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弘讯系统特殊中子功能

设定位置：参数画面中“中子”栏第四格；

设定数值；

981：脱模进—中子A进—中子A退—继续脱模；

982：脱模进—延时—中子B退—继续脱模—关模—中子B进；

983：脱模进—ONPC22中子B进—脱模退—中子B进OFF—中子B退ON—中子B退OFF —关模；

985：脱模进—中子A退—中子A进—继续脱模；

991：脱模完—中子A退—中子B退；

992：脱模进，退结束—中子A进，退—关模；

993：脱模进，退结束—中子B进，退—关模；

994：顶针进，退结束—延时—中子B退—关模—中子B进；

971：开模结束—中子B退—延时—中子B进—循环间隔；开模连动—中子C退—延时—中子C进（可能依然在开模中）－循环间隔；

972：注射结束—中子A退—继续冷却；

986：开模结束—慢速顶出（5MM）—中子A退—继续顶出；

960：入蕊—合模后—顶针退—注射过程—开模—抽蕊—顶出；

生态学(5.1.1)--竞争和密度效应

普通生态学第五章种内与种间关系 Threespot Chromis

普通生态学珊瑚礁内小热带鱼的争斗包含： 1) 复杂的种内和种间关系2) 不足1m 2的领域: 有限空间和食物资源 3)资源利用和直接干涉竞争。不同个体受到的影响不一样，某些个体或种类获胜。 Threespot damsefish Molles, 2011, Ecology, p248

普通生态学地下部的竞争虽然过程相对缓慢，但同样非常激烈，如根系对养分和水分的竞争是影响植物种内和种间关系的关键因子。 Toumey J.W. & Kienholz R. 1931; Barberis I.M. & Tanner E.V.J. 2005. Ecology. White pine forest 隔离根系竞争8年后，树冠大小相比对照增加了10 倍。

普通生态学生物的种内和种间关系多种多样，如竞争、捕食、草食、互利等。

普通生态学什么是种内和种间关系？?种内关系(intraspecific relationship)：存在于各个生物种群内部的个体与个体之间的关系； ?种间关系(interspecific relationship)：生活于同一生境中的所有不同物种之间的关系。种内关系和种间关系哪个更密切？

普通生态学种内、种间关系的主要表现形式?种内关系主要有竞争 (competition)、自相残杀(canni balism)、利他 (altruism)和性别关系 (sexual relati ons)等； ?种间关系更为复杂，主要有竞争、捕食 (predation), 草食 (herbivory)、寄生 (parasitism)、偏害(amensali sm)、互利 (mutualism)和中性 (neutralism)等。?种内和种间关系主要产生以下三类结果： 1）负相互作用：竞争、捕食、寄生和偏害 2）正相互作用：偏利共生、原始合作、互利共生 3）中性作用：彼此没有影响

弘讯电脑说明书

目錄一、6000使用規範 (3) 二、操作面板之安裝: (6) 三、操作面板 (7) 四、電源器之安裝: (7) 五、RACK的組合 (12) 5-1、CPU的連接 (15) 5-2、IO板的連接 (15) 5-2-1、輸入介面板的連接 (16) 5-2-1-1輸出介面板的連接此晶體放大板為VIO48H (17) 5-2-1-2 VIO32H圖 (20) 5-2-2 位置尺的連接 (21) 5-3 溫度板的連接 (22) 5-3-1比例系統控制 (22) 5-3-2比例系統的調整 (22) 5-3-3 溫控裝配: (22)

一、6000使用規範 C-6000 電控系統是一裝配簡單,功能齊全的控制系統,但亦必須按照本公司所設訂的規範和使用方法,才不致影響其壽命和可靠度。其規範如下: 1.配電箱內部環境之溫度以不超過00 C -400 C為基準,當溫度愈高,其可靠度壽命也就愈差,且位置尺之控制偏差位移也愈大,甚至可達0.8 MM,最好要裝風扇,風扇位置一接近主機板電源器,一接近固態繼電器。 2.溫度控制部份,可使用電磁接觸器.或固電繼電器(視配備而定),固電繼電器(SSR)散熱座溫度不得超過650C,750C,亦不得連續使用超過5分鐘。 3.感溫部份要求使用K型溫度傳感器,"溫度介面轉接板(TMPEXT),應以銅柱固定於射台後, 加熱控制配線盒上",切不可使用塑膠柱,且裝配時儘量不要和強電部份綑在一起。(關係溫度穩定性及精確性)。 4.保護固態繼電器的保險絲應按照規格使用. (1)電流10A以下(含10A):使用10A保險絲。 (2)電流10A以上:20A以下(含20A):使用20A保險絲。 (3)電流20A以上:依大小另購保險絲。 5.開關電源器(SWITCH POWER)輸入電壓為230V或115V,部分電源器旁有一開關選擇,使用時需注意輸入電壓,如使用115V/60HZ.應以220V轉110V變壓器轉接。 6.電源器本公司都備有備用保險絲,請依規格更換 7.電氣箱內主機板,應絕對禁止水或油的浸蝕污染。 8.晶體輸出板嚴禁單點推動二支閥,但可接一個繼電器。 9.本公司使用清晰美觀之薄膜操作面板,嚴禁使用高揮發性(如汽油)擦拭,應以煤油或蠟 (最佳)清除。 10.裝配完成後應避免電腦系統相關迴路電線破皮(除感溫線),與機器外殼短接. 開關電源器(SWITCH POWER)機殼會有輕微漏電,因此必需強制要求接地配線措施。 11.比例系統一般可控制輸出電壓或電流,標準品為電流控制,電流以壓力0.8A流量0.7A 為限。

单粒子效应实验的新进展

的。束流在靶室中穿过碳膜由0°进入谱仪,照射在焦面上的二维位置灵敏探测器上,探测器可分别得到x2y二维位置谱及水平位置谱和垂直位置谱。实验中,调整谱仪的主四极场B Q及第二多极的四极场B M2Q,束斑大小及形状很易改变,可得到7mm>Υ>50mm范围内任意大小的且均匀的束斑,注量率的大小可通过选取经碳膜后不同的电荷态来改变,这正是辐射效应实验中不同器件所要求的。 3　结论 1)上述高剥离态离子加速、引出方法是可行的。 2)0°束谱仪焦面照射样品方法也是可行的。由于用束时间及加速器状况的限制,真正的高剥离态离子束流的加速、引出尚未进行。但从上面的实验结果很容易地推算出0°出射的高剥离态离子L ET值及射程R。0°高剥离态127I 离子的能量、射程R及49°倾斜入射时的L ET值及均有明显的提高,这将大大扩展了H I213串列加速器在辐射效应研究领域的研究能力。 1118　单粒子效应实验的新进展李志常,李淑媛,姜　华,刘建成,唐　民1,赵洪峰2,曹　洲3 (11航天科技集团五院北京511所;21航天科技集团五院北京502所;31航天科技信团五院兰州510所) 2000年,核物理研究所Q3D小组分别与航天科技集团五院北京511、502所和兰州510所完成了两个实验。这些实验不论在器件的新型号方面还是实验的技术方面都有了新的进展。1　辐射效应研究国际上的最新研究动态表明:专家们除了对广泛用于现代卫星系统中的混合信号微电子器件,重点是模数转换器(ADC)仍然感兴趣外,精简指令集计算机(R ISC)器件、现场可编程门阵列(FPGA)及复合可编程逻辑器件(CPLD)等的试验也引起了广泛的注意,它们既包括辐射效应的研究,也包括辐射效应实验技术的发展。精简指令集(R ISC)微处理器的某程型号器件是卫星技术发展需要所选取的研究器件,目的是进行飞行试验检测系统原理样机的研制和重离子辐射效应试验研究。实验还根据卫星实际应用情况,研究了温度对大规模集成电路静态存储器(8K×8b it SRAM)单粒子翻转截面的影响。可编程门阵列器件FPGA可由用户编程,在单片器件中快速实现复杂逻辑功能,在航天应用中可以降低成本,减轻质量,可加快研制开发进度,在航天器中有较大的应用前景。可编程门阵列属超大规模集成电路,为了在上天之前了解该器件的单粒子敏感度,选取了典型门阵列器件进行重离子辐照试验。该实验完成了包括12C等六种离子,三种8片器件,十四轮测量。此次实验中,首次对某种静存态储器进行了真空室内加热(约100℃)状态下的单粒子效应实验。由于微处理及可编程门阵列器件FPGA等研究的特殊要求,实验是将它们连同样机一起整体放在Q3D磁谱仪的探测器室内焦面上进行的。实验技术上,还采取了用垂直位置灵敏半导体探测器监视束斑位置及形状的方法,来调整辐照流强及均匀性。这对即将进行的高剥离电荷态的辐照流强状态的调整的验证实验提供了非常有用的经验。 — — 6 2

零售企业特药监管系统用户操作手册特殊药品监管系统模板

零售企业特药监管系统用户操作手册特殊药品监管系统

目录一系统登录 .................................................................. 错误!未定义书签。 1、登录系统......................................................... 错误!未定义书签。 2、功能界面......................................................... 错误!未定义书签。 3、修改密码......................................................... 错误!未定义书签。二、功能介绍 ............................................................. 错误!未定义书签。 1、业务处理......................................................... 错误!未定义书签。 1.1勾对联网进货 ........................................... 错误!未定义书签。 1．2数据上报 ................................................ 错误!未定义书签。 1．3非联网入库登记 .................................... 错误!未定义书签。 1．4非联网退货登记 .................................... 错误!未定义书签。 1．5报损管理 ................................................ 错误!未定义书签。 1．6使用情况登记 ........................................ 错误!未定义书签。 2、其它管理......................................................... 错误!未定义书签。 2．1信息管理 ................................................ 错误!未定义书签。 2．2企业留言板 ............................................ 错误!未定义书签。 2．3供求信息 ................................................ 错误!未定义书签。 2．4日志管理 ................................................ 错误!未定义书签。 3、统计查询......................................................... 错误!未定义书签。 3．1药品信息查询 ........................................ 错误!未定义书签。 3．2采购入库查询 ........................................ 错误!未定义书签。

【机械专业中文翻译】建模中检测数据点的密度效应

附件1：外文资料翻译译文建模中检测数据点的密度效应摘要在洛斯阿拉莫斯国家实验室里，设计工程师和物理学家利用产品生命周期的各个阶段所生成的检测数据加以进行调查反馈和研究。通过分析这些数据，来确定如何优化装配，减轻标称的偏差，并解决产品老化的问题。这种“竣工”工程理念是利用他们在检测时所获取的数据形成的一个系统。在计算机辅助工程（CAE技术）软件中，利用复杂的图形建模技术就能够产生出实体模型，例如参数化技术软件Pro/Engineer TM。一旦这种固体模型建成后，那么该种软件就可以被用于各种分析，其目的包括大量复杂的计算、有限元素模型的创建和虚拟环境下变量的创建。在工程学中，用严格的分析方法来创建某些特征部件。为了能够提供出标准化定义，就要创建出各种假想部件以及对各种特征进行相关分析。通过比较质量特性而计算出的所建立模型理论中的检验数据有两种格式：手动收集数据，如从坐标测量机（特别是布朗和夏普）检查过程中所获得的数据；自动采集数据，如从谢菲尔德检查过程中获得的数据。使用Pro/Engineer建立的固体模型所需的大量特性计算也是一种标称定义。检查数据是来自一个软件包，这种软件包允许有特定条件约束的用户使用，如获取所需要的密度，输出相应的数据格式。该软件能够对点线面进行几何描述，这些点集被用来作为输入到Pro/Engineer CAE系统扫描工具模块中以便生成相应的实体模型，然后进行属性的分析与计算，并与以命名。Pro/Engineer中弯曲表面的选择能够用于所有检查数据格式类型的建模。在建立模型的大量计算中，计算的越精确，点的密度要求的就越高。从谢菲尔德格式的数据平滑表面产生的影响就可以看到这一点。洛斯阿拉莫斯国家实验室所采用的准确率为2.54 × 10 – 3英尺，该模型必须是一个数量级比这更准确的标准模型才可以。针对这种应用，我们预期的精度是0.00024 ％，我们认为应该有密度CMMdata （ 5°x 2°，10°x 2°，与20°x 2°楔子）和密度数据（ 5°x 5°，

注塑机电脑电气电路分析---弘讯电脑

目录注塑机电气电路分析---弘讯电脑 (2) 1.电源系统 (2) 2.位置尺（A/D）的测量 (2) 3.温度的测量和控制 (3) 4.比例压力，流量（D/A） (3) 5.面板控制及显示器。 (4) 6.方向阀驱动及行程输入。 (5) 7、使用U盘传程序方法 (5) 8. 弘讯电脑常见故障分析 (7) 故障一：无显示、显示不清晰 (8) 故障二：手动灯不亮，不工作 (8) 压力、流量故障 (9) 温控故障 (9) 电子尺故障 (10) 输入、输出点故障 (11) 按键故障 (11) 资料存储故障 (11) 其它故障 (12)

注塑机电气电路分析---弘讯电脑 1.电源系统 AK580-M6C电源系统由以下4个部分组成： 1、440W变压器，输入380V，输出0，110V，220V，110V供给开关电源，220V，供交流接触器（加热，电机启动） 2、T1015小变压器，~15V，0V，~15V，（蓝，灰，蓝）供电脑测量位置尺电源。~10V， 0V，~10V（黄，白，黄）供温度测量用电源 3、开关电源A（0V，24V），供电脑自身主机，面板用电，及比例压力，流量。 4、开关电源B（HCOM，H24V），供接近开关，行程开关，及液压电磁阀用电。故障分析： 1、440W变压器故障判定按电工标准进行检验，输入输出是否符合标牌标准。注：小变压器T1015，15V不得低于13.5V，10V不得低于7.5V，否则，可能会造成电子尺显示数据大范围波动，温度跳动不准。 2、若小变压器T1015无输出，则电脑显示位置检测不良，加热，电机不能启动，温度画面每一段实际温度显示为970。 3、开关电源A，若没输出，造成显示无，主机RUN红色指示灯不闪烁，无法开机。 4、开关电源B无，基本表现为：行程开关（PB）都无输入（PB=0），（PC）方向阀，及溢流阀不通电。 5、C6000，C7000电脑A，B电源根据实际的负载大小配置与机器锁模力，及机型有一定关联，开关电源型号有150W，240W，350W，500W，600W。注240W，500W， 600W的输入电压110V，220V，电源本身会自动调整，电源内的风扇会根据温度的升高自动打开冷却，若风扇坏，工作一段时间后，开关电源发热，造成停机。 2.位置尺（A/D）的测量 1、位置尺又称位移传感器。 S V为+10V，G为0V，S为信号端，Smin=0v,Smax=10v 电子尺的内电阻一般为5K+10%，特殊也有3K，1K，10K。 2、电脑到电子尺的连接须采用屏蔽线连接，并避开强电线路，不应与动力线路穿同一根管。防止干扰。 3、位置尺即电脑对注塑机上模板位置，顶杆位置，螺杆位置，座台位置实际监控。主画面动态显示三把电子尺的实际位置。既实际位置的变动，主画面上的模板，顶杆，螺杆位置会发生变化。 4、组态画面内：位置尺的长度即实际所对应使用电子尺的长度，如电子尺标称9E，即9*25MM=225MM，由于电子尺的本身有一定误差，设定时根据实际须作适当调

1宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验

试验方法一、试验目的通过试验，获得器件单粒子事件截面与入射离子LET 的关系，为评价器件的单粒子效应敏感性提供数据。二、试验原理用i（通常要求i ≥5）种不同LET的离子，以倾角θ（i）入射到芯片表面，入射到芯片表面的离子总数为Φ（i），检测器件发生的单粒子事件数N（i）。利用公式（1）和（2）计算LET（i）的离子照射下器件的单粒子事件截面σ（i）和LET(i)eff： σ（i）=N（i）/（Φ（i）×cosθ（i）） (1) 式中： i——不同LET离子的种类数； σ（i）——第i 种LET 离子的单粒子事件截面，单位为平方厘米每器件或平方厘米每位（cm2/器件或cm2/位）； N（i）——第i种LET离子测得的单粒子事件数； Φ（i）——第i种LET离子的总注量； θ（i）——第i种LET离子的入射角，单位为度（°）。 LET(i)eff = LET（i）/cosθ（i） (2) 式中： LET（i）eff ——以θ角入射的第i种LET离子的有效LET值； LET（i）——第i种LET离子的LET值。画出单粒子事件截面σ（i）和入射离子LET（i）eff的关系曲线，如图1 所示。由σ~ LET曲线得出反映器件单粒子事件敏感性的两个关键参数：单粒子事件饱和截面σsat和LET阈值LETth。由单粒子事件饱和截面σsat和LET阈值LETth，结合空间辐射环境模型，可预示器件在各种空间环境中的单粒子事件率。图1 σ～LET关系曲线

三、试验设备 a. 辐射源；（回旋加速器；串列静电加速器；锎源）； b. 束流测量系统； c.单粒子效应测试系统；（存储器类电路的测试；微处理器类复杂数字电路的测试；模拟电路的测试；数－模混合电路的测试）； d. 单粒子锁定的测试； e. 试验板和电缆； f. 温度测量系统。四、试验程序 a.制定试验方案（见附录A）； b.样品准备；除非另有规定，一批产品的试验样品数量应不少于3 只。器件可以是不经筛选的，但应经测试合格。每一个器件应编号，并按编号记录数据。需要时，试验前样品应开帽。需要时，应去除芯片表面的保护层。测量并记录芯片的尺寸，照相记录芯片的特征。开帽后应对试验样品进行测试，只有测试合格的样品方可进行后续试验。 c.粒子选择；粒子选择的要求如下： a) 参照与被试器件结构、工艺最接近的器件的单粒子试验数据，判断被试器件的单粒子事件LET阈值范围； b) 根据预估的器件单粒子事件LET阈值确定离子种类和能量。如果要试验获得σ ~LET曲线，以便进行单粒子事件率预估，则选用的离子种类和能量点数应至少具备5种以上不同的有效LET值。离子的有效LET 应能覆盖被试器件从刚开始出现单粒子事件到单粒子事件达到饱和截面所相应的LET范围； c) 选择的离子在硅中有足够的射程，通常要求大于30μm； d) 可以采用倾斜入射以获得有效LET 的增加。但离子的射程必须满足要求，且离子在通过敏感区体积内的LET变化不大。有效LETeff计算见公式（2），且倾角不应大于60°。增加入射角度对单粒子锁定不一定有效； e) 单粒子翻转试验时的注量率的选择以每秒钟内产生不大于1 次~4次错误为宜； f) 若总注量达到107离子数/cm2未出现错误，则认为在该LET值下器件单粒子效应不敏感，可以增加入射离子有效LET值； g) 若翻转总数达到100个（或规定值），或总注量达到107离子数/cm2（以先到者为准），或辐照到规范规定的时间，则停止辐照，根据规范变换有效LET。 d.试验装置安装调试； e.束流调整和测量； f.试验数据记录； g.数据分析处理；计算垂直入射到器件表面每种LET离子的总注量Φ（i）eff，见公式（4）： Φ（i）eff=Φ（i）×cosθ (4) 式中：

特殊药品及含特殊药品复方制剂管理培训试题及答案

特殊药品管理培训试题及答案培训岗位：姓名：成绩：一、填空题：（每空1 分，共30 分） 1、业务部必须指定专人负责特殊药品的购进管理工作，并必须从合法药品生产企业或同类的药品经营企业购进。 2、特殊药品必须由两人进行验收, 逐件验收至最小包装及复核，填单要双人核对签字，专账记录。 3、特殊药品应当在药品库房中设立独立符合安全要求的专库或专柜储存，有明显标识，并建立专用账册，实行双人专责管理。专用账册的保存期限应当自药品有效期满之日起不少于 2 年。 4、药品养护人员对特殊药品进行养护检查时，必须有专责保管员在场。 5、冷藏、冷冻药品的储存、运输设施设备配置温湿度自动监测系统，可实时采集、显示、记录、传送储存过程中的温湿度数据和运输过程中的温度数据，并具有远程及就地实时报警功能，可通过计算机读取和存储所记录的监测数据。 6、特殊药品必须定期每月盘查核对，部门负责人应组织监督和抽查，做到账货相符，以防漏洞或差错。发现漏洞、异常应及时向质管部门报告，并查清原因作出相应处理。 7、特殊药品出库时，必须实行双人发货复核，发货单两人核对签字。 8、含特殊药品复方制剂包括：含麻黄碱复方制剂、含可待因复方口服溶液、复方地芬诺酯片和复方甘草片。 9、所购进的药品不能以现金结算，需进行银行转账，且必须开具合法票据，按规定做好购进记录，做到票、账、货相符，无法开具并提供合法票据的，财务部应通知质管部对其合法来源进行确认。 10、从生产企业直接购进上述药品的批发企业，可以将药品销售给其他批发企业、零售企业和医疗机构；从批发企业购进的，只能销售给本省（区、市）的零售企业和医疗机构。二、选择题( 单选，每题 3 分，共15 分) ： 1、向零售药店销售含特殊药品复方制剂，公司规定限量销售，每天每次销售同一规格产地的不能超过（C）最小销售包装，如有特殊情况需要超量销售的，必须经质管部和业务部审核，总经理同意后方可销售。 A.100 B.300 C.500 D.700 2、特殊药品出库时，必须严格执行公司制定的（B） A.《药品收货管理制度》 B. 《药品出库复核管理制度》 C.《药品验收管理制度》 D. 《药品购销管理制度》

器件集成电路单粒子效应概论

器件集成电路单粒子效应概论文章主要写的是芯片存储电路单粒子效应概论，对单粒子效应增加稳定性的方法在芯片存储电路中产生的效应及解决方法进行了调研，外部强磁环境中的高能粒子入射半导体材料时，其轨迹上淀积的电荷将被敏感节点收集，引发单粒子效应。文章针对单粒子效应对电信号的危害，从单粒子效应的建模进行了深入探究。文章主要对一些新型的解决方法给予论述：（1）SEU加固的存储单元结构。（2）电荷共享收集以及对存储单元的影响。完成了从逻辑设计、版图设计以及投片的完整流程。标签：单粒子翻转；单粒子瞬态；绝缘体上硅；抗辐照加固 Abstract：This paper mainly describes the introduction of single event effect in chip memory circuit，and investigates the effect and solution of single event effect in chip memory circuit to increase the stability of single event effect. When the high energy particles in the external strong magnetic environment are incident on the semiconductor material，the charge deposited on the track will be collected by the sensitive node，which will cause the single event effect. Aiming at the harm of single event effect to electrical signal，this paper makes a deep research from the modeling of single event effect. The paper mainly discusses some new solutions：（1）Memory cell structure strengthened by SEU；and （2）Charge-sharing collection and its effect on memory cells，in order to complete the complete process of logical design，layout design and casting. Keywords：single event upset；single event transient；silicon on insulator；radiation hardening 引言由于長期探索宇宙，因其环境比较特殊，具有很强的磁场，进而使得对于集成电路有了更高的要求。未来的探索宇宙的过程中，建设空间站对于集成电路的寿命和抗辐射能力的要求会更高。随着存储电路集成度越来越精密，寄生电容电阻也在增加，因此存储电路的可靠性和性能也有了更加精确的要求。由于探索宇宙的地方不同，对集成电路的辐射就不同，对集成电路的性能要求也就不同。 1 单粒子效应的改善方法芯片存储电路的稳定性SRAM存储单元通常是电阻进行稳定，就是在存储单元增加两个解耦电阻，增大翻转需求的能量，图1（a）。这种方法有着很多不可靠因素，例如：写入time增加、工艺复杂度在不同程度上提升、在芯片运行过程中产生的热量对电阻的精度造成很大的影响。如图1（b）Rockett改进了上述解决存储电路稳定性技术，在解耦电阻上并联低阻抗开关，写入时低阻抗开关关闭，从而使得其直连，这样就减小了该技术方法对写入速度的影响。

所有注塑机电脑的密码

台中精机，盟立电脑 7000型是98741 台中精机8000型盟立电脑密码为456258，珊星电脑为0002 宝源PC20电脑进入第二层密码是2000, PC2000电脑是0000或1111 ENGEL 秘碼分等級:最簡單的是八個1 然後有八個2 中台精机用盟立8000电脑，密码有：456258 783280 258456 台灣全立發第二代是357159 震雄CPC-2。2的中英文切换键是同时按住“取消”键和“快速锁模”键不放，然后再通电开机，然后选择你所需要的语言日钢5517822 震雄CDC2000电脑密码查寻 :插键盘运行到C盘,输入TYPE 一二三四级密码全部可以看到啦还天密码按检测输入5858 或9595 开机密码1234或123456 世纪狐电脑是002——004——006 好景系列---------0926-------1457 全利发----JB/CLFP6 三菱.---OPSWITCH---DATAFREE---DATDLOCK--MAKERCON--KISYUSEI--EEPROMWR 弘讯电脑--------5858-----9595-----6969------，三星电脑---------001。002。003。004。008常用注塑机电脑密码震雄注塑电脑的锁定资料密码是同时按“取消”和数字键“6”。解除资料锁定密码是同时按“取消”键和数字键“3”。盟立电脑密码是456258--258456--98741，642542还有一密码是5950688 中台精机用盟立8000电脑，密码有：456258 783280 258456，珊星电脑为0002 台中精机另外一个密码是日期加上小时再加一个零,比如:2005年9月17日22:13其密码就应该是17220 震雄大机系列所用的电脑CDC2000: 震雄大机的新电脑的密码是:556，解除所有的密码保护是:取消+松退. 6 震德的机子用的是弘讯的电脑.密码是:5858,9595,4321,等

零售企业特药监管系统用户操作手册-特殊药品监管系统

目录一系统登录 (2) 1、登录系统 (2) 2、功能界面 (4) 3、修改密码 (4) 二、功能介绍 (5) 1、业务处理 (5) 1.1勾对联网进货 (5) 1．2数据上报 (6) 1．3非联网入库登记 (7) 1．4非联网退货登记 (7) 1．5报损管理 (7) 1．6使用情况登记 (8) 2、其他管理 (8) 2．1信息管理 (8) 2．2企业留言板 (9) 2．3供求信息 (9) 2．4日志管理 (10) 3、统计查询 (11) 3．1药品信息查询 (11) 3．2采购入库查询 (11) 3．3使用情况查询 (12) 3．4报损查询 (12) 3．5库存销毁查询 (12) 4、网上交易： (13) 5、附录：库存初始化一、系统登录 1、登录系统 1.1.1、该台电脑在第一次使用特药监管系统时，不要把身份识别卡插入到计算机USB接口上，而是打开IE浏览器（点击图标，打开浏览器），在IE浏览器的地址栏内输入特殊药品监管系统的地址回车，出现下图所示：点“确定”，出现下图所示：点“确定”，出现下图所示： A、如果电脑的操作系统是windows 2000或windows xp时，在“a、确保您机器上已经过U盘驱动。如果没有请先点。”中，点“安装”出现下图所示：点“保存”按钮出现下图所示：

选择保存“udisk.exe”程序的位置。下载好驱动程序后，打开保存 “udisk.exe”程序位置，双击图标安装驱动程序，安装好驱动程序后，再把身份识别卡插入到计算机USB接口上。 B、如果电脑的操作系统是windows 98时，在“如果您的机器是Win98，还要”中，点“”出现下图所示：点“保存”按钮出现下图所示：选择保存“udisk.exe”程序的位置。下载好驱动程序后，打开保存 “udisk.exe”程序位置，双击图标安装驱动程序，安装好驱动程序后，再把身份识别卡插入到计算机USB接口上。如果还是无法识别身份识别卡，点“我的电脑”--->“属性”--->“设备管理器”见下图：点“刷新”，提示查找新硬件，见图：点击“下一步”，见图：点击“下一步”，见图：点击“浏览”，浏览的位置为“C:\Program Files\WatchData\WatchData USB Driver\Win98”见图点“确定”即可安装好驱动程序。 1．1．2、身份识别卡驱动程序安装完后，关闭下载驱动程序网页。在USB 接口上插入身份识别卡，再打开IE浏览器（点击图标，打开浏览器），在IE

经济发展的密度效应

经济发展的密度效应摘要：文章通过对“李约瑟之谜”，“金砖四国”等经济发展现象的总结，提出了经济体的人口及经济活动的密度对经济发展有巨大的促进作用，发展了对经济发展中经济活动相互影响的“规模效应”的认识。关键词：经济发展；密度效应；规模效应一、引言经济发展结果的累积对人均生活水平的各个方面都有着重大的影响，因此，它吸引了众多杰出的经济学家的关注。诺贝尔经济学奖获得者RobertLucas教授1988年在他的具有深远影响的论文中写道，“一个人一旦开始思考它们，就很难去思考其他任何问题。” 到目前为止，经济学家已经对经济增长提出了很多解释。RobertLucas指出了人力资本对于经济发展的重要影响，PaulRomer认识到了干中学是经济持续增长的重要支持。这些理论能够在一定程度上解释经济为什么会增长，但是都不能够解释各国之间经济发展水平的巨大差异，以及经济增长率的数十年间的持续的差异。具体而言，这些经济理论对于各种著名的经济发展现象，如“李约瑟之谜”，“亚洲四小

龙”和“金砖四国”等显著的经济增长奇迹没有给出有说服力的解释。同样的基于经济规模的解释也解释不了这些现象，因为这些经历了经济发展奇迹的国家或地区，从人口规模到经济规模都很小。本文将通过对这些经济现象及现存的各种解释的分析，概括出它们共同的特征，即经济活动的密度是经济发展的关键，并解释了该特征促进经济增长的具体机制。二、“李约瑟之谜”及其启示英国学者李约瑟在其著作《传统中国的科学》一书中提出了如下问题：为什么中国科学技术在公元２世纪开始领先欧洲，而自此始直到公元16世纪的约14个世纪中，“中国文明在发现自然，并将自然知识造福于人类方面比西方有成效得多”而此后中国并没有发生科学革命以及工业革命，再度落后于西方。因为科学技术水平代表了劳动工具的水平，因而科学技术的相对水平也基本代表了一国经济的相对水平。因此这不仅是一个科学之谜，也是经济发展之谜。林毅夫提出中国曾经领先的原因是：中国人口众多，因而在以经验为特征的发明中占有优势，而后来欧洲采用了以重复试验为特征的发明模式，中国的众多的人口在发明中不再具有优势。这是以规模效应来解释科技与经济发展的思路。但是，他不能解释

特殊管理药品和国家有专门管理要求的药品指导

特殊管理药品和国家有专门管理要求的药品培训 1、特殊管理药品是指:医疗用毒性药品、麻醉药品、精神药品、放射性药品。 2、国家有专门管理要求的药品包括:含麻黄碱类复方制剂、含可待因复方口服溶液、含瘦肉精复方制剂、复方甘草片、复方地芬诺酯片、肽类激素蛋白同化制剂。 3.企业应当为销售特殊管理的药品、国家有专门管理要求的药品的人员接受相应培训提供条件，使其掌握相关法律法规和专业知识。 4.经营含麻黄碱类复方制剂需专柜专人管理；经营二类精神药品应专柜、双人、双锁管理。 5.应依据经营范围，加强对冷藏药品、二类精神药品及含麻黄碱类复方制剂等专门管理类药品的管理，需建立专门的质量管理制度和质量监控、追溯措施。 6.麻醉药品、放射性药品、一类精神药品、终止妊娠药品、蛋白同化制剂、肽类激素（胰岛素除外）、药品类易制毒化学品（单方制剂和小包装麻黄素）、疫苗?、罂粟壳（中药材）等，不得零售。罂粟壳（必须是合法生产企业生产的中药饮片，不能是中药材）、医疗用毒性药品、药品类易制毒化学品（药品类易制毒化学品单方制剂和小包装麻黄素不得零售）应专库或专柜存放，实行双人双锁管理，安全监控和报警系统与公安部门联网。 7.经营第二类精神药品、毒性中药品种和罂粟壳的门店，营业场所应有符合安全规定的专用存放设备。 8.购买含麻黄碱类复方制剂，请出示身份证,一次不得超过二个最小包装。

9.购买含可待因复方口服溶液、复方甘草片、复方地芬诺酯片必须凭处方销售。一次不得超过2个最小包装 10.门店第二类精神药品、毒性中药品种和罂粟壳不得陈列。二类精神药品应为专人验收、签字，建立专用管理账册 11.门店销售国家有专门管理要求的药品，应严格执行国家有关规定。 12.国家有专门管理要求的药品货款应汇到供货单位的银行账户，禁止使用现金交易。 13..销售国家有专门管理要求的药品应严格执行国家哪些规定？ ①销售特殊管理的药品和国家有专门管理要求的药品，应严格执行《麻醉药品和精神药品管理条例》、《医疗用毒性药品管理办法》、《反兴奋剂条例》、《处方管理办法》、《处方药与非处方药分类管理办法》、《关于做好处方药与非处方药分类管理实施工作的通知》（国食药监安[2005]409号）、《关于切实加强部分含特殊药品复方制剂销售管理的通知》（国食药监安[2009]503号）、《关于加强含麻黄碱类复方制剂管理有关事宜的通知》（国食药监办[2012]260号）、《关于对部分含特殊药品复方制剂实施电子监管工作的通知》(国食药监办[2010]484号)等国家有关规定。 ②麻醉药品、放射性药品、一类精神药品、终止妊娠药品、蛋白同化制剂、肽类激素（胰岛素除外）、药品类易制毒化学品（单方制剂和小包装麻黄素）、疫苗?、罂粟壳（中药材）等，不得零售。

单粒子效应分析与电路级模拟研究

单粒子效应分析与电路级模拟研究随着集成电路制造工艺的进步、器件特征尺寸的缩小、系统工作电压的降低和工作频率的提高,宇宙环境中存在的辐射效应对宇航器芯片的影响日益凸显,严重影响各国航天航空领域的发展。高能粒子轰击集成电路敏感区域将会产生单粒子瞬态脉冲,进而可能引起存储数据错误,影响后续计算,甚至导致整个系统崩溃。体硅工艺下,传统的单粒子效应研究主要围绕在器件敏感区域漏极,近年来国际上一些研究表明,器件的瞬态电流脉冲和电荷收集与粒子入射位置有关。本文在研究单粒子效应产生机理和已有SET电流源注入脉冲模型的基础上,重点研究粒子入射位置在阱区时单粒子效应对传统硅工艺器件产生的影响。本文的主要工作如下:1、基于90nm双阱工艺,分别对NMOS和PMOS进行器件三维建模,并与SMIC 90nm库进行工艺校准,校准结果表明本文建立的器件三维模型与实际结果贴合性很高,为后续章节器件级单粒子效应研究的展开提供了准确的模型支持。2、进行器件级单粒子效应研究,研究发现NMOS、PMOS和CMOS反相器的SET电流形状、电压特性均受粒子入射位置和LET值影响。入射位置与漏极边界的距离增大将减小器件收集电荷,电流峰值;LET值增大将增大器件收集电荷,电流复合时间。为后续章节展开的一维SET脉冲电流注入模型建立提供实验数据和现象支持。 3、将粒子入射位置引入SET电流源模型研究中,分析建立PN结基于入射距离的一维独立SET电流脉冲注入模型。进一步研究了粒子入射位置在阱区时,寄生双极放大效应对NMOS、PMOS的影响,进而对单个晶体管一维SET电流源进行建模。

最后进行电流源模型SPICE验证,结果表明本文基于入射距离建立的一维独立SET电流源模型可以较好的反映入射距离改变时单粒子效应对器件电流脉冲的影响。4、仿真介绍了独立电流源和耦合电流源的区别,基于粒子入射距离对一维耦合SET电流脉冲注入模型进行建模。 SPICE仿真验证了本文建立的一维耦合SET电流源能够较好反映粒子入射距离改变时反相器SET电流脉冲特性,同时可以较好的反映耦合电流源存在的“台阶效应”,可应用于电压脉冲宽度的预测,最大误差为11.73%,平均误差为10.76%。

生态学(5.2.1)--密度效应、性别关系及他感作用

普通生态学§2 种内关系2.1 密度效应 (Density effect) 在一定时间内，当种群的个体数目增加时，就必定会出现相邻个体之间的相互影响，这种影响称密度效应或邻接效应。?密度效应主要是因为有限资源和空间条件下，种群在高密度时竞争加剧，种群内个体的生长发育受到抑制。?植物和动物的种内关系都体现出密度效应，但前者更明显。

普通生态学案例：植物种群的密度效应-养分资源的影响Tilman & Cowan, 1989. 在高密度（每盆100株）时每株印度草(Sorghastrum nu tans )的生物量远远低于低密度（每盆7 株）。01 2 3 4567生物量(g /株)密度(株/盘) 低密度(7）高密度(100）

普通生态学植物密度效应的特殊规律?最后产量恒值法则 (law of constant final yield, 1951)：在一定范围内，当条件相同时，不管一个种群密度如何，其产量基本保持恒定。 C = W*d=Ki （C-产量, W-平均株重, d-密度, Ki-常数）原因主要是在高密度情况下，植物之间的光、水、营养物质的竞争十分激烈，在有限的资源中，植株的生长率降低，个体变小，甚至死亡。

普通生态学植物密度效应的特殊规律?在植物群落或种群的发展过程中，通常伴随着密度降低和个体生物量增加的现象，称为“自疏过程”。 -3/2 自疏法则(Yoda’s self-thinning law, 1963): 自疏过程中存活个体的平均株干重与种群密度呈负指数关系: W=cd -a 后来生态学家(White 1970; Harper, 1981) 研究发现a 为一个恒定值3/2，因此得到：W=cd -3/2, W －平均株干重，C －产量，d －密度。

GANFET单粒子效应

Single-Event and Radiation Effect on Enhancement Mode Gallium Nitride FETs A.Lidow1, J. Strydom1, Alana Nakata1, M. Rearwin2Member IEEE, M. Zafrani2member IEEE 1Efficient Power Conversion Corporation 2Microsemi Corporation ABSTRACT This paper presents responses of the latest MiGaN FETs to space radiation conditions. The new MiGaN has shown radiation tolerance to 1Mrad TID and SEGR and SEB immunity at LET of 85Mev/(mg/cm2) as well as immunity to displacement damage and Low dose (ELDRs) testing. I.INTRODUCTION Enhancement-mode gallium nitride (eGaN?*) transistors have been commercially available for over four years. In that time they have enabled significant efficiency improvement in commercial DC-DC converters in a variety of topologies and at a variety of power levels [1]. Enhancement-mode transistors from Efficient Power Conversion Corporation (eGaN FETs) used in Microsemi MiGan TM FETs have also been demonstrated to have remarkable tolerance to gamma radiation [2] and single event effects (SEE) [3]. In September 2013, a new generation of eGaN FETs was introduced that was designed for high power density, multi-megahertz DC-DC conversion. In this paper we present new results characterizing the stability of these new improved EGaN devices under radiation exposures. As this is a relatively new technology an introduction of the eGaN device structure will be beneficial for future reference. eGaN devices based on EPC process and design are fabricated on a silicon wafer for process compatibility with today silicon manufacturing as well as cost. A thin layer of aluminum Nitride (AlN) is grown on the silicon to provide a seed layer for the subsequent growth of a gallium nitride Heterostructure. A Heterostructure of aluminum gallium nitride (AlGaN) and then GaN is grown on the AlN. A thin layer of AlGaN layer is grown on top of the highly resistive GaN creating a strained interface between the GaN and AlGaN crystal layers. This interface combined with the intrinsic piezoelectric nature of the GaN, creates a two dimensional electron gas (2DEG) which is filled with highly mobile and abundant electrons [4]. Further processing of a gate electrode forms a depletion region under the gate. The FET can be turned on by applying a positive bias to the voltage to the gate similar to a N-Channel MOSFET fig.1 show a typical I-V curve of a 40V MGN2915. Additional layers of metal are added to route the electrons to the gate, drain and source terminals as shown by the device cross section fig.2. This structure is repeated many times to form a power device similar to a power LDMOS layout. Fig. 1. Typical IV Curves for MGN2915 * eGaN is a registered trademark of Efficient Power Conversion Corporation