扩散部工艺培训
----主要设备、热氧化、扩散、合金
扩散部 2002年7月
前言：
扩散部按车间划分主要由扩散区域及注入区域组成，其中扩散区域又分扩散老区和扩散新区。扩散区域按工艺分，主要有热氧化、扩散、LPCVD、合金、清洗、沾污测试等六大工艺。本文主要介绍热氧化、扩散及合金工艺。
目录
第一章：扩散区域设备简介……………………………………
第二章：氧化工艺
第三章：扩散工艺
第四章：合金工艺
第一章：扩散部扩散区域工艺设备简介
炉管设备外观：
扩散区域的工艺、设备主要可以分为：
炉管：负责高温作业，可分为以下几个部分：
组成部分功能
控制柜→对设备的运行进行统一控制；
装舟台：→园片放置的区域，由控制柜控制运行
炉体：→对园片进行高温作业的区域，由控制柜控制升降温
源柜：→供应源、气的区域，由控制柜控制气体阀门的开关。
FSI：负责炉前清洗。
第二章：热氧化工艺
热氧化法是在高温下（900℃-1200℃）使硅片表面形成二氧化硅膜的方法。热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜，对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。硅片氧化前的清洗、热氧化的环境及过程是制备高质量二氧化硅膜的重要环节。
2. 1氧化层的作用
2．1．1用于杂质选择扩散的掩蔽膜
常用杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力。利用这一性质，在硅上的二氧化硅层上刻出选择扩散窗口，则在窗口区就可以向硅中扩散杂质，其它区域被二氧化硅屏蔽，没有杂质进入，实现对硅的选择性扩散。
1960年二氧化硅就已被用作晶体管选择扩散的掩蔽膜，从而导致了硅平面工艺的诞生，开创了半导体制造技术的新阶段。同时二氧化硅也可在注入工艺中，作为选择注入的掩蔽膜。作为掩蔽膜时，一定要保证足够厚的厚度，杂质在二氧化硅中的扩散或穿透深度必须要小于二氧化硅的厚度，并有一定的余量，以防止可能出现的工艺波动影响掩蔽效果。 2．1. 2缓冲介质层
其一：硅与氮化硅的应力较大，因此在两层之间生长一层氧化层，以缓冲两者之间的应力，如二次氧化；其二：也可作为注入缓冲介质，以减少注入对器件表面的损伤。
2．1．3电容的介质材料
电容的计算公式：
C=ε
0*εr *S/d
ε0：真空介质常数 εr ：相对介电常数
S ：电容区面积 D ：介质层厚度
二氧化硅的相对介电常数为3-4。二氧化硅的耐击穿能力强，温度系数小，是制作电容介质的常用材料。在电容的制作过程中，电容的面积和光刻、腐蚀有较大的关系，而厚度则由二氧化硅的厚度决定。
2．1．4 集成电路的隔离介质
二氧化硅的隔离效果比PN 结的隔离效果好，漏电流小，耐击穿能力强，隔离区和衬底之间的寄生
电容小，不受外界偏压的影响，使器件有较高的开关速度。如工艺中常用的场氧化就是生长较厚的二氧化硅膜，达到器件隔离的目的。
P-Well SiO 2 Si 3N 4
2．1．5 MOS场效应晶体管的绝缘栅材料
二氧化硅的厚度和质量直接决定着MOS场效应晶体管的多个电参数，因此在栅氧化的工艺控制中，要求特别严格。
2．2 热氧化方法介绍
2．2．1 干氧氧化
干氧氧化化学反应式：Si+O
2 == SiO
2
氧分子以扩散的方式通过氧化层到达二氧化硅-硅表面，与硅发生反应，生成一定厚度的二氧化硅层。
干氧化制作的SiO2结构致密，均匀性、重复性好，掩蔽能力强，对光刻胶的粘附性较好，但生长速率较慢；一般用于高质量的氧化，如栅氧等；厚层氧化时用作起始和终止氧化；薄层缓冲氧化也使用此法。
2．2．2 水汽氧化
水汽氧化化学反应式：2H
2O+Si == SiO
2
+2H
2
水汽氧化生长速率快，但结构疏松，掩蔽能力差，有较多缺陷。对光刻胶的粘附性较差，我们公司不采用此方法。
2．2．3 湿氧氧化
湿氧氧化反应气体中包括O
2 和H
2
O ，实际上是两种氧化的结合使用。
湿氧氧化化学反应式：
H
2+O
2
==H
2
O
H
2O+Si == SiO
2
+2H
2
Si+O
2 == SiO
2
湿氧氧化的生长速率介于干氧氧化和水汽氧化之间；在今天的工艺中H
2O的形成通常是由H
2
和O
2
2
的反应得到；因此通过H
2和O
2
的流量比例来调节O
2
和H
2
O的分压比例，从而调节氧化速率，但为了安全，
H 2/O
2
比例不可超过1.88。
湿氧氧化的氧化层对杂质掩蔽能力以及均匀性均能满足工艺要求，并且氧化速率比干氧氧化有明
显提高，因此在厚层氧化中得到了较为广泛的应用，如场氧化等。2．2．4 掺氯氧化
氧化气体中掺入HCL或DCE（C
2H
2
Cl
2
）后，氧化速率及氧化层质量都有提高。人们从两个方面来解
释速率变化的原因，其一：掺氯氧化时反应产物有H
2O，加速氧化；其二：氯积累在Si-SiO
2
界面附近，
氯与硅反应生成氯硅化物，氯硅化物稳定性差，在有氧的情况下易转变成SiO
2
，因此，氯起了氧与硅
反应的催化剂的作用。并且氧化层的质量也大有改善，同时能消除钠离子的沾污，提高器件的电性能和可靠性。热氧化过程中掺入氯会使氧化层中含有一定量的氯原子，从而可以减少钠离子沾污，钝化
SiO
2
中钠离子的活性，抑制或消除热氧化缺陷，改善击穿特性，提高半导体器件的可靠性和稳定性。
我们公司大多数干氧氧化都含有掺氯氧化。
2. 3热氧化过程中的硅片表面位置的变化
如果热生长的二氧化硅厚度是X
0（um），所消耗的硅厚度为X
1
，则：
a=X
1/X
=0.46
即生长1um的SiO
2，要消耗掉0.46um的Si。但不同热氧化生长的SiO
2
的密度不同，a值会略有
差异。
2．4 影响氧化速率的因素
2．4．1 热氧化模型简介
硅片的热氧化过程是氧化剂穿透二氧化硅层向二氧化硅和硅界面运动并与硅进行反应。Deal-Grove方程具体描述了这种热氧化过程。
Deal-Grove膜厚方程式：
X2+AX=B（t+ ）
式中：
A=2D
0*（1/K
S
+1/h）
B=2D
*N*/n
=（X
I 2+A*X
I
）/B
D
：氧化剂在二氧化硅中的有效扩散系数； h：气相输运常数
K
S
：界面反应速率常数；N*：氧化剂在氧化层中的平衡浓度
X
I
：初始氧化层厚度； n：形成单位体积二氧化硅所需的氧分子数
极限情况1：短时间氧化时
X=（B/A）*t B/A：线性氧化速率常数
极限情况2：长时间氧化时
X2=Bt B：抛物线速率常数
这两个速率常数都与工艺方法、氧化温度、氧化剂的分压、晶向有关系。
2．4．2 氧化温度的影响
温度越高，氧化速率越快。
2．4．4 硅片晶向的影响
线性速率常数与晶向有较大的关系，各种晶向的园片其氧化速率为：
(110)>POLY>(111)>(100)
2．4．5 掺杂杂质浓度的影响
当掺杂杂质的浓度相当高时，会产生增强氧化，使氧化速率发生较大变化。如 LVMG 产品N+退火氧化：
在未掺杂区的氧化厚度：670A
在N+掺杂区氧化厚度：1700A
2．4．6 氯化物的影响
2．4．7 氧化剂分压的影响
在前面介绍的湿氧氧化中，如果改变H2或O2的流量，就会使水汽和氧气的分压比降低，使氧化速率变化。
2．4 CSMC-HJ扩散课的工艺状况
2．4．1 氧化质量控制
2．4．1．1 拉恒温区控制温度
定期拉恒温区以得到好的温度控制
2．4．1．2 DCE（C
2H
2
Cl
2
）吹扫炉管
2．4．1．3 BT 测量
BT项目可以检测到可动离子数目，使我们及时掌握炉管的沾污情况，防止炉管受到可动电荷粘污,使大批园片受损。
2．4．1．4 片内均匀性
保证硅片中每个芯片的重复性良好
2．4．1．5 片间均匀性
保证每个硅片的重复性良好
2．4．1．6定期清洗炉管
清洗炉管，可以减少重金属离子、碱金属离子的沾污同时也能减少颗粒，保证氧化层质量。2．4．1．7 定期检测系统颗粒
2．5．常见问题及处理
I 膜厚异常，但均匀性良好
对策：首先，检查测量结果是否准确、仪器工作状态是否正常，然后
1 检查气体流量、工艺温度是否正常；
2 检查炉管的气体接口是否正常；
3 如使用控制片，检查控制片是否用对；
4 和动力部门确认，工艺时气体供应有无出现异常；
5 对于外点火的炉管，请检查点火装置的各处连接正常，然后进行TORCH点火实验。
Ⅱ部分园片或部分测试点膜厚正常，但整体均匀性差
对策：1 如使用控制片，检查控制片；
2 检查排风正常
3检查炉门正常
第三章扩散工艺
扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发展初期是半导体器件生产的主要技术之一。但随着离子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。
3．1 扩散机构
3．1．1 替位式扩散机构
这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。
3．1．2 填隙式扩散机构
这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等重金属元素等是此种方式。
3．2 扩散方程
?N / ?t = D*2N / ?x2
N=N（x，t）杂质的浓度分布函数，单位是cm-3
D：扩散系数，单位是cm2/s
加入边界条件和初始条件，对上述方程进行求解，结果如下面两小节所诉。
3．2．1 恒定表面浓度扩散
整个扩散过程中，硅片表面浓度N
保持不变
S
N（x，t）=N
erfc（x/（2*（Dt）1/2））
S
式中erfc称作余误差函数，因此恒定表面浓度扩散分布符合余误差分布。
3．2．2．限定源扩散
杂质源限定在硅片表面薄的一层，杂质总量Q是常数。
N（x，t）=（Q/（πDt）1/2）*exp（-X2/4Dt）
exp（-X2/4Dt）是高斯函数，因此限定源扩散时的杂质分布是高斯函数分布。
由以上的求解公式，可以看出扩散系数D以及表面浓度对恒定表面扩散的影响相当大
3．2．3 扩散系数
扩散系数是描述杂质在硅中扩散快慢的一个参数，用字母D表示。D大，扩散速率快。D与扩散温度T、杂质浓度N、衬底浓度N
、扩散气氛、衬底晶向、缺陷等因素有关。
B
exp（-E/kT）
D=D
T：绝对温度；
K：波尔兹曼常数；
E：扩散激活能
：频率因子
D
3．2．4 杂质在硅中的固溶度
杂质扩散进入硅中后，与硅形成固溶体。在一定的温度下，杂质在硅中有一个最大的溶解度，其对应的杂质浓度，称该温度下杂质在硅中的固溶度。固溶度在一定程度上决定了硅片的表面浓度。
3．3 CSMC-HJ扩散课的扩散工艺状况
扩散工艺按照作用可以分为推阱、退火、磷掺杂，不同工艺的作业炉管在配置上稍有不同。3．3．1推阱
由于CMOS是由PMOS和NMOS组成，因此需要在一种衬底上制造出另一种型号的衬底,才可以在一种型号的硅片上同时制造出N管、P管，在选择注入后的推阱工艺就可以在硅片上制出P阱、N阱；由于推阱一般需要有一定的结深，而杂质在高温下的扩散速率较大，因此推阱工艺往往需要在较高的温度（1150C）下进行，以缩短工艺时间，提高硅片的产出率。
3．3．1．1推阱工艺主要参数
3．3．1．1．1结深
比较关键，必须保证正确的温度和时间；
3．3．1．1．2膜厚
主要为光刻对位提供方便,同时会改变园片表面的杂质浓度，过厚或过薄均会影响N管或P管的开启电压；
3．3．1．1．3表面浓度
注入能量和剂量一定后,表面浓度主要受制于推阱程序的工艺过程,如高温的温度、工艺的时间、氧化和推结的前后顺序；
3．3．1．2影响推阱的工艺参数
3．3．1．2．1 温度
易变因素，决定了扩散系数的大小，对工艺的影响最大。
3．3．1．2．2 时间
一般不易偏差，取决于时钟的精确度。
3．3．1．2．3程序的设置
先氧化后推阱与先推阱后氧化得出的表面浓度就不同，因此阱电阻就会有很大的差别。3．3．1．2．4 排风 &气体流量
排风：对炉管的片间均匀性，尤其是炉口有较大的影响。
气体流量：气体流量的改变会影响氧化膜厚，从而使表面浓度产生变化，直接影响器件的电参数. 3．3．1．3推阱工艺控制
阱电阻：用来监控推阱后N（或P）阱电阻的大小，阱电阻的大小会对制作在N（或P）阱里的晶体管的栅开启电压及击穿电压造成直接影响；但电阻控制片的制作由于有一定的制作流程，因此电阻有时会受制备工艺的影响。
3．3．2 退火
在当今的亚微米工艺中，由于浅结、短沟的限制，硅片工艺后段的热过程越来越被谨慎地使用，
但是退火仍然以不同的形式出现在工艺的流程中。退火可以激活杂质，减少缺陷，并获得一定的结深。它的工艺时间和温度关系到结深和杂质浓度。
3．3．3磷掺杂
由于磷掺杂的控制精度较底，它已经渐渐地退出了工艺制作的舞台。但是在一些要求不高的工艺步骤仍然在使用。
3．3．3．1多晶掺杂
向多晶中掺入大量的杂质，使多晶具有金属导电特质，以形成MOS之“M”或作为电容器的一个极板或形成多晶电阻，之所以不用离子注入主要是出于经济的原因。
3．3．3．2 N+淀积
在我们的生产线上，仍然在使用此种工艺-----磷掺杂的传统角色，以形成源漏结和扩散电阻3. 3.
3. 3磷扩散原理
使用PBr3源，反应式如下：
4 PBr3+5O2 ==== 2P2O5+6Br2
2P2O5 +5Si ==== 5SiO2 +4P
3．3．4磷扩散工艺主要参数
3．3．4．1 结深
3．3．4．2扩散电阻
现行的主要控制参数
3．3．4．3表面浓度
以上这三项参数都与掺杂时间、掺杂温度、磷源流量等有密切的关系
3．3．5 影响磷扩散的因素
3．3．5．1炉管温度和源温
炉管温度会影响杂质在硅中的固溶度，从而影响掺杂电阻； PBr3是挥发性较强的物质，温度的大小会影响源气的挥发量，使源气蒸气压发生变化，从而影响掺杂杂质总量,因此必须保证温度稳定。3．3．5．2程序的编制
磷源流量设置的大小决定了淀积时间的长短，使推结的时间变化，从而影响了表面浓度和电阻。3．3．5．3时间
一般不易偏差，取决于时钟的精确度
3．3．5．4排风
排风不畅，会使掺杂气体不能及时排出，集中在炉管之内，使掺杂电阻难于控制。
3．3．6磷扩散工艺控制
3．3．6．1拉恒温区控制温度
3．3．6．2电阻均匀性
电阻均匀性可以反应出温度或气体的变化以及时发现工艺和设备发生的问题，在进行换源、换炉管等备件的更换时，需及时进行该QC的验证工作，以确定炉管正常。
3．3．6．3清洗炉管及更换内衬管
由于在工艺过程中会有偏磷酸生成，在炉口温度较低处会凝结成液体，并堆积起来，会腐蚀炉管甚至流出炉管后腐蚀机器设备。
3．3．4 常见问题及处理
3．3．4．1推阱炉管均匀性及膜厚变化
检查方法与热氧化一样。
3．3．4．2推阱时程序中断
对策：1．检查炉管的作业记录，找出中断的真正原因；
2．根据作业记录中剩余时间的多少确定返工时间；
3．必须减去升降温的时间补偿。
3．3．4．3 磷掺杂后，电阻均匀性变差
对策 1．检查排风有无变化
2．检查炉管的温度有无大的偏差
3．检查源温有无大的波动
4．检查MFC的流量有无波动
第四章：合金工艺
淀积到硅片表面的金属层经光刻形成一定的互连图形之后，还必须进行一次热处理，称为“合金化”。合金的目的是使接触孔中的铝与硅之间形成低电阻欧姆接触，并增加铝与二氧化硅之间的附着力。
4．1铝栅合金
铝是三价元素，在硅中是强P型杂质，与SI能形成低值欧姆接触。
4.1.1铝栅合金工艺过程中的问题：
在热处理过程中，硅会不停地往铝膜中输送，直到铝膜中的含硅量在此温度下达到饱和，溶解过程才停止。
硅在铝膜中的溶解和扩散过程受铝晶粒尺寸、孔边缘氧化层应力、孔上残余的SiO2的影响，引起铝膜对硅的不均匀溶解。溶解入硅的铝膜，我们称之为‘铝钉’。铝钉的存在，会产生PN结击穿特性退化。严重时，出现PN结短路。
4.1.1铝钉造成的击穿特性变差的例子：
材料：N：0.1-100
过程：在400A氧化层上淀积8000A铝膜。实际在干法去胶后，氧化层残余140A左右。
测试仪器：CV测试仪
2001.实验者4．2常用的硅栅合金工艺
用多晶硅代替铝作为MOS晶体管的栅电极简称为‘硅栅’。
实际工艺中，预先在铝源中加入适量的硅，使硅在铝膜中处于饱和，避免硅在铝膜中的溶解，也就避免了‘铝钉’的产生。同时用TiN层来阻挡铝膜向硅中的渗透，在TiN与硅的结合处，预先形成TiSi
4.2.1合金工艺的作用：
目前上华采用的合金工艺的作用不仅仅是形成欧姆接触，它的另一个最大的作用在于：包含N、H 烘陪工艺，是减少表面态密度，避免软击穿的有效措施。
硼磷扩散原理以及过程
一、硼扩散工艺原理（液态源） 目前，液态源硼扩散常用：硼酸三甲酯B(CH3O)3，硼酸三丙酯，三溴化硼B(B2)3，无水硼酸三甲酯B(CH3O)3，为无色透明液体，在室温下挥发形成，具有较高真气压，硼酸三甲酯遇水易分解，升成硼酸和甲醇。 B（CH3O）+ 3H2O=H3BO3 + 3（CH3OH） B（CH3O）500℃以上B2O3 + CO2 + H2O + C 2B2O3 + 3Si = 3SiO2 + 4B 硼酸三甲酯在高温（500℃以上）能够分解出三氧化二硼（B2O3），而三氧化二硼在900℃左右又能与硅片起反应，生成硼原子，并沉积在硅片表面，这就是预沉积过程；沉积后在基区窗口表面上生成具有色彩的硼硅玻璃。 二、硼扩散装置： 硼再分布：当炉温升到预定温度（1180℃以后）通干O2 20分钟，排除管道内空气，同时加热水浴瓶，是水浴温度达到设定温度值950℃，一切就绪后，即可将正片和陪片一起装入石英舟推入炉子恒温区，先通5分钟干氧，在改通30分钟湿氧，最后通5分钟干氧，时间到即可把硅片拉出石英管，倒在铜块上淬火，防止慢降温时，金从硅体中析出。 一、磷扩散工艺原理 5POCl3 >600℃3PCl5 + P2O5 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P 4PCl5+5O2 过量O2 2P2O5+6Cl2 4PCl3+3O2 过量O2 2P2O5+6Cl2 磷预沉积时，一般通N2为20～80ml/分，O2为20～40ml/分，O2可通过，也可不通过源。 二、磷扩散装置
磷扩散源POCl3是无色透明有窒息性气味的毒性液体，要求扩散系统密封性好，源瓶进出口两端最好用聚四氟乙烯或聚氯乙烯管道连接。若用其他塑料管或乳胶管连接易被腐蚀，就需要经常更换。接口处最好用封口胶，由系统流出气体应通过排风管排到室外，不要泄漏在室内。 源瓶要严加密封，切勿让湿气进入源瓶。因为三氯氧磷吸水汽而变质，做扩散温度上不去。 2POCl3+3H2O=P2O5+5HCl 发现三氟氧磷出现淡黄色就不能使用。 一、磷沉积工艺条件： 炉温：1050℃ 气体流量：小N2为20～80ml/分小O2为20～40ml/分大N2为500ml/分 源温：0℃ 二、磷再分布工艺条件： 炉温：950℃～1000℃O2流量：500ml/分水温：95℃ 三、高温短时间磷扩散： 1、磷预沉积： 炉温：1200℃扩散源：POCl3 大N2流量300ml/分 小N2流量：70ml/分O2流量：85ml/分 扩散时间：4～5分钟（通源）+3分钟（关源） 2、磷再分布（三次氧化） 炉温：900℃O2流量：500ml/分 氧化时间：15分（湿O2）+10分（干O2） 四、HCl抛光： 当炉温1180℃时，HCl/N2=1.1%，N2流量为400ml/分情况下，抛光30分钟。 五、磷合金工艺文件：合金温度：500℃～570℃，合金时间：10～20分钟。
扩散工艺知识..
第三章 扩散工艺 在前面“材料工艺”一章，我们就曾经讲过一种叫“三重扩散”的工艺，那是对衬底而言相同导电类型杂质扩散。这样的同质高浓度扩散，在晶体管制造中还常用来作欧姆接触，如做在基极电极引出处以降低接触电阻。除了改变杂质浓度，扩散的另一个也是更主要的一个作用，是在硅平面工艺中用来改变导电类型，制造PN 结。 第一节 扩散原理 扩散是一种普通的自然现象，有浓度梯度就有扩散。扩散运动是微观粒子原子或分子热运动的统计结果。在一定温度下杂质原子具有一定的能量，能够克服某种阻力进入半导体，并在其中作缓慢的迁移运动。 一．扩散定义 在高温条件下，利用物质从高浓度向低浓度运动的特性，将杂质原子以一定的可控性掺入到半导体中，改变半导体基片或已扩散过的区域的导电类型或表面杂质浓度的半导体制造技术，称为扩散工艺。 二．扩散机构 杂质向半导体扩散主要以两种形式进行： 1．替位式扩散 一定温度下构成晶体的原子围绕着自己的平衡位置不停地运动。其中总有一些原子振动得较厉害，有足够的能量克服周围原子对它的束缚，跑到其它地方，而在原处留下一个“空位”。这时如有杂质原子进来，就会沿着这些空位进行扩散，这叫替位式扩散。硼（B ）、磷（P ）、砷（As ）等属此种扩散。 2．间隙式扩散 构成晶体的原子间往往存在着很大间隙，有些杂质原子进入晶体后，就从这个原子间隙进入到另一个原子间隙，逐次跳跃前进。这种扩散称间隙式扩散。金、铜、银等属此种扩散。 三． 扩散方程 扩散运动总是从浓度高处向浓度低处移动。运动的快慢与温度、浓度梯度等有关。其运动规律可用扩散方程表示，具体数学表达式为： N D t N 2?=?? （3-1） 在一维情况下，即为： 22x N D t N ??=?? （3-2） 式中：D 为扩散系数，是描述杂质扩散运动快慢的一种物理量； N 为杂质浓度； t 为扩散时间； x 为扩散到硅中的距离。 四．扩散系数 杂质原子扩散的速度同扩散杂质的种类和扩散温度有关。为了定量描述杂质扩散速度，引入扩散系数D 这个物理量，D 越大扩散越快。其表达式为： KT E e D D ?-=0 （3-3）
船舶建造工艺流程简要介绍知识学习
船舶建造工艺流程简要介绍 一、船舶建造工艺流程层次上的划分为： 1、生产大节点：开工——上船台（铺底）——下水（出坞）——航海试验——完工交船生产大节点在工艺流程中是某工艺阶段的开工期（或上一个节点的完工期），工艺阶段一般说是两个节点间的施工期。生产大节点的期限是编制和执行生产计划的基点，框定了船舶建造各工艺阶段的节拍和生产周期；节点的完成日也是船东向船厂分期付款的交割日。 2、工艺阶段：钢材予处理——号料加工——零、部件装配——分段装焊——船台装焊（合拢）——拉线镗孔——船舶下水——发电机动车——主机动车——系泊试验——航海试验——完工交船 3、以上工艺阶段还可以进一步进行分解。 4、是以上工艺阶段是按船舶建造形象进度划分的，造船工艺流程是并行工程，即船体建造与舾装作业是并行分道组织，涂装作业安排在分道生产线的两个小阶段之间，船体与舾装分道生产线在各阶段接续地汇入壳舾涂一体化生产流程。 二、船舶建造的前期策划 船舶设计建造是一项复杂的系统工程，在开工前船厂必须组织前期策划，一是要扫清技术障碍；二是要解决施工难点。 1、必须吃透“技术说明书”（设计规格书）。 技术说明书是船东提出并经双方技术谈判，以相应国际规范及公约为约束的船舶设计建造的技术要求。船厂在新船型特别是高附加值船舶的承接中必须慎重对待：必须搞清重要设备运行的采用标准情况、关键技术的工艺条件要求，特别是要排查出技术说明书中暗藏的技术障碍（不排除某些船东存有恶意意图）， 2、对设计工作的组织。 船舶设计工作分三阶段组织进行——初步设计、详细设计、生产设计。初步设计：是从收到船东技术任务书或询价开始，进行船舶总体方案的设计。提供出设计规格说明书、总布置图、舯剖面图、机舱布置图、主要设备厂商表等。详细设计：在初步设计基础上，通过对各个具体技术专业项目，进行系统原理设计计算，绘制关键图纸，解决设计中的技术问题，
扩散工艺
扩散工艺培训----主要设备、热氧化、扩散、合金
前言： 扩散部按车间划分主要由扩散区域及注入区域组成，其中扩散区域又分扩散老区和扩散新区。扩散区域按工艺分，主要有热氧化、扩散、LPCVD、合金、清洗、沾污测试等六大工艺。本文主要介绍热氧化、扩散及合金工艺。 目录 第一章：扩散区域设备简介…………………………………… 第二章：氧化工艺 第三章：扩散工艺 第四章：合金工艺
第一章：扩散部扩散区域工艺设备简介 炉管设备外观： 扩散区域的工艺、设备主要可以分为： 炉管：负责高温作业，可分为以下几个部分： 组成部分功能 控制柜→对设备的运行进行统一控制； 装舟台：→园片放置的区域，由控制柜控制运行 炉体：→对园片进行高温作业的区域，由控制柜控制升降温 源柜：→供应源、气的区域，由控制柜控制气体阀门的开关。FSI：负责炉前清洗。
第二章：热氧化工艺 热氧化法是在高温下（900℃-1200℃）使硅片表面形成二氧化硅膜的方法。热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜，对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。硅片氧化前的清洗、热氧化的环境及过程是制备高质量二氧化硅膜的重要环节。 2. 1氧化层的作用 2．1．1用于杂质选择扩散的掩蔽膜 常用杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力。利用这一性质，在硅上的二氧化硅层上刻出选择扩散窗口，则在窗口区就可以向硅中扩散杂质，其它区域被二氧化硅屏蔽，没有杂质进入，实现对硅的选择性扩散。 1960年二氧化硅就已被用作晶体管选择扩散的掩蔽膜，从而导致了硅平面工艺的诞生，开创了半导体制造技术的新阶段。同时二氧化硅也可在注入工艺中，作为选择注入的掩蔽膜。作为掩蔽膜时，一定要保证足够厚的厚度，杂质在二氧化硅中的扩散或穿透深度必须要小于二氧化硅的厚度，并有一定的余量，以防止可能出现的工艺波动影响掩蔽效果。 2．1. 2缓冲介质层 其一：硅与氮化硅的应力较大，因此在两层之间生长一层氧化层，以缓冲两者之间的应力，如二次氧化；其二：也可作为注入缓冲介质，以减少注入对器件表面的损伤。 2．1．3电容的介质材料 电容的计算公式： C=ε0*εr *S/d ε0：真空介质常数 εr ：相对介电常数 S ：电容区面积 D ：介质层厚度 P-Well SiO 2 Si 3N 4
扩散原理及技术介绍
扩散原理及技术介绍 袁泽锐 2011.01.17
主要内容 扩散的微观规律 扩散的宏观规律 扩散对电性能的影响 扩散对晶体缺陷的影响 2
一、扩散的微观规律 扩散和布朗运动 扩散机制 晶体中的扩散 晶格原子的扩散 影响扩散系数的因素 3
1.1 扩散和布朗运动 布朗运动又称热运动，不仅在气体和液体中有，在固体中也同样存在；在固体中原子不断地从一个平衡位置跃迁到另一个平衡位置。例如，1223K时碳原子在 γ-Fe中每秒钟要跃迁1010次。 在晶格中原子每次跃迁的距离就是该方向上的原子间距a。一个原子经过多次跃迁才出现一个净位移，如下图所示。但单位时间内原子跃迁的次数愈多造成较大净位移的可能性愈大，或者说回到原来位置的可能性愈小。 所以可以认为单位时间内的净位移愈大，表征布朗运动愈 强烈。这种净位移的大小与浓度梯度的存在与否无关。没 有浓度梯度时原子的布朗运动照样存在，只是不出现定向 扩散流。 4
5 平均平方位移 各原子净位移，从统计观点看，由于有正有负，加起来为零。为了表征布朗运动的强弱，特引入平均平方位移。 平均平方位移的计算方法为：把每个杂质原子净位移的平方加起来再除以杂质原子总数。表示如下： 2222 12N X X X X N +++= 每个杂质原子平方位移和每次跃迁的关系式为： ()1 2 22121 11 2n n n i n j j k j j k j X s s s s s s ?===+=+++=+∑∑ ∑ 上式中，不可能为零，所以n 愈大，愈大，即的大小反映了布朗 运动的强弱。 2j s 2i X 2 X
扩散工艺
扩散工艺培训 一、扩散目的 在P型衬底上扩散N型杂质形成PN结。达到合适的掺杂浓度ρ/方块电阻R□。即获得适合太阳能电池PN结需要的结深和扩散层方块电阻。 R□的定义：一个均匀导体的立方体电阻 ,长L，宽W，厚d R= ρ L / d W =(ρ/d) (L/W)此薄层的电阻与（L / W）成正比，比例系数为（ρ /d）。这个比例系数叫做方块电阻，用R□表示： R□ = ρ / d R = R□（L / W） L= W时R= R□，这时R□表示一个正方形薄层的电阻，与正方形边长大小无关。 单位Ω/□，方块电阻也称为薄层电阻Rs 在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一。 制造一个PN结并不是把两块不同类型（P型和N型）的半导体接触在一起就能形成的。必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，另一部分是N型区域。也就是晶体内部形成P型和N型半导体接触。 目前绝大部分的电池片的基本成分是硅，在拉棒铸锭时均匀的掺入了B(硼)，B原子最外层有三个电子，掺B的硅含有大量空穴，所以太阳能电池基片中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，是P型半导体.在扩散时扩入大量的P(磷)，P原子最外层有五个电子，掺入大量P的基片由P型半导体变为N型导电体，多数载流子为电子,少数载流子为空穴。 在P型区域和N型区域的交接区域，多数载流子相互吸引，漂移中和，最终在交接区域形成一个空间电荷区，内建电场区。在内建电场区电场方向是由N区指向P区。当入射光照射到电池片时，能量大于硅禁带宽度的光子穿过减反射膜进入硅中，在N区、耗尽区、P区激发出光生电子空穴对。光生电子空穴对在耗尽区中产生后，立即被内建电场分离，光生电子被进入N区，光生空穴则被推进P区。光生电子空穴对在N区产生以后,光生空穴便向PN结边界扩散，一旦到达PN结边界，便立即受到内建电场作用，被电场力牵引做漂移运动,越过耗尽区进入P区，光生电子(多子)则被留在N区。P区中的光生电子(少子)同样的先因为扩散，后因为漂移而进入N区，光生空穴(多子)则留在P区.在PN结的两侧形成了正负电荷的积累，产生了光生电压,这就是“光生伏特效应”。 二、太阳电池磷扩散方法 1、三氯氧磷（POCl3）液态源扩散（本公司现在采用的方法） 2、喷涂磷酸水溶液后链式扩散 3、丝网印刷磷浆料后链式扩散 三、磷扩散的基本原理 三氯氧磷（POCl3）在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下： 生成的五氧化二磷（P2O5）在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下：
扩散基本知识
扩散基本知识 一、半导体基本知识 太阳电池是用半导体材料硅做成的。容易导电的是导体，不易导电的是绝缘体，即不像导体那样容易导电又不像绝缘体那样不容易导电的物体叫半导体，譬如：锗、硅、砷化缘等。 世界上的物体都是由原子构成的，从原子排列的形式来看，可以把物体分成2大类，晶体和非晶体。晶体通常都有特殊的外形，它内部的原子按照一定的规律整齐地排列着；非晶体内部原子排列乱七八糟，没有规则；大多数半导体都是晶体。半导体材料硅是原子共价晶体，在晶体中，相邻原子之间是以共用电子结合起来的。硅是第四族元素，硅原子的电子层结构为2、8、4，它的最外层的四个电子是价电子。因此每个硅原子又分别与相邻的四个原子形成四个共价键，每个共价键都是相邻的两个原子分别提供一个价电子所组成的。 如果硅晶体纯度很高，不含别的杂质元素，而且晶体结构很完美，没有缺陷，这种半导体叫本征半导体，而且是单晶体。而多晶体是由许多小晶粒聚合起来组成的，每一晶体又由许多原子构成。原子在每一晶粒中作有规则的整齐排列，各个晶粒中原子的排列方式都是相同的。但在一块晶体中各个晶粒的取向（方向）彼此不同，晶粒与晶粒之间并没有按照一定的规则排列，所以总的来看，原子的排列是杂乱无章的，这样的晶体，我们叫它多晶体。 半导体有很特别的性质：导电能力在不同的情况下会有非常大的差别。光照、温度变化、适当掺杂都会使半导体的导电能力显著增强，尤其利用掺杂的方法可以制造出五花八门的半导体器件。但掺杂是有选择的，只有加入一定种类和数量的杂质才能符合我们的要求。 我们重点看一下硼和磷这两种杂质元素。硼是第三族主族元素，硼原子的电子层结构为2、3，由于硼原子的最外电子层只有三个电子，比硅原子缺少一个最外层电子，因此当硼原子的三个最外层价电子与周围最邻近的三个硅原子的价电子结合成共价键时，在与第四个最邻近的硅原子方向留下一个空位。这个空位叫空穴，它可以接受从邻近硅原子上跳来的电子，形成电子的流动，参与导电。硼原子在硅晶体中起着接受电子的作用，所以叫硼原子为受主型杂质。掺有受主型杂质的半导体，其导电率主要是由空穴决定的，这种半导体又叫空穴型或P型半导体。 磷是周期表中第五族元素，磷原子的电子层结构为2、8、5，它的最外层的五个电子是价电子。由于磷原子比硅原子多一个最外层电子，因此当磷原子的四个价电子与周围最邻近的四个硅原子的价电子形成共价键后，还剩余一个价电子。这个价电子很容易成为晶体中的自由电子参与导电。磷原子在硅晶体中起施放电子的作用，所以叫磷原子为施主型杂质。掺有施主型杂质的半导体，其导电率主要是由电子决定的，这种半导体又叫电子型半导体或n型半导体。 二、扩散基本知识 我们知道，太阳能电池的心脏是一个PN结。我们需要强调指出，PN结是不能简单地用两块不同类型（p型和n型）的半导体接触在一起就能形成的。要制造一个PN结，必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，另一部分是N型区域。也就是在晶体内部实现P型和N型半导体的接
扩散课工艺培训培训内容 word
扩散课工艺培训培训内容扩散部设备介绍氧化工艺介绍 扩散工艺介绍 合金工艺介绍 氧化层电荷介绍 LPCVD工艺介绍 扩散部设备介绍卧式炉管立式炉管炉管工艺和应用(加) 氧化工艺-1氧化膜的作用 选择扩散和选择注入。 阻挡住不需扩散或注入的区域，使离子不能进入。 氧化工艺-2氧化膜的作用 缓冲介质层 二次氧化等，缓冲氮化硅应力或减少注入损伤氧化工艺-3氧化膜的作用器件结构的一部分：如栅（Gate）氧化层，非常关键的项目，质量要求
非常高；电容极板之间的介质，对电容的大小有较大影响氧化工艺-4氧化膜的作用隔离介质：工艺中常用的场氧化就是生长较厚的二氧化硅膜，达到器件隔离的目的。 氧化工艺-5氧化方法 干氧氧化SI+O2==SIO2 结构致密，均匀性、重复性好，掩蔽能力强，对光刻胶的粘附性较好，但生长速率较慢，一般用于高质量的氧化，如栅氧化等；厚层氧化时用作起始和终止氧化；薄层缓冲氧化也使用此法。 水汽氧化2H2O+SI==SIO2+2H2生长速率快，但结构疏松，掩蔽能力差，氧化层有较多缺陷。对光刻胶的粘附性较差。 氧化工艺-6氧化方法 湿氧氧化（反应气体：O2+H2O） H2O+SI==SIO2+2H2SI+O2==SIO2 生长速率介于干氧氧化和水汽氧化之间；H2O的由 H2和O2的反应得到；并通过H2和O2的流量比例来 调节氧化速率，但比例不可超过1.88以保安全；对杂 质掩蔽能力以及均匀性均能满足工艺要求；多使用在 厚层氧化中。 HCL氧化（氧化气体中掺入HCL） 加入HCL后，氧化速率有了提高，并且氧化层的质量也大有改善。目前栅氧化基本采用O2+HCL方法。 氧化工艺-7影响氧化速率的因素
材料成形工艺知识点
一．铸造成型 1.1收缩：铸造合金在液态、凝固态和固态的冷却过程中，由于温度降低而引起的体积减小的现象，称为收缩。 缩松缩孔：铸件在冷却和凝固过程中，由于合金的液态和凝固收缩，往往在铸件最后凝固的部分出现空洞。容积大而集中孔洞称为缩孔，细小而分散的孔洞称为缩松。 影响缩孔和缩松的因素及防止措施： 因素：浇筑温度，合金的结晶范围，铸型的冷却能力越大 防止措施：用顺序凝固方法 1.1.5铸造应力怎么产生的： 铸件凝固后在冷却过程中，由于温度下降将继续收缩。有些合金还会发生固态相变而引起收缩或膨胀，这导致铸件的体积和长度发生变化，若这种变化受到阻碍，就会在铸件内产生应力，称为铸造应力。 1.2砂型铸造 剖面示意图：上型下型，明冒口，出气冒口，浇口杯，型砂，砂箱，直浇道，横浇道，暗冒口，内浇口，型腔，型芯，分型面。 工艺流程！ 1.3金属型铸造 金属型铸造又称硬模铸造，它是将金属液浇入金属型中，以获得金属铸件的一种工艺方法。（永久型铸造） 1.4熔模铸造：熔模铸造又称失蜡铸造，通常是在蜡模表面涂上数层耐火材料，待其硬化干燥后，将其中的蜡模熔去而制成型壳，再经过焙烧，然后进行浇注，而获得铸件的一种方法。熔模铸造工艺（重点） 1.5压力铸造：在高压作用下，使得液态或半液态金属以较高的速度充填压铸模型腔，并在压力下成形和凝固。 1.6铸造工艺设计 1.6.2铸件结构的工艺性。 1.铸造结构形式：结构外形应方便起模，尽可能减少和简化分型面，铸件的内腔应尽量不用或少用型芯。 2.合理的铸件壁厚：铸件壁厚过小，易产生浇不到、冷隔等缺陷；壁厚过大，易产生缩孔、缩松、气孔等缺陷。壁厚应均匀。 3.铸件壁的链接：连接处或者转角处应有结构圆角。，厚壁与薄壁间的链接要逐步过渡。 4.铸件应尽量避免有过大的平面 1.6.4型芯设计的作用是形成铸件的内腔、孔洞、形状复杂阻碍取模部分的外形以及铸型中有特殊要求的部分。 1.6.5浇注系统设计：浇口杯，直浇道，横浇道，内浇道。 金属型的浇筑位置一般分为三种：顶注式、底注式和侧注式。 基本要求： 1.防止浇不足缺陷 2．液态金属平稳地流入型腔 3.能把混入合金液中的熔渣挡在浇筑系统中 4能够合理地控制和调节铸件各部分的温度分布，减少或消除缩松缩孔 5.结构简单，体积小
太阳能电池工艺知识简介13页word文档
工序知识概要 在整个晶体内,原子都是周期性的规则排列,称之为单晶.由许多取向不同的单晶颗粒杂乱的排列在一起的固体称为多晶. 工序流程::装片-清洗-制绒-清洗-甩干-扩散-等离子刻蚀-去磷硅玻璃-甩干-镀膜-丝印-烧结-分类检测 清洗 利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀的各向异性,争取表面反射率较低的表面结构. 单晶主要化学品:NaOH NaSiO3 HF HCL 异丙醇 多晶主要化学品：咯酸HF HCL 化学腐蚀的原理 热的NaOH溶液祛除硅片表面机械损伤层: Si+2NaOH+H2O====Na2SiO3+2H2 HF祛除硅片表面氧化层 SiO2+6HF=====H2[SiF6]+2H2O HCL祛除硅片表面金属杂质 盐酸具有酸和络合剂的双重作用,氯离子能与Pt2+ Au3+ Ag+ Cu+ Cd2+ Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物现有多晶硅片是又长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶硅方片,由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片,金刚砂硬度很高,会在硅片表面带来一定的机械损伤. 如果损伤不祛除,会影响太阳电池的填充因子.
硅片扩散前的清洗腐蚀工序标准工时:44分钟 绒面的作用 为了提高单晶硅太阳电池的光电转换效率,工业生产中通常采用碱与醇的混合溶液对晶面的单晶硅片的各项异性腐蚀在表面形成类似”金字塔”状的绒面,有效增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度. 浓度高的氢氧化纳溶液与硅进行化学反应的速度加快,反应相同时间后,金字塔的体积更大.当氢氧化钠的浓度超过了一定的界限,溶液的腐蚀力度过强,绒面会越来越差,直至出现类似”抛光”的效果. 异丙醇在制绒液中起两点作用:一. 协助氢气泡的释放;二.可以减弱氢氧化钠对硅片的腐蚀力度. 氢氧化钠.硅酸钠与异丙醇的混合溶液对晶体硅进行腐蚀,可以制备出类似金字塔的结构表面。理想的绒面应是金字塔体积较小，大小均匀，覆盖率高。 制绒过程中易出现的问题有：绒面过大，或大小不均，绒面不良（绒面色斑教多，主要是脏污没有去掉），绒面雨点现象。绒面过大，可能是制绒槽中NaOH量过多，或者温度过高，造成初抛过后的大绒面没有很好的得到修复。绒面雨点现象：制绒过程中溶液配比不当，异丙醇易挥发，主要是靠它带走硅片反应后产生的氢气泡后，气泡内部有脏污，气泡不去掉，内部的脏污也无法溶于水，也就无法去掉，从而形成雨点状的脏污。另一方面，
粉末冶金工艺及材料基础知识介绍
粉末冶金工艺及材料基础知识介绍 粉末冶金是制取金属粉末并通过成形和烧结等工艺将金属粉末或与非金属粉末的混合物制成制品的加工方法，既可制取用普通熔炼方法难以制取的特殊材料，又可制造各种精密的机械零件，省工省料。但其模具和金属粉末成本较高，批量小或制品尺寸过大时不宜采用。粉末冶金材料和工艺与传统材料工艺相比，具有以下特点： 1．粉末冶金工艺是在低于基体金属的熔点下进行的，因此可以获得熔点、密度相差悬殊的多种金属、金属与陶瓷、金属与塑料等多相不均质的特殊功能复合材料和制品。 2．提高材料性能。用特殊方法制取的细小金属或合金粉末，凝固速度极快、晶粒细小均匀，保证了材料的组织均匀，性能稳定，以及良好的冷、热加工性能，且粉末颗粒不受合金元素和含量的限制，可提高强化相含量，从而发展新的材料体系。 3．利用各种成形工艺，可以将粉末原料直接成形为少余量、无余量的毛坯或净形零件，大量减少机加工量。提高材料利用率，降低成本。 粉末冶金的品种繁多，主要有：钨等难熔金属及合金制品；用Co、Ni等作粘结剂的碳化钨（WC）、碳化钛（TiC）、碳化钽（TaC）等硬质合金，用于制造切削刀具和耐磨刀具中的钻头、车刀、铣刀，还可制造模具等；Cu合金、不锈钢及Ni等多孔材料，用于制造烧结含油轴承、烧结金属过滤器及纺织环等。
1 粉末冶金基础知识 ⒈1 粉末的化学成分及性能 尺寸小于1mm的离散颗粒的集合体通常称为粉末，其计量单位一般是以微米（μm）或纳米（nm）。 1.粉末的化学成分 常用的金属粉末有铁、铜、铝等及其合金的粉末，要求其杂质和气体含量不超过1%～2%，否则会影响制品的质量。 2.粉末的物理性能 ⑴粒度及粒度分布
各类模切产品工艺知识简介
1条框类产品加工工艺简介 定义：条框类品指整体背胶或不背胶、且产品无拐角、成规则四边形的产品，典型产品如（端反：缓冲矽胶卖拉片） 工艺一：成型刀加工工艺——即直接开成型刀将产品模切成型，排废收卷或切片。 工艺二：步进刀加工工艺——即将条框产品分解成横刀+竖刀通过跳步进的形式将产品加工成型，排废后收卷或切片。 工艺三：条切加工工艺——即将产品通过横切刀切后（切到需要的条数切断），然后将产品旋转90度再次单刀模切排废。 工艺四：滚刀加工工艺——顾名思义利用滚刀将产品直接模切成型。 工艺五：切卷工艺——将胶带切成所需的宽度，多条复合上离型纸后切片。 2半背胶类产品加工工艺简介（贯通两边） 定义：半背胶类产品指——产品下面不是部分背胶，并且背胶方向和产品边缘成水平线并贯通，且胶与胶之间也水平，位置公差在±0.2以上的产品。 典型产品如（固定垫片） 工艺一：边复边冲——顾名思义用治具将材料复合后进行模切加工。 工艺二：模切AB胶——用A刀模将胶带的位置冲出来，然后用B模将产品的外型冲出来。 工艺三：套冲——同AB模类似并利用定位孔定位原理进行套冲，加工精度有很大的提高。3带耳朵类产品加工工艺简介 定义：带耳朵类产品指产品的上盖有突出拉把，并且在此区域无胶，典型产品如（网罩；垫圈巾布） 工艺一：上下模——即利用上模冲切外框；下模冲切耳朵部位，手工或利用机器将耳朵废去掉。 工艺二：A模+手工贴合+B模套冲——有多层材料复合并且中间有网布的产品，多用于此工艺，或直接用滚刀模切。
工艺三：1模成型+手工——此工艺多用于小批量生产的带耳朵的单层或多层胶带，胶的间距也不能太小。 工艺四：AB套冲——此工艺多用于大批量带耳朵的产品制作，并且间距可以相对小些的产品。 四边背胶类产品加工工艺简介 定义：四边背胶类产品是指离型或非离型材料下面背非规则形状的胶带（一般中间有空缺胶部分）的产品。 工艺一：一模成型+手工——此工艺多用于小批量生产制作，间距小的可以用跳步进的形式完成制作。（仅适用于离型类产品） 工艺二：AB套冲——此工艺多用于大批量产品制作，并且间距可以相对小些的产品。 工艺三：滚刀加工——此工艺是将套冲工艺的速度进一步提高，（一般受设备及加工精度的局限 反射类产品加工工艺简介 定义：反射类产品掼在BLU中起反射作用的膜片类产品，一般分为背胶类及非背胶类，背胶类反射片，一般工艺如下： 工艺一：AB套冲； 工艺二：边复边冲； 工艺三：冲切+手工贴合。 非背胶类反射片一般工艺如下： 工艺一：单体模切后手工检查包装； 工艺二：用弱粘性保护膜做底纸模切后包装； 工艺三：用弱粘性保护膜做底纸模切后排废然后用PE保护膜做上盖保护。 扩散类产品加工工艺简介 定义：扩散类产品指在BLU中起扩散作用的膜片类产品。一般制作工艺如下： 工艺一：单体模切后手工检查包装； 工艺二：用弱粘性保护膜做底纸模切后包装； 工艺三：用弱粘性保护膜做底纸模切后复合上PE保护膜做上盖保护； 工艺四：用弱粘性保护膜做底纸后排废然后用PE保护膜做上盖保护。
扩散课工艺培训培训内容word
扩散课工艺培训培训内容扩散部设备介绍 氧化工艺介绍 扩散工艺介绍 合金工艺介绍 氧化层电荷介绍 LPCVD 工艺介绍 扩散部设备介绍卧式炉管立式炉管炉管工艺和应 用（加） 氧化工艺-1 氧化膜的作用 选择扩散和选择注入。 阻挡住不需扩散或注入的区域，使离子不能进入。 氧化工艺-2 氧化膜的作用 缓冲介质层
二次氧化等，缓冲氮化硅应力或减少注入损伤氧化工艺-3 氧化膜的作用器 件结 构的一部分：如栅（Gate ）氧化层，非常关键的项目，质量要求 非常高；电容极板之间的介质，对电容的大小有较大影响氧化工艺-4 氧化膜的作用隔离介质：工艺中常用的场氧化就是生长较厚的二氧化硅膜，达到器件隔离的目的。 氧化工艺-5 氧化方法 干氧氧化SI+O 2==SIO 2 结构致密，均匀性、重复性好，掩蔽能力强，对光刻胶的粘附性较好，但生长速率较慢，一般用于高质量的氧化，如栅氧化等；厚层氧化时用作起始和终止氧化；薄层缓冲氧化也使用此法。 水汽氧化2H 2O+SI==SIO 2+2H 2 生长速率快，但结构疏松，掩蔽能力差，氧化层有较多缺陷。对光刻胶的粘附性较差。 氧化工艺-6 氧化方法 湿氧氧化（反应气体：O2+H 2O） H2O+SI==SIO 2+2H 2SI+O 2==SIO 2 生长速率介于干氧氧化和水汽氧化之间；H2O 的由H2 和O2 的反应得到；并通过H2 和O2 的流量比例来调节氧化速率，但比例不可超过1.88 以保安全；对杂质掩蔽能力以及均匀性均能满足工艺要求；多使用在厚层氧化中。 HCL 氧化（氧化气体中掺入HCL ） 加入HCL 后，氧化速率有了提高，并且氧化层的质量也大有改善。目前栅氧化基本采用O2+HCL 方法。
生产工艺流程培训
生产工艺流程培训内容 DVB-T(地面数字信号机顶盒) DVB-S(卫星传输数字信号机顶盒) DVB-C(同轴电缆数字信号机顶盒) IP Box(网络播放器)、PMP(带硬盘的媒体播放器)、DVD、LCDTV、Portable DVD、DVD功放。
生产工艺制程策划：（删除、简化、重组）一．原则： 人、机、料、法 二．步骤： 1. 产品分解； 2. 人力配置； 3. 设备工具的评估； 4. 生产产能的核算； 5. 材料需求的评估。
SMT车间生产流程 ●SMT SMT表面贴装技术，实现电路板的高密度、高可 靠性、小型化以及低成本。 ●流程： 烘板—印刷锡膏—贴装—检正—回流焊接—清洗—测试—返修。 ●1．烘板 a.温度：120℃时间：4小时； b.作用：①除潮；②防氧化，便于锡膏附着。 ●2．印刷锡膏
●1)钢网： a.厚度0.12mm—0.15mm； b.钢网开口大小=焊盘大小×2/3 ●2)无铅锡膏
b.压力：0.5Kg/25mm2； c.速度：与板的厚度和2C脚的密度有关， 当板的厚度≦0.5mm时速度为20mm－30mm/s。 ●3．贴装 ●1) 贴片机型号： 高速贴片机YG200(气动)、YG300(电动)：适用于较小的贴片元件； 泛用贴片机YG100：适用于较大的贴片元件。 产线配置：YG200＋YG200＋YG100 时产5.5万 YG300＋YG100 时产5.5万。 ●2)贴装八大原则： 一．元件形状要求适合自动化表面贴装；
工艺流程图绘制培训教材--详细操作步
中国石油 中国石油MES项目Workcenter Display Builder流程图绘制软件 培训教材 中国石油大连石化公司 2010年7月
Workcenter Display Builder流程图绘制软件培训教材 目录 1绘图软件的介绍 (3) 1.1产品厂家 (3) 1.2产品功能 (3) 2绘图软件的安装 (3) 3绘图软件的主要功能 (3) 3.1主菜单功能 (3) 3.2下拉菜单功能 (4) 3.3快捷键功能 (7) 4流程图各组成元件的约定 (11) 4.1图形背景的定义 (11) 5如何绘制流程图 (15) 5.1线条的画法（现场演示） (15) 5.2区块的画法（现场演示） (16) 5.3文本的书写（现场演示） (18) 5.4复制、组合、旋转等功能的应用（现场演示） (18) 6流程图绘制演示 (20) 6.1图形大小的设置 (20) 6.2图形背景的设置（以原图为背景） (20) 6.3静态流程图绘图演示 (22) 7数据控件的配置 (23) 附件I软件安装手册 (32)
1绘图软件的介绍 1.1 产品厂家 Workcenter Display Builder流程图绘制软件是美国Honeywell公司的产品。是专为其MES/实时数据库系统（Uniformance PHD）配套的进行流程图绘制的软件工具。 1.2 产品功能 流程图是实时数据库的一个重要应用，Uniformance PHD应用最新的WorkcenterPKS (WPKS) 技术实现流程图的Web 浏览功能。HMLWeb显示技术是Honeywell 的专利技术，使用HTML支持第三方数据和动态图形控件。 2绘图软件的安装 请参见附件。 3绘图软件的主要功能 3.1 主菜单功能
扩散(p—n节)工艺培训
----主要设备、热氧化、扩散、合金 扩散部 2002年7月
前言： 扩散部按车间划分主要由扩散区域及注入区域组成，其中扩散区域又分扩散老区和扩散新区。扩散区域按工艺分，主要有热氧化、扩散、LPCVD、合金、清洗、沾污测试等六大工艺。本文主要介绍热氧化、扩散及合金工艺。 目录 第一章：扩散区域设备简介…………………………………… 第二章：氧化工艺 第三章：扩散工艺 第四章：合金工艺
第一章：扩散部扩散区域工艺设备简介 炉管设备外观： 扩散区域的工艺、设备主要可以分为： 炉管：负责高温作业，可分为以下几个部分： 组成部分功能 控制柜→对设备的运行进行统一控制； 装舟台：→园片放置的区域，由控制柜控制运行 炉体：→对园片进行高温作业的区域，由控制柜控制升降温 源柜：→供应源、气的区域，由控制柜控制气体阀门的开关。FSI：负责炉前清洗。
第二章：热氧化工艺 热氧化法是在高温下（900℃-1200℃）使硅片表面形成二氧化硅膜的方法。热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜，对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。硅片氧化前的清洗、热氧化的环境及过程是制备高质量二氧化硅膜的重要环节。 2. 1氧化层的作用 2．1．1用于杂质选择扩散的掩蔽膜 常用杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力。利用这一性质，在硅上的二氧化硅层上刻出选择扩散窗口，则在窗口区就可以向硅中扩散杂质，其它区域被二氧化硅屏蔽，没有杂质进入，实现对硅的选择性扩散。 1960年二氧化硅就已被用作晶体管选择扩散的掩蔽膜，从而导致了硅平面工艺的诞生，开创了半导体制造技术的新阶段。同时二氧化硅也可在注入工艺中，作为选择注入的掩蔽膜。作为掩蔽膜时，一定要保证足够厚的厚度，杂质在二氧化硅中的扩散或穿透深度必须要小于二氧化硅的厚度，并有一定的余量，以防止可能出现的工艺波动影响掩蔽效果。 2．1. 2缓冲介质层 其一：硅与氮化硅的应力较大，因此在两层之间生长一层氧化层，以缓冲两者之间的应力，如二次氧化；其二：也可作为注入缓冲介质，以减少注入对器件表面的损伤。 2．1．3电容的介质材料 电容的计算公式： C=ε0*εr *S/d ε0：真空介质常数 εr ：相对介电常数 S ：电容区面积 D ：介质层厚度 P-Well SiO 2 Si 3N 4
贴金工艺流程贴金培训资料如何贴金箔
传统贴金工艺 金箔是我国特有的手工艺品。金箔广泛运用于仿古建筑、现代建筑、金字牌匾。如佛像贴金、雕塑贴金，雕梁画栋贴金、装饰用贴金等。 金箔有98与74之分，前者又名库金，后者又名大赤金。每10张为一贴，每10 贴为一把，每10把为一具，即每一具为1000张。库金质量最好，色泽经久不变，适用于外檐彩画用金。大赤金质量较次，耐候性稍差，经风吹日晒易于变 色。金箔的规格有：100X100mm、5O X5Omm、93.3）93.3mm、83.3 >83.3mm 等多 种。它是由金银制成，是珍贵的贴金材料。目前市场上出售的贴金材料是铜箔或铝箔，铜箔是黄方，铝箔是白方，是以铜、铝材料压制成象竹衣一样薄膜，涂装在金脚上，然后涂上广漆渐渐转色，色如黄金，光亮夺目，可与金箔媲美，但它是假金而不是真金。 贴金有两种操作方法：一是古建筑作法，二是农村传统作法。 1 ?古建筑贴金操作程序：刷金胶油一贴金一扣油一罩油 2．操作要点 2.1刷金胶油：金胶油是由浓光油加酌量"糊粉"（定儿粉经炒后除潮为名糊粉）配成，专作贴金底油之用。以筷子笔（用筷子削成）蘸金胶油涂布于贴金处，油质要好，涂布宽狭要整齐，厚薄要均匀、不流挂、不皱皮。彩画贴金宜涂两道金胶油，框线、云盘线、三花寿带、挂落、套环等贴金，均涂一道金胶油。 2.2贴金：当金胶油将干未干时，将金箔撕成或剪成需要尺寸，以金夹子（竹片制成）夹起金箔，轻轻粘贴于金胶油上，再以棉花揉压平伏。如遇花活，可用"金肘子（用柔软羊毛制成的羊毛刷子，也可用大羊毛笔剪成平头形）肘金，即在花活的线脚凹陷处，细心地将金箔粘贴密实。 2.3扣油：金贴好后，用油拴扣原色油一道（金上不着油，称之扣油）。如金钱不直时，可用色油找直（镶直），称为"齐金"。 2.4罩油：扣油干后，通刷一遍清油（金上着油，谓之罩油）。清油罩不与不罩，以设计要求为准。
扩散工艺知识
第三章 扩散工艺 在前面“材料工艺”一章,我们就曾经讲过一种叫“三重扩散”的工艺，那是对衬底而言相同导电类型杂质扩散。这样的同质高浓度扩散，在晶体管制造中还常用来作欧姆接触,如做在基极电极引出处以降低接触电阻。除了改变杂质浓度,扩散的另一个也是更主要的一个作用,是在硅平面工艺中用来改变导电类型,制造P Ｎ结。 第一节 扩散原理 扩散是一种普通的自然现象,有浓度梯度就有扩散。扩散运动是微观粒子原子或分子热运动的统计结果。在一定温度下杂质原子具有一定的能量,能够克服某种阻力进入半导体，并在其中作缓慢的迁移运动。 一.扩散定义 在高温条件下，利用物质从高浓度向低浓度运动的特性，将杂质原子以一定的可控性掺入到半导体中,改变半导体基片或已扩散过的区域的导电类型或表面杂质浓度的半导体制造技术,称为扩散工艺。 二．扩散机构 杂质向半导体扩散主要以两种形式进行： 1．替位式扩散 一定温度下构成晶体的原子围绕着自己的平衡位置不停地运动。其中总有一些原子振动得较厉害,有足够的能量克服周围原子对它的束缚，跑到其它地方,而在原处留下一个“空位”。这时如有杂质原子进来,就会沿着这些空位进行扩散，这叫替位式扩散。硼（B ）、磷(Ｐ)、砷(As)等属此种扩散。 ２.间隙式扩散 构成晶体的原子间往往存在着很大间隙,有些杂质原子进入晶体后，就从这个原子间隙进入到另一个原子间隙，逐次跳跃前进。这种扩散称间隙式扩散。金、铜、银等属此种扩散。 三． 扩散方程 扩散运动总是从浓度高处向浓度低处移动。运动的快慢与温度、浓度梯度等有关。其运动规律可用扩散方程表示,具体数学表达式为： N D t N 2?=?? （3-1） 在一维情况下,即为: 22x N D t N ??=?? （3-2) 式中:D 为扩散系数，是描述杂质扩散运动快慢的一种物理量; N 为杂质浓度; t 为扩散时间；