21世纪初微电子技术发展展望
综 述
21世纪初微电子技术发展展望
赵正平
(电子部第十三研究所,石家庄 050051)
摘要 综述了微电子领域中纳米技术、M E M S、Si和GaA s集成电路、微波 毫米波器件及宽禁带半导体技术目前的发展状况。在此基础上,对其在21世纪初期的发展做了展望。关键词 纳米技术 M E M S 集成电路 宽禁带半导体
Prospects for the M icroelectron ics a t the Beg i nn i ng
of Twen ty F irst Cen tury
Zhao Zhengp ing
(T he13th Institu te,M in istry of E I,S h ij iaz huang050051)
Abstract T he cu rren t statu s of nano techno logy,M E M S,Si and GaA s I C,m icrow ave m illi m eter w ave devices as w ell as w ide bandgap sem iconducto r techno logy in m icroelec2 tron ics are review ed in th is paper.A nd the developm en t tendency concern ing the above2 m en ti oned asp ects at the beginn ing of tw en ty first cen tu ry is fo recasted.
Keywords N ano techno logy M E M S I C W ide bandgap sem iconducto r
1 引 言
人们刚刚庆祝过晶体管发明50周年,就面临跨世纪的时机。在此历史时刻,预测一下作为现代信息社会的核心技术——微电子的发展具有很重要的意义。微电子的主流自然是以第一代Si半导体材料为主。根据美国的15年半导体技术发展规划,到2000年,最小设计线宽为0118Λm;DRAM达到1Gb,M PU和A S I C 集成度分别达到13M和7M个晶体管 c m2,衬底最大尺寸300mm,芯片时钟频率达300～600M H z。到2010年,最小线宽为0107Λm; DRAM达到64Gb;M PU和A S I C集成度分别达到90M和40M个晶体管 c m2,衬底最大尺寸达到400mm。由异质结技术所引发的GeSi Si技术,在高频、高速性能和低成本统一的设想下又开辟出新的领域。随着尺寸突破011Λm,这一10年前人们认为的物理极限后,现在专家们预测在2010～2020年可以实现纳米电子学中单原子存储技术。和纳米电子学同时伴生以硅材料为基础的微电子机械系统(M E M S)被人们认为是21世纪的革命性的新
收稿日期:1998-07-20
技术,对21世纪的科学技术、生产方式和人类生活质量都会有深远影响。这是第一代半导体材料的全新生命的开始。
第二代半导体材料化合物半导体仍然是重要的不可缺的方面,特别是在微波 毫米波和超高速领域表现出的很强生命力。美国继硅V H S I C计划之后,实施了以化合物为基础的M I M I C计划,把工作频率提高到100GH z,线宽达到011Λm,并带动了异质结技术的发展,使之成为微波 毫米波的主流。GaA s V H S I C 在M I M I C计划实施过程中进行了插入研究计划,在电子对抗的射频存储器和频率综合方面实现了更新换代的作用,工作频率提高到千兆比特以上。在1997年发布的《联合作战科学技术计划》之中,把毫米波单片、高温高功率电路和多功能的模块电路作为重点。并且充分利用第三代半导体材料宽禁带半导体的发展。将产生1～18GH z、18～40GH z、40～75GH z、75～110GH z、110～140GH z的宽频带覆盖,费用降至现在的1 5和1 10。Si C高功率放大器在尺寸、可靠性和寿命周期方面优于Si、GaA s固态放大器和电子管发射系统。GaA s V H S I C将在A D、D A中发挥重要作用。
第三代半导体材料,宽禁带半导体技术,在几十年艰苦的研究中没有大的突破,进入90年代以后,由于Si C单晶体的突破和异质结技术的发展,世界范围内掀起研究宽禁带半导体的热潮,各国争相制定了发展计划。美国“国防高科学计划”中规定宽禁带半导体发展目标是: 1000V、1000A c m2大功率开关、18～40GH z、50W发射机,1000小时以上的蓝光L ED、蓝光、紫光激光器,紫外探测器。第三代半导体材料为我们在微电子学和光电子学领域开辟了新的天地。
半导体技术的发展与封装、组装技术的发展密不可分,当单片集成电路发展到超大规模,进入芯片上系统集成阶段,M C M技术也随之发展起来,成为微电子发展的重要关键技术之一。它可以实现更高密度、更高频率、高性能、高可靠及密封性。目前正向微波M C M技术方向发展。
半导体技术虽然已有50年的发展历史,但在未来20年的发展中,仍然生机勃勃,支撑着信息社会的进一步发展,为各国所关注。
2 Si集成电路
半导体存储器是Si集成电路的主要产品。存储器种类有:DRAM、SRAM、ROM、E PROM、E2R POM、FLA SH T等。DRAM是存储器最有代表性的产品。目前韩国三星集团已创造出1Gb DRAM样品,日本电气公司已开发出4Gb和1Gb芯片。贝尔实验室正在开发用于生产64Gb DRAM的制造技术。2000年将开发出0112Λm的全功能1G DRAM,预计2010年可制造出64Gb的DRAM。此外,图象处理用存储器(VDRAM),低压(≤3V)工作的存储器也正在开发研制中。SRAM1M、4M、16M、64M已投入生产,256M SRAM有望在2000年问世。FLA SH被称为是新一代存储器,具有速度快、使用方便、数据断电后不丢失、易改写、低功耗、不易损坏等特点,据专家预测, FLA SH存储器将在2000年超过DRAM成为微机存储器的主要存储器,有可能逐步取代各种硬盘和光盘存储器,从而大大提高微机运行速度。
微处理器是微型计算机的大脑和核心,用来执行计算机各种指令操作和运算。据美国Expoen tial T echno logy公司宣布该公司已研制出当今速度最快的微处理器,速度高达533M H z;三星公司采用0125Λm工艺正在研制700M H z的处理器;I BM已声称用x射线技术制造出了0107Λm的逻辑门。按照In tel和I BM 专家推测,在未来10年内将用x射线光刻以及其它技术制造出包含有5000万个～1亿个晶体管的能够在1GH z下工作的微处理器。到2010年以后包含10亿个晶体管,每秒能处理1000亿条指令的微处理器将问世。
SiGe材料生长技术发展很快,已可研制直径为200mm(8英寸)的圆片。SiGe HB T提供了是硅双极晶体管3倍的开关速度,其高频性
能可与GaA s器件相比拟,而且保持了与硅技术类似的成本和成品率,与硅技术完全兼容,适合于与C M O S技术集成化。SiGe HB T的截止频率已达到113GH z,f m ax达到160GH z。已制成的SiGe ECL环形振荡器,其开关特性在112mA下为20p s,预计在数字应用方面SiGe 将占领重要地位,SiGe HB T高截止频率、f m ax、高Β、低基区电阻,满足无线通信中的应用。在光电子学方面,SiGe红外探测器,SiGe光波导等也已研制成功。
3 纳米技术和M EM S
纳米微电子是由于材料尺寸进入“纳米”尺度后,和固体电子波长可比产生了各种量子效应而展现的新领域。随着对量子阱一维、二维、三维量子化限定,获得了量子线、量子箱,利用量子尺寸效应、隧道效应、干涉效应等量子效应,引导出了谐振隧道器件、单电子器件等新原理新结构的器件。谐振隧道器件有谐振隧道双极晶体管(R TB T)、谐振隧道热电子晶体管(RH ET)以及量子阱谐振隧道晶体管等。采用InGaA s A l A s InA s谐振隧道结构和InA l GaA s四元合金收集极势垒,研制成功的RH ET,其截止频率高达121GH z,为热电子晶体管和量子效应器件中最高水平。多态R TB T 室温下电流增益已高达100。谐振隧道器件是多功能器件,作为逻辑器件构成I C时,可大大减少晶体管数目。作为热电子弹道传入器件,工作速度快、功耗低,有些已用于频率高达215TH z的检测和700GH z的振荡电路中,谐振隧道场效应晶体管(R T FET)、单电子隧穿器件、电子波衍射晶体管等新型器件在近几年也得以广泛研究,这些量子器件将是实现下世纪16千兆位存储容量的最佳候选者。国外专家预测,2010～2020年间可能实现一个原子存储一位计算机信息,世界各先进国家对此项跨世纪技术极为重视,投入了大量人力物力着力开发研究。
微电子机械系统(M E M S)是指大小在毫米量级下,可控制、可运动的微型机电装置,是由微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理、控制等功能于一体的系统,其目标是把信息获取、处理和执行一体化地集成在一起,使其成为真正具有多功能的系统。M E M S会像微电子改变电学工程一样,对21世纪的科学技术、生产方式和人类生活质量都会有深远影响,是关系国家科技发展和经济繁荣的关键技术。法国联邦政府则每年拿出6500万美元支持微系统研究,日本对微系统技术的开发提供了2135亿美元为期10年的资助。
M E M S研究已取得多项成果,研制成功了多种微型元器件和微型系统,如微型压力传感器、微型加速度传感器、微型陀螺等,这些器件有的与I C集成在一起形成组件,形成灵巧传感装备。微执行器有微泵、微马达、微麦克风等。微型小型机动车、在磁场中可以飞行的小蝴蝶等系统在实验室也已研制成功。利用先进的微机械加工技术和多层结构材料,开发的微型发动机已实现了200000转 分的转速,预计新型的微型发动机速度将达到400000转 分,石英音叉陀螺的水平已达到量程±400° s。分辨率为011° s。另外,到目前为止已研制出多种微机械电子隧道传感器,包括红外探测器、加速度计、磁强针等,微电子机械隧道执行器的研究目的是开发存储容量高达太比特(T b t)级的微型存储器。
利用纳米和M E M S技术,下世纪将研制出:
(1)具有信息处理、导航(带有小型GPS 接收机)和通信能力,并在一定范围内具有飞行、爬行、跳跃功能的装备。
(2)利用纳米技术制造看似小草的微型探测器,具有敏锐的电子侦察仪器、照相机和感应器。
(3)蚂蚁一般大小,以微型太阳电池作动力的“机器蚂蚁”。
(4)利用纳米技术研制6英寸的微型飞行器。
(5)装有超敏感应器的袖珍遥控飞机。
(6),
传送需救援人员的生理特征和所处位置。
(7)微型攻击机器人,由传感系统、处理和自主导航、杀伤机制、通信系统和电流系统等5部分组成。接近目标时,机器人能“感觉”敌对方电子系统位置,实施攻击。
(8)研制重量在1～10kg,甚至<1kg的纳米卫星,实现各种功能的卫星探测和通信。
4 微波 毫米波器件与电路
目前,构成GaA s I C的主要器件是M ES FET、H E M T和HB T,后两者已成为发展主流。GaA s M ESFET制作的Ka波段低噪声MM I C,在33GH z下,噪声系数为2～3dB,相关增益30dB,这结果可与当今GaA s PH E M T MM I C的性能相匹配。总栅宽为1912Λm的GaA s M ESFET在14GH z下输出功率20W,增益619dB,PA E为2915%。TRW公司研制的PH E M T Ka波段放大器,输出功率5W, PA E为3916%。三菱公司研制的Ka波段大功率高效多栅条HB T,在12GH z下输出功率1W,PA E为72%。
InP与GaA s相比,击穿电场、热导率、电子平均速度均更高。InP H E M T已成为毫米波高端应用的支柱产品,器件的截止频率、f m ax分别达340GH z和600GH z,代表着三端器件的最高水平。InP HB T有望在大功率、低压等方面开拓应用市场,拥有更广的应用领域。TRW公司制作的011Λm的K波段InP H E M T低噪声放大器,在155GH z下工作,获得的小信号增益为12dB,这是目前三端器件中工作频率最高的放大器。W波段高功率MM I C放大器,采用的是0115Λm的InP H E M T,在94GH z下输出功率130mW,PA E为13%,相关增益4dB,是目前3mm端最高的输出功率。InP基H PT分布放大器,工作频带50M H z～44GH z,这是当今双极管放大器达到的最宽频带和最高工作频率。
由于半导体功能模块能提高整个系统的性能和可靠性,又减少了体积和重量,因而倍受青睐。有源相控阵雷达中的关键T R模块已是
人们关注的焦点。日本已成功地采用三维MM I C技术制作了单芯片X波段T R MM I C。美国TRW公司利用H E M T2HB T单片集成技术,制作了S波段MM I C接收机。
此外,为了满足下一代雷达和电子战有源相控阵功放模块的技术要求和机载环境等对尺寸、重量、效率、可靠性及环境适应性诸多方面的严格要求,提出了微波功率模块(M PM)的开发计划,这也是宽带微波功率放大器的突破性进展。M PM是把MM I C驱动放大器、真空管功率提升器和电子电源调节器的最佳性能结合起来,以模块形式提供系统应用所需的性能,并且制造柔性化强,将来有可能替代相控阵雷达用的全固态T R模块。美国制定的M PM性能指标是6～18GH z,输出功率为50～100W,增益为50dB。
在21世纪初,放大器所面临的技术挑战是瞬时带宽的频率范围一直延伸到1～18GH z、18～40GH z、40～75GH z、75～110GH z和110～140GH z,同时费用降至采用现有设计途径和制造能力所能达到的费用的1 5到1 10。该计划的技术发展重点包括毫米波功率模块、微波Si C高功能放大器和低功率射频电子。
5 GaA s超高速集成电路
世界各国不仅在开发新的电子材料、发展先进工艺技术等方面潜心研究,而且更注重电路的应用。目前,GaA s超高速数字集成电路得到了蓬勃发展,如GaA s A D转换器、D A转换器;GaA s分频器;GaA sM U X DM U X及以HB T、H E M T为有源器件的超高速集成电路。
开发高性能的A D转换器是非常关键的技术。为了满足卫星、雷达、数字报警接收器、自动目标辨别器、光纤通信、信号处理器等设备的需求,美国国家防御高级研究组织(DA R PA)将开展许多基础性研究。随着数字接收器设计工艺、制作工艺实用化,DA R PA将开发新的系统。先进的I C工艺使数字接收器成为可能,以便取代大体积、高造价、温度灵敏的模拟接收器。在本世纪末美国将采取如下计
划:
1997年目标:开发工艺以实现在M E M S 器件上集成1000000只晶体管和1000只传感器 驱动器;开发芯片上的集成惰性控制系统; 16b it,125M sp s,C M O S SO S A D转换器。
1998年目标:开发10b it、1Gsp s,GaA s HB T A D转换器;亚微米制造工艺;超低功耗(<1mW),16～18b it,2～100k sp s A D转换器,用于自动化遥感太阳系(浅水域A S W);开发强辐射,32b it,数字传输器4M b it强辐射静态存储工艺;设计InP接收器;为DR FM D IFM设计B iFET晶体管芯片。
1999年目标:开发10b it,2Gsp s,直接转换接收A D转换器;10b it,125M sp s,C M O S SO S A D转换器;4～5b it,20Gsp s,C M O S SO S A D转换器。
2000年目标:开发高分辨率的16b it, 100M H z A D转换器;6～10b it,2～6Gsp s, C M O S SO S A D转换器,用于O TH雷达卫星;B iFET I C工艺。
2001年目标:开发高集成度纳米型、M E M S衬底的微型系统,将传感器、程序电路、精细加工集于一体;开发用于微电子元件的深层亚微米技术,抗辐射微电子制造工艺。
2003年目标:开发16～20b it;20M sp s～1Gsp s A D转换器,用于通信、C4I、导航及潜艇作战任务。
发展高速、高分辨率的A D转换器,需要具有低噪声、超高速半导体器件,改进的电路设计,精确的高速模拟器件模型以及先进的封装工艺。如今,许多领域都面临开发新型高效的A D、D A转换器问题。美国要开发的更快、更精确的A D、D A转换器将用在它的航空通信机(AN C)上,现有的AN C上装有20个S I N CGA R S无线通信装置,将来用一个具有100M H z、动态范围大于100dB的A D转换器,则只需1个S I N CGA R S无线通信装置,此A D转换器的功耗为1W。在实现高温、高速数据及数字程序化、宽带宽、高速低功耗A D、D
,基于SiGe、InGaP GaA s、GaN等电子材料得到发展。在将来的发展中,增强型衬底用来消除低频转换,允许A D转换器在传感器及天线上用于模拟信号形式的快速程序化。由此可见,新型的A D转换器已成为下个世纪开发的重点。
在门阵方面,自V itesse公司1993年开发出35万门门阵列,门延迟时间为70n s后,目前尚未有更新的报道。分频器是信号处理、锁相环频率合成技术的关键元件,在新一代电子系统的高速测量仪器中都有广泛应用。美国H uges公司与日本N EC公司在这个领域将展开激烈的竞争;单模分频器的频率大大提高,高模数、高速度的变模分频器进一步开发。数据选择器和数据分配器也进一步发展,10Gbp s、GaA s8∶1M U X及1∶8DM U X已经成功。在微细加工技术,2000年前后美国最小设计线宽达0118～0115Λm。
6 宽禁带半导体技术
射频雷达、通信和电子战传感器、小型激光器和探测器都需要使用先进的小型发射机,而这一切都需要高性能的宽禁带半导体材料做基础。
宽禁带半导体材料包括Si C、GaN、A l N和金刚石等。使用宽禁带半导体材料可制作出能在300～500℃下工作的电子元器件,使小型紫外激光系统实现全色显示应用和高密度光存储数据。
为了在这一新兴领域占一席之地,90年代以来,世界范围内掀起了研究宽禁带半导体的热潮。与Si和GaA s相比,用宽禁带半导体材料制作的固态放大器和R F发射机系统具有尺寸、可靠性、寿命及价格优势,因此为了满足对输出功率、功率密度、工作效率、线性度、工作电压和工作温度都有很高要求的航空和航天应用的需要。
美国C ree公司已经在出售直径为11375英寸的Si C圆片,并在1997年8月公布研制成功n型4H和6H2英寸直径的Si C圆片,预计
近期内可以大批量出售。在1997年瑞典斯德歌尔摩召开的Si C、 2 及相关材料国际会议上,C ree公司又公布了其最新的3英寸4H Si C 圆片的研究成果。有了大直径的Si C片使批量生产微波和功率晶体管成为可能。M o to ro la和C ree R esearch研制的4H2Si C M ESFET在850M H z频率下工作时的功率增加效率(PA E)为6517%,V ds为50V,射频功率密度达313W mm。这一PA E值是采用宽禁带半导体材料获得的最高值。此外,Pu rdue大学还采用6H2Si C 制作了大量的数字电路,包括NAND、NOR、XOR、半加法器和11级环形振荡器等。
美国在1997年规定宽禁带半导体的发展目标是:生产出能在1000V以上和1000A c m2以上电流密度下正常工作的Si C大功率开关,其总功率密度要比Si高出5倍,并使电子系统的电源体积和重量大大降低。Si C、GaN和A l N 应实现小型E W发射机用的50W、18～40GH z 功率模块,寿命在1000小时以上的蓝光发射二极管,寿命在1000小时以上的蓝光和紫外光激光器,以及太阳无光(So lar2b lind)紫外光探测器。1997财政年度完成150W Si C S IT、25W X 波段M ESFET和Si C MM I C的高温互连研制工作。完成GaN外延膜的可控p型掺杂工艺开发研究。1998财政年度的目标是:完成3英寸直径4H和6H Si C衬底圆片实验。实现均匀掺杂,使整个圆片上的缺陷密度降低至1013 c m2以下。制备出高电阻率的Si C衬底,研制出150W S波段S IT和25W X波段混合放大器。1998年财政年度的其它目标包括:实现掺杂、半绝缘、低缺陷(105 c m2密度以下)GaN的重复外延生长技术,并验证GaN生长用的高可靠浅p型掺杂技术;1999年财政年度的计划目标是开发商用外延工艺,使材料特性(缺陷密度、杂质控制等)超过衬底质量,制作出300W S波段S IT和100W、10GH z混合放大器,开发出直径在1英寸以上的GaN衬底和合成技术,并研制出高A l含量的A lGaN材料用的有效掺杂技术。
70,90直在以惊人的速度迅速发展,前景十分看好。有关专家预言,GaN将开创化合物半导体工业的新纪元。据Strategies U n li m ited的一项最新市场调查显示,到2006年,GaN基半导体器件及电路的市场将达到30亿美元。
日本M IT I计划在1998年制定一项采用宽禁带氮化物材料开发L ED的7年规划。其目标是:到2005年研制密封在荧光管内,并能发出白色光的高能量紫外光L ED。这种白色L ED 的功耗仅为白炽灯的1 8,是荧光灯的1 2。其寿命将是传统荧光灯的50～100倍。参加这项计划实施的有大学、电子产品生产公司和芯片制造商等。据报道,今后5年内M IT I的总投资额将达到50亿日元(4340万美元)。
GaN除了在发光应用领域取得了巨大进展外,它还特别适合用作大功率射频源。美国在90年代初就制定了旨在开发GaN材料、器件和电路的M U R I计划,包括兆瓦固体电子器件计划和大功率固体电子器件研究计划等。
1997年,GaN M OD FET取得了突破性进展。伊利诺斯大学研制成功双施主型GaN M OD FET结构。A lGaN施主层既可从沟道上面,也可从沟道下面向沟道内提供电荷。该器件具有迄今最佳的DC特性,漏极电流为1100mA mm。跨导值为270m S mm。U CSB公司制作的GaN M OD FET,其施主层极薄,仅为20nm,因此使器件的输入电容和截止频率都得到很大改进。该器件栅长为012Λm,截止频率为50GH z,漏极电流为800mA mm,跨导值达240m S mm;器件在10GH z频率下工作时的功率密度为117W mm,超过任何其它材料制作的其它H E M T器件结构。
1997年,GaN基FET的射频输出功率水平继续得到提高。GaN生长的标准衬底是蓝宝石。但这种衬底的导热性能很差,因而目前多在Si C衬底上制作GaN H E M T。1997年6月在法国召开的GaN专题会议上,许多FET研究人员认为可用作GaN功率器件衬底的最佳材料选择应是A l N和Si C。1997年初N aval
衬底上制作成功世界第一只GaN H E M T。该器件的DC特性接近于在蓝宝石衬底上生长的H E M T;不久,Op tics 南卡罗来纳大学 R en s2 selaer Po lytechn ic In stitu te联合研究组在Si C 衬底上制作成功A lGaN GaN H FET。该器件具有高达142m S mm的跨导值,漏极电流达50mA mm。由于使用了Si C作衬底,器件在室温下的功率耗散为016MW c m2,比在蓝宝石衬底上生长的同类器件高3倍。
虽然GaN基FET目前仍不是Si C功率PET的竞争对手,但随着衬底质量及工艺水平的提高,GaN在下世纪初将会大显身手,成为整个化合物半导体行业的龙头老大。
7 多芯片模块(M CM)
所谓M C M,即是把多块裸露的I C芯片,安装在同一块高密度多层互连衬底,并封装在同一个管壳中而构成。其关键在于“多块”和“裸露”四字。
M C M的出现大大促进了信息科学的发展,引起各发达国家的关注,是当今微电子电路的佼佼者,深受用户,尤其是航空、航天用户的青睐。
M C M是一种更先进的组装技术,其特点是组装密度更高,电性能更好,与等效的单芯片相比,体积减小了4 5～9 10,芯片到芯片的传输延迟减小了3 4,因此,它是促使电路向小型化过渡的最好形式。
M C M是在数字集成电路的飞速发展中诞生的一种新型组装技术,它能否用于非数字电路,尤其是微波电路以拓宽其使用范围。国外已做大量探索,有些专家称为第二代M C M。
(1)利用电磁耦合进行互连的微波M C M。
正在利用毫米波频率的波长及GaA s芯片和A l2O3衬底的微小尺寸,用1 4传输线(几个毫米)的电磁场耦合来取代焊接。这就为微波封装和互连提出了一种新概念。
(2)用异质片微波集成电路(HM I C)工艺制作低损耗微波电路。装微波电路技术。更确切地说,它是以Si和玻璃两种材料组合为一体做基板来制作损耗、射频、微波和毫米波电路的一种方法。由于Si具有很高的热导率,它能有效地散发掉器件和I C 产生的热,所以HM I C能达到很高的功率。玻璃具有高的绝缘性能,其损耗小、介电常数低,可批量制造螺旋电感、叉指和H I M电容及各种电阻。
(3)朝着非数字电路扩展的埋置芯片型M C M。
美国GE和T exa仪器公司的埋置芯片型M C M是为空间应用的高性能数字电路而研制的高密度互连工艺。它是把未封装的芯片镶嵌在基板的腔体中,其上再进行多层聚酰亚胺2铜薄膜布线。它省略了常规的引线键合、TAB焊料凸点,也无需芯片粘结,而且聚酰亚胺2铜互连结构具有很好的电性能,所以埋置型M C M 可达到极高的速度,而且还具有很大的电流承载能力,并具有高可靠和高热耗散能力。
埋置芯片式M C M固有的高性能特性在非数字电子学领域得到广泛的应用,如模拟 数字混合电路、功率变换和调节电路、微波T R模块和光电模块。该工艺能把高频器件与其它元件屏蔽开,并完全避免了与I O焊点有关的不连续性,所以它能满意地用于混合电路,如128×128,400M H z GaA s交叉开关;50W效率为85%的DC2DC变换器;14b it音频 数字调制解调电路和54路12b it仪器用A D变换器模块。
(4)卫星微波通信系统的玻璃瓷M C M。
微波到毫米波频率范围的电路主要用于国防和公用通信,其价格昂贵,体积庞大。最近研制了一种用于微波频率的新型高密度多层玻璃瓷基板,它能大大减小卫星通信系统用T R 模块的尺寸,并能同时安装V CO、混频器、滤波器和功率放大器。采用这种技术制作的新型微波模块,其体积只有目前模块尺寸的1 10～1 20。
由于微波电路属于模拟电路,其波长较短很容易受到电路尺寸精度的影响,又因在微波电路中采用了高电子迁移率的GaA s芯片,所
以欲实现微波电路的大规模集成尚有许多困难,即使采用MM I C也很难实现L S I。到目前为止还没有有效的方法把数字L S I引入到微波频率范围。采用玻璃瓷做衬底的新型封装结构能有效地解决微波到毫米波频率存在的问题。此外,该基板的本身具有很高的屏蔽特性,这就能在短期内设计和生产出任何一种微波频率的电路。
多芯片模块的问世为电路设计者实现更高密度、更高频率提供了良好方法。最初的多芯片模块主要用于航天及计算机领域(约占70%),现在正朝着标准化、商品化方面转移。
如美国为改进水下海狼导航系统,研制了一种多层封装的多芯片模块,它装有一块标准微处理器芯片,一块数字信号处理器芯片和一块存储芯片。美国宇航局毫米波天文卫星装有15块芯片的多芯片存储模块(M C M),面积只有36c m2。这种小型探测卫星将帮助科学工作者研究化学和星际云块物结构和能量的平衡问题。它能将搜集到的数据存储在固体存储器中,以便定期返回地球。
A eroflex实验室也在生产一种航空及空间用的100M H z R ISC微处理器M C M2C,它完全是按照军用温度标准而设计的。ER I M公司最近也在研制一种自动目标识别M C M2D,该产品是用典型集成电路工艺制造的。此外,新型相控阵雷达系统用的大量发射 接收模块也都采用了多芯片模块技术。如休斯航空公司承担的X波段有源相控阵机载雷达系统,每部雷达需用1000～2000块模板,降低噪声系数的同时,一直在努力设法降低模块的成本、重量和体积。西屋公司新型高密度微波T R模块不仅显著降低了上述参数,而且大大提高了该雷达的灵敏度和可靠性。
8 建 议
11抓住机遇,重点发展GaA s技术和Si专用电路,适应市场需求。
21M E M S是新的前沿领域。近期找出切入点,远期以智能化装备和微小卫星为载体,显示出M E M S的发展前景。
31发展毫米波器件,以GaA s PH E M T、InP H E M T为主,HB T为辅,使得频率突破100GH z,加工尺寸达到011Λm,发展低成本的接收机。
41重点发展宽带M I M I C和功率M I M I C,频率覆盖1～100GH z,充分利用频率资源。现代相控阵雷达、通信等均对宽带 超宽带功率M I M I C的需求日益增长,使之成为研究的重要领域。在18GH z以下主要采用GaA sM ESFET 和HB T功率M I M I C,在18GH z以上则采用PH E M T功率M I M I C。
51功率集成电路的水平取决于器件类型和合成技术的效率,因此很有必要进一步提高功率合成技术。目前,准光学功率合成技术引人注目。美国已利用此技术制成了高功率X波段GaA s M ESFET振荡器,该振荡器由6×6阵列构成,产生的总功率超过30W,有效辐射功率大于2k W。
61由于高温半导体更能适应高温、高频、大功率和抗辐射等恶劣环境,从而成为今天的热点,它也将是明天的焦点。所以应安排一定力量开展高温功率半导体(Si C和GaN)器件的预研工作。Si C耐高温性能好、工作频率高、输出功率大。GaN是制作光电子的重要材料,而且制作成本要低于Si C,有广泛的市场前景。
71开展宏单元电路的研究,力争使T R 模块实现全单片化。有源相控阵不仅要求T R 模块平均发射功率提高一倍,而且要求更高的效率,以降低天线的热辐射,保证其隐蔽性。固态有源相控阵面临的最主要的挑战是降低T R模块的造价。目前,国内多采用混合集成方式研制T R模块,而国外已采用单片集成方式成功地开发T R模块,因此我们也应向单片化方向发展。此外,对微波功率模块(M PM)这一新的技术动向要给以关注,从技术上做些准备。
81GaA s V H S I C力争在射频存储、高频高速等市场急需中有突破性进展,进一步在万门级上替代SiA S I C电路和在A D、D A高速方面有所作为。
91M C M技术向微波频段和系统方向发展,力争形成模块化的能力。
赵正平 男,1970年毕业于清华大学无线电电子学系,在井陉电讯厂从事半导体硅开关、变容二极管的生产技术管理。1979年入南京工学院电子工程系半导体专业攻读研究生, 1982年获硕士学位,先后任电子工业部第十三研究所研究室主任、所长。兼任GaA s集成电路国家科技重点实验室主任,电科院级电子专业组组长,半导体行业协会副理事长,全国半导体器件标准化技术委员会主任委员等。十几年来一直从事GaA s功率器件、GaA s集成电路、CAD、宇航用固态放大器、微米 纳米技术等领域研究,发表论著近100篇,获国家级、部级科技进步奖10项。
信息产业部电子十三所
第四十六次科研成果鉴定会在石召开
——64项科研成果通过专家级鉴定
信息产业部电子十三所第四十六次科研成果鉴定会于1999年1月22～24日在石家庄市召开,会议由上级主管机关主持。上级有关机关的领导和来自全国各地高等院校、科研院所、工厂、公司等40多个单位的专家、用户和兄弟单位代表,共计230多人出席会议。有关领导在开幕式上发表了热情洋溢的讲话,充分肯定了十三所科研工作的成绩,并提出了殷切期望。
由国内著名高校、厂所和用户单位的专家组成的鉴定委员会,对提请鉴定成果进行了评议。
本次鉴定会共有64项科研成果提请鉴定,其中54项提请设计定型鉴定,10项提请技术鉴定。项目覆盖微波器件,微波放大器、振荡器、衰减器、开关驱动器等微封装混合集成电路,微波放大器、振荡器、开关、变频器、衰减器、频率综合器等微波组件和部件,O E I C,光电耦合器,光电传输组件,微组装组件,CAD技术研究等领域。
鉴定委员会对提请鉴定成果进行了样品测试和资料审查,听取了各项目负责人所作的提请鉴定报告。鉴定委员会对提请鉴定成果的符合性、可用性、创新性和经济性进行了认真评议,一致同意所有成果通过鉴定。
鉴定委员会确认,64项鉴定成果中,达到国际先进水平1项,国际90年代中期水平6项,国际90年代初期水平5项,国内领先水平14项,国内先进水平36项。
这些成果不仅是我所领导和广大科技人员聪明才智和辛勤劳动的结晶,体现了十三所作为我国微电子和光电子科研大所的科研水平和管理水平,与上级机关的领导和关怀、用户的密切配合、兄弟院所的支持帮助也是密不可分的。
本次鉴定会是检验十三所98年度科研工作成绩的一次盛会,是十三所科技人员向与会领导和专家学习的极好机会。与会领导和专家所作的指示和提出的宝贵意见和建议给我们以深刻的启发,使我们更加明确了今后科研工作的努力方向。面对知识经济的机遇和挑战,我们将健全技术创新机制,多出成果,加速成果转化,为发展我国的微电子和光电子科学技术作出更大贡献!
(十三所技术处)
英语作文范文-展望21世纪
英语作文范文 展望21世纪 Looking Forward to the Twenty-first Century The new century is approaching. It can he expected that there will be a breakthrough in life science and space science in the 21st century. First, scientists will conquer incurable diseases through the transformation of genes. With the same technology they can breed new species of animals and even human life in the lahoratory. Most important of all, they can decelerate aging and prolong life. Besides, permanent stations will be set up in the moon or other planets or stars so that scientists can make a thorough study of the moon and other or the planets or stars suitable for the human existence will be discovered. However, the scientific development will also bring about some social problems. How should we regard from an ethical perspective the one who is bred through the gene technology in the laboratory7 How can the police identify the criminal from a group of people with the same DNA? It
灌浆材料的发展现状与展望模板
灌浆材料的发展现状与展望 摘要：灌浆工法作为防渗补强加固的一种重要手段，其灌浆材料起着至关重要的作用。本文对灌浆材料的种类及其使用性能作了详细的描述，同时对今后浆材的发展方向提出了展望。 关键词：灌浆灌浆材料 注浆法出现于19世纪初，注浆工法在水利水电工程中多称灌浆法。采用灌浆技术以解决土建工程的有关技术难题，至今已有一个世纪的历史。浆液注入到地层中去的方式是该工法的关键。随着注浆技术的广泛应用，注浆材料得到了较大的发展。注浆材料从最早的石灰和黏土、水泥，发展到今天的水泥－－水玻璃浆液、各种化学浆液。而注浆材料的开发与应用，又反过来推动了注浆工法在更广泛的领域内的应用。通常说的注浆材料是指浆液中的主剂。注浆材料必须是能固化的材料。习惯上把注浆原材料分为粒状材料和化学材料两个系统。而浆液是同主剂、固化剂，以及溶剂、助剂经混合后所配成的液体，分为溶液型和悬浊液型两大类。 1 灌浆材料的种类及其特点 1.1 溶液型浆材 溶液型浆材又叫化学浆材，可分为水玻璃类、木质素类灌浆材料、丙烯酰胺类灌浆材料、丙烯酸盐类灌浆材料、聚氨酯类灌浆材料、环氧树脂灌浆材料、甲基丙烯酸酯类灌浆材料、脲醛树脂类、其它类化学灌浆材料。1.1.1 水玻璃类灌浆材料 水玻璃（硅酸钠）是化学灌浆中最早使用的一种材料，水玻璃类浆液是由水玻璃溶液和相应的胶凝剂组成。其无机胶凝剂有氯化钙、铝酸钠、氟硅酸、磷酸、草酸、硫酸铝、混合钠剂等，有机胶凝剂有醋酸、酸性有机盐、有机酸酯、醛类（乙二醛类）、聚乙烯醇等。二氧化碳亦可与水玻璃溶液在被灌体内生成硅酸凝胶。 灌浆用水玻璃模数在2.4~3.4之间为宜，水玻璃溶液的浓度在35~45°Be'为宜。 水玻璃类浆材主要特点及性能： (1) 胶凝时间从瞬间~24小时不等； (2) 固砂体强度可达6MPa； (3) 粘度从1.2~200×10-3Pa·s； (4) 可灌性好，渗透系数可达10-5～10-6cm/s，可灌入 0.1mm以上的土层。 (5) 毒副作用小，造价低。 1.1.2 木质素类浆液 木质素类浆液由纸浆废液、胶凝剂和促凝剂等组成。木质素类浆液包括铬木素和硫木素浆液两种。铬木素浆液的固化剂是重铬酸钠。但重铬酸钠毒性大，难以大规模使用。硫木素浆液是在铬木素浆液的基础上发展起来的，是采用过硫酸铵完全代替重铬酸钠，使之成为低毒、无毒木质素浆液，是一种很有发展前途的注浆材料。
21世纪的科技
21世纪的科技、城市、建筑和人 人们曾经预言，21世纪是高新科技发展的一个鼎盛时代，微电子工程、信息工程、生物工程、材料工程以及纳米技术将有一个大的飞跃，由于这些高科技成果在各行业中得到应用，势必推动了各行各业的技术、产品的发展。 对世纪城市规划将引入生态平衡规划理论，将O2和H2O的生态平衡和可持续发展，作为城市规划的主要依据，可以预测，在21世纪上半叶，将以提高城市绿化率为主体，到21世纪下半叶将有一个城市人口大迁移和大疏散重大举措。现有的特大城市将成为古城而小村镇将星罗棋布。上半叶将以发展地铁、轻轨为主体交通，逐步实现高速列车（时速＞500公里）、轻轨和汽车（电动和燃气型）相结合的城市交通体系。 由于信息网络工程发展人们不必要每日上下班而奔波，多功能别墅已成为21世纪建筑的主体，公共建筑仅是少量，现有的无电梯多层建筑将在2030年之前拆除，现有的落后房型的高层建筑将在2050年之前拆除，人们将享受到大自然所赋予的充足的阳光、新鲜的空气和洁净的水。 21世纪对于人类500万年的进化史来说是一瞬间，21世纪开发人类右脑，将成为世界性运动，21世纪人类在文明素质有很大提高，科学技能、法律道德、环保意识都有进步。由于人们饮食更趋科学化和合理化，对饮水要求更卫生，并注重锻炼身体，
因此人们的身体素质要比20世纪有所提高，寿命更长．但水仍然是构成人体的主要成份。人体排泄物从质量上和数量上并没有改变． 2．建筑给水 1）用水量和水质 从宏观来说，21世纪人们用水量要有所增加，由于家庭游泳池、冲浪淋浴房、按摩浴池的普及、健身用水比例将有大幅度提高，家庭绿化、环境绿化率提高、绿化用水也有显著提高，预测在水源供应充沛城市2050年，人均最高日用水量可达500升/日，到21世纪末可达800升/日。 在一些边远水资源相对缺乏的地区，当地政府将根据水资源平衡的原则制订相应法律，限制用水，这种限制措施可能沿续到2080年，随着高科技在水处理方面的应用，城市复用水量也逐步提高，这种限制也随之放宽。21世纪的生活饮用水标准应比现在要高，达到直接饮用水标准。由于水环境资源的保护，作为生活饮用水的水源的等级大为提高，可望到2030年之前，按现有水处理技术不增加投入完全可以达到。由于在管道系统设计中大大加重给水管道系统防回流污染的措施，以及管道施工安装工人素质提高，规范操作大大避免了水质污染途径。 2）供水系统 由于供水系统信息网络化管理和遥测遥控元件的微型化和
21世纪高新技术展望结课论文
21世纪高新技术展望结课论文——纳米技术的发展现状及应用前景 学院：专业： 学号：姓名： 联系方式：
摘要：由于纳米微粒的小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应等，使得它们在磁、光、电、敏感等方面呈现常规材料不具备的特性。因此纳米微粒在磁性材料、电子材料、光学材料、高致密度材料的烧结、催化、传感、陶瓷增韧等方面有广阔的应用前景—— Abstract：Because nanoparticles of small size effect, surface effect, quantum size effect and macroscopic quantum tunnel effect Should be, etc., make them in such aspects as magnetic, optical, electric, sensitive take on the characteristics of the conventional materials do not have. soNanoparticles in magnetic materials, electronic materials, optical materials, high density material of sintering, catalysis, preach，Sense, ceramics toughening, etc have broad application prospects -- 正文：纳米技术（nanotechnology）是用单个原子、分子制造物质的科学技术，研究结构尺寸在0.1至100纳米范围内材料的性质和应用。纳米科学技术是以许多现代先进科学技术为基础的科学技术，它是现代科学（混沌物理、量子力学、介观物理、分子生物学）和现代技术（计算机技术、微电子和扫描隧道显微镜技术、核分析技术）结合的产物，纳米科学技术又将引发一系列新的科学技术，例如：纳米物理学、纳米生物学、纳米化学、纳米电子学、纳米加工技术和纳米计量学等。 纳米技术(nanotechnology），也称毫微技术，是研究结构尺寸在1
中国磁性材料产业现状及其发展展望(1)
中国磁性材料产业现状及其发展展望(1) 摘要：磁性材料是各种电子产品主要的配套产品，无论是消费家电产品和工业类如计算机、通讯设备、汽车，以及国防工业均离不开磁性材料。当前，中国各种磁性材料的产量基本上世界第一，成为磁性材料生产大国和磁性材料产业中心。中国磁性材料的中长期市场前景十分光明，中国的磁性材料产品在全球的地位必将进一步提高。必须加强科技创新力度、加强技术改造加强企业管理水平，调整产业结构和提高产品档次，使中国磁性材料从大国走向强国。本文着重从宏观角度分析了中国磁体产业整体情况，介绍了稀土永磁材料特别是中国钕铁硼烧结和粘结产业现状，以及中国新型的稀土永磁材料的研究开发情况，同时对我国磁体产业发展前景进行了预测和分析。 1 中国磁体产业的发展历程 目前，全球的经济已进入了一个信息时代，作为一种功能材料，磁性材料所占的地位越来越重要。当前主要的商品磁体共有4类：20世纪30年代开发的铝-镍-钴永磁；50年代初期开发的铁氧体磁体；60年代末开发的钐-钴磁体，包括第一代稀土永磁－SmCo5和第二代稀土永磁－Sm2Co17；80年代初开发的稀土永磁钕铁硼。而稀土永磁，特别是钕铁硼是磁性材料里最重要的一部分，在永磁材料中发展最快，平
均以每年10％的速度增长。中国磁体产业在中国的出现远较西方发达国家晚，起始期是1969年到1987年之间。因为当时的稀土永磁钐钴磁体的高成本、国内市场的需求量少，所以到八十年代初还没有形成自己的磁体工业。1987～1996的十年是中国磁体产业开始发展的第一阶段，其特点是起点低：由于投资小，设备简陋，生产设备基本完全是国产的，经营理念落后，仍局限于小生产的模式。 1997～20XX的五年是中国磁体产业发展的第二阶段，其特点是起点远高于前一阶段：投资强度大，引进一部分国外的先进技术设备，能够按先进的工艺路线组织生产，产品质量一般属中低档。 20XX年起，中国磁体产业的发展将进入第三阶段。企业建立的特点将是“三高”，即高起点、高投入、高回报：1）产品瞄准特定用途所需的高档磁体；投资规模巨大，引进整条先进生产线；2）按现代化管理的理念，组织集约式分段联营的大生产：磁体生产分为两段—母合金/粉料的生产和磁体制备，投资显著降低，效益则大为提高；3）按资本运作的规律运营，从而保证磁体产业较高的回报率。特别是有可能从国外引进最先进的或采用国产先进生产线，生产高档的磁体产品。 进入21世纪，发达国家的磁体生产由于成本过高，已难以为继，世界磁性材料行业纷纷向中国或第三世界地区转移，中国作为首选的国家。世界一些著名的磁性材料制造企
微电子导论论文--发展及历史
中国微电子技术发展现状及发展趋势 论文概要： 介绍了中国微电子技术的发展现状，并阐述对微电子技术发展趋势的展望。针对日前世界局势紧张，战争不断的状况，本文在最后浅析了微电子技术在未来轻兵器上的应用。 一．我国微电子技术发展状况 1956年7月，国务院科学专业化规划委员会正式成立，组织数百各科学家和技术专家编制了十二年（1965—1967年）科学技术远景规划，这个著名的《十二年规划》中，明确地把发展计算机技术、半导体技术、无线电电子学、自动化和遥感技术放到战略的重点上，我国半导体晶体管是1957年研制成功的，1960年开始形成生产；集成电路始于1962年，于1968年形成生产；大规模集成电路始于70年代初，80年代初形成生产。但是，同世界先进水平相比较，我们还存在较大的差距。在生产规模上，目前我国集成电路工业还没有实现高技术、低价格的工业化大生产，而国外的发展却很快，美国IBM 公司在日本的野洲工厂生产64K动态存贮器，1983年秋正式投产后，每日处理硅片几万片，月产量为上百万块电路，生产设备投资约8000万美元。日本三菱电机公司于1981年2月开始动土兴建工厂，1984年投产，计划生产64K动态存贮器，月产300万块，总投资约为1.2亿美元。 此外，在美国和日本，把半导体研究成果形成工业化生产的周期也比较短。在美国和日本，出现晶体观后，形成工业生产能力是3年；出现集成电路后形成工业生产能力是1—3年；出现大规模集成电路后形成工业生产能力是1—2年；出现超大规模集成电路后形成工业生产能力是4年。我国半导体集成电路工业长期以来也是停留在手工业和实验室的生产方式上。近几年引进了一些生产线，个别单位才开始有些改观，但与国外的差距还是相当大的。 从产品的产值和产量方面来看，目前，全世界半导体与微电子市场为美国和日本所垄断。这两国集成电路的产量约占体世界产量的百分之九十，早期是美国独占市场，而日本后起直追。1975年美国的半导体与集成电路的产值是66亿美元，分离器件产量为110多亿只，集成路为50多亿块；日本的半导体与集成电路的产值是30亿美元，分离器件产量为122亿只，集成电路为17亿块。1982年美国的半导体与集成电路的产值为75美元，分离器件产量为260多亿只，集成电路为90多亿块；日本的半导体与集成电路的产值为38亿美元，分离器件产量300多亿只，集成电路40多亿块。我国集成电路自1976年至1982年，产量一直在1200万块至3000万块之间波动，没有大幅度的提高，1982年我国半导体与集成电路的产值是0.75亿美元，产量为1313万块，相当于美国1965年和日本1968年的水平。（1965年美国的半导体与集成电路的产值是0.79亿美元，产量为950万块；1968年日本的半导体与集成电路的产值为0.47亿美元，产量为1988万块）。 在价格、成本、劳动生产率、成品率等方面，差距比几十倍还大得多，并且我国小规模集成电路的成品率比国外低1—3倍；中规模集成电路的成品率比国外低3—7倍。目前中、小规模集成电路成品率比日本1969年的水平还低。从经济效益和原材料消耗方面考虑，国外一般认为，进入工业生产的中、小规模集成电路成品率不应低于50%，大规模集成电路成品率不应低于30%。我国集成电路成品率的进一步提高，已迫在眉睫，这是使我国集成电路降低成本，进入工业化大生产、提高企业经济效益带有根本性的一环。从价格上来看，集成电路价格是当前我国集成电路工业中的重大问题，产品优质价廉，市场才有立足之地。我国半导体集成电路价格，长期以来，降价较缓慢，近两三年来，集成电路的平均价格为每块10元左右，这种价格水平均相当于美国和日本1965
展望二十一世纪
展望二十一世纪——汤因比与池田大作对话录 10 2017-11-23 11:33:31 大历史学家汤因比预言：中国文明将统一世界 1973年，英国著名历史学家阿诺尔德?汤因比与日本宗教和文化界著名人士、社会活动家池田大作，关于人类社会和当代世界问题的谈话，《展望21世纪--汤因比与池田大作对话录》，先后出版过英文、日文、德文、法文、西班牙文等多种文本。以下文字为池田大作为《展望二十一世纪》中文版出版20周年而作。 汤因比博士已去世30年（1889-1975年）此刻，感慨萦怀，想起和晚年的博士在他伦敦那整洁的住宅里交谈的那些黄金般的日子。如果他还健在，该多么高兴啊。对谈开始，眼镜后面总是面带微笑的博士的目光严肃起来，说：“开始吧，为了21世纪的人类，让我们交谈下去！”那是1972年，熏风吹拂、鲜花绽放的5月。博士83岁，浑身充满了沉静的热情，和44岁的我坦诚相对。谈得热火朝天的时候，恰好电视播报在英国召开首脑会议的新闻。博士看着，悠然说了一句话，至今在我胸中震响―― “可能我们的对话不惹人注意，但是将永远留存下去。”那时我倡议“日中邦交正常化”已4年。在东西冷战的旋涡中，各种既成势力对我的倡言施加压迫。然而，为了亚洲
与世界的和平，中国和日本非缔结友好不可，这就是我的信念。 汤因比博士非常了解我的这种行动。他露出慈父般的微笑，说：“因信念而遭受无端的责难是一种荣誉。浅薄的指责跟本质毫无关系。我们还是谈本质问题吧。”我们谈论的本质问题很广泛，概括起来，就是探究“何谓人”“何谓社会”以及“何谓生命与宇宙的本质”。这就汇集成了《展望二十一世纪》这本书。 博士用他那无以伦比的文明史巨眼俯瞰在薄薄覆盖地球这颗行星的“生物圈”中展开的人类史，遥望未来。博士集毕生学术之大成所说的警世词句须臾不离我耳畔。对于哲学告缺、迷失方向的现代世界，那些珠玑话语今天也深刻提示着根本价值观，即“为了创造新地球文明需要什么”，“为了可持续的繁荣，人类应该怎样生存” 对谈跨越了两年，总计10天，长达40个小时。我曾问：“如果再生为人，博士愿意生在哪个国家，做什么工作？”他毫不迟疑地回答：“我愿意生在中国。因为我觉得，中国今后对于全人类的未来将起到非常重要的作用。要是生为中国人，我想自己可以做到某种有价值的工作。” 在广大地域多民族融合、协调，一贯保持一个文明，对中国的这种悠久历史博士刮目相看。他还清晰论述了中华文明精神遗产的优秀资质，预言今后中国是融合全人类的重要
21世纪高新技术
（顶头写）高新技术是推动社会经济发展的强大动力 [内容提要]2l世纪人类进入了一个科技发展的新纪元，高新技术的发展引起的技术革命浪潮将对人类经济社会的发展产生巨大的影响。重视研究高新技术发展对经济社会变革的影响，对于中国在新世纪制定正确的科技发展政策，促进科技和经济社会的全面进步有着非常重要的意义。 [关键词]高新技术；技术革命；经济社会发展 一、21世纪高新技术发展大趋势 在2l世纪影响技术发展趋势的基本因素主要是：第一，技术自身自主的发展，这是最重要的因素；第二，科学发展状态对技术发展的巨大影响，科学发展的最新成就必然影响技术的发展方向和速度；第三，社会和经济发展的需求将技术发展的速度、方向和规模产生巨大影响。 根据以上影响21世纪技术发展趋势的基本因素，我们大体上可以推断高新技术发展的三大领域的大趋势。第一，以计算机为中心的信息技术革命将延续到2l世纪初期。全球“信息高速公路”浪潮的兴起将成为“世纪工程”。它将成为全球的神经中枢，使人类居住的地球就如同一个具有高度智慧的“大脑”。之所以出现这样的趋势，这是因为，其一，预计未来20年，半导体芯片集成度每18个月翻一番，价格减半的被称之为“摩尔定律”的发展趋势还会继续。而与之并行的处理技术难度使计算能力每两年提高一个数量级，预计到2005年计算能力将达到每秒千万亿次级。过去十年间，光纤的传输速率几乎每年翻一番，近两年达到每半年翻一番。其二，信息产业已成为经济增长的主要推动力。1995——1998年，信息技术及相关产业对美国国内生产总值增长的贡献率占l／3以上。据统计，1998年，全球电子产品市场规模为1．13万亿美元，2000年达到1．3万亿美元。其三，互联网和电子商务高速增长。全球互联网‘用户从1996年不足4000万户增长到目前的2．6亿户，预计到2005年将超过10亿户。目前全球电子商务市场贸易总额已达1500亿美元，预计到2003年将达到1．3万亿美元。未来10年，全世界国际贸易可能将会有1/3通过电子商务实现。第二，生物学世纪正处在创新浪潮中，生物技术将得到有史以来从未有过的大发展。生物学发展最引人注目的是，它不仅在了解生命，还在改造生命，定向进化成为生物技术的新热点。在自然条件下需要几年甚至几十年才能实现的事情，现在可以在几周甚至几天内实现。一系列大型计划如《国际地圈及生物圈计划》、《人类基因组作图与预测计划》、《人类前沿科学计划》、《脑的10年》、《生物多样性利用与保护研究》等的实现，特使生物技术崛起。现在生物技术研究成果不断涌现，应用速度加快。人类面临的一系列重大问题如人口膨胀、环境污染、粮食匮乏、疾病威胁等都紧迫地需要发展生物技术以求解决。围绕着生物技术的发展，环境保护技术、农业技术、生物——心理——社会技术等也将得到充分的发展，以致形成新的高新技术产业群。第三，以纳米科技为前沿和核心的新材料科技正在引发新的产业革命。纳米科技应用非常广泛。即将到来的微型化和分子电子装置浪潮——纳米技术，正在化学、物理学、生物学和电子工程学的交叉领域形成。这次浪潮的出现，将引发一场比20世纪末达到鼎盛的微电子装置更加引人注目的大规模行业变革。随着纳米科技的新发展，分子计算机、光子计算机、生物计算机、量子计算机在不久的将来就会出现。人们估计“后PC时代”正在到来。这是计算机技术发展的第三次浪潮的核心，它把计算机技术运用到各种日常和器具之中，同时使得它具有联网功能和高度智能化，这一趋势将从根本上改变现在个人计算机
镁基复合材料的研究发展现状与展望
——颗粒增强镁基复合材料 课程名称：金属基复合材料 学生姓名： 学号: 班级： 日期：2010/12/26
——颗粒增强镁基复合材料 摘要：镁基复合材料具有很高的比强度、比刚度以及优良的阻尼减震性能，是汽车制造、航空航天等领域的理想材料之一。本文综述了颗粒增强镁基复合材料的研究概况，镁基复合材料常用的基体合金和常用的增强相。着重介绍了其制备方法、力学以及阻尼性能，并对它的发展趋势进行了展望。 关键词：镁基复合材料；制备方法；基体镁合金；颗粒增强体；性能 1.前言 与传统的金属材料相比，金属基复合材料具有高的比强度、比刚度、耐高温、耐磨损耐疲劳、热膨胀系数小、化学稳定性和尺寸稳定性好等优异性能。金属基复合材料的增强体主要有长纤维、短纤维、颗粒和晶须等，其中颗粒增强金属基复合材料由于制备工艺简单、成本较低微观组织均匀、材料性能各向同性且可以采用传统的金属加工工艺进行二次加工等优点，已经成为金属基复合材料领域最重要的研究方向，正在向工业规模化生产和应用发展。颗粒增强金属基复合材料的主要基体有铝、镁钛、铜和铁等，其中铝基复合材料发展最快；由于镁的密度更低(1.74 g／cm3)，仅为铝的2／3，具有更高的比强度、比刚度，而且具有良好的阻尼性能和电磁屏蔽等性能，镁基复合材料正成为继铝基之后的又一具有竞争力的轻金属基复合材料。镁基复合材料因其密度小，且比镁合金具有更高的比强度、比刚度、耐磨性和耐高温性能，受到航空、航天、汽车、机械及电子等高技术领域的重视．自20世纪8O年代至现在，镁基复合材料已成为金属基复合材料的研究热点之一。颗粒增强镁基复合材料与连续纤维增强、非连续(短纤维、晶须等)纤维增强镁基复合材料相比，具有力学性能呈各向同性、制备工艺简单、增强体价格低廉、易近终成型、易机械加工等特点，是目前最有可能实现低成本、规模化商业生产的镁基复合材料。 2．制备方法 2．1粉末冶金法 粉末冶金法是把微细纯净的镁合金粉末和增颗粒均匀混合后在模具中冷压，然后在真空中将合体加热至合金两相区进行热压，最后加工成型得复合材料的方法。粉末冶金的特点：可控制增颗粒的体积分数，增强体在基体中分布均匀；制备温度较低，一般不会发生过量的界面反应。该法工艺设备较复杂，成本较高，不易制备形状复杂的零件。 2.2熔体浸渗法 包括压力浸渗、无压浸渗和负压浸渗。压力浸渗是先将增强颗粒做成预制件，加入液态镁合金后加压使熔融的镁合金浸渗到预制件中，制成复合材料采用高压浸渗，可克服增强颗粒与基体的不润湿情况，气孔、疏松等铸造缺陷也可以得到很好的弥补。无压浸渗是指熔的镁合金在惰性气体的保护下，不施加任何压力对增强颗粒预制件进行浸渗。该工艺设备简单、成本低，但预制件的制备费用较高，因此不利于大规模生产。增强颗粒与基体的润湿性是无压浸渗技术的关键。负压浸渗是通过预制件造成真空的负压环境使熔融的镁合金渗入到预制件中。由负压浸渗制备的SiC／Mg颗粒在基体中分布均匀。
微电子技术的发展历史与前景展望
微电子技术的发展历史与前景展望 姓名：张海洋班级：12电本一学号：1250720044 摘要：微电子是影响一个国家发展的重要因素,在国家的经济发展中占有举 足轻重的地位，本文简要介绍微电子的发展史，并且从光刻技术、氧化和扩散技术、多层布线技术和电容器材料技术等技术对微电子技术做前景展望。 关键词：微电子晶体管集成电路半导体。 微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支，它主要研究电子或粒子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的科学，以实现电路的系统和集成为目的，实用性强。微电子产业是基础性产业，是信息产业的核心技术，它之所以发展得如此之快，除了技术本身对国民经济的巨大贡献之外，还与它极强的渗透性有关。 微电子学兴起在现代，在1883年，爱迪生把一根钢丝电极封入灯泡，靠近灯丝，发现碳丝加热后，铜丝上有微弱的电流通过，这就是所谓的“爱迪生效应”。电子的发现，证实“爱迪生效应”是热电子发射效应。 英国另一位科学家弗莱明首先看到了它的实用价值，1904年，他进一步发现，有热电极和冷电极两个电极的真空管，对于从空气中传来的交变无线电波具有“检波器”的作用，他把这种管子称为“热离子管”，并在英国取得了专利。这就是“二极真空电子管”。自此，晶体管就有了一个雏形。 在1947年，临近圣诞节的时候，在贝尔实验室内，一个半导体材料与一个弯支架被堆放在了一起，世界上第一个晶体管就诞生了，由于晶体管有着比电子管更好的性能，所以在此后的10年内，晶体管飞速发展。 1958年，德州仪器的工程师Jack Kilby将三种电子元件结合到一片小小的硅片上，制出了世界上第一个集成电路（IC）。到1959年，就有人尝试着使用硅来制造集成电路，这个时期，实用硅平面IC制造飞速发展.。 第二年，也是在贝尔实验室，D. Kahng和Martin Atalla发明了MOSFET，因为MOSFET制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的特点，集成电路可以变得很小。至此，微电子学已经发展到了一定的高度。 然后就是在1965年，摩尔对集成电路做出了一个大胆的预测：集成电路的芯片集成度将以四年翻两番，而成本却成比例的递减。在当时，这种预测看起来是不可思议，但是现在事实证明，摩尔的预测诗完全正确的。 接下来，就是Intel制造出了一系列的CPU芯片，将我们完全的带入了信息时代。 由上面我们可以看出，微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。时至今日，微电子技术变得更加重要，无论是在航天航空技术、遥测传感技术、通讯技术、计算机技术、网络技术或家用电器产业，都离不开微电子技术的发展。甚至是在现代战争中，微电子技术也是随处可见。在我国，已经把电子信息产业列为国民经济的支拄性产业，微电子信息技术在我国也正受到越来越多的关注，其重要性也不言而喻，如今，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志，微电子科学技术的发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。
展望21世纪美国的大国地位及中美关系
展望21世纪美国的大国地位及中美关系 随着奥巴马竞选总统连任成功，人们有理由相信未来四年美国对华政策的基本框架不会有根本性的改变，连续性要大于变化，未来中美关系还将是合作与竞争并存的状态。2012 年11 月15 日，在奥巴马即将飞赴亚洲参加东亚峰会之际，现任美国国家安全事务助理汤姆多尼伦阐述了美国的再平衡战略对华政策。他指出，如何处理好同中国重要而复杂的关系是奥巴马政府上台以来优先考虑和关注的问题。在他看来，美中关系既有合作，也有竞争的一面。美国持续一贯的政策是在这两者之间寻求平衡，既提高与中国合作的数量和质量，也提高与中国竞争的能力。与此同时，美国“寻求以健康而非破坏性的方式处理好我们之间的分歧与竞争。多伦尼表示，美国再平衡战略的一个组成部分就是“寻求同中国建立一种稳定而建设性的关系”。 中美之间既有利益交汇点，也有明显的分歧和矛盾。各种因素纠结其中，使得中美关系出现非常复杂的局面。未来有助于中美关系平稳发展的主要因素包括：首先，主观上中美两国决策层都认识到稳定的中美关系符合两国的根本利益、中美合作对于亚太地区乃至全球的重要性。随着中国国力的不断上升，美国上下日益认识到中国的重要性，发展对华关系符合美国的国家利益已成为两党主流共识。2012 年11 月20 日，奥巴马总统与温家宝总理在金边会晤。温家宝总理指出，中美关系长期健康稳定发展，不仅符合两国的根本利益，也有利于亚太地区乃至世界的和平、稳定与繁荣。奥巴马表示，“美方继续致力于与中方建设强有力的合作伙伴关系”。他提出，双方高层可尽快进行沟通，为下一个四年美中关系发展制定具体路线图。 其次，客观上随着中国综合国力的日益提升，中国的重要性日益明显，美国需要中国的合作。事实上，经过多年的发展，中美两国之间的共同利益不断拓展。随着中国国力的不断增强，两国关系愈发重要，已经远远超越了双边关系范畴，有着越来越多的地区和全球性的内涵。除了传统的安全威胁之外，中美两国还面对许多非传统安全的挑战，两国利益的交汇点在增多。中美两国无论是在双边问题上还是在多边层面上，都进行了卓有成效的合作，涉及国际反恐、军控与核不扩散、地区安全与稳定、打击贩毒和非法移民、能源与环保、气候变化等诸多领域。事实上，在许多涉及地区和全球的重大问题上，中美之间都会事先进行沟通和磋商，协调立场。 目前中美互为对方的第二大贸易伙伴。美国是中国最大的出口市场，中国是美国出口增长最快的市场。美国在华有巨额投资，截至2012 年9 月，中国持有美国国债11 555 亿美元，是美国海外第一大债权国。在当前美国经济复苏缓慢、失业率居高不下的情况下，推进对华经贸关系的发展对美国极为重要。奥巴马政府一直要求中国遵循国际规则，对华不断施压，但并不希望出现贸易战，因为那样只会两败俱伤。2012 年11 月27 日，美国财政部发布半年一次的《国际经济和汇率政策报告》，认定包括中国在内的美国主要贸易伙伴未操纵货币汇率以获取不公平贸易优势。 这是奥巴马政府第八次没有将中国定为“汇率操纵国”。这份报告之所以引人关注，主要原因有两点：一是因为大选期间共和党候选人威拉德尼（Willard Mitt Romney）曾一再宣称上任第一天就将中国定为“汇率操纵国”；二是奥巴马连任成功，这一表态在一定程度上体现了对华政策的连续性。 最后，中美之间的磋商与合作日益机制化，并能就出现的问题及时沟通，有助于减少双方的误判。自2009 年以来，中美元首会晤多达12 次，胡锦涛与奥巴马成为中美建交以来会面最多的中美最高领导人。中美两国领导人还多次通过书信以及电话方式就双边关系以及重大地区和国际问题进行交流。中美战略与经济对话至今进行了四轮，促进了两国高层战略沟通，加深了对彼此战略意图和政策的了解，有力地推进了互利合作，取得了丰硕的成果。
(中文)世界信息技术发展走势展望
世界信息技术发展走势展望 一、世界电子信息工业发展的新特点： 信息技术成为经济增长的主要推动力 信息技术(IT)是当前发展最迅速、影响最广的高新技术，它的发展和应用对国民经济信息化、国防现代化和社会生活的变革产生着深远的影响。 以美国经济为例。信息技术在美国经济增长中起主导作用。过去5年内，IT领域在美国经济实际增长中占四分之一的份额。信息产业在整个经济中的份额在显著增长，在经济中的重要性也在日益增长。1985年，美国信息产业在经济中占的比例为4.9％，随着PC在办公室和家庭中开始普及，1990年这一比例又上升到7.5％，1998年升至8.2％。与此同时，1994年以前，信息技术和产业对经济增长的贡献与其在经济中所占份额成正比，而1994年以后，其贡献就几乎是其在经济中所占份额的两倍。 市场竞争进一步激化，购并、结盟、合作指向新目标 在全球经济一体化的趋势下，出现了国家之间同行业的企业购并与结盟，目的是占领各国的市场；在技术融合和市场融合的趋势下，形成了计算机网、电信网和有线电视网三网融合的趋势，由此出现了不同行业之间的企业购并、结盟与合作，旨在开拓新的业务领域；而特别值得注意的是，今天的购并、结盟已不再是以增加市场份额为唯一宗旨，共同开发新技术、新系统以及制订标准已成为当今购并、结盟的重要目标和共同特征。 为争夺电子信息高科技优势，政府参与度和干预度增强 在电子信息技术迅速发展的今天，各国政府已视它为促进国家经济发展和国防安全的核心技术，对其发展在政策和财力上给予支持，在国际经济和外交斗争中给予保护，并直接参与组织制订和监督实施电子高科技的战略性发展计划，突出体现了电子信息技术发展的政府意图和争夺21世纪技术优势、保持和增强经济竞争力及国防实力的强烈意图。 二、21世纪初世界电子信息工业发展展望 21世纪，人类将迈入一个崭新的时代——知识经济时代。全球信息化和经济全球化将成为这一时代的主要发展潮流。 1997年3月26日，世界贸易组织(WTO)40个代表方达成《信息技术协议》，承诺在2000年1月1日前取消计算机、计算机软件、通信设备、半导体、半导体制造设备和科学仪器的关税，并允许部分发展中国家于2005年将上述信息产品关税减至零。1997年10月，WTO 在日内瓦召开“第二阶段信息技术协议”讨论会，准备将电视机、录像机、收音机、印制板制造设备、平板显示器、电容制造设备、音频设备等消费类电子产品也纳入《信息技术协议》零关税产品清单中，但准备在2002年1月1日才把这些产品关税降为零。《信息技术协议》的签署将使信息产品的生产与市场全球化，加剧全球信息产品制造商之间的竞争，使信息产品的性价比不断提高。 在全球信息化和经济全球化的推动下，21世纪信息产业将成为推动全球经济发展的支柱产业之一。 微电子技术与产品市场将持续高速发展 世界PC、网络相关产品、数字移动通信设备、数字音视频产品和汽车电子设备需求量迅速增加，使得全球半导体市场发展前景十分看好。据世界半导体贸易统计公司(WSTS)的预测，1998年～2002年全球半导体销售额的年均增长率将达到15.5％，2002年全球半导体
新材料产业发展现状及趋势
新材料产业发展现状及趋势 “十五”期间，在我国新材料产业发展过程中，国家给予了大力支持，初步形成了比较完整的新材料产业体系。“十五”期间发布的《国家计委关于组织实施新材料高技术产业化专项公告》，通过100多个产业化专项的实施．有力地推动了我国具有自主知识产权的新材料产业的发展，在电子信息材料、先进金属材料、电池材料、磁性材料、新型高分子材料、商性能陶瓷材料和复合材料等方面形成了一批高技术新材料核心产业。“十一五”期间又进一步加大了支持力度。按我国目前经济发展趋势预计，新材料需求增长速度将高于经济增长速度，按10％的增长速度计算，到2010年我国新材料市场可达6500亿元。新材料产业也已成为衡量一个国家经济社会发展、科技进步和国防实力的重要标志。 我国新材料产业的发展现状 当前，我国的新材料产业在国际产业布局中正处于由低级向高级发展的阶段，随着对外开放和与全球业界的广泛交流合作，我国新材料产业正呈现快速健康发展的良好状态，在一些重点、关键新材料的制备技术、工艺技术、新产品开发及节能、环保和资源综合利用等方面取得了明显成效，促进了一批新材料产业的形成与发展。 1．新一代钢铁结构材料 迄今为止，钢铁结构材料依然是国民经济各支柱产业和国防工业的重要支撑材料和应用范围最宽、使用量最大的材料，其生产和应用过程对全球资源、能源和人类生存环境有着不可忽视的影响，以去年为例： 2007年生产钢材46719.3万吨，比去年增长16.2％。同时，高技术含量、高附加值品种钢材产量大幅度增长。全年生产冷轧薄宽钢带1740.27万吨，同比增长31.8％；冷轧薄板1563.83万吨，同比增长25.2％；镀层板(带)1754.58万吨，同比增长37.9％；涂层板(带)317.21万吨，同比增长36.1％；电工钢板(带)415.57万吨。同比增长23.5％。以上5个品种钢材合计生产5791.487吨，比上年增长31.28％，高于钢材生产总量增幅8.59个百分点。全年生产不锈钢720.6万吨，比上年增加190.6万吨，增长35.96％，居世界第一位。其中，世界一流工艺装备的生产量达到70％，国内市场占有率达到75％，实现了重大的突破。全行业已基本形成以企业为主体、市场为导向、产学研相结合的技术创新和新产品研发体系，形成了科研基础设施建设加强、科技投入增加的良好格局。全行业在高效采选技术、钢铁冶炼技术、轧钢新技术、高端产品开发、大型冶金成套装备技术集成、节能节水和废弃物综合利用新技术等方面，都取得了新的成果和进步。 2007年宝钢试制成功X120管线钢，实现电镀锌机组全面无铬化生产，年产150万吨生铁的COREX3000熔融还原工艺装置投产；鞍钢继续完善冷连轧自主集成成套工艺技术，开发成功一批具有自主知识产权的核心技术，并在相关企业投入使用；武钢新一代取向硅钢、高效电机硅钢的研发和装备技术集成，高强度桥梁钢生产技术提高；太钢建成世界一流的现代化不锈钢生产基地；攀钢转炉铁水提钒和半钢炼钢连续工业性试生产成品钒渣等均取得了工艺技术的新突破。 2007年在研发和扩大生产市场需求的短缺产品方面，船用高强度宽厚板、高强度海洋结构用钢板、高档汽车用板和汽车零部件用钢、工程机械和高层建筑用高强度厚钢板、X80以上高等级管线钢板、百米在线热处理钢轨和时速350公里高速铁路钢轨、高速动车组用钢、高端压
作为21世纪三大关键技术之一
作为21世纪三大关键技术之一，新材料是各领域孕育新技术、新产品、新装备的“摇篮”。这个最具发展潜力并对未来发展有着显著影响的高新技术产业，不仅被国家列为战略性新兴产业，而且被认为是所有战略性新兴产业发展的基石。近日，从工信部传出消息，《新材料产业“十二五”发展规划》可能于今年8月份发布实施。 基础性产业市场前景广阔 从我们穿的衣服、用的餐具、乘坐的交通工具、栖居的住宅到工作的场所，可能都正使用着新型材料；从大飞机、高速铁路、新能源汽车等重点工程，到三网融合、物联网、节能环保等重要产业，都需要一系列新材料技术的突破和应用。 “无论是工业还是农业都需要材料，新材料是一种基础性和支柱性的产业，材料的突破将有可能引发新的产业革命。”中国材料研究学会咨询部主任唐见茂表示，新材料是众多产业振兴与发展的前提，任何产业的生产过程都需要材料作为支撑。随着科技的进步和新兴产业的快速发展，对新材料的种类和数量的需求也大大增加，新材料市场前景十分看好。 以碳素材料为例，进入新世纪以来，碳素材料已成为全世界大规模开发应用的首选高性能材料。传统的碳素材料是人造金刚石和耐高温石墨材料，而新世纪最引人注目的碳素新材料是碳纤维复合材料和石墨烯材料。碳纤维具有高强度、高模量、低比重、耐高温、抗疲劳、导电质轻、易加工等多种优异性能，正逐步取代传统材料，广泛应用于航空航天和军事领域，并开始深入到国计民生的各个方面。 “碳纤维复合材料属于高端应用，代表一个国家的整体科技水平和工业化水平，最重要的应用是在航空航天等高端领域，至少有20至30年的发展空间。”唐见茂表示，如果将碳纤维复合材料用于飞机制造，将会比现在的铝合金减重20%至40%，在节能方面体现出很大效益。目前，波音787飞机有50%应用了碳纤维复合材料，空客一款飞机62%的材料也将应用碳纤维复合材料。 新材料产业的下游涉及广泛，汽车、航空设备、通信设备、家电、IT以及房地产、交通运输、城市建设等诸多领域都在其中，而这些领域目前正处在高速发展时期，对新材料的需求同样巨大。“目前我国新材料产业正处于强劲发展阶段，新材料产业约占国内生产总值的30%，预计年增长速度保持在20%以上，发展空间广阔。”中国产业集群研究院院长保育钧此前曾表示，我国新材料产业在“十二五”期间将迎来高速发展期。 体系初成但核心技术待突破 由于新材料关系其他众多相关产业的发展，全球都高度重视新材料的发展，各国选择了不同发展战略和优先发展领域。近十年来，世界材料产业的产值以每年30%的速度增长。当前，微电子、光电子、新能源、化工新材料成为研究最活跃、发展最快、应用前景最为投资者所看好的新材料领域。 我国近年来也加大对新材料发展的关注。从政策扶持方面，政府在科研经费投入、产业规划制定、产业政策及科技成果转化等方面给予了大力支持，初步形成了比较完整的新材料产业体系。目前，我国在电子信息材料、先进金属材料、电池材料、磁性材料、新型高分子材料、
展望21世纪_高中作文
展望21世纪 听，21世纪的钟声鸣响在我们这个星球的寥廓上空。人类文明的发展，又进入了一个新世纪，开启了一个新千年。 上一千年，人类历史发生了沧桑巨变。人类文明从古代文明发展到了现代文明。人类社会经过封建社会进入了资本主义社会，并且在一些国家诞生了崭新的社会主义制度。人类的经济活动进到了工业经济时代，人类创造了以往数千年无法比拟的巨大物质与精神财富。人类对世界的认识和改造，突破了一个又一个必然王国而不断地向着自由王国飞跃。 面对新的世纪之交和千年之交，未来的世界应该是一个什么样的世界，让我们一同展望。21世纪，美好蓝图都将实现，21世纪的中国是怎样的辉煌啊!我驾着时空飞船，来到21世纪的百年里畅游…… 不知不觉，我已到了2008年，北京的夜晚真美啊！到处是彩旗，到处是标语，今天是喜庆的日子吗？“预祝二十九届北京奥运会圆满成功”奥运会？北京？天啊！我终于想起来了，中国不是审办2008年的奥运会吗？成功了呀！我飞快地来到北京首都体育场，好盛大的场面呀！我简直不敢相信自己的眼睛。北京体委运用高科技技术，把十万只气球拼成了“为奥运加油”等字样，飘在体育场上空，好不壮观；会场的灯光全部采用新研制的镭射灯，虽然是在夜晚，但会场仍亮如白昼……盛大的开幕式开始了。作为奥运会东道主的中国队走在最前面，一进场，全场都沸腾了。看着他们个个志气饱满的样子，这次的奥运会肯定胜利在握。中国的体育事业可以发扬光大了……中国审办奥运会的成功，是中国步入21世纪后的辉煌成绩，同时也向世人表明，中国的发展势不可挡。 飞船在向前飞行着，告别了北京奥运会，告别了2008年，我的飞船在台湾着陆了。台湾是个美丽的岛屿。它已回到祖国怀抱在尽情享受着母爱，多么幸福，多么快乐！这是亿万中国儿女日夜盼望的大团圆啊。这是多么辉煌的业绩！我只感到心底有一股热流在向上涌…… 我仍在时空隧道中行进着，突然觉得眼前亮了许多，鼻子吸进的空气有一种说不出的新鲜感。噢！原来21世纪开始，中国便开始启动了蓝天工程，全面彻底的根治了全国的大气污染，碧空万里，空气清新而且各地市级城市还建成了自动控制气象系统，何时需要晴天，何时需要下雨，只要一按钮就解决了。所以再也不必担心每天的天气了，这也是中国步入21世纪后取得的伟大成就呀！除此之外，21世纪还将完成“南水北调”、“北气东输”等巨大工程，让我们共同等待……回首过去，我们感慨万千，展望未来，我们信心满怀。中国的未来不是梦，中国的发展、进步是历史的必然，中国向前迈的脚步永不停歇。我们的未来将以无与伦比的辉煌展现在世人面前，让我们共同努力去迎接这灿烂的时刻吧！