二极管代换手册

1页型号材料外形用途极限工作电压V rwm（V）极限工作电流Im（A）耗散功率Pw（W）最高工作频率fm（Hz）国内外相似型号

1N100 Ge 7 普通用途, 80 30m 1N4447

1N100A Ge 14 普通用途, 80 70m 1N4448

1N102 Ge 7 普通用途, 125 15m 1N3070

1N1028 Si 47 整流, 20 500m A14F

1N1029 Si 47 整流, 100 V A14A

1N103 Ge 7 普通用途, 20 30m 1N4448

1N1030 Si 47 整流, 150 500m 1N5059

1N1031 Si 47 整流, 200 500m 1N5059

1N1032 Si 47 整流, 300 500m A14C,30C

1N1033 Si 47 整流, 400 500m 1N5060

1N1034 Si SP 整流, 50 1 A14F

1N1035 Si SP 整流, 100 1 A14A

1N1036 Si SP 整流, 150 1 1N5090

1N1037 Si SP 整流, 200 1 1N5090

1N1038 Si SP 整流, 300 1 A14C

1N1039 Si SP 整流, 400 1 1N5060

1N104 Ge 7 普通用途, 25 30m 1N4448

1N1040 Si SP 整流, 50 1 A14F

1N1041 Si SP 整流, 100 1 A14F

1N1042 Si SP 整流, 150 1 1N5090

1N1043 Si SP 整流, 200 1 1N5090

1N1044 Si SP 整流, 300 1 A14C

1N1045 Si SP 整流, 400 1 1N5060

1N1046 Si SP 整流, 50 1 A14F

1N1047 Si SP 整流, 100 1 A14A

1N1048 Si SP 整流, 150 1 1N5059

1N1049 Si SP 整流, 200 1 1N5059

1N1050 Si SP 整流, 300 1 A14C

1N1051 Si SP 整流, 400 1 1N5060

1N1052 Si SP 整流, 50 1.5 A15F

1N1053 Si SP 整流, 100 1.5 A15A

1N1054 Si SP 整流, 150 1.5 BYW56A

1N1055 Si SP 整流, 200 1.5 BYW56A

1N1056 Si SP 整流, 300 1.5 BYW56B

1N1057 Si SP 整流, 400 1.5 BYW56B

1N1058 Si SP 整流, 50 5 10H3P

1N1059 Si SP 整流, 100 5 10H3P

1N1060 Si SP 整流, 150 5 20H3P

1N1061 Si SP 整流, 200 5 20H3P

1N1062 Si SP 整流, 300 5 30H3P

1N1063 Si SP 整流, 400 5 40H3P

1N1064 Si SP 整流, 50 5 10H3P

1N1065 Si SP 整流, 100 5 10H3P

1N1066 Si SP 整流, 150 5 12F20

1N1067 Si SP 整流, 200 5 12F20

1N1068 Si SP 整流, 300 5 12F40

1N1069 Si SP 整流, 400 5 12F40

1N107 Ge 7 普通用途, 10 100m FDH999

1N1070 Si SP 整流, 50 5 10H3P

1N1071 Si SP 整流, 100 5 10H3P

1N1072 Si SP 整流, 150 5 20H3P

1N1073 Si SP 整流, 200 5 20H3P

1N1074 Si SP 整流, 300 5 30H3P

1N1075 Si SP 整流, 400 5 40H3P

1N1076 Si SP 整流, 50 15 ST310P

1N1077 Si SP 整流, 100 15 ST310P

1N1078 Si SP 整流, 150 15 ST320P

1N1079 Si SP 整流, 200 15 ST320P

1N108 Ge 7 普通用途, 50 50m 1N4148

1N1080 Si SP 整流, 300 15 ST330P

1N1081 Si 66 整流, 100 500m A14A

1N1081A Si 66 整流, 100 750m A14A

1N1082 Si 66 整流, 200 500m 1N5059

1N1082A Si 66 整流, 200 750m 1N5059

1N1083 Si 66 整流, 300 500m A14C

1N1083A Si 66 整流, 300 750m A14C

1N1084 Si 66 整流, 400 500m 1N5060

1N1084A Si 66 整流, 400 750m 1N5060

1N1085 Si 66 整流, 100 1.5 A14A

1N1085A Si 66 整流, 100 2 A15A

1N1086 Si 66 整流, 200 1.5 BYW56A

1N1086A Si 66 整流, 200 2 BYW56A

1N1087 Si 66 整流, 300 1.5 BYW56B

1N1087A Si 66 整流, 300 2 BYW56B

1N1088 Si 66 整流, 400 1.5 BYW56A

1N1088A Si 66 整流, 400 2 1N5625

1N1089 Si 66 整流, 100 5 10LF

1N1090 Si 66 整流, 200 5 20LF

1N1091 Si 66 整流, 300 5 30LF

1N1092 Si 66 整流, 400 5 40LF

1N1093 Si 7 快速恢复, 15 5m FDH999

1N1095 Si 3 整流, 500 750m A14E，1N4005 1N1096 Si 3 整流, 500 750m A14E

1N1100 Si 1 整流, 100 770m A14E，1N4002 1N1101 Si 1 整流, 200 770m 1N4003，1N5059 1N1102 Si 1 整流, 300 770m A14C,1N4004

1N1103 Si 1 整流, 400 770m 1N4004,1N5060 1N1104 Si 1 整流, 500 770m A14E,1N4005 1N1105 Si 1 整流, 600 750m 1N4006,1N5061 1N1108 Si 66 高压, 800 450m SLD.8S

1N1109 Si 66 高压, 1.2K 430m SLD1.2S

1N111 Ge 7 普通用途, 70 50m 1N4148

1N1110 Si 66 高压, 1.6K 400m SLD1.6S

1N1111 Si 66 高压, 2K 380m SLD2S

1N1112 Si 66 高压, 2.4K 350m SLD2.4S

1N1113 Si 66 高压, 2.8K 330m SLD2.8S

1N1115 Si 4 整流, 100 1.5 A15A

1N1116 Si 4 整流, 200 1.5 BYM56A

1N1117 Si 4 整流, 300 1.5 BYM56B

1N1118 Si 4 整流, 400 1.5 BYM56B

1N1119 Si 4 整流, 500 1.5 BYM56C

1N112 Ge 7 普通用途, 70 50m 1N4148

1N1120 Si 4 整流, 600 1.5 1N206B

1N1124 Si 4 整流, 200 3 BYM56B

1N1124A Si 4 快速恢复, 200 3.3

1N1124RA Si 4 快速恢复, 200 3.3

1N1125 Si 4 整流, 300 3 BYM56B

1N1125A Si 4 快速恢复, 300 1 BYM56B

1N1126 Si 4 整流, 400 3 BYM56B

1N1126A Si 4 快速恢复, 400 3.3 BYM56C

1N1126RA Si 4 快速恢复, 400 3.3

1N1127 Si 4 整流, 500 3 BYM56C

1N1127A Si 4 快速恢复, 500 1 MR1126

1N1128 Si 4 整流, 600 3 MR1126

1N1128A Si 4 快速恢复, 600 3.3 MR1126

1N1128RA Si 4 快速恢复, 600 3.3

1N113 Ge 7 普通用途, 70 50m 1N4454

1N1130 Si SP 高压, 1.5K 300m

1N1131 Si SP 高压, 1.5K 300m

1N1132 Si 66 微波,混频, 12G

1N1132M Si 31 微波,混频, 12G

1N1132MR Si 31 微波,混频, 12G

1N1132R Si 31 微波,混频, 12G

1N1133 Si 66 高压, 1.5K 103m SLD1.5S

1N1134 Si 66 高压, 1.5K 150m SLD1.5TS

1N1135 Si 66 高压, 1.8K 97m SLD1.8T

1N1136 Si 66 高压, 1.8K 128m SLD1.8TS

1N1137 Si 66 高压, 2.4K 75m SLD2.4T

1N1138 Si 66 高压, 2.4K 90m SLD2.4TS

1N1139 Si 66 高压, 3.6K 97m SLD3.6T

1N114 Ge 7 普通用途, 70 50m 1N4454

1N1140 Si 66 高压, 3.6K 97m SLD3.6TS

1N1141 Si 66 高压, 4.8K 90m SLD4.8T

1N1142 Si 66 高压, 4.8K 75m SLD4.8TS

1N1143 Si 66 高压, 6K 75m SLD6T

1N1143A Si 66 高压, 6K 97m SLD6TS

1N1144 Si 66 高压, 7.2K 75m SLD7.2T

1N1145 Si 66 高压, 7.2K 90m SLD7.2TS

1N1146 Si 66 高压, 8K 67m SLD8T

1N1147 Si 66 高压, 12K 67m SLD12T

1N1148 Si 66 高压, 14K 75m SLD14T

1N1149 Si 66 高压, 16K 67m SLD16T

1N115 Ge 7 普通用途, 70 50m 1N4454

1N1150 Si 90 高压, 1.6K 750m S5011A

1N1157 Si 62 整流, 50 20 ST3B10N

1N1158 Si 62 整流, 100 20 ST3B10N

1N1159 Si 62 整流, 200 20 ST3B20N

1N116 Ge 7 快速恢复, 60 30m 1N4454

1N1160 Si 62 整流, 300 20 ST3B30N

1N1161 Si 62 整流, 50 35 ST410N

1N1162 Si 62 整流, 100 35 ST410N

1N1163 Si 62 整流, 200 35 ST420N

1N1164 Si 62 整流, 300 35 ST430N

1N1165 Si 62 整流, 50 100 ST610N

1N1166 Si 62 整流, 100 100 ST610N

1N1167 Si 62 整流, 200 100 ST620N

1N1168 Si 62 整流, 300 100 ST630N

1N1169 Si SP 整流, 400 790m 1N4004,1N5060

1N1169A Si 2 整流, 400 500m 1N4004,1N5060

1N116A Ge 7 快速恢复, 70 10m 1N126,1N90,1N4454 1N117 Ge 7 普通用途, 60 30m 1N95,1N4454

1N117A Ge 7 普通用途, 70 20m 1N4454

1N118 Ge 7 普通用途, 60 30m 1N96,1N4454

1N1183 Si 37 整流, 50 35 BYX52-30

1N1183A Si 37 整流, 50 40 BYX96-300

1N1183R,RA Si 37 整流, 50 40

1N1184 Si 37 整流, 100 35 BYX52-300

1N1184A Si 37 整流, 100 40 BYX52-300

1N1184R Si 37 整流, 100 35

1N1184RA Si 37 整流, 100 40

1N1185 Si 37 整流, 150 35 BYX52-300

1N1185A Si 37 整流, 150 40 SKR71/02

1N1185R Si 37 整流, 150 35

1N1185RA Si 37 整流, 150 35

1N1186A Si 37 整流, 200 40 BYX52-300

1N1186R Si 37 整流, 200 35

1N1186RA Si 37 整流, 200 40

1N1187 Si 37 整流, 300 35 SKR46/04

1N1187A Si 37 整流, 300 40 DKR71/04

1N1187R Si 37 整流, 300 40

1N1187RA Si 37 整流, 300 40

1N1188 Si 37 整流, 400 35 BYX52-300

1N1188A Si 37 整流, 400 40 DS135-04A

1N1188R Si 37 整流, 400 35

1N1188RA Si 37 整流, 400 40

1N1189 Si 37 整流, 500 35 BYX52-600

1N1189A Si 37 整流, 500 40 BYX52-600

1N1189R Si 37 整流, 500 35

1N1189RA Si 37 整流, 500 35

1N118A Ge 14 普通用途, 60 70m 1N96A,1N4448

1N119 Si 47 普通用途, 60 25m 1N4148

1N1190 Si 37 整流, 600 35 BYX52-600

1N1190A Si 37 整流, 600 40 BYX56-600

1N1190R Si 37 整流, 600 35

1N1190RA Si 37 整流, 600 40

1N1191 Si SP 整流, 50 18 SKR46/02

1N1191A Si 5 整流, 50 22 BYX96-300

1N1192 Si SP 整流, 100 25 SKR46/02

1N1192A Si 5 整流, 100 20 BYX96

型号材料外形用途极限工作电压V rwm（V）极限工作电流Im（A）耗散功率Pw（W）最高工作频率fm（Hz）国内外相似型号

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小草远志

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帖子6 金钱2 阅读权限10 注册时间2007-1-29 发短消息加为好友当前离线8# 大中小发表于2007-1-29 10:49 只看该作者

2页型号材料外形用途极限工作电压V rwm（V）极限工作电流Im（A）耗散功率Pw（W）最高工作频率fm（Hz）国内外相似型号

1N1193 Si SP 整流, 150 25 SKR46/02

1N1193A Si 5 整流, 150 22 BYX96-300

1N1194A Si 5 整流, 200 20 BYX96-300

1N1195 Si SP 整流, 300 25 BYX96-300

1N1195A Si 5 整流, 300 20 BYX96-300

1N1196 Si SP 整流, 400 25 DS135-04A

1N1196A Si 5 整流, 400 20 DS135-04A

1N1197 Si SP 整流, 500 25 DS135-06A

1N1197A Si 5 整流, 500 20 DS135-06A

1N1198 Si SP 整流, 600 25 DS135-06A

1N1198A Si 5 整流, 600 20 DS135-06A

1N1199 Si 37 整流, 50 12 DS117-02A

1N1199A Si 37 整流, 50 12 BYX96-300

1N1199B Si 37 整流, 50 12 DS117-02A

1N1199C Si 4 整流, 50 12 1N1199B

1N1199RA Si 37 整流, 50 12

1N120 Si 47 普通用途, 60 25m 1N4148

1N1200 Si 37 整流, 100 12 STR26/02

1N1200A Si 37 整流, 100 12 BYX99-300

1N1200B Si 37 整流, 100 12 SKR26/02

1N1200C Si 37 整流, 100 12

1N1200RA Si 37 整流, 100 12

1N1201 Si 37 整流, 150 12 SKR26/02

1N1201A Si 37 快速恢复, 150 12 BYX99-300 1N1201B Si 4 整流, 150 12 SKR26/02

1N1201C Si 4 整流, 150 12

1N1201RA Si 37 整流, 150 12

1N1202 Si 37 整流, 200 12 SKR26/02

1N1202A Si 37 整流, 200 12 BYX99-300

1N1202B Si 37 整流, 200 12 SKR26/02

1N1202C Si 4 整流, 200 12 MR1122

1N1202RA Si 37 整流, 200 12

1N1203 Si 37 整流, 300 12 SKR26/04

1N1203A Si 4 整流, 300 12 BYX99-300

1N1203B Si 4 整流, 300 12 SKR26/04

1N1203RA Si 37 整流, 300 12

1N1204 Si 37 整流, 400 12 SKR26/04

1N1204A Si 37 整流, 400 12 BYX99-600

1N1204B Si 37 整流, 400 12 SKR26/04

1N1204C Si 4 整流, 400 12 MR1124

1N1204RA Si 37 整流, 400 12

1N1205 Si 37 整流, 500 12 SKR26/06

1N1205A Si 4 整流, 500 12 BYX99-600

1N1205B Si 4 整流, 500 12 SKR26/06

1N1205C Si 4 整流, 500 12

1N1205RA Si 37 整流, 400 12

1N1206 Si 37 整流, 600 12 SKR26/06

1N1206A Si 37 整流, 600 12 BYX99-600

1N1206B Si 37 整流, 600 12 SKR26/06

1N1206C Si 4 整流, 600 12 1N1206B

1N1206RA Si 37 整流, 600 12

1N1217 Si 1 整流, 50 1.6 A15F,BYM56A

1N1217A Si 1 整流, 50 1.6 A15F,BYM56A

1N1217B Si 1 整流, 50 1.6 A15F,BYM56A

1N1218 Si 1 整流, 100 1.6 A15F,BYM56E

1N1218A Si 1 整流, 100 1.6 A15A,BYM56E

1N1218B Si 1 整流, 100 1.6 A15A,BYM56E

1N1219 Si 1 整流, 150 1.6 BYM56A

1N1219A Si 1 整流, 150 1.6 SK9005

1N1219B Si 1 整流, 150 1.6 BYM56A

1N1220 Si 1 整流, 200 1.6 BYM56A

1N1220A Si 1 整流, 200 1.6 BYM56A

1N1220B Si 1 整流, 200 1.6 BYM56A

1N1221 Si 1 整流, 300 1.6 BYM56B

1N1221A Si 1 整流, 300 1.6 BYM56B

1N1221B Si 1 整流, 300 1.6 BYM56B

1N1222 Si 1 整流, 400 1.6 BYM56B

1N1222A Si 1 整流, 400 1.6 BYM56B

1N1222B Si 1 整流, 400 1.6 BYM56B

1N1223 Si 1 整流, 500 1.6 BYM56C

1N1223A Si 1 整流, 500 1.6 BYM56C

1N1223B Si 1 整流, 500 1.6 BYM56C

1N1224 Si 1 整流, 600 1.6 BYM56C

1N1224A Si 1 整流, 600 1.6 BYM56C

1N1224B Si 1 整流, 600 1.6 BYM56C

1N1225 Si 1 整流, 700 1.6 BYM56D

1N1225A Si 1 整流, 700 1.1 BYM56D

1N1225B Si 1 整流, 700 1.6 BYM56D

1N1226 Si 1 整流, 800 1.6 BYM56D

1N1226A Si 1 整流, 800 1.6 BYM56D

1N1226B Si 1 整流, 800 1.6 BYM56D

1N1227 Si SP 整流, 50 1.6 A15A,BYM56A

1N1227A Si SP 整流, 50 1.6 A15F,BYM56A

1N1227B Si SP 整流, 50 1.6 A15F,BYM56A

1N1228 Si SP 整流, 100 1.6 A15A,BYM56C

1N1228A Si SP 整流, 100 1.6 A15A,BYM56C

1N1228B Si SP 整流, 100 1.6 A15A,BYM56E

1N1229 Si SP 整流, 150 1.6 BYM56A,1N1202B 1N1229A Si SP 整流, 150 1.6 BYM56A,1N1202B

1N1229B Si SP 整流, 150 1.6 BYM56A,1N1202B 1N1230 Si SP 整流, 200 1.6 1N1202B

1N1230A Si SP 整流, 200 1.6 1N1202B

1N1230B Si SP 整流, 200 1.6 1N1202B

1N1231 Si SP 整流, 300 1.6 1N1204B

1N1231A Si SP 整流, 300 1.6 1N1204B

1N1231B Si SP 整流, 300 1.6 BYM56B

1N1232 Si SP 整流, 400 1.6 BYM56B

1N1232A Si SP 整流, 400 1.6 BYM56B

1N1232B Si SP 整流, 400 1.6 BYM56C

1N1233 Si SP 整流, 500 1.6 BYM56C

1N1233A Si SP 整流, 500 1.6 BYM56C

1N1233B Si SP 整流, 500 1.6 BYM56C

1N1234 Si SP 整流, 600 1.6 BYM56C

1N1234A Si SP 整流, 600 1.6 BYM56C

1N1234B Si SP 整流, 600 1.6 BYM56C

1N1235 Si SP 整流, 700 1.6 BYM56C

1N1235A Si SP 整流, 700 1.6 BYM56C

1N1235B Si SP 整流, 700 1.6 BYM56C

1N1236 Si SP 整流, 800 1.6 BYM56D

1N1236A Si SP 整流, 800 1.6 BYM56D

1N1236B Si SP 整流, 800 1.6 BYM56D

1N1237 Si 90 高压, 1.6K 0.75

1N1238 Si 90 高压, 1.6K 0.75

1N1239 Si 90 高压, 2.8 0.5

1N1251 Si 45 整流, 50 0.5 A14F

1N1252 Si 45 整流, 100 0.5 A14A

1N1253 Si 45 整流, 200 0.5 1N4003

1N1254 Si 45 整流, 300 0.5 A14C

1N1255 Si 45 整流, 400 0.5 1N4004

1N1255A Si 45 整流, 400 0.5 1N4004

1N1256 Si 45 整流, 500 0.32 A14E

1N1257 Si 45 整流, 600 0.3 1N4005

1N1258 Si 45 整流, 700 0.28 1N4006

1N1259 Si 45 整流, 800 0.27 1N4006

1N126 Ge 7 普通用途, 60 30m 1N116,1N4148

1N1260 Si 45 整流, 900 0.25 A14P

1N1261 Si 45 整流, 1K 0.24 A14P

1N1262 Si 45 高压, 4.5K 0.25

1N126A Ge 7 普通用途, 75 30m 1N4148

1N127 Ge 7 普通用途, 100 30m 1N3070

1N127A Ge 7 普通用途, 125 30m 1N3070

1N128 Ge 7 普通用途, 40 30m 1N4148

1N1281 Si 45 功率,整流, 50 160

1N1282 Si SP 功率,整流, 100 160

1N1283 Si SP 功率,整流, 150 160

1N1284 Si SP 功率,整流, 200 160

1N1285 Si SP 功率,整流, 300 160

1N1286 Si SP 功率,整流, 400 160

1N1287 Si SP 功率,整流, 500 160

1N128A Ge 7 普通用途, 40 30m 1N4148

1N1291 Si SP 功率,整流, 50 160

1N1292 Si SP 功率,整流, 100 160

1N1293 Si SP 功率,整流, 150 160

1N1294 Si SP 功率,整流, 200 160

1N1295 Si SP 功率,整流, 300 160

1N1296 Si SP 功率,整流, 400 160

1N1297 Si SP 功率,整流, 500 160

1N1301 Si 5 整流, 50 37 ST410P

1N1302 Si 5 整流, 100 37 ST410P

1N1304 Si 5 整流, 150 37 ST420P

1N1306 Si 5 整流, 200 37 ST430P

1N1313 Si 51 稳压, 200μ150m 1N4102

1N1314 Si 51 稳压, 200μ150m 1/4M10.5Z10 1N1315 Si 51 稳压, 200μ150m 1/4M12.5Z10 1N1316 Si 51 稳压, 200μ150m 1/4M15.75Z10 1N1317 Si 51 稳压, 200μ150m 1N4113

1N1318 Si 51 稳压, 200μ150m 1/4M23.5Z10 1N1319 Si 51 稳压, 200μ150m 1/4M28.5Z10 1N1320 Si 51 稳压, 200μ150m 1/4M34.5Z10 1N1321 Si 51 稳压, 200μ150m 1/4M41Z10

1N1322 Si 51 稳压, 200μ150m 1/4M48.5Z10 1N1323 Si 51 稳压, 200μ150m 1/4M58Z10

1N1324 Si 51 稳压, 200μ150m 1/4M71Z10

1N1325 Si 51 稳压, 200μ150m 1/4M87.5Z10 1N1326 Si 51 稳压, 200μ150m 1/4M105Z10 1N1327 Si 51 稳压, 200μ150m 1/4M127.5Z10 1N1329 Si SP 高压, 15K 100m

1N133 Ge 7 普通用途, 5 3m 1N4148

1N1330 Si SP 整流, 50 240 BYM56B

1N1331 Si SP 整流, 100 240

1N1332 Si SP 整流, 150 240

1N1333 Si SP 整流, 200 240

1N1334 Si SP 整流, 300 240

1N1335 Si SP 整流, 400 240

1N1336 Si SP 整流, 500 240

1N1341 Si SP 整流, 50 6 DS117-02A

1N1341A Si 4 整流, 50 6 1N1199B

1N1341B Si 4 整流, 50 6

1N1341C Si 4 整流, 50 6

1N1342 Si SP 整流, 100 6 BYX42-300

1N1342A Si 4 整流, 100 6

1N1342B Si 4 整流, 100 6

1N1342C Si 4 整流, 100 6

1N1343 Si SP 整流, 150 6 BYX42-300

1N1343A Si 4 整流, 150 6

1N1343B Si 4 整流, 150 6

1N1343C Si 4 整流, 150 6

1N1344 Si SP 整流, 200 6 BYX42-300

1N1344A Si 4 整流, 200 6

1N1344B Si 4 整流, 200 6

1N1344C Si 4 整流, 200 6

1N1345 Si SP 整流, 300 6 BYX42-300

1N1345A Si 4 整流, 300 6

1N1345B Si 4 整流, 300 6

1N1345C Si 4 整流, 300 6

1N1346 Si SP 整流, 400 6 MR1124

1N1346A Si 4 整流, 400 6

1N1346B Si 4 整流, 400 6

1N1346C Si 4 整流, 400 6

型号材料外形用途极限工作电压V rwm（V）极限工作

本文来自: 中华维修论坛(https://www.wendangku.net/doc/175931555.html,) 详细出处参考：https://www.wendangku.net/doc/175931555.html,/thread-32162-1-1.html

肖特基二极管常用参数大全分析

肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称：10A15 ?主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装：TO-220F ?脚位长度：6-12mm ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名：FCH20A15 ?型号简称：20A15 ?主要参数：20A 150V ?产品封装：TO-220F ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：

肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6

0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45

肖特基二极管特性详解(经典资料)

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

肖特基二极管(学)

肖特基二极管 肖特基势垒二极管SBD（SchottkyBarrierDiode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为 B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴

极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN 结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 二、肖特基二极管的结构 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

肖特基二极管与快恢复二极管区别

肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 （他们恢复时间都是很快的）： 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V）(此处为什么不提是什么材料？)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）（用这个方法可以判断出该器件）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 想问一下，为何会有反向恢复时间

肖特基二极管讲解

肖特基二极管简介 肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 Schottky diode (SBD) is the Schottky barrier diode , is the inventor of the Schottky named semiconductor device. Schottky barrier diode is a low power, high current, super high speed semiconductor devices, instead of using P type semiconductor and the n-type semiconductor contact formation PN junction theory to make, but the use of metal semiconductor contact formation of metal semiconductor junction with the principle of making the. Therefore, SBD is also known as a metal semiconductor (contact) diode or a surface barrier diode, which is a hot carrier diode. 肖特基二极管是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。 SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

防护电路设计(SMBJ、肖特基二极管)

防护电路设计 1.防护电路中的元器件 1.1过压防护器件 1.1.1钳位型过压防护器件 ①压敏电阻 MOV电路符号 压敏电阻英文varistor或MOV，它以氧化锌为基料，加入多种添加剂，经过混料造粒， 压制成坯体，高温烧结，两面印烧银电极，焊接引出端，最后包封等工序而制成。 优点是价格便宜，通流量大，响应速度快，缺点是寄生电容大，不适合用在高频电路中。 压敏电阻器广泛应用于家用电器及其它电子产品中，起过电压保护、防雷、抑制浪涌电 流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等作用。 压敏电压的选择：交流电路其最小值一般选择被保护设备电压2-3倍，直流电路选取为 工作电压的1.8-2倍。 由于压敏制作时可能存在微小缺陷，或者当承受不同电流冲击，造成管芯的压敏电阻体 分布不均，一些部位电阻会降低，导致漏电流增加，最终导致薄弱点微融化，最终导致 老化。所以一般串接热熔点来避免。 压敏可串并联使用。 ②TVS TVS电路符号 TVS是一种限压型的过压保护器，它将过高的电压钳制至一个安全范围，藉以保护后 面的电路，有着比其它保护元件更快的反应时间，这使TVS可用在防护lighting、 switching、ESD等快速破坏性瞬态电压。 特点：可分为单双向，响应时间快、漏电流低、击穿电压误差小、箝位电压较易控制、 并且经过多次瞬变电压后，性能不下降，可靠性高，体积小、易于安装。缺点是能承受 的浪涌电流较小，且功率大的寄生电容也大，低电容的功率较小。适用于细保护或者二 级保护。

选型注意，单双向，电压，功率，电容都要考虑到。 单向TVS伏安特性双向TVS伏安特性 1.1.2开关型过压防护器具 ①气体放电管 GDT电路符号 气体放电管是一种陶瓷或玻璃封装的、内充低压惰性气体的短路型保护器件，一般分两电极和三电极两种结构。其基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时，就引起间隙放电，从而限制了极间的电压，使与气体放电管并联的其它器件得到保护。可分为二极和三极两种。 陶瓷气体放电管具有通流量大（KA级），漏电流小，寄生电容小等优点，缺点是其响应速度慢（μs级），动作电压精度低，有续流现象。适用于粗保护或者初级保护。 选型方法：min（UDC）≥1.25*1.15Up 1.25是安全余量，1.15是电源波动系数。 特性曲线

肖特基二极管简介

肖特基二极管 简介 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度

高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS 体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。 结构 新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N 型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N＋衬底上外延一高阻N－薄层。其结构示图如图1（a），图形符号和等效电路分别如图1（b）和图1（c）所示。在图1（c）中，CP是管壳

肖特基二极管电路特性

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我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对

于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A 的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

肖特基二极管应用选择

肖特基（SCHOTTKY）系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分： 一．肖特基二极管简介 二．我所肖特基二极管生产状况 三．我所肖特基二极管种类 四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五．介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一．肖特基二极管简介：

肖特基二极管的原理介绍

肖特基势垒二极管SBD（SchottkyBarrierDiode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存

在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN 结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。

肖特基二极管的使用说明

肖特基二极管是以其发明人华特*肖特基博士命名的，SBD是肖特基势垒二极管 肖特基二极管结构原理图 （Schottky Barrier Diode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 作用 肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。一个典型的应用，是在双极型晶体管BJT 的开关电路里面，通过在BJT 上连接Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是74LS，74ALS，74AS 等典型数字IC 的TTL内部电路中使用的技术。肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。 检测

肖特基二极管原理和常用参数和检测方法

肖特基二极管原理 肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成肖特基势垒来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散

常用肖特基二极管型号

常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。

常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060

30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045

MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050

常用的肖特基二极管型号及参数

肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装I f/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.39 10BQ040 IR S MB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 S S14G S D O214 1.00400.50 M B R S140T3O N- 1.00400.60 10B Q060I R S M B 1.00600.57 S S16G S D O214 1.00600.75 10B Q100I R S M B 1.001000.78

M B R S1100T3O N- 1.001000.75 10M Q040N I R S M A 1.10400.51 15M Q040N I R S M A 1.70400.55 PBY R245CT P S S O T223 2.00450.45 30B Q015I R S M C 3.00150.35 30B Q040I R S M C 3.00400.51 30B Q060I R S M C 3.00600.58 30B Q100I R S M C 3.001000.79 S T P S340U S T M S O D6 3.00400.84 M B R S340T3O N- 3.00400.52 RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45 M B R S360T3O N- 3.00600.70 30W Q04F N I R D P A K 3.30400.62 30W Q06F N I R D P A K 3.30600.70 30WQ10F N I R D P A K 3.301000.91 30W Q03F N I R D P A K 3.50300.52 50W Q03F N I R D P A K 5.50300.53

肖特基二极管

肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电

的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 对于高频开关电源来说,由于频率很高(相位变换)当正半周时二极管正篇导通此时无影响,如果二极管反向恢复比较慢时,当负半周到来由于二极管还没有 从正偏时的导通状态变成截止相当于短路就等于是负半周的电压与正半周的电压叠加在二极管两端,由于频率很快,反向的时间就很短(等同与短路时间很短)所以一般情况下二极管不会立即烧掉,而是将短路的能量消耗在二极管的压降所以造成发热严重,同时整流的效果大大的降低..... 肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通讯电源、变频器等中比较常见。

肖特基二极管简介

BTA54C BTA54S

DO41

SCHOTTKY：取第一个字母“S”，SMD：Surface Mounted Devices的缩写，意为：表面贴装器件，取第一个字母“S”，上面两个词组各取第一个字母、即为SS，同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它在开关没有时存储电荷和移动效应。所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间t rr很短(小于几十ns)；同时，其正向压降V F较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。这是肖特基二极管的两大优点，但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R较低，二是反向漏电流I R较大。 肖特基的最高电压是200V，也就是说，肖特基的极限电压是200V。超过200V电压的也必定是模块。电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。10A、20A、30A规格的有做到200V电压。 电流最小的肖特基是BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过440A的必定是模块。 关于肖特基MBR系列 为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？ 因为最早是摩托罗拉产品型号 M：是以最早MOTOROLA的命名，取M B：Bridge 桥；Barrier：势垒 R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件 例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 缩写M B：Barrier缩写B R：Rectifier 缩写R 10：电流10A 200：电压200V C：表示TO-220AB封装，常指半塑封。 T：表示管装 MBR1045CT，其中的“C”：表示TO-220封装； MBR6045PT，其中的“P”：表示TO-3P封装 元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现， 例如： MBRD10100CT：第四位的D，表示贴片DPAK封装,即TO-252 MBRB10100CT：第四位的B，表示贴片D2PAK封装，即TO-263 MBRF10100CT：第四位的F，表示TO-220F全塑封 MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。如：SS12、SS14、SS16、SS18....

常用肖特基二极管参数

常用肖特基二极管参数 双击自动滚屏 发布者：admin 发布时间：2007-2-1 阅读：3310次 型号制造商封装If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0.60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.75 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0.51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IR SMC 3.00 15 0.35 30BQ040 IR SMC 3.00 40 0.51 30BQ060 IR SMC 3.00 60 0.58 30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84 MBRS340T3 ON - 3.00 40 0.52 RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45 MBRS360T3 ON - 3.00 60 0.70 30WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.62 30WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.70 30WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.91 30WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.52 50WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.53