模拟电子技术复习大纲

模拟电子技术复习大纲

题型：单选20、判断10、填空20、问答题50

1.PN结加正向电压时，空间电荷区将如何变化？

2.稳压管的稳压区是其工作在什么状态？

3.在本征半导体中加入什么元素可形成N型半导体？

4.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为什么状态？

5.对于放大电路，所谓开环和闭环是指什么状态？

6.三极管的电流放大系数β，随温度的升高会如何变化？

7.三极管三种基本组态放大电路中，既有电压放大能力又有电流放大能力的组态是什么？

8.使工作点不稳定的原因主要是温度的变化影响了放大电路的什么元件？

9.阻容耦合放大电路可以放大何种信号？

10.由于三极管极间电容的影响，当输入信号频率大于电路上限频率时，放大电路增益会怎样变化？

11.共射级放大电路中，调大集电极电阻RC时，输出电压会出现什么现象？

12.集成运放输入级采用差分放大电路是什么原因？

13.为增大电压放大倍数，集成运放中间级采用什么形式电路？

14.欲实现负的的电压放大倍数，电路应该选用什么形式

15.欲将正弦波转换成方波，电路应该选用什么形式？单限比较器和滞回比较器

16.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用什么电路？积分运算电路

17.欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用什么电路？乘方电路

18.欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用什么电路？

19.欲将方波电压转换成正负尖脉冲电压，应选用什么电路？微分运算电路

20.如果要抑制50Hz交流电源的干扰，应选用什么电路？

21.处理具有f0 Hz固定频率的有用信号，应选用什么电路？

22.已知输入信号的频率为f0 Hz～f1 Hz，为了防止干扰信号的混入，应选用什么滤波电路。带通

23.为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用什么滤波电路。有

源滤波器！

24.从输入信号中取出低于某一频率的信号，应选用什么电路？

25.抑制某一频率以上的高频干扰，应选用什么电路？

26.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是什么？晶体管参数受温度影响

27.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是什么？不易制作大容量电容

28.选用差分放大电路的原因是什么？克服温漂

29.用恒流源取代差分放大电路中的发射极电阻Re，有什么作用？

30.什么是放大电路的反馈深度？1+AF

31.引入负反馈可以使放大电路的放大倍数怎样变化？

32.已知基本放大器增益A，反馈系数F，则闭环增益A f是多少？

33.放大电路引入交流负反馈有什么作用？增加增益稳定性，减小环路内

．．．非线性失真和噪声、拓展频带

34.电路中引入直流负反馈，有什么作用？可以稳定静态工作点

35.在输入量不变的情况下，怎样引入的反馈是负反馈？（净输入量减小，输出减小）

36.什么是电压负反馈，什么是电流负反馈？什么是并联负反馈？什么是串联负反馈？有什么作用？

37.欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入什么反馈。电压串联负反馈

38.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入什么反馈。电流并联负反馈

39.欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入什么反馈。电压并联负反馈888888

40.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入什么反馈。电流串联负反馈888888

41.欲增大输入阻抗，增大带负载能力，应在放大电路中引入什么反馈？

42.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应引入什么反馈？

43.为了稳定静态工作点，应引入什么反馈。直流负反馈

44.为了稳定放大倍数，应引入什么反馈。交流负反馈

45.为了改变输入电阻和输出电阻，应引入什么反馈。交流负反馈

46.为了抑制温漂，应引入什么反馈。直流负反馈88888888888

47.为了展宽频带，应引入什么反馈。交流负反馈

48.差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的什么关系，共模信号是两个输入端信号的什么关系。

49.半导体中两种载流子是什么？

50.在N型半导体中，多数载流子是什么，在P型半导体中，多数载流子是什么？

51.三极管是一种什么控制器件，而场效应管是一种什么控制器件。

52.三极管工作在放大区的条件是发射结和集电结满足什么条件？

53.三极管工作在饱和区的条件是发射结和集电结满足什么条件？

54.基本放大电路有三种组态，分别是什么组态。

55.非线性失真包括什么和什么两种。

56.多级放大电路中常见的耦合方式有三种，分别是什么耦合

57.影响放大电路低频特性的主要因素是什么，影响高频特性的因素是什么。隔直耦合电容，极间电容

8888888

58.集成运算放大器内部电路主要由哪四部分组成？差动输入级，中间放大级，输出级，偏置电路

59.理想运放的电压增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比KCMR有什么特点？

60.在运放的线性应用电路中（比例放大器、加减法器、积分器、微分、乘法、对数、指数等），通常引

入什么反馈，在运放构成的比较器中，通常引入什么反馈。负反馈，正反馈

61.运放的“虚短”和“虚断”的概念什么时候可以用？什么时候不能用？线性电路可用“虚短”和“虚

断”的概念，非线性电路只能用“虚断”的概念。

1．电路如图所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。

Ui>0时Uo=UiUi<0时Uo=0

2、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。

3在图所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。

4电路如图所示，晶体管的 ＝100，'bb r=100Ω。

（1）求电路的Q点、

A 、R i和R o；

u

（2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？

5试求出图所示各电路的电压传输特性。

6 试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视

为短路。

7 电路如图所示，晶体管的β＝80，

'

bb r =100Ω。分别计算RL ＝∞和RL ＝5k Ω时的Q 点、

u

A 、Ri 和

Ro 。

8 电路如图所示，晶体管的β＝80，r be =1k Ω。

（1）求出Q 点；

（2）分别求出R L＝∞和R L＝3kΩ时电路的

A 和R i；

u

（3）求出R o。

9如图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，U

≈0.7。试计算R W滑动端在中点

BE Q

时T1管和T2管的发射极静态电流I E Q，以及动态参数A d和R i。

10电路如图所示，T

管和T2管的β均为40，r b e均为3kΩ。试问：若输入直流信号1

u I1=20mv，u I2=10mv，则电路的共模输入电压u I C=？差模输入电压u Id=？输出动态电压△u O=?

11一个电压串联负反馈放大电路，已知3

F=，

10

A=，0.099

(1)试计算?

A=

f

(2)如果输入信号0.1i u V =，试计算净输入信号id u =？反馈信号f u =？输出信号o u =？

12 如图所示，根据电路要求正确连接反馈电阻R f 。

(1) 希望负载发生变化时，输出电压能够稳定不变，R f 应该与点J 、K 、M 、N 如何连接？

(2) 希望电路向信号源索取的电流减小，R f 应该与点J 、K 、M 、N 如何连接？ (3) 希望电路的输入阻抗减小，R f 应该与点J 、K 、M 、N 如何连接？

Rf

A

B

13 为了达到下列目的，应该引入哪种负反馈以及电路如何连接？

(1) 减小放大电路从信号源索取的电流并增强带负载能力； (2) 将输入电路i I 转换成稳定的输出电流i O ； (3) 将输入电流i I 转换成稳定的输出电压u O ；

VEE

Rf

①⑩

14 在如图所示电路中，已知输入电压u I 的波形如图（b ）所示，当t ＝0时u O ＝0。试画

出输出电压u O 的波形。

15试求如图所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子技术教案

授课计划 授课时数： 2 授课教师：赵启学授课时间： 课题：半导体二极管 教学目的： 1、理解PN结及其单向导电性 2、了解半导体二极管的构成与类型 教学重点：1、PN结及其单向导电性2、二极管结的构成 教学难点：PN结及其单向导电性 教学类型：理论课 教学方法：讲授法、启发式教学 教学过程： 引入新课： 模拟电子技术基础是一门入门性质的技术基础课，没有哪一门课程像电子技术的发展可以用飞速发展，日新月异。从1947年，贝尔实验室制成第一只晶体管；1958年，集成电路；1969年，大规模集成电路；1975年，超大规模集成电路，一开始集成电路有4只晶体管，1997年，一片集成电路有40亿个晶体管。不管怎么变化，但是万变不离其宗，这门课我们所讲的就是这个“宗”。（10分钟） 讲授新课： 一：PN结（30分钟） 1、什么是半导体，什么是本证半导体？（10分钟） 半导体：导电性介于导体和绝缘体之间的物质 本征半导体：纯净（无杂质）的晶体结构（稳定结构）的半导体，所有半导体器件的基本材料。常见的四价元素硅和锗。

2、杂质半导体（20分钟） N型半导体：在本征半导体中参入微量5价元素，使自由电子浓度增大，成为多数载流子（多子），空穴成为少数载流子（少子）。如图（a） P型半导体：在本证半导体中参入微量3价元素，使空穴浓度增大，成为多子，电子成为少子，以空穴导电为主的杂志半导体称为P型半导体。如图（b） 3、PN结 P型与N型半导体之间交界面形成的薄层为PN结。 二：PN结的单项导电性（20分钟） PN结加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻，我们称PN 结导通；PN结加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，我们称PN 结截止。这就是PN结的单向导电性。 1、正偏 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流（与外电场方向一致）I F

模拟电子技术复习提纲资料

;1;β β αβ+=??=??????????= E C B C I I I I 模拟电子技术复习提纲 （各章重点及公式汇编） 第三章 1. 半导体 | 2．PN 结正偏时： 反 偏时 ： 削弱内电场 增强内电场 PN 结变窄，导通； PN 结变宽，截止 > 第四章 1、三极管工作在放大区 2、电流分配关系 条件 关系式 NPN 型 PNP 型 ] BE 结正偏 BC 结反偏 Ic=βIb 放大功能 V = (Si) (Ge) ； U ＞1V V =- (Si) (Ge) U ＞-1V I= I+I 3、三极管热稳定性差; I ≥ I ＞＞I 半导体 N 型 > P 型 掺杂 5价 施主杂质 3价 受主杂质 多子 电子 ~ 空穴 少子 空穴 电子

中小值 和取不产生饱和失真不产生截止失真om om om CES CEQ om L CQ om U U U U U U R I U -==L C L b BE BQ R R R R V Vcc I //;='????????????-= be L i O V r R Rc V V A -== )//(βbe L i O V r R Rc V V A -== ) //(βR r R V V A L be L i O V 1Re//)1())(Re//1(≈+++== ββ 反向饱和电流I ；穿透电流I = (1+β) I 4、共射放大器 （2）最大不失真V om （振幅）计算 （1）图解方法： U 为饱和压降 ： （3）NPN 管共射放大的失真 及消除方法 U （t ）截止失真波形 、 U （t ）饱和失真波形 （4）直流通路和交流通路要求能熟练掌握 （5）三极管小信号等效电路 — （6）放大电路的计算 共射放大(固定偏置) 共射放大(分压式偏置) 共集放大 | ￥ 电 路 静态工作点Q 的计算 动

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时， 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示：

模拟电子技术复习提纲

模拟电子技术复习提纲 第一章常用半导体器件 1．知道什么叫半导体？半导体有哪三种特性？什么叫本征激发？本征激发使半导体内产生的两种载流子的数目为何种关系？温度升高后载流子数目会怎样变化？ 2．掌握杂质半导体的掺杂情况？杂质半导体内部多子和少子各是什么载流子？多子和少子分别由什么途径产生？杂质半导体对外是否显电性？为什么？ 3．掌握在PN结的形成过程中扩散和漂移运动分别是什么原因产生的？它们对空间电荷区有什么影响？ 4．掌握PN结的导电特性？何为外加正向电压？何为外加反向电压？外加电压对PN结内部空间电荷区宽度有什么影响？对PN结电阻有什么影响？ 6．熟练掌握半导体二极管理想化处理的有关情况： 外加正向电压时，管电阻看成------ ，二极管压降看成------- ，管子看成------开关，通过二极管的电流的大小由-----决定，电流方向------；外加反向电压时，管电阻看成-------，通过管子的电流看成-------，管子看成--------开关，二极管两端压降的数值由-------决定。 7．掌握半导体二极管有哪些主要应用？给出限幅电路、整流电路、箝位电路，根据输入波形画出输出波形（参考习题1.2，1.3，1.5），或根据输入电压判断输出电压。 8．半导体二极管在使用中I C与I CM、U R与U RM、f与f M应为何种关系？用万用表欧姆挡挑选二极管时，什么样的管子单向导电特性好些？ 9.稳压二极管与普通二极管有什么相同和不同？稳压二极管的主要作用是什么？当外加正向电压时管子两端压降如何？当外加反向电压数值小于U Z时管子两端电压如何？当外加反向电压数值大于U Z时管子两端电压如何？ 10．了解双极型三极管内部结构和工作原理。 11．掌握双极型三极管的输入特性和输出特性；三种工作状态与极间电压的定性关系（参考习题1.8，1.9）；由输出特性曲线求 。 12．画出NPN、PNP三极管I CB0、I CE0测试电路。 13．掌握温度变化时双极型三极管哪些参数会发生变化？如何变化？ 14．了解场效应管的内部结构和工作原理。熟悉场效应管符号，由符号指出管子的沟道、是结型还是绝缘栅型、是耗尽型还是增强型？处在放大状态极间电压的定性关系。 第二章基本放大电路 1．给出自测T2.2所示电路，指出能否放大，并指出理由；对不能放大的电路如何改进才能有电压放大作用？ 2．掌握放大电路的图解分析法；对于基本放大电路来说，当V CC、R C、R B分别变化时，用图解法分析Q点的变化。给出输入波形作出有关波形。对于有失真的电路如何改变电路参数才能改善失真波形。对给定电路能分析最大不失真输出电压值。 3．熟练掌握用近似计算法计算各种双极型三极管放大电路的静态工作点。 4．熟练掌握用微变等效法分析计算各种双极型三极管放大电路的性能指标。(参考习题2.7，2.9，2.11，2.12，2.13) 5．了解场效应管放大电路的分析。 6．熟练掌握复合管是否正确的判断。 第三章多级放大电路 1．掌握多级放大电路级间耦合有哪几种形式？各有什么特点？计算两级双极型三极管放大电路的静态工作点和性能指标（参考习题3.2，3.3）。 2．知道直接耦合放大电路产生零点漂移的原因和主要原因。 3．掌握差分放大电路有哪几种输入、输出接法？它们的Ad与Au的关系如何？uo与ui 的相位关系如何？长尾电路中Re的作用如何？它的数值改变对电路对差模放大倍数、共模放大倍数、共模抑制比各有什么影响？

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。

A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( ×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。 (b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U PUp—

模拟电子技术基础教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。

3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5

《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲

模拟电子技术基础复习提纲 第一章绪论 ）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。（放大倍数、输入电阻、输出电阻） 第三章二极管及其基本电路 ）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。N型半导体和P型半导体。在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。 ）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线） ）二极管的三种模型表示方法。（理想模型、恒压降模型、折线模型）。（V BE=） 第四章双极结型三极管及放大电路基础 ）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。（由三端的直流电压值判断各端的名称。由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数） ）什么是直流负载线什么是直流工作点 ）共射极电路中直流工作点的分析与计算。有关公式。(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。 ）小信号模型中h ie和h fe含义。 ）用h参数分析共射极放大电路。（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。 ）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。各种组态的特点及用途。P147。（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。） 复合管类型及判别。（类型与前一只管子决定） ）什么是波特图怎样定义放大电路的带宽（采用对数坐标的幅频和相频特性曲线。） ）RC低通电路的波特图及特点。（3dB带宽） ）影响三极管带宽上限的原因是晶体管极间电容和分布电容的存在，使高频信号增益降低。 第五章场效应管放大电路 ）什么叫单极性器件场效应管和BJT放大原理的最根本的不同点是什么 ）场效应管的种类及符号识别。（重点为N沟道增强型场效应管，该管在放大状态下，开启电压V T为正值，栅极电压应大于源极电压）。

模拟电子技术教程课后习题答案大全

第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案

模拟电子技术教案课程

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模拟电子技术教案 电子与信息工程学院 目录 第一章常用半导体器件 第一讲半导体基础知识 第二讲半导体二极管 第三讲双极型晶体管三极管 第四讲场效应管 第二章基本放大电路 第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理 第六讲放大电路的基本分析方法 第七讲放大电路静态工作点的稳定 第八讲共集放大电路和共基放大电路 第九讲场效应管放大电路 第十讲多级放大电路 第十一讲习题课 第三章放大电路的频率响应 第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型

第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积 第四章功率放大电路 第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路 第十五讲改进型OCL电路 第五章模拟集成电路基础 第十六讲集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路第十七讲差动放大电路 第十八讲集成运算放大电路 第六章放大电路的反馈 第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算 第二十一讲负反馈对放大电路的影响 第七章信号的运算和处理电路 第二十二讲运算电路概述和基本运算电路 第二十三讲模拟乘法器及其应用 第二十四讲有源滤波电路 第八章波形发生与信号转换电路 第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路 第二十六讲电压比较器

第二十七讲非正弦波发生电路 第二十八讲利用集成运放实现信号的转换 第九章直流电源 第二十九讲直流电源的概述及单相整流电路 第三十讲滤波电路和稳压管稳压电路 第三十一讲串联型稳压电路 第三十二讲总复习 第一章半导体基础知识 本章主要内容 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。 本章学时分配 本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 本讲重点

模拟电子技术总结复习资料

半导体二极管及其应用电路 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 7. PN结 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 * PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。

（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)

绪论 一.符号约定 ?大写字母、大写下标表示直流量。如：V CE、I C等。 ?小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如：v CE、i B等。?小写字母、小写下标表示纯交流量。如：v ce、i b等。 ? 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如：等。 二．信号 （1）模型的转换 （2）分类 （3）频谱 二.放大电路 （1）模型

（2）增益 如何确定电路的输出电阻r o？

三．频率响应以及带宽 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

模拟电子技术基础复习大纲

模拟电子技术基础复习大纲 书中有关符号的约定 ·大写字母、大写下标表示直流量。如，VCE、IC等。 ·小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如，vCE、iB等。 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如，vce、Ib等。第一章半导体器件基础 1、理解半导体中有两种载流子 电子空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴。 2、理解本征半导体和本征激发 本征半导体——化学成分纯净的半导体 本征激发的特点—— 两种载流子参与导电，自由电子数（n）=空穴数（p） 外电场作用下产生电流，电流大小与载流子数目有关 导电能力随温度增加显著增加 3、理解杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力）（重点） 少数载流子是由电子—空穴对（本征激发）产生而来， 多子浓度主要取决于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 4、熟练掌握PN结 形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空 间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运

动，达到动态平衡。 单向导电性——（重点） 不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0 加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD 加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的 漂移运动形成反向电流 特性方程：iD=IS（eVo/VT-1） 特性曲线： 正向导通：死区、导通区 反向截止：截止区、击穿区 5、理解二极管 单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同 主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、极间电容、最高工作频率 分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型 导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各物理量。 6、特殊二极管——稳压管（工作在反向击穿区） 反向偏置且VI＞VZ 稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，使输出电压稳定

模拟电子技术习题答案

模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2

第一章 绪论 一、填空题： 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的 电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便？ 解：直接将它与10Ω扬声器连接， 扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示

《模拟电子技术基础》教学大纲

《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 （一）课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础，以集成电路为主体，通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用；通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解，掌握基本电路的设计与调试方法，便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析和解决问题的能力。（二）基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求： 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点：

放大电路的模型，放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点： 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容： 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍，引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解，待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求： 了解集成运放的主要结构，掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路，包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件－PSPICE。 教学重点： 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点： 对理想放大器的理解，“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容： (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下，放大器的电路参数及其物理意义。

_电工电子技术_精品课程建设初探

第6卷　第2期漯河职业技术学院学报 Vol .6No 12　2007年4月 Journal of Luohe Vocati onal Technol ogy College Ap r 12007 收稿日期:2007-01-26 作者简介:刘光平(1978-),男,浙江广厦建设职业技术学院信息与控制工程学院助教。 《电工电子技术》精品课程建设初探 刘光平 (浙江广厦建设职业技术学院信息与控制工程学院,浙江东阳322100) 摘要:本文阐述了高职高专精品课程建设的意义以及教师参加精品课程建设的一些做法及体会。 关键词:精品课程;教学质量;教学方法中图分类号:G423.07 文献标识码:A 文章编号:1671-7864(2007)02-0188-02 精品课程是指具有一流教师队伍、一流教学内容、一流教学方法、一流教材、一流教学管理等特色的示范性课程。高职高专精品课程是指体现高职高专教育特色和一流教学水平的示范性课程。精品课程建设要体现现代教育思想,符合科学性、先进性、创新性、系统性、适用性和教育教学的普遍规律,具有示范性和辐射推广作用。在《教育部关于启动高等学校教学质量与教学改革工程精品课程建设工作的通知》中明确指出,精品课程建设要重点抓好七个方面的工作:(1)严格制定学科的建设计划;(2)切实加强教学队伍建设;(3)重视教学内容和课程体系改革;(4)注重使用先进的教学方法和手段;(5)重视教材建设;(6)理论教学与实践教学并重;(7)建立切实有效的激励和评价机制。2006年我们楼宇智能教研室在学院领导的大力支持下,启动了精品课程建设。在教研室孙教授的组织与带领下,我们成功申报了《电工电子技术》省精品课程,成立了精品课程建设小组,开始了精品课程建设的实践。目前课程的建设工作正按计划有序进行。本人也一直参与了该门精品课程的建设工作,根据本人的亲身经历,谈谈高职高专精品课程建设的体会。 一、精品课程建设的意义 高职教育是培养适应生产、建设、管理、服务第一线需要的高等技术应用型专门人才,以就业为导向的高等教育。高职院校在办学过程中,应紧紧围绕市场需求,不断探索、大胆创新、主动适应社会、适应地方经济发展对人才的需求。因此,高职院校应努力形成自己的办学特色。在这个过程中,课程是重要的载体,办学特色正是通过课程教学来实现的,抓好课程建设,对高职特色的形成具有重要意义。从这个意义上讲,精品课程是学校教育质量的重要标志,高职院校可以通过精品课程来反映自身的教育特色。 另外,通过精品课程的建设,可以激发教师的敬业、奉献精神。精品课程的标准最主要的是高水平的课程主持人、主讲教师和优异的教学质量。所以,精品课程建设首先要求有—流的教师队伍,教师是质量工程的灵魂,课程是由教师承担、设计和讲授的,教师的素质和精神风貌对课程建设有很大影响力。在精品课程建设过程中,教师要投入大量的时间和精力,这需要一种敬业奉献精神来支撑。通过精品课程建设,锻炼了教师队伍,提高了教师自身水平,同时促进了教学质量的提高。 二、精品课程建设的主要内容 (一)教学内容建设 《电工电子技术》是一门专业基础课,它要为后续的专业课的教学服务。我们学院开设《电工电子技术》课程的专业主要有机电一体化与楼宇智能化工程技术两个专业。在确定教学内容时,以培养岗位能力为着眼点,依据这两个专业人才培养规格所制订的综合能力表,构建新的课程(模块)体系,按照层层分解的子能力要素选择相应的教学内容,然后再按课程规律把相关内容有机衔接。在课程体系结构中,不追求学科的完整性,但也不刻意去打破,内容的取舍遵循教学规律,知识结构有序可循,知识的综合具有有机性和相融性,教学内容与培养目标相呼应,根据课程目标选择和组合知识,确定基本内容。明确课程主要内容应达到的教学目标,教师不引导学生过多地探究“为什么”,而是使他们懂得“是什么、怎么做”。对学生的要求是能够正确运用方法进行操作,或是要求学生运用相关理论解决实际问题。教学内容的安排上高度重视实验、课程设计、实训等实践性教学环节,实践性内容占整个教学内容的50%。 (二)教学方法与手段建设 1.采用启发式教学、讨论式教学,激发学生创造性思维 在课堂教学中,采用启发式教学,以知识为载体,培养学