模拟电子技术基础 胡宴如 自测题答案
模拟电子技术
胡宴如（第3版）自测题
第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题
1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题
1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大
4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小
5．变容二极管在电路中主要用作(D )。、
A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题
1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√)
2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×)
3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。(×)
4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×)
1．4 分析计算题
1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
(b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U P
(c)令V1、V2均断开，U N1＝0V、U N2＝6V、U P＝10V，U P—U N1>Up—U N2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U0＝0.7 V。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出u i、u0、i D的波形。
解：输入电压u i为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u0＝0，而流过二极管的电流i D＝u i／R，为半波正弦波，其最大值I Dm＝10 V ／1 kΩ＝10 mA；当u i为负半周时，二极管反偏截止，i D＝0，u0＝u i为半波正弦波。因此可画出电压u0电流i D的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知U Z ＝5 V ，I Z ＝5 mA ，电压表中
流过的电流忽略不计。试求当开关s 断开和闭合时，电压表○V 和电流表○A1、○
A2读数分别为多大?
解：当开关S 断开，R 2支路不通，I A2＝0，此时R 1与稳压二极管V 相串联，因此由图可得
Z A I mA K V R U U I >=Ω-=-=5.62)518(1211
可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V 。
当开关S 闭合，令稳压二极管开路，可求得R 2两端压降为
Z R U U R R R U <=?+=+=6.3185.025.012122
故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R 1、R 2构成串联电路，电流表A 1、A 2的读数相同，即
mA K V R R U I I A A 2.75.021821121=Ω+=+==）（
而电压表的读数，即R 2两端压降为3.6 V 。
第2章 半导体三极管及其基本应用
2．1 填空题
1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。
4．当温度升高时，晶体管的参数β 增大 ，I CBO 增大 ，导通电压U BE 减小 。
5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA 变化到20μA 时，集电极电流从1mA 变为1.99 mA ，则交流电流放大系数β约为 99 。
6．某晶体管的极限参数I CM =20mA 、P CM =100mW 、U (BR)CEO =30V ，因此，当工作电压U CE =10V 时，工作电流I C 不得超过 10 mA ；当工作电压U CE =1V 时，I C 不得超过 20 mA ；当工作电流I C =2 mA 时，U CE 不得超过 30 V 。
7．场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 MOS ；根据导电沟道的不同又可分为 N 沟道 、 P 沟道 两类；对于MOSFET ，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。
8．U GS(off)表示 夹断 电压，I DSS 表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。
2．2 单选题
1．某NPN 型管电路中，测得U BE =0 V ，U BC = —5 V ，则可知管子工作于( C )状态。
A ．放大
B ．饱和
C ．截止
D ．不能确定
2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B)。
A．NPN型低频小功率硅晶体管B．NPN型高频小功率硅晶体管C．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶体管3．输入( C)时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。A．正弦小信号B．低频大信号C．低频小信号D．高频小信号4．(D)具有不同的低频小信号电路模型。
A．NPN型管和PNP型管B．增强型场效应管和耗尽型场效应管C．N沟道场效应管和P沟道场效应管D．晶体管和场效应管
5．当U GS＝0时，( B)管不可能工作在恒流区。
A．JFET B．增强型MOS管C．耗尽型MOS管D．NMOS管6．下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B)。
A．N沟道JFET B．增强~AI PMOS管
C．耗尽型NMOS管D．耗尽型PMOS管
2．3 是非题
1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。( ×) 2．MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。( √) 3．EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。( ×) 4．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。( √) 5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。( √)
2．4 分析计算题
1．图T2．1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
解：(a)U BE=U B—U E＝0.7—0＝0.7V，发射结正偏；
U BC=U B—U C＝0.7—3＝—2.3 V，集电结反偏
因此晶体管工作在放大状态。
(b) U BE=U B—U E＝2—3＝—1V，发射结反偏；
U BC=U B—U C＝2—5＝—3 V，集电结反偏
因此晶体管工作在截止状态。
(c) U BE=U B—U E＝3—2.3＝0.7V，发射结正偏；
U BC=U B—U C＝3—2.6＝0.4V，集电结正偏
因此晶体管工作在饱和状态。
(d)该管为PNP型晶体管
U EB=U E—U B＝(—2)—(—2.7)＝0.7V，发射结正偏；
U CB =U C —U B ＝(—5)—(—2.7)＝—2.3V ，集电结反偏
因此晶体管工作在放大状态。
2．图T2．2所示电路中，晶体管均为硅管，β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的I B 、I C 、U CE 。
解：(a)方法一：
mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω
-= 设晶体管工作在放大状态，则有 I C ＝βI B ＝100×0.053＝5.3mA
U CE ＝12—5.3×3＝—3.9 V<0
说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降U CE(Sat)＝0.3 V ，则集电极电流为
mA R U V I C sat CE CC CS 9.31
3.012)
(=-=-= 因此可得晶体管的I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V 方法二：
mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω
-= mA R U V I C
sat CE CC CS 9.313.012)
(=-=-= mA I I CS BS 039.0100
9.3===β 因为I B >I BS ，所以晶体管处于饱和状态，因而有
I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V
(b) A mA K V I B μ4.80084.0510)7.06(==Ω
-=
设晶体管工作在放大状态，则有
I C ＝100×0.008 4 mA ＝0.84 mA
U CE ＝5 V —0.84×3＝2.48 V> U CE(Sat)
说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。
(c)基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则I B＝0，I C＝0，U CE＝5 V
3．放大电路如图T2．3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解：(a)将C1、C2断开，即得直流通路如下图(a)所示；将C1、C2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b)所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。
(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图(a)、(b)、(c)所示。
4．场效应管的符号如图T2．4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。
解：(a)为P沟道耗尽型MOS管，它的转移特性曲线如下图(a)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝—I DSS
(b)为N沟道增强型MOS管，它的转移特性曲线如下图(b)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝0
(c)为N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图(c)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝I DSS，且u G
S≤0
第3章放大电路基础
3．1 填空题
1．放大电路的输入电压U i＝10 mV，输出电压U0＝1 V，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dB。
2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3．共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小。
4．差分放大电路的输入电压U i1＝1 V，U i2＝0.98 V，则它的差模输入电压U id＝0.02V，共模输入电压U iC＝0.99V。
5．差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用，对共模输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移很小。
6．乙类互补对称功放由NPN和PNP两种类型晶体管构成，其主要优点是效率高。
7．两级放大电路，第一级电压增益为40 dB，第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为1000倍，总电压增益为60dB。
8．集成运算放大器输入级一般采用差分放大电路，其作用是用来减小零点漂移。
9．理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为虚短；输入电流近似为0 ，称为虚断。
10．集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端反相，后者的极性与输出端同相。
3．2 单选题
1．测量某放大电路负载开路时输出电压为3 V，接入2 kΩ的负载后，测得输出电压为1 V，则该放大电路的输出电阻为(D)kΩ。
A．0.5 B．1.0 C．2.0 D．4
2．为了获得反相电压放大，则应选用( A)放大电路。
A．共发射极B．共集电极C．共基极D．共栅极3．为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入( B)放大电路。
A．共发射极B．共集电极C．共基极D．共源极4．放大电路如图T3．1所示，已知R S＝R D，且电容器容量足够大，则该放大电路两输出电压u0l与u02之间的大小关系为( B)。
A．u0l = u02B．u0l =－u02C．u0l＞u02D．u0l＜u02
5．选用差分电路的原因是( A)。
A．减小温漂B．提高输入电阻C．减小失真D．稳定放大倍数6．差分放大电路中适当增大公共发射极电阻，将会使电路的( D)增大。
A．差模电压增益D．共模电压增益C．差模输入电阻D．共模抑制比7．功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高( B)。
A．输出功率B．放大器效率C．放大倍数D．负载能力8．由两管组成的复合管电路如图T3．2所示，其中等效为PNP型的复合管是( A)。
9．OTL电路负载电阻R L＝10Ω，电源电压V CC=10 V，略去晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为( B)W。
A．10 B，5 C．2.5 D．1.25
10．集成运算放大器构成的放大电路如图T3．3所示，已知集成运算放大器最大输出电压Uom＝±10 V，ui＝5 V，则该放大电路的输出电压为( C)V。
A．-5 B．0 C．5 D．10
3．3 是非题
1．放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。( ×)
2．共发射极放大电路由于输出电压与输人电压反相，输入电阻不是很大而且输出电阻又较大，故很少应用。，( ×)
3．单端输出的具有电流源的差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。( √)
4．乙类互补对称功率放大电路输出功率越大，功率管的损耗也越大，所以放大器效率也越小。(×)
5．OCL电路中输入信号越大，交越失真也越大。( ×)
6．直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。( √)
3．4 分析计算题
1．放大电路如图T3．4所示，已知晶体管的U BEQ＝0.7 V，β＝99，r bb′＝200Ω，各电容在工作频率上的容抗可略去。
试：(1)求静态工作点I CQ、U CEQ；
(2)画出放大电路的交流通路和微变等效电路，求出r be；
(3)求电压放大倍数Au＝u o／u i及输入电阻R i、输出电阻R0。
解：(1)求I CQ 、U CEQ 、I BQ
电路构成分压式电流负反馈偏置电路，所以
V V V R R R U CC B B B BQ 79.212331010212=?+=+≈ mA R U U I I E BEQ
BQ EQ CQ 12
7.079.2≈-=-=≈ V R R I V U E C CQ CC CEQ 3.5)27.1(112)(=+?-=+-≈
A mA mA I I CQ
BQ μβ1001.099
1=≈== (2)画出放大电路的交流通路和微变等效电路，分别如图(a)、(b)所示。
Ω=++=++='K I mV r r EQ b b be 8.21
26)991(20026)1(β
(3)求A u ，R i 、R 0
由图 (b)可得
878
.21.5//7.499//0-=?-=-==be L C i u r R R u u A β Ω≈==K r R R R be B B i 28.2//10//33////21
Ω=≈K R R C 7.40
2．差分放大电路如图T3．5所示，已知I 0＝2 mA 。
试：(1)求放大电路的静态工作点I CQ2、U CQ2；
(2)当u i ＝10 mV 时，i C1＝1.2 mA ，求V 2管集电极电位u c2、输出电压u 0以及电压放大倍数Au ＝u o ／u i 。
解：(1)求I CQ2和U CQ2
由图3．42可知：mA I I CQ 12
2202=== V R I V U C CQ CC CQ 331622=?-=-=
(2)求u C2、u 0及Au
根据差分放大电路的传输特性可知
当i C1＝1.2mA 时，i C2＝I 0一i C1＝2—1.2＝0.8 mA
所以V 2管集电极电位为
u C2＝Vcc 一i C2 Rc ＝6 V 一0.8×3＝3.6 V
放大电路的输出电压u 0为
u 0＝u C2一U CQ2＝3.6—3＝0.6 V
所以，电压放大倍数为 60106.00===mV
V u u A i u 3．放大电路如图T3．6所示。
试：(1)说明二极管V 3、V 4的作用；
(2)说明晶体管V 1、V 2工作在什么状态?
(3)当U im ＝4 V 时，求出输出功率P 0的大小。
解：(1)V 3、V 4正向导通，其压降提供给功率管V 1、V 2作为发射结小正向偏置电压，用以克服交越失真。
(2)因V 1、V 2管发射结加有小正向偏置电压，所以它们工作在甲乙类状态。
(3)因U om ≈U im ＝4 V ，所以输出功率为
W R U P L om Om 08.0100
)24()2(22=== 4．集成运算放大器构成的反相和同相放大电路如图T3．7所示，试分别求出它们的电压放大倍数Au ＝u o ／u i 及输入电阻R i 。
解：图(a)为反相放大电路，所以
230
60-=-
=u A R i ＝30K Ω 图(b)为同相放大电路，所以 V u u u u u u A P i P i u 2)20
401(40204000=+?+=?== R i ＝20+40＝60 K Ω
第4章 负反馈放大电路
4．1 填空题
1，将反馈引入放大电路后，若使净输入减小，则引人的是 负 反馈，若使净输入增加，则引入的是 正 反馈。
2．反馈信号只含有直流量的，称为 直流 反馈，反馈信号只含有交流量的，称为 交流 反馈。
3．反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则说明电路引入的是
电压 反馈，若反馈信号取自输出电流，则是 电流 反馈；在输入端，反馈信号与输入信号以电压方式进行比较，则是 串联 反馈，反馈信号与输入信号以电流方式进行比较，则是 并联 反馈。
4．负反馈虽然使放大电路的增益 减小 ，但能使增益的 稳定 提高，通频带 展宽 ，非线性失真 减小 。
5．电压负反馈能稳定 输出电压 ，使输出电阻 减小 ；电流负反馈能
稳定输出电流，使输出电阻增大。
6．放大电路中为了提高输入电阻应引入串联反馈，为了降低输入电阻应引入并联反馈。
7．负反馈放大电路中，其开环电压放大倍数Au=90，电压反馈系数Fu=0.1，则反馈深度为10，闭环放大倍数为9。
8．深度负反馈放大电路有：x i≈x f ，即x id≈0。
4．2 单选题
1．放大电路中有反馈的含义是( C)。
A．输出与输入之间有信号通路B．输出与输入信号成非线性关系
C．电路中存在反向传输的信号通路D．除放大电路以外还有信号通路2．直流负反馈在放大电路中的主要作用是( D)。
A．提高输入电阻B．降低输人电阻
C．提高增益D．稳定静态工作点
3．并联负反馈能使放大电路的( B)。
A．输人电阻增大B．输入电阻减小
C．输入电阻不变D．输出电阻减小
4．在放大电路中，如果希望输出电压受负载影响很小，同时对信号源的影响也要小，则需引入负反馈的类型为( A)。
A．电压串联B．电压并联C．电流串联D．电流并联5．负反馈放大电路中，A为开环放大倍数，F为反馈系数，则在深度负反馈条件下，放大电路的闭环放大倍数且，近似为( B)。
A．F B．1／F C．A D．1+AF
4．3 是非题
1．直流负反馈只存在于直接耦合电路中，交流负反馈只存在于阻容耦合电路中。( ×)
2．若放大电路的A＞0，则接入的反馈一定是正反馈，若A＜0，则接入的反馈一定是负反馈。( ×)
3．共集电极放大电路，由于且A u≤1，故该电路没有负反馈。( ×)
4．当输入信号是一个失真的正弦波，加人负反馈后能使失真减小。( ×) 5．负反馈只能改善反馈环路以内电路的放大性能，对反馈环路之外电路无效。( √)
6．在深度负反馈放大电路中，只有尽可能地增大开环放大倍数，才能有效地提高闭环放大倍数。( ×)
4．4分析计算题
1．反馈放大电路如图T4．1所示，试指出电路的反馈类型，判断其反馈极性。
解：(a)在图T4．1(a)中标出反馈信号u f ，如下图(a)所示，可见u f ＝u 0，反馈信号取样于输出电压u 0，故输出端为电压反馈。由图(a)可见，u i 、u id 、u f 三者串联，形成电压比较关系u id ＝u i —u f ，故输入端为串联反馈。令u i 为
，则得输出电压u 0 ，
u f 为 ，如图(a)所示，反馈电压u f 使净输入u i 减小，故为负反馈。所以图T4．1 (a)所示电路为电压串联负反馈放大电路。
(b)由图T4．1 (b)可见，负载R L 、反馈网络、基本放大电路(即集成运放)三者为串联，故输出端为电流反馈。输入端输入信号与反馈信号都由集成运放的反相端加入，故为并联反馈，因此可在图中标出反馈电流i f 如下图 (b)所示。令输入电压u i 为 ，如下图(b)所示，此时集成运放输出端对地电位为 ，因此电压u R3为 ，i f 由输入端流向输出端，如下图(b)所示，可见札i id ＝i i —i f ，反馈使净输入i id 减小，故为负反馈。因此，图T4．1 (b)所示电路为电流并联负反馈放大电路。
(c)由图T4．1 (c)可见，放大电路的输出端R L 、基本放大器、反馈网络三者并联，故为电压反馈。输入端信号源、反馈网络、基本放大器三者并联，故为并联反馈。令输入信号u i 为 ，根据共发射极放大电路特性，可知u 0为 ，反馈信号i f 由输入端流向输出端，由下图(c)可得i id ＝i i —i f ，反馈使净输入i id 减小，故为负反馈。因此，图T4．1 (c)所示电路为电压并联负反馈放大电路。
2．深度负反馈放大电路如图T4．2所示，在图中标出反馈信号x f ，指出反馈类型，求出闭环电压放大倍数A uf ＝u o ／u i 。
+ + － + + － + －
解：(a)为电压并联负反馈，反馈信号为i f ，标于下图 (a)中。在深度电压并联负反馈电路中有i i ≈i f ，而i i ＝(u i —u N )/R 1≈u i /R 1，i f ＝(u N —u 0)/R 1≈－u 0/R 2，因此可得
1
2120R R R i R i u u A i f i u -=-== (b)为电流串联负反馈，反馈信号为u f ，标于下图(b)中。在深度电流串联负反馈电路中有：u i ≈u f 。又由图下(b)可得：u 0＝i 0R L ，u f ＝i 0R 2。所以可得 2
00R R u u u u A L f i u -=≈= (c)为电压串联负反馈，反馈信号为u f ，标于下图(c)中。在深度电压串联负反馈放大电路中有：u i ≈u f 。现由下图(c)可知u f ≈u 0，所以可得
100=≈=f
i u u u u u A
第5章 集成运算放大器的应用电路
5．1 填空题
1．运算电路中的集成运算放大器应工作在 线性 区，为此运算电路中必须引入 深度负 反馈。
2．反相比例运算电路的主要特点是输入电阻 较小 ，运算放大器共模输入信号为 零 ；同相比例运算电路的主要特点是输入电阻 很大 ，运算放大器共模输入信号 较大 。
3．简单RC 低通电路在截止频率处输出电压是输入电压的 0.707 倍，即
衰减 3 dB，相移为-45°。
4．晶体管有三个频率参数fβ称为共射截止频率，fα称为共基截止频率，f T称为特征频率。
5．集成运算放大器开环差模电压增益值比直流增益下降3 dB所对应的信号频率称为开环带宽，开环差模电压增益值下降到0dB所对应的信号频率称为单位增益带宽。
6．集成运算放大器交流放大电路采用单电源供电时，运算放大器两个输入端的静态电位不能为零，运算放大器输出端必须接有输出电容。
5．2 单选题
1．图T5．1所示比例运算电路中，设A为理想运算放大器，已知运算放大器最大输出电压U0M＝±12 V，当u I=1 V时，则输出电压u0为( C)V。
A．24 B．21 C．12 D、－12
2．若实现函数u0＝u I1+4u I2－4u I3，应选用( B)运算电路。
A．比例B．加减C．积分D．微分
3．欲将方波电压转换成三角波电压，应选用( B)运算电路。
A．微分B．积分C．乘法D．除法
4．集成运算放大器开环电压增益为106，开环带宽BW=5 Hz，若用它构成闭环增益为50倍的同相放大电路，则其闭环带宽BW f为( B)Hz。
A．5×105B．105C．250 D．5
5．3 是非题
1．凡是集成运算放大器构成的电路，都可用“虚短”和“虚断”概念加以分析。(×)
2．放大电路低频段没有转折频率，则说明该电路采用了直接耦合方式。(√) 3．某集成运算放大器开环带宽为5 Hz，由于其非常低，所以该运算放大器只能用于构成直流放大电路。(×)
4．与无源滤波器相比较，有源滤波器具有可提供通带内增益，负载对滤波特性影响小等优点。(√)
5．4 分析计算题
1．电路如图T5．2所示，试写出各电路输出电压与输入电压的函数关系式并指出电路名称。
解：(a)11I F F P N u R R R u u +=≈ F
N N I R u u R u u 012-≈- 经整理可得)(2110I I F u u R R u -=
，为减法运算电路 (b)?-=t I
F dt u C R u 0101
，为积分运算电路 (c)210I I u Ku u =，为乘法运算电路
(d)H i j U U ωω+=?
?10，为一阶有源低通滤波器
2．运算电路如图T5．3所示，试求各电路输出电压的大小。
解：(a) 采用叠加定理，则得
V V K
K V K K u 8.0)]2(20206.01020[
0=-?+?-= (b ) 采用叠加定理，则得 V V K K K K K V K K K K K u P 1)3()
15//15(15)15//15(6)15//15(15)15//15(=-?++?+= V u K
K u P 2)10101(0=+= 3．电路如图T5．4所示，试用比例运算关系求出输出电压。
解：(a)采用叠加定理，将u I 分别从反相端和同相端输入，使之构成反相比例运算电路和同相比例运算电路，则得
V u R R R R R R u R R u I I 022)//1(0=+++-= (b)采用叠加定理，将u I 分别从反相端和同相端输入，则得
I I I u u R
R u R R u =++-=)1(0
第6章 信号产生电路
6．1 填空题
1．正弦波振荡电路主要由 放大电路 、 正反馈网络 、 选频网络 、 稳幅环节 四部分组成。
2．设放大电路的放大倍数为?u A 反馈网络的反馈系数为?
u F 则正弦波振荡电路
的振幅平衡条件是 1=??u u F A ，相位平衡条件是 )3,2,1,0(2???==+n n F A π?? 。
3．RC 桥式振荡电路输出电压为正弦波时，其反馈系数?
u F ＝ 1/3 ，放大
电路的电压放大倍数?u A ＝ 3 ；若RC 串并联网络中的电阻均为R ，电容均为C ，则振荡频率f 0＝ 1/(2πRC) 。
4．RC 桥式正弦波振荡电路中，负反馈电路必须采用 非线性 元件构成，其主要目的是为了 稳幅 。
5．用晶体管构成的三点式LC 振荡电路中，谐振回路必须由 三个 个电抗元件组成，在交流通路中接于发射极的两个电抗元件必须 同 性质，不与发射极相接的电抗元件必须与之 异 性质，方能满足振荡的相位条件。
6．石英晶体在并联型晶体振荡电路中起 电感 元件作用，在串联型晶体振荡器中起 短路 元件作用，石英晶体振荡器的优点是 频率稳定度高 。
7．电压比较器输出只有 高电平 和 低电平 两种状态，由集成运算放大器构成的电压比较器运算放大器工作在 非线性 状态。
8．迟滞比较器中引人中引入了 正 反馈，它有两个门限电压。
9．三角波产生电路由 迟滞比较器 和 线性RC 积分电路 组成。
6．2 单选题
1．信号产生电路的作用是在( B )情况下，产生一定频率和幅度的正弦或非正弦信号。
A ．外加输入信号
B ．没有输入信号
C ．没有直流电源电压
D ．没有反馈信号
2．正弦波振荡电路的振幅起振条件是( D )。
A ．1u
B ．0u =??u F A
C ．1u =??u F A
D ．1u >?
?u F A
3．正弦波振荡电路中振荡频率主要由( D )决定。
A ．放大倍数
B ．反馈网络参数
C ．稳幅电路参数
D ．选频网络参数
4．常用正弦波振荡电路中，频率稳定度最高的是( D )振荡电路。
A ．RC 桥式
B ．电感三点式
C ．改进型电容三点式
D ．石英晶体
5．电路如图T6．1所示，它是( C )正弦波振荡电路。
A ．电容三点式
B ．电感三点式
C ．并联型晶体
D ．串联型晶体
6．电路如图T6，2所示，它称为( C )。
A ．RC 振荡电路
B ．单限电压比较器
C ．迟滞比较器
D ．方波产生电路
6．3 是非题
1．信号产生电路用于产生一定频率和幅度的信号，所以信号产生电路工作时不需要接入直流电源。( × )
2．电路存在反馈，且满足1u >?
?u F A ，就会产生正弦波振荡。 ( × )
3．RC 桥式振荡电路中，RC 串并联网络既是选频网络又是正反馈网络。
( √ )
4．选频网络采用LC 回路的振荡电路，称为LC 振荡电路。( √ )
5．电压比较器输出只有高电平和低电平两种状态，输入高电平时，输出为高电平；输入低电平时输出为低电平。( × )
6．非正弦波产生电路中没有选频网络，其状态的翻转依靠电路中定时电容的能量变化来实现。( √ )
6．4 分析题
l ．振荡电路如图T6．3所示，试回答下列问题：
(1)指出电路名称；
(2)反馈信号u f 取自哪个元件的电压?
(3)画出电路的交流通路，判断电路是否构成正反馈。若电路满足振荡条件，求出振荡频率。
解：(1)画出交流通路如图 (b)所示，由图可见，反馈信号u f 取自反馈电容C 2两端电压。设基极输入电压?i U 瞬时极性为 (对参考点地电位)，在回路谐振频率上放大电路输出电压?0U 的瞬时极性为 ，所以，反馈电压?f U 的瞬时极性为 ，可见?f U 与?i U 同相，电路构成正反馈。 (2)为电容三点式LC 振荡电路，其振荡频率f 0等于
M H z P P P P H C C C C L LC f 85.130020030020062212121
212
10=+??=+=
=μπππ
+ － +
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？ 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 模拟电子技术基础 一．计算分析题 1．已知放大电路如图8所示，三极管的β=50，U BE =。回答下列问题：（1） 求I CQ =？U CEQ =？（2）画微变等效电路 （3）求？==i o u U U A ？ ==s o usm U U A （4）R i =？R o =？ 图8 (1) I CQ ≈I EQ = (mA) +V R C e R R R C C + _ _ R e U U o R U 20k Ω 2 10kΩ 2kΩ4k 30μF 30100μ F (+12V) 1+ ++ _ _ ) (410 2012 102b1CC 2BQ V R R V R U b b =+?=+= )mA (65.12 7 .04e BE BQ EQ =-= -= R U U I U CEQ = V CC ―I CQ ( R c +R e )= ×4 = (V) (2) (3) (4)R i ≈r be =(k Ω) R o = R c = 2 (k Ω 2．已知电路如图9所示，β1=β2=60，U BE1=U BE2=，ΔU I1=1V ，ΔU I2=。 求：①双端输出时的ΔU o=？②从T 1单端输出时的ΔU O1=？ )k (1.165 .126 6130026) 1(EQ bb'be Ω≈?+=++=I r r β微变等效电路 U 6 .601.1)4//2(50'be L i o u -=?-=-==r R U U A β 5.311.11)4//2(50'be s L i s i u s o us -=+?-=+-≈+==r R R R R R A U U A β R R R R r R R + _ + _ U I U s β I I R 东北大学继续教育学院 模拟电子技术基础I 试卷（作业考核线下）B 卷（共 4 页） 总分题号一二三四五六七八九十得分 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab。设图中的二级管都是理想的。 二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i是幅值为10V的正弦波，试画出u o的波形。（设二极管D1，D2为理想二级管）。 三、单管放大电路的分析与计算。(15分) 电路如图4所示，已知V CC=12V，R bl=40kΩ，R b2=20kΩ，R c=R L=2kΩ，U BE=，β=50，R e=2kΩ， U CES ≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号 i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真(3)计算i u A R ， 和 o R。 四、功率放大电路的分析与计算。(15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L=8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V，输入u i为正弦波。求：(1)负载R L上可获得的最大不失真输出功率？(2)此时的效率和管耗各是多少？ 图4阻容耦合放大 图5 功率放大电路 u u o +V CC T1 T2 R L -V CC ++ __ (+12V) (-12V) 五、填空题：（每空1分共30分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加 电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结 电阻为（），等效成断开； 4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 5、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采 用（）负反馈。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上 大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 9、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放 大器。 10、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大 电路。 11、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等 特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 12、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电 路中。 六、选择题（每空2分共20分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）， 它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、，则三个电极分别是（）， 该管是（）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 “模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。 （3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。 https://www.wendangku.net/doc/1c4682687.html, ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础I 试 卷（作业考核 线下） B 卷（共 4 页） 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab 。设图中的二级管都是理想的。 二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i 是幅值为10V 的正弦波，试画出u o 的波形。（设二极管D 1，D 2为理想二级管）。 三、单管放大电路的分析与计算。 (15分) 电路如图4所示，已知V CC =12V ，R bl =40k Ω，R b2=20k Ω，R c =R L =2k Ω，U BE =0.7V ，β=50，R e =2k Ω， U CES ≈0V 。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真? (3)计算i u A R ， 和o R 。 四、功率放大电路的分析与计算。 (15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L =8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V ，输入u i 为正弦波。求：(1)负载R L 上可获得的最大不失真输出功率？(2)此时的效率和管耗各是多少？ 五、填空题：（每空1分 共30分） 1、PN 结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN 结具有（ ）导电性。 2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加 电压（ ）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结 电阻为（ ），等效成断开； 4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 5、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic （ ），发射结压降（ ）。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是（ ）、（ ）、（ ）放大电路。 7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ ）负反馈，为了稳定交流输出电流采 用（ ）负反馈。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（ ）信号，而加上 大小相等、极性相反的两个信号，称为（ ）信号。 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础 I 试 卷（作业考核 线下） B 卷（共 4 页） 总分 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 得分 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab 。设图中的二级管都是理想的。 二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i 是幅值为10V 的正弦波，试画出u o 的波形。（设二极管D 1，D 2为理想二级管）。 三、单管放大电路的分析与计算。 (15分) 电路如图4所示，已知V CC =12V ，R bl =40kΩ，R b2=20kΩ，R c =R L =2kΩ，U BE =，β=50，R e =2kΩ， U CES ≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真 (3)计算i u A R ， 和o R 。 四、功率放大电路的分析与计算。 (15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L =8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V ，输入u i 为正弦波。求：(1)负载R L 上可获得的最大不失真输出功率(2)此时的效率和管耗各是多少 五、填空题：（每空1分 共30分） 1、PN 结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN 结具有（ ）导电性。 2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与 外加电压（ ）。 图4阻容耦合放大 图5 功率放大电路 u u o +V CC T 1 T 2 R L CC + +_ _ (+12V (-12V 习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?= 习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。 100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区 习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+== 模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.wendangku.net/doc/1c4682687.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.wendangku.net/doc/1c4682687.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.wendangku.net/doc/1c4682687.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.wendangku.net/doc/1c4682687.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一 个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.wendangku.net/doc/1c4682687.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 模拟电子技术基础机械工业出版物社主编沈任元 部分习题参考答案 第二章半导体二极管及其基本应用电路思考题与习题解答 2-1填空题 1. _半导体、绝缘体_ 2. _杂敏、光敏__ 、 _热敏__。 3. _导通_ 、 _截止、单向导电性_。 4. __高于_。 5. _正向_ 、 _反向击穿_ 6.单向导电性_、__最大整流电流 __、_最高反向工作电压。7. _单向导电__ 8. _面接触型、点接触型_。_点接触型的、平面型的_。9. _零__、_无穷大_， _理想的开关_。10. _反向特性区_、 _几乎不变_。11. _左移__ 、 _下移_。12. _减小_ 、 _减小_， _增加_。13. __将交流电压转变成直流电压__、 __二极管_。14. _脉动的直流电压变成平滑的直流电压_ 、 _储能_。15. _单相半波整流_、_单相桥式整流_。 16. _电路烧毁_， _变成单相半波整流_。 2-2 选择题 1. C 2. B 3. C 4.B 5. A 6. B 7. A 8. A 9. B 10.A 11. B 12.C 2-3 判断题 1.√ 2.√ 3.× 4. × 5.√ 6.× 2-4 解：，，，，，。 2-5 解：VD截止，，VD导通，，VD 1、VD 4 导通，VD 2 、VD 3 截止， 。 2-6 解： 2-8 解：1) ，，。2）， 。 2-11解：1） 2）；3）； 4）；5），相当于半波整流滤波（有电容）。 或，相当于半波整流滤波（无电容）。 2-12 解： 第三章双极型晶体管及其放大电路思考题与习题 3-1填空题 1. ___PNP___和___NPN__。 2. __两__ __双极__ 3.发射_，___集电__。 4. __100___，___120___。5. ___0.98mA___， ___49___。6. ___放大__ 。7. __饱和___。___正向__， ___正向___。8. __集电__， __发射__，__基极__， __发射___， __0.7V __。9. __发射__，__集电__， ___-0.7V___。 10. __PNP___， ___锗___。 11. __增加__， __增加__， __减小__。12 __左__， __上___， __大__。 13. 查阅电阻器件手册，了解下列常用晶体管的极限参数，并填写在表3-5中。 料 14. __100__。15. __交、直流__， __交流__。16. __截止___， __顶部__，__小__。17. _饱和__， __底部__， __大__。18. __温度升高__。19. __共射__， __共集和共基__。20. __共基__， __共集___， __共射_。21. _稳定静态 学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。 常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） （5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4 东北大学继续教育学院 模拟电子技术基础IX试卷（作业考核线上2）A 卷（共6 页） 总分题号一二三四五六七八九十得分 一、(40分) 单项选择题（选一个正确答案填入括号里，每题2分） 型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。（ C ） A、电子 B、空穴 C、三价元素 D、五价元素 2.稳压管的稳压区是其工作在（ C ）。 A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 3.二极管电路如图1所示，设二极管均为理想的，则电压Uab为（ A ）。 图1 A、-12V B、-6V C、0V D、+6V 4.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为-9V、和-6V，则这只三极管属于（ C ）。 AC、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型 5. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ A ）。 A、减小温漂 B、增大放大倍数 C、提高输入电阻 6.差动式放大电路的差模输入信号是指两个输入端的输入信号的（ A ）， A、差 B、和 C、平均值 7. 差动式放大电路的共模输入信号是指两个输入端的输入信号的（B ）。 A、差 B、和 C、平均值 8. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。 要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用（ A ）。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 9. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第二级应采用（ A ）。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 10. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。 要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用（ B ）。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 11. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。 要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第二级应采用（ A ）。 《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12（第一章） 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具 有特性。 5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。 7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。 9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。 10当温度升高时，三极管的等电极电流I，发射结压降UBE。 11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。 12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小与有关，而与 外加电压。 13-19（第二章） 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二 级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多 级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______， 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。 20-26（第三章） 20、甲类功放的最大缺点是_______； 21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压，才能正常放大工作。 学习中心： 院校学号： 姓名 课程名称: 模拟电子技术基础X 1 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础X 试 卷（作业考核 线上2） A 卷（共 8 页） 1.N 型半导体是在本征半导体中加入（ D ）后形成的。 A 、电子 B 、空穴 C 、三价元素 D 、五价元素 2.其它条件不变，若放大器输入端电阻减小应引入 （ D ） A 、电压负反馈 B 、电流负反馈 C 、串联负反馈 D 、并联负反馈 3.正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 （ B ） A 、 B 、 C 、 4．在OCL 功率放大电路中输入信号为正弦电压，输出波形如图1所示， 说明电路中出现的失真是( C ) 失真。 A 、饱和 B 、截止 C 、交越 5．在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入（ A ）。 A 、直流负反馈 B 、交流负反馈 C 、交流正反馈 D 、直流正反馈 6．当PN 结加正向电压时，其空间电荷区 （ B ）。 A 、变宽 B 、变窄 C 、基本不变 7．对于基本共射放大电路的特点，其错误的结论是（ A ）。 A 、输出电压与输入电压相位相同 B 、输入电阻，输出电阻适中 C 、电压放大倍数大于1 D 、电流放大倍数大于1 8．在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ，则这只三极管属于（ B ）。 A 、硅PNP 型 B 、硅NPN 型 C 、锗PNP 型 D 、锗NPN 型 9. 场效应管与双极型晶体管相比，具有（ A ）。 A 、更大的输入电阻 B 、更小的输入电阻 C 、相同的输入电阻 10．二极管电路如图2所示，设二极管均为理想的，则电压U o 为 （ C ）。 A 、-10V B 、-5V C 、0V D 、+5V 1=F A 1 -=F A 1|1|>>+F A 第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保 R大的特点。( √ ) 证其 GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k 时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示，它们的开启电模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章
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