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三极管的判断方法

三极管的判断方法
三极管的判断方法

三极管的判断方法一,三极管类型

1. 先判定基极b(一般中间的就是):先假定一个管脚是b,把

红表笔接这个b,用黑表笔分别接触另两个管脚,测得或者都是高阻值时,说明假定正确。

2.因为红表笔实际是表电源的负极,所以

当测得都是低阻值时,b是N型材料,

两端是P型材料,就是PNP型。

3.所以当测得都是高阻值时,b是P型材料,

两端是N型材料,就是NPN型。

4.我们一般可以容易找到基极b,但另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。

(1) 对于NPN型三极管,用手指捏住b极与假设的c极,管脚间利用我们的手指充当电阻的作用,用黑表笔接假设的c 极,红表笔接假设的e极,万用表打到*1K档测量两极间的电阻

Rce;之

后将假

设的c ,e

极对调

再测一

次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b极→e极→红表笔,所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。

(2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c极→红表笔,其电流流向也与三极

管符号中的

箭头方向一

致,所以此时

黑表笔所接

的一定是发

射极e,红表

笔所接的一定是集电极c。

4.直流放大倍数的hFE的测量:先转动开关至晶体管调节

Adj位置上,将红黑测试笔短接,调节欧姆调零电位器,使指针对准300hFE刻度线上,然后转动开关到hFE位置,将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内,指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数?值。N型插入N型插座,P型插入P型插座。

5.

(2)发射极e和集电极c的判断

利用万用表测量β(HFE)值的档位,判断发射极e和集电极c。将档位旋至MFE基极插入所对应类型的孔中,把其于管脚分别插入c、e孔观察数据,再将c、e孔中的管脚对调再看数据,数值大的说明管脚插对了。

(3)判别三极管的好坏

测试时用万用表测二极管的档位分别测试三极管发射结e、集电结c的正、反偏是否正常,正常的三极管是好的,否则三极管已损坏。如果在测量中找不到公共b极、该三极管也为坏管子------检查三极管的两个PN结。我们以PNP管为例来说明,一只PNP型的三极管的结构相当于两只二极管,负极靠负极接在一起。我们首先用万用表R×100或R×1K挡测一下e与b之间和e与c之间的正反向电阻。当红表笔接b 时,用黑表笔分别接e和c应出现两次阻值小的情况。然后把接b 的红表笔换成黑表笔,再用红表笔分别接e和c,将出现两次阻值大的情况。被测三极管符合上述情况,说明这只三极管是好的。------检查三极管的穿透电流:我们把三极管c、e 之间的反向电阻叫测穿透电流。用万用表红表笔接PNP三极管的集电极 c , 黑表笔接发射极 e,看表的指示数值,这个阻值一般应大于几千欧,越大越好,越小说明这只三极管稳定性越差。 ------测量三极管的放大性能:分别用表笔接三极管的c和e看一下万用表的指示数值,然后再c与b间连接

一只50--100K的电阻看指针向右摆动的多少,摆动越大说明这只管子的放大倍数越高。外接电阻也可以用人体电阻代替,即用手捏住b和c. 之间的正反向电阻。当红表笔接

二极管极性判定

测试时选R×1K的档,黑表笔一端测得阻值小的一极为正极。一般不用R×10K的档测量晶体管,因电压较高会击穿晶体管。

如何用万用表判断电容器质量

1.极性判断:正、负极性的判别有极性铝电解电容器外壳上的塑料封套上,通常都有"+"(正极)"-"(负极)。未剪脚的电解电容器,长引脚为正极,短引脚为负极。

对于标志不清的电解电容器,可以根据电解电容器反向漏电流比正向漏电流大这一特性,通过用万用表R×10k档测量电容器两端的正、反向电阻值来判别。当表针稳定性,比较两次所测电阻值读数的大小。在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接的是电容器的正极,红表笔接的是电容器的负极。

2.正反接:视电解电容器容量大小,通常选用万用表的

R×10、R×100、R×1K挡进行测试判断。红、黑表笔分

别接电容器的负极(每次测试前,需将电容器放电),由表针的偏摆来判断电容器质量。若表针迅速向右摆起,然后慢慢向左退回原位,一般来说电容器是好的。如果表针摆起后不再回转,说明电容器已经击穿。如果表针摆起后逐渐退回到某一位置停位,则说明电容器已经漏电。如果表针摆不起来,说明电容器电解质已经干涸推失去容量。

3.反接:有些漏电的电容器,用上述方法不易准确判断出好坏。当电容器的耐压值大于万用表内电池电压值时,根据电解电容器正向充电时漏电电流小,反向充电时漏电电流大的特点,可采用R×10K挡,对电容器进行反向充电,观察表针停留处是否稳定(即反向漏电电流是否恒定),由此判断电容器质量,准确度较高。黑表笔接电容器的负极,红表笔接电容器的正极,表针迅速摆起,然后逐渐退至某处停留不动,则说明电容器是好的,凡是表针在某一位置停留不稳或停留后又逐渐慢慢向右移动的电容器已经漏电,不能继续使用了。表针一般停留并稳定在50-200K刻度范围内。

常用容量在0.47UF至2200uF之间的电容可以直接使用MF47型表检测其容量与好坏。具体方法:

将电容充分放电,黑表笔接电容正极,红表笔接电容的负极,以摆动的最大格数判断电容是否损坏,

(满格为50格)数据如下表:

电容档位格数

0.47uF x10K 7

1uF x10K 12

2.2uF x10K 20

4.7uF x1K 7

10uF x1K 12

22uF x1K 20

47uF x100 7

100uF x100 12

220uF x100 20

470uF x10 7

1000uF x10 12

2200uF x10 20

注意:黑笔接电容正极,红笔为负,若接错可能造成数据不准确,每测一次电容量需重新放电。

结论:若表针不动或微动证明该电容失效,若表针回位过慢则该电容可能漏电或万用表档位使用错误,若表针回位后逐渐升起则该电容有轻微漏电或质量不佳。

现如今市面上零售的数字万用表多数可直接测200uF以内电容,且价格不高,如遇个别电容吃不准应再用数字表进行比对。另外,1.5uF、3.3uF、6.8uF等电容也可以与其相近容量的电容比较鉴别

4.绝缘性(两次冲击):绝缘电阻的高低是也是电容器好坏的重要标志,用万用表能够检查出绝缘电阻的高低,当万用表的试棒第一次接连电容器两极时,因为电容器充电,指针必然发生冲击,试棒拿开后,经过5秒钟再试一次,如指针无明显的冲击,说明由于本身绝缘电阻高,电容器剩余电荷只漏去一点点,这种电容器是好的,如果仍然发生冲击,则说明5秒钟前充的电已经漏去,电容器的绝缘已经破坏。

5.电解电容器的检测补充

电容量和漏电电阻的测量电容器最好使用电感电容表或具有电容测量功能的数字万用表测量。若无此类仪表,也可用指针式万用表来估测其电容量。用万用表测量电解电容器时,应根据被测电容器的电容量选择适当的量程。通常,1μF与2.2μF的电解电容器用R×10k档,4.7~22μF的电解电容器用R×1k档,47~220μF的电解电容器用R×100档,470~4700μF的电解电容器用R×10档,大于4700μF的电解电容器用R×1档。利用万用表内部电池给电容器进行正、反向充电,通过观察万用表指针向右摆动幅度的大小,即可估测出电容器的容量。

将万用表置于适当的量程。将其两表笔短接后调零。黑表笔接电解电容器的正极,红表笔接其负极时,电容器开始充电,所以万用表指针缓慢向右摆动,摆动至某一角度后(充电结束后)又会慢慢向左返回(表针通常不能返回"∞"的位置)。漏电较小的电解电容器,指

针向左返回后所指示的漏电电阻会大于500kΩ。若漏电电阻值小于100 kΩ,则说明该电容器已漏电,不能继续使用。

再将两表笔对调(黑表笔接电解电容器负极,红表笔接电容器正极)测量,正常时表针应快速向右摆动(摆动幅度应超过第一次测量时表针的摆动幅度)后返回,且反向漏电电阻应大于正向漏电电阻。若测量电解电容时表针不动或第二次测量时表针的摆动幅度不超过第一次测量时表针的摆动幅度,则说明该电容器已失效或充放电能力变差。

6.电容器的型号命名方法

国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。

第一部分:名称,用字母表示,电容器用C。

第二部分:材料,用字母表示。

第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。

第四部分:序号,用数字表示。

用字母表示产品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金

电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介

电容器容量标示

1、直标法

用数字和单位符号直接标出。如1uF表示1微法,有些电容用"R"表示小数点,如R56表示0.56微法。

2、文字符号法

用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF. 3、色标法

用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。

电容器偏差标志符号:+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%

-20%--Z

4、数学计数法:如上图瓷介电容,标值272,容量就是:27X100pf=2700pf.如果标值473,即为47X1000pf=0.047uf。

(后面的2、3,都表示10的多少次方)。又如:

332=33X100pf=3300pf。

若测量电解电容器的正、反向电阻值均接近0,则说明该电解电容器已击穿损坏

从电路中拆下的电解电容器,应将其两引脚短路放电后,再用万用表测量。对于大容量电解电容器和高压电解电容器,可以用1只60~100W、220V的白炽灯泡对其放电。其方法是:将灯泡装在灯头上,从灯头引出两条线,分别接到电解电容器的两引引脚上。若此时灯泡瞬间亮一下,则说明电容器已放电完毕。

小容量固体电容器的检测

小容量固体电容器(包括有机介质电容器和无机介质电容器)的电容量一般为1μF以下,因为容量太小,难以用万用表一般无法估测出其电容量,而只能视其是否漏电或击穿损坏。正常时,用万用表R×10k档测量其两端的电阻值应为无穷大。若测出一定的电阻值或阻值接近0,则说明该电容器已漏电或已击穿损坏。

判断光敏电阻质量

用万用表电阻档测量,测量中改变一下光照强度(手遮挡即可),电阻有明显变化说明基本正常。

可控硅介绍与检测

一.可控硅结构组成与特点

今天大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:第一层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年,因为它的特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T,又因为晶闸管最初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR. 在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态. 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损耗显着增

加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使

用. 可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等. 可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导

通. 可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形. 可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构.见图1.它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制极G,所以它是一种四层三端的半导体器件.

可控硅最主要的作用之一就是稳压稳流。可控硅主要应用于无触点开关,调速,调光,稳压,变频等方面。

图片里面是TO-P3封装,所有的你图片中这种可控硅管脚排列(TO-P3、TO-220),从左到右排列顺序是:

单向可控硅:K、A、G

双向可控硅:T1、T2、G

二.如何用数字万用表测可控硅的好坏

1.单向可控硅工作原理

可控硅导通条件:

一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备,可控硅才会处于导通状态。另外,可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉控制极电压,可控硅仍然导通。

可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压,使阳极电流小于最小维持电流以下。

2.单向可控硅的引脚区分

对可控硅的引脚区分,有的可从外形封装加以判别,如外壳就为阳极,阴极引线比控制极引线长。从外形无法判断的可控硅,可用万用表R×100或R×1K挡,测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻,当万用表指示低阻值(几百欧至几千欧的范围)时,黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。

三.单向可控硅的性能检测

1.好硅条件:可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应完好;第二是当阴极与阳极间电压

反向连接时能够阻断,不导通;第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通;第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉,仍处于导通状态。

2.检测:用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。

用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击

穿短路。

用R×1k或R×100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大,但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。

万用表选电阻R×1挡,将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极

接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。

四.可控硅的使用注意事项

选用可控硅的额定电压时,应参考实际工作条件下的峰值电压的大小,并留出一定的余量。

1、选用可控硅的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。

2、使用可控硅之前,应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时,应立即更换。

3、严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况。

4、电流为5A以上的可控硅要装散热器,并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好,它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于良好的散热。

5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。

6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。

如何用万用表判断驻极体话筒的好坏将万用表置于Rx100挡或Rx1k挡,将万用表的黑表笔接话筒输出端的芯线,红表笔接与话筒铝外壳相连的电极,

此时万用表应有500Ω~3kΩ的阻值。对着话筒吹气,可见万用表指针摆动,幅越大说明灵敏度越高。

KTV用的是动圈式话筒,动圈式话筒音圈直流电阻约为600欧姆(国际标准,这是为了与放大设备阻抗匹配),无论是数字表还是指针表,读数都应该在600欧左右。

除此之外,用指针表R*1档测量时,话筒应发出声响才正常。

补充:

测量话筒:将话筒开关置于开启状态,指针万用表调到Rx10档上,两支表笔(不分红黑)分别搭接在话筒三根引脚中的2、3脚(引脚根部有1、2、3标注),此时表针指向刻度应为60(600欧)左右为正常,如果表针不动则说明音圈损坏或断线。

测量话筒线:将指针万用表调至Rx1档进行三次测量:

1.将表笔分别搭接于大两芯(放大器端)的芯线部分(较短的部分)及卡侬头(话筒端)上的2号孔,此时读数应接近于0正常,如果表针不动则可能线断了;

2.将表笔分别搭接于大两芯(放大器端)的屏蔽部分(较长的部分)及卡侬头(话筒端)上的3号孔,此时读数应接近于0正常,如果表针不动则可能线断了;

3.将表笔分别搭接于卡侬头的2、3号孔,表针不动则正常,否则说明话筒线短路;将表笔分别搭接于卡侬头的1、3

号孔,读数应为0才正常,否则可能屏蔽线断线,这种情况下音箱里会有很大的交流声。

一般是线损坏的多,话筒损坏的情况比较少。

集成TC4011介绍与检测

一、类型:TC4011是四组2输入端与非门

引脚功能:

1-1A

2-1B

3-1Y

4-2A

5-2B

6-2Y

7-GND

8-3Y

9-3A

10-3B

11-4Y

12-4A

13-4B

14-Vcc

直接代换型号:

CC4011,CC4011B,BU4011B,CD14011B,CD4011AE,

CD4011BE,HCF4011B,HD14011BP,HEF4011E,LC4011B,M4011BP,MB84011B,MC14011BP,MN4011B,MSM4011B,SCL4011B,TC4011BP,TC4011BF,μPD4011BC

三极管的判断方法

三极管的判断方法一,三极管类型

1. 先判定基极b(一般中间的就是):先假定一个管脚是b,把 红表笔接这个b,用黑表笔分别接触另两个管脚,测得或者都是高阻值时,说明假定正确。 2.因为红表笔实际是表电源的负极,所以 当测得都是低阻值时,b是N型材料, 两端是P型材料,就是PNP型。 3.所以当测得都是高阻值时,b是P型材料, 两端是N型材料,就是NPN型。 4.我们一般可以容易找到基极b,但另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管,用手指捏住b极与假设的c极,管脚间利用我们的手指充当电阻的作用,用黑表笔接假设的c 极,红表笔接假设的e极,万用表打到*1K档测量两极间的电阻 Rce;之 后将假 设的c ,e 极对调 再测一

次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b极→e极→红表笔,所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c极→红表笔,其电流流向也与三极 管符号中的 箭头方向一 致,所以此时 黑表笔所接 的一定是发 射极e,红表 笔所接的一定是集电极c。 4.直流放大倍数的hFE的测量:先转动开关至晶体管调节 Adj位置上,将红黑测试笔短接,调节欧姆调零电位器,使指针对准300hFE刻度线上,然后转动开关到hFE位置,将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内,指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数?值。N型插入N型插座,P型插入P型插座。 5.

三极管的判断方法

三极管的判断万法三极管类型 集电极C f N 基极珈0—〒 I V ■ >i ■ ? I! N 发射极E jT NP N PN P 区 结 结 区 电 电 区 射 射 集 集 基 岌 发

1. 先判定基极b(一般中间的就是):先假定一个 管脚是b,把 红表笔接这个b,用黑表笔分别接触另两个管 脚,测得或 者都是高阻值时,说明假定正确。 2. 因为红表 笔实际是表电源的负极,所以 当测得都是低阻值时,b是N型材料,两端是 P型材料,就是PNP型。 3. 所以当测得都是 高阻值时,b是P型材料, N 两端是N型材料,就是NPN型。 4?我们一般可以容易找到基极b,但另外两个电极哪个是集 电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。 ⑴对于NPN型三极管,用手指捏住b极与假设的c极,管脚间利用我们的手指充当电阻的作用,用黑表笔接假设的c P] N—— 1

极,红表笔接假设的e极,万用表打到*1K档测量两极间的电阻Rce ;之 后将假 设的c ,e 极对调 再测一 1K档 黑表笔一c极一b极一巳极一红表笔b

次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察, 总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔 TC极-b极-e极T红表笔,所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。 ⑵对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流 流向一定是:黑表笔—e极—b极—c极—红表笔,其电流流 向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接 的一定是发射 极e,红表笔所 接的一定是集 电极c 黑表笔一e极一b极一c极一红表笔4. 直流放大倍 数的hFE的测量:先转动开关至晶体管调节 Adj位置上,将红黑测试笔短接,调节欧姆调零电位器, 使指针对准300hFE刻度线上,然后转动开关到hFE位置,将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内,指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数?值。N型插入N型插座,P型插入P型插座。 5.

如何检测三极管的三个极

如何检测三极管的三个极 可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型(NPN 型还是PNP 型), 并辨别出e(发射极)、b(基极)、c(集电极)三个电极。测试方法如下: ①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置"R ×100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧 至几千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN 型管;同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧), 则假设的基极是正确的,且被 测三极管为PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极",再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置"R × 100"或"R × 1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触), 通过人体, 相当 b 、C 之间接入偏置电阻, 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小, 说明原假设成立, 因为 c 、 e 问电阻值小说明通过万用表的电流大, 偏置正常。 ③用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为 内部电池的正端。例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在0.6V 左右), 则假设的基极是正确的, 且被测三极管为NPN 型管。 数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时, 先确认晶体管类型, 然后将被测管子 e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。 三极管的管型及管脚的判别 为了迅速掌握测判方法,结出四句口诀:“三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。”下面进行解释。 一、三颠倒,找基极 大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同,可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管; 测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择R×100或R×1k挡位,红表笔正,黑表笔负。 假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型,也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的

三极管三个管脚识别

三极管三个管脚识别1、由三极管外形判断三个管脚

2、用万用表测量判断 可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型(NPN 型还是PNP 型),并辨别出e(发射极)、b(基极)、c(集电极)三个电极。测试方法如下: ①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型: 将万用表欧姆挡置"R ×100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN 型管;同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极",再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e: 仍将指针式万用表欧姆挡置"R × 100"或"R × 1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触), 通过人体, 相当 b 、 C 之间接入偏置电阻, 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小, 说明原假设成立, 因为c 、e 问电阻值小说明通过万用表的电流大, 偏置正常。 ③用数字万用表 测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为内部电池的正端。例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在0.6V 左右), 则假设的基极是正确的, 且被测三极管为NPN 型管。 数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时, 先确认晶体管类型, 然后将被测管子e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。

如何判断三极管的类型和极性

①用数字式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆 挡置"R ×200" 或"R×2k" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把红表笔接在假设的基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN 型管;同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极",再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将万用表欧姆挡置"R ×200" 或"R ×2k" 处,以NPN管为例,把红表笔接在假设的集电极c 上, 黑表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触), 通过人体, 相当 b 、C 之间接入偏置电阻, 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小, 说明原假设成立, 因为 c 、e 问电阻值小说明通过万用表的电流大, 偏置正常。万 用表都有测三极管放大倍数(Hfe)的接口。可以估测一下三极管的放大倍数。

己知三极管类型及电极,指针式万用表判别晶体管好坏的方法 如下: ①测 NPN 三极管:将万用表欧姆挡置 "R × 200" 或 "R × 2k" 处,把红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是 好 的 。 ②测 PNP 三极管:将万用表欧姆挡置 "R × 200" 或 "R ×2k" 处,把黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是好的。 c 、e 的判别电路示意图(一)

如何快速确定三极管的工作状态三极管的三种工作状态分析判断

如何快速确定三极管的工作状态三极管的三种工作状态分析判断有放大、饱和、截止三种工作状态,放大电路中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态,对于学生是一个难点。笔者在长期的教学实践中发现,只要深刻理解三极管三种工作状态的特点,分析电路中三极管处于何种工作状态就会容易得多,下面结合例题来进行分析。 一、三种工作状态的特点 1.三极管饱和状态下的特点 要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB≥IBS。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。三极管饱和时,基极电流很大,对硅管来说,发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES=-0.3V),而UCES=0.3V,可见,UBE>0,UBC>0,也就是说,发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后,C、E 间的饱和电阻RCE=UCES/ICS,UCES 很小,ICS 最大,故饱和电阻RCES很小。所以说三极管饱和后G、E 间视为短路,饱和状态的NPN 型三极管等效电路如图1a 所示。 2.三极管截止状态下的特点要使三极管处于截止状态,必须基极电流IB=0,此时集电极IC=ICEO≈0(ICEO 为穿透电流,极小),根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,集电极与发射极间的电压UCE≈EC。 三极管截止时,基极电流IB=0,而集电极与发射极间的电压UCE≈ECO 可见,UBE≤0,UBC1V 以上,UBE>0,UBC 二、确定电路中三极管的工作状态 下面利用三极管三种工作状态的特点和等效电路来分析实际电路中三极管的工作状态。 例题:图2 所示放大电路中,已知EC=12V,β=50,Ri=1kΩ,Rb=220kΩ,Rc=2kΩ,其中Ri 为输入耦合电容在该位置的等效阻抗。问:1.当输入信号最大值为+730mV,最小值为-730mV 时,能否经该电路顺利放大?2.当β=150 时,该电路能否起到正常放大作用?

三极管的检测及其管脚的判别

三极管的检测及其管脚的判别 使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程) 现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了,它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。但有朋友会说在测量某些无件时,它不如指针式的万用表,如测三极管。我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。以下就是我自己的一些使用经验,我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。大家不妨试试看是否好用或是否正确,如有意见或问题可以发信给我。 手头上有一些BC337的三极管,假设不知它是PNP管还是NPN 管。 图1三极管 我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。其形式就像下图。中间的是基极(B极)。

图2三极管的内部形式 首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。看上图可知,对于PNP管的基极是二个负极的共同点,NPN管的基极是二个正极的共同点。这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极,看图3。对于PNP管,当黑表笔(连表内电池负极)在基极上,红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数(一般0.5-0.8),如表笔反过来接则为一个较大的读数(一般为1)。对于NPN表来说则是红表笔(连表内电池正极)连在基极上。从图4,图5可以得知,手头上的BC337为NPN管,中间的管脚为基极。

图3万用表的二极管测量档 图4判断BC337的B极和管型(1)

图4判断BC337的B极和管型(2) 找到基极和知道是什么类型的管子后,就可以来判断发射极和集电极了。如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了,甚至有朋友会用到嘴舌,可以说是蛮麻烦的。而利用数字表的三伋管hFE档(hFE 测量三极管直流放大倍数)去测就方便多了,当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性,我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。 把万用表打到hFE档上,BC337卑下到NPN的小孔上,B极对上面的B字母。读数,再把它的另二脚反转,再读数。读数较大的那次极性就对上表上所标的字母,这时就对着字母去认BC337的C,E 极。学会了,其它的三极管也就一样这样做了,方便快速。 图5万用表上的hFE档

三极管工作状态 有图

NPN:放大,集电结反偏,发射结正偏; 截止,集电结反偏,发射结反偏; 饱和,集电结正偏,发射结正偏; PNP:放大,集电结正偏,发射结反偏; 截止,集电结正偏,发射结正偏; 饱和,集电结反偏,发射结反偏; 这是我脑子里的东西,你自己看一下是不是相反吧 简单的办法就是判断他们的电位变化的情况。以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反。(1)截止,Ube<0.7V,也就是发射结反偏,Ube<0的时候是可靠截止。(2)放大,Ube>0.7V,Uce>Ube,Ubc<0,也就是发射结正偏,集电结反偏。(3)饱和,Ube>0.7V,UceUon,UbUB,极电结正偏UC>UB,饱和 截止状态: 当“≤0时,集电极电流很 小,三极管相当于截止,电源电 压丘几乎全部加在管子两端 放大状态: “从O逐渐增大,集电极电流 J。也按一定比例增加,很小的 I变化引起很大的,;变化,三 极管起放大作用 饱和状态: 三投管饱和时,管子两端压降很 小,电源电压E几乎全部加在集电 极负载电阻磁两端I口越大,控制越 灵敏

三极管的使用方法

1.三极管工作状态的判断方法: 分析电路时,判断三极管的功能,如果能够知道该三极管三个管脚的电压和该三极管起得作用(放大还是开关),。对于NPN而言,如果Uc>Ub>Ue,该管处于放大状态,放大一定的电流,一般是在模拟电路中起了作用(此时Uce之间的电压是不确定的);如果Ub>Ue, Ub>Uc,该管处于饱和状态,c-e之间导通,其管压降为0.3-0.7V,与截止区相对立,此时该 二极管起到了开关的作用, 如图所示: 般应用在数字电路中。 3.72 12 * 饱和 3. 3 放大区截■ 止 3 区 3 区 对于PNP而言,当Ue>Ub>Uc即集电极反偏、发射极正偏,处于放大状态;当Ue>Ub 且 Uc>Ub(这时候,Uc^ Ue),即集电极和发射极都正偏,处于饱和状态。 2.三极管的使用方法: 我们经常在单片机系统中连接三极管起到开关的作用,经典电路如下图所示: 如果在单片机系统中出现三极管时,那么该三极管大多数甚至几乎全部情况下都会处于 开-关状态。因为单片机输出的都是数字量,要么是0,要么是1,不可能出现别的情况。因 此对应的三极管也要么开通,要么关断。 在上面电路中,如果按照开始时说的三极管状态的判别方法,是不行的。因为c点得工 作电压是不确定的(实际上在真正的电路中c点电压是确定的,但是从电路图中我们看不出 来)。真正的判断方法如下:当I/0引脚为高电平时,b点基极的电流是一定的,那么c点电 流也是一定的,而且是处在了三极管的饱和区,因此b点的电压为0.7v,三极管导通,贝U c 点的电压与e点压相同(比e点略大,约为0.5v,即为Uce),即OUT (输出端处于低电平)端为低电平状态。当I/0引脚为低电平时,NPN三极管断开,c-e之间不导通,那么此时 c 点(OUT)电位为高电平即VCC电压。这从而达到了用单片机引脚来控制Vcc的效果。 综上所述:当I/O为高电平,b-e之间有电压,三极管导通,c-e管压降小,OUT为低电平(Q 0.5);当I/O为低电平时,b-e之间没电压,三极管关断,c-e管压降非常大,OUT为高电平=Vcc; 上面就是NPN的使用方法。我们可以这么理解:在使用NPN时,要尽可能将e端接地,当b 端比e端至少高0.7v时,管子导通;否则管子断开。 同理,我们可以得出PNP三极管的使用电路和方法:

模电中三极管饱和及深度饱和状态的界定

模电中三极管饱和及深度饱和状态的界定 三极管饱和问题总结: 1.在实际中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。 2.集电极电阻越大越容易饱和; 3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制 问题:基极电流达到多少时三极管饱和? 解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的:假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5mA,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA,那么基极电流大于50μA就可以饱和。 对于9013、9012而言,饱和时Vce小于0.6V,Vbe小于1.2V。下面是9013的特性表: 问题:如何判断饱和?

判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS,然后再根据实际的电路求出当前的基级电流,如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流,则可判断电路此时处于饱和状态。 饱和的条件: 1.集电极和电源之间有电阻存在且越大就越容易管子饱和;2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低,从而出现b较c 电压高的情况。 影响饱和的因素:1.集电极电阻越大越容易饱和;2.管子的放大倍数放大倍数越大越容易饱和;3.基集电流的大小; 饱和后的现象:1.基极的电压大于集电极的电压;2.集电极的电压为0.3左右,基极为0.7左右(假设e极接地) 谈论饱和不能不提负载电阻。假定晶体管集-射极电路的负载电阻(包括集电极与射极电路中的总电阻)为R,则集-射极电压Vce=VCC-Ib*hFE*R,随着Ib的增大,Vce减小,当Vce<0.6V时,B-C结即进入正偏,Ice已经很难继续增大,就可以认为已经进入饱和状态了。当然Ib如果继续增大,会使Vce再减小一些,例如降至0.3V甚至更低,就是深度饱和了。以上是对NPN型硅管而言。 另外一个应该注意的问题就是:在Ic增大的时候,hFE会减小,所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib>>Ic(max)/hFE,Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限,当然这是以牺牲关断速度为代价的。 注意:饱和时Vb>Vc,但Vb>Vc不一定饱和。一般判断饱和的直接依据还是放大倍数,有的管子Vb>Vc时还能保持相当高的放大倍数。例如:有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和,Ic/Ib<1应该属于深饱和了。 从晶体管特性曲线看饱和问题:我前面说过:谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。 以某晶体管的输出特性曲线为例。由于原来的Vce仅画到2.0V为止,为了说明方便,我向右延伸到了4.0V。 如果电源电压为V,负载电阻为R,那么Vce与Ic受以下关系式的约束:Ic = (V-Vce)/R 在晶体管的输出特性曲线图上,上述关系式是一条斜线,斜率是 -1/R,X轴上的截距是电源电压V,Y轴上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限”)。这条斜线称为“静态负载线”(以下简称负载线)。各个基极电流Ib值的曲线与负载线的交点就是该晶体管在不同基极电流下的工作点。见下图:

三极管的测量方法

三极管的测量方法 判断基极和三极管的类型: 先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量, 若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极. 当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP. 判断集电极C和发射极E,以NPN为例: 把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头 C,E电阻值,将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立. 三极管测量方法 2007-04-22 08:40 三极管的管脚必须正确辨认,否则,接入电路不但不能正常工作,还可能烧坏晶体管。己知三极管类型及电极,指针式万用表判别晶体管好坏的方法如下: ①测 NPN 三极管:将万用表欧姆挡置 "R × 100" 或 "R × lk" 处,把黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是好的。 ②测 PNP 三极管:将万用表欧姆挡置 "R × 100" 或 "R × lk" 处,把红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是好的。

当三极管上标记不清楚时,可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型 (NPN 型还是 PNP 型 ),并辨别出e、b、c三个电极。测试方法如下 : ①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置 "R ×100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧 ),则假设的基极是正确的,且被测三极管为 NPN 型管;同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧 ), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为 PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极",再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置 "R ×100"或"R × 1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极 ( 不能使b、c直接接触 ), 通过人体 , 相当 b 、 C 之间接入偏置电阻 , 如图 5-27(a) 所示。读出表头所示的阻值 , 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小 , 说明原假设成立 , 因为 c 、 e 问电阻值小说明通过万用表的电流大 , 偏置正常。其等效电路如图5-27(b) 所示 , 图中V CC是表内电阻挡提供的电池 ,R为表内阻 ,R m为人体电阻。 用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地

快速确定三极管工作状态的方法

快速确定三极管工作状态的方法 重庆易天龙 三极管有放大、饱和、截止三种工作状态,放大电路中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态,对于学生是一个难点。笔者在长期的教学实践中发现,只要深刻理解三极管三种工作状态的特点,分析电路中三极管处于何种工作状态就会容易得多,下面结合例题来进行分析。 一、三种工作状态的特点 1.三极管饱和状态下的特点 要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即Is≥IBs。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(Uces)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式Uce=Ec-IcRc,所以 三极管饱和后,C、E间的饱和电阻RcEs=UcEs/Ics,UcEs很小,Ics最大,故饱和电阻RcEs很小。所以说三极管饱和后C、E问视为短路,饱和状态的NPN型三极管等效电路如图1a所示。 2.三极管截止状态下的特点 三极管截止后,C、E间的截止电阻Rce=UcE/Ic,UcEs很大,等于电源电压,Ics极小,C、E间电阻RcE很大,所以,三极管截止后C、E间视为开路,截止状态的NPN型三极管等效电路如图1b。 3.三极管放大状态下的特点

要使三极管处于放大状态,基极电流必须为:0

三极管的识别与检测方法(2)

三极管的识别与检测方法(2) 课型:理论+实践 教学目标 1、熟悉三极管外形,图形符号和文字符号; 2、了解三极管的种类与特点; 3、了解三极管的特性与参数; 4、掌握常用三极管的命名方法; 教学重点与难点 1、掌握三极管的外形,图形符号和文字符号; 2、了解三极管的种类与特点; 教学方法 讲授法、演示法 教学安排:2课时 教学过程 一、项目实施 任务一:普通三极管的识别与检测 工作任务: 1.识别不同类别的三极管 2.测量三极管 工作步骤: 1.识别各种三极管(按功率) (1)普通小功率三极管 普通小功率三极管通常采用TO-92封装,如图所示为9013三极管,其引脚顺序为E、B、C(引脚向下,面向元件型号)。 (2)中功率三极管 图所示为NPN型中功率三极管TIP41,其引脚顺序为B、C、E(引脚向下,面向元件型号),中功率三极管通常采用TO-220封装。 (3)金属外壳三极管 如图所示为开关三极管2N2222A,该三极管为NPN型三极管,采用金属外壳封装TO-18或TO-39,其引脚顺序如图所示,引脚向下,从凸起位置依次为E、B、C。

(4)大功率金属外壳三极管 图为大功率金属外壳三极管,其封装形式通常为TO-3,其外壳通常为集电极(C),另外两个引脚分别为基极(B)和发射极(E)。 (5)贴片三极管 图为贴片三极管8550,8550为小功率PNP三极管,其贴片型号为2TY,引脚顺序如图所示。 2、识别各种三极管(按引脚的现状) (1)色点标志 (2)凸形标记 (3)三角排列 (4)三脚等距平面性 (5)带散热片的三极管 3.用指针式万用表测量三极管 步骤一:判断三极管的基极(B) 用万用表R×1K档或R×100档依次测量三极管各极之间的正反向阻值,并将测得阻值填入表中。然后分析表中测得数据,观察哪一个引脚与其他两个引脚之间的测得的阻值均较小,如果符合这一条件,则这个引脚就是三极管的基极(B)。 步骤二:判断三极管的管型(PNP还是NPN) 将万用表置于R×1K档或R×100档,将万用表的黑表笔接三极管的基极,红表笔在其他极,如果阻值均较小,则表明这是一个NPN型三极管。如果是高阻值,改用红表笔接三极管的基极,黑表笔在其他引脚,若阻值均较小,则表明这是一个PNP型三极管。 步骤三:辨别三极管的集电极(C)和发射极(E) 方法一:将万用表置于R×1K档或R×100档,用“鳄鱼夹”夹持管脚,或用两手分别捏住表笔和管脚,然后用舌尖舔基极,利用人体电阻作为基极偏流电阻,也可进行测量。指针偏转较大的那一次,黑表笔所接为集电极(NPN管),红表笔所接为发射极。PNP管正好相反。 方法二:将万用表置于HFE档,将三极管管按假定的E、C插入万用表的“三极管测量

三极管的检测方法

三极管的检测方法 1、中、小功率三极管的检测 A、已知型号和管脚排列的三极管,可按下述方法来判断其性能好坏 (a)、测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1k挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。 (b)、三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。 通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法,可间接估计ICEO的大小,具体方法如下: 万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1k挡,对于PNP管,黑表管接e 极,红表笔接c极,对于NPN型三极管,黑表笔接c极,红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。一般说来,中、小功率硅管、锗材料低频管,其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上,如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则表明ICEO很大,管子的性能不稳定。 (c)、测量放大能力(β)。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座,可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至 挡,量程开关拨到ADJ位置,把红、黑表笔短接,调整调零旋钮,使万用

表指针指示为零,然后将量程开关拨到hFE位置,并使两短接的表笔分开,把被测三极管插入测试插座,即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。 另外:有此型号的中、小功率三极管,生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值,其颜色和β值的对应关系如表所示,但要注意,各厂家所用色标并不一定完全相同。 B、检测判别电极 (a)、判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测三极管为PNP型管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN 型管。 (b)、判定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1k挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。 C、判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于3MHz,而低频管的截止频率则小于3MHz,一般情况下,二者是不能互换的。 D、在路电压检测判断法

用万用表定性判断三极管的管脚

用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏 一、定性判断MOS型场效应管的好坏 先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的。 二、定性判断结型场效应管的电极 将万用表拨至R×100档,红表笔任意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动,就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果,还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚,只要看到表针作大幅度偏转,即说明悬空脚是栅极,其余二脚分别是源极和漏极。 判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ,并且跨导很高,当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号,使管子趋于截止,或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上,由于输入干扰信号较强,上述现象会更加明显。如表针向左侧大幅度偏转,就意味着管子趋于截止,漏-源极间电阻RDS增大,漏-源极间电流减小IDS。反之,表针向右侧大幅度偏转,说明管子趋向导通,RDS↓,IDS↑。但表针究竟向哪个方向偏转,应视感应电压的极性(正向电压或反向电压)及管子的工作点而定。 注意事项: (1)试验表明,当两手与D、S极绝缘,只摸栅极时,表针一般向左偏转。但是,如果两手分别接触D、S极,并且用手指摸住栅极时,有可能观察到表针向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用,使之进入饱和区。(2)也可以用舌尖舔住栅极,现象同上。 三、晶体三极管管脚判别 三极管是由管芯(两个PN结)、三个电极和管壳组成,三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b,目前常见的三极管是硅平面管,又分PNP和NPN型两类。现在锗合金管已经少见了。 这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。 1.找出基极,并判定管型(NPN或PNP) 对于PNP型三极管,C、E极分别为其内部两个PN结的正极,B极为它们共同的负极,而对于NPN型三极管而言,则正好相反:C、E极分别为两个PN结的负极,而B极则为它们共用的正极,根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。具体方法如下: 将万用表拨在R×100或R×1K档上。红笔接触某一管脚,用黑表笔分别接另外两个管脚,这样就可得到三组(每组两次)的读数,当其中一组二次测量都是几

各种二极管和三极管的检测方法

各种二极管和三极管的检测方法 中心议题:二极管二极管和三极管三极管的检测方法 二极管的检测:1、检测小功率小功率晶体二极管A、判别正、负电极(a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。(b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。 (c)、以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。 B、检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率,除了可从有关特性表中查阅出外,实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分,如点接触型二极管属于高频管,面接触型二极管多为低频管。另外,也可以用万用表R×1k挡进行测试,一般正向电阻小于1k的多为高频管。 C、检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说,因为不断变化,因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是,最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下,二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。 2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是,这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量,一般正向电阻值为5k~10k,反向电阻值为无穷大。 3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性,一般正向电阻为4.5k左右,反向电阻为无穷大;再用R×1挡复测一次,一般正向电阻为几欧,反向电阻仍为无穷大。 4、检测双向触发二极管将万用表置于R×1k挡,测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量,万用表指针向右摆动,说明被测管有漏电性故障。将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时,摇动兆欧表,万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚,用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较,两者的绝对值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。 5、瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测用万用表R×1k挡测量管子的好坏。对于单极型的TVS,按照测量普通二极管的方法,可测出其正、反向电阻,一般正向电阻为4kΩ左右,反向电阻为无穷大。对于双向极型的TVS,任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大,否则,说明管子性能不良或已经损坏。 6、高频变阻二极管的检测A、识别正、负极。高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同,普通二极管的色标颜色一般为黑色,而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似,即带绿色环的一端为负极,不带绿色环的一端为正极。B、测量正、反向电阻来判断其好坏。具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同,当使用500型万用表R×1k挡测量时,正常的高频变阻二极管的正向电阻为5k~5.5k,反向电阻为无穷大。 7、变容二极管的检测将万用表置于R×10k挡,无论红、黑表笔怎样对调测量,变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中,发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零,说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障,用万用表是无法检测判别的。必要时,可用替换法进行检查判断。 8、单色发光二极管的检测在万用表外部附接一节1.5V干电池,将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给万用表串接上了1.5V电压,使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时,用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好,必定有一次能正常发光,此时,黑表笔所接的为正极,红表笔所接的为负极。 9、红外发光二极管的检测A、判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚,通常长引脚为正极,短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状,所以管壳内的电极清晰可见,内部电极较宽较大的一个为负极,而

三极管判断脚位方法经验总结

常用滤波电路经验总结 滤波是信号处理中的一个重要概念。滤波电路常用于滤去整流输出电压中的纹波,一般由电抗元件组成.如在负载电阻两端并联电容器C,或与负载串联电感器L,以及由电容电感组成而成的各种复式滤波电路。滤波可分为经典滤波和现代滤波。 经典滤波指的是任何一个满足一定条件的信号,都可以被看成是由无限个正弦波叠加而成。换句话说,就是工程信号是不同频率的正弦波线性叠加而成的,组成信号的不同频率的正弦波叫做信号的频率成分或叫做谐波成分。只允许一定频率范围内的信号成分正常通过,而阻止另一部分频率成分通过的电路,叫做经典滤波器或滤波电路。 滤波是指当流过电感的电流变化时,电感线圈中产生的感生电动势将阻止电流的变化。当通过电感线圈的电流增大时,电感线圈产生的自感电动势与电流方向相反,阻止电流的增加,同时将一部分电能转化成磁场能存储于电感之中;当通过电感线圈的电流减小时,自感电动势与电流方向相同,阻止电流的减小,同时释放出存储的能量,以补偿电流的减小。因此经电感滤波后,不但负载电流及电压的脉动减小,波形变得平滑,而且整流二极管的导通角增大。 在电感线圈不变的情况下,负载电阻愈小,输出电压的交流分量愈小。只有在RL>>ωL时才能获得较好的滤波效果。L愈大,滤波效果愈好。另外,由于滤波电感电动势的作用,可以使二极管的导通角接近π,减小了二极管的冲击电流,平滑了流过二极管的电流,从而延长了整流二极管的 常用的滤波电路有无源滤波和有源滤波两大类。若滤波电路元件仅由无源元件(电阻、电容、电感)组成,则称为无源滤波电路。无源滤波的主要形式有电容滤波、电感滤波和复式滤波(包括倒L型、LC滤波、LCπ型滤波和RCπ型滤波等)。若滤波电路不仅由无源元件,还由有源元件(双极型管、单极型管、集成运放)组成,则称为有源滤波电路。有源滤波的主要形式是有源RC滤波,也被称作电子滤波器。 滤波器有四种:低通滤波器,高通滤波器,带通滤波器,带阴滤波器.如何识别这些滤波器:若信号频率趋于零时有确定的电压放大倍数,且信号频率趋于无穷大时电压放大倍数趋于零,则为低通滤波器;反之,若信号频率趋于无穷大时有确定的电压放大倍数,且信号频率趋于零时电压放大倍数趋于零,则为高通滤波器;若信号频率趋于零和无穷大时电压放大倍数均趋于零,则为带通滤波器;反之,若信号频率趋于零和无穷大时电压放大倍数具有相同的确定值,且在某一频率范围内电压放大倍数趋于零,则为带阻滤波器。

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