硅三极管项目可行性研究报告
硅三极管项目可行性研究报告
核心提示：硅三极管项目投资环境分析，硅三极管项目背景和发展概况，硅三极管项目建设的必要性，硅三极管行业竞争格局分析，硅三极管行业财务指标分析参考，硅三极管行业市场分析与建设规模，硅三极管项目建设条件与选址方案，硅三极管项目不确定性及风险分析，硅三极管行业发展趋势分析
提供国家发改委甲级资质
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【主要用途】发改委立项，政府批地，融资，贷款，申请国家补助资金等【关键词】硅三极管项目可行性研究报告、申请报告
【交付方式】特快专递、E-mail
【交付时间】2-3个工作日
【报告格式】Word格式；PDF格式
【报告价格】此报告为委托项目报告，具体价格根据具体的要求协商，欢迎进入公司网站，了解详情，工程师（高建先生）会给您满意的答复。
【报告说明】
本报告是针对行业投资可行性研究咨询服务的专项研究报告，此报告为个性化定制服务报告，我们将根据不同类型及不同行业的项目提出的具体要求，修订报告目录，并在此目录的基础上重新完善行业数据及分析内容，为企业项目立项、上马、融资提供全程指引服务。
可行性研究报告是在制定某一建设或科研项目之前，对该项目实施的可能
性、有效性、技术方案及技术政策进行具体、深入、细致的技术论证和经济评价，以求确定一个在技术上合理、经济上合算的最优方案和最佳时机而写的书面报告。可行性研究报告主要内容是要求以全面、系统的分析为主要方法，经济效益为核心，围绕影响项目的各种因素，运用大量的数据资料论证拟建项目是否可行。对整个可行性研究提出综合分析评价，指出优缺点和建议。为了结论的需要，往往还需要加上一些附件，如试验数据、论证材料、计算图表、附图等，以增强可行性报告的说服力。
可行性研究是确定建设项目前具有决定性意义的工作，是在投资决策之前，对拟建项目进行全面技术经济分析论证的科学方法，在投资管理中，可行性研究是指对拟建项目有关的自然、社会、经济、技术等进行调研、分析比较以及预测建成后的社会经济效益。在此基础上，综合论证项目建设的必要性，财务的盈利性，经济上的合理性，技术上的先进性和适应性以及建设条件的可能性和可行性，从而为投资决策提供科学依据。
投资可行性报告咨询服务分为政府审批核准用可行性研究报告和融资用可
行性研究报告。审批核准用的可行性研究报告侧重关注项目的社会经济效益和影响；融资用报告侧重关注项目在经济上是否可行。具体概括为：政府立项审批，产业扶持，银行贷款，融资投资、投资建设、境外投资、上市融资、中外合作，股份合作、组建公司、征用土地、申请高新技术企业等各类可行性报告。
报告通过对项目的市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等方面的研究调查，在行业专家研究经验的基础上对项目经济效益及社会效益进行科学预测，从而为客户提供全面的、客观的、可靠的项目投资价值评估及项目建设进程等咨询意见。
可行性研究报告大纲（具体可根据客户要求进行调整）
为客户提供国家发委甲级资质
第一章硅三极管项目总论
第一节硅三极管项目背景
一、硅三极管项目名称
二、硅三极管项目承办单位
三、硅三极管项目主管部门
四、硅三极管项目拟建地区、地点
五、承担可行性研究工作的单位和法人代表
六、硅三极管项目可行性研究报告编制依据
七、硅三极管项目提出的理由与过程
第二节可行性研究结论
一、市场预测和项目规模
二、原材料、燃料和动力供应
三、选址
四、硅三极管项目工程技术方案
五、环境保护
六、工厂组织及劳动定员
七、硅三极管项目建设进度
八、投资估算和资金筹措
九、硅三极管项目财务和经济评论
十、硅三极管项目综合评价结论
第三节主要技术经济指标表
第四节存在问题及建议
第二章硅三极管项目投资环境分析
第一节社会宏观环境分析
第二节硅三极管项目相关政策分析
一、国家政策
二、硅三极管行业准入政策
三、硅三极管行业技术政策
第三节地方政策
第三章硅三极管项目背景和发展概况
第一节硅三极管项目提出的背景
一、国家及硅三极管行业发展规划
二、硅三极管项目发起人和发起缘由
第二节硅三极管项目发展概况
一、已进行的调查研究硅三极管项目及其成果
二、试验试制工作情况
三、厂址初勘和初步测量工作情况
四、硅三极管项目建议书的编制、提出及审批过程
第三节硅三极管项目建设的必要性
一、现状与差距
二、发展趋势
三、硅三极管项目建设的必要性
四、硅三极管项目建设的可行性
第四节投资的必要性
第四章市场预测
第一节硅三极管产品市场供应预测
一、国内外硅三极管市场供应现状
二、国内外硅三极管市场供应预测
第二节产品市场需求预测
一、国内外硅三极管市场需求现状
二、国内外硅三极管市场需求预测
第三节产品目标市场分析
一、硅三极管产品目标市场界定
二、市场占有份额分析
第四节价格现状与预测
一、硅三极管产品国内市场销售价格
二、硅三极管产品国际市场销售价格
第五节市场竞争力分析
一、主要竞争对手情况
二、产品市场竞争力优势、劣势
三、营销策略
第六节市场风险
第五章硅三极管行业竞争格局分析
第一节国内生产企业现状
一、重点企业信息
二、企业地理分布
三、企业规模经济效应
四、企业从业人数
第二节重点区域企业特点分析
一、华北区域
二、东北区域
三、西北区域
四、华东区域
五、华南区域
六、西南区域
七、华中区域
第三节企业竞争策略分析
一、产品竞争策略
二、价格竞争策略
三、渠道竞争策略
四、销售竞争策略
五、服务竞争策略
六、品牌竞争策略
第六章硅三极管行业财务指标分析参考第一节硅三极管行业产销状况分析
第二节硅三极管行业资产负债状况分析
第三节硅三极管行业资产运营状况分析
第四节硅三极管行业获利能力分析
第五节硅三极管行业成本费用分析
第七章硅三极管行业市场分析与建设规模第一节市场调查
一、拟建硅三极管项目产出物用途调查
二、产品现有生产能力调查
三、产品产量及销售量调查
四、替代产品调查
五、产品价格调查
六、国外市场调查
第二节硅三极管行业市场预测
一、国内市场需求预测
二、产品出口或进口替代分析
三、价格预测
第三节硅三极管行业市场推销战略
一、推销方式
二、推销措施
三、促销价格制度
四、产品销售费用预测
第四节硅三极管项目产品方案和建设规模
一、产品方案
二、建设规模
第五节硅三极管项目产品销售收入预测
第八章硅三极管项目建设条件与选址方案第一节资源和原材料
一、资源评述
二、原材料及主要辅助材料供应
三、需要作生产试验的原料
第二节建设地区的选择
一、自然条件
二、基础设施
三、社会经济条件
四、其它应考虑的因素
第三节厂址选择
一、厂址多方案比较
二、厂址推荐方案
第九章硅三极管项目应用技术方案
第一节硅三极管项目组成
第二节生产技术方案
一、产品标准
二、生产方法
三、技术参数和工艺流程
四、主要工艺设备选择
五、主要原材料、燃料、动力消耗指标
六、主要生产车间布置方案
第三节总平面布置和运输
一、总平面布置原则
二、厂内外运输方案
三、仓储方案
四、占地面积及分析
第四节土建工程
一、主要建、构筑物的建筑特征与结构设计
二、特殊基础工程的设计
三、建筑材料
四、土建工程造价估算
第五节其他工程
一、给排水工程
二、动力及公用工程
三、地震设防
四、生活福利设施
第十章硅三极管项目环境保护与劳动安全
第一节建设地区的环境现状
一、硅三极管项目的地理位置
二、地形、地貌、土壤、地质、水文、气象
三、矿藏、森林、草原、水产和野生动物、植物、农作物
四、自然保护区、风景游览区、名胜古迹、以及重要政治文化设施
五、现有工矿企业分布情况
六、生活居住区分布情况和人口密度、健康状况、地方病等情况
七、大气、地下水、地面水的环境质量状况
八、交通运输情况
九、其他社会经济活动污染、破坏现状资料
十、环保、消防、职业安全卫生和节能
第二节硅三极管项目主要污染源和污染物
一、主要污染源
二、主要污染物
第三节硅三极管项目拟采用的环境保护标准
第四节治理环境的方案
一、硅三极管项目对周围地区的地质、水文、气象可能产生的影响
二、硅三极管项目对周围地区自然资源可能产生的影响
三、硅三极管项目对周围自然保护区、风景游览区等可能产生的影响
四、各种污染物最终排放的治理措施和综合利用方案
五、绿化措施，包括防护地带的防护林和建设区域的绿化
第五节环境监测制度的建议
第六节环境保护投资估算
第七节环境影响评论结论
第八节劳动保护与安全卫生
一、生产过程中职业危害因素的分析
二、职业安全卫生主要设施
三、劳动安全与职业卫生机构
四、消防措施和设施方案建议
第十一章企业组织和劳动定员
第一节企业组织
一、企业组织形式
二、企业工作制度
第二节劳动定员和人员培训
一、劳动定员
二、年总工资和职工年平均工资估算
三、人员培训及费用估算
第十二章硅三极管项目实施进度安排第一节硅三极管项目实施的各阶段
一、建立硅三极管项目实施管理机构
二、资金筹集安排
三、技术获得与转让
四、勘察设计和设备订货
五、施工准备
六、施工和生产准备
七、竣工验收
第二节硅三极管项目实施进度表
一、横道图
二、网络图
第三节硅三极管项目实施费用
一、建设单位管理费
二、生产筹备费
三、生产职工培训费
四、办公和生活家具购置费
五、勘察设计费
六、其它应支付的费用
第十三章投资估算与资金筹措
第一节硅三极管项目总投资估算
一、固定资产投资总额
二、流动资金估算
第二节资金筹措
一、资金来源
二、硅三极管项目筹资方案
第三节投资使用计划
一、投资使用计划
二、借款偿还计划
第十四章财务与敏感性分析
第一节生产成本和销售收入估算
一、生产总成本估算
二、单位成本
三、销售收入估算
第二节财务评价
第三节国民经济评价
第四节不确定性分析
第五节社会效益和社会影响分析
一、硅三极管项目对国家政治和社会稳定的影响
二、硅三极管项目与当地科技、文化发展水平的相互适应性
三、硅三极管项目与当地基础设施发展水平的相互适应性
四、硅三极管项目与当地居民的宗教、民族习惯的相互适应性
五、硅三极管项目对合理利用自然资源的影响
六、硅三极管项目的国防效益或影响
七、对保护环境和生态平衡的影响
第十五章硅三极管项目不确定性及风险分析
第一节建设和开发风险
第二节市场和运营风险
第三节金融风险
第四节政治风险
第五节法律风险
第六节环境风险
第七节技术风险
第十六章硅三极管行业发展趋势分析
第一节我国硅三极管行业发展的主要问题及对策研究
一、我国硅三极管行业发展的主要问题
二、促进硅三极管行业发展的对策
第二节我国硅三极管行业发展趋势分析
第三节硅三极管行业投资机会及发展战略分析
一、硅三极管行业投资机会分析
二、硅三极管行业总体发展战略分析
第四节我国硅三极管行业投资风险
一、政策风险
二、环境因素
三、市场风险
四、硅三极管行业投资风险的规避及对策
第十七章硅三极管项目可行性研究结论与建议
第一节结论与建议
一、对推荐的拟建方案的结论性意见
二、对主要的对比方案进行说明
三、对可行性研究中尚未解决的主要问题提出解决办法和建议
四、对应修改的主要问题进行说明，提出修改意见
五、对不可行的项目，提出不可行的主要问题及处理意见
六、可行性研究中主要争议问题的结论
第二节我国硅三极管行业未来发展及投资可行性结论及建议
第十八章财务报表
第一节资产负债表
第二节投资受益分析表
第三节损益表
第十九章硅三极管项目投资可行性报告附件
1、硅三极管项目位置图
2、主要工艺技术流程图
3、主办单位近5年的财务报表
4、硅三极管项目所需成果转让协议及成果鉴定
5、硅三极管项目总平面布置图
6、主要土建工程的平面图
7、主要技术经济指标摘要表
8、硅三极管项目投资概算表
9、经济评价类基本报表与辅助报表
10、现金流量表
11、现金流量表
12、损益表
13、资金来源与运用表
14、资产负债表
15、财务外汇平衡表
16、固定资产投资估算表
17、流动资金估算表
18、投资计划与资金筹措表
19、单位产品生产成本估算表
20、固定资产折旧费估算表
21、总成本费用估算表
22、产品销售（营业）收入和销售税金及附加估算表
服务流程：
1.客户问询，双方初步沟通；
2.双方协商报告编制费、并签署商务合同；
3.我方保密承诺（或签保密协议），对方提交资料。
专家答疑：
一、可研报告定义：
可行性研究报告，简称可研报告，是在制订生产、基建、科研计划的前期，通过全面的调查研究，分析论证某个建设或改造工程、某种科学研究、某项商务活动切实可行而提出的一种书面材料。
可行性研究报告主要是通过对项目的主要内容和配套条件，如市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等，从技术、经济、工程等方面进行调查研究和分析比较，并对项目建成以后可能取得的财务、经济效益及社会影响进行预测，从而提出该项目是否值得投资和如何进行建设的咨询意见，为项目决策提供依据的一种综合性分析方法。可行性研究具有预见性、公正性、可靠性、科学性的特点。
一般来说，可行性研究是以市场供需为立足点，以资源投入为限度，以科学方法为手段，以一系列评价指标为结果，它通常处理两方面的问题：一是确定项目在技术上能否实施，二是如何才能取得最佳效益。
二、可行性研究报告的用途
项目可行性研究报告是项目实施主体为了实施某项经济活动需要委托专业
研究机构编撰的重要文件，其主要体现在如下几个方面作用：
1. 用于向投资主管部门备案、行政审批的可行性研究报告
根据《国务院关于投资体制改革的决定》国发（2004）20号的规定，我国对不使用政府投资的项目实行核准和备案两种批复方式，其中核准项目向政府部门提交项目申请报告，备案项目一般提交项目可行性研究报告。
同时，根据《国务院对确需保留的行政审批项目设定行政许可的决定》，对某些项目仍旧保留行政审批权，投资主体仍需向审批部门提交项目可行性研究报告。
2. 用于向金融机构贷款的可行性研究报告
我国的商业银行、国家开发银行和进出口银行等以及其他境内外的各类金融机构在接受项目建设贷款时，会对贷款项目进行全面、细致的分析平谷，银行等金融机构只有在确认项目具有偿还贷款能力、不承担过大的风险情况下，才会同意贷款。项目投资方需要出具详细的可行性研究报告，银行等金融机构只有在确认项目具有偿还贷款能力、不承担过大的风险情况下，才会同意贷款。
3. 用于企业融资、对外招商合作的可行性研究报告
此类研究报告通常要求市场分析准确、投资方案合理、并提供竞争分析、营销计划、管理方案、技术研发等实际运作方案。
4. 用于申请进口设备免税的可行性研究报告
主要用于进口设备免税用的可行性研究报告，申请办理中外合资企业、内资企业项目确认书的项目需要提供项目可行性研究报告。
5. 用于境外投资项目核准的可行性研究报告
企业在实施走出去战略，对国外矿产资源和其他产业投资时，需要编写可行性研究报告报给国家发展和改革委或省发改委，需要申请中国进出口银行境外投资重点项目信贷支持时，也需要可行性研究报告。
6. 用于环境评价、审批工业用地的可行性研究报告
我国当前对项目的节能和环保要求逐渐提高，项目实施需要进行环境评价，项目可行性研究报告可以作为环保部门审查项目对环境影响的依据，同时项目可行性研究报告也作为向项目建设所在地政府和规划部门申请工业用地、施工许可证的依据。
三、可行性研究报告的编制依据
——国家有关的发展规划、计划文件。包括对该行业的鼓励、特许、限制、禁止等有关规定；
——项目主管部门对项目建设要请示的批复；
——项目审批文件；
——项目承办单位委托进行详细可行性分析的合同或协议；
——企业的初步选择报告；
——主要工艺和装置的技术资料；
——拟建地区的环境现状资料；
——项目承办单位与有关方面签订的协议，如投资、原料供应、建设用地、运输等方面的初步协议；
——国家和地区关于工业建设的法令、法规。如“三废”排放标准、土地法规、劳动保护条例等；
——国家有关经济法规、规定。如中外合资企业法、税收、外资、贷款等规定；国家关于建设方面的标准、规范、定额资料等。
在项目可行性研究报告编制过程中，尤其是对项目做财务、经济评价时，还需要参考如下相关文件：
1、《中华人民共和国会计法》，[主席令第24号]，2000年1月1日起实施；
2、《企业会计准则》，[财政部令第5号]，2007年1月1日起实施；
3、《中华人民共和国企业所得税法实施条例》，[国务院令第512号]，2008年1月1日起实施；
4、《中华人民共和国增值税暂行条例实施细则》，[财政部、国家税务总局令第50号]2009年1月1日起实施；
5、《建设项目经济评价方法与参数（第三版）》，国家发展与改革委员会2006年审核批准施行；
6、项目必须遵守的国内外其他工商税务法律文件等。
可研报告客户提供材料清单
以下资料，能提供的尽量提供，提供不了的，空着即可。
1、项目简介
2、项目规模投资额
3、项目场址：地理位置、当地优惠政策、占地面积、土地使用情况
4、工程建设：建设面积、主要建筑物、规划结构
5、项目主要设施：设施名称、规格、来源、数量
6、能源（水、电等）使用量、价格
7、工作人员：人员组织机构、人员配置
8、项目建设工期
9、项目建筑工程费用、设备清单、设施费用
10、项目营销方案
11、资金筹措措施
12、公司近3-5年的财务状况
13、规划部门、土地管理部门对本项目的审批意见
注：
1、关于以上部分内容可参照下面表格填写。
2、对于新建项目或对相关信息不能做出正确答复的，请咨询我公司进行解决。
一、项目的基本信息
项目名称
项目承办单位
项目
承办单位概况
法人代表介绍
主要股东
持股情况
主营业务介绍
近几年财务状况（企业资产、营业收入、
利润等）
3-5年发展规划
项目拟建设地点
项目占地面积
项目性质（新建/扩建/技改等）
项目实施时间安排
（是否分期实施/项目实施起止时间）
项目总投资
项目资金来源
（是否有银行贷款，
如有，贷款金额或者比例）
项目年产量、年销售收入
项目目前的进展情况
项目发起的缘由
二、项目的主要产品
产品名称及规格
（多种产品时应逐一列出）
产品生产采用标准
产品价格的制定
产品优势概括
三、项目的生产资源
原辅料
项目所需原、辅料名称
（应逐一列出）
项目每年所需原、辅料数量
项目所需原辅料来源
能耗
项目所用燃料品种
项目每年所用燃料品用量
项目总装机功率或年用电量
项目供电来源
项目需用的电力设施
项目年用水量
项目水源及供应情况
项目其他能源需求情况
项目其他能源来源
工艺及设备
项目生产工艺简述
项目单位技术优势
项目使用的设备名称及数量（包括生产设备、
检测设备等）
四、项目（现有设施）的土建工程
项目主要建设方案
生产车间建筑面积（已有/新建？）
配套工程
（已有/新建？）（包括办公楼、职工食堂
宿舍等）
道路、绿化等（已有/新建？）
土建工程的造价估算
五、项目的环境与劳动保护
项目主要污染物
（废水/废气/废固/噪声等）
项目的主要污染物处理方案
劳动安全、卫生设施
消防设施
六、项目的工作人员
企业组织机构（图）
企业工作制度（工作时间安排）
项目所需人员总数
其中所需工人数量
其中工程技术人员数量
其中管理人员数量
其中后勤、服务人员数量
职工年平均工资估算
职工的培训计划
职工的培训费用估算
七、对项目的补充说明或编写要求
一、
二、
三、
……
实验三 光电三极管特性测试及其变换电路模板
西南交通大学光电专业实验报告 学号：2015114XXX 姓名：XXX 班级：光电X班组号：X 同组人(姓名/学号)：实验名称：光电三极管特性测试及其变换电路本次实验是本学期你所做的第X 个实验实验日期：2018 年 6 月X 日讲指导教师/报告箱号：
极管C极对应组件上红色护套插座，已极对应组件上黑色护套插座。 (4)打开电源，缓慢调节光照度调节电位器，直到光照为3001x (约为环境光照)，缓慢
光照3001x时的光电流。 (5)实验完毕，将光照度调至最小，直流电源调至最小，关闭电源，拆除所有连线。2、光电三极管光照特性测试 (1)组装好光通路组件，将照度计与照度计探头输出正负极对应相连(红为正极，黑为负极)，将光源驱动及信号处理模块上J2与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)将开关S2拨到“静态”。 (3)按图3-3所示的电路连接电路图，直流电源选用0-15V可调直流电源，负载RL选择RL=1K欧。 (4)将“光照度调节”旋钮逆时针调节至最小值位置。打开电源，调节直流电源电位器，直到显示值为6V左右，顺时针调节该旋钮，增大光照度值，分别记下不同照度下对应的光生电流值、填入表1。若电流表或照度计显示为“1__”时说明超出量程，应改为合适的量程再测试。 (5)调节直流调节电位器到10V左右，重复述步骤(4)，改变光照度值，将测试的电流值填入表2 (6)根据上面所测试的两组数据，在同一坐标轴中描绘光照特性曲线并进行分析。 (7)实验完毕，将光照度调至最小，直流电源调至最小，关闭电源，拆除所有连线。3、光电三极管伏安特性 实验装置原理框图如图3-4所示。 (1)组装好光通路组件，将照度计与照度计探头输出正负极对应相连(红为正极，黑为负极)，将光源驱动及信号处理模块上J2与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)将开关S2拨到“静态”。 (3)按图3-4所示的电路连接电路图，直流电源选用0-15V可调直流电源，负载RL选择RL=2K欧。 (4)打开电源顺时针调节照度调节旋钮，使照度值为200Lx，保持光照度不变，调节电源电压电位器，使反向偏压为0V、IV、2V，4V、6V、8V、10V、12V时的电流表读数，填入表3，关闭电源。 (注意:直流电流不可调至高于30V,以免烧坏光电三极管) (5)根据上述实验结果，作出200Lx照度下的光电三极管伏安特性曲线。 (6)重复上述步骤。分别测量光电三极管在100Lx和500Lx照度下，不同偏压下的光生
异质结发展现状及原理
异质结发展现状及原理 pn结是组成集成电路的主要细胞。50年代pn结晶体管的发明和其后的发展奠定了这一划时代的技术革命的基础。pn结是在一块半导体单晶中用掺杂的办法做成两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边是用同一种材料做成的(例如锗、硅及砷化镓等)，所以称之为“同质结”。如果把两种不同的半导体材料做成一块单晶，就称之为“异质结“。结两边的导电类型由掺杂来控制，掺杂类型相同的为“同型异质结”。掺杂类型不同的称为“异型异质结”。另外,异质结又可分为突变型异质结和缓变型异质结,当前人们研究较多的是突变型异质结。 1 异质结器件的发展过程 pn结是组成集成电路的主要细胞,50年代pn结晶体管的发明及其后的发展奠定了现代电子技术和信息革命的基础。 1947年12月,肖克莱、巴丁和布拉顿三人发明点接触晶体管。1956年三人因为发明晶体管对科学所做的杰出贡献,共同获得了科学技术界的最高荣誉——诺贝尔物理学奖。 1949年肖克莱提出pn结理论,以此研究pn结的物理性质和晶体管的放大作用,这就是著名的晶体管放大效应。由于技术条件的限制,当时未能制成pn结型晶体管,直到1950年才试制出第一个pn结型晶体管。这种晶体管成功地克服了点接触型晶体管不稳定、噪声大、信号放大倍数小的缺点。 1957年,克罗默指出有导电类型相反的两种半导体材料制成异质结,比同质结具有更高的注入效率。 1962年,Anderson提出了异质结的理论模型,他理想的假定两种半导体材料具有相同的晶体结构,晶格常数和热膨胀系数,基本说明了电流输运过程。 1968年美国的贝尔实验室和苏联的约飞研究所都宣布做成了双异质结激光器。 1968年美国的贝尔实验室和RCA公司以及苏联的约飞研究所都宣布做成了GaAs—AlxGal—。As双异质结激光器l；人5)．他们选择了晶格失配很小的多元合金区溶体做异质结对． 在70年代里，异质结的生长工艺技术取得了十分巨大的进展．液相夕随(LPE)、气相外延(VPE)、金属有机化学气相沉积(MO—CVD)和分子束外延(MBE)
光敏二极管和光敏三极管区别
光敏二极管和光敏三极管简介及应用 光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件，与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性好、体积小、使用方便等优。 一、光敏二极管 1．结构特点与符号 光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线 性半导体器件，但在结构上有其特殊的地方。 光敏二极管在电路中的符号如图Z0129 所示。光敏二极管 使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电 源正极。 2．光电转换原理 根据PN结反向特性可知，在一定反向电压范围内，反向电 流很小且处于饱和状态。此时，如果无光照射PN结，则因 本征激发产生的电子-空穴对数量有限，反向饱和电流保持不变，在光敏二极管中称为暗电流。当有光照射PN结时，结内将产生附加的大量电子空穴对（称之为光生载流子），使流过PN结的电流随着光照强度的增加而剧增，此时的反向电流称为光电流。不同波长的光（兰光、红光、红外光）在光敏二极管的不同区域被吸收形成光电流。被表面P型扩散层所吸收的主要是波长较短的兰光，在这一区域，因光照产生的光生载流子（电子），一旦漂移到耗尽层界面， 就会在结电场作用下，被拉向N区，形成部分光电流；彼长较长的红光，将透过P型层在耗尽层激发出电子一空穴对，这些新生的电子和空穴载流子也会在结电场作用下，分别到达N区和P 区，形成光电流。波长更长的红外光，将透过P型层和耗尽层，直接被N区吸收。在N区内因光照产生的光生载流子（空穴）一旦漂移到耗尽区界面，就会在结电场作用下被拉向P区，形成光电流。因此，光照射时，流过PN结的光电流应是三部分光电流之和。 二、光敏三极管 光敏三极管和普通三极管的结构相 类似。不同之处是光敏三极管必须 有一个对光敏感的PN结作为感光 面，一般用集电结作为受光结，因 此，光敏二极管实质上是一种相当 于在基极和集电极之间接有光敏二 极管的普通二极管。其结构及符号 如图Z0130所示。 三、光敏二极管的两种工作状态 光敏二极管又称光电二极管，它是 一种光电转换器件，其基本原理是 光照到P-N结上时，吸收光能并转变为电能。它具有两种工作状态：
串联型三极管稳压电路。
用三极管V代替图8.2中的限流电阻Ｒ，就得到图8.3所示的串联型三极管稳压电路。 在基极电路中，VDZ与Ｒ组成参数稳压器。 图8.3 串联型三极管稳压电路 2. 工作原理 〔实验〕： ①按图8.3连接电路，检查无误后，接通电路。 ②保持输入电压Ui不变，改变RL，观察U0。 ③保持负载RL不变，改变UL，观察U0。 结论：输出电压U0基本保持不变。 该电路稳压过程如下： （１）当输入电压不变，而负载电压变化时，其稳压过程如下： （２）当负载不变，输入电压U增加时，其稳压过程如下： （３）当ＵＩ增加时，输出电压Ｕ０有升高趋势，由于三极管Ｔ基极电位被稳压管ＤＺ固定，故Ｕ０的增加将使三极管发射结上正向偏置电压降低，基极电流减小，从而使三极管的集射极间的电阻增大，ＵＣＥ增加，于是，抵消了Ｕ０的增加，使Ｕ０基本保持不变．
上述电路虽然对输出电压具有稳压作用，但此电路控制灵敏度不高，稳压性能不理想。 8.3.2 带有放大环节的串联型稳压电路 1．电路组成 在图8.3电路加放大环节．如图8.4所示。可使输出电压更加稳定。 图８．４带放大电路的串联型稳压电路 取样电路：由Ｒ1、ＲP、Ｒ2组成，当输出电压变大时，取样电阻将其变化量的一部分送到比较放大管的基极，基极电压能反映出电压的变化，称为取样电压；取样电压不宜太大，也不宜太小，若太大，控制的 灵敏度下降；若太小，带负载能力减弱。 基准电路：由ＲZ、VDＺ组成，给V２发射极提供一个基准电压，ＲZ为限流电阻，保证VDＺ有一个合 适的工作电流。 比较放大管V2：Ｒ4既是V２的集电极负载电阻，又是V１的基极偏置电阻，比较放大管的作用是将输出电压的变化量，先放大，然后加到调整管的基极，控制调整管工作，提高控制的灵敏度和输出电压的稳定 性。 调整管V１：它与负载串联，故称此电路为串联型稳压电路，调整管V１受比较放大管控制，集射极间相 当于一个可变电阻，用来抵消输出电压的波动。 2．工作原理 （１）当负载RL不变，输入电压ＵＩ减小时，输出电压U０有下降趋势，通过取样电阻的分压使比较放大管的基极电位ＵＢ２下降，而比较放大管的发射极电压不变（ＵＥ２＝ＵＺ），因此ＵBE2也下降，于是比较放大管导通能力减弱，ＵC2升高，调整管导通能力增强，调整管Ｖ1集射之间的电阻ＲCE1减小，管压降ＵCE1下降，使输出电压Ｕ0上升，保证了Ｕ0基本不变。其过程表示如下： （2）当输入电压不变，负载增大时，引起输出电压有增长趋势，则电路将产生下列调整过程： 当负载RL减小时，稳压过程相反。
光敏三极管特性测试
实验三光敏三极管特性测试 一:实验原理： 光敏三极管是具有NPN或PNP结构的半导体管，结构与普通三极管类似。但它的引出电极通常只有两个，入射光主要被面积做得较大的基区所吸收。光敏三极管的结构与工作电路如图（11）所示。集电极接正电压，发射极接负电压。 二:实验所需部件： 光敏三极管、稳压电源、各类光源、电压表（自备4 1/2位表）、微安表、负载电阻 三:实验步骤： 1、判断光敏三极管C、E极性，方法是用万用 表欧姆20M测试档，测得管阻小的时候红表 棒端触脚为C极，黑表棒为E极。 2、暗电流测试： 按图（11）接线，稳压电源用±12V，调整 负载电阻RL阻值，使光敏器件模板被遮光罩盖 住时微安表显示有电流，这即是光敏三极管的暗 电流，或是测得负载电阻RL上的压降V暗，暗 电流LCEO=V暗/RL。（如是硅光敏三极管，则 暗电流可能要小于10-9A，一般不易测出。 3、光电流测试： 取走遮光罩，即可测得光电流I光，通过实验比较可以看出，光敏三极管与光敏二极管相比能把光电流放大（1+HFE）倍，具有更高的灵敏度。 1、伏安特征测试： 光敏三极管在给定的光照强度与工作电压下，将所测得的工作电压Vce与工作电流记录，工作电压可从+4V~+12V变换，并作出一组V/I曲线。 2、光谱特性测试： 对于一定材料和工艺制成的光敏管，必须对应一定波长的入射光才有响应。按图（11）接好光敏三极管测试电路，参照光敏二极管的光谱特性测试方法，分别用各种光照射光敏三极管，测得光电流，并做出定性的结论。 3、光电特性测试：
图（12）光敏三极管的温度特性图（13）光敏三极管的光电特性曲线 在外加工作电压恒定的情况下，照射光通量与光电流的关系见图（13），用各种光源照射光敏三极管，记录光电流的变化。 4、温度特性测试： 光敏三极管的温度特性曲线如图（12）所示，试在图（11）的电路中，加热光敏三极管，观察光电流随温度升高的变化情况。 思考题：光敏三极管工作的原理与半导体三极管相似，为什么光敏三极管有两根引出电极就可以正常工作？
全系列三极管应用参数代换大全
名称封装极性用途耐压电流功率频率配对管 9012 贴片PNP低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 9012 21 PNP低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A0.625W 9012 9013 贴片NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP低噪放大50V 0.1A0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP高频放大40V 1.5A1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 3DA87A 6 NPN 视频放大100V 0.1A1W 3DG6B 6 NPN 通用20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用30V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DK2B 7 NPN 开关30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 5609 21 NPN 音频低频放大50V 0.8A 0.625W 5610 5610 21 PNP音频低频放大50V 0.8A 0.625W 5610 60MIAL1 电磁／微波炉1000V 60A 300W 9626 21 NPN 通用 MPSA42 21E NPN 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ A634 28E PNP 音频功放开关40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关80V 0.7A 0.8W A715C 29 PNP 音频功放开关35V 2.5A 10W 160MHZ A733 21 PNP 通用50V 0.1A180MHZ
二极管和三极管原理
实用文案 二极管图 三极管工作原理 三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基 本原理。 穂压二郴皆 表亍拆号.込6口 ZD,D 齐于特是-□ . “ 光硕二概苛葩光电接収二巒炭:?t_很首 駅亍咼号：U.VT 車示帝号 ：Q,vr ■J'L hL H九世总 NPMSl三极普 表示持号：Q.VT 亵示符冒o 福压二Hi育 靑示時耳一口 艇谭二松苛隨谨二機営 净恃至二娜苗 潮看得■ : LED 翼台SflJ世 光嗽三慨営电接收三世 斫將号:LED
一、电流放大 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流 lb ;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流lc。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的B倍，即电流变化被放大了B倍，所以我们把B叫做三极管的放大倍数（B一般远大于1,例如几十，几百）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流lb 的变化，lb 的变化被放大后，导致了lc 很大的变化。如果集电极电流lc 是流过一个电阻R 的，那么根据电压计算公式U=R*l 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 二、偏置电路三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取0.7V ）。当基极与发射极之间的电压小于0.7V 时，基极电流就可以认为是0 。但实际中要放大的信号往往远比0.7V 要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变（因
光电传感器实验
光电传感器实验研究 电气信息学院 摘要：本实验通过研究光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池的伏安特性和光照特性曲线和光纤通讯基本原理，从而掌握光电传感器的原理。这样可以丰富自己的物理知识，使自己感受物理的魅力，并学会运用物理知识解决生活中的实际问题。 关键词：光敏电阻，光敏二极管，光敏三极管，硅光电池，光纤 光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测直接引起光强度变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；也可用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点。光敏传感器的物理基础是光电效应，即光敏材料的电学特性都因受到光的照射而发生变化。本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管四种光敏传感器的基本特性以及光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。本实验目的：1、了解光敏电阻的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。2、了解光敏二极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。3、了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。4、了解光敏三极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。 5、了解光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。 一、光敏传感器的基本特性及实验原理 1、伏安特性 光敏传感器在一定的入射光强照度下，光敏元件的电流I与所加电压U之间的关系称为光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一组伏安特性曲线，它是传感器应用设计时选择电参数的重要依据。某种光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管的伏安特性曲线如图1、图2、图3、图4所示。
全系列常用三极管型号参数资料(精)
全系列常用三极管型号参数资料 编者按：这些虽不能涵盖所有的三极管型号，例如3DD系列等，但是都是极其常用的型号，例如901系列，简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告，找到点参数型号确实不易。 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013
贴片三极管 二极管 稳压管Mark对照表
Codes / Markings SMD codes 1st character/以第一个字符为基准 01234 56789 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 印字器件厂商类型封装器件用途及参数 0 2SC3603 Nec CX SOT173Npn RF fT 7GHz 005 SSTPAD5 Sil J -PAD-5 5pA leakage diode p01PDTA143ET Phi N SOT23pnp dtr 4k7+4k7 t01PDTA143ET Phi N SOT23pnp dtr 4k7+4k7 01Gali-1MC AZ SOT89DC-8GHz MMIC amp 12dB gain 010 SSTPAD10 Sil J -PAD-10 10pA leakage diode 011 SO2369R SGS R SOT23R2N2369 02 BST82 Phi M -n-ch mosfet 80V 175mA 02 MRF5711L Mot X SOT143npn RF MRF571 02 DTCC114T Roh N -50V 100mA npn sw + 10k base res 02Gali-2MC AZ SOT89DC-8GHz MMIC amp 16dB gain p02PDTC143ET Phi N SOT23npn 4k7+4k7 bias res t02PDTC143ET Phi N SOT23npn 4k7+4k7 bias res 03Gali-3MC AZ SOT89DC-3GHz MMIC amp 22dB gain 03DTC143TE Roh N EMT3npn dtr R1 4k7 50V 100mA 03DTC143TUA Roh N SC70npn dtr R1 4k7 50V 100mA 03DTC143TKA Roh N SC59npn dtr R1 4k7 50V 100mA 04 DTC114TCA Roh N SOT23npn dtr R1 10k 50V 100mA 04 DTC114TE Roh N EMT3npn dtr R1 10k 50V 100mA 04 DTC114TUA Roh N SC70npn dtr R1 10k 50V 100mA 04 DTC114TKA Roh N SC59npn dtr R1 10k 50V 100mA 04 MRF5211L Mot X SOT143pnp RF MRF521 04Gali-4MC AZ SOT89DC-4GHz MMIC amp 17.5 dBm -04PMSS3904Phi N SOT3232N3904 t04PMBS3904Phi N SOT232N3904 05Gali-4MC AZ SOT89DC-4GHz MMIC amp 18 dBm o/p 05 DTC124TE Roh N EMT3npn dtr R1 22k 50V 100mA 05 DTC124TUA Roh N SC70npn dtr R1 22k 50V 100mA 05 DTC124TKA Roh N SC59npn dtr R1 22k 50V 100mA 05F TSDF1205R Tfk WQ -fT12GHz npn 4V 5mA 06Gali-6MC AZ SOT89DC-4GHz MMIC amp 115 dBm o/p 06 DTC144TE Roh N EMT3npn dtr R1 47k 50V 100mA 06 DTC144TUA Roh N SC70npn dtr R1 47k 50V 100mA 06 DTC144TKA Roh N SC59npn dtr R1 47k 50V 100mA
光照度实验分析
光照度实验 实验一发光二极管（光源）的照度标定实验 一、实验目的 了解发光二极管的工作原理；作出工作电流与光照度的对应关系及工作电压与光照度的对应关系曲线，为以后实验提供数据。 二、基本原理 半导体发光二极管筒称LED。它是由Ⅲ－Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN 结。因此它具有一般二极管的正向导通；反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。其发光原理如图1-1 所示，当加上正向激励电压或电流时，在外电场作用下，在P－N 结附近产生导带电子和价带空穴，空穴由P 区注入N 区，进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。假设发光是在P 区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发 图1-1 发光二极管的工作原理 光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、价带中间附近）捕获，再与空穴复合，每次释放的能量不大，以热能的形式辐射出来。发光的复量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN 结面数μm 以内产生。发光二极管的发光颜色由制作二极管的半导体化合物决定。本实验使用纯白高亮发光二极管。 三、需用器件与单元 主机箱（0～20mA 可调恒流源、电流表、0～24V 可调电压源，照度表）；照度计探头；发光二极管；通光筒。 四、实验步骤： 照度—电流对应值的测量； 1、按图1-2 配置接线，接线注意＋、－极性。 2、检查接线无误后，合上主机箱电源开关。
锗化硅材料导电特性的综述
锗化硅材料导电特性的综述 摘要：从Si材料到化合物半导体再到SiGe，微电子领域应用对材料提出了很高的要求，而这些材料却具有不断优化的性能，SiGe在高速发射和集成方面有很大的进步，SiGe-HBT等新技术的实验与开发为新材料带来了非常大的应用空间。 1引言 随着半导体材料的发展和生产工艺的发展，对于半导体材料的性能要求越来越高，领域内产品的开发和人们的需求对于半导体材料在其电学特性上的要求也越来越高。在微电子领域，30 多年以来，Si 一直是半导体工业中占绝对优势的半导体材料。尽管最早采用的是Ge ，并且其他某些半导体材料也许具有较高的载流子迁移率、较大的载流子饱和漂移速度和较宽的禁带宽度,但由于Si 的许多优良特性，利用Si 能够实现最廉价的集成电路工艺,所以在整个微电子技术中，Si 器件的应用超过了97 %。 然而不同的半导体材料具有不同的电学特性，也具有针对不同需求的应用功能。在此同时，还诞生了很多新型半导体材料，比如SiC、SiGe，这些化合物半导体融合了元素半导体的强项性能，在微电子领域有更好的应用。本文介绍的是SiGe材料的导电特性，分别从理论和实验应用方面展开论述。 2理论研究和实验研究 2.1 理论研究 虽然现在Si 在微电子技术中占据着主导地位,但是由于其载流子的迁移率和饱和漂移速度较低，而且具有间接跃迁能带结构,限制了它在若干方面的应用。因此，在许多模拟电子技术领域，特别是在高频、高速方面(例如射频功率放大器和激光器) ，往往是GaAs、InP 等化合物半导体起主要作用。然而化合物半导体技术难以大规模集成，同时，加工不便、成本较高，所以人们还是希望从Si 技术中寻找出适应高频、高速需要的新技术。最早由IBM 提出的SiGe 技术在很大程度上满足了这种需求。SiGe 技术由于能够在Si 片上通过能带工程和应变工程改善Si 的性能，同时又能够采用成熟和廉价的Si 工艺技术来加工，所以受到人们的极大关注。以下分析一下Ge组分对SiGe的影响： 一．Ge的带隙宽度为0.67V，而Si的带隙宽度为1.12V，所以其特性有较大的改善，便于作HBT的基区以提高发射效率。 二．Ge的电子迁移率是Si的2.6倍，空穴迁移率是Si的3.5倍，而器件的速度取决于在一定电压下载流子被“推动”而通过期间的速度，所以Ge的注入在很大程度上提高了发射速率，增大了电流增益。 三．同时因能带作用，SiGe基区可以进行高掺杂，使基区可以做的很薄，打打缩短了电子在基区中的渡越时间，所以器件速度得以大幅度提高。 增加电子和空穴的迁移率在理论方面带来的利处有：
全系列三极管应用参数
全系列三极管应用参数全系列三极管应用参数 名称 封装极性功耐 压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功 放 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放 大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放 大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放 大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放 大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放 大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550
8550 21 PNP 高频放 大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通 用 60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开 关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通 用 60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放 大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视 放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功 放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 放 100V 2A 2W
2N5401 21 PNP 视频放 大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功 放开 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放 大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功 放 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放 大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放 大 100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通 用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通
实验二极管和三极管的识别与检测实验报告
实验二极管和三极管的识别与检测实验报告实验二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 （1）鉴别正负极性
机械万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E为表内电源，r为等效内阻，I为被测回路中的实际电流。由图可见，黑表笔接表内电源的正端，红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到R?100或R?1K档，并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示，即红表笔接二极管的负极，而黑表笔接二极管的正极，则二极管处于正向偏置状态，因而呈现出低电阻，此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之，若将红表笔接二极管的正极，而黑表笔接二极管的负极，则二极管被反向偏置，此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 （2）测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极，红表笔接二极管负极，可测得二极管的正向电阻，此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极，黑表笔接二极管负极，可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小，则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大，表明管子已断路；反之，二者都为零，表明管子短路。
2.利用万用表测试小功率晶体三极管 （1）判定基极和管子类型由于基极与发射极、基极与集电极之间，分别是两个PN结，而PN结的反向电阻值很大，正向电阻值很小，因此，可用万用表的R?100或R?1K档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极，然后将红表笔先后接其余两个极，若两次测得的电阻都很小，则黑表笔接的为NPN型管子基极，如图所示，若测得电阻都很大，则黑表笔所接的是PNP型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小，则黑表笔所接的电极不是三极管的基极，应另接一个电极重新测量，以便确定管子的基极。 （2）判断集电极和发射极 判断集电极和发射极的基本原理是把三极管接成基本单管放大电路，利用测量管子的电流放大系数?值的大小来判定集电极和发射极。以NPN型为例，如图所示。基极确定以后，用万用表两表笔分别接另外两个极，用100K?的电阻一端接基极一端接黑表笔，若电表指针偏转较大，则黑表笔所接的一端为集电极，红表笔接的是发射极。也可用手捏住基极与黑表笔（不能使两者相碰），以人体电阻代替100K?电阻的作用。
贴片稳压二极管 BZT52B16S SOD-323
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes BZT52B 5V 1S-BZT52B20S ZENER DIODE FEATURE z Planar Die Construction z General Purpose, Medium Current z Ideally Suited for Automated Assembly Processes z Available in Lead Free Version Maximum Ratings (T a =25℃ unless otherwise specified ) Characteristic Symbol Value Unit Forward Voltage (Note 2) @ I F = 10mA V F 0.9 V Power Dissipation(Note 1) P d 200 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient R θJA 625 Я／W Junction Temperature T j 150 Я Storage Temperature Range T stg -55 ~ +150 Я
Zener Voltage Range (Note 2) Maximum Zener Impedance (Note 3) Maximum Reverse Current Typical Temperature Coefficent @I ZTC Test Current I ZTC V Z @I ZT I ZT Z ZT @I ZT Z ZK @I ZK I ZK I R V R mV/°C Type Number Type Code Nom(V) Min(V) Max(V) mA ? mA μA V Min Max mA BZT52B5V1S 2W8 5.1 5.00 5.20 5 60 480 1.0 2 2.0 -2.7 1.2 5 BZT52B5V6S 2W9 5.6 5.49 5.71 5 40 400 1.0 1 2.0 -2.0 2.5 5 BZT52B6V2S 2WA 6.2 6.08 6.32 5 10 150 1.0 3 4.0 0.4 3.7 5 BZT52B6V8S 2WB 6.8 6.66 6.94 5 15 80 1.0 2 4.0 1.2 4.5 5 BZT52B7V5S 2WC 7.5 7.35 7.65 5 15 80 1.0 1 5.0 2.5 5.3 5 BZT52B8V2S 2WD 8.2 8.04 8.36 5 15 80 1.0 0.7 5.0 3.2 6.2 5 BZT52B9V1S 2WE 9.1 8.92 9.28 5 15 100 1.0 0.5 6.0 3.8 7.0 5 BZT52B10S 2WF 10 9.80 10.20 5 20 150 1.0 0.27.0 4.5 8.0 5 BZT52B11S 2WG 11 10.78 11.22 5 20 150 1.0 0.18.0 5.4 9.0 5 BZT52B12S 2WH 12 11.76 12.24 5 25 150 1.0 0.18.0 6.0 10.0 5 BZT52B13S 2WI 13 12.74 13.26 5 30 170 1.0 0.18.0 7.0 11.0 5 BZT52B15S 2WJ 15 14.70 15.30 5 30 200 1.0 0.110.5 9.2 13.0 5 BZT52B16S 2WK 16 15.68 16.32 5 40 200 1.0 0.111.2 10.4 14.0 5 BZT52B18S 2WL 18 17.64 18.36 5 45 225 1.0 0.112.6 12.4 16.0 5 BZT52B20S 2WM 20 19.60 20.40 5 55 225 1.0 0.1 14.0 14.4 18.0 5 Notes: 1. Device mounted on ceramic PCB : 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm 2. 2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect. 3. f = 1kHz. ELECTRICAL CHARACTERISTICS T a =25℃unless otherwise specified
光敏三极管的主要技术特性及参数
光敏三极管的主要技术特性及参数 1、光谱特性 光敏三极管由于使用的材料不同，分为错光敏三极管和硅光敏三极管，使用较多的是硅光敏三极管。光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。 2、伏安特性 光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。光敏三极管的伏安特性曲线如图下图所示。 3、光电特性 与光照度之间的关光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流I L 系。下图给出了光敏三极管的光电特性曲线光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好，且在弱光时光电流增加较慢。 4、温度特性 温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。
5、暗电流I D 在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。 6、光电流I L 在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。 7、集电极一发射极击穿电压V CE 在无光照下，集电极电流IC为规定值时，集电极与发射极之间的电压降称为集电极一发射极击穿电压。 8、最高工作电压V RM 在无光照下，集电极电流Ie 为规定的允许值时，集电极与发射极之间的电压降称为最高工作电压。 9、最大功率P M 最大功率指光敏三极管在规定条件下能承受的最大功率。 10、峰值波长λp 当光敏三极管的光谱响应为最大时对应的波长叫做峰值波长。 11、光电灵敏度 在给定波长的入射光输入单位为光功率时，光敏三极管管芯单位面积输出光电流的强度称为光电灵敏度。 12、响应时间 响应时间指光敏三极管对入射光信号的反应速度，一般为1 X 10-3--- 1 X 10-7S 。 13、开关时间 1.脉冲上升时间t τ:光敏三极管在规定工作条件下调节输入的脉冲光，使光敏三极管输出相应的脉冲电流至规定值，以输出脉冲前沿幅度的10% - 90% 所需的时间。 2.脉冲下降时间t :以输出脉冲后沿幅度的90% - 10% 所需的时间。 t 3.脉冲延迟时间t :从输入光脉冲开始到输出电脉冲前沿的10% 所需的时间。 d 4.脉冲储存时间t :当输入光脉冲结束后，输出电脉冲下降到脉冲幅度的90% 所 s 需的时间。
硅基锗材料的外延生长及其应用
硅基锗材料的外延生长及其应用 摘要:硅是最重要的半导体材料,在信息产业中起着不可替代的作用。但是硅材料也有一些物理局限性,比如它是间接带隙半导体材料,它的载流子迁移率低,所以硅材料的发光效率很低,器件速度比较慢。在硅衬底上外延生长其它半导体材料,可以充分发挥各自的优点,弥补硅材料的不足。本文介绍了硅衬底上的锗材料外延生长技术进展,讨论了该材料在微电子和光电子等方面的可能应用,重点介绍了它在硅基高速长波长光电探测器研制方面的应用。 关键词:硅基;锗,外延;光电探测器 Epitaxy and application of Ge layer on Silicon substrate Huiwen Nie1, Buwen Cheng2 (1.Hunan Chemical Engineering Machinery School, Hunan Industrial Technology College 2.State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083)
Abstract: Silicon is the most important semiconductor material and it is irreplaceable in the information industry. But Silicon also has some shortcomings, such as very low luminescence efficiency and low device speed due to the indirect bandgap and low carrier mobility. Growing other semiconductors on Si substrate can take the advantages of the different semiconductors and improve the performance of the Si-based devices and integrated circuits. The progress of Ge growth on Si was introduced in the paper. The application of the Si-based Ge epitaxy layer was discussed, especially the application on Si-based high speed photodetectors operating at long wavelength. Key words: Si-based, Germanium, Epitaxy, Photodetector 1引言 硅基光电集成将微电子技术和光子学技术进行融合,是 微电子技术的继承和发展,是信息技术发展的重要前沿研究 领域。其研究内容包括硅基高效光源、硅基高速光电探测器、硅基高速光调制器、低损耗光波导器件等。硅衬底上外延生长的锗(Ge)材料是硅基高速长波长光电探测器的首选材料