数字电路与系统设计：第9章习题答案
习题目录
9.1 (2)
9.2 (2)
9.3 (2)
9.4 (3)
9.5 (4)
9.6 (6)
9.7 (6)
9.8 (6)
9.9 (6)
9.10 (7)
9.11 (7)
9.1在ROM中，什么是“字数”，什么是“位数”？如何标注存储器的容量？
解：地址译码器的输出线称作字线，字数表示字线的个数；存储矩阵的输出线称作位线(数据线)。位数表示位线的个数。字线和位线的每个交叉占处有—个存储单元。因此存储容量用“字数×位数”表示。
9.2固定ROM、PROM、EPROM、E2PROM之间有何异同？
解：固定ROM、PROM、EPROM、E2PROM都是只读存储器，它们的工作原理和结构相同，都是由地址译码器、存储矩阵和输出电路构成，当地址译码器选中某一个字后，该字的若干位同时由输出电路输出，存储矩阵由M个字、每个字N位的存储单元构成。
它们的不同之处在于存储单元的写入和擦除方式不同。固定ROM出厂时结构数据已经固定，用户不能更改，适于存储大批量生产的程序和数据，常被集成到微控制器中作为程序存储器；PROM可由用户写入数据，但只能一次性写入，之后不能更改。适于存储中、小批量生产的程序和数据；EPROM数据可通过紫外线擦除，重新写入。可擦除数百次，写入一个字节需50ms。适用于开发研制阶段存储数据和程序，并可经常修改；E2PROM数据可通过电擦除，因此在工作时间可随时擦写。可擦除数10~1000万次，写入一个字节需20ms。适合于信息量不大，经常要改写，掉电后仍保存的场合。
9.3 试用ROM阵列图实现下列一组多输出逻辑函数
F1(A,B,C)=?AB+A?B+BC
F2(A,B,C)=∑m(3,4,5,7)
F3(A,B,C)=?A?B?C+?A?BC+?ABC+AB?C+ABC
解：将F1 ,F2 ,F3都用最小项表达式表示：
F1(A,B,C)=?AB+A?B+BC=∑m(2,3,4,5,7)
F2(A,B,C)=∑m(3,4,5,7)
F3(A,B,C)=?A?B?C+?A?BC+?ABC+AB?C+ABC=∑m(0,1,3,6,7)
ROM的阵列图如下图：
图9.3.1 题9.3的阵列图
9.4 用适当规模PROM 设计2位全加器，输入被加数及加数分别为a 2a 1和b 2b 1，低位来的
进位是CI ，输出本位和∑2∑1以及向高位的进位C O2。 解：列两位全加器的真值表9.3.1：
表9.3.1 全加器的真值表
A B
C
F 1 F 2 F 3
需要32×3的PROM ，阵列图如图所示：
图9.3.2 题9.4的阵列图
9.5用PROM 实现下列码制转换：
（1）4位二进制自然码转换成二进制格雷码。 （2）4位二进制格雷码转换成二进制自然码。 解：（1）列真值表9.3.2：
表9.3.2 4位二进制自然码转换成二进制格雷码的真值表 a 1b 1C O2 ∑
b 2a 2∑
G3=∑m（8，9，10，11，12，13，14，15）G2=∑m（4，5，6，7，8，9，10，11）
G1=∑m（2，3，4，5，10，11，12，13）G0=∑m（1，2，5，6，9，10，13，14）
图9.3.3 题9.5（1）的阵列图
图9.3.4 题9.5（2）的阵列图
9.6ROM和RAM的主要区别是什么？它们各适用于那些场合？
答：主要区别是ROM工作时只能读出，不能写入，但断电以后所存数据不会丢失；
RAM工作时能对位读写，但掉电以后数据丢失。
ROM适用于存放固定信息；
RAM适用于存放暂存信息。
9.7 有容量为256×4,64K×1,1M×8,128K×16为的ROM,试分别回答:
(1)这些ROM有多少个基本存储单元?
(2)这些ROM每次访问几个基本存储单元?
(3)这些ROM个有多少个地址线?
答: (1) 分别有1024个,1024×64个,1M×8,128K×16个
（2）分别为4个,1个,8个,16个
（3）分别有2, 16,20,17条地址线
9.8 2114RAM（1024×4位）的存储器为64×64矩阵，它的地址输入线，行地址输入线，
列地址输入线，输入/输出线各是多少条？每条列选择输出线同时接几位？
答：地址输入线10条；
行地址输入线6条；
列地址输入线4条；
输入输出线4条；
每条列选输出线同时接四位。
9.9试用5位扩展方法将两片256×4位的RAM组成一个256×8的RAM，画出电路图。
图9.3.5 题9.9的RAM扩展图
9.10用2114构成2K×8的静态存储器，画出逻辑图
（参阅教材P236例9.2.1）
9.11说明串行存储器与ROM、RAM的区别。串行存储器根据不同可分为哪几种形式？
根据移位寄存器采用的类型不同又分为哪几种？
答：（1）SAM工作时既可读出又可写入，这一点相当于RAM而不同于ROM，但RAM 可对位读写，而SAM中数据是按次序串行写入或读出，读写时间较长，但是是非破坏性读写。
（2）按结构分类可分为：先进先出、先进后出。
（3）可分为MOS移位寄存器型SAM和CCD移位寄存器型SAM。