珍藏：LED驱动调试总结

珍藏：LED驱动调试总结

1、芯片发热

?这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片.假如芯片消耗的电流为

2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热.驱动芯片的最大电流来自于驱动功率mos管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf),其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低c、v和f.如果c、v

和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗.再简单一点,就是考虑更好的散热吧.

?2、功率管发热

?关于这个问题,也见到过有人在本区发过贴.功率管的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗.要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要远大于导通损耗.开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以可以从以下几个方面解决:a:不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大.如1N60的cgs 为250pF左右,2N60的cgs为350pF左右,5N60的cgs为1200pF左右,差别太大了,选择功率管时,够用就可以了.b:剩下的就是频率和芯片驱动能力了,这里只谈频率的影响.频率与导通损耗也成正比,所以功率管发热时,首先要想想是不是频率选择的有点高.想办法降低频率吧!不过要注意,当频率降低时,为了得到相同的负载能力,峰值电流必然要变大或者电感也变大,这都有可能导致电感进入饱和区域.如果电感饱和电流够大,可以考虑将CCM(连续电流模式)改变成DCM(非连续电流模式),这样就需要增加一个负载电容了.

?3、工作频率降频