体光催化剂,分别对其研究状况进行了介绍.提出了当前p-n复合半导体光催化剂研究中存在的一些问题,并对未来的研究方向进行了探讨.