半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路
一、选择题
1.晶体管能够放大的外部条件是_________
a 发射结正偏，集电结正偏
b 发射结反偏，集电结反偏
c 发射结正偏，集电结反偏
答案：c
2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________
a 发射结正偏，集电结正偏
b 发射结反偏，集电结反偏
c 发射结正偏，集电结反偏
答案：a
3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________
a 0.1V
b 0.5V
c 0.7V
答案：b
4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________
a 0.1V
b 0.3V
c 0.5V
答案：b
5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为_____
a 40
b 50
c 60
答案：c
6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________
a 越好
b 越差
c 无变化
答案：a
7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________
a 高
b 低
c 一样
答案：a
8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________
a 增大
b 减小
c 不变
答案：a
9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________
a 升高
b 降低
c 不变
答案：b
10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极
b 基极
c 集电极
答案：c
11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________
a 右移
b 左移
c 不变
答案：b
12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________
a 上移
b 下移
c 不变
答案：a
12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________
a 不变
b 减小
c 增大
答案：c
12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________
a 两者无关
b 有关
c 无法判断
答案：a
15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________
a 晶体管一定被烧毁
b 晶体管的PC=PCM
c 晶体管的β一定减小
答案：c
16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________
a 输入电阻
b 输出
c 电压放大倍数
答案：b
17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________
a NPN 型锗管
b PNP 型锗管
c PNP 型硅管
答案：b
18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________
a 处于饱和状态
b 放大状态
c 截止状态
d 已损坏
答案：c
19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________
a 同相
b 反相
c 相差 90 度
答案：b
20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真
a 饱和
b 截止
c 饱和和截止
答案：a
21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______
a 输入电阻太小
b 静态工作点偏低
c 静态工作点偏高
答案：c
23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______
a 输出功率
b 静态工作点
c 交流参数
答案：c
25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
a 共射极
b 共集电极
c 共基极
答案：a
26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 _______
a 晶体管的电流放大系数太大
b 电源电压太高
c 晶体管参数随环境温度的变化而变化
答案：c
27. 在放大电路中，直流负反馈可以 ________
a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性
b 提高放大电路的放大倍数
c 稳定电路的静态工作点
答案：c
28. 可以放大电压，但不能放大电流的是 _________ 放大电路。
a 共射极
b 共集电极
c 共基极
答案：c
29. 射极输出器无放大 _________ 的能力。
a 电压
b 电流
c 功率
答案：a
30. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是 _______ 放大电路。
a 共射极
b 共集电极
c 共基极
答案：b
31. 与空载相比，接上负载后，放大电路的动态范围一定_______
a 不变
b 变大
c 变小
答案：c
32.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载后输出电压降为3V，则此电路的输出电阻为_______
a 0.5kW
b 1kW
c 2kW
答案：b
35. 在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是 _______ 多级放大电路。
a 阻容耦合
b 变压器耦合
c 直接耦合
答案：c
36 . 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式)多级放大电路相比，低频响应______
a 好
b 差
c 相同
37. 在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的 ______ 多级放大电路。
a 阻容耦合
b 变压器耦合
c 直接耦合
38. 若三级放大电路的Au1 =Au2=30dB，Au3=20dB，电路将输入信号放大了______ 倍。
a 80
b 800
c 10000
39. 有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，Ri=2kΩ，Ro=3kΩ。现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为 ______
a 40dB
b 32dB
c 16dB
40.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种失真称为 ______ 失真。
a 饱和
b 截止
c 频率
41.放大电路的两种失真分别为 ______ 失真。
a 线性和非线性
b 饱和和截止
c 幅度和相位
42. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合（或变压器耦合)多级放大电路相比，低频响应 _______
a 差
b 好
c 差不多
44. 在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号Ui为正弦波，则输出信号___
a 会产生线性失真
b 会产生非线性失真
c 为正弦波
45.在晶体管组成的三种基本放大电路中，_______ 放大电路的高频特性最好。
a 共射极
b 共集电极
c 共基极
46. 对于多级放大电路，其通频带与组成他的任何一级单级放大电路相比 _____
a 变宽
b 变窄
c 两者一样
47. 多级放大电路的级数愈多则上限频率fH _________
a 越高
b 越低
c 无变化
48. 具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截至频率处，幅值下降 _______
a 3dB
b 6dB
c 20dB
49. 多级放大电路的级数愈多，则高频附加相移 _________
a 越大
b 越小
c 无变化
51. 已知某晶体管的fT=150MHz,βb=50。当其工作频率为50MHz时，fβ≈_____
a 50MHz
b 30MHz
c 3MHz
52. 单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，输出电压的相位与中频区相比，在量值上有_______ 度的附加值。
a180 b 90 c 45
53在单级阻容耦合放大电路的波特图中，
(1)频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_______
a 20dB/ 十倍频， -20dB/ 十倍频，
b 20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
c -20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
(2)相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_______
a 45 ° / 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
b 45 ° / 十倍频， 45 ° B/ 十倍频
c - 45°/ 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
54.工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β
约为。
A. 83
B. 91
C. 100
答案：C
二、判断题
55.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）
答案：×
56.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）
答案：×
57.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ） 答案：×
58.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ） 答案：√
59.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的 输出都毫无变化；（ ） 答案：×
60.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ） 答案：× 三、解答题
61.电路如图PT3.4所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bb r
=100Ω，静态时｜U BEQ ｜≈0.7V 。试求：
（1）静态时T 1管和T 2管的发射极电流。
（2）若静态时u O ＞0，则应如何调节R c2的值才能使u O ＝0V ？若静态u O ＝0V ，则R c2＝？电压放大倍数为多少？
图T3.4
解：（1）T 3管的集电极电流
I C3＝（U Z －U BEQ3）/ R e3＝0.3mA 静态时T 1管和T 2管的发射极电流 I E1＝I E2＝0.15mA
（2）若静态时u O ＞0，则应减小R c2。
当u I ＝0时u O ＝0，T 4管的集电极电流I CQ4＝V EE / R c4＝0.6mA 。R c2的电流及其阻值分别为
Ω
≈+=
-=-=k 14.7mA
14.0C2
c1BEQ4
E4E4c2CQ4
C2B4C2R R I U R I R I I I I I ＝β
电压放大倍数求解过程如下：
Ω≈++=Ω≈++=k 74.2mV
26)
1(k 7.10mV
26)1(EQ4
bb'be4EQ2
bb'be2I r r I r r ββ
{}29718
)1( 5.16 2])1([2
1e4
be4c4
2
be2e4be4c21
－∥≈?=-≈++-=≈++=u u u u u A A A R r R A r R r R A ββββ
62.电路如图P4.8所示，具有理想的对称性。设各管β均相同。 （1）说明电路中各晶体管的作用； （2）若输入差模电压为（u I1－u I2），
则由此产生的差模电流为△i D ，求解电路电流放大倍数A i 的近似表达式。 解：（1）图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T 1和T 2、T 3和T 4分别组成的复合管为放大管，T 5和T 6组成的镜像电流源为有源负载。
（2）由于用T 5和T 6所构成的镜像电流源作为有源负载，将左半部分放大管的电流变化量转换到右边，故输出电流变化量及电路电流放大倍数
分别为
ββββ)1(2 )1(2I
O
I O +≈??=
?+≈?i i A i i i
63.若两级放大电路各级的波特图均如图P5.2所示，试画出整个电路的波特图。
解：dB 60lg 20m
=u A 。在折线化幅频特性中，频率小于10Hz 时斜率为＋40dB/十倍频，频率大于105Hz 时斜率为－40dB/十倍频。在折线化相频特性中，f ＝10Hz 时相移为＋90o ，f ＝105
Hz 时相移为
－90o
。波特图如解图P5.18所示。
解图P5.18
图P5.2
64.电路如图P2.19所示，晶体管的β＝60，'
bb r =100Ω。
（1）求解Q 点、
u A 、R i 和R o ；
图P2.19 （2）设s U
＝10mV （有效值），问i U ＝？
o U ＝？若C 3
开路，则i U ＝？o U ＝？
解：（1）Q 点：
V 56.4)(mA
86.1 A
μ 31)1(e c EQ CC CEQ BQ CQ e
b BEQ CC BQ =+-≈≈=≈++-=
R R I V U I I R R U V I ββ
u A 、R i 和R o 的分析：
Ω==-≈-=Ω≈=Ω≈++=k 3 95
)
( 952 952mV
26)
1( c o be
L c be b i EQ
bb'be R R r R R A r R R I r r u
∥∥ββ
（2）设
s U ＝10mV （有效值）
，则
mV 304 mV
2.3 i o s i
s i
i ≈=≈?+=
U A U U R R R U u
若C 3开路，则
mV 4.14mV 6.95.1k 3.51])1([i o i
s i
i e L c e be b i ≈=≈?+=
-=-≈Ω≈++=U A U U R R R U R R R A R r R R u s u
∥∥β
65.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） 答案：×
BEQ 0.7V 。利用图解法分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压U om （有效值）。
图P2.4
解：空载时：I BQ ＝20μA ，I CQ ＝2mA ，U CEQ ＝6V ；最大不失真输出电压峰值约为5.3V ，有效值约为3.75V 。
带载时：I BQ ＝20μA ，I CQ ＝2mA ，U CEQ ＝3V ；最大不失真输出电压峰值约为2.3V ，有效值约为1.63V 。 如解图P2.4所示。
解图P2.4
68.图P3.6所示电路参数理想对称，β1＝β2＝β，r be1＝r be2＝r be 。
（1）写出R W 的滑动端在中点时A d 的表达式； 图P3.6
（2）写出R W 的滑动端在最右端时A d 的表达式，比较两个结果有什么不同。 解：（1）R W 的滑动端在中点时A d 的表达式为
be
W
c I
O
d )2
( r R R u u A +
-=??=
β
（2）R W 的滑动端在最右端时
I
be
W
c C2C1O I
be
c
C2I be
W c C1)2( 2 2)
( u
r R R u u u u r R u u r R R u ??+
-
=?-?=???+
=???+-
=?βββ
所以A d 的表达式为
be
W
c I
O
d )2
( r R R u u A +
-=??=
β
比较结果可知，两种情况下的A d 完全相等；但第二种情况下的
C2
1C u u ??＞。
69.电路如图P4.8所示，具有理想的对称性。设各管β均相同。 （1）说明电路中各晶体管的作用； （2）若输入差模电压为（u I1－u I2），则由此产生的差模电流为△i D ，求解电路电流放大倍数A i 的近似表达式。
解：（1）图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T 1和T 2、T 3和T 4分别组成的复合管为放大管，T 5和T 6组成的镜像电流源为有源负载。 （2）由于用T 5和T 6所构成的镜像电流源作为有源负载，将左半部分放大管的电流变化量转换到右边，故输出电流变化量及电路电流放大倍数 图P4.8 分别为
ββββ)1(2 )1(2I
O
I O +≈??=
?+≈?i i A i i i
70.已知某电路电压放大倍数
)
10j 1)(10j 1(j 105f f f
A u
++-=
试求解：
（1）m u A ＝？f L
＝？f H
＝?
（2）画出波特图。
解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出
m u A 、f L
、f H
。
Hz 10Hz
10100
)10j 1)(10j
1(10
j 1005
H L m
5==-=++?-=f f A f f f
A u u
（2）波特图如解图P5.6所示。
解图P5.6
71.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
答案：B
72.分别改正图P2.2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留
电路原来的共射接法和耦合方式。
图P2.2
解：（a）将－V C C改为＋V C C。
（b）在＋V C C与基极之间加R b。
（c）将V B B反接，且在输入端串联一个电阻。
（d）在V B B支路加R b，在－V C C与集电极之间加R c。
73.电路如图P2.6所示，已知晶体管β＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.5V 。 （1）正常情况 （2）R b 1短路 （3）R b 1开路
（4）R b 2开路 （5）R C 短路
图P2.6
解：设U B E ＝0.7V 。则 （1） 基极静态电流
V
4.6mA 022.0c C CC C b1
BE
b2BE CC B ≈-=≈--=
R I V U R U R U V I
（2）由于U B E ＝0V ，T 截止，U C ＝12V 。 （3）临界饱和基极电流
mA
045.0 c
CES
CC BS ≈-=
R U V I β
实际基极电流
mA
22.0 b2
BE
CC B ≈-=
R U V I
由于I B ＞I B S ，故T 饱和，U C ＝U C E S ＝0.5V 。 （4）T 截止，U C ＝12V 。
（5）由于集电极直接接直流电源，U C ＝V C C ＝12V
74.电路如图P3.9所示，晶体管的β=50，'bb r
=100Ω。
（1）计算静态时T 1管和T 2管的集电极电流和集电极电位；
图P3.9
（2）用直流表测得u O =2V ，u I =？若u I =10mv ，则u O =？
解：（1）用戴维宁定理计算出左边电路的等效电阻和电源为
V
5 , k 67.6CC L
c L
'
CC L c 'L =?+=
Ω≈=V R R R V R R R ∥
静态时T 1管和T 2管的集电极电流和集电极电位分别为
V
15V
23.3mA
265.02CC CQ2'
L CQ 'CC CQ1e
BEQ
EE EQ CQ CQ2CQ1==≈-==-≈
≈==V U R I V U R U V I I I I
（2）先求出输出电压变化量，再求解差模放大倍数，最后求出输入电压，如下： △u O ＝u O －U C Q 1≈－1.23V
mV 6.377
.32)
(2 k 1.5mA
26)1(d
O
I be b 'L
d EQ 'bb b
e ≈?=
-≈+-=Ω≈++=A u u r R R A I r r ββ
若u I =10mv ，则
V
9.2V
327.0O 1CQ O I d O ≈?+=-≈=?u U u u A u
75.电路如图P4.10所示，T 1与T 2管的特性相同，所有晶体管的β均相同，R c 1远大于二极管的正向电阻。当u I 1＝u I 2＝0V 时，u O ＝0V 。
图P4.10 （1）求解电压放大倍数的表达式；
（2）当有共模输入电压时，u O =？简述理由。 解：（1）在忽略二极管动态电阻的情况下
2
1b e 3
c2
2be1
3be c112
u u u u u A A A r R A r r R A ?=?
-=?-≈ββ∥
（2）当有共模输入电压时，u O 近似为零。由于R c 1＞＞r d ，△u C 1≈△u C 2，因此△u B E 3≈0，故u O ≈0。
76.减小电路非线性失真的措施有（ ）
A. 采用输入特性为线性的晶体管；
B. 采用交流负反馈放大电路；
C . 采用小信号功率放大电路； D. 稳定在互补对称功放电路的乙类状态下工作
77.三极管有 和 两种载流子参与导电，故称作 极型晶体管；而场效应管称作 极型晶体管。
答案：电子，空穴，双，单
78.不论何种组态的放大电路，作放大之用的三极管都工作于输出特性曲线的
区。因此接入电路时，总要使它的发射结保持 偏置，使它的集电结保持 偏置。 三极管的电流放大作用，实质上是指它的基极电流对集电极电流的 作用。
答案：放大，正向，反向，控制
图2
79.图2电路对输入的交流信号电压是否正常放大? 理由
是 .
答案：否，因Rb
IB过大可能损坏发射结
80.根据图3某共射单放电路中三极管的输出特性曲线及交、直流负载线，可以得出：
1）静态点Q值：IB = IC = UCE = .
2）三极管电流放大系数β= . 3）集电极电阻 R c = . 4）最大不失真输出电压幅度(Uom)max=______________
图3
答案：IB=0.02mA,IC≈1mA,UCE≈3V；β≈50；Rc≈3KΩ；(Uom)max≈1.5V
81.放大电路分析时，可以忽略不予考虑的参量有（）
A 小数量，遇见恒大于它的数量时；
B 倒数和关系中的恒小数量；
C 阻抗串联关系中的恒小电阻；
D 阻抗串联关系中的恒小电容
答案：C
82.在全频段阻容耦合共射单级放大电路中，信号在低频段不可忽略的电容或等效电容有（）
A 发射极电容元件；
B 三极管的结电容；
C 电路导线分布电容；
D 偶合电容元件
答案：A，D
83.对三极管基本放大电路析时，须乘以（1+β）倍折算的元件是（）,
A 折算到发射极电流并联支路的三极管输入电阻rbe；
B 折算到基区的三极管发射结电阻rb’e;
C 折算到基极电流串联回路的发射极电阻Re；
D 折算到基极电流串联回路的发射极电容Ce ；
答案：B，C
84.在放大电路的交流通路中（）可以视为短路。
A 无内阻的直流电压源； B高、中频交流信号下工作的耦合电容元件；
C 高、中交流信号下的三极管结电容；
D 高、中频交流信号下有旁路电容的电阻元件
答案：A, B
85.减小放大信号非线性失真的措施有（）。
A 采用输入线性好的晶体管；
B 采用交流负反馈放大电路；
C 稳定在合适静态工作点的小信号的电压或功率放大电路下工作；
D.稳定在互补对称功放电路的甲乙类状态下工作；
D
答案：B，
86.电路如图6所示，说明下列三种情况时，电路各属于和种组态，各有何特点？
（1）U2 = 0，从C极输出：共极组态特点： .
.
（2）U2 = 0，从E极输出：共极组态特
点： . .
（3）U1 = 0，从C极输出：共极组态特
点： . .
答案：(1)共射组态，有电压（反相）、电流放大能力
(2)共集组态，有电流、无电压（同相）放大能力，输入电阻高，输出电阻低
(3)共基组态，有电压（同相）、无电流放大能力，频率特性好
87.固定偏流电路如图7(a)所示。
已知：V CC = 12V，R b = 280kΩ, R c = 3kΩ, R L = 3 kΩ,三极管β= 50, 取 r bb’= 200Ω，U BE = 0.7V. 求:（1）静态工作点Q；（2）求电压增益 Au ；
（3）假如该电路的输出波形出现如图7(b)所示的失真,问是属于截止失真还是饱和失真?调整电
路中的哪个元件可以消除这种失真?
如何调整 ?
图7(b)
答案：（1）IB ≈0.04mA,IC ≈IE ≈2mA,UCE ≈6V （1） rbe ≈963Ω, R L ’≈1.5 K Ω, Au ≈-78 （2） 饱和失真，调节偏流电阻Rb ，增大阻值
88.射极偏置电路如图8所示。已知: V CC = 12V ，R b1 = 2.5k Ω, R b2 =7.5k Ω，R c = 2k Ω, R e = 1k Ω, R L = 2k Ω,三极管 β = 30,取r bb ’= 300Ω， U BE = 0.7V.求：（1）静态工作点Q ；（2）电压增益Au ；（3）电路输入电阻Ri 和输出电阻Ro
图8
答案：
(1)VB ≈3V, IC ≈IE ≈2.3mA, IB ≈0.077mA, UCE ≈5.1V (2)Ri ≈483Ω,Ro ≈RC = 2K Ω
(3)rbe ≈650Ω, R L ’≈1 K Ω, Au ≈-46.2
89.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 答案：B
90.试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图7（a ）
图T2.2
解：（a）不能。因为输入信号被V B B短路。
（b）可能。
（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。因为输入信号被C2短路。
（f）不能。因为输出信号被V C C短路，恒为零。
（g）可能。
（h）可能。
（i）不能。因为T截止。
91.电路如图题6.1.2所示，所有BJT 的β均很大，V BE ＝0.7V ，且T 2、T 3特性相同，电路参数如图。问：（1）T 2、T 3和R 组成什么电路？在电路中起什么作用？（2）电路中T 1、R e1起电平移动作用，保证vi ＝0时，vo ＝0。求I REF 、I c3和R e1的值。
解（1）T 2、T 3和R 组成镜像电流源电路，在电路中作为 BJT T 1的恒流源负载，提高带负载能力。
（2）当vi ＝0时，vo ＝0
mA
k V R V V V I I EE BE REF REF C 3.231)127.012()
(23=Ω+-=---=
≈
Ω=?-=-=-313)103.23()7.08(3
31A V I V V R C BE I e 92.双端输人、双端输出理想的差分式放大电路如图题
6.2.2所示。求解下列问题（1）
若v i1=1500μV 。v i2=500μV ，求差模输人电压v id ，共模输入电压v ic 的值；（2）若A VD ＝100，求差模输出电压v od ；（3）当输入电压为v id 时，若从 C 2点输出，求 v c2与v id 的相位关系；（4）若输出电压v o ＝1000 v i1－999 v i2时，求电路的从A VD 、Avc 和 K CMR 的值。 解（1）差模输人电压为
V V V v v v i i id μμμ1000500150021=-=-=
共模输人电压为
V V v v v i i ic μμ1000)5001500(2
1
)(2121=+=+=
（2）A VD ＝100，差模输出电压为
mV V v A v id VD od 1001000100=?==μ
（3）id c v v 与2同相。
（4）219991000i i o v v v -=，求A VD 、A VD 和K CMR
2
12121)2
1
()21()(2
1
)(i VC VD i VC VD i i VC i i VD ic
VC id VD o v A A v A A v v A v v A v A v A v --+=+?+-=+=
所以
1000)21
(=+
VC VD A A
999)2
1
(=-VC VD A A
则 5.999||
,5.999,1====VC
VD
CMR VD VC A A K A A 93.电路如图题 6.2 .5所示，JFET 的 g m ＝2mS ，r DS ＝20 k Ω，求：（1）双端输出时的差模电压增益A VD ＝（v o1-v o2）／v id 的值；（2）电路改为单端输出时，A VD1、Avc 1和K CMR 的值。
解（1）差模电压增益
id
2
O 1O VD v v v A -=
3.13]k 67.6[m S 2)r ||R (g DS d m -=Ω-=-=
（2）单端输出时，差模电压增益
67.62
1
1-==
VD VD A A 共模电压增益
33.0)
1020(1021)1067.6(102)2(1)||(3
3331
-=??+??-=+-=--s m DS d m VC R g r R g A 共模抑制比
2.2033
.067
.6A A K 1VC 1VD CMR ===
94.电路如图题6.2.7所示，已知BJT 的β1=β2=β3=50，
r ce =200 k Ω，V BE =0.7 V ，试求单端输出时的差模电压增益A VD2、共模抑制比K CMR 、差模输人电阻R id 和输出电阻Ro 。
提示：AB 两端的交流电阻
??
????+++==32133
330)||(1e be e ce AB R R R r R r r r β
解 R 2两端的电压为
V V R R R V EE R 1.3)9(6.533
2122+=++=+≈
mA A R V V I e BE R E 2102.17
.01.33
3323=?-=-=
mA I I I E E E 12
1
321===
Ω=++Ω=k I V
r E T be 53.1)1(2001
11
β
Ω=???
??
?++Ω=k I V r E T be 86.0)1(200333β
Ω=k R R 95.1||21
单端输出差模电压增益
12]
1.0)501(53.11.0[22
.350])1([2)||(1122=?+++??=++++
=e be s L c VD R r R R R A ββ
AB 两端交流电阻为
Ω=Ω??????++?+=???? ?
?++β+==M 2.3k 2.195.186.02.1501200R R ||R r R 1r r r 3e 213be 3e 33ce o AB 单端输出的共模电压增益
0005.0102.3)501(22
.350)1(2)||(3
22-=??+??-=+-
≈o L c Vc r R R A ββ
共模抑制比
240000005
.012
22===
VC VD CMR A A K 差模输人电阻Ω=Ω?++=+++=k k R r R R e be s id 5.13]1.05153.1.01[2])1([21β 输出电阻Ω==k R R c o 7.42
95.电路如图题6.2.9所示，设所有BJT 的β＝20，r be ＝2.5K Ω，r ce ＝200K Ω，FET 的gm ＝4mS ，其它参数如图所示。求：（1）两级放大电路的电压增益Av ＝Av1·Av2；（2）Rid 和Ro ；（3）第一级单端输出时的差模电压增益 id
1
o 1VD v v A =
、共模电压增益Avc1和共模抑制比K CMR 注：源极恒流源交流等效电阻为
??
?
???????+++++β+=)R R (r )]R r (||R [)R R (1r r 3p 5e 5be 6e 6be 33p 5e 5ce o
解 （1）两级放大电路的电压增益
730
2.0)201(5.212
201.542)1(2)1(||22)1(2
3323112
33'
12
1=?
??????++?-??-=?????
?
????
?
?
++-????????????????++???? ??+-=?????
?
??????++-
-=?=p be c p be p d m p be c L m V V VD R r R R r R R g R r R R g A A A βββββ （2）输入电阻Ω=≈=M R r R R gs id 1.5||11
输出电阻Ω=+=k R R R c c o 2443 （3）第一级单端输出时的差模电压增益
2
.101.542
1
2R )1(r ||2R R g 21R g 2
1
A 2p 3
be 1p 1d m 1
L 'm 1VD -=??-=???
?????????????β++???? ??+-=-=
T1、T2源极恒流源交流等效电阻
Ω
=Ω?
?????
++?+=???
?
??????++++++=k k R R r R r R R R r r p e be e be p e ce o 26645.85.28.25.8201200)()](||[)(1355663355β
(完整版)半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路 一、选择题 1. 晶体管能够放大的外部条件是___________ a 发射结正偏，集电结正偏 b 发射结反偏，集电结反偏 c 发射结正偏，集电结反偏 答案：c 2. 当晶体管工作于饱和状态时，其___________ a 发射结正偏，集电结正偏 b 发射结反偏，集电结反偏 c 发射结正偏，集电结反偏 答案：a 3. 对于硅晶体管来说其死区电压约为__________ a 0.1V b 0.5V c 0.7V 答案：b 4. 锗晶体管的导通压降约|UBE|为___________ a 0.1V b 0.3V c 0.5V 答案：b 5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管的B为_________ a 40 b 50 c 60 答案：c 6. 反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能 ___________ a 越好 b 越差 c 无变化 答案：a 7. 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能 ____________ a 高 b 低 c 一样 答案：a 8. 温度升高，晶体管的电流放大系数 __________ a 增大 b 减小 c 不变 答案：a 9. 温度升高，晶体管的管压降|UBE| __________ a 升高 b 降低 c 不变 答案：b 10. 对PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，____________ 极的电位最低。 a 发射极 b 基极 c 集电极 答案：c 11. 温度升高，晶体管输入特性曲线___________ a 右移 b 左移 c 不变 答案：b 12. 温度升高，晶体管输出特性曲线___________ a 上移 b 下移 c 不变 答案：a 12. 温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_____________ a 不变 b 减小 c 增大 答案：c 12.晶体管共射极电流放大系数B与集电极电流Ic的关系是___________ a 两者无关 b 有关 c 无法判断 答案：a 15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic 时，下列说法正确的是_____________ a晶体管一定被烧毁b晶体管的PC=PCM c晶体管的B—定减小 答案：c 16. 对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强____________ a 输入电阻 b 输出 c 电压放大倍数答案：b 17. ___________________________________________________________________________ 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V 、-8V 、-2.2V ，则该管为________________________________ a NPN 型锗管 b PNP 型锗管 c PNP 型硅管答案：b
详解经典三极管基本放大电路
详解经典三极管基本放大电路 三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP 两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 图1：三极管基本放大电路 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时，基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻)，那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求，如果没有加偏置，那么只有对那些增加的信号放大，而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0，不能再减小了)。而加上偏置，事先让集电极有一定的电流，当输入的基极电流变小时，集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时，集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。 下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图，因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值，那么最大电流为U/Rc，其中U为电源电压)，集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时，三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止)，相当于开关断开;当基极电流很大，以至于三极管饱和时，相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态，那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。 如果我们在上面这个图中，将电阻Rc换成一个灯泡，那么当基极电流为0时，集电极电流为0，灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β)，三极管就饱和，相当于开关闭合，灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了，所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加，那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前)。
晶体三极管及放大电路练习题教学内容
晶体三极管及放大电路练习题 一、填空题 1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______区。当三极管工作在______区时，关系式IC=βIB才成立；当三极管工作在______区时，IC=0；当三极管工作在______区时，UCE≈0。 2、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是______，______极电位最低。 3、晶体三极管有两个PN结，即________和________，在放大电路中________必须正偏，________反偏。 4、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而________，穿透电流ICEO随温度升高而________，β值随温度升高而________。 5、硅三极管发射结的死区电压约为________V，锗三极管发射结的死区电压约为 ________V，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为 ________V，锗三极管发射结的导通电压约为________V。 6、输入电压为20mV，输出电压为2V，放大电路的电压增益为________。 7、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_________。 8当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。 9、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。 10、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。 11、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时， 与之间的关系。 12、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。 13、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。 14、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。 15、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。 16、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。 17、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。 18、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于区的型的三极管。 19、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断： a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）； b．管型是（NPN，PNP）； c．材料是（硅，锗）。 20、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。 21、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。 22、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE则随温度的增加而。 23、(2-1，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。 24、(2-2，低)在多级放大器里。前级是后级的，后级是前级的。 25、(2-2，低)多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。常用的耦合方式有：，，。 26、(2-2，中)在多级放大电路的耦合方式中，只能放大交流信号，不能放大直流信号的是放大电路，既能放大直流信号，又能放大交流信号的是放大电
三极管放大电路习题集
三极管放大电路 一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。 （1）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（） （2）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（） （3）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（） （4）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（） （5）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（） （6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）解：（1）√（2）×（3）×（4）√（5）× （6）× 二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2 解：（a）不能。因为输入信号被V B B短路。 （b）可能。 （c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。 （d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。 （e）不能。因为输入信号被C2短路。 （f）不能。因为输出信号被V CC短路，恒为零。 （g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。 （i）不能。因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中， 已知V CC ＝12V ，晶体管的β＝100，' b R ＝ 100k Ω。填空：要求先填文字表达式后填得数。 （1）当i U &＝0V 时，测得U B E Q ＝0.7V ，若要基极电流I B Q ＝20μA ， 则' b R 和R W 之和R b ＝ ≈ k Ω；而若测得U C E Q ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。 （2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值' o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数 u A &＝ ≈ 。 若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载 图T2.3 后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。 解：（1）3 )( 565 )(BQ CEQ CC BQ BEQ CC ，；， I U V I U V β-- 。 （2）0.3 120 ' o L C L i o U R R R U U ?-＋； － 。 四、已知图T2.3所示电路中V CC ＝12V ，R C ＝3k Ω，静态管压降U C E Q ＝6V ；并在输出端加负载电阻R L ，其阻值为3k Ω。选择一个合适的答案填入空内。 （1）该电路的最大不失真输出电压有效值U o m ≈ ； A.2V B.3V C.6V （2）当i U &＝1mV 时，若在不失真的条件下，减小R W ，则输出电压的幅值将 ； A.减小 B.不变 C.增大 （3）在i U &＝1mV 时，将R w 调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将 ； A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 （4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将 。 A.R W 减小 B.R c 减小 C.V CC 减小 解：（1）A （2）C （3）B （4）B
高频小信号放大器——典型例题分析
高频小信号放大器——典型例题分析 1．集成宽带放大器L1590的内部电路如图7.5所示。试问电路中采用了什么方法来扩展通频带的？答：集成宽放L1590是由两级放大电路构成。第一级由V1、V2、V3、V6构成；第二级由V7~V10构成，三极管V11~V16、二极管V17~V20和有关电阻构成偏置电路。其中第一级的V1、V3和V2、V6均为共射－共基组合电路，它们共同构成共射－共基差动放大器，这种电路形式不仅具有较宽的频带，而且还提供了较高的增益，同时，R2、R3和R4引入的负反馈可扩展该级的频带。V3、V6集电极输出的信号分别送到V7、V10的基极。第二级的V7、V8和V9、V10均为共集－共射组合电路，它们共同构成共集－共射差动放大器，R18、R19和R20引入负反馈，这些都使该级具有很宽的频带，改变R20可调节增益。应该指出，V7、V10的共集组态可将第一级和后面电路隔离。由于采取了上述措施，使L1590的工作频带可达0~150MHZ。顺便提一下，图中的V4、V5起自动增益控制（AGC）作用，其中2脚接的是AGC电压。图7.5 集成宽放L1590的内部电路2．通频带为什么是小信号谐振放大器的一个重要指标？通频带不够会给信号带来什么影响？为什么？答：小信号谐振放大器的基本功能是选择和放大信号，而被放大的信号一般都是已调信号，包含一
定的边频，小信号谐振放大器的通频带的宽窄直接关系到信号通过放大器后是否产生失真，或产生的频率失真是否严重，因此，通频带是小信号谐振放大器的一个重要指标。通频带不够将使输入信号中处于通频带以外的分量衰减，使信号产生失真。3．超外差接收机（远程接收机）高放管为什么要尽量选用低噪声管？答：多级放大器的总噪声系数为由于每级放大器的噪声系数总是大于1，上式中的各项都为正值，因此放大器级数越多，总的噪声系数也就越大。上式还表明，各级放大器对总噪声系数的影响是不同的，第一级的影响最大，越往后级，影响就越小。因此，要降低整个放大器的噪声系数，最主要的是降低第一级（有时还包括第二级）的噪声系数，并提高其功率增益。综上所述，超外差接收机（远程接收机）高放管要尽量选用低噪声管，以降低系统噪声系数，提高系统灵敏度。4．试画出图7.6所示放大器的交流通路。工作频率f=465kHZ。答：根据画交流通路的一般原则，即大电容视为短路，直流电源视为短路，大电感按开路处理。就可以很容易画出其交流通路。对于图中0.01μF电容，因工作频率为465kHZ，其容抗为，相对于与它串联 和并联的电阻而言，可以忽略，所以可以视为短路。画出的交流通路如图7.7所示。图7.6 图7.75．共发射极单调谐放大器如图7.2所示，试推导出 谐振电压增益、通频带及选择性（矩形系数）公式。解：单
实验三 三极管放大电路设计
东南大学电工电子实验中心 实验报告 课程名称：电子电路实验 第 3 次实验 实验名称：三极管放大电路设计 院（系）：吴健雄学院专业：电类强化班 姓名：梅王智汇学号：61012215 实验室: 101 实验组别： 同组人员：实验时间：2014年 5 月 4 日评定成绩：审阅教师：
实验三 三极管放大电路设计 一、实验目的 1. 掌握单级放大电路的设计、工程估算、安装和调试； 2. 了解三极管、场效应管各项基本器件参数、工作点、偏置电路、输入阻抗、输出阻抗、 增益、幅频特性等的基本概念以及测量方法； 3. 了解负反馈对放大电路特性的影响。 4. 掌握多级放大电路的设计、工程估算、安装和调试； 5. 掌握基本的模拟电路的故障检查和排除方法，深化示波器、稳压电源 、交流毫伏表、 函数发生器的使用技能训练。 二、预习思考： 1. 器件资料： 上网查询本实验所用的三极管9013的数据手册，画出三极管封装示意图，标出每个管脚的名称，将相关参数值填入下表： 2. 偏置电路： 图3-3中偏置电路的名称是什么？简单解释是如何自动调节晶体管的电流I C 以实现稳定直流工作点的作用的，如果R 1、R 2取得过大能否再起到稳定直流工作点的作用，为什么？ 答：该偏置电路是分压偏置电路，利用R1，R2对电源电压进行了分压，保证了基极电压稳定为：2 12 BQ CC R U V R R = +。这样就为电路提供了稳定的工作点。就是当环境 温度升高时，I CQ ≈I EQ 增加，U EQ =I EQ R E 增大，由于U BQ 的基本固定，U BEQ =U BQ -U EQ 减小,又使I EQ 减小，抑制I CQ 增加，通过这样的自动调节就稳定了静态工作点。 如果R1，R2取值过大，以至于接近输入电阻R i ，就会导致流入基极的电流不可忽略，工作点不稳定。 3. 电压增益：
晶体管放大电路 题库
第七章晶体管放大电路习题 一、填空题 1、放大器在__________的状态称为静态，放大器在_________状态成为动态。 2、放大器根据输入回路和输出回路的所公用三极管电极不同，有__________、__________和__________三种基本接。 3、多级放大器各级之间采用的耦合方式有______________、______________、______________三种。 4、射极输出器就是共__________电路，它的主要特点是电压放大倍数约等于_____，且输出电压与输入电压________相。 5、画放大电路的直流通路时，把电容看成____________，画放大电路的交流通路时，把电容和内阻小的电源看成______________。 6、某多级放大器，第一级的电压放大倍数为50，第二级的电压放大倍数为40，第三级的电压放大倍数为50，则总的电压放大倍数为_________。 7、三极管的输出特性分为三个区域，当三极管工作于__________时，IC≈0； 当三极管工作于_________区时，关系式IC =βIB 才成立；当三极管工作在_________区时，VCE≈0 8、运算放大器是一种_____放大倍数的__________放大器。 9、理想集成运放电路中，开环电压放大倍数为__________，输入阻抗为__________，输出阻抗为__________。（填∞或0） 10、运算放大器的反相输入端（标记“-”端），指当信号从该端输入时，经放大后的输出电压与输入信号_____相。 11、理想运放的两个重要结论是一是“虚短”，即两输入端的电位__________，二是“虚断”，即两输入断的电流_____________。 12、在放大电路中，从__________取出部分或全部已被放大的信号再回送到__________叫做反馈。 13、当反馈信号使净输入信号增强时成为__________反馈，使净输入信号减弱时称为__________反馈。 14、某固定偏置电路中，实测得三极管集电极电位VC≈VG,则该放大器的三极管处于工作状态。 15、表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数有、和。 二、选择题 1、放大器的交流通路是指（） A．电压回路B．电流通过的路径C．交流信号流通的路径D．电流回路 2、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是（） A．NPN管发射极B．PNP管发射极C．PNP管集电极D．NPN管基极 3、电路如图所示， （1）用直流电压表测得VCE≈VG是因为（） A．Rb开路B．RC开路C．VG过大D．Rb短路 （2）用直流电压表测得VCE≈0是因为（） A．Rb过大B．β过大C．RC短路D．Rb开路
第三章_三极管放大电路基础习题解答
第三章 三极管放大电路基础习题解答 3．1 对于典型的晶体管，其β值范围一般为150~50，试求其对应的α值范围。 解：因为β β α+= 1，当β值范围为150~50，α值的范围为0.98~0.993。 3．2 如果两个晶体管的参数α分别为0.99和0.98，则两个晶体管的β分别为多少？若其集电极的电流为mA 10，则对应的基极电流分别为多少？ 解：因为α α β-= 1，C B I I β 1 = 。当99.0=α时，100=β，mA I B 1.0=；当98 .0=α时，50=β，mA I B 2.0=。 3．3 对于一个晶体管，若其基极电流为A μ5.7，集电极电流为A μ940，试问晶体管的β和α分别为多少？ 解：33.1255 .7940=== B C I I β， 992.033.125133 .1251=+=+=ββα 3．4 对于一个PNP 型晶体管，当集电极电流为mA 1，其发射结电压V v EB 8.0=。试问，当集电极电流分别为mA 10、A 5时，对应的发射结电压EB v 分别为多少？ 解：因为T B E V V S C e I I =，则有? ?? ? ??=S C T BE I I V V ln ，因此有???? ??=S C T BE I I V V 11ln 。所以有??? ? ??=-C C T BE BE I I V V V 11ln 若令 mA I C 101=时，V I I V V V C C T BE BE 06.0110ln 26ln 11=??? ???=? ?? ? ??=-，则V V V BE BE 86.006.08.006.01=+=+= 若令 A I C 51=时，V I I V V V C C T BE BE 22.015000ln 26ln 11=??? ???=? ?? ? ??=-，则 V V V BE BE 02.122.08.022.01=+=+=。 3．5 在图P3.5所示的电路中，假设晶体管工作在放大模式，并且晶体管的β为无限大，试确定各图中所对应标注的电压、电流值。
放大电路测试试题
放大电路测试试题 一、填空题 1、当NPN半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。 2、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。 3、三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。 4、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与 之间的关系。 5、为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。 6、共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。 7、三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。 8、共射组态既有放大作用，又有放大作用。 9、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于 区的型的三极管。 10、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断： a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）； b．管型是（NPN，PNP）； c．材料是（硅，锗）。 11、画放大器交流通路时，和应作短路处理。 二、选择题 1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。 A、V BE>0,V BE
第二章三极管练习题
第二章练习题 一、填空题： 1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。 2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。 3.三极管是___________控制器件。 4.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。 5．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。 6.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。 7．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。 8．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。 8、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于区的型的三极管。 9、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断： a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）； b．管型是（NPN，PNP）； c．材料是（硅，锗）。 二、选择题： 1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。 A、V BE>0,V BE
三极管基础练习题
三极管练习题 一、填空题： 1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。 2．三极管按结构分为_和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。 3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。 4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。 5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。 6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。 7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是____和 ______。 8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。 9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。 10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。 11.在正常工作范围内，场效应管极无电流 12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和 _________。 13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。 15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。 16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。 二、选择题： 1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 2、三级管开作在放大区，要求（） A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域（） A可变线性区B截止区C饱合区D击穿区 4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=，V E=3V，V B=，则该管工作在（） A．饱和区B．截止区 C．放大区D．击穿区
实验二 三极管基本放大电路(指导书)
实验二三极管基本放大电路 一、实验目的 学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响。 掌握放大器电压放大倍数、及最大不失真输出电压的测试方法。 熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 二、实验原理 共射放大电路既有电流放大，又有电压放大，故常用于小信号的放大。改变电路的静态工作点，可调节电路的电压放大倍数。而电路工作点的调整，主要是通过改变电路参数来实现，负载电阻R L的变化不影响电路的静态工作点，只改变电路的电压放大倍数。该电路输入电阻居中，输出电阻高，适用于多级放大电路的中间级。 静态工作点是否合适，对放大器的性能和输出波形都有很大影响。如工作点偏高，放大器在加入交流信号以后易产生饱和失真，此时V0的负半周将被削底；如工作点偏低易产生截止失真，即V0的正半周被缩顶（一般截止失真不如饱和失真明显）。这些情况都不符合不失真放大的要求。所以在选定工作点以后还必须进行动态调试，即在放大器的输入端加入一不定期的V i，检查输出电压V0的大小和波形是否满足要求。如不满足，则应调节静态工作点的位置。工作点偏高或偏低不是绝对的，应该是相对信号的幅度而言，如信号幅度很小，即使工作点较高或较低也不一定会出现失真。所以确切地说，产生波形失真是信号幅度与静态工作点设置配合不当所致。 图2－1 基本放大电路实验图 三、实验内容与步骤 1.调整静态工作点：按图连线，然后接通12V电源，调节信号发生器的频率和幅值调切旋 钮，使之输出f=1000Hz，Ui=10mV的低频交流信号，然后调节电路图中Rp1和Rp2使放大器输出波形幅值最大，又不失真。 2.去掉输入信号（最好使输入端交流短路），测量静态工作点（Ic，U ce，U be） 3.测量电压放大倍数：重新输入信号，在波形不失真的条件下用交流毫伏表测量下述二种 情况下的U0值（加入信号和无信号），此时的U0和U i相位相反。 4.测量幅频频特性曲线：保持输入信号的幅度不变，改变信号源频率f，按照下面的的频率 要求逐点测出相应的输出电压U0，记入下表，并且画出幅频特性曲线。
三极管及放大电路基础教案设计
第2章三极管及放大电路基础 【课题】 2.1 三极管 【教学目的】 1．掌握三极管结构特点、类型和电路符号。 2．了解三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3．理解三极管的三种工作状态的特点，并会判断三极管所处的工作状态。 4．理解三极管的主要参数的含义。 【教学重点】 1．三极管结构特点、类型和电路符号。 2．三极管的电流分配关系及电流放大作用。 3．三极管的三种工作状态及特点。 【教学难点】 1．三极管的电流分配关系和对电流放大作用的理解。 2．三极管工作在放大状态时的条件。 3．三极管的主要参数的含义。 【教学参考学时】 2学时 【教学方法】 讲授法、分组讨论法 【教学过程】 一、引入新课 搭建一个简单的三极管基本放大电路，通过对放大电路输入信号及输出信号的测试，引导学生认识三极管，并知道三极管能放大信号，为后续的学习打下基础。 二、讲授新课 2.1.1 三极管的基本结构 三极管是在一块半导体基片上制作出两个相距很近的PN结构成的。 两个PN结把整块半导体基片分成三部分，中间部分是基区，两侧部分分别是发射区和集电区，排列方式有NPN和PNP两种， 2.1.2 三极管的电流放大特性 三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量，这就是三极管的电
流放大特性。 要使三极管具有放大作用，必须给管子的发射结加正偏电压，集电结加反偏电压。 三极管三个电极的电流(基极电流B I 、集电极电流C I 、发射极电流E I )之间的关系为： C B E I I I +=、B C I I = --β、B C I I ??=β 2.1.3 三极管的特性曲线 三极管外部各极电流与极间电压之间的关系曲线，称为三极管的特性曲线，又称伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 输入特性曲线是指当集-射极之间的电压CE V 为定值时，输入回路中的基极电流B I 与加在基-射极间的电压BE V 之间的关系曲线。 三极管的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似，也存在一段死区。 2. 输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流B I 为定值时，输出电路中集电极电流C I 与集-射极间的电压CE V 之间的关系曲线。B I 不同，对应的输出特性曲线也不同。 截止区：0=B I 曲线以下的区域。此时，发射结处于反偏或零偏状态，集电结处于反偏状态，三极管没有电流放大作用，相当于一个开关处于断开状态。 饱和区：曲线上升和弯曲部分的区域。此时，发射结和集电结均处于正偏状态，三极管没有电流放大作用，相当于一个开关处于闭合状态。 放大区：曲线中接近水平部分的区域。此时，发射结正偏，集电结反偏。三极管具有电流放大作用。 2.1.4 三极管的主要参数 1. 性能参数：电流放大系数- -β、β，集电极-基极反向饱和电流CBO I ，集电极-发射极反向饱和电流CEO I 。 2. 极限参数：集电极最大允许电流CM I 、集电极-发射极反向击穿电压CEO BR V )(、集电极最大允许耗散功率CM P 。
三极管放大电路检测题
三极管放大电路检测题 This manuscript was revised on November 28, 2020
四川省苍溪县职业高级中学 《电子技术基础》单元二测试题 （时间100分钟，满分100分，出题人：赵斌） 一、填空题（每空2分，共计30分）。 1、三极管处于正常放大时硅管的V BE 约为V 。 2、三极管的三种联接三方式是、和。 3、当I B 有一微小变化时，就能引起I C 较大的变化，这种现象称为三极管 的作用。 4、为了使放大器不失真地放大信号，放大器必须建立合适的。 5、画直流通路时，把视为开路，其他不变。 6、硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于状态。 7、三极管电流放大系数β反映了放大电路中极电流对极电流的控制能力。 8、某三极管的型号“3DG120”，其中字母”D”表示，“G”表示。 9、放大器的和的关系曲线称为幅频特性曲线。 10、当温度升高时，三极管的参数β会。 二、选择题（每小题2分，共20分）。 11、硅三极管放大电路中，静态时测得集—射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三 极管工作于（）状态。 A 、饱和 B 、截止 C 、放大 D 、无法确定 12、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（）状态。 A 、放大 B 、截止 C 、饱和 D 、无法确定 13、某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（）。 A.mA 10,V 3C CE ==I U B.mA 40,V 2C CE ==I U C.mA 20,V 6C CE ==I U D.mA 2,V 20C CE ==I U 14、放大器的输出电阻R O 越小，则（）。 A 、带负载能力越强 B 、带负载能力越弱 C 、放大倍数越低 D 、通频带越宽 15、在固定偏置放大电路中，若偏置电阻R b 断开，则（）。 A 、三极管会饱和 B 、三极管可能烧毁 C 、三极管发射结反偏 D 、放大波形出现截止失真 16、在计算电路增益时，若增益出现负值，则该电路是（）。 A 、放大器 B 、多级放大器 C 、平衡器 D 、衰减器 17、有些放大电路在发射极电阻旁并上个电容C e ，则C e 的作用是（）。 A 、稳定静态工作点 B 、交流旁路，减少信号在Re 上的损失 C 、改善输出电压波形 D 、减小信号失真
三极管放大电路练习
三极管放大电路 是否正确。 （1）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（） （2）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（3）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（） （4）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（5）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（） （6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（） 解：（1）√（2）×（3）×（4）√（5）×（6）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路
●（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 ●（b）可能。 ●（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态 电压之上，必然失真。 ●（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。 ●（e）不能。因为输入信号被C2短路。
●（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。 ●（g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。 （i）不能。因为T截止。 在图T2.3所示电路中，已知VCC＝12V100， 图T2.3 'bR＝100kΩ。 填空：要求先填文字表达式后填得数。 当i U0V时，测得 UBEQ＝0.7V，若要基极 电流IBQ＝20μA，则 'bR 和RW之和Rb＝ ≈kΩ；而若 测得UCEQ＝6V，则Rc ＝ ≈kΩ。（2）若测得输入电压有效值iU=5mV时，输出电压有效值'oU＝0.6V，则电压放大倍数 u A ≈。若负载电阻RL值与RC相等，则带上负载后输出电压有效值oU＝＝V。
放大电路练习题和答案解析
一、填空题 1．射极输出器的主要特点是电压放大倍数小于而接近于1，输入电阻高、输出电阻低。 2．三极管的偏置情况为发射结正向偏置，集电结反向偏置时，三极管处于饱和状态。 3．射极输出器可以用作多级放大器的输入级，是因为射极输出器的输入电阻高。 4．射极输出器可以用作多级放大器的输出级，是因为射极输出器的输出电阻低。 5．常用的静态工作点稳定的电路为分压式偏置放大 电路。 6．为使电压放大电路中的三极管能正常工作，必须选择合适的静态工作点。 7．三极管放大电路静态分析就是要计算静态工作点，即计算、、三个值。 8．共集放大电路（射极输出器）的集电极极是输入、输出回路公共端。 : 9．共集放大电路（射极输出器）是因为信号从发射极极输出而得名。（） 10．射极输出器又称为电压跟随器，是因为其电压放大倍数电压放大倍数接近于1 。 11．画放大电路的直流通路时，电路中的电容应断开。
12．画放大电路的交流通路时，电路中的电容应短路。 13．若静态工作点选得过高，容易产生饱和失真。 14．若静态工作点选得过低，容易产生截止失真。 15．放大电路有交流信号时的状态称为动态。 16．当输入信号为零时，放大电路的工作状态称为静态。 17．当输入信号不为零时，放大电路的工作状态称为动态。 18．放大电路的静态分析方法有估算法、图解 法。 （ 19．放大电路的动态分析方法有微变等效电路法、图解法。 20．放大电路输出信号的能量来自直流电源。 二、选择题 1、在图示电路中，已知＝12V，晶体管的＝100，' R＝100k b Ω。当 U＝0V时，测得＝，若要基极电流＝20μA，则为kΩ。 i A A. 465 B. 565 2.在图示电路中，已知＝12V，晶体管的＝100，若测得＝
三极管放大电路习题
三极管放大电路 在括号内用“ ”或“X”表明下列说法是否正确。 （1）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（） （2）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（） （3）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（） （4）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（） （5）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何 放大电路的输出都毫无变化；（） （6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（） 解：(1 ) V ( 2) X ( 3) X ( 4) V ( 5) X 二、试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(d) te) if) (g) (hl (i) 解：（a）不能。因为输入信号被V BB短路。 （b）可能。 （c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。 （e）不能。因为输入信号被C2短路。 （f）不能。因为输出信号被V CC短路，恒为零。 （g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。 （i）不能。因为T截止。
三、在图所示电路中， 已知V cc = 12V ，晶体管的 =100 , R b = 100k Q 。 填空：要求先填文 字表达式后填得数。 (1)当U i = 0V 时，测得U B EQ =，若要基极 电流I BQ = 20 A , 贝U Rb 和 R W 之和 R b = 疋 k Q ;而若 测得 U CEQ = 6V ,贝y R c = 疋 k Q o (2) 若测得输入电压有效值U j =5mV 时，输 出电压有效值U 。 =, 则电压放大倍数 代= ? o 若负载电阻R L 值与R c 相等，则带上负载 图 ___________________ 后输出电压有效值U 。= = V o (2) U 。U i -120 四、已知 图所示 电路中V cc = 12V , R c = 3k Q ,静态管压降U CEQ = 6V ;并在 输出端加负载电 阻R.,其阻值为3k Q o 选择一个合适的答案填入空内。 (1) 该电路的最大不失真输出电 压有效值U 0m - _____ (2) 当U i = 1mV 时，若在不失真的条件下，减小R w ,则输出电压的幅 值将 ________ ; A.减小 B.不变 C.增大 (3) 在U i = 1mV 时，将R w 调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增 大输入电压，则输出电压波形将 _______________ ; A.顶部失真 B.底部失真 c.为正弦波 (4) 若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将 _____________________ o 减小 减小 减小 解：(1 ) A ( 2 ) c ( 3 ) B ( 4 ) B 五、现有直接耦合基本放大电路如下： 解：(1 ) (V cc U BEQ ) 1 BQ ,565 ； (V cc U CEQ ) 0.3
第三章 高频小信号放大器习题答案
第三章高频小信号放大器 一、填空题： 1．高频小信号放大器的主要技术指标有_________、________、__________。（增益、通频带、选择性） 2.高频小信号谐振放大器的常用的稳定方法有________和________；引起其工作不稳定的主要原因是_________；该放大器级数的增加，其增益将________，通频带将_________。（中和法、失配法、Cbc’大、变大、变窄） 二、问答题 1、晶体管低频小信号放大器与高频小信号放大器的分析方法有什么不同？高频小信号放大器能否用静态特性曲线来分析，为什么？ 解：晶体管低频小信号放大器采用的分析方法是折线分析法，在小信号条件下，叠加在BJT工作点上的交变电流电压之间的关系近似为线性关系。而高频小信号放大器，由于信号小，也可以认为它工作在晶体管的线性范围内。可用“线性四端网络”来等效，对线性网络的分析方法都适用于分析高频小信号放大器。为分析方便起见，低频小信号放大器采用h参数进行分析，高频小信号放大器采用y 参数进行分析。 高频小信号放大器不能用静态特性曲线来分析。因为晶体管特性曲线是在伏安平面上作出的反映晶体管直流电流电压的关系。如果电流电压以高频率变化，三极管内PN结的电容应必须考虑，电流电压关系不能在伏安平面上画出。 2、高频小信号放大器为什么要考虑阻抗匹配问题? 解：获得最大功率增益，而且匹配是“共扼匹配”，负载电纳和源内阻电纳部分都影响谐振频率，必须进行匹配。 三、计算题： 1．对于收音机的中频放大器，其中心频率为f =465KHz，B=8KHz，回路电容 C=200pF，试计算回路电感Q L 值。若电感线圈的Q =100，问在回路上应并联多大 的电阻才能满足要求？