集成电路IC设计完整流程详解及各个阶段工具简介

IC设计完整流程及工具

IC的设计过程可分为两个部分，分别为：前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计），这两个部分并没有统一严格的界限，凡涉及到与工艺有关的设计可称为后端设计。

前端设计的主要流程：

1、规格制定

芯片规格，也就像功能列表一样，是客户向芯片设计公司（称为Fabless，无晶圆设计公司）提出的设计要求，包括芯片需要达到的具体功能和性能方面的要求。

2、详细设计

Fabless根据客户提出的规格要求，拿出设计解决方案和具体实现架构，划分模块功能。

3、HDL编码

使用硬件描述语言（VHDL，Verilog HDL，业界公司一般都是使用后者）将模块功能以代码来描述实现，也就是将实际的硬件电路功能通过HDL语言描述出来，形成RTL（寄存器传输级）代码。

4、仿真验证

仿真验证就是检验编码设计的正确性，检验的标准就是第一步制定的规格。看设计是否精确地满足了规格中的所有要求。规格是设计正确与否的黄金标准，一切违反，不符合规格要求的，就需要重新修改设计和编码。设计和仿真验证是反复迭代的过程，直到验证结果显示完全符合规格标准。仿真验证工具Mentor公司的Modelsim，Synopsys的VCS，还有Cadence的NC-Verilog均可以对RTL级的代码进行设计验证，该部分个人一般使用第一个-Modelsim。该部分称为前仿真，接下来逻辑部分综合之后再一次进行的仿真可称为后仿真。

5、逻辑综合――Design Compiler

仿真验证通过，进行逻辑综合。逻辑综合的结果就是把设计实现的HDL代码翻译成门级网表netlist。综合需要设定约束条件，就是你希望综合出来的电路在面积，时序等目标参数上达到的标准。逻辑综合需要基于特定的综合库，不同的库中，门电路基

本标准单元（standard cell）的面积，时序参数是不一样的。所以，选用的综合库不一样，综合出来的电路在时序，面积上是有差异的。一般来说，综合完成后需要再次做仿真验证（这个也称为后仿真，之前的称为前仿真）逻辑综合工具Synopsys的Design Compiler，仿真工具选择上面的三种仿真工具均可。

6、STA

Static Timing Analysis（STA），静态时序分析，这也属于验证范畴，它主要是在时序上对电路进行验证，检查电路是否存在建立时间（setup time）和保持时间（hold time）的违例（violation）。这个是数字电路基础知识，一个寄存器出现这两个时序违例时，是没有办法正确采样数据和输出数据的，所以以寄存器为基础的数字芯片功能肯定会出现问题。STA工具有Synopsys的Prime Time。

7、形式验证

这也是验证范畴，它是从功能上（STA是时序上）对综合后的网表进行验证。常用的就是等价性检查方法，以功能验证后的HDL设计为参考，对比综合后的网表功能，他们是否在功能上存在等价性。这样做是为了保证在逻辑综合过程中没有改变原先HDL描述的电路功能。形式验证工具有Synopsys的Formality。前端设计的流程暂时写到这里。从设计程度上来讲，前端设计的结果就是得到了芯片的门级网表电路。

Backend design flow后端设计流程：

1、DFT

Design ForTest，可测性设计。芯片内部往往都自带测试电路，DFT的目的就是在设计的时候就考虑将来的测试。DFT的常见方法就是，在设计中插入扫描链，将非扫描单元（如寄存器）变为扫描单元。关于DFT，有些书上有详细介绍，对照图片就好理解一点。DFT工具Synopsys的DFT Compiler

2、布局规划(FloorPlan)

布局规划就是放置芯片的宏单元模块，在总体上确定各种功能电路的摆放位置，如IP模块，RAM，I/O引脚等等。布局规划能直接影响芯片最终的面积。工具为Synopsys 的Astro

3、CTS

Clock Tree Synthesis，时钟树综合，简单点说就是时钟的布线。由于时钟信号在数字芯片的全局指挥作用，它的分布应该是对称式的连到各个寄存器单元，从而使时钟

从同一个时钟源到达各个寄存器时，时钟延迟差异最小。这也是为什么时钟信号需要单独布线的原因。CTS工具，Synopsys的Physical Compiler

4、布线(Place & Route)

这里的布线就是普通信号布线了，包括各种标准单元（基本逻辑门电路）之间的走线。比如我们平常听到的工艺，或者说90nm工艺，实际上就是这里金属布线可以达到的最小宽度，从微观上看就是MOS管的沟道长度。工具Synopsys的Astro

5、寄生参数提取

由于导线本身存在的电阻，相邻导线之间的互感,耦合电容在芯片内部会产生信号噪声，串扰和反射。这些效应会产生信号完整性问题，导致信号电压波动和变化，如果严重就会导致信号失真错误。提取寄生参数进行再次的分析验证，分析信号完整性问题是非常重要的。工具Synopsys的Star-RCXT

6、版图物理验证

对完成布线的物理版图进行功能和时序上的验证，验证项目很多，如LVS（Layout Vs Schematic）验证，简单说，就是版图与逻辑综合后的门级电路图的对比验证；DRC （Design Rule Checking）：设计规则检查，检查连线间距，连线宽度等是否满足工艺要求，ERC（Electrical Rule Checking）：电气规则检查，检查短路和开路等电气规则违例；等等。工具为Synopsys的Hercules实际的后端流程还包括电路功耗分析，以及随着制造工艺不断进步产生的DFM（可制造性设计）问题，在此不说了。物理版图验证完成也就是整个芯片设计阶段完成，下面的就是芯片制造了。物理版图以GDSII的文件格式交给芯片代工厂（称为Foundry）在晶圆硅片上做出实际的电路，再进行封装和测试，就得到了我们实际看见的芯片。

芯片的制造工艺流程

芯片的制造 半导体产业最上游是IC设计公司与硅晶圆制造公司，IC 设公司计依客户的需求设计出电路图，硅晶圆制造公司则以多晶硅为原料制造出硅晶圆。中游的IC制造公司主要的任务就是把IC设计公司设计好的电路图移植到硅晶圆制造公司制造好的晶圆上。完成后的晶圆再送往下游的IC封测厂实施封装与测试，即大功告成！ (1)硅晶圆制造 半导体产业的最上游是硅晶圆制造。事实上，上游的硅晶圆产业又是由三个子产业形成的，依序为硅的初步纯化→多晶硅的制造→硅晶圆制造。 a硅的初步纯化 将石英砂(SiO2)转化成冶金级硅(硅纯度98%以上)。 b多晶硅的制造 将冶金级硅制成多晶硅。这里的多晶硅可分成两种：高纯度(99.999999999%，11N)与低纯度(99.99999%，7N)两种。高纯度是用来制做IC等精密电路IC，俗称半导体等级多晶硅；低纯度则是用来制做太阳能电池的，俗称太阳能等级多晶硅。 c硅晶圆制造 将多晶硅制成硅晶圆。硅晶圆又可分成单晶硅晶圆与多晶硅晶圆两种。一般来说，IC制造用的硅晶圆都是单晶硅晶

圆，而太阳能电池制造用的硅晶圆则是单晶硅晶圆与多晶硅晶圆皆有。一般来说，单晶硅的效率会较多晶硅高，当然成本也较高。 (2)IC设计 前面提到硅晶圆制造，投入的是石英砂，产出的是硅晶圆。IC设计完成后，产出则是电路图，最后制成光罩送往IC 制造公司，设计就告一段落了！ 不过，要让理工科以外的人了解IC设计并不是件容易的事(就像要让念理工的人了解复杂的衍生性金融商品一样)，作者必需要经过多次外出取材才有办法办到。这里先大概是一下观念，请大家发挥一下你们强大的想像力！ 简单来讲，IC设计可分成几个步骤，依序为：规格制定→逻辑设计→电路布局→布局后模拟→光罩制作。 a规格制定 品牌厂或白牌厂(没有品牌的品牌厂)的工程师和IC设计工程师接触，并开出他们需要的IC的规格给IC设计工程师。讨论好规格后，工程师们就开始工作了！ b逻辑设计 所谓的“逻辑”设计图，就是指它是由简单的逻辑元件构成，而不是由半导体种类电路元件(如二极体、电晶体等)所构成。什么是逻辑元件呢？像是AND Gate(故名思意，两个输入都是1的话，输出才是1，否则输出就是0)，OR Gate(两

芯片设计和生产流程

芯片设计和生产流程 大家都是电子行业的人，对芯片，对各种封装都了解不少，但是你 知道一个芯片是怎样设计出来的么？你又知道设计出来的芯片是 怎么生产出来的么？看完这篇文章你就有大概的了解。 复杂繁琐的芯片设计流程 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的IC芯片（这些会在后面介绍）。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。但是IC设计中的建筑师究竟是谁呢？本文接下来要针对IC设计做介绍。 在IC生产流程中，IC多由专业IC设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel等知名大厂，都自行设计各自的IC芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC是由各厂自行设计，所以IC设计十分仰赖工程师的技术，工程师的素质影响着一间企业的价值。然而，工程师们在设计一颗IC芯片时，究竟有那些步骤？设计流程可以简单分成如下。

设计第一步，订定目标 在IC设计中，最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要几间房间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进行设计，这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC设计也需要经过类似的步骤，才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。 规格制定的第一步便是确定IC的目的、效能为何，对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合，像无线网卡的芯片就需要符合IEEE802.11等规範， 不然，这芯片将无法和市面上的产品相容，使它无法和其他设备连线。最后则是

确立这颗IC的实作方法，将不同功能分配成不同的单元，并确立不同单元间连结的方法，如此便完成规格的制定。 设计完规格后，接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的规画，将整体轮廓描绘出来，方便后续制图。在IC芯片中，便是使用硬体描述语言（HDL）将电路描写出来。常使用的HDL有Verilog、VHDL等，藉由程式码便可轻易地将一颗IC地功能表达出来。接着就是检查程式功能的正确性并持续修改，直到它满足期望的功能为止。 ▲32bits加法器的Verilog范例。 有了电脑，事情都变得容易 有了完整规画后，接下来便是画出平面的设计蓝图。在IC设计中，逻辑合成这个步骤便是将确定无误的HDL code，放入电子设计自动化工具（EDA tool），让电脑将HDL code转换成逻辑电路，产生如下的电路图。之后，反

IC 芯片设计制造到封装全流程

一、复杂繁琐的芯片设计流程 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的 IC 芯片(这些会在后面介绍)。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。但是IC 设计中的建筑师究竟是谁呢?本文接下来要针对IC 设计做介绍。 在IC 生产流程中，IC 多由专业 IC 设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel 等知名大厂，都自行设计各自的 IC 芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC 是由各厂自行设计，所以 IC 设计十分仰赖工程师的技术，工程师的素质影响着一间企业的价值。然而，工程师们在设计一颗 IC 芯片时，究竟有那些步骤?设计流程可以简单分成如下。 设计第一步，订定目标 在IC 设计中，最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要几间房间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进行设计，这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC 设计也需要经过类似的步骤，才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。

规格制定的第一步便是确定 IC 的目的、效能为何，对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合，像无线网卡的芯片就需要符合IEEE 802.11 等规范，不然，这芯片将无法和市面上的产品相容，使它无法和其他设备连线。最后则是确立这颗IC 的实作方法，将不同功能分配成不同的单元，并确立不同单元间连结的方法，如此便完成规格的制定。 设计完规格后，接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的规画，将整体轮廓描绘出来，方便后续制图。在IC 芯片中，便是使用硬体描述语言(HDL)将电路描写出来。常使用的 HDL 有Verilog、VHDL 等，藉由程式码便可轻易地将一颗IC 地功能表达出来。接着就是检查程式功能的正确性并持续修改，直到它满足期望的功能为止。 ▲ 32 bits 加法器的Verilog 范例 有了电脑，事情都变得容易 有了完整规画后，接下来便是画出平面的设计蓝图。在IC 设计中，逻辑合成这个步骤便是将确定无误的HDL code，放入电子设计自动化工具(EDA tool)，让电脑将 HDL code 转换成逻辑电路，产生如下的电路图。之后，反覆的确定此逻辑闸设计图是否符合规格并修改，直到功能正确为止。

业务流程图画法教程

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芯片制作工艺流程

芯片制作工艺流程 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化 Si(固) + O2 à SiO2(固) 湿法氧化 Si(固) +2H2O à SiO2(固) + 2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10 -- 10E+11/cm –2 .e V -1 数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1 常压CVD (Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反

如何绘制业务流程图

如何绘制业务流程图 作者：Heidi格物志，发布于2012-7-11 图1：用即时贴与白板做的简单流程图 前言：近来一段时间，忙于整理业务流程图，期间，关于流程图的绘制方法和工具也与内部团队和外部做了心得交流，恰好，个人生活也牵涉在买房，婚礼，户口迁移等流程中。不知不觉，伴随着实践与反思，个人所得的系统知识趋于完整，今儿天气极好，坐在飘窗一隅，听着间或几声鸟鸣歌唱，偶尔瞥一眼窗外的遍地绿荫，真真觉得是个写点什么的日子。所以就整理成文，如果恰好对你有所帮助，那是真真好的。 真实整理的流程牵涉到公司未公布的计划，不好公开，所以在本文中会借助一个简单的案例替代（这个案例呢，也就是计划写本文前30分分钟才想到的，如有考虑不周，请各位见谅），但是仅传达概念和方法，倒也足够了。恩，甄環体告一段落，咱们开始吧。 本文会包含几块内容： 1. 什么是流程图？流程图和其他图表（如线框图，概念图，架构图，用例图）有什么不同？ 2. 为什么需要流程图？ 3. 流程图的分类？

4. 如何绘制流程图？ 5. 流程图绘制工具 视篇幅情况，会在行文时略加划分为系列，敬请关注并多多交流。 第一部分：什么是流程图？ 1. 定义 了解一个事情，我习惯从它的定义开始。至于为什么，可以参见我之前的博客文章 https://www.wendangku.net/doc/0f4880297.html,/161709085.html 我们因为厌恶十年教育，厌恶背各种定理和定义，所以我发现生活中和工作中很多人都很讨厌给一个事情下定义以及去参考定义。所以你会发现很多人在一起争吵得不可开交，仔细去听，原来是鸡同鸭讲，根本不在一个频道上。对于一个事情的描述，没有一个共同的语言，没有所谓的术语。有定义很好办，你们共同引用一个定义，发现定义有问题，OK，去补充这个定义，并扩展到更多的人群。当然，任何事情过犹不及，我们相互提醒吧。 那什么是流程图呢？说文解字是一种了解定义的好方法。流程图=流程+图，如下图： 图2：流程图的定义 流程：Flow,是指特定主体为了满足特定需求而进行的有特定逻辑关系的一系列操作过程，流程是自然而然就存在的。但是它可以不规范，可以不固定，可以充满问题。所以就会造成看似没有流程。前不久，团队每个人对接一个业务团队去调研流程，反馈给我的流程有一些缺失。询问时，负责人反馈给我的答复是：这一块业务他们没有流程。其实严格意义上讲，业务已经开展，不可能没有流程，只是说没

芯片制作工艺流程

工艺流程 1)表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2)初次氧化 有热氧化法生成SiO2缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固) 湿法氧化Si(固)+2H2OàSiO2(固)+2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2)/(d ox)=(n ox)/(n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10--10E+11/cm–2.e V-1数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3)CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1常压CVD(Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3)反应炉；(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时，则基板倾斜；当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的

芯片设计流程详解

芯片设计流程详解 芯片，指的是内含集成电路的硅片，所以芯片又被称集成电路，可能只有2.5厘米见方大小，但是却包含几千万个晶体管，而较简单的处理器可能在几毫米见方的芯片上刻有几千个晶体管。芯片是电子设备中最重要的部分，承担着运算和存储的功能。 高大上的芯片设计流程 一颗芯片的诞生，可以分为设计与制造两个环节。芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出想要的IC 芯片，然而，没有设计图，拥有再强大的制造能力也无济于事。 在IC 生产流程中，IC 多由专业IC 设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel 等知名大厂，都自行设计各自的IC 芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。所以，IC设计是整个芯片成型最重要的一环。 先看看复杂繁琐的芯片设计流程： 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的IC 芯片（这些会在后面介绍）。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。 但是IC 设计中的建筑师究竟是谁呢？接下来要针对IC 设计做介绍： 在IC 生产流程中，IC 多由专业IC 设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel 等知名大厂，都自行设计各自的IC 芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC 是由各厂自行设计，所以IC 设计十分仰赖工程师的技术，工程师的素质影响着一间企业的价值。然而，工程师们在设计一颗IC 芯片时，究竟有那些步骤？设计流程可以简单分成如下。 设计第一步，定目标 在IC 设计中，最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要几间房间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进行设计，这样才

实验二、基于Visio 的组织结构和业务流程图

实验二、基于Visio 的组织结构和业务流程图信息系统分析与设计是方法、工具与技术三个部分的有机整体，本 章主要介绍信息系统分析与设计中常用工具的安装过程和基本操作，包 括Visio 2003软件、Rational Rose 。 一、实验目的 1. 掌握需求分析的内涵 2. 熟练绘制组织结构图 3. 掌握业务流程图的绘制方法。 二、实验器材 1．计算机一台。 2．Visio工具软件。 三、Visio 的安装实验 3.1.1 Visio 2003简介 Visio 2003 是一个图表绘制程序，它可以帮助用户描述复杂设想及系统的业务和技术图 表。使用 Visio 创建的图表可使用户将信息形象化，并能够以清楚简明的方式有效地交流信 息，这是只使用文字和数字所无法实现的。Visio 还可通过与数据源直接同步自动形象化数 据，以提供最新的图表；用户还可以对Visio 进行自定义，以满足组织的需要。 1.易于理解的概念、过程和关系 ◆使用Visio可以轻松创建业务和技术图表，以便仔细研究、组织和更好地理解 复杂的设想、过程和系统。 ◆通过拖曳预定义的Microsoft SmartShapes 符号可以很容易地组合图表。 ◆使用为特定专门学科而设计的工具，以满足贯穿整个组织的对业务和技术图表 绘制的要求。 ◆从现有数据可生成常见的图表类型。 ◆可以从Web 访问定期更新的区分上下文帮助和适用于特定任务的模板 2.清楚而有效地交流 ◆将设想、信息和系统形象化并与他人进行交流。 ◆要创建视觉效果丰富的图表，以给观众留下尽可能深刻的印象。 ◆可以小组的Microsoft Windows SharePoint 服务站点上共享工作区文件中的 图表。 ◆在Tablet PC 上，可使用数字墨迹以更自然的方式批注图表。 ◆可利用新增的审阅模式跟踪审阅者对形状和数字墨迹所做的批注与更改。 ◆利用改进后的Save as Web Page(另存为Web页)功能，在Web上发布和共享图表。

细说业务流程图的简单画法

细说业务流程图的简单画法 导语： 对于复杂的业务而言，想要提高整体的运作效率，不妨试试绘制一张业务流程图，可以用它帮助管理者查看和分析业务的状态。想要绘制业务流程图，就需要专业的软件来制作才行。本文会为你做进一步的介绍。 免费获取亿图图示软件：https://www.wendangku.net/doc/0f4880297.html,/edrawmax/ 制作业务流程图的软件有哪些？ 制作业务流程图的软件很多，比如word、PPT就可以画，但要选一个好用又专业的业务流程图软件的话，一定是亿图图示软件了。 这是一款跨平台使用的图形图表设计软件，兼容许多文件格式，可以一键导出PDF, office, 图片, HTML, Visio等格式。使用的是最简单的拖拽式操作，内置一套矢量的流程图符号，同时提供丰富的免费的业务流程图参考模板和实例。

亿图图示软件特色： 1、来自全球超过600万的用户选择下载安装。 2、支持多系统操作：亿图图示工作流程图图可以在Windows，Mac 和 Linux 上进行制作。 3、产品升级：亿图软件不断更新升级，重视用户体验度。 4、简单操作：一键式绘制工具帮助用户绘制快捷，方便使用者管理工作项目。 为什么使用亿图图示绘制业务流程图？

绘图小白可以访问亿图软件的动态帮助，点开它，你能找到亿图的产品研发团队准备的软件说明大全，说它是说明大全一点都不夸张，浏览一下就知道对软件功能介绍有多全面。 不少用户使用亿图绘制一份业务流程图时发现，亿图的功能是完全符合办公工具在用户心中的位置，可以用来做很多演示要用的图，可以添加很多很难画的图形：

专业的形状是必不可少的，基本流程图形状里具备了所有绘制流程图时需要用的形状： 业务流程图用到的符号很多，能够满足用户这个需求的软件很少。

芯片制作流程

芯片制作全过程 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况

HDL开发的流程和工具IC设计流程典型芯片开发步骤

HDL 开发的流程和工具IC 设计流程典型芯片开发步骤 HDL 开发的流程和工具+IC 设计流程+典型芯片开发步 2006-11-23 19:17:04| 分类： IC |字号订阅HDL 相关工具简介 HDL 即Hardware Description Language ，硬件描述语言，主要用来描术电子电路的结构、行为、功能和接口。采用HDL 语言描述电路与传统的利用原理图设计电路有很大的不同，主要特点如下：采用自顶向下的设计方式采用语言描述硬件多种输入方式存档、交流方便便于集体协作便于早期规划电脑辅助完成部分工作电路验证更完善 HDL 语言有多种，现最流行的是VHDL 和Verilog HDL ，并且各有其特点。一般认为VHDL 语法类似于Ada 语言，语法繁锁，关键字较长，学习较困难，对电路的行为描述能力较强，但对开关级电路描述能力不强；Verilog 则类似于C 语言，语法简洁，入门较易，对底层电路描述能力较强，但行为描述能力较VHDL 弱。但VHDL 和Verilog 的市场占有率相当，且各EDA 工具一般都支持两种语言，所以很难断言哪种语言将更有前途。目前两种语言都在发展当

中。最近用C 语言描述硬件电路也已加大了研究力度。 用HDL 语言开发电路一般分为几个阶段：HDL 语言输入、逻辑综合、仿真、布线,适配 这是FPGA/CPLD 开发中所用到的步骤，如果是集成电路开发，则不需适配，在布局、仿真完成后即可到制程厂生产。 输入较常用的输入方式是文本输入方式。一般的HDL 仿真、综合软件或FPGA/CPLD 厂家提供的集成开发环境都包含语法敏感的输入工具，不需要另外寻找。但也有例外，例如 Synopsys 的FPGA Express 就不带编辑器，给使用带来些许不变。Modelsim 所

IC芯片生产流程

IC芯片生产流程：从设计到制造与封装 2016-06-14 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的 IC 芯片（这些会在后面介绍）。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此，建筑师的角色相当重要。但是 IC 设计中的建筑师究竟是谁呢？本文接下来要针对 IC 设计做介绍。 在 IC 生产流程中，IC 多由专业 IC 设计公司进行规划、设计，像是联发科、高通、Intel 等知名大厂，都自行设计各自的 IC 芯片，提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为 IC 是由各厂自行设计，所以 IC 设计十分仰赖工程师的技术，工程师的素质影响着一间企业的价值。然而，工程师们在设计一颗IC 芯片时，究竟有那些步骤？设计流程可以简单分成如下。

设计第一步，订定目标 在 IC 设计中，最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前，先决定要几间房间、浴室，有什么建筑法规需要遵守，在确定好所有的功能之后在进行设计，这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC 设计也需要经过类似的步骤，才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。 规格制定的第一步便是确定 IC 的目的、效能为何，对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合，像无线网卡的芯片就需要符合 IEEE 802.11 等规範，不然，这芯片将无法和市面上的产品相容，使它无法和其他设备连线。最后则是确立这颗 IC 的实作方法，将不同功能分配成不同的单元，并确立不同单元间连结的方法，如此便完成规格的制定。 设计完规格后，接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的规画，将整体轮廓描绘出来，方便后续制图。在 IC 芯片中，便是使用硬体描述语言（HDL）将电路描写出来。常使用的 HDL 有 Verilog、VHDL 等，藉由程式码便可轻易地将一颗 IC 地功能表

IC集成电路设计工艺流程

集成电路设计工艺流程 晶体的生长 晶体切片成 wafer 晶圆制作 功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约 2um 的 Al2O3 和甘油混合液保护之 , 在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化 有热氧化法生成 SiO2 缓冲层，用来减小后续中 Si3N4 对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化 Si( 固 ) + O2 à SiO2( 固 ) 湿法氧化 Si( 固 ) +2H2O à SiO2( 固 ) + 2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当 SiO2 膜较薄时，膜厚与时间成正比。 SiO2 膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的 SiO2 膜，需要较长的氧化时间。 SiO2 膜形成的速度取决于经扩散穿过 SiO2 膜到达硅表面的 O2 及 OH 基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于 OH 基在 SiO2 膜中的扩散系数比 O2 的大。氧化反应， Si 表面向深层移动，距离为 SiO2 膜厚的 0.44 倍。因此，不同厚度的 SiO2 膜，去除后的 Si 表面的深度也不同。 SiO2 膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为 200nm ，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2) 。 SiO2 膜很薄时，看不到干涉色，但可利用 Si 的疏水性和 SiO2 的亲水性来判断 SiO2 膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。

芯片设计过程【芯片设计】

编者按 原文由小熊在线最先发表，介绍了navida公司设计图象处理芯片（GPU）的全过程，本站对文章中一些专业内容进行了修改和补充，让大家可以对大规模芯片设计的过程，以及FPGA在IC 设计中的作用，有一个形象的了解。 前言 人类对视觉信号天生的敏感决定了对图形处理硬件性能的渴求成了现阶段硬件产业最炙手可热的话题。与满足听觉的音频设备相比，现在的图形处理技术水平给图形处理还留有很大的发展空间，这就决定了这个产业的竞争充满了变数，在技术开发和市场推广策略上稍有不慎就会别别人赶超。为了应付激烈的行业竞争，设计出更高性能的图形处理芯片已经成为各个厂商保持自身竞争力水平最重要的手段。今天我就来大家做一次特殊的旅行，了解图形芯片设计研发的全过程，事实上现在绝大多数的芯片设计厂商都是依照这个程序来进行新品研发的。 确定研发方案和硬件语言描述 与任何一个靠生产产品谋求发展的企业一样，设计推出一款新的GPU 的第一步理所当然的是市场的调研和产品的开发规划。在这段时间内，未来产品的相关定位，主要占领的市场范围等话题都被提到桌面上讨论，这些问题讨论的结果最终将决定产品最终的研发方案的大体内容：研发成本，研发周期以及开发过程中需要的资源等等。 接下来就要在研发方案确定的大方向的技术上研究从生产工艺，芯片代工等具体的细节问题进行商议。在成本的限制范围内决定诸如集成晶体管数量等物理参数；紧接着就要在符合生产工艺的芯片代工厂中做出选择了，决定这个的因素很多，当然第一点是能提供生产芯片要求的工艺水平，比如0.15微米，0.13微米，甚至90纳米，其次是代工厂的产品质量和价格因素。当然很多时候芯片在设计的时候就计划使用比较超前的工艺，保证选择的代工厂（即芯片生产的公司比如 1

实验1 业务流程图

实验步骤 实验1 业务流程图 1、Microsoft Office Visio 2003中，“新建→流程图→基本流程图”。 2、调整画布，两种方法 3、设背景，CTRL+Z取消 4、点击画线后需要点击“指针工具”退出 5、右键可改线条粗细、颜色（右键-格式-线条） 实验2流程图、数据字典 1、启动Visio2003，文件——新建——业务进程——数据流图表——确定 实验3 学生信息管理系统设计与开发(1) 1、数据库-存储位置-确定-使用设计器（） 2、工具-关系- 3、建立联系：勾选实施参照完整性 心得体会： 对于管理信息系统这门课程，理论知识学习起来其实很抽象、不太能理解。通过学习管理信息系统的上机实验，我们将平时学到的理论知识与实际实践结合在一起，充分实现将理论知识运用于实践操作的目的。 管理信息系统上机实验巩固了我们的理论知识基础，提高了我们对理论知识的熟练程度，加深了我们对理论知识了理解，锻炼了我们的实践操作能力，使我们能做到学以致用、活学活用。 本次管理信息系统上机实验内容主要是业务流程图、数据流程图以及数据字典的绘制，

这三个部分的学习是紧密相连、环环相扣、循序渐进的；所以我们在学习的时候必须要一步一步脚踏实地的学习，每一步的学习不仅是本步骤的学习要求，更是为下一步骤的学习打好基础、做好铺垫。 这几周的上机实验，我们接触了visio2003。对于这个绘图软件我以前完全没有接触过visio，但是在老师的悉心的教学引导下，我们从毫无所知到能简单使用再到熟练使用，最后成功画出业务流程图、数据流程图。在这个学习过程中，我们有遇到难题的惆怅与不安；有解决问题的收获与欢乐。在做实验过程中，将书本上的理论知识融入实践运用，用理论知识支撑实践，充分实现理论与实践的结合。在遇到不懂得问题时，通过百度、询问同学老师等各种方式解决问题，在此过程中实现学以致用、活学活用，让我们体会到了运用知识、、讨论问题、解决问题的快乐。

全面易懂的芯片制造个人经验总结

第 4 章芯片制造概述 本章介绍芯片生产工艺的概况。（1）通过在器件表面生成电路元件的工艺顺序，来阐述4种最基本的平面制造工艺。（2）解释从电路功能设计图到光刻掩膜版生产的电路设计过程。（3）阐述了晶圆和器件的相关特性与术语。 晶圆生产的目标 芯片的制造，分为4个阶段：原料制作、单晶生长和晶圆的制造、集成电路晶圆的生产、集成电路的封装。 前两个阶段已经在前面第3章涉及。本章讲述的是第3个阶段，集成电路晶圆生产的基础知识。 集成电路晶圆生产(wafer fabrication)是在晶圆表面上和表面内制造出半导体器件的一系列生产过程。 整个制造过程从硅单晶抛光片开始，到晶圆上包含了数以百计的集成电路芯片。 晶圆生产的阶段 晶圆术语

下图列举了一片成品晶圆。 晶圆术语 晶圆表面各部分的名称如下： （1）器件或叫芯片（Chip，die，device，circuit，microchip，bar）：这是指在晶圆表面占大部分面积的微芯片掩膜。 （2）街区或锯切线（Scribe lines，saw lines，streets，avenues)：在晶圆上用来分隔不同芯片之间的街区。街区通常是空白的，但有些公司在街区内放置对准靶，或测试的结构。 （3）工程试验芯片（Engineering die，test die）：这些芯片与正式器件（或称电路芯片）不同。它包括特殊的器件和电路模块用于对晶圆生产工艺的电性测试。 （4）边缘芯片（Edge die）：在晶圆的边缘上的一些掩膜残

缺不全的芯片。由于单个芯片尺寸增大而造成的更多边缘浪费会由采用更大直径晶圆所弥补。 推动半导体工业向更大直径晶圆发展的动力之一就是为了减少边缘芯片所占的面积。 （5）晶圆的晶面（Wafer Crystal Plane）：图中的剖面标明了器件下面的晶格构造。此图中显示的器件边缘与晶格构造的方向是确定的。 （6）晶圆切面／凹槽（Wafer flats／notche）：图中的晶圆有主切面和副切面，表示这是一个 P 型 <100> 晶向的晶圆（参见第3章的切面代码）。300毫米晶圆都是用凹槽作为晶格导向的标识。 晶圆生产的基础工艺 集成电路芯片有成千上万的种类和功用。但是，它们都是由为数不多的基本结构（主要为双极结构和金属氧化物半导体结构，这些在后面介绍）和生产工艺制造出来的。 这类似于汽车工业，这个工业生产的产品范围很广，从轿车到推土机。然而，金属成型、焊接、油漆等工艺对汽车厂都是通用的。在汽车厂内部，这些基本的工艺以不同的方式被应用，以制造出客户希望的产品。 芯片制造也是一样，制造企业使用4种最基本的工艺方法，通过大量的工艺顺序和工艺变化制造出特定的芯片。 这些基本的工艺方法是：增层、光刻、掺杂和热处理。

业务流程图实验报告

业务流程图实验报告 篇一：管理信息系统实验报告(系统流程图设计)by王燕伟实验项目：指导教师：班级：学号：姓名：实验时间： 管理信息系统 实验报告 系统流程图设计 物流080王燕伟 XX.11 一、实验目的： 掌握管理信息系统分析与设计的基本理论与方法，并学会利用VisioXX软件来绘制各类系统流程图。 二、实验环境：Windows XP ，VisioXX 三、实验内容： 1、组织结构图的设计 各个企业都有自己的组织结构。在系统分析中，需要从企业机构的实际出发，观察组织进行横向和纵向划分的形态，充分了解信息流运作的组织基础，认识组织内部的沟通关系，用比较详细的组织结构图来描述这些关系，使人们了解承载信息流动的企业实体系统的构成。 绘制的某企业组织结构图如下： 2、业务流程图的设计 为了了解企业业务流程情况，尤其是复杂的业务流程如

何通过各个业务单位的工作任务和工作环节而最终实现的过程，往往要借助业务流程图等工具进行分析。业务流程分析有助于发现工作环节中的错误和疏漏。利用Visio软件绘制出的业务流程图使用尽可能简单的符号来描述组织中的业务进程和处理环节，准确、全面地反映业务流程的内容，比照图例易于阅读和理解。绘制的业务流程图如下：- 1 - 3、数据流程图的设计 数据流程图一般利用相对简单和统一的图形符号来描述企业信息系统中数据的处理流程。数据流程图一般包括四种成分要素：数据流、数据处理、外部实体和数据存储。它让我们从日常的物理流程及操作细节中抽象出信息沟通机制，用数据流的来源去向、处理过程和存储操作等来描述业务关系。同时，数据流程图采取自顶层想下层逐步求精的方法绘制而成，逐步细化地描述系统和子系统。 根据以下题目绘制考务管理系统数据流程图： （1）对考生送来的报名单进行检查：将不合格的报名单退回给考生；将合格的报名单编好准考证号，并将准考证送给考生； （2）汇总合格的考生报名单，送给阅卷站； （3）对阅卷站送来的成绩单进行检查，并根据考试中心制定的合格标准审定合格者；

芯片制造工艺流程

芯片制造工艺流程 芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其中晶片片制作过程尤为的复杂。下面图示让我们共同来了解一下芯片制作的过程，尤其是晶片制作部分。 首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的“图样” 1，芯片的原料晶圆 晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体需要的晶圆。 晶圆越薄，成产的成本越低，但对工艺就要求的越高。 2，晶圆涂膜

晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力，其材料为光阻的一种， 3，晶圆光刻显影、蚀刻 该过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则变软。通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。这是可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了，而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。 4、搀加杂质

将晶圆中植入离子，生成相应的P、N类半导体。 具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将这一流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来。这一点类似所层PCB板的制作制作原理。更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构。 5、晶圆测试 经过上面的几道工艺之后，晶圆上就形成了一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，组织一次针测试模式是非常复杂的过程，这要求了在生产的时候尽量是同等芯片规格构造的型号的大批量的生产。数量越大相对成本就会越低，这也是为什么主流芯片器件造价低的一个因素。

最全半导体IC制造流程(精)

《半导体IC制造流程》 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子组件(如晶体管、电容体、逻辑闸等,为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程,以微处理器(Microprocessor为例,其所需处理步骤可达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,动辄数千万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘量(Particle均需控制的无尘室(Clean-Room,虽然详细的处理程序是随着产品种类与所使用的技术有关;不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗(Cleaning之后,接着进行氧化(Oxidation及沈积,最后进行微影、蚀刻及离子植入等反复步骤,以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过Wafer Fab之制程后,晶圆上即形成一格格的小格,我们称之为晶方或是晶粒(Die,在一般情形下,同一片晶圆上皆制作相同的芯片,但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品;这些晶圆必须通过芯片允收测试,晶粒将会一一经过针测(Probe仪器以测试其电气特性,而不合格的的晶粒将会被标上记号(Ink Dot,此程序即称之为晶圆针测制程(Wafer Probe。然后晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒,接着晶粒将依其电气特性分类(Sort并分入不同的仓(Die Bank,而不合格的晶粒将于下一个制程中丢弃。 三、IC构装制程 IC构装制程(Packaging则是利用塑料或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC,此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin,称之为打线,作为与外界电路板连接之用。 四、测试制程

管理信息系统流程图

实验三业务流程图 [实验目的] 1.熟练绘制组织结构图 2.掌握业务流程图的绘制方法 [实验内容] 1.试根据下述业务过程画出物资订货的业务流程图：采购员从仓库收到缺货通知单以后，查阅订货合同单，若已订货，向供货单位发出催货请求，否则，填写订货单交供货单位，供货单位发出货物后，立即向采购员发出取货通知。 2.某工厂成品库管理的业务过程如下：成品库保管员按车间送来的入库单登记库存台帐。发货时，发货员根据销售科送来的发货通知单将成品出库，并发货，同时填写三份出库单，其中一份交给成品库保管员，由他按此出库单登记库存台帐，出库单的另外两联分别送销售科和会计科。试按此业务过程画出业务流程图。 1图： 2图:

实验三（二） [实验目的] 1.掌握业务流程图和业务流程图的绘制方法 [实验内容] 1.根据下述业务过程绘制业务流程图：采购部门准备采购单一式四份，第一张交给卖方；第二张交到收货部门，用来登记收货清单；第三张交给财会部门，登记应付账；第四张存档。到货时，收货部门按待收货清单校对货物是否齐全后填写收货单四张，其中第一张交财会部门，通知付款，第二张通知采购部门取货，第三张存档，第四张交给卖方。 2..绘制业务流程图。

销售科负责成品销售及成品库管理。该科计划员将合同登记入合同台账，并定期根据合同台账查询库存台账，决定是否可以发货。如果可以发货，则填写出库单交成品库保管员。保管员按出库单和由车间送来的入库单填写库存台账。出库单的另外两联分送计划员和财务科。计划员将合同执行情况登入合同台账。销售部门负责人定期进行销售统计并上报厂办。 2图： 1图：

实验四数据流程图 [实验目的] 掌握数据流程图的绘制 [实验内容] 1.某仓库管理系统按以下步骤进行信息处理 （1）保管员根据当日的出库单和入库单通过出入库处理去修改库存台帐；（2）统计打印程序根据库存台帐输出库存日报表； （3）在输入查询条件后，查询程序到库存台帐去查找，显示出查询结果。试按上述过程画出数据流程图。 2.某银行储蓄所存（取）款过程如下： 储户将填好的存（取）单及存折送交分类处理处。分类处理处按三种不同情况分别处理。如果存折不符或存（取）单不合格，则将存折及存（取）单直接退还储户重新填写；如果是存款，则将存折及存款单送交存款处处理。存款处理处取出底帐登记后，将存折退还给储户；如果是取款，则将存折及取款单送交取款处，该服务台取出底帐及现金，记帐后将存折与现金退给储户。从而完成存（取）