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电子技术基础试题库

电子技术基础(模拟篇)

第一章 半导体二极管

一、单选题

1. 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。

A. 左移,下移

B. 右移,上移

C. 左移,上移

D. 右移,下移

2. 在PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,当PN 结外加反向电压时,扩散电流 漂

移电流。

A. 小于,大于

B. 大于,小于

C. 大于,大于

D. 小于,小于

3. 设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程为( )

A. U I e S

B. T

U U I e

S C. )1e (S -T U U I D. 1e S -T U U I

4. 下列符号中表示发光二极管的为( )。

A B C D

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5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。

A. I D = 0

B. I D < I Z 且I D > I ZM

C. I Z > I D > I ZM

D. I Z < I D < I ZM

6. 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感。

A. 少子

B. 多子

C. 杂质离子

D. 空穴

7. 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于( )时处于正偏导通状态。

A. 0

B. 死区电压

C. 反向击穿电压

D. 正向压降

8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。

A. 温度

B. 掺杂工艺

C. 掺杂浓度

D. 晶体缺陷

9. PN 结形成后,空间电荷区由( )构成。

A. 电子和空穴

B. 施主离子和受主离子

C. 施主离子和电子

D. 受主离子和空穴

10. 硅管正偏导通时,其管压降约为( )。

A 0.1V

B 0.2V

C 0.5V

D 0.7V

11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的 电阻,由于不

同量程时通过二极管的电流 ,所测得正向电阻阻值 。

A. 直流,相同,相同

B. 交流,相同,相同

C. 直流,不同,不同

D. 交流,不同,不同

12. 在25oC 时,某二极管的死区电压U th ≈0.5V ,反向饱和电流I S ≈0.1pA ,则在35oC 时,下列哪组

数据可能正确:( )。

A U th≈0.525V,I S≈0.05pA

B U th≈0.525V,I S≈0.2pA

C U th≈0.475V,I S≈0.05pA

D U th≈0.475V,I S≈0.2pA

二、判断题

1. PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()

2.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。()

3.二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。()

4.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。()

5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()

6.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()

7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。()

三、填空题

1.当温度升高时,由于二极管内部少数载流子浓度,因而少子漂移而形成的反向电流,二极管反向伏安特性曲线移。

2.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。

3.二极管P区接电位端,N区接电位端,称正向偏置,二极管导通;反之,称反向偏置,二极管截止,所以二极管具有性。

4.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体,掺入价元素则得P型半导体。

5. PN结在时导通,时截止,这种特性称为。

6.光电二极管能将信号转换为信号,它工作时需加偏置电压。

7.发光二极管能将信号转换为信号,它工作时需加偏置电压。

8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型,型二极管适用于高频、小电流的场合,型二极管适用于低频、大电流的场合。

9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况,其中是可逆的,而会损坏二极管。

10.半导体中有和两种载流子参与导电,其中带正电,而带负电。

11.本征半导体掺入微量的五价元素,则形成型半导体,其多子为,少子为。

12. PN结正偏是指P区电位N区电位。

13.温度升高时,二极管的导通电压,反向饱和电流。

14.普通二极管工作时通常要避免工作于,而稳压管通常工作于。

15.构成稳压管稳压电路时,与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。

16.纯净的具有晶体结构的半导体称为,采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。

17.在PN结形成过程中,载流子扩散运动是作用下产生的,漂移运动是作用下产生的。

18. PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用,对漂移运动起作用。

19.发光二极管通以就会发光。光电二极管的随光照强度的增加而上升。

20.硅管的导通电压比锗管的,反向饱和电流比锗管的。

四、计算分析题

1. 电路如图(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =4V ,R 的取值合适,u I 的波形如图(c )所示。试分别画出u O1和u O2的波形。

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(a)

(b)

(c)

2. 已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =3mA ,最大值I ZM =20mA ,试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作,U O1和U O2各为多少伏。

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(a)

(b)

3. 二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压U o 。设二极管的导

通压降为0.7V 。

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o

(c)(d)

o

4. 已知稳压管的稳定电压U Z = 6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求稳压管正

常工作时电阻R 的取值范围。

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+-

O

5. 如图所示电路中,发光二极管导通电压U D =1V ,正常工作时要求正向电流为5~15mA 。试问: (1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光?

(2)R 的取值范围是多少?

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+V DD R V

S

6. 二极管双向限幅电路如图所示,设tV u i ωsin 10=,二极管为理想器件,试画出输出u i 和u o 的波形。

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7. 电路如图所示,二极管导通电压U D =0.7V ,常温下U T ≈26mV ,电容C 对交流信号可视为短路;u i 为

正弦波,有效值为10mV ,试问二极管中流过的交流电流有效值是多少?

C

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i D

8. 二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压U o 。设二极管的导

通压降为0.7V 。

V

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o

(a)V

(b)

o

9. 电路如图(a )所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b )所示,设二极管导通电压可忽略。试画出输出电压u O 的波形,并标出幅值。

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V 2u o

u I1u I2

+5V

(a )u I1/V u I2/V 50.350.3t

t

(b )

10. 下图所示电路中,稳压管的稳定电压Uz = 12V ,图中电压表流过的电流忽略不计,试求:

(1)当开关S 闭合时,电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少? (2)当开关S 断开时,电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少?

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U i R 2Ω

S

11. 电路如图所示,试估算流过二极管的电流和A

点的电位。设二极管的正向压降为0.7V 。

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500Ω

2k V

12. 电路如图所示,试估算流过二极管的电流和A 点的电位。设二极管的正向压降为0.7V 。

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R V 3k 10k 32k Ω

第二章 半导体三极管

一、单选题

1. ( )具有不同的低频小信号电路模型。

A. NPN 管和PNP 管

B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管

C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管

D. 三极管和二极管

2. 放大电路如图所示,已知三极管的05=β,则该电路中三极管的工作状态为( )。

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A. 截止

B. 饱和

C. 放大

D. 无法确定

3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示,则此场效应管的类型是( )。

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A. 增强型PMOS

B. 增强型NMOS

C. 耗尽型PMOS

D. 耗尽型NMOS

4. 硅三极管放大电路中,静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ,则此时三极管工作于( ) 状态。

A. 饱和

B. 截止

C. 放大

D. 无法确定

5. 放大电路如图所示,已知硅三极管的50=β,则该电路中三极管的工作状态为( )。

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A. 截止

B. 饱和

C. 放大

D. 无法确定 6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于( )状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定

7. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ,则下列状态下三极管能正常工作的是( )。

A. mA 10,V 3C CE ==I U

B. mA 40,V 2C CE ==I U

C. mA 20,V 6C CE ==I U

D. mA 2,V 20C CE ==I U

8. 下面的电路符号代表( )管。

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A. 耗尽型PMOS

B. 耗尽型NMOS

C. 增强型PMOS

D. 增强型NMOS

9. 关于三极管反向击穿电压的关系,下列正确的是( )。

A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>

B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>

C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>

D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>

10. 在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )。

A.C B E I I I +=

B. B C I I β≈

C. CEO CBO I I )1(β+=

D. βααβ=+

11. ( )情况下,可以用H 参数小信号模型分析放大电路。

A. 正弦小信号

B. 低频大信号

C. 低频小信号

D. 高频小信号

12. 场效应管本质上是一个( )。

A 、电流控制电流源器件

B 、电流控制电压源器件

C 、电压控制电流源器件

D 、电压控制电压源器件

二、判断题

1. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移,且间距随温度升高而减小。

2. I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS =0时的漏极电流。

3. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏,以保证场效应管的输入电阻很大。

4. 三极管工作在放大区时,若i B 为常数,则u CE 增大时,i C 几乎不变,故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。

5. 对三极管电路进行直流分析时,可将三极管用H 参数小信号模型替代。

6. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同,因此,可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。

7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。

8. 双极型三极管由两个PN 结构成,因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。 9. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。

10. 分析三极管低频小信号放大电路时,可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件,从而简化计算。

11. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路,交流分析时可视为开路。 12. 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。

三、填空题

1. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种,它们的符号分别_______和

2. β反映 态时集电极电流与基极电流之比;β反映 态时的电流放大特性。

3. 当温度升高时,三极管的参数β会 ,CBO I 会 ,导通电压会

4. 某放大电路中,三极管三个电极的电流如图所示,测得I A =2mA ,I B =0.04mA ,I C =2.04mA ,则电极 为基

极, 为集电极, 为发射极;为 型管;=β 。

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5. 硅三极管三个电极的电压如图所示,则此三极管工作于 状态。

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6. 场效应管是利用 效应,来控制漏极电流大小的半导体器件。

7. 某三极管的极限参数mA 20CM =I 、mW 100CM =P 、V 20(BR)CEO =U 。当工作电压V 10CE =U 时,工作电

流I C 不得超过 mA ;当工作电压V 1CE =U 时, I C 不得超过_____ mA ;当工作电流mA 2C =I 时, U CE 不得超过 V 。

8. 三极管工作在放大区时,发射结为 偏置,集电结为 偏置。

9. 对三极管放大电路进行直流分析时,工程上常采用 法或 法。 10. 工作在放大区的一个三极管,如果基极电流从10微安变化到22微安时,集电极电流从1毫安变为2.1毫安,则该三极管的β约为 ;α约为 。

11. _______通路常用以确定静态工作点; 通路提供了信号传输的途径。 12. 场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。

13. 用于构成放大电路时,双极型三极管工作于 区;场效应管工作于 区 。

14. 当u gs =0时,漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为 型场效应管。

15. 某处于放大状态的三极管,测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ,U 2=-6V ,U 3=-6.2V ,则电极 为基极, 为集电极, 为发射极,为 型管。

16. 三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。 17. 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。

四、计算分析题

1. 三极管电路如图所示,已知三极管的80=β, U BE (on )=0.7V ,r bb′=200Ω,输入信号)mV (sin 20s t u ω=,

电容C 对交流的容抗近似为零。试:(1)计算电路的静态工作点参数I BQ 、I CQ 、U CEQ ;(2)画出电路的微变等效电路,求u BE 、i B 、i C 和u CE 。

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2. 场效应管的转移特性曲线如图所示,试指出各场效应管的类型并画出电路符号;对于耗尽型管求出U GS

(off )

、I DSS ;对于增强型管求出U GS (th )。

3. 三极管电路如图所示,已知β=100,U BE (on )=0.7V ,试求电路中I C 、U CE 的值。

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4. 图中三极管为硅管,β=100,试求电路中I B 、I C 、U CE 的值,判断三极管工作在什么状态。

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5. 场效应管的转移特性曲线如图所示,试指出各场效应管的类型并画出电路符号;对于耗尽型管求出U GS

(off )

、I DSS ;对于增强型管求出U GS (th )。

6. 图中三极管为硅管,β=100,试求电路中I B 、I C 、U CE 的值,判断三极管工作在什么状态。

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7. 场效应管电路如图所示,已知)mV (sin 20i t u ω=,场效应管的mS 58.0m =g 试求该电路的交流输出

电压u o 的大小。

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8. 图中三极管均为硅管,试求各电路中的I C 、U CE 及集电极对地电压U O 。

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9.图中三极管为硅管,β=100,试求电路中I B、I C、U CE的值,判断三极管工作在什么状态。

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10.场效应管的输出特性曲线如图所示,试指出各场效应管的类型并画出电路符号;对于耗尽型管求出U GS

、I DSS;对于增强型管求出U GS(th)。

(off)

摸拟电子技术(第2版) 第三章选择

第三章 放大电路基础

一、单选题

1. 图示电路( )

A .等效为PNP 管

B .等效为NPN 管

C .为复合管,其等效类型不能确定

D .三极管连接错误,不能构成复合管

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图号3401

2. 关于BJT 放大电路中的静态工作点(简称Q 点),下列说法中不正确的是( )。 A . Q 点过高会产生饱和失真 B .Q 点过低会产生截止失真 C . 导致Q 点不稳定的主要原因是温度变化 D .Q 点可采用微变等效电路法求得

3. 把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以( ) A .增大差模输入电阻 B .提高共模增益 C .提高差模增益 D .提高共模抑制比

4. 对恒流源而言,下列说法不正确的为( )。

A .可以用作偏置电路

B .可以用作有源负载

C .交流电阻很大

D .直流电阻很大

5. 图示电路中,为共发射极放大电路的是( )。

6. 差分放大电路由双端输入改为单端输入,则差模电压放大倍数( )。

A .不变

B .提高一倍

C .提高两倍

D .减小为原来的一半

图号3204

图号3203

A.

B.

C.

图号3205

R C

7.图示电路()

A.等效为PNP管,电流放大倍数约为β1

B.等效为NPN管,电流放大倍数约为β2

C.连接错误,不能构成复合管

D.等效为PNP管,电流放大倍数约为β1β2

2

2

图号3402

8.乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真的原因是()

A.输入电压信号过大B.三极管电流放大倍数太大

C.晶体管输入特性的非线性D.三极管电流放大倍数太小

9.直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为()。

A. 晶体管的非线性

B. 电阻阻值有误差

C. 晶体管参数受温度影响

D. 静态工作点设计不当

10.关于复合管,下述正确的是()

A.复合管的管型取决于第一只三极管

B.复合管的输入电阻比单管的输入电阻大

C.只要将任意两个三极管相连,就可构成复合管

D.复合管的管型取决于最后一只三极管

11.图示电路中,出现下列哪种故障必使三极管截止()。

A. R B1开路

B. R B2开路

C. R C短路

D. C E短路

图号3201

12.选用差分放大电路的主要原因是()。

A.减小温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数D.减小失真

13. 放大电路A 、B 的放大倍数相同,但输入电阻、输出电阻不同,用它们对同一个具有内阻的信号源电

压进行放大,在负载开路条件下测得A 的输出电压小,这说明A 的( )。 A. 输入电阻大 B. 输入电阻小 C. 输出电阻大 D.输出电阻小

14. 交越失真是( )

A .饱和失真

B .频率失真

C .线性失真

D .非线性失真

15. 复合管的优点之一是( )

A .电流放大倍数大

B .电压放大倍数大

C .输出电阻增大

D .输入电阻减小

16. 已知两共射极放大电路空载时电压放大倍数绝对值分别为A 1u 和A 2u ,若将它们接成两级放大电路,

则其放大倍数绝对值( )。

A. A 1u A 2u

B. A 1u +A 2u

C. 大于A 1u A 2u

D. 小于A 1u A 2u

17. 设图示电路工作于放大状态,当温度降低时,( )。

A .三极管的 增大

B .三极管的I CBO 增大

C . I CQ 增大

D .U CQ 增大

18. 某放大器的中频电压增益为40dB ,则在上限频率f H 处的电压放大倍数约为( )倍。 A. 43 B. 100 C. 37 D. 70

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19. 某放大器输入电压为10mv 时,输出电压为7V ;输入电压为15mv 时, 输出电压为6.5V ,则该放大器的电压放大倍数为( ) 。

A. 100

B. 700

C. -100

D. 433

20. 某共射极放大电路空载时输出电压有截止失真,在输入信号不变的情况下,经耦合电容接上负载电阻时,失真消失,这时由于( )。

A. Q 点上移

B. Q 点下移

C. 三极管交流负载电阻减小

D. 三极管输出电阻减小

图号3238

二、判断题

1. 放大电路只要静态工作点合理,就可以放大电压信号。 ( )

2. 乙类放大电路中若出现失真现象一定是交越失真。( )

3. 放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作( )

4. 只有直接耦合的放大电路中三极管的参数才随温度而变化,电容耦合的放大电路中三极管的参数不随温度而变化,因此只有直接耦合放大电路存在零点漂移。( )

5. 功率放大电路中,输出功率越大,三极管的管耗也越大。( )

6. 图示电路中be

L C be BQ L C BQ i o u r R R r I R R I u u A )

//()//(ββ-=?-==

。 ( )

图号3201

7. 单端输出的电流源差分放大电路,主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。( ) 8. 多级放大电路的输入电阻等于第一级的输入电阻,输出电阻等于末级的输出电阻。( ) 9. 频率失真是由于线性的电抗元件引起的,它不会产生新的频率分量,因此是一种线性失真。( ) 10. 结构完全对称的差分放大电路,空载时单端输出电压放大倍数为双端输出时的一半。 ( ) 11. 差分放大电路单端输出时,主要靠电路的对称性来抑制温漂。 ( )

12. 将乙类双电源互补对称功率放大电路去掉一个电源,就构成乙类单电源互补对称功率放大电路。( )

13. 负载电阻所获得的能量取自于直流电源,而不是信号源或有源器件。( ) 14. 放大电路的输出电阻等于负载电阻R L 。 ( )

15. 直接耦合的多级放大电路,各级之间的静态工作点相互影响;电容耦合的多级放大电路,各级之间的静态工作点相互独立。( )

16. 恒流源电路具有输出电流稳定,交流内阻非常大的特点,因此常用作偏置电路和有源负载。 ( ) 17. 输入电阻反映了放大电路带负载的能力。 ( )

18. 三极管放大电路中,设u b 、u e 分别表示基极和发射极的信号电位,则u b =U BEQ +u e 。 ( )

19. 差分放大电路中单端输出与双端输出相比,差模输出电压减小,共模输出电压增大,共模抑制比下降。 ( )

20. 乙类双电源互补对称功率放大电路中,正负电源轮流供电。( )

21. 双极型三极管的小信号模型中,受控电流源流向不能任意假定,它由基极电流i b 的流向确定。( ) 22. 产生交越失真的原因是因为输入正弦波信号的有效值太小。( ) 23. 直接耦合放大电路存在零点漂移主要是由于晶体管参数受温度影响。( ) 24. 乙类互补对称功率放大电路中,输入信号越大,交越失真也越大。( )

25.集成放大电路采用直接耦合方式的主要原因之一是不易制作大容量电容。()

26.与三极管放大电路相比,场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。()

27.单端输出的长尾式差分放大电路,主要靠公共发射极电阻引入负反馈来抑制温漂。()

28.场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。()

三、填空题

1.放大器的静态工作点过高可能引起______失真,过低则可能引起____ __失真。分压式偏置电路具有自动稳定____ __的优点。

2.当差分放大电路输入端加入大小相等、极性相反的信号时,称为输入;当加入大小和极性都相同的信号时,称为输入。

3.放大电路中采用有源负载可以电压放大倍数。

4.场效应管放大电路中,共极电路具有电压放大能力,输出电压与输入电压反相;共极电路输出电阻较小,输出电压与输入电压同相。

5.三种基本组态双极型三极管放大电路中,若希望源电压放大倍数大,宜选用共__ 极电路,若希望带负载能力强,宜选用共极电路,若希望从信号源索取的电流小,宜选用共极电路,若希望用作高频电压放大器,宜选用共极电路。

6.若信号带宽大于放大电路的通频带,则会产生失真

7.电阻反映了放大电路对信号源或前级电路的影响;电阻反映了放大电路带负载的能力。

8.单级双极型三极管放大电路中,输出电压与输入电压反相的为共极电路,输出电压与输入电压同相的有共极电路、共极电路。

9.某乙类双电源互补对称功率放大电路中,电源电压为±24V,负载为8Ω,则选择管子时,要求U(BR)

大于,I CM大于,P CM大于。

CEO

10.已知某放大电路的∣Au∣=100,∣Ai∣=100,则电压增益为dB,电流增益为dB,功率增益为dB。

11.测量三级晶体管放大电路,得其第一级电路放大倍数为-30,第二级电路放大倍数为30,第三级电路放大倍数为0.99,输出电阻为60Ω,则可判断三级电路的组态分别是、、。

12.在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中,若两个输入电压u i1=u i2,则输出电压u O = 。若u i1=+50mV,u i2=+10mV,则可知该差动放大电路的共模输入信号u ic= ; 差模输入电压u id = ,因此分在两输入端的一对差模输入信号为u id1= ,u id2= 。

13.某两级三极管放大电路,测得输入电压有效值为2mV,第一级和第二级的输出电压有效值均为0.1V,输出电压和输入电压反相,输出电阻为30Ω,则可判断第一级和第二级放大电路的组态分别是和。

14.理想集成运放中存在虚断是因为差模输入电阻为,流进集成运放的电流近似为;集成运放工作在线性区时存在有虚短,是指和电位几乎相等。

15.理想集成运放差模输入电阻为,开环差模电压放大倍数为,输出电阻为。

16.单级双极型三极管放大电路中,既能放大电压又能放大电流的是共极电路,只能放大电压不能放大电流的是共极电路,只能放大电流不能放大电压的是共______极电路。

17.NPN管和PNP管构成放大电路时,所需的工作电压极性相,但这两种管子的微变等效电路。

18.乙类互补对称功率放大电路的效率比甲类功率放大电路的,理想情况下其数值可达。

19.当输入信号为零时,输出信号不为零且产生缓慢波动变化的现象称为。差分放大电路

对之具有很强的作用。

20.差分电路的两个输入端电压分别为u i1=2.00V,u i2=1.98V,则该电路的差模输入电压u id为V,共模输入电压u ic为V。

21.射极输出器的主要特点是:电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。

22.一个两级三极管放大电路,测得输入电压有效值为2mV,第一级和第二级的输出电压有效值均为0.1V,则该电路的放大倍数为。其中,第一级电路的放大倍数为,第二级电路的放大倍数为。23.放大电路中,当放大倍数下降到中频放大倍数的0.7倍时所对应的低端频率和高端频率,分别称为放大电路的频率和频率,这两个频率之间的频率范围称为放大电路的。

24.差分放大电路抑制零漂是靠电路结构和两管公共发射极电阻的很强的作用。

25.差分放大电路中,若u i1= +40mV,u i2= +20mV,A ud= -100,A uc= -0.5,,则可知该差动放大电路的共模输入信号u ic= ; 差模输入电压u id= ,输出电压为u o= 。

26.乙类互补对称功率放大电路中,由于三极管存在死区电压而导致输出信号在过零点附近出现失真,称之为。

27.差动放大电路具有电路结构___ _的特点,因此具有很强的__ 零点漂移的能力。它能放大__ _模信号,而抑制___ __模信号。

28.功率放大电路采用甲乙类工作状态是为了克服,并有较高的。

29.当放大电路要求恒压输入时,其输入电阻应远于信号源内阻;要求恒流输入时,输入电阻应远于信号源内阻

30.三种基本组态双极型三极管放大电路中,输入电阻最大的是共极电路,输入电阻最小的是共极电路,输出电阻最小的是共极电路。

三、计算分析题

1.放大电路如图所示,已知电容量足够大,Vcc=12V,R B1=15kΩ,R B2=5kΩ,R E=

2.3kΩ,R C =5.1kΩ,R L=5.1kΩ,三极管的β=100,Ω

r,U BEQ=0.7V。试:

=200

'

bb

(1)计算静态工作点(I BQ、I CQ、U CEQ);

(2)画出放大电路的小信号等效电路;

(3)计算电压放大倍数A u、输入电阻R i.和输出电阻R o。

(4)若断开C E,则对静态工作点、放大倍数、输入电阻的大小各有何影响?

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2.场效应管放大电路如图所示,已知gm=2mS,R G3=5.1M?,R D=20 k?,R L=10k? ,各电容对交流的容抗近似为零。试:(1)说明图中场效应管的类型;(2)画出放大电路的交流通路和小信号等效电路;(3)求A u、R i、R o。

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3.差分放大电路如图所示,已知场效应管g m=2mS,I0为场效应管构成的恒流源,V1、V2管的静态栅源偏压合理,即满足U GS(off)<U GSQ<0。试:(1)求V1、V2管静态工作点I DQ及U DQ;(2)画出该电路的差模交流通路;(3)求A ud 、R id 、R o 。

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4.如图所示OTL电路中,已知V CC=16V,R L=4Ω,V1和V2管的死区电压和饱和管压降均可忽略不计,输入电压足够大。试求最大不失真输出时的输出功率P o m、效率ηm。

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图号3404