《 模拟电子技术 》试卷A-附答案(华南理工大学)
诚信应考,考试作弊将带来严重后果！
华南理工大学期末考试
《 模拟电子技术 》试卷A (2011.07.04)
1. 考前请将密封线内填写清楚；
2. 闭卷考试；所有题均直接答在试卷纸上；
选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每小题2分，共20分) ．二极管D 的正偏电压D 0.62V U =，电流D 1mA I =，其交流电阻d r = ( )。
A ．620Ω
B ．13Ω
C ．26Ω
D ．310Ω
．集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。
A ．抑制温漂
B ．增大放大倍数
C ．展宽频带
D ．降低输出电阻 ．已知图1所示电路中 V CC ＝12V ，R c ＝3kΩ，静态管压降 CEQ ＝6 V ；输出端负载电阻 R L =3 kΩ，若发现电路输出电( )。 A ．R W 减小 B ．R c 减小
C ．V CC 减小
D ．R b 减小
．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 R e ，将使电路的( )。
A ．差模放大倍数增大
B ．对共模信号抑制能力增强
C ．差模输入电阻增大
D ．输出电阻降低
．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放( ) 。
A ．耦合电容和旁路电容的存在
B ．半导体管极间电容和分布电容的存在。
C ．半导体管的非线性特性
D ．放大电路的静态工作点不合适
图1
6．欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ( )。
A ．电压串联负反馈
B ．电压并联负反馈
C ．电流串联负反馈
D ．电流并联负反馈
7．欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用( )；将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。
A ．积分运算电路
B ．微分运算电路
C ．反相比例运算电路
D ．乘方运算电路
8．如图2所示框图，要使由基本放大电路及正反馈网络构成的电路能产生正弦波振荡，其起振条件是( )。 (n 为整数)
A. πA F n ϕϕ+=，1=F A
B. 2πA F n ϕϕ+=，1>F A
C. 2πA F n ϕϕ+=，1=F A
D. πA F n ϕϕ+=，1>F A
9．若图3所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES │， 则最大输出功率 P om ＝( )。
A. 2
CC CES L (||)2V U R - B. 2CC CES L 1
(||)2V U R -
C. 2
CC CES L 1
(||)22V U R - D. 2CC CES L
(||)V U R -
10．在图4所示电路中，若二极管1D 接反，则下
列述说正确的是 ( )。
A. 变压器有半周被短路，会引起元器件损坏
B. 电路实现半波整流
C. 电容C 将过压击穿
D. 电路仍正常工作
二、填空题(1~6题每题2分，第7~8题4分，共20分)
1．P 型半导体中的多子是 ，空间电荷区因载流子非常少，也称为 层。 2．在三种组态（共基、共射、共集）放大电路中，带负载能力最强的为 组态；通频带宽最大的为 组态。
图2
正反馈网络
A
F
+
i 0X =f
X 图3
+-
o 图4
O
u +
-
~
3．BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、15V 、14.8V ，据此可判定BJT 为 型三极管，其中①为 极。
4．单管共射放大电路，当信号频率等于放大电路的下限截止频率L f 时，放大倍数约为中频时的 ，o U 相对i U 的相位超前 度。 5．图5电路引入了 负反馈，闭
环电压增益O uf I
u
A u == 。
6．图6 所示电路，稳压管的稳压值
Z 6V U ±=±,已知电路参数为1μF C =，
16k ΩR =，110k ΩR =。
为使电路产生正弦波振荡，试在图中标出集成运放的“+”和“﹣”端；为稳定输出电压的幅值， 1R 应选用 温度系数的热敏电阻。
7．图6 所示电路,参数见上题，振荡平衡时，输出电压在不失真情况下的有效值为 其振荡频率 为 。
8．图7所示电路中，理想集成运放A 工作在 状态；O
U '= ；输出电压O U 的最小、最大值表达式分别为Omin U = ，
Omax U 。
图6
图5
三、电路分析题(每小题12分，共60分)
1．（15分）单级共射放大电路如图8所示，已知BJT 参数150β=，b1b2=100k R R =Ω，
S 50R =Ω，
bb 200r '=Ω，T 750MHz f =，c e L 2k =1k =5k ，，R R R =ΩΩΩ，12=5μF C C =，C 2pF μ=，EQ 5mA I =，e 50μF C =。回答下述
问题：
（1）画出电路全频段微变等效电路；
（2）下限频率L f ≈？上限频率H f ≈？写出全频段源电压增益us A 的表达式；
（3）在不更换BJT 的情况，要增加带宽有哪些办法？举出两种。
图8
u O u +
-
2．如图9（a）所示电路，回答下列问题
（1）运算电路完成那种运算？如果作为滤波器属于那种滤波器类型？（2）试写出输出电压
O
u的表达式；
（3）如输入电压
I
u的波形如图9（b）所示，
且当t＝0 时
O
u＝0。写出表达式并画出输
出电压
O
u的波形。
``图9(a)图9(b)
3．电路如图10所示，已知 T1 和 T2 的饱和管压降│U CES │＝2V ，直流功耗可忽略不计。 回答下列问题：
（1）3R 、4R 和 T3 组合起来称为什么电路？作用是什么？ （2）负载上可能获得的最大输出功率 P om 和电路的转换效率η各为多少？ （3）设最大输入电压I u 的有效值为 1.414 V 。为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到 16V ，电阻 6R 引入的是什么组态的反馈？6R 至少应取多少？
图10
4．放大电路如图11所示，已知1T 管的参数为：GS(th)2V U =，DO 4mA I =；2T 管的参数
BEQ 0.7V U =,Ω=='200,50b b r β，ce r →∞，电路其他参数如图中标注。
（已知：2GS
D DO GS(th)
(
1)U I I U =-）
， （1）计算T1、T2的静态工作电流D1I 、C2I ;
（2）计算放大电路的输入电阻i R ，输出电阻o R 和电压增益u o i A U U =为多少？
+
-
O u
图11
5．电路如图12所示，试回答下述问题： (1)定性画出 O1u 和 O u 的波形； (2)估算振荡频率与I u 的关系式。
《 模拟电子技术 》试卷A 答案 (2011.07.04)
一，选择题
二填空题
1，空穴；耗尽层 2，共集；共基
3，Ge 锗，PNP ，c 集电极 4，0.707，-135゜
5，电压并联负反馈，-R2/R1 6，正温度系数 7，6.36,10HZ
8, 线性，12V ， ,
三，电路分析题 1，（1）画图， 基本画出 （4分）
（2）Rb=R b1//R b2>>r be ，1b1b211Rs R //R //r C Rs r C be be τ=
≈（+）（+）=5.25 ×103s （1分） 2C L 2R //R C τ=（）=35×103s （1分）
b s
3e e r R //R R //
C 1be τβ
+=+（）=0.85×103s （1分）
L 222Hz f ≈ （1分）
（3）E m I 5
=192mS 26T g V =
=（1分），0T 0be
=2r f f C βπββπ≈'' （1分）
)
(21
'μππβC C r e b f +=
b e E
1=785I T V
r β'=+Ω（）
（1分）
π
πL C (1)C m C g R μ''=++=40.5pF ， （1分）Ce bb b e R =Rs+//r r ''（）
H 1.42MHz f ≈ （1分）
(4)Rs, Rc, Rb ，Re 降低，引入负反馈 （2分） 2，（1） 积分运算，（2分） 有源低通滤波器 （2分） （2）
（3）
2
o 1
u u t i t dt
=-⎰（1分）
u O ＝-u i (t 2－t 1）＋u i (t 1) （1分）
画图 （2分）
3,
（1）Ube 倍增电路；消除交越失真 （2分） （2）最大输出功率和效率分别为（2分）
（3）R6从输出端接到反相输入端，引入电压串联负反馈（2分）
电压放大倍数为
（3分）
R1＝1kΩ，故 R6 至少应取 10.3 kΩ （1分）
4，解：（1）g1GQ CC g1g2150V 123V 150+450R U R R ==⨯=+，D11mA I = （1.5分） CC BEQ
B2b2e2C2B2(120.7)V 41.4μA (1)(120153)k Ω5041.4μA 2.07mA
V U I R R I I ββ--==≈+++==⨯= （1.5分） （2） be2bb C22626(20050)Ω0.83kΩ2.07r r I β'=+=+⨯≈ (1分) m DO D1GS(th)2
2mS g I I U ≈= （1分）
L1
d1b2be2e2L ////[(1)(//)]60//120//[0.8351(3//6)]k Ω28.8kΩ
R R R r R R β'=++=+⨯≈ (1分) u1m L1g 57.6A R '=-≈- （1分）
e L u2be2e L (1)(//)1(1)(//)
R R A r R R ββ+=≈++ （1分） u u1u257.6A A A ==- （1分）
i g3g1g2//20.15//0.45=2.1125M R R R R =+=+Ω (1.5分) 2d122o
o o e2o o
e2o //60//1200.83k Ω800.61151
//631.6//800.6S be b be R r R R r R R R R R R R R ββ'+++'===≈Ω++'=≈Ω''=≈≈Ω或者
5, u O1和 u O 的波形如解图所示
《 模拟电子技术 》试卷A-附答案(华南理工大学)
诚信应考,考试作弊将带来严重后果！ 华南理工大学期末考试 《 模拟电子技术 》试卷A (2011.07.04) 1. 考前请将密封线内填写清楚； 2. 闭卷考试；所有题均直接答在试卷纸上； 选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每小题2分，共20分) ．二极管D 的正偏电压D 0.62V U =，电流D 1mA I =，其交流电阻d r = ( )。 A ．620Ω B ．13Ω C ．26Ω D ．310Ω ．集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。 A ．抑制温漂 B ．增大放大倍数 C ．展宽频带 D ．降低输出电阻 ．已知图1所示电路中 V CC ＝12V ，R c ＝3kΩ，静态管压降 CEQ ＝6 V ；输出端负载电阻 R L =3 kΩ，若发现电路输出电( )。 A ．R W 减小 B ．R c 减小 C ．V CC 减小 D ．R b 减小 ．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 R e ，将使电路的( )。 A ．差模放大倍数增大 B ．对共模信号抑制能力增强 C ．差模输入电阻增大 D ．输出电阻降低 ．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放( ) 。 A ．耦合电容和旁路电容的存在 B ．半导体管极间电容和分布电容的存在。 C ．半导体管的非线性特性 D ．放大电路的静态工作点不合适 图1
6．欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ( )。 A ．电压串联负反馈 B ．电压并联负反馈 C ．电流串联负反馈 D ．电流并联负反馈 7．欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用( )；将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。 A ．积分运算电路 B ．微分运算电路 C ．反相比例运算电路 D ．乘方运算电路 8．如图2所示框图，要使由基本放大电路及正反馈网络构成的电路能产生正弦波振荡，其起振条件是( )。 (n 为整数) A. πA F n ϕϕ+=，1=F A B. 2πA F n ϕϕ+=，1>F A C. 2πA F n ϕϕ+=，1=F A D. πA F n ϕϕ+=，1>F A 9．若图3所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES │， 则最大输出功率 P om ＝( )。 A. 2 CC CES L (||)2V U R - B. 2CC CES L 1 (||)2V U R - C. 2 CC CES L 1 (||)22V U R - D. 2CC CES L (||)V U R - 10．在图4所示电路中，若二极管1D 接反，则下 列述说正确的是 ( )。 A. 变压器有半周被短路，会引起元器件损坏 B. 电路实现半波整流 C. 电容C 将过压击穿 D. 电路仍正常工作 二、填空题(1~6题每题2分，第7~8题4分，共20分) 1．P 型半导体中的多子是 ，空间电荷区因载流子非常少，也称为 层。 2．在三种组态（共基、共射、共集）放大电路中，带负载能力最强的为 组态；通频带宽最大的为 组态。 图2 正反馈网络 A F + i 0X =f X 图3 +- o 图4 O u + - ~
《模拟电子技术》试卷A与参考答案
《模拟电子技术》试卷（A卷） 一、填空题（本题共5小题，每小题4分，共 20 分） 1. 多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合 方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。 2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。由此 可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。 3. 硅二极管导通压降的典型值是 V、锗二极管导通压降的典型值是 V；NPN型管的集电 极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。 4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截 止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。 5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增 大，称为反馈。放大电路通常采取反馈。 6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的 调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。 二、判断正、误题（本题共10小题，每小题1分，共10分） 1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（） 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。（） 4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。（） 5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。（） 6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。（） 7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。（） 8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。（） 9. 共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。（） 10. 若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。（）
华南理工大学 模电试题 A 附答案讲解学习
华南理工大学期末考试 《 模拟电子技术 》试卷A （电类07级，2009.07.06） 一、选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每小题2分，共14分） 1． 电路如图1所示，二极管的导通电压0.7V D U =，则图1 中二极管的工作状态及输出电压值为（ ）。 A.D1导通，D2截止，0.7V O U = B.D1截止，D2导通， 5.3V O U =- C.D1截止，D2截止，12V O U = D.D1导通，D2导通，0.7V O U = 2． 图2所示共射放大电路，设静态时2mA CQ I =，晶体管饱和 管压降0.6V CES U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 饱和；底部 B. 饱和；顶部 C. 截止；底部 D. 截止；顶部 3． 在图2所示电路中，已知U T =26mV ，静态时2mA CQ I =，晶体管参数：100β=， bb'200r =Ω ，正弦交流输入电压i t u ω=，则交流输出o u 为（ ）。 A ．o )u t ωπ=+ B ．o )u t ω= C ．o )u t ωπ=+ D ．o )u t ω= 4． 根据不同器件的工作原理，可判断下图中（ ）可以构成复合管。 （A ）（B ）（C ）（D ） 5． 对于RC 耦合单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，则当L f f =时， 下列描述正确的是（ ）。 A ．o U &滞后i U &45? B ．o U &滞后i U &? 135 C ．o U &超前i U &?45 D ．o U &超前i U &135? 6． 某负反馈放大电路，其开环增益9.9mS iu A =&，反馈系数10ui F k =Ω&，开环输入电阻 图1
模拟电子电路基础试题及答案大学期末考试题
模拟电子电路基础试题及答案大学期末考试题 IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电 性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定 交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（ 1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功 率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（） 等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是 运载信息的工具，称为（）。
(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。
《模拟电子技术》考试试题及答案
《模拟电子技术》考试试题及答案 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截至），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加 电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷 大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增大），发射结压降（减小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共集）、（共射）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电压） 负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数A F=（A/1+AF），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=（ 1+AF ）BW，其中BW=（ Fl-Fh ）， （ 1+AF ）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、 极性相反的两个信号，称为（差模）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于或近似等于1 ），输入电阻（大），输出电阻（小） 等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电 路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具， 称为（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（ kuxuy ），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压 值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该 管是（）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP）/0 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。
2021年华南理工大学模拟电子技术随堂练习答案
2021年华南理工大学模拟电子技术随堂练习答案 ____-华南理工大学模拟电子技术随堂练习答案 第1章常用半导体器件 当前页有8题，你已做8题，已提交8题，其中答对8题。 1. N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。 A.带负电 B.带正电 C.不带电参考答案：C 2. 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。 A.变窄 B.变宽 C.不变参考答案：B 3. 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。 A.增大 B.不变 C.减小参考答案：C 4. 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V的电路是( )。参考答案：C 5. 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。 A.最大值为40V，最小值为0V B.最大值为40V，最小值为+10V C.最大值为10V，最小值为－40V D.最大值为10V，最小值为0V 参考答案：D 6. 稳压管的动态电阻rZ是指( )。 A.稳定电压与相应电流IZ之比 B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值 C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案：B 7. 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。 A.PNP管的集电极 B.PNP管的发射极 C.NPN管的发射极 D.NPN管的基极 8.参考答案：B 8. 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。 A.NPN型锗管 B.PNP型锗管 C.NPN型硅管 D.PNP型硅管参考答案：A 第2章基本放大电路当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。 1. 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。 A.反向 B.近似等于零 C.不变 D.增大参考答案：B 2. 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。 A.发射结反偏，集电结正偏 B.发射结、集电结均反偏 C.发射结、集电结均正偏 D.发射结正偏、集电结反偏参考答案：C 3. 晶体管的电流放大系数是指( )。 A.工作在饱和区时的电流放大系数 B.工作在放大区时的电流放大系数 C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案：B 4. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。 A. B. C.参考答案：B 5. 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根
模拟电子技术--平时作业2020春华南理工大学-答案
模拟电子技术基础作业 1.电路图如图1、图2所示，稳压管的稳定电压U Z =3V,选择适合电阻R，u i 的波 形如图3所示，试分别画出U O1和U O2 的波形。 t 图 1 电路图图2电路图图 3 输入波形 2.电路图如图图案所示，已知u i=5sinωt（V），二极管导通电压U D=0.7V，试画出u i 与U O 的波形，并标出幅值。 R u i U O D1D 2 3V3V 图4 电路图 图5 电路图 3.硅稳压管稳压电路如图5所示，R=R L=2KΩ,其中硅稳压管D Z的稳定电压U Z=8V,动态电阻r z可以忽略，U I=20V。试求： ①U o，I o，I及I Z ②当U I降低为15V时的U o，I o，I及I Z
图6 示意图 4.测得放大电路中两个三极管中的两个电极的电流如图6所示，试求： ①另外一个电极电流的大小，并确定各电极的管脚。 ②判断是NPN 型管还是PNP 型管。 ③估算β值。
5．单管共发射极放大电路如图7所示，已知其静态电流I CQ=1.5mA,静态电压U CEQ=6V,三极管为NPN型硅管，β=60，试求电阻R C、R B的值。
图7 电路图 图8 电路图 L
6．电路图如图8所示，试分析电路中的级间反馈是何种组态？（要求写出判断过程） 解：用瞬时极性法分析可知，从输入端来看：fiidiii-=，净输入电流减小，反馈极性为负；反馈回来的信号与输入信号在同一节点，表现为电流的形式，为并联反馈 用瞬时极性法分析可知，从输入端来看：fiidiii-=，净输入电流减小，反馈极性为负；反馈回来的信号与输入信号在同一节点，表现为电流的形式，为并联反馈从输入端来看：fiidiii-=，净输入电流减小，反馈极性为负；反馈回来的信号与输入信号在同一节点，表现为电流的形式，为并联反馈详解：用瞬时极性法分析可知，从输入端来看：fiidiii-=，净输入电流减小，反馈极性为负；反馈回来的信号与输入信号在同一节点，表现为电流的形式，为并联反馈 7．集成运算放大器的基本组成有哪几个部分？并详细介绍各部功能及主要作用。 8.在图9电路中，已知Ｒ １=10kΩ，R F =100KΩ,输入电压u i =0.5V，求输出电压u o ，
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1 u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2= 80 V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
华南理工模拟电子技术基础试卷
华南理工 模拟电子技术基础试卷 校名___________ 系名___________ 专业___________ 姓名___________ 学号___________ 日期___________ （请考生注意：本试卷共 页） 一、选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D ( 本 大 题9分 ) 放大电路如图所示，设电容器对交流信号均可视为短路。试比较它们的输入电阻和电压放大倍数的大小，并填空。 1．输入电阻最小的为图________电路； 2．输入电阻最大的为图________电路； 3．电压放大倍数 i o u u A u = 最小的为图________电路； 4．电压放大倍数 i o u u A u =最大的为图________电路。 ( a ) ( b )( c )
二、填空：将正确答案填写在横线上。 ( 本 大 题10分 ) 为了测量某音频放大电路的通频带，使用实验室现有的正弦信号发生器、数字万用表交流档20Hz ～1kHz 和示波器DC ～20MHz 组成图示的测量电路。正弦信号发生器用来产生不同频率的正弦输入信号；数字万用表用来测量不同频率下的输入电压和输出电压；示波器用来监视输出电压的波形，确保测量在不失真情况下进行。试问，这样的测量方法是否存在问题？若存在问题。则说明在不增加现有仪器、设备的条件下应如何测量。 三、解答下列各题 ( 本 大 题6分 ) 设图示电路中的二极管为理想二极管，（正向导通电阻等于零，反向电流等于零），电阻R 为30Ω。当用R ×1档指针式万用表测量A 、B 间的电阻时，若红表笔（带负电压）接 A 端，黑表笔（带正电压）接 B 端，则万用表的读数是多少？ R R A 四、解答下列各题 ( 本 大 题9分 ) 试分别说明有源低通和带通滤波电路在0→f 和∞→f 时的增益特点；定性画出它们的理想幅频特性()f A u ，注明通带截止频率p f 和通带增益p u A 。 五、解答下列各题 ( 本 大 题10分 ) 电容三点式LC 正弦波振荡电路如图所示。已知L ＝50mH ，C 2＝100PF ，若要求其振频率KHz 1000=f ，试问电容C 1应选多大？设放大电路对谐振回路的负载效应可以忽略。
《模拟电子技术》试题及答案
《模拟电子技术》试题 一、填空题（每空1分，共20分） 1、如果按结构分类,二极管可分为型和型两种类型. 2、BJT工作在截止区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置. 3、电压射极输出器的输出电阻R0的值越好。 4、为消除乙类功放的交越失真，给BJT发射结加一定的偏压,使Q点上移，摆脱 电压的影响。这时,电路工作在状态。 5、互补对称功放采用类型的两个BJT组成推挽输出器，在输入交流信号作用下，两 管工作，为使输出电压波形对称，要求两管的性能。 6、双端输出差动放大器在电路完全对称时，其共模增益为,共模抑制比为。 7、运算放大器的输出电阻越小，它带负载的能力，如果是恒压源，带负载的能力. 8、深度负反馈是指，负反馈深度等于。 9、正弦波振荡器主要由电路、电路和电路三部分组成。 二、判断题(每小题1分，共10分） 1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。（） 2、集电结处于正偏的BJT，它一定工作在饱和区。（） 3、BJT的β值越大，放大能力越强,但在选用BJT时，并不是β值越大越好。（） 4、集电极电阻R C的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化，实现电压放大。因此, R C的值越大，输出电压越高。( ） 5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区，则不论输入什么信号，都不会产生非线性失真。（） 6、分压偏置电路的发射极电阻R e越大，工作点稳定性越好.但R e过大,会使BJT的V CE减小,影响放大器的正常工作。（） 7、射极输出器的输入电流是I B,输出电流是I E，因此，具有较高的电流放大倍数。（) 8、在OTL 功放电路中，输出耦合电容的主要作用是“隔直”,防止直流经负载短路.（） 9、在运放电路中，闭环增益A F是指电流放大倍数。（） 10、只要满足AF=1，ϕa+ϕf=2nπ这两个条件,就可以产生正弦波振荡. 三、选择题（每小题1分，共10分） 1、PN结在外加正向电压的作用下,扩散电流（）漂移电流。 a.大于b。小于 c. 等于 2、当环境温度降低时，二极管的反向电流（) a.不变 b. 增大 c.减小 3、测得BJT各极对地电压为V B=4V，V C=3．6V,V E=3．4V,则该BJT工作在（）状态。 a.截止b。饱和 c.放大 4、NPN管工作在放大区时,三个极的电位特征是（）。 a。V C＞V B＞V E b.V C＜V B＜V E c。V E＜V B＞V C d。V E＞V B＜V C 5、为了减小输出电阻，集成运放的输出级多采用( ）电路。 a。共射或共源b。差分放大c。互补对称 6、运放的共模抑制比越大越好,因为它越大，表明运放的( ) a.放大倍数越稳定 b.交流放大倍数越大 c.抑制温漂能力越强
《模拟电子技术》模拟题及答案
《模拟电子技术》模拟题及答案 （本题共5小题，每小题4分，共 20 分）一、填空题 1.在本征硅中掺入三价杂质元素，可获得 型半导体，其多子是 载流子，少子是 载流子，不能移动的定域离子带 电。 2. 稳压二极管正常工作在 区；光电二极管正常工作在 区；变容二极管正常工作在 区；发光二极管正常工作在 区，其导通压降至少应在 V 以上。 3. 双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件，所以称为 控制型器件；单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件，因之称为 控制型器件。 4. 放大电路静态分析的目的是找出合适的 ，以消除非线性失真；动态分析的目的是寻求放大电路的 ，根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。 5. 文氏桥正弦波振荡器主要由 网络和集成运放构成的 构成的。电路中的正反馈环节起着 作用；电路中的负反馈环节则起到 作用。 6. 小功率并联型直流稳压电源的输出电压是由 调整的；串联型直流稳压电源中的调整管正常工作在 状态；开关型直流稳压电源中的调整管正常工作在 状态。 （本题共11小题，每小题1分，共11分）二、 判断正、误题 1. 雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿，不会损坏二极管。 （ ） 2. 双极型三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。 （ ） 3. 本征半导体中掺入五价杂质元素后，生成N 型半导体，其多子是自由电子载流子。 （ ） 4. OCL 甲乙类功放采用了单电源供电方式，其输出大电容起负电源的作用。 （ ） 5. 功率放大器中，甲乙类功放的性能最优良，高保真较甲类强，效率较乙类高。 （ ） 6. NPN 型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最低，集电极电位最高。 （ ） 7. “虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。 （ ） 8. 无论是单门限还是双门限的电压比较器，电路中一定存在正反馈环节。 （ ） 9. 实用中，直流稳压电源的整流环节通常采用整流桥，滤波环节大多采用电容元件。 （ ） 10. 单门限电压比较器抗干扰能力强，滞回电压比较器灵敏度高。 （ ） 11. 功放电路通常不采用乙类工作状态，因为这种工作状态会在功放电路中产生交越失真。 （ ） （本题共10小题，每小题2分，共20分）三、单项选择题 1. 正常工作在反向击穿区的特殊二极管是 （ ）。 A 、稳压二极管 B 、发光二极管 C 、变容二极管 D 、光电二极管 2. 低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是 （ ） A 、共射放大电路 B 、共基放大电路 C 、共集电放大电路 D 、共漏放大电路 3. 具有高保真，但效率较低，适用于高档专业音响的功放电路是 （ ） A 、OCL 电路 B 、甲类电路 C 、乙类电路 D 、OTL 电路 4. 集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用 （ ） A 、阻容耦合 B 、直接耦合 C 、变压器耦合 D 、光电耦合 5. 集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是（ ）两个重要概念。 A 、虚断和虚地 B 、虚短和虚地 C 、虚短和虚断 D 、线性和非线性 6. 因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为 （ ） A 、截止失真 B 、饱和失真 C 、频率失真 D 、交越失真 7. 场效应管正常工作时，电路中的电流是由（ ）构成的。 A 、自由电子载流子 B 、空穴载流子 C 、少子 D 、多子 8. 集成运算放大器的反馈深度|1+AF |≈0时，运放处于 （ ） A 、深度负反馈 B 、正反馈 C 、负反馈 D 、自激振荡 9. 为避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器，选用的滤波电路应为 （ ） A 、带阻滤波器 B 、带通滤波器 C 、低通滤波器 D 、高通滤波器 10. 当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈 （ ） A 、电阻性 B 、电感性 C 、电容性 D 、阻容性 （本题共3小题，每小题3分，共9分）四、简答题 1. 什么是差模信号？什么是共模信号？ 2. 函数信号发生器在模拟电子技术课程的实验中起什么作用？ 3.试述运放的理想化条件。 （本题共5小题，每小题8分，共40分）五、分析计算题 1.已知图1所示电路输入电压t ωu sin =10i V ，试分析后画出u i 与u o 的波形。设正向导通电压可忽略不计。 图1 o
《电路与模拟电子技术》期末复习试题一含答案.doc
I I I I I I I I I I I I I I I I I I 华南理工大学期末考试试卷 《电路与模拟电子技术》 考试吋间：150分钟 考试日期： 年 月曰 I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I （20分） 2. 3. 当PN 结加正向电压时，则PN 结 ;当PN 结加反向电压时, 则PN 结 。这一特性称为PN 结的 o （3 分） 图1是一个未完成的正弦波振荡电路，请将电路连接完成；为了能够起振，R 】和R2之间需要满足的 关系是. 。（5 分） OO U A ° R 2 U BO 电路如图2所示，二极管为同一型号的理想元件, u A =3sinu ）tV, UB =3V, R=4KQ ,贝0： U F = 于放人状态时，集电结的偏置为: 发射结的偏置为: （2分） 5. [+12V R Up （3分）4•品体管处 在共发射极接法的单级交流电压放大电路屮，负载电阻愈小，则电压放大倍数愈—，发射级电阻R E （无旁路电容）愈大，则电压放大倍数愈（3分）
6. 一个固定偏置单级共射晶体管放大电路，为使最大不失真输出幅度尽可能大，其静态工作点 应设在______________ ；如果因设置不当，出现输出波形的底部失真，这是 失真，消除这种失真的办法是________________________ O（4分） 二、图（a）中，己知E二36V, R1=R2=R3=R4, U ab=20V o若将恒压源E除去如图（b）, 求这时Uab的值为多少？（10分） 三、在图示电路中，已知电容电流的有效值为10A,电感电流的有效值町 10 2 A, 电压片250V, R=5Q ,并且在电路工作频率X\=R“电容的容量为10微法，求电路总电 流/、电阻7?2、电感L、电路工作角频率3。（10分） 得分评卷 得分评卷
华南理工大学大二电类专业模拟电子技术基础考试试卷及答案4
,考试作弊将带来严重后果！ 华南理工大学期末考试 《 模拟电子技术 》试卷B （2011.07.04） 1. 考前请将密封线内填写清楚； 2. 闭卷考试；所有题均直接答在试卷纸上； 3. 本试卷共 三 大题，满分100分， 考试时间120分钟。 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每小题2分，共20分） ．电路如图1所示，二极管导通电压D 0.7U =V ，常温下 T 26≈mV 。电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波， 效值为10mV 。则流过二极管的交流电流有效值为 ）。 A. 0.5mA B. 1mA C. 1.5mA D. 2mA ．当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置状况应为（ ）。 A. 发射结电压反偏、集电结电压也反偏 B. 发射结电压正偏、集电结电压反偏 C. 发射结电压正偏、集电结电压也正偏 D. 发射结电压反偏、集电结电压正偏 ．图2所示电路（ ）。 A. 等效为PNP 管 B. 等效为NPN 管 C. 为复合管，其等效类型不能确定 D. 三极管连接错误，不能构成复合管 ．集成运放的输入级采用差分放大电路可以（ ）。 A ．抑制温漂 B. 增大放大倍数 C. 展宽频带 D. 减小输入电阻 ．放大电路在高频信号作用时放大倍数下降的原因是（ ）。 图1
A. 半导体管的非线性特性 B. 半导体管极间电容和分布电容的存在 C. 放大电路的静态工作点不合适 D. 耦合电容和旁路电容的存在 6．欲将方波电压转换成为三角波电压，应选用（ ）。 A.电压跟随器 B.积分运算电路 C.微分运算电路 D.乘方运算电路 7．在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的反馈是负反馈。 A.输入电阻增大 B.输出量增大 C.净输入量增大 D.净输入量减小 8．差分放大电路公共射极支路静态电流近似等于单管集电极电流CQ1I 的（ ）倍。 A. 1 B. 2 C. 3 D. 0.5 9．对于RC 耦合单管共射放大电路，若下限截止频率为L f ,则当L f f =时，下列描述正确的是（ ）。 A. .o U 滞后.i U 45度 B. .o U 滞后. i U 135度 C. . o U 超前. i U 45度 D. .o U 超前. i U 135度 10．功率放大电路的转换效率是指（ ）。 A. 输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B. 输出功率与电源提供的平均功率之比 C. 晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 D. 最大输出功率与晶体管所消耗的功率之比 二、填空题（每空1分，共20分） 1．集成运算放大器通常由输入级，中间级，______ ___和__________ 四个基本部分组成。 2．为消除NPN 管构成的基本共发射极放大电路产生的饱和失真，应将静态工作电流_________ 。 3．如图3所示，已知稳压管的稳定电压Z U 为6V ，最小稳定电流Zmin I 为5mA ，最大稳定电流Zmax I 为40mA ；输入电压I U 为15V ，波动范围为10%±；限流电阻R 为200Ω，则负载电流的范围为：最大值Lmax I =________mA, 最小值Lmin I =_______mA 。 图3 + _ O U
模拟电子技术试卷五套(含答案)
6.如图所示复合管，已知 V1 的 b1 = 30 , V2 的 b2 = 50 , 模拟试卷 一、 填空（16分） 1 •半导体二极管的主要特性是 ____________ 。 2 •三极管工作在放大区时，发射结为 _____ 偏置，集电结为 ______ 偏置；工作在 饱和区时发射结为—偏置，集电结为— 置。 3•当输入信号频率为fL 和fH 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的 —倍，或 者是下降了 _dB,此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为 _____________ 。 4•为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入 反馈。 5 •乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流 ICQ = _____ 、静态时的电源功耗 PDC= ____ 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 _______ ，但这种功 放有 ______ 真。 6•在串联型稳压电路中，引入了 一一负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作 在 区域。 二、 选择正确答案填空（24分） 1 .在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V , -10 V , -9.3 V ,则这只三极管是（）。 A. NPN 型硅管B . NPN 型锗管C . PNP 型硅管D . PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（）。 A. 差模输入电压为 B. 差模输入电压为 C. 差模输入电压为 D. 差模输入电压为 10 mV,共模输入电压为10 mV, 10 mV,共模输入电压为20 mU 20 mV,共模输入电压为10 mU 20 mV,共模输入电压为20 mU 4. 通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的 （） A.输入电阻高B .输出电阻低C .共模抑制比大D .电压放大倍数大 5. 在图示电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率fL 降低，应（） A.减小C,减小Ri B .减小C,增大Ri C •增大C,减小Ri D .增大C,增大Ri
华工2020模拟电子技术随堂练习
1. 自然界中的物质不是按照导电性能分类的是（）。A．导体B．绝缘体 C．半导体D．单向导电PN结展 参考答案：D 2.(单选题) 2. 电子体温计是利用半导体的（）电子器件来测量体温。 A.热敏性 B.光敏性 C.掺杂性 D.单向导电性 参考答案：A 3.(单选题) 3. 太阳能电池是利用半导体的（）特性制造成器件。 A.热敏性 B.光敏性 C.掺杂性 D.单向导电性 参考答案：B 4.(单选题) 4. 各种半导体器件是利用半导体的（）特性制造成器件。 A.热敏性 B.光敏性 C.掺杂性 D.单向导电性 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 5.(单选题) 5. 半导体的导电能力( )。 A. 与导体相同 B. 与绝缘体相同 C. 介乎导体和绝缘体之间 D. 常温下非常高 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 6.(单选题) 6. 将PN结加适当的正向电压时，空间电荷区将( )。 A. 变窄 B.变宽 C.基本不变 D.不确定 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A
7.(单选题) 7. 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。 A. 增大 B.减小 C.基本不变 D.不确定 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 8.(单选题) 8.二极管完全导通时在二极管两端存在正向导通压降，硅二极管正向导通压降为（）。 A.0.1~0.3V B.0.3~0.5V C. 0.6~0.7V D. 0.7~1V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 9.(单选题) 9. 二极管电路如图1-1所示，二极管D1、D2为理想二极管，判断图中二极管工作状态（）。 A. D1和D2都导通 B. D1和D2都截止 C. D1导通，D2截止 D. D1截止，D2导通 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 10.(单选题) 10. 二极管电路如图1-2所示，二极管为硅二极管，二极管的工作状态是（）。 A. 正向导通 B.反向截止 C. 反向击穿 D.电流为零