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习题
【2-1】填空、选择正确答案
1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是
A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；
√B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路；
C．将输入交流信号加到晶体管的基极。
2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中：
A．只有直流；
B．只有交流；
√ C．既有直流，又有交流。
3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ）
4．下列说法哪个正确：
A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大；
√B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率；
C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。
5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。
a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变）
(1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a）
(2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻
。（b；a；c）
(3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻
。（b；a；c）
(4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。
（c；b）
(5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c）
6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好）
7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区）
8．在共射基本放大电路中，若适当增加 ，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加）
9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。（增加）
10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。
√ A．放大倍数变大，输出电阻变大
B．放大倍数变大，输出电阻不变
C．放大倍数变小，输出电阻变大
D．放大倍数变小，输出电阻变小
11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载
开路的条件下，也就是排除了输出电阻的影响，只剩下输入电阻这一个因素。甲、乙两个放大电路电压放大倍数相同，甲的输出小，说明甲的输入电阻小，乙的输入电阻大。） 12．某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为4V ，接入3Ωk 负载电阻后，输出电压的有效值降为3V ，据此计算放大电路的输出电阻。 √ A ．1Ωk ； B ．1.5Ωk C ．2Ωk D ．4Ωk
13．有一个共集组态基本放大电路，它具有如下哪些特点： A ．输出与输入同相，电压增益略大于1；
√ B ．输出与输入同相，电压增益稍小于1，输入电阻大和输出电阻小； C ．输出与输入同相，电压增益等于1，输入电阻大和输出电阻小。
【2-2】分别画出图2-2所示各电路的直流通路与交流通路。
()a ()b
()
c
题2-2电路图
解：
直流通路，见图2-2(1)。
CC
R R ( )a ( )b ( )
c DD
R R
CC
R R
图2-2(b)
交流通路，见图2-2(c)。
( )a ( )b ( )
c
图2-2(c)
【2-3】 电路如图2-3所示，元件参数已给出，晶体管的β＝50、U BE =0.7V ，求静态工作点。
解：
'
b2C C b1b2
4V R V R R =
=+
'
b b1b2// 6.67k R R R ==Ω
'
C C BE BQ 'b
e
30.4μA (1)-=
=++V U I R R β
C Q BQ 1.52m A I I β==
C EQ C C C Q c e () 5.92V U V I R R =-+=
【2-4】电路如图2-4所示，V CC ＝12V ，晶体管为硅管，U BE =0.7V ，β =50。试计算： 1. 中频电压放大倍A u ；
2. 求放大电路的输入电阻R i ；
3. 求放大电路的输出电阻R o ；
4. 最大不失真输出电压幅值。
图2-3 题2-3电路图 图2-4 题2.4电路图
解：
1．此题工作点与[2-3]题相同。
'be bb EQ
26(m V )(1)
1.17k r r I β=++=Ω
'
L
be
56.4=-
=-u R A r β
2．R i = R b1// R b2// r be =0.997k Ω 3．R o ≈ R c =2 k Ω
4．'
'
om CEQ CQ L CQ L min{,} 2.00V =?=?=U U I R I R
【2-5】 电路如图2-5所示，设V CC ＝15V ，R b1=60Ωk 、R b2=20Ωk 、R c =3Ωk 、R e =2Ωk 、R s =600Ω，电容C 1、C 2和C e 都足够大，β＝60，U BE =0.7V ，R L =3Ωk 。试计算： 1. 电路的静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ ；
2. 电路的中频电压放大倍数A u ，输入电阻R i 和输出电阻R o ；
3. 若信号源具有R s ＝600Ω的内阻，求源电压放大倍数A us 。
解： 1．
'
b2C C b1b2
3.75V =
=+R V R R
'
b b1b2//15k ==ΩR R R
'
C C BE BQ 'b
e
22μA (1)-=
=++V U I R R β
C Q BQ 1.32m A ==I I β
C EQ C C C Q c e ()8.40V =-+=U V I R R
2． r be =bb EQ 26m V 26
r (1)
30061 1.50k I m A 1.32
'++β=+?=Ω（）
（）；
L be
600'=-
=-u R A .r β；
R i = R b1// R b2// r be =1.36 k Ω ；
R o ≈ R c =3 k Ω 3． i us s i
416==-+u R A A .R R
【2-6】电路如图2-6，已知β＝50、r be =1.5Ωk ，计算电压放大倍数；若保持β＝50不变，将R L 由4Ωk 改为2Ωk ，则电压放大倍数将如何变化？在其他参数不变的情况下，β 变为100，放大倍数将如何变化？
o s U &R
V
图2-5 题2-5电路图 图2-6 题2-6电路图
解：
1．计算电压放大倍数
4.44be
L u
-='
-=r R A β& 2．β＝50不变，R L 由4Ωk 改为2Ωk ，不会影响静态工作点，r be 不会改变。所以
因R ’L 变小电压放大倍数减小。
3．β 变为100，电压放大倍数会稍有增加，但不会增加一倍。因为电压放大倍数公
式中，分子中β 增加一倍，分母的EQ
b b be 26)1(I r r β++='，也将增加接近一倍。所以单
纯通过提高β 值来提高电压增益，效果不明显。
【2-7】 若图2-7中的电路出现故障，且经测量得知U E ＝0，U C ＝V CC 。故障的原因是下列四种之一，请判明是 。
A. R c 开路
B. R c 短路
C. R e 短路
D. R b1开路 解：
应是R b1开路。因为对于A ，R c 开路，U C 不会等于V CC ，也就是说U C ＝V CC 排除了R c 开路；对于B ，R c 短路，可能有U C ＝V CC ，但此时有集电极和发射极电流，U E 不为0；对于C ，R e 短路，U E ＝0，但此时发射极、集电极电流不等于0，U C ＜V CC 。
【2-8】共集组态基本放大电路如图2-8(a)所示，其输出波形产生了如图2-8(b)所示的失真。请问该失真属于饱和失真和还是截止失真？消除该种失真最有效的方法是什么？如晶体管改为PNP 管，若出现的仍为底部失真，上面的答案又怎样？若把电路的改为图2-6所示的共射组态基本放大电路，重新回答上面的问题。
o p 0p
3p 2t
w u
o
图2-7 题2-7电路图 (a) (b)
图2-8 题2-8电路图和输出的失真波形
解：
1．波形图的上部电位水平高，下部电位水平低。当晶体管趋于截止时，发射极的电位向地靠拢；当晶体管趋于饱和时，发射极的电位向电源电压靠拢。所以图2-8(b)的底部失真是截止失真。
2．适当减小R b 。
3．如果晶体管改为PNP 型，V cc 变为-V cc ，仍为底部失真，则为饱和失真。
4．若把电路的改为图2-6所示的共射组态基本放大电路，因从集电极输出，晶体管趋于截止时，集电极电位向电源电压靠拢；晶体管趋于饱和时，集电极电位向地电位靠拢。所以是饱和失真。
采用NPN 型晶体管，还是PNP 型晶体管，是从发射极输出，还是从集电极输出，同一种外形的失真结论是不同的，请参考表2-8。
表2-8 基本放大电路失真的判断
PNP
NPN
CC
CE 下部截止失真
上部饱和失真下部饱和失真上部截止失真下部饱和失真
上部截止失真下部截止失真
上部饱和失真
【2-9】图2-9为射极输出器，已知V cc =12V ，R b =110Ωk ，R e =3Ωk ，R L =3Ωk ，β=50，r be ≈1Ωk ，U BE =0.7V ，耦合电容的容量足够大。试计算电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
图2-10 题2-10电路图
解：
此放大电路为共集组态。电压放大倍数
o L i
be L
15115
0987
115115
'+?=
=
=
='+++?u U ()R .A .U r ()R .ββ
输入电阻
i b b e L 1110
15115455k
'=++=+?=ΩR R //[r ()R ]//(.).β 输出电阻
be
o e 1
3(k )195151
==Ω=Ω+r R R //
//
.β
【2-10】已知一共基放大电路如图2-10。晶体管的U BE =0.7V ，β=100。计算该放大电路的静态工作点，中频电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
解： 1．
'
b2C C b1b2
3.69V ==+R V R R
'
b b1b2// 6.64k ==ΩR R R
'
C C BE BQ 'b
e
8.54μA (1)-=
=++V U I R R β
C Q BQ 0.854m A ==I I β
C EQ C C C Q c e ()10.3V =-+=U V I R R
2． r be =bb EQ 26m V 1338k m A '++=Ω（）
（）
r ()
.I β；
L be
366'=
=u R A .r β
3．R i = R e //[ r be /（1+β）]=33 Ω
4．R o ≈ R c =2.1 k Ω
【2-11】图2-11所示电路中，已知晶体管的β＝100，U BEQ ＝0.6V ，r bb ’＝100Ω。 1. 求静态工作点；
2. 画中频微变等效电路；
3. 求A u 和A us ；
4. 求R i 和R o 。
s U &R V
10
图2-11 题2-11电路图 图2-12 题2-12电路图
解：
此从发射极输出，但集电极不是直接接电源（交流接地），所以该电路不是纯粹的共集放大电路，R c 的存在，不影响放大电路的共集组态。求解该电路仍然可以使用微变等效电路。
1． 'b2C C b1b2
4.29V =
=+R V R R
'
b b1b2//8.57k ==ΩR R R
'
C C BE BQ 'b
e
17.5μA (1)-=
=++V U I R R β
C Q BQ 1.75m A ==I I β
C EQ C C C Q c e () 3.00V =-+=U V I R R
2． r be =bb EQ 26m V 1180k m A '++=Ω（）
（）
r ().I β；
3． o L u i b e L
10991U ()R A .U r ()R '+==='++ ββ 4．输入电阻
i b1b2be L
[(1)]816k '=++=ΩR R //R //r R .β
输出电阻 be o e 331'+==Ω
+s r R R R //
β
源电压增益
i us s i
0795=?
=+u R A A .R R
【2-12】在图2-12所示电路中，已知U GS =2V -，管子参数I DSS ＝4mA ，U p ＝U GS(off)= 4V -。设电容在交流通路中可视为短路。 1. 求电流I DQ 和电阻R S 。
2. 画出中频微变等效电路，用已求得的有关数值计算A u ，R i 和R o （设r DS 的影响可以忽略不计）。
3. 为显著提高｜A u ｜，最简单的措施是什么？
解：
场效应管是耗尽型，漏极电流可由下式算出
mA 1)421(4)1(2
2GS(off)GSQ DSS DQ =---?=-=U U I I
Ω=-=k 2DQ
GSQ S I U R
mS 1)1(2P
GS P
DSS m =-
=
U U U I g
33.32
111011s
m m u -=?+?=
+-
=R g R g A D
Ω==M 1G i R R Ω≈=k 10D o R R
为显著提高|A u |，应在R S 两端并联旁路电容。
【2-13】场效应管放大电路如图2-13(a)所示，其中R g1=300Ωk ，R g2=120Ωk ，R g3=10ΩM ，R S =R d =10Ωk ，C S 的容量足够大，V DD ＝16V ，设FET 的饱和电流m A 1DSS =I ，夹断电压U p =U GS(off) = -2V ，求静态工作点，然后用中频微变等效电路法求电路的电压放大倍数。若C S 开路再求电压放大倍数。
图2-13(a) 题2-13电路图 图2-14(a) 题2-14电路图
解：
[解]
1. 求静态工作点
该放大电路采用耗尽型场效应三极管，分压偏置电路。由于栅极回路无静态电流，所以R g3中无电流。所以，R g1和R g2分压点的电位与栅极电位相等，这种分压偏置可以提高放大电路的输入电阻。由电路得：
s D g2
g1g2DD S G GS R I R R R V U U U -+=-=
D d S DD
DS )(I R R V
U +-=
2P
GS DSS D )1(U U I I -
=
上述方程组代入数据得两组解：
第一组：I D =0.46mA U GS = -0.6V 第二组：I D2=0.78mA U GS = -3.8V ＜U p
第二组数据不合理，故工作点为：I D =0.46mA ，U GS = -0.6V 2. 用微变等效电路求电压放大倍数
放大器的微变等效电路如图2-13（b ）；
&
&
图2-13(b) 2-13题的中频微变等效电路 图2-13(c) 无C S 的微变等效电路
i g s
o m g s d
d
(//)
U U
U g U R r ==-
m d u A g R =-
对转移特性曲线方程式求导数，可得 m A /V 69.02
DQ DSS p
m ≈-=I I U g A u =－6.9 3. C S 开路时的电压放大倍数
C S 开路实际上就是电路出现电流串联负反馈，电压增益下降。如果没有学习反馈， 仍然可以用微变等效电路法求解。放大器微变等效电路如图2-13(c)。 因为r d >>R d 、R s 故
gs
m
s
d
U
g I I &&&≈= s
s gs i R I U U &&&+= o d d m g s
U I R g U R =-=- 于是
87.01s
m d m s gs m gs d gs m s s gs d gs m i o
u -=+-=+-=+-==R g R g R U g U R U g R I U R U g U U A &&&&&&&&
【2-14】有一个场效应管放大电路如图2-14(a)所示，已知I DSS ＝4mA 、U GS ＝－2V 、U P ＝U GS(off)＝－4V 、V DD ＝20V 。试求： 1. 静态漏极电流I DQ ； 2. R S1和R S2最大值； 3. 中频电压放大倍数； 4. 输入电阻和输出电阻。
解：
&
图2-14 (b) 中频微变等效电路
1．电路由是N 沟道结型场效应管构成，采用自给偏压电路。由公式 2
P
GS DSS D )1(U U I I -
=
可以求出 I D =1mA
2. 电路采用自偏压
V 2S1D GS -=?-=R I U ， R S1＝2Ωk
R S2越大，U DS 越小，大到一定程度，就不能保证场效应管工作在恒流区。工作在恒流区的条件是栅漏间电压比夹断电压小，即 G
D
G S
D S
G S (
U U
U
U
=-≤
所以 D
S m i n
G S
G S (o f f )
242V
U U
U
=-=-+= 又因为 D S D D
D D S 1
S
()U V I R R R =-++ DD
S 2max DSmin D D S1[()/]6k R V
U I R R =---=Ω
3. 为求电压放大倍数，应先求跨导 mS 1)1(2P
GS P
DSS m =-
=
U U U I g
图2-14（a ）的微变等效电路，如图2-14(b)。此可求出
1.1)(1S2S1m D
m u -=++-
=R R g R g A 4. 求输入电阻和输出电阻
i
G
i G m S2
i m gs S2m S1S2G 33M 11()
U R R R g R U g U R g R R R =
===Ω--
++
上式在变换过程中，使用了)(S2S1gs m gs i R R U g U U ++=这一关系，略去了I i 在R s2上的压降。
Ω=≈k 10D O R R
【2-15】电路如图2-15，场效应管的r ds >>R D ，要求： 1. 画出该放大电路的中频微变等效电路； 2. 写出A u ，R i 和R o 的表达式；
3. 定性说明当R s 增大时，A u ，R i ，R o 是否变化，如何变化？
4. 若C S 开路，A u ，R i ，R o 是否变化，如何变化？写出变化后的表达式。
图2-15 题2-15电路图
解：
此题的场效应管是增强型的，所以要用增强型的转移特性曲线方程式
2
G S (t h )G S Q
DO DQ )1(-=U U I I
S DQ G2
G1G2DD S G GSQ R I R R R V U U U -+=-=
D
S Q
D D
S D D
()U V
R R I =-+ 由以上三个式子可求出电路的静态工作点。 1. 略
2. 电压增益 A u =–g m （R d // R L ） 对转移特性曲线方程求导数，可得
DO DQ GS(th)m 2
I I U g =
输入电阻 )//(G2G1G i R R R R += 输出电阻 D o R R ≈
3. R s 的增大，会使U GS 有所下降，静态工作点的I D 下降，g m 有所减小，A u 有所下降，对R i 和R o 没有什么影响。
4. C s 开路，对静态工作点没有影响，但电压增益下降。
m D u m S
1.11g R A g R =-
=-+
C s 开路，对R i 和R o 没有什么影响。
第四章
【4-1】在图4–1所示的电路中，A 为理想放大器，D 为想理二极管，试分析u O 和u I 的函数关系。
A
R D 2
1
R F
R u I +_
u O +_
R L
∞
图4–1 题4-1电路图
解：
当u I ≥0时，u O =0；当u I ＜0时，u O =F I 1
R u R -
。
【4-2】在图4–2所示的电路中，A 均为理想运算放大器，其中的图（e ）电路，已知
运
放的最大输出电压大于U Z ，且电路处于线性放大状态，试写出各电路的输出与输入的关系式。
A
R
2R
u I +_
u O +_
（a ） (b)
A
R 1R 2
I1u I2
u C
A
R
R
R /2
u I +_
u O +_
u O +_
(c) (d) (e)
图4–2题4-2电路图
解：
图（a ）：u O =-2u I ； 图（b ）： 2O I 12
R u u R R =
?+；
图（c ）：u O =-u I +2u I =u I ； 图（d ）：I 1I 2O 1
2
1()d u u u t C
R R =-+?
； 图（e ）： 2O Z O 23
,R u U u R R =+
+ 故得2O 3
(1)Z R u U R =+
。
【4-3】电路如图4–3（a ）所示。
1. 写出电路的名称。
2. 若输入信号波形如图（b ）所示，试画出输出电压的波形并标明有关的电压和所对应的时间数值。设A 为理想运算放大器，两个正、反串接稳压管的稳压值为±5V 。
3. 对电路进行仿真，验证计算结果。
u i t (s)
10
-10
1
2
3
4
(V)
图4-3 题4-3电路图
解：
1. 带限幅的反相比例放大电路；
2. 当| u I |≤1V 时，电路增益A uf =-5；当| u I |≥1V 时，| u O |被限制在5V 。波形如图4-3。
u I t /s
10
-101
2
34
/V
u O t 5
-5
/V
0.1 1.9
2.1
/s
图4-3
【4-4】在图4–4所示的增益可调的反相比例运算电路中，已知R 1＝R w =10kΩ、
R 2=20kΩ、
U I =1V ，设A 为理想运放，其输出电压最大值为±12V ，求：
1． 当电位器R w 的滑动端上移到顶部极限位置时，U o =? 2． 当电位器R w 的滑动端处在中间位置时，U o =? 3． 电路的输入电阻R i =？
图4–4题4-4电路图
解：
1. 2o o1I 1
2V R U U U R ==-
?=-
2. o o124V U U ==-
3. r i =R 1=10k Ω。
【4-5】图4–5中的D 为一个PN 结测温敏感元件，它在20℃时的正向压降为0.560V ，其温度系数为–2mV/℃，设运放是理想的，其他元件参数如图所示，试回答：
1． I 流向何处？它为什么要用恒流源？
2．第一级的电压放大倍数多少？
3．当R w 的滑动端处于中间位置时，U o （20℃）=？U o （30℃）=？ 4．U o 的数值是如何代表温度的（U o 与温度有何关系）？ 5．温度每变化一度，U o 变化多少伏？
图4–5题4-5电路图
解：
1. I 全部流入二极管VD 。因u D =f （i D ，T ），为使测温时u D =f （T ），应使i D 为常数，
此处的二极管电流I 要采用恒流源提供。 2. A u1=5；
3. u O1（20℃）=2.8V ，u O1（30℃）=2.7V ；U p= -3V ；
于是，u O （20℃）=0.2V ，u O1（30℃）=0.3V
4. u O =0.20V 代表20℃，u O =0.30代表30℃，以此类推。总之，在数值上，T （℃）与100u O （V ）相当。
5. 温度每变化1℃，u O 变化10mV 。
【4-6】在图4-6所示电路中，运放为理想的，电阻Ω=k 331R ，Ω=k 502R ，
Ω=k 3003R ，Ω==k 100f 4R R ，电容C =100μF 。设0=t 时，V 1i1=u ，V 2i2-=u ，
V 0)0(C =u ，求当s 10=t 时的输出电压值。
C
图4-6 题4-6电路图
解：
F O1I12
(1)R U U R =+
? = 3 V
O1I 2
R 33
5V 16.7μA 300k U U I R -=
=≈Ω
此电流为电容C 充电
R 3O I 2C I 2I U U U U t C =-=-
?
当 t = 10 s 时, O U = －3.67 V
【4-7】用理想运放组成的电路如图4-7所示，已知Ω=k 501R ，Ω=k 802R ，
Ω=k 603R ，Ω=k 404R ，Ω=k 1005R ，试求u A 的值。
图4-7 题4-7电路图
解：
A 2I 1 1.6U R U R =-
=-
O 5A 4
2.5U R U R =-=-
O I
4U U =
【4-8】设图4–8中的运算放大器都是理想的，输入电压的波形如图4–6（b ）所示，
电
容器上的初始电压为零，试画出u o 的波形。
O
-0.1
t /s
O
2134
u I1u I2/V
/V
t /s
3
-3
（a ） (b)
图4–8题4-8电路图
解：
O1I13U U =-
O 2I 20.1d U U t =-?? (t 的单位为 s )
U O =3U I1+0.1I 2d U t ?。
O
-0.1
t /s
O
2134
u I1u I2/V
/V
t /s
3
-3O
u O /V t /s
0.3
-0.3
【4-9】 用集成运算放大器实现下列运算关系
t u u u u d 532i3i2i1o ?-+=
要求所用的运放不多于三个，画电路图，元件要取标称值，取值范围为 1kΩ≤R ≤1MΩ 0.1μF≤C ≤10μF 解：
A ∞A ∞
1
3
A ∞2
F
1μ5.1k +_
u O +_
30k Ω
10k Ω
10k Ω
200k Ω
200k Ω
u I2+_
10k Ω
u I1+
_15k ΩΩ
u I310k Ω10k Ω
图4-9
【4-10】 电路如图4-10所示，已知U I1=1V 、U I2=2V 、U I3=3V 、U I4=4V(均为对地电压)， R 1=R 2=2k Ω，R 3=R 4= R F =1k Ω 求U o 。
U O
R 1
A
U I1U I2U I3U I4
R 2
R 3R 4
R F
∞
图4-10题4-10电路图
解：
34I3I 434
34
3.5R R U U U R R R R +=
?+
?=++ V
5.3==+-U U V
I1I 21
2
F
O
U U U U U U R R R --
-
---+
=
代入数据可得, O U =5.5 V
【4-11】 图4-11是利用两个运算放大器组成的具有较高输入电阻的放大电路。试求出u O 与u I1、u I2的运算关系式。
R
/K
R u O
KR u
图4－11 题4-11电路图
解：
O1I11(1)U U K =+
O 2I1I 2I 2I11(1)(1)(1)()U K U K U K U U K
=-+++=+-
【4-12】电路如图4-12所示，证明：O u =2I u
图4-12 题4-12电路图
解：
令 I I1I 2U U U =-, 电路等效为图4－12.
由虚短虚断的概念,对节点A, B 分别有
O I1
I1O 2
U U U U R R --=
O 2I 2
I 2U U U R
R
-=
于是, O 2I 22U U =
O I1I 2I 222U U U U =-=
图4-12
【4-13】图4-13是应用运算放大器测量电压的原理电路，共有0.5、1、5、10、50V 五种量程，求11R 、12R 、13R 、14R 、15R 的阻值。(输出端接有满量程5V ，500μA 的电压表。) 解：
1110M R =Ω，122M R =Ω，131M R =Ω，14200k R =Ω，15100k R =Ω
【4-14】图4-14是应用运算放大器测量小电流的原理电路，求F1R 、F2R 、F3R 、F4R 、
F5R 的阻值。(输出端接的电压表同上题。)
_
数字电子技术试题及答案(题库)
《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为8421BCD 码时，它相当于 十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（ ） 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。
12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。
数字电子技术基础习题及答案
数字电子技术试卷(1) 一．填空（16） 1．十进制数123的二进制数是 1111011 ；十六进制数是 7B 。 2．100001100001是8421BCD 码，其十进制为 861 。 3．逻辑代数的三种基本运算是 与 ， 或 和 非 。 4．三态门的工作状态是 0 ， 1 ， 高阻 。 5．描述触发器逻辑功能的方法有 真值表，逻辑图，逻辑表达式，卡诺图，波形图 。 6．施密特触发器的主要应用是 波形的整形 。 7．设4位D/A 转换器的满度输出电压位30伏，则输入数字量为1010时的输出模拟电压为 。 8．实现A/D 转换的主要方法有 ， ， 。 三．化简逻辑函数（14） 1．用公式法化简- -+++=A D DCE BD B A Y ，化为最简与或表达式。 解；D B A Y +=- 2．用卡诺图化简∑∑=m d D C B A Y ），，，，（）＋，，，，（84210107653),,,(，化为最简与或表达式。 四．电路如图1所示，要求写出输出函数表达式，并说出其逻辑功能。（15） 解；C B A Y ⊕⊕=， C B A AB C )(1++=，全加器，Y 为和，1C 为进位。 五．触发器电路如图2（a ）,（b ）所示，⑴写出触发器的次态方程； ⑵对应给定波形画 出Q 端波形（设初态Q ＝0）(15) 解；（1）AQ Q Q n +=- +1，（2）、A Q n =+1 六．试用触发器和门电路设计一个同步的五进制计数器。（15） 七．用集成电路定时器555所构成的自激多谐振荡器电路如图3所示，试画出V O ，V C 的工 作波形，并求出振荡频率。（15）
电工与电子技术考试题库含答案
电工与电子技术试题 一、填空题（每空1分） 1、若各门电路的输入均为A和B，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________，或非门 的输出为_________。 2、一个数字信号只有________种取值，分别表示为________ 和________ 。 3、模拟信号是在时间与幅值上________ 的，数字信号在时间与幅值上是________的。 4、根据逻辑功能的不同特点，逻辑电路可分为两大类: ________ 和________。 5、二进制数A=1011010；B=10111，则A-B=＿＿＿＿。 6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的________ 有关，而与________ 无关。 7、将________变成________ 的过程叫整流。 8、在单相桥式整流电路中，如果负载平均电流是20A，则流过每只晶体二极管的电流是 ______A。 9、单相半波整流电路，已知变压器二次侧电压有效值为22V，负载电阻RL=10Ω，则整 流输出电压的平均值是______；流过二极管的平均电流是______；二极管承受的最高反向 电压是______。 10、三极管是________控制元件，场效应管是________控制元件。 11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为_______。 12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。 13、作放大作用时，场效应管应工作在区。 14、放大电路的静态工作点通常是指__、和_。 15、某三级放大电路中，测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是_。
电工与电子技术a习题答案
第一章半导体器件与放大电路习题 一、填空题 1. PN结的特性是单向导电性。 2.射极输出器具有：①输入电阻高，②输出电阻低，③放大倍数为1的特点。 3.互补对称功率放大电路中晶体管工作在甲乙类工作状态，主要是为了克服交越失真。 4.稳压二极管工作在反向击穿区，当外加电压撤除后，管子还是正常的，这种性能称为可逆性击穿。 二、选择题 1．电路如图1-1所示，所有二极管均为理想元件，则二极管D1、D2的工作状态为（Ｃ）。 、D2均截止 B. D1、D2均导通 C. D1导通，D2截止 D. D1截止，D2导通 图1-1 图1-2 为（ A ）。 2．电路如图1-2所示，二极管为理想元件，则电压U AB A. 6V B. 3V C. 9V D. 不确定 3.某晶体管工作在放大状态，测得三极电位分别是①～，②～1V，③～，则对三个电极的判定，( B )是正确的。 A.①～E，②～B，③～C B.①～B，②～E，③～C C.①～C，②～B，③～E D.①～B，②～C，③～E 4.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为 ( C )。 A.正、反向电阻相等 B.正向电阻大，反向电阻小 C.反向电阻很大，正向电阻很小 D.正、反向电阻都等于无穷大 5.在N型半导体中参与导电的多数载流子是( A )。 A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 ( A )。 6.当温度升高时，晶体管的穿透电流I CEO
A.增大 B.减小 C.不变 D.无法确定 7. 对于三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（ D ）。 A.三极管可以把小能量放大成大能量 B.三极管可以把小电流放大成大电流 C.三极管可以把小电压放大成大电压 D.三极管用较小的电流控制较大的电流 8. 由共射极放大电路组成的两级阻容耦合放大电路，若将第二级换成射极输出器，则第一级的电压放大倍数将（ A ）。 A.增大 B.减小 C.不变 D.为零 9.电路如图1-3所示，设D Z1的稳定电压为6V ，D Z2的稳定电压为12V ，设稳压管的正向压降为，则输出电压U o 等于（ B ）。 图1- 3 三、计算题 1.在图1-4所示电路中，已知E=5V ，u i =10sin ωtV ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压u o 的波形。 (a) (b) 图1-4 解：（ａ）u i > E ＝５Ｖ时，D 导通，u 0 = E ＝５Ｖ；u i < E 时，D 截止，u o = u i 。 (b ) u i > E ＝５Ｖ时，D 导通，u o = u i ；u i < E 时，D 截止，u 0 = E ＝５Ｖ。 u 0的波形分别如下图所示。 2.在图1-5所示稳压管电路中，已知稳压管的稳压值是6V ，稳定电流是10mA ，额定功耗为200mW ，限流电阻R=500Ω，试求： (1)当U i =18V ，R L =1KΩ时，U o=? I Z =? (2)当U i =18V ，R L =100Ω时，U o=? I Z =? 图1-5 解：(1)6Z U V =，18612R i Z U U U V =-=-=，126 24,60.51 R Z L L U U I mA I mA R R = =====，18Z L I I I mA =-=
电工电子技术试题及答案..
电工电子技术试题 一、填空题(共133题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点，参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比，而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆，简称欧，用符号表示，而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E，电源的内阻压降为U0，则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路，电源端电压为２２０伏，负载电流为１０安，线路的总阻抗为０.2欧姆，那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等，总电压等于各电阻上之和。 9、一只２２０伏１５瓦的灯泡与一只２２０伏１００瓦的灯泡串联后，接到２２０伏电源上，则 15 瓦灯 泡较亮，而 100 瓦灯泡较暗。 10、１度电就是１千瓦的功率做功１小时所消耗的电量，所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流，频率为５０赫，最大值为２０安，初相位为－４０°，此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- ４０°) ，相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个１００欧的电阻元件接到频率为５０赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为 0.1A 安。 15、有一电感Ｌ为０．０８亨的纯电感线圈，通过频率为５０赫的交流电流，其感抗X L＝ 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫，其感抗X L＝ 5024 欧。 16、一个１０微法的电容接在５０赫的交流电源上，其容抗X C＝ 318 欧，如接在2000赫的交流电源上， 它的容抗X C＝ 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为ｉ＝100sin（6280t- π／4）毫安，它的频率ｆ＝ 1000Hz ，周期Ｔ＝ 0.001 秒， 角频率ω＝ 6280 ，最大值Im= 100mA ，有效值Ｉ＝ 100/1.414 mA ，初相位φ＝π／4 。 18、已知两交流电流分别为i１＝15sin(314t＋45°)安，i２＝10sin(314t－３0°）安，它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中，电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中，电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示，其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示，其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序，就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时，则负载的相电压等于电源的相电压，线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的线电压， 倍。 28、在三相对称电路中，已知线电压Ｕ、线电流Ｉ及功率因数角φ，则有功功率Ｐ＝ＵＩCOSφ，无功功率 Ｑ＝ＵＩSINφ，视在功率Ｓ＝ＵＩ 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时，其线电压为３８０伏，它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机，额定电压为３８０伏，三角形联接，若测出线电流为３０安，那么通过每相绕
数字电子技术习题附答案
一、填空题。 1 ．基本的逻辑门电路有与，或，非。 2．基本逻辑运算有_与_、或、非3种。 3．描述逻辑函数各个变量取值组合与函数值对应关系的表格叫真值表。 4．十进制数72用二进制数表示为 1001000 ，用8421BCD码表示为 01110010 。二进制数111101用十进制数表示为 61 5.数制转换：(8F)16 = ( 143 )10= ( 10001111 )2 = ( 217 )8；(3EC)H = ( 1004 )D； (2003) D = (11111010011)B = ( 3723)O。 6.有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数147，作为8421BCD码时，它相当于十进制数93 。 7.(35.75)10=( 100011.11 )2 = ( 00110101.01110101 )8421BCD 。 8．在8421BCD码中，用 4 位二进制数表示一位十进制数。 9．在逻辑运算中，1+1= 1 ；十进制运算中1+1= 2 ；二进制运算中1+1= 10 。 10、表示逻辑函数功能的常用方法有逻辑表达式、逻辑真值表、卡诺图等。 11．将2004个“1”异或得到的结果是（0）。 12．TTL门电路中，输出端能并联使用的有__OC门__和三态门。 13. 在TTL与非门电路的一个输入端与地之间接一个10KΩ电阻，则相当于在该输入端输入高电平。14．TTL与非门多余输入端的处理方法通常有接至正电源，接至固定高电平，接至使用端。 https://www.wendangku.net/doc/13106136.html,逻辑门是单极型门电路，而TTL逻辑门是双极型门电路。 16.与TTL电路相比，COM电路具有功耗低、抗干扰能力强、便于大规模集成等优点。 17.TTL门电路的电源电压一般为 5 V，CMOS电路的电源电压为3—18 V 。 18.OC门的输出端可并联使用，实现线与功能；三态门可用来实现数据的双向传递、总线结构等。19．三态门输出的三态为1、0、高阻态。 20.为使F=A ，则B应为何值（高电平或低电平）？ 1 0 1 21.指出图中各TTL门电路的输出是什么状态（高电平、低电平、高阻）？ Y1=0 Y2=1 Y3=高阻态Y4=1 22.若上题图中各电路为CMOS门电路，请问各门电路的输出是什么状态？ Y1=1 Y2=1 Y3=高阻态Y4=1 23．函数Y=AB+AC的最小项表达式为(5,6,7) m ∑。 24. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要7位二进制数码。 注意：红色字体部 分为简略参考答 案，解题过程不全 面、不详细。
数字电子技术考试题及答案
太原科技大学 数字电子技术 课程试卷 B 卷 一、单选题（20分，每小题1分）请将本题答案全部写在下表中 1、8421BCD 码10000001转化为十六进制数是( )。 A 、15 B 、51 C 、81 D 、18 2、n 位二进制数的反码或其原码，表示的十进制数是( )。 A 、21n - B 、2n C 、1 2n - D 、2n 3、TTL 与非门多余输入端的处理是( )。 A 、接低电平 B 、任意 C 、 通过 100W 电阻接地 D 、通过 100k W 电阻接地 4、OD 非门在输入为低电平（输出端悬空）情况下，输出为( )状态。 A 、高电平 B 、低电平 C 、开路 D 、不确定 5、与()Y A B A =e e 相等的逻辑函数为（ ）。 A 、Y B = B 、Y A = C 、Y A B =? D 、Y A B =e 6、下列(,,)F A B C 函数的真值表中1Y =最少的为( )。 A 、Y C = B 、Y AB C = C 、Y AB C =+ D 、Y BC C =+ 7、( )是组合逻辑电路的特点。 A 、输出仅取决于该时刻的输入 B 、后级门的输出连接前级门的输入 C 、具有存储功能 D 、由触发器构成 8、半加器的两个加数为A 和B ，（ ）是进位输出的表达式。 A 、AB B 、A B + C 、AB D 、AB 9、欲使JK 触发器1 n Q Q +=，J 和K 取值正确的是（ ）。 A 、,J Q K Q == B 、J K Q == C 、0J K == D 、,1J Q K == 10、字数为128的ROM 存储器存储容量为1204位，字长为（ ）位，地址线为（ ）根。 A 、8，8 B 、8，7 C 、4，7 D 、4，8 11、一个四位二进制减法计数器初始状态为0110，经过101个脉冲有效沿触发后，它的输出是 ( )。 A 、0000 B 、0001 C 、0011 D 、0010 12、要用1K×8的RAM 扩展成8K×16的RAM ，需选用( )译码器。 A 、 3线-8线 B 、2线-4线 C 、1线-2线 D 、4线-16线
模拟电子技术教程习题答案
第6章习题答案 1. 概念题： （1）由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈，电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。 （2）反相比例运算电路的输入阻抗小，同相比例运算电路的输入阻抗大，但会引入了共模干扰。 （3）如果要用单个运放实现：A u＝－10的放大电路，应选用 A 运算电路；将正弦波信号移相＋90O，应选用 D 运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用 F 运算电路；将某信号叠加上一个直流量，应选用 E 运算电路；将方波信号转换成三角波信号，应选用 C 运算电路；将方波电压转换成尖顶波信号，应选用 D 运算电路。 A. 反相比例 B. 同相比例 C. 积分 D. 微分 E. 加法 F. 乘方 （4）已知输入信号幅值为1mV，频率为10kHz～12kHz，信号中有较大的干扰，应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。 （5）在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗？（不会）加1000V的交流电压呢？（不会） （6）有源滤波器适合于电源滤波吗？（不适用）这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。 （7）正弦波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（一定）矩形波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（不一
定） （8）作为比较器应用的运放，运放一般都工作在非线性区，施密特比较器中引入了正反馈，和基本比较器相比，施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。 （9）正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同，是因为反馈耦合端的极性不同，RC正弦波振荡器频率不可能太高，其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。 （10）非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。 （11）当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时，石英晶体呈阻性；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈感性；其余情况下石英晶体呈容性。 （12）若需要1MHz以下的正弦波信号，一般可用 RC 振荡电路；若需要更高频率的正弦波，就要用 LC 振荡电路；若要求频率稳定度很高，则可用石英晶体振荡电路。 （13）设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若用乙类互补对称功率放大，则应选至少为 4 瓦的功率管两个。 （14）对于甲类变压器音频功率放大电路，在没有输入信号时，扬声器不发声，这时管子的损耗最小。对吗？（不对，此时管子功耗最大）（15）线性电源的调整管工作在放大区，所以称为线性电源，
电子技术考题大全及答案(完整版)
习题 【2-1】填空、选择正确答案 1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是 A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端； √B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路； C．将输入交流信号加到晶体管的基极。 2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中： A．只有直流； B．只有交流； √ C．既有直流，又有交流。 3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ） 4．下列说法哪个正确： A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大； √B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率； C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。 5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变） (1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a） (2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。 （c；b） (5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c） 6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好） 7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区） 8．在共射基本放大电路中，若适当增加 ，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加） 9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。（增加） 10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A．放大倍数变大，输出电阻变大 B．放大倍数变大，输出电阻不变 C．放大倍数变小，输出电阻变大 D．放大倍数变小，输出电阻变小 11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载
《数字电子技术基础》课后习题答案
《数字电路与逻辑设计》作业 教材：《数字电子技术基础》 （高等教育出版社，第2版，2012年第7次印刷） 第一章： 自测题： 一、 1、小规模集成电路，中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路 5、各位权系数之和，179 9、01100101，01100101，01100110； 11100101，10011010，10011011 二、 1、× 8、√ 10、× 三、 1、A 4、B 练习题： 1.3、解： (1) 十六进制转二进制： 4 5 C 0100 0101 1100 二进制转八进制：010 001 011 100 2 1 3 4 十六进制转十进制：(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10 所以：(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10 (2) 十六进制转二进制： 6 D E . C 8 0110 1101 1110 . 1100 1000 二进制转八进制：011 011 011 110 . 110 010 000 3 3 3 6 . 6 2 十六进制转十进制：(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1758.78125)10 所以：(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10 (3) 十六进制转二进制：8 F E . F D 1000 1111 1110. 1111 1101
二进制转八进制：100 011 111 110 . 111 111 010 4 3 7 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(2302.98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(437 6.772)8=(2302.98828125)10 (4) 十六进制转二进制：7 9 E . F D 0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制：011 110 011 110 . 111 111 010 3 6 3 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(1950. 98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1950.98828125)10 1.5、解： (74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10 =(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD (136.45)10 =(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10 =(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD 1.8、解 （1）(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补 （2）(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补 （3）(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补 （4）(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补
电子技术复习题及答案
一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置， 工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器
电子技术试题及答案(
资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。 一、填空题： 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在 输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流
电子技术基础考试试题及参考答案
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
电子技术基础习题带答案
【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热
电子技术试题及答案-(
《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题： 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。
电工电子技术期末考试试题及答案
这份考卷不错，可以参考 电工电子技术基础期末考试试题 学号：姓名： 一、单项选择。（每题3分，计45分） 1、电荷的基本单位是（）。 A.安秒 B.安培 C.库仑 D.千克 2、电路主要由负载、线路、电源、（）组成。 A.变压器 B.开关 C.发电机 D.仪表 3、正弦交流电的有效值等核最大值的（）。 A.1/3 B. 1/2 C. 2 D. 0.7 4、我国交流电的频率为50Hz,其周期为（）秒。 A. 0.01 B.0.02 C.0.1 D.0.212 5、为了提高感性负载电路的功率因数，通常采用的方法有（） A?串联电感B ?串联电容C ?并联电感D ?并联电容 6在三相交流电路中，当负载为对称且三角型连接时，线电流与相电流的相位关系是（）。 A.线电压超前相电压300 B ?线电压滞后相电压300 C.线电流超前相电流300 D?线电流滞后相电流300 7、在纯电感电路中，没有能量消耗，只有能量（）。 A.变化 B.增强 C.交换 D.补充 8、[10011100]2 = （）10
A. 128 B . 156 C. 256 D . 512 A.放大特性B .稳压特性C .单向导电性D .以上三种 10、三极管作放大管时一般工作在（）。 A.放大区B .截止区C .饱和区D .反向击穿区 11、单相变压器原、副边绕组的额定电压分别为U1N=220V U1N=110V当原绕组的额定电流为9A时，副绕组的额定电流为（）。 A. 18A B. 4.5A C . 2.25A D . 12A 12、电器铭牌上标注的功率均是（） A.有功功率 B.无功功率 C.视在功率 D.瞬时功率 13、晶闸管具有（）PN结。 A. 4个 B. 3个 C. 2个D . 5个 14、组合逻辑电路在电路结构上只包含（ ）。 A.各种门电路 B.各种触发器 C.反馈电路 D.放大电路 15、有三输入端的与非门当输出端状态为0时，三个输入端状态应为（） A.000 B.111 C.010 D.100 二、填空。（每空1分，共20分） 1、电源的状态主要有三种_________ 、__________ 、 ____________ 。 2、电容的特性是___________ 、 _________ 、 ________ 、_____________ 。 3、在交流电中，电流、电压随时间按_____________ 变化的，称为正弦交流电。 4、正弦交流电的三要素是指_________ 、_________ 、___________ 。 5、设u=311sin314t伏，则此电压的最大值为_____________ ，有效值 为 ___________ ，频率为_______________ 。