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产品通用寿命测试方法

产品通用寿命测试方法
产品通用寿命测试方法

广东德豪润达电气股份有限公司研究所

文件编号:TQC0602001

版本:试行版A

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:1/2

产品名称:电烤箱

类型:电热类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的电烤箱寿命测试。

三.参考文献:

参考Applica 寿命测试要求

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压仪、秒表、功率表、电风扇、测试夹具

五.通用说明:

1.测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2.测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3.试验室环境温度:10~ 40 ℃湿度50~95%

六.程序步骤:

样品在测试前,需做高压测试和漏电流测试、烤箱中心温场测试(保证温度符合规格要求)。(一)、Toast 档

1.接额定电压,运行2185个周期,每个周期包括将烧色旋扭置于深烧色,工作完成后打开门用风扇吹冷30秒;重新将烧色旋扭置于深烧色,工作完成后打开门用风扇吹冷10分钟。

2.每运行730个周期时重新测试功率及炉心温度。

(二)、Bake档

1.接额定电压,运行200个周期,每个周期包括90分钟“ON”,30分钟“OFF”。每个“OFF”期间无需风扇吹冷。

2.每运行100个周期时重新测试功率及炉心温度

(三)、Broil档

1.接额定电压,运行316个周期,每个周期包括30分钟“ON”、10分钟“OFF”,每个“OFF”期间用风扇吹冷。

2.每运行105个周期时重新测试功率及炉心温度。

广东德豪润达电气股份有限公司研究所

文件编号:TQC0602001

版本:试行版A

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:2/2

产品名称:电烤箱

类型:电热类

七.注意事项:

1.在测试过程中若发现异常情况必须立即停止测试。

2.在寿命测试0%、34%、50%、75%、100%各阶段时,需要对各项性能重新测试并记录相关数据。

八.判定结果:

1.耐压、泄漏电流通过。

2.无任何功能失效。

3.Toast 档:低、中档产品2185个循环(2 uses/day * 7 day/week * 52 week/year * 3 year = 2185 uses );

高档产品3640个循环(2 uses/day * 7 day/week * 52 week/year * 5 year = 3640 uses)。

4.Bake档:低、中档产品300个小时(0.4 hour/day * 5 day/week * 50 week/year * 3 year = 300 hours);

高档产品500个小时(0.4 hour/day * 5 day/week * 50 week/year * 5 year = 500 hours)。

5.Briol档:低、中档产品158小时(0.21 hour/day * 5 day/week * 50 week/year * 3 year = 158 hours);高

档产品260个小时(0.21 hour/day * 5 day/week * 50 week/year * 5 year = 260 hours)。

广东德豪润达电气股份有限公司研究所

文件编号:TQC0604001

版本:试行版A

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:1/1

产品名称:多士炉

类型:电热类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的多士炉寿命测试。

三.参考文献:

参考Applica 寿命测试要求

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压仪、秒表、功率表、电风扇、测试夹具

五.通用说明:

1.测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2.测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3.试验室环境温度:10~ 40 ℃湿度50~95%

六.程序步骤:

1.样机在寿命测试前需进行a、功率;b、耐压;c、正常操作;d、开关功能;e、升降按钮操作力;

f、低、中、高档烧色时间;

g、中烧色面包片测试,并作好完整记录;

2.接额定电压,烧色旋钮设置在高烧色,面包槽内各放一个75克铝制模拟负载,每个循环间用风扇吹冷约5分钟;

七.注意事项:

1.测试夹具下压升降按钮的力必须适中,不可过大,以防止压坏升降按钮。

2.在测试过程中若发现异常情况必须立即停止测试。

3. 在寿命测试0%、34%、50%、75%、100%各阶段时,需要对各项性能重新测试并记录相关数据。八.判定结果:

1.耐压、泄漏电流通过

2.无任何功能失效

3. 低、中档产品2185个循环(2 uses/day * 7 day/week * 52 week/year * 3 year = 2185 uses )

4.高档产品3640个循环(2 uses/day * 7 day/week * 52 week/year * 5 year = 3640 uses)

页数:1/1

产品名称:咖啡壶

类型:家用滴漏式咖啡壶类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的滴漏式咖啡壶寿命测试

三.参考文献:

Sunbeam客户文件

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压仪、秒表、功率仪、多路温度记录仪、专用测试夹具(如要求)、电风扇

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2. 测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签.

3. 试验室环境温度:10℃-40℃ 湿度50%-95%

六.程序步骤:

1. 接入额定电源,检查样机工作是否正常

2. 将样机安放到测试台(测试夹具)

3. 打开加水盖,加入温度为20℃-25.5℃的冷水,至样机允许的最大容量,关上加水盖

4. 将玻璃杯(保温杯)放置于合适位置

5. 接入额定电源,打开电源开关,并选择合适的PCB程式(如有), 使样机在全功率下煮水至温控器跳开,并保温10分钟

6. 关闭电源,将杯中的热水倒掉

步骤3-6为1个循环

七.注意事项:

1.测试过程中每完成30个循环让样机冷却10分钟

2.样机在寿命测试完成0%、34%、50%、75%、100%循环时须按正常操作说明做性能验证,并记录

a) 耐高压

b) 泄漏电流

c) 额定电源下的全功率

d) 煮水时间

e) 煮水完后玻璃杯(保温杯)中的初始水温

f) 保温二小时后玻璃杯(保温杯)中的水温

八.判定结果:

1.耐压、泄漏电流通过

2.无任何功能失效

3.测试过程中如发现任何异常及时报告

4.低、中档产品至少达到2000个循环(12次/周*52周/年*3年=1872次约为2000次),高档产品至少达到3000个循环(12次/周*52周/年*5年=3120次约为3000次)

页数:1/1

产品名称:咖啡壶

类型:冲泡式咖啡壶类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的冲泡式咖啡壶寿命测试

三.参考文献:

Hamilton Beach客户文件

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压仪、秒表、功率仪、多路温度记录仪、专用测试夹具(如要求)

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2. 测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签.

3. 试验室环境温度:10℃-40℃ 湿度50%-95%

六.程序步骤:

1. 接入额定电源,检查样机工作是否正常

2. 将样机安放到测试台(测试夹具)

3. 打开壶盖,加入温度为20℃-25.5℃的冷水,至样机允许的最大容量,盖上壶盖

4. 接入额定电源,使样机进行27分钟的煮水/保温循环,每个循环包含最长12分钟的煮水开时间和最长15分钟的保温时间

5. 关闭电源,将壶中热水倒掉

表步骤2-5为1个循环

七.注意事项:

1.样机在寿命测试完成0%、34%、50%、75%、100%后,按样机正常操作说明测试并记录煮水开时间、煮水开后的温度、保温1小时后温度,以及耐高压和泄漏电流

2. 每完成24小时测试周期将样机断电1小时

3.测试过程中如发现任何异常及时报告

八.判定结果:

1.耐压、泄漏电流通过

2.煮水开时间、煮水开后的温度、保温1小时后温度在规格要求范围内

3. 样机表面上的POP图不能有等级退化、裂开、剥落或异色

4. 样机无漏水异常

5. 低、中档产品至少达到2000个循环(7次/周*52周/年*5年=1820次约为2000次),高档产品至少达到3000个循环(7次/周*52周/年*8年=2912次约为3000次)

文件编号:TQC0606001

版本:试行版A

日期:2004.05.06

产品寿命测试方法

页数:1/1

产品名称:油炸锅

类型:油炸锅类

一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的油炸锅寿命测试。

三.参考文献:

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压仪、秒表、功率表、电风扇

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2. 测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3.试验室环境温度:10~ 40 ℃湿度50~95%

六.程序步骤:

1. 插额定电源,检查样机工作是否正常,包括功率、电流参数及外观等。

2. 插上额定电源,温控器旋钮调整到最大工作位置,让其连续工作60分钟,冷却至室

温(可强制风冷),为一个工作循环;

七.注意事项:

1. 注意防火及安全措施;

2. 寿命测试过程中要求定时检查(检查内容包括整机运行状态、设备完好情况、环境

等)并记录,寿命测试0%、34%、50%、75%、100%各阶段记录技术参数;

3. 做好异常情况记录及反馈;

八.判定结果:

1.耐压、泄漏电流通过

2.无任何功能失效

3.按以上方法工作400个循环 (2次/周*52周/年*4年=416次约为400次)

编制:刘军 审核:杨宏 批准:陈泽生

文件编号:TQC0608001

版本:试行版A

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:1/1

产品名称:电烤板

类型:电烤板类

一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的电烤板寿命测试。

三.参考文献:

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压仪、秒表、功率表、电风扇

五.通用说明:

1.测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2.测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近

调校日期及调校有效期的标签。

3.试验室环境温度:10~ 40 ℃湿度50~95%

六.程序步骤:

1.插额定电源,检查样机工作是否正常,包括功率、电流参数及外观等。

2.插上额定电源,温控器旋钮调整到最大工作位置,让其连续工作;

3.每天插拔温控探头一次;

七.注意事项:

1.注意防火及安全措施;

2.寿命测试过程中要求定时检查(检查内容包括整机运行状态、设备完好情况、环境等)

并记录,寿命测试0%、34%、50%、75%、100%各阶段记录技术参数;

3.做好异常情况记录及反馈;

八.判定结果:

1.耐压、泄漏电流通过

2.无任何功能失效

3. 其工作时间应大于1000小时(4次/周*52周/年*5年=1040次约为1000次,每次ON

1小时)

编制:刘军 审核: 杨宏 批准:陈泽生

文件编号:TQC0643001

版本:试行版A

日期:2004.05.06

产品寿命测试方法

页数:1/1

产品名称:烤饼机

类型:烤饼机类

一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的烤饼机寿命测试。

三.参考文献:

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压仪、秒表、功率表、电风扇

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2.测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3.试验室环境温度:10~ 40 ℃湿度50~95%

六.程序步骤:

1.插额定电源,检查样机工作是否正常,包括功率、电流参数及外观等。

2.插上额定电源,让其连续工作60分钟,冷却至室温(可强制风冷),为一个工作循环,

七.注意事项:

1.注意防火及安全措施;

2.寿命测试过程中要求定时检查(检查内容包括整机运行状态、设备完好情况、环境等)并记录,寿命测试0%、34%、50%、75%、100%各阶段记录技术参数;

3.做好异常情况记录及反馈;

八.判定结果:

1.耐压、泄漏电流通过

2.无任何功能失效

3. 其工作时间应大于520个工作循环。(2次/周*52周/年*5年=520次)

编制:刘军 审核: 杨宏 批准:陈泽生

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:1/1

产品名称:水煲

类型:电热类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于公司开发的所有的水煲寿命测试(客户另有要求的除外)。

三.参考文献:

Salton European Co.的测试要求。

四.使用设备:

耐压测试仪、可调电源、自动调试架、量杯

五.通用说明:

1.测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2.测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3.试验室环境温度:10~ 40 ℃湿度50~95%

六.程序步骤:

1.插额定电源,检查样机工作是否正常,耐压测试合格。

2.在额定电压下煲水,第一次装入0.5升的水,开始煲水至蒸汽开关跳开。

3.停10秒钟,将水倒出,再装入0.5升冷水(水温低于室温);

4. 30秒后,开始第二次煲水,此为一个工作周期;

5.重复煲水至要求的寿命循环(开关和按钮也同时要做开合测试)。

6.如有另有保温功能,煲水至跳开后,按保温开关,保温5分钟,然后继续步骤3-5。

七.注意事项:

1.根据测试目的,如为非发热管原因,可由委托人决定是否修复后继续进行测试。

2.测试寿命过程中,0%,34%,50%,75%,100%寿命时,做性能检查:通额定电压,加水至最大刻度,煲水,从水温98℃时开始计时,至蒸汽开关跳开,跳开时间最初应小于15秒;拨掉插头,按压蒸汽开关至开关再次吸合,复位时间最初应小于25秒。

八.判定结果:

1.经过此寿命测试后,耐压测试合格。

2.水煲功能一切正常,结构无损坏,测试后煮水性能不可有下降。

3.低档水煲要求达到3000个循环的寿命(40次/周×52周/年×1.5年=3120次约为3000次);

中档水煲要求达到5000个循环寿命(40次/周×52周/年×2.5年=5200次约为5000次);

高档水煲要求达到10000个循环寿命(40次/周×52周/年×5年=10400次约为10000次)。

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:1/1

产品名称:食物处理器

类型:电动类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的食物处理器寿命测试。

三.参考文献:

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压机、功率表、秒表、电风扇、多路温度记录仪

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2. 测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3. 试验室环境温度:10~ 40 ℃ 湿度50~95%

六.程序步骤:

1. 首先无负载运行1分钟,检查样机是否运行正常。

2. 施加负载,往容器中倒50~80目金刚沙,使其负载达到额定功率的85%±5%;

3. 1分钟“ON”,1分钟“OFF”作为一个小循环,连续5个循环后“OFF”为一个大循环,停机冷却。

七.注意事项:

1. 在测试过程中若发现负载功率下降并超过规定范围(额定功率85%±5%)应及时更换容器中的S刀。

2. 可以将外壳打孔冷却整机。

3. 在0%、34%, 50%, 75%, 100%阶段时检查以下内容:无负载、有负载两种情况下打高压、测功率及马达温升。

4. 停机冷却期间用风扇吹冷整机,直至马达线圈温度降至室温或不得高于室温5℃。

5. 冷却时间必须用感温线测得马达线圈降至室温时后的时间,冷却方式必须在报告中说明。

八.判定结果:

1.样机无任何功能失效。

2.耐压、泄漏电流通过。

3.负载功率必须保持在额定功率85%±5%W。

4.无负载功率保持在初始数值的90~110%之间。

5. 低档产品至少有80%达到730个大循环以上(365天*2个大循环/天=730个大循环);

6. 中档产品至少有100%达到730个大循环以上(365天*2个大循环/天=730个大循环);

7. 高档产品至少有80%达到1460个大循环以上(365天*2个大循环/天*2年=1460个大循环);

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:1/1

产品名称:电动刀

类型:电动类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的电动刀寿命测试。

三.参考文献:

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压仪、秒表、功率表、电风扇

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2. 测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3. 试验室环境温度:10~ 40 ℃ 湿度50~95%

六.程序步骤:

1. 插额定电源,检查样机工作是否正常。

2. 样机带负载(可锯木板、塑胶等),使其负载功率达到额定功率的80%±10%。

3. 10秒“ON”,10秒“OFF”,为一个小循环,连续10个小循环后“OFF”,冷却到室温为一个大循环。七.注意事项:

1.在测试过程中若发现功率达不到额定功率的80%±10%,应及时调整负载。

2.每2小时必须检查负载功率。

3.可以将外壳打孔冷却整机。

4. 在0%、34%, 50%, 75%, 100%阶段时检查以下内容:高压、测功率及马达温升。

5.停机期间用风扇吹冷整机,直至马达线圈温度降至室温或不得高于室温5℃。

6.冷却时间必须用感温线测得马达线圈降至室温时后的时间,冷却方式必须在报告中说明

八.判定结果:

1.耐压、泄漏电流通过。

2.无任何功能失效。

3.低档产品至少有80%达到9000个小循环(12刀/天*10秒*365天*2年=25H)

4.中档产品至少有80%达到13500个小循环(12刀/天*10秒*365天*3年=37H)

5.高档产品至少有80%达到22000个小循环(12刀/天*10秒*365天*5年=61H)

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:1/1

产品名称:开瓶器

类型:电动类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的开瓶器寿命测试。

三.参考文献:

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压机、秒表、功率表、多路温度记录仪

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2. 测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3. 试验室环境温度:10~ 40 ℃ 湿度50~95%

六.程序步骤:

1.插额定电源,检查样机工作是否正常;

2.整机带负载(开空罐为负载),连续开四个罐头,约60秒,冷却整机。

七.注意事项:

1. 罐头的标准为标准圆空罐头(直径为:108mm),罐头的1面算1个罐头;

2. 在0%,34%, 50%, 75%, 100%阶段时检查以下内容:高压、测功率及马达温升;

3.停机期间用风扇吹冷整机,直至马达线圈温度降至室温或不得高于室温5℃;

4.冷却时间必须用感温线测得马达线圈降至室温时后的时间,冷却方式必须在报告中说明。 八.判定结果:

1.样机无任何功能失效。

2.耐压、泄漏电流通过。

3.低档产品至少有75%达到260个罐头(5个/周*52周*1年=260个);

4.中档产品应100%达到260个罐头(5个/周*52周*1年=260个);

5.高档产品至少有80%达到520个罐头(5个/周*52周*2年=520个);

广东德豪润达电气股份有限公司研究所

文件编号:TQC0637001

版本:试行版A

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:1/1

产品名称:咖啡磨豆机

类型:电动类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的咖啡磨豆机寿命测试。

三.参考文献:

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压仪、秒表、功率表、电风扇、多路温度记录仪

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2. 测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3. 试验室环境温度:10~ 40 ℃ 湿度50~95%

六.程序步骤:

方法1:

1. 打豆前先开机空转15秒,检查样机工作是否正常。

2. 如咖啡磨豆机有档位控制磨咖啡豆的粗细或有档位控制电机的转动速度,都将档位调至中档;

3. 将烘干的黄豆(湿度为80%)装入磨豆机中,打开磨豆机,使其负载功率达到额定功率85±5%W。

4. 30秒“ON”,60秒“OFF”为一个小循环,连续5个小循环后“OFF”为一个大循环,冷却整机。 方法2:

1.磨豆机中有标示打豆的杯数,都按8杯打豆,以一次打完8杯标志的黄豆后休息1分钟作为一个小

循环,连续3个小循环为一个大循环,打完一个大循环后“OFF”,冷却整机。

七.注意事项:

1. 在0%,34%, 50%, 75%, 100%阶段时检查以下内容:高压、测功率及马达温升。

2. 停机期间用风扇吹冷整机,直至马达线圈温度降至室温或不得高于室温5℃。

3. 冷却时间必须用感温线测得马达线圈降至室温时后的时间,冷却方式必须在报告中说明。

八.判定结果:

1.样机无任何功能失效。

2.耐压、泄漏电流通过。

3. 马达温升符合规定要求

4. 负载功率必须还能达到额定功率的85%±5%W.

5.方法1中,低档产品至少有80%达到550个大循环以上;方法2中,低档产品至少有80%达到858 个大循环。

6.方法1中,中档产品应100%达到550个大循环以上;方法2中,中档产品应100%达到858 个大循环。

7.方法1中,高档产品应80%达到730个大循环以上;方法2中,高档产品应80%达到1000个 大循环。

产品寿命测试方法

日期:2004.5.6

页数:1/1

产品名称:立式混合器

类型:电动类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的立式混合器寿命测试。

三.参考文献:

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压机、秒表、功率表、多路温度记录仪

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2. 测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3. 试验室环境温度:10~ 40 ℃ 湿度50~95%

六.程序步骤:

1. 插额定电源,开机至最高档,检查样机工作是否正常;

2. 用中档搅面(容器35%的面加水,面水比例为10:7.2,配方:水100g,面:72g,1个鸡蛋,油:5g)作为参考功率,再用硅油作为假负载,使其功率偏差控制在参考功率的±5%之间.

3. 无加速档的立式混合器:5分钟“ON”后“OFF”,停机冷却,冷却到室温。

4. 有加速档的立式混合器:4.5分钟不加速“ON”,再紧接着30秒加速“ON”, 后“OFF”,停机冷却,冷却到室温。

七.注意事项:

1.非电子式立式/手持混合器按手持混合器标准执行(文件编号:TQC0610002)。

2.可以将外壳打孔冷却整机。

3.停机期间用风扇吹冷整机,直至马达线圈温度降至室温或不得高于室温5℃

4.冷却时间必须用感温线测得马达线圈降至室温时后的时间,冷却方式必须在报告中说明。

5. 在0%、34%, 50%, 75%, 100%阶段时检查以下内容:高压、测功率及马达温升。

八.判定结果:

1.样机无任何功能失效。

2.耐压、泄漏电流通过。

3.马达线圈温升不超过极限.

4.低档产品至少有80%达到1300分钟以上(5次/周*5分钟/次*52周*1年=1300分钟);

5.中档产品应100%达到1300分钟以上(5次/周*5分钟/次*52周*1年=1300分钟)

6.高档产品至少有80%达到2600分钟以上(5次/周*5分钟/次*52周*2年=2600分钟)

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:1/1

产品名称:切菜机

类型:电动类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的切菜机寿命测试。

三.参考文献:

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压机、秒表、功率表、电风扇、多路温度记录仪

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2. 测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3. 试验室环境温度:10~ 40 ℃ 湿度50~95%

六.程序步骤:

1. 输入额定电压、频率,检查样机是否运行正常。

2. 用50~80目金刚沙作为模拟负载,使样机的负载功率达到额定功率的80%±5%;

3. 15秒“ON”,30秒“OFF”为一个小循环,连续运行5个循环,然后“OFF”为一个大循环,停机冷却整机。

七.注意事项:

1.可以将外壳打孔冷却整机。

2. 停机期间用风扇吹冷整机,直至马达线圈温度降至室温或不得高于室温5℃

3. 在0%、34%, 50%, 75%, 100%阶段时检查以下内容:打高压、测功率及马达线圈温升、泄漏电流

4.冷却时间必须用感温线测得马达线圈降至室温时后的时间,冷却方式必须在报告中说明

八.判定结果:

1.样机无任何功能失效。

2.耐压、泄漏电流、温升通过。

3.低档产品至少有80%达到292个大循环以上(365*2次/天*2年=292);

4.中档产品应100%达到292个大循环以上(365*2次/天*2年=292);

5.高档产品至少有80%达到430个大循环以上(365*2次/天*3年=430);

版本:试行版A

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:1/1

产品名称:商用搅拌器

类型:电动类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的商用搅拌器寿命测试。

三.参考文献:

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压机、秒表、功率表、电风扇、多路温度记录仪

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2. 测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3. 试验室环境温度:10~ 40 ℃ 湿度50~95%

六.程序步骤:

1. 检查样机有无缺少零部件,杯子是否有漏水;并插额定电源使样机运转,检查是否有异常状况。

2. 将搅拌器设定为最高档位置。

3. 样机杯子中装入1半容量的水为负载,1分钟“ON”, 1分钟“OFF”,为一个小循环,连续5个小循环后,再冷却到室温为一个大循环,冷却整机。

七.注意事项:

1.在测试过程中若发现杯子漏水,应及时更换杯子中的传动座及配件。

2.在测试过程中如杯内的水温较高导致杯子轴承温度过高,可采用60秒放/排水冷却杯子轴承。

(放/排水管直径为1/2")

3. 冷却整机可以将外壳打孔。

4.停机期间用风扇吹冷整机,直至马达线圈温度降至室温或不得高于室温5℃。

5. 冷却时间必须用感温线测得马达线圈降至室温时后的时间,冷却方式必须在报告中说明。

6.在0%、34%, 50%, 75%, 100%阶段时检查以下内容:高压、测功率及马达温升。

八.判定结果:

1.样机无任何功能失效。

2.耐压、泄漏电流通过。

3.玻璃杯轴承温度不超过200℃

4.整个寿命测试期间,更换传动座及配件的次数不超过3次。

5.至少80%达到5000个小循环以上(83H)。

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:1/1

产品名称:手持搅拌器

类型:电动类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的手持搅拌器寿命测试。

三.参考文献:

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压机、秒表、功率表、电风扇、多路温度记录仪

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2. 测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3. 试验室环境温度:10~ 40 ℃ 湿度50~95%

六.程序步骤:

1. 插额定电源,检查样机是否运行正常。

2. 搅拌水为负载(搅拌头完全淹没),档位设定在最高档。

3. 1分钟“ON”,1分钟“OFF”,为一个小循环,连续5个小循环后“OFF”,冷却至室温为一个大循环。

七.注意事项:

1. 可以将外壳打孔冷却整机。

2. 停机期间用风扇吹冷整机,直至马达线圈温度降至室温或不得高于室温5℃

3. 在0%、34%, 50%, 75%, 100%阶段时检查以下内容:高压、测功率及马达温升.

4. 冷却时间必须用感温线测得马达线圈降至室温时后的时间,冷却方式必须在报告中说明.

八.判定结果:

1.样机无任何功能失效。

2.耐压、泄漏电流通过。

3. 低档产品至少有80%达到219个大循环以上(365天*1个小循环/天*3年=219大循环);

4.中档产品应100%达到219个大循环以上(365天*1个小循环/天*3年=219大循环)

5.高档产品至少有80%达到365个大循环以上(365天*1小大循环/天*5年=365大循环)

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:1/1

产品名称:手持混合器

类型:电动类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的手持混合器寿命测试。

三.参考文献:

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压机、秒表、功率表、电风扇、多路温度记录仪

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2. 测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3. 试验室环境温度:10~ 40 ℃ 湿度50~95%

六.程序步骤:

1. 插额定电源,检查样机是否运行正常。

2. 使用硅油作为负载,额定功率小于150W的,档位设定在最高档,使样机工作时的功率达到额定功率的90%±10%(如有加速档,不考虑加速档的最高功率)

3. 额定功率为150~250W的,档位设定为中档,负载功率以正常搅面时的功率作为打硅油的负载功率(正常搅面的配方:水100g,面:72g,1个鸡蛋,油:5g,)。

4. 无加速档的手持混合器:5分钟“ON”后“OFF“,为一个循环,冷却整机.

5. 有加速档的手持混合器:4.5分钟不加速“ON”,再紧接着30秒加速“ON”后“OFF“,为一个循环,冷却整机。

七.注意事项:

1. 可以将外壳打孔冷却整机。

2. 停机期间用风扇吹冷整机,直至马达线圈温度降至室温或不得高于室温5℃。

3. 冷却时间必须用感温线测得马达线圈降至室温时后的时间,冷却方式必须在报告中说明。

4. 在0%、34%, 50%, 75%, 100%阶段时检查以下内容:高压、测功率及马达温升。

八.判定结果:

1.样机无任何功能失效。

2.耐压、泄漏电流通过。

3.低档产品至少有80%达到1300分钟以上(5次/周*5分钟/次*52周*1年=1300分钟);

4.中档产品应100%达到1300分钟以上(5次/周*5分钟/次*52周*1年=1300分钟);

5.高档产品至少有80%达到2600分钟以上(5次/周*5分钟/次*52周*2年=2600分钟)

版本:试行版A

产品寿命测试方法

日期:2004.05.06

页数:1/1

产品名称:台式搅拌器

类型:电动类一.目的:

测试验证样机寿命是否达到设计寿命。

二.适用范围:

本测试适用于无客户要求的台式搅拌器寿命测试。

三.参考文献:

四.使用设备:

泄漏电流测试仪、耐压机、秒表、功率表、电风扇、多路温度记录仪

五.通用说明:

1. 测试使用的所有仪器均需在测试前进行点检。

2. 测试所使用的所有仪器都应以一年为基准进行校验,每一台仪器上都应贴有载有最近调校日期及调校有效期的标签。

3. 试验室环境温度:10~ 40 ℃ 湿度50~95%

六.程序步骤:

1. 检查样机有无缺少零部件,杯子是否有漏水;并插额定电源使样机运转,检查是否有异常状况。

2. 将搅拌器设定为最高档位置。

3. 样机杯子中装入1半容量的水为负载,30秒“ON”, 1分钟“OFF”,为一个小循环,连续5个小循环后,再冷却到室温为一个大循环。

七.注意事项:

1.在测试过程中若发现杯子漏水,应及时更换杯子中的传动座及配件。

2.在测试过程中如杯内的水温较高导致杯子轴承温度过高,可采用60秒放/排水冷却杯子轴承。

(放/排水管直径为1/2")

3.可以将外壳打孔冷却整机。

4.停机期间用风扇吹冷整机,直至马达线圈温度降至室温或不得高于室温5℃。

5.冷却时间必须用感温线测得马达线圈降至室温时后的时间,冷却方式必须在报告中说明。

6.在0%、34%, 50%, 75%, 100%阶段时检查以下内容:高压、测功率及马达温升。

八.判定结果:

1.样机无任何功能失效。

2.耐压、泄漏电流通过。

3.玻璃杯轴承温度不超过200℃

4.整个寿命测试期间,更换传动座及配件的次数不超过2次。

5.低档产品应100%达到3150个小循环(30秒/次*21次/周*52周*3年=27H)。

6.中档产品至少80%达到5250个小循环(30秒/次*21次/周*52周*5年=44H)

7.高档产品至少80%达到10000个小循环(30秒/次*21次/周*52周*10年=91H)

少子寿命的测量

表面复合对少子寿命测量影响的定量分析 我们测量硅单晶、铸造多晶以及单晶硅片、多晶硅片的少子寿命,都希望得到与真实体寿命b τ相接近的测量值(表观寿命),而不是一个受表面影响很大的表面复合寿命s τ。因为在寿命测量中只有b τ才能真正反映半导体材料的内在质量,而表面复合寿命只能反映样品的表面状态,是随表面状态变化而变化的变数。 通过仪器测量出的寿命值我们一般称为表观寿命,它与样品体寿命及表面复合寿命有如下关系,公式(1)由SEMI MF28-0707给出的计算公式τ0 =S F R τ--11(τ0或b τ表示体寿命)推演出来: S b F τττ111+= (1) 即仪器测量值F τ,它实际上是少子体寿命b τ和表面复合寿命s τ的并联值。 光注入到硅片表面的光生少子向体内扩散,一方面被体内的复合中心(如铁原子)复合,另一方面扩散到非光照面,被该表面的复合中心复合。 光生少子在体内平均存在的时间由体复合中心的多少而决定,这个时间就称为体寿命。如果表面很完美,则表面复合寿命趋于无穷大,那么表观寿命即等于体寿命。 但实际上的表面复合寿命与样品的厚度及表面复合速度有关。 由MF1535-0707中给出s l D l sp diff s 222+=+=πτττ (2)可知,其中: diff τ=D l 22 π——少子从光照区扩散到表面所需的时间 sp τ= 2l s ——少子扩散到表面后,被表面(复合中心、缺陷能级)复合所需要的时间 l ——样品厚度 D ——少子扩散系数,电子扩散系数Dn=33.5cm 2/s ,空穴扩散系数Dp=12.4 cm 2/s

S ——表面复合速度,单位cm/s 硅晶体的表面复合速度随着表面状况在很大范围内变化。如表1所示: 表1 据文献记载,硅抛光面在HF 酸中剥离氧化层后复合速度可低至0.25cm/s ,仔细制备的干氧热氧化表面复合速度可低至1.5-2.5cm/s ,但是要达到这样的表面状态往往不容易,也不稳定,除非表面被钝化液或氧化膜保护。一般良好的抛光面表面复合速度都会达到 104 cm/s ,最容易得到而且比较稳定的是研磨面,因为它的表面复合速度已达到饱和,就像饱和浓度的盐水那样,再加多少盐进去浓度依然不变。 现在很多光伏企业为了方便用切割片直接测量寿命,即切割后的硅片不经清洗、抛光、钝化等减少和稳定表面复合的工艺处理,直接放进寿命测试仪中测量,俗称裸测,这种测量简单、方便、易操作。 为了定量分析表面复合对测量值F τ的影响,我们以最常用厚度为180μm 的P 型硅片为例进行定量分析。因为切割面实质上也是一种研磨面,是金属丝带动浆料研磨的结果,一般切割、研磨面的表面复合速度为S=107cm/s ,但线切割的磨料较细,我们将其表面复合的影响估计的最轻,也应该是S ≥105cm/s 。因为良好的抛光面S ≈104cm/s,我们按照2007版的国际标准MF1535-0707、MF28-0707提供的公式:b τ= S F R τ--1 1 ,其中Rs 是表面复合速率,表面复合寿命S s R 1=τ, 由以上公式即可推演出常用公式:S b F τττ111+= 表面复合寿命s l D l sp diff s 222+=+=πτττ 我们以以下的计算结果来说明,当切割面的表面复合速度为S=105cm/s 时, l =180μm 厚的硅片当它的体寿命由0.1μS 上升到50μS (或更低、更高)时, 我们测出的表观寿命受表面影响的程度,以及真实体寿命b τ与实测值F τ相差多

ISTQB 测试生命周期与测试 模拟题

第二章软件生命周期中的测试 1.以下选项中,不属于典型的V-模型的测试级别是 a组件/单元测试 b集成测试 c回归测试 d验收测试 2.以下选项中,不属于验收测试典型的类型有 a用户验收测试 b运行验收测试 c合同和法规性验收测试 d维护测试 3.对于商业现货(COTS)产品的系统集成,购买者可能会在系统级别进行集成 测试(integration testing)(与基础设施集成测试,和其他系统的集成测试或系统的商业部署)和验收测试(acceptance testing)(功能/非功能测试,用户或操作测试),这种情况说明 a根据项目的特征或系统的架构,可以对测试级别进行合并或重新进行组合b组件测试测试忽略 c可以使用集成测试替代系统测试 d验收测试只能在系统级别进行 4.关于测试的类型,下面哪个是正确的组合 1.通讯录地址的修改 2.确认测试/再测试 3.语句覆盖 4.压力测试 A.功能测试 B.与变更有关的测试 C.非功能的测试 D.结构性测试 a1-A; 2-B; 3-C; 4-D

b1-A; 2-B; 3-D; 4-C c1-C; 2-A; 3-D; 4-B d1-B; 2-A; 3-D; 4-C 5.关于测试类型的应用范围,下面哪是正确的 a结构测试只能用在组件测试或集成测试 b功能测试只能用在系统测试或验收测试 c白盒测试方法不能用于系统测试 d功能测试和结构性测试可以应用在任何测试级别 6.关于维护测试,下列哪个选项正确 a在软件系统交付给用户真正使用之前必须进行维护测试 b在每个测试级别都需要进行维护测试 c维护测试是在一个现有的运行系统上进行的测试 d在一个现有的运行系统,因为开发已经完成了,所以不再需要测试 7.关于软件确认测试和回归测试的描述,下列哪个选项是错误的 a当修改了缺陷后,应该重新进行测试以确定原来的缺陷已经成功的修改,称之为确认测试 b回归测试是对已被侧过的程序在变更后进行的重复测试,以发现在这些变更后是否有新的缺陷引入 c当软件发生变更或者应用软件的环境发生变化时,需要进行回归测试 d回归测试可以在所有的测试级别上进行,并且只适用于功能测试 8.有一个系统已经在市场上运行了,这种情况对系统进行修改,然后进行的测 试属于 a.维护测试 b.验收测试 c.组件测试 d.系统测试 9.在生命周期模型中,一个好的测试都应具有哪些特点中错误的是 a每个开发活动都有相应的测试活动 b每个测试级别都有其特有的测试目标 c对于每个测试级别,需要在相应的开发活动过程中进行相应的测试分析和设计 d在开发生命周期中,测试员在文档中间阶段就应该参与文档的评审

质量保修期及质量保证期服务承诺书精编版

质量保修期及质量保证 期服务承诺书精编版 MQS system office room 【MQS16H-TTMS2A-MQSS8Q8-MQSH16898】

质量保修工作承诺书 致; 我公司承建的项目已于竣工并通过验收交付使用。现就质量保修做出如下服务承诺: 1、本公司郑重承诺所提供货物是通过正当合法来源获得的全新的、未使用的产品,并对之具有完全所有权;任何有关产品的所有权、知识产权或担保物权可能提出的异议、有关索赔责任及费用或法律责任,均由谈判响应供应商承担。产品完全符合招标文件所规定的质量、规格和性能要求。 2、本公司将根据业主要求的时间、地点进行安装及调试。免费为业主提供所涉及的设备的操作使用及维护的培训服务。 3、本着切实为客户服务的思想,公司提供长期良好的售后服务。公司在厦门市金桥路169号之13设有固定的维修场所,并库存有一定批量的备品备件,能够快速提供良好的售后服务支持。 4、确立质量回访制度,并定期做《保修期产品质量反馈调查》。交付业主安装使用后,回访工作主要是通过以下二种方式: ⑴自访。 ⑵根据用户的要求进行回访。 5、维修人员对于平时业主要求维修的信息,将及时给予答复,确定维修时间。自验收合格交付使用之日起,2年内上门免费保修及提供技术支持。保修期内出现故障的,2小时内现场维修响应,4小时内修复;特殊情况在24小时内无法修复的,免费更换新设备,维修期间提供代用设备使其正常运转。因硬件故障,工作延误、未及时响应修复,造成业主损失的,公司将负责赔偿。 6、我司将对该工程进行定期或不定期的维护。使用过程中,根据使用情况(如材料使用年限,结构使用环境条件等),定期对结构进行必要维护,以确保使用过程中的结构安全。 7、对业主所反映的问题,将作好详细的分析与记录,根据问题所造成的对象不同,分别加以处理。 8、在维修工作中,要求回访人员积极做好产品正确使用的宣传工作,以满腔热情来为业主服务,使业主放心、满意。

三年级科学下册《动物的生命周期》形成性测试卷

三年级科学下册《动物的生命周期》测试卷附参考答案 一、卷面书写(10分) 二、填空题(每空2分,共40分) 1、蚕的一生是不断生长变化的,要经历(蚕卵)、(蚕)、(蛹)、(蚕蛾)四个不同形态的变化阶段。 2、蚕的一生经历了(出生)、(生长发育)、(繁殖)、(死亡)四个阶段,这就是蚕的生命周期。 3、在人的一生中,有两个时期长得最快。第一个时期是(出生前后),即胎儿期到出生后1岁,第二个时期是(青春发育期),即10岁至20岁之间。 4、人的一生有(两)副牙,一副是(乳牙),一副是(恒牙)。成年人共有(28—32)颗恒牙,恒牙长出后终生不换。 5、变态是昆虫生长发育过程中的一个重要现象,根据发育过程中是否有蛹期可以把绝大多数昆虫分为(完全变态)与(不完全变态)两大类。蝴蝶是(完全变态)昆虫,蜻蜓是(不完全变态)昆虫。 6、蚕生长到一定的阶段,会长出新皮,换下旧皮,这叫(蜕皮),蚕的一生要蜕(4)次皮。 三、判断题(每小题2分,共20分) 1、各种动物都有自己的生命周期,包括出生、生长发育、繁殖和死亡。(√) 2、养蚕、抽取蚕丝织成丝绸,是我国的伟大发明之一,早在3000多年以前我国劳动人民就已经开始养蚕。(×) 3、蚕的身体可分为头部、胸部和腹部三部分。(√) 4、蚕身体两侧的小黑点是蚕的气门,是蚕呼吸器官的开口。(√) 5、所有动物的生命周期长短都相同。(×) 6、蚕不叶子了,身体也发黄发亮说明要开始结茧了。(√) 7、从蚁蚕天吐丝结茧共蜕四次皮,所以蚕共分为4龄。(×) 8、蚕的生命周期大约为56天。(√) 9、青春期是从童年到成年的过渡阶段,对每个人来说,都是生长发育的重要时期。(√) 10、蝗虫是完全变态的昆虫。(×) 四、简答题(每小题10分,共30分)

少数载流子寿命测试

第三章:少数载流子寿命测试 少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数,它在半导体发展之初就已经存在了。早在20世纪50年代,Shockley 和Hall等人就已经报道过有关少数载流子的复合理论[1-4],之后虽然陆续有人研究半导体中少数载流子的寿命,但由于当时测试设备简陋,样品制备困难,尤其对于测试结果无法进行系统地分析。因此对于少数载流子寿命的研究并没有引起广泛关注。直到商业需求的增加,少数载流子寿命的测试才重新引起人们的注意。晶体生产厂家和IC集成电路公司纷纷采用载流子寿命测试来监控生产过程,如半导体硅单晶生产者用载流子寿命来表征直拉硅单晶的质量,并用于研究可能造成质量下降的缺陷。IC集成电路公司也用载流子寿命来表征工艺过程的洁净度,并用于研究造成器件性能下降的原因。此时就要求相应的测试设备是无破坏,无接触,无污染的,而且样品的制备不能十分复杂,由此推动了测试设备的发展。 然而对载流子寿命测试起重要推动作用的,是铁硼对形成和分解的发现[5,6],起初这只是被当作一种有趣的现象,并没有被应用到半导体测试中来。直到Zoth 和Bergholz发现,在掺B半导体中,只要分别测试铁硼对分解前后的少子寿命,就可以知道样品中铁的浓度[7]。由于在现今的晶体生长工艺中,铁作为不锈钢的组成元素,是一种重要的金属沾污,对微电子器件和太阳能电池的危害很严重。通过少数载流子寿命测试,就可以得到半导体中铁沾污的浓度,这无疑是一次重大突破,也是半导体材料参数测试与器件性能表征的完美结合。之后载流子寿命测试设备迅速发展。 目前,少数载流子寿命作为半导体材料的一个重要参数,已作为表征器件性能,太阳能电池效率的重要参考依据。然而由于不同测试设备在光注入量,测试频率,温度等参数上存在差别,测试值往往相差很大,误差范围可能在100%,甚至以上,因此在寿命值的比较中要特别注意。 概括来说,少数载流子寿命的测试及应用经历了一个漫长的发展阶段,理论上,从简单的载流子复合机制到考虑测试结果的影响因素。应用上,从单纯地用少子寿命值作为半导体材料的一个参数,到把测试结果与半导体生产工艺结合起来考虑。测试设备上,从简陋,操作复杂到精密,操作简单,而且对样品无接触,

房屋质量保修期及保修范围

房屋质量保修期及保修范围 购房者在收房验收时,有些房屋的质量问题还不能显现出来,而在入住以后一段时间才发生问题,这时我们要清楚开发商对房屋质量的保修期。 1、基础设施工程、房屋建筑的地基基础工程和主体结构工程,为设计文件规定的该工程的设计使用年限; 2、屋面防水工程、有防水要求的卫生间、房间和外墙的防渗漏,为5年; 3、供热与供冷系统,为2个采暖期、供冷期; 4、电气管线、给排水管道、设备安装和装修工程,为2年; 5、装修工程为2年。 其他项目的保修期限由发包方与承包方约定。建设工程的保修期,自竣工验收合格之日起计算。 新房的保修期从何时起算?许多人会回答:“从交付之日起算。”这种解答显然不够准确。房屋的保修期不像一般商品可以简单地定为购买后的1年、2年或5年。且期房交付时的保修期与现房的保修期很可能会有时间差,购房者往往对此一知半解。房地产商虽然对购房人负有保修责任,但实际真正承担保修工作的是建设工程承包单位,保修期是以建设工程承包单位对房地产商承诺的时间为基础的。 国务院的《建筑工程质量管理条例》第四十条规定:“在正常使用条件下,建设工程的最低保修期限为: (一)基础设施工程、房屋建筑的地基基础工程和主体结构工程,为设计文件规定的该工程的合理使用年限; (二)屋面防水工程、有防水要求的卫生间、房间和外墙面的防渗漏,为5年; (三)供热与供冷系统,为2个采暖期、供冷期; (四)电气管线、给排水管道、设备安装和装修工程,为2年。 其它项目的保修期限由发包方与承包方约定。建设工程的保修期,自竣工验收合格之日起计算。 买尾房或现房的购房人,收房时一定要注意保修期的时限,避免错过保修时间。房子保修在很多购房者眼里是天经地义的事,买袋食品还有保质期呢,更何况是房子。保修期该从何时算,很多人会想当然地认为,当然是从房子交到自己手里算。至于具体期限是多少,又有几人知?一旦房子真出了问题,除了找开发商,就只有干着急了。刘某半年前刚搬进新居,就发现墙壁渗水,原以为是预埋的水管爆裂。于是刘某找开发商维修,但开发商却告诉他,由于他买的是尾货,楼盘竣工已有两年,房子已经过了保修期,他们不再负责。刘某十分气愤,自己才住了不到半年,怎么就过了保修期?那么,房屋保修期到底有多长?期限又该如何计算呢?一旦出了问题该如何处理? 此保修期非彼保修期 国务院颁布的《建筑工程质量管理条例》第四十条规定了“在正常使用条件下,建设工程的最低保修期限”。建设部在《商品住宅实行住宅质量保证书和住宅使用说明书制度的规定》和《房屋建筑工程质量保修办法》中,还详细规定了一些房屋各个部位、部件的保修期,主要包括:墙面、顶棚抹灰层脱落1年;地面空鼓开裂、大面积起砂1年;门窗翘裂、五金件损坏1年;管道堵塞2个月;卫生洁具1年;灯具、电器开关6个月;其他部位、部件的保修期限,由开发商与用户自行约定。这里规定的

ISTQB测试生命周期与测试模拟题

I S T Q B测试生命周期 与测试模拟题 SANY标准化小组 #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#

第二章软件生命周期中的测试 1.以下选项中,不属于典型的V-模型的测试级别是 a组件/单元测试 b集成测试 c回归测试 d验收测试 2.以下选项中,不属于验收测试典型的类型有 a用户验收测试 b运行验收测试 c合同和法规性验收测试 d维护测试 3.对于商业现货(COTS)产品的系统集成,购买者可能会在系统级别进行集成 测试(integration testing)(与基础设施集成测试,和其他系统的集成测试或系统的商业部署)和验收测试(acceptance testing)(功能/非功能测试,用户或操作测试),这种情况说明 a根据项目的特征或系统的架构,可以对测试级别进行合并或重新进行组合b组件测试测试忽略 c可以使用集成测试替代系统测试 d验收测试只能在系统级别进行 4.关于测试的类型,下面哪个是正确的组合 1.通讯录地址的修改 2.确认测试/再测试 3.语句覆盖 4.压力测试 A.功能测试 B.与变更有关的测试 C.非功能的测试 D.结构性测试 a1-A; 2-B; 3-C; 4-D b1-A; 2-B; 3-D; 4-C c1-C; 2-A; 3-D; 4-B d1-B; 2-A; 3-D; 4-C 5.关于测试类型的应用范围,下面哪是正确的 a结构测试只能用在组件测试或集成测试 b功能测试只能用在系统测试或验收测试 c白盒测试方法不能用于系统测试 d功能测试和结构性测试可以应用在任何测试级别 6.关于维护测试,下列哪个选项正确

项目管理(pmp)的生命周期

项目管理(pmp)的生命周期 做好一个项目是为完成一件独特的事情所做的所有努力,一个好的项目要具备独特性、临时性和渐进明细,何为独特性即以前从来没有做过,且不许失败,临时性是有明确开始和结束时间,且不可重来的,渐进明细是对项目认识是一个逐渐清晰的过程 做项目是一件复杂精细的过程,再此期间你需要在专业的技术上运用你的经验和人际交往技巧来完成一个项目的实施和收尾,而且对于一个项目也要清楚一个项目的生命周期,该项目最后的结果。 简单的说下项目生命周期其中有三个是与时间相关的重要概念:即检查点、里程碑(Mile Stone)和基线(Base Line),即描述了在什么时候(When)对项目进行什么样控制。指在规定的时间间隔内对项目进行检查,比较实际与计划之间的差异,并根据差异进行调整。可将检查点看作是一个固定“采样”时点。 而时间间隔根据项目周期长短不同而不同,频度过小会失去意义,频度过大会增加管理成本。常见的间隔是每周一次,项目经理需要召开例会并上交周报 很多企业都是需要从项目推进开始的,光环国际远程免费讲座中的老师提到,实施一套新的业务流程,建造一幢大楼或意向基础设施,开发一套心得信息系统,企业投资、研发、生产、营销、服务都有项目。 因为一个项目是针对不同产品和是叫你的,所项目生命周期还可以分成识别需求、提出解决方案、执行项目和结束项目四个阶段。项目存在两次责任转移,所以开始前要明确定义工作范围。项目应该在检查点进行检查,比较实际和计划的差异并进行调整;通过设定里程碑渐近目标、增强控制、降低风险;而基线是重要的里程碑,交付物应通过评审并开始受控。 上述是简单为项目管理的生命周期做个概述,如果有不明白的地方可以百度下,或者找下专门做项目管理培训的机构进行系统的了解。

项目生命周期简述

项目生命周期 项目生命周期示意图 一个咨询项目从概念到完成所经过的各个阶段。项目的性质在每个阶段都会发生变化。由于项目的本质是在规定期限内完成特定的、不可重复的客观目标,因此,所有项目都有开始与结束。不过在看到这个关于项目“出生、成熟、死亡”的生物学比喻以后,不要受到误导而得出这样的结论:“即项目在本质上是单一方向发展的。”许多项目,由于意料之外的环境变化,即使在接近原先规划的最后阶段时,也可能重新开始。项目的生命周期可以分为四个阶段:项目立项期、项目启动期、项目发展成熟期以及项目完成期。 目录 编辑本段

在确定一个项目的初期,项目管理层通常热情高涨,但目标却不清晰,因此,在项目生命周期的初始阶段,最关键的工作是明确项目的概念和制定计划,并使之与未来的活动场所相适应。在这个阶段,有以下几个方面需要注意。 1.1组建并整合管理团队 对于成功的项目管理者而言,在这个时期他们会组建并整合管理团队的关键成员。另外,他们会用大量时间与精力确定项目所需要的专业技术与行为,并且找到拥有这些技能的合适人员。一切工作以人员为中心展开,这表明项目组织中不仅需要优秀的管理,而且需要人才,特别是在大 项目生命周期 型项目中位于项目管理梯队上层、具有领导才能的人士。 1.2阐明项目的理念或者方向 项目组织中的领导者应该阐明项目的理念或者方向,这种理念可能包含在项目经济性目标之外更高的目标,真正的领导者在实施所提出的理念时也会认真思考并采取关键的行动。那些口头上滔滔不绝地要求别人努力工作,而自己却离开工作去休息,或者忽略了项目的真正运作环境的人,不是真正的领导者。实际中,有可能存在着大量不同的管理风格,但是在所有管理风格中,惟一的关键相同点是领导者的行为都真正符合他们所倡导的理念。 1.3与项目主顾谈判 项目立项阶段管理过程中关键的风险承担者是项目的出资者。在项目立项阶段,管理层的一项关键工作是和项目主顾就项目概念和战略进行谈判,以达成一致意见;另外,还要与项目主顾就全面资源计划和项目期限进行谈判。这项谈判非常重要,这不仅关系到项目的执行,而且直接影响项目管理层与项目主顾之间建立良好、清晰的工作关系。 以上已经强调过项目具有清晰、客观的目标以及将这些目标具体化为工作计划的重要性,不过,项目管理层不应该在计划确定阶段花费过多时间。尽管在制定项目计划时花费足够时间非常重要,但是有一些项目管理团队在这个阶段花费了过多时间,试图将项目以后所有的问题一次性解决,事实上,经验表明,解决最后一些问题所必需的一些“条件”,要等到项目发展到该阶段时才能具备。

少子寿命测试的讨论_02概要

施美乐博公司上海代表处 上海浦东新区商城路738号胜康廖氏大厦906A (邮编:200120 Rm.906A,Suncome Liauw's Plaza, No.738, Shangcheng Road, Pudong,Shanghai 200120, China Tel: +86-21-58362889 Fax: +86-21-58362887 To : Semilab 产品用户 FROM : 黄黎 / Semilab Shanghai Office Pages : 5 Pages (included this page Refer : 1、Semilab 公司上海办事处联系方法 2、关于少子寿命测试若干问题的讨论 尊敬的Semilab 产品用户: 感谢您和贵公司一直以来对我们的支持! 为了更好地服务于中国客户,Semilab 公司现已在上海成立办事处。 具体的联系方法为: 施美乐博公司上海办事处 上海浦东新区商城路738号胜康廖氏大厦906A (邮编:200120 Tel: +86-21-58362889 Fax: +86-21-58362887 联系人:黄黎先生

手机: +86-138******** (Shanghai +86-135******** (Beijing E-mail: leon.huang@https://www.wendangku.net/doc/1d14990357.html, Website: https://www.wendangku.net/doc/1d14990357.html, 现提供关于少子寿命测试若干问题的讨论,供您参考,并烦请填写客户意见反馈表,传真给我们,以便我们改进工作,谢谢!如您还有任何问题或需要,请随时与我们联系。 此致 敬礼! 施美乐博公司上海办事处 2006年4月7日 施美乐博公司上海代表处 上海浦东新区商城路738号胜康廖氏大厦906A (邮编:200120 Rm.906A,Suncome Liauw's Plaza, No.738, Shangcheng Road, Pudong,Shanghai 200120, China Tel: +86-21-58362889 Fax: +86-21-58362887 关于少子寿命测试若干问题的讨论 鉴于目前Semilab 少子寿命测试已在中国拥有众多的用户,并得到广大用户的一致认可。现就少子寿命测试中,用户反映的一些问题做出如下说明,供您在工作中参考: 1、Semilab μ-PCD 微波光电导少子寿命的原理

少子寿命概念

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子,即少数载流子,是半导体物理的概念。它相对于多子而言。 半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。如,在 N型半导体中,空穴是少数载流子,电子是多数载流子;在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子,当它顶替晶格中的四价硅原子时,每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合,而余下的一个就不受共价键束缚,它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子,因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子,尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子,但它束缚在晶格中,不能象载流子那样起导电作用。这样,与本征激发浓度相比,N型半导体中自由电子浓度大大增加了,而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大,其浓度反而更小了。 少子浓度主要由本征激发决定,所以受温度影响较大。 香港永先单晶少子寿命测试仪 >> 单晶少子寿命测试仪 编辑本段产品名称 LT-2单晶少子寿命测试仪 编辑本段产品简介 少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、太阳能电池的效率都有重要的影响.我们采用微波反射光电导衰减法研制了一台半导体材料少子寿命测试仪,本文将对测试仪的实验装置、测试原理及程序计算进行了较详细的介绍,并与国外同类产品的测试进行比较,结果表明本测试仪测试结果准确、重复性高,适合少子寿命的实验室研究和工业在线测试. 技术参数: 测试单晶电阻率范围 >2Ω.cm 少子寿命测试范围 10μS~5000μS 配备光源类型 波长:1.09μm;余辉<1 μS; 闪光频率为:20~30次/秒; 闪光频率为:20~30次/秒; 高频振荡源 用石英谐振器,振荡频率:30MHz 前置放大器 放大倍数约25,频宽2 Hz-1 MHz 仪器测量重复误差 <±20%

产品生命周期的可靠性测试类型

产品生命周期的可靠性测试类型 可靠性的主要测试类型根据产品生命周期的各个阶段大约分为四类,即HALT(研发早期)、ALT(研发中期)、RDT(研发末期暨生产导入期)、ORT(量产期)。 其他的一些可靠性GoTest由于目的单纯,所以样品数往往是经验值或与可靠性目标相关的统计学方法值,此处暂不赘述。 这四个阶段的测试对于样品数的要求都有所不同,下面给出一些参考意见。 HALT:此测试主要目的是找出设计中的重大问题和主要失效模式,增加产品的稳健度(Robustness),确定产品的四个极限即Low&HighDL(DestructiveLimit)和Low&HighOL(OperatingLimit)。所以,样品数非常少,通常每次仅2-4个。当然根据不同产品类型和测试条件,相应作出调整,但此时,样品数并不依据统计学方法给出。 ALT:此测试主要目的是验证MTBF目标。此时,样品数的选择和几个因素有关,主要是MTBF目标、加速因子(AF)、GEMFactor、测试时间。而加速因子与加速老化测试的条件(condition)相关,如温度、温湿度、温湿度加开关交变加速率等;GEMFactor同可接受失效数和置信度相关。下面的表示温湿度ALT测试时间与样品数之间关系的公式可以进一步说明: Duration(hrs)=(MTBFspecxGEMfactorCL)/(SampleSizexAFtempxAFRH). GEMfactor如下表 RDT:此测试目的是为了验证可出货产品是否满足可靠性目标。RDT可分为加速和非加速两种。做RDT 计划,首先要知道产品寿命分布曲线(lifedistribution)。然后根据lifedistribution,确定以下三种测试方法中的一种,即二项式参数(ParametricBinomial)、非二项式参数(Non-ParametricBinomial)、指数卡方(ExponentialChi-Squared)。 最后根据可靠性目标与相关参数的关系确定测试计划。例如要确认产品的lifedistribution为非二项式参数(Non-ParametricBinomial)的可接受失效数为零的测试样品数公式为 当然,以上的计算可以通过一些商业软件非常容易地计算出来。 有时RDT是持续性测试(SequentialTesting),持续数周,数量也比较多。 加速RDT可以通过增加应力级数(stresslevel)相应缩短测试时间和样品数。 ORT:此测试主要目的就是为了筛除那些受到生产流程中的各种因素影响而导致可靠性下降不能满足目标的产品。此时可以使用统计学方法计算样品数。但是,由于产品类型的不同和量产时的情况复杂多变,包括样品数在内的各种测试条件和类型往往都是定制的。没有一个统一的定论。 总结:每个阶段的测试条件各不相同,人们总想要最少的样品,最短的测试时间,而我也不认为可靠性越高对公司就越好。要知道,可靠性也是合适的才是最好的。所以,在定制测试计划时,不应一成不变,而是要充分了解产品特性、客户要求、自身能力等因素,从中找到一个平衡点,制定出合理的计划。

对一个项目进行生命周期的描述

对一个项目进行生命周期的描述 一个咨询项目从概念到完成所经过的各个阶段。项目的性质在每个阶段都会发生变化。由于项目的本质是在规定期限内完成特定的、不可重复的客观目标,因此,所有项目都有开始与结束。不过在看到这个关于项目“出生、成熟、死亡”的生物学比喻以后,不要受到误导而得出这样的结论:“即项目在本质上是单一方向发展的。”许多项目,由于意料之外的环境变化,即使在接近原先规划的最后阶段时,也可能重新开始。项目的生命周期可以分为四个阶段:项目立项期、项目启动期、项目发展成熟期以及项目完成期。 1 项目立项阶段 在确定一个项目的初期,项目管理层通常热情高涨,但目标却不清晰,因此,在项目生命周期的初始阶段,最关键的工作是明确项目的概念和制定计划,并使之与未来的活动场所相适应。在这个阶段,有以下几个方面需要注意。 2 项目启动阶段 在项目启动阶段,项目的规划将逐步成为现实,其中包括一些为了实现项目目标而采取的实际措施与行动。在项目启动阶段,确定项目目标、前景评估,以及规划的各种专业团队,都必须与领导项目的团队进行全面合作。所有团队都必须和项目团队成员以及加入项目的或者与项目联系在一起 项目管理生命周期的主要管理要素 的合作方进行合作与沟通。在项目的这个阶段,最有可能在各个方面产生矛盾与冲突,会产生许多管理上的挑战,特别是在大型复杂的项目中。所以,有必要把许多新的人员和合作方结合成一个整体,在新的人员和合作方之间建立强有力的工作关系;有必要将项目的经济因素与各方的工作联结起来,对项目参与各方反复灌输一些非正式的制度和行为规则;有必要确立清晰的、各方共同接受的工作与资源计划;将另外一些人士可能拥有新的、重要的信息,特别是那些负责项目实施的人士考虑进来是至关重要的。最后,以上的所有工

少子寿命测量

高频光电导衰减法测量Si 中少子寿命 预习报告: 一,什么是少子寿命? 少子,即少数载流子。少子寿命指少子的平均生存时间,寿命标志少子浓度减少到原值的1/e 所经历的时间。少数载流子寿命是与半导体中重金属含量、晶体结构完整性直接有关的物理量。它对半导体太阳电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率等都有影响。 二,如何测量少子寿命? 测量非平衡少数载流子寿命的方法有许多种,分别属于瞬态法和稳态法两大类。本实验采用高频光电导衰减法测量Si 中少子寿命。 三,实验原理: 当能量大于半导体禁带宽度的光照射样品时,在样品中激发产生非平衡电子和空穴。若样品中没有明显的陷阱效应,那么非平衡电子(?n )和空穴(?p)的浓度相等,它们的寿命也就相同。样品电导率的增加与少子浓度的关系为n q p q n p ?+?=?μμσ当去掉光照,少子密度将按指数衰减,即τ t e p -∝?,因此导致电导率为τ σt e - ∝?。 高频源提供的高频电流流经被测样品,当红外光源的脉冲光照射样品时,单晶体内产生的非平衡光生载流子使样品产生附加光电导,从而导致样品电阻减小。由于高频源为恒压输出,因此流经样品的高频电流幅值增加?I ,光照消失后,?I 逐渐衰减,其衰减速度取决于光生载流子在晶体内存在的平均时间,即寿命。在小注入条件下,当光照区复合为主要因素时,?I 将按指数规律衰减,此时取样器上产生的电压变化?V 也按同样的规律变化,即 τt e V V - ?=?0 图2指数衰减曲线 一, Si. t

?V~t 曲线: (一) (二) (三) 计算少子寿命: 电压满足τ t e V V -?=?0,在测量数据中,由于时间原点的不同选择,t 的绝对值不同, 但是相对值相同。任选两个点(t 1,?V 1),(t 2,?V 2),有?V 1=?V 0e ? t 1+?t τ ,?V 2=?V 0e ? t 2+?t τ ,

房屋建筑工程质量保修期限和责任

房屋建筑工程质量保修期限 建设单位和施工单位应当在工程质量保修书中约定保修范围、保修期限和保修责任等,双方约定的保修范围、保修期限必须符合国家有关规定。 在正常使用下,房屋建筑工程的最低保修期限为: (1)地基基础和主体结构工程,为设计文件规定的该工程的合理使用年限; (2)屋面防水工程、有防水要求的卫生间、房间和外墙面的防渗漏,为5年; (3)供热与供冷系统,为2个采暖期、供冷期; (4)电气系统、给排水管道、设备安装为2年; (5)装修工程为2年。 其他项目的保修期限由建设单位和施工单位约定。 房屋建筑工程保修期从工程竣工验收合格之日起计算。 房屋建筑工程质量保修责任 (1)房屋建筑工程在保修期限内出现质量缺陷,建设单位或者房屋建筑所有人应当向施工单位发出保修通知。施工单位接到保修通知后,应当到现场核查情况,在保修书约定的时间内予以保修。发生涉及结构安全或者严重影响使用功能的紧急抢修事故,施工单位接到保修通知后,应当立即到达现场抢修。 (2)发生涉及结构安全的质量缺陷,建设单位或者房屋建筑所有人应当立即向当地建设行政主管部门报告,采取安全防范措施;由原设计单位或者具有相应资质等级的设计单位提出保修方案,施工单位实施保修,原工程质量监督机构负责监督。

(3)保修完后,由建设单位或者房屋建筑所有人组织验收。涉及结构安全的,应当报当地建设行政主管部门备案。 (4)施工单位不按工程质量保修书约定保修的,建设单位可以另行委托其他单位保修,由原施工单位承担相应责任。 (5)保修费用由质量缺陷的责任方承担。 (6)在保修期内,因房屋建筑工程质量缺陷造成房屋所有人、使用人或者第三方人身、财产损害的,房屋所有人、使用人或者第三方可以向建设单位提出赔偿要求。建设单位向造成房屋建筑工程质量缺陷的责任方追偿。因保修不及时造成新的人身、财产损害,由造成拖延的责任方承担赔偿责任。 房地产开发企业售出的商品房保修,还应当执行《开发经营条例》和其他有关规定。

5种项目生命周期模型

5种项目生命周期模型 1.项目生命周期定义 2.一个完整的项目生命周期一般分为:计划、需求分析、设计、编码、测试、发布、实施以及运行维护阶段。 参见下图标准过程: 3.软件过程模型是从项目需求定义直至经使用后废弃为止,跨越整个生存期的系统开发、运营维护所经历的全部过程、活动和任务的结构框架。 4.软件过程模型一般分为:瀑布模型、原型模型、螺旋模型、增量模型。 5. 5种项目生命周期模型 a.瀑布模型: 1) 特点 l 阶段间具有顺序性和依赖性:必须等前一阶段的工作完成之后,才能开始后一阶段的输入。对本阶段工作进行评审,若得到确认,则继续下阶段工作,否则返回前一阶段,甚至更前阶段。只有前一阶段输出正确,后一阶段才能正确。 l 推迟实现的观点:在编码之前,设置了需求分析与设计的各个阶段,分析与设计阶段的根本任务规定在这两个阶段主要考虑目标系统的逻辑模型,不涉及软件的物理实现。 l 质量保证的观点: 每个阶段都坚持两个做法: 规定文档,没有文档就没有完成该段任务。 每个阶段结束前都要对完成的文档进行评审,以便尽早发现问题,改正错误。 2) 缺点 l 依赖于早期进行的唯一的一次需求调查,不能适应需求的变化; l 由于是单一流程,开发中的经验教训不能反馈应用于本产品的过程; l 风险往往迟至后期的开发阶段才显露,因而失去及早纠正的机会。 3) 适用项目

l 需求清晰明了且时间要求宽松的软件开发项目; l 规模小,需求简单,功能单一的项目 4) 阶段划分 计划阶段 需求阶段 设计阶段 编码阶段 测试阶段 发布阶段 实施阶段 运行维护阶段 b.原型模型: 原型模型快速建立起来的可以在计算机上运行的程序,他所能完成的功能往往是最终产品能完成的功能的一个子集。一般来说,根据客户的需要在很短的时间内解决用户最迫切需要,完成一个可以演示的产品,这个产品只实现部分功能。原型最重要的是为了确定用户的真正需求。 原型模型在克服瀑布模型缺点、减少由于软件需求不明确给开发工作带来风险方面,确有显著效果。软件系统的原型常用有以下形式: 抛弃型:开发原型为了获取需求,在原型开发之后,已获取了更为清晰的需求信息,原型无需保留而废弃; 渐进型:原型作为软件最终产品的一部分,可满足用户的部分需求,进一步在此基础上开发,则可增加需求,实现后再交付使用; 1) 特点 l 用户需求不完全或不确定;

少子寿命测试判断是否有外延

Abruptness of a-Si:H/c-Si interface revealed by carrier lifetime measurements Stefaan De Wolf and Michio Kondo Citation: Appl. Phys. Lett. 90, 042111 (2007); doi: 10.1063/1.2432297 View online: https://www.wendangku.net/doc/1d14990357.html,/10.1063/1.2432297 View Table of Contents: https://www.wendangku.net/doc/1d14990357.html,/resource/1/APPLAB/v90/i4 Published by the AIP Publishing LLC. Additional information on Appl. Phys. Lett. Journal Homepage: https://www.wendangku.net/doc/1d14990357.html,/ Journal Information: https://www.wendangku.net/doc/1d14990357.html,/about/about_the_journal Top downloads: https://www.wendangku.net/doc/1d14990357.html,/features/most_downloaded Information for Authors: https://www.wendangku.net/doc/1d14990357.html,/authors

Abruptness of a-Si:H/c-Si interface revealed by carrier lifetime measurements Stefaan De Wolf a?and Michio Kondo National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST),Central2,1-1-1Umezono, Tsukuba,Ibaraki305-8568,Japan ?Received27September2006;accepted15December2006;published online26January2007? Intrinsic hydrogenated amorphous silicon?lms can yield outstanding electronic surface passivation of crystalline silicon wafers.In this letter the authors con?rm that this is strongly determined by the abruptness of the interface.For completely amorphous?lms the passivation quality improves by annealing at temperatures up to260°C,most likely by?lm relaxation.This is different when an epitaxial layer has been grown at the interface during?lm deposition.Annealing is in such a case detrimental for the passivation.Consequently,the authors argue that annealing followed by carrier lifetime measurements allows determining whether the interface is abrupt.?2007American Institute of Physics.?DOI:10.1063/1.2432297? Hydrogenated amorphous silicon?a-Si:H??lms depos-ited on crystalline silicon?c-Si?surfaces have increasingly attracted attention over the past20years.Initially,it was discovered that abrupt electronic heterojunctions can be cre-ated with such structures.1Soon afterwards applications fol-lowed,including bipolar transistors,2imaging devices,3and solar cells.4For the latter it was recognized that the output parameters bene?t substantially from inserting a few nano-meter thin intrinsic a-Si:H?i??lm between the doped amor-phous emitter and c-Si substrate.For solar cells that feature a similar heterostructure back surface?eld,impressive energy conversion ef?ciencies exceeding21%have been reported.5 The role of the a-Si:H?i?buffer layer has been discussed in literature?see,e.g.,Refs.6–12?:It is known that such?lms can yield outstanding surface passivation for c-Si surfaces,13 but also that growth of an epitaxial interface during a-Si:H?i?deposition is detrimental for heterojunction device performance.12For hot wire chemical vapor deposited ?CVD?a-Si:H,where no ion bombardment takes place, abrupt interfaces have been obtained either by limiting the deposition temperature T depo?Ref.14?or by terminating the c-Si surface with a SiN x monolayer prior to a-Si:H deposition.15The abruptness of the interface,i.e.,whether instant a-Si:H deposition on c-Si occurred without initial epitaxial growth,was in these studies determined either by transmission electron microscopy?TEM??Refs.12,14,and 15?or by?in situ?spectroscopic ellipsometry?SE?,16for which mirror polished surfaces are desirable.To gain know- ledge about the electronic surface passivation properties of these interfaces,the most straightforward technique is by measuring the effective carrier lifetime?eff of the samples. Such measurements are known to be extremely sensitive, allowing for detection of bulk defect densities as low as 109–1011cm?3in a simple,contactless technique at room temperature.17 In this letter,we show that by low temperature?up to 260°C?postdeposition annealing,the surface passivation quality of direct plasma enhanced?PE?CVD a-Si:H?i??lms improves when the a-Si:H/c-Si interface is abrupt.This contrasts with the case when an epitaxial?lm has been grown at the interface,where the surface passivation quality is seen to degrade signi?cantly by a similar annealing treat-ment.Consequently,we argue that annealing followed by carrier lifetime measurements allows accurate determination of the onset of epitaxial growth in an easy-to-use way which is not restricted to polished c-Si surfaces. For the experiments,300?m thick relatively low resistivity??3.0?cm?boron-doped?oat zone?100??FZ?-Si?p?wafers have been used.Both surfaces of the sub-strates were mirror polished to eliminate the in?uence of substrate surface roughness on the passivation properties18 and to allow for SE measurements.For predeposition surface cleaning,the samples were?rst immersed in a ?H2SO4:H2O2??4:1?solution for10min to grow a chemical oxide,which was followed by a rinse in de-ionized water. The oxide was then stripped off in a dilute HF solution?5%?for30s.After this the samples were immediately transferred to the load lock of the deposition system.For?lm deposi-tion,a parallel plate direct PECVD reactor operated at radio frequency?rf??13.56MHz?power was used,in which the samples were mounted at the top electrode.The electrode distance and diameter were respectively20and230mm.An undiluted SiH4?ow of20SCCM?SCCM denotes cubic cen-timeter per minute at STP?was used and the chamber was maintained at low pressure?0.5Torr?.The value for T depo was varied from105to255°C.The rf power absorbed by the plasma was5W.This is the minimal power required to maintain a stable plasma at the given deposition conditions. To evaluate the surface passivation quality,identical?lms of about50nm thick were deposited on both wafer surfaces. After deposition,the samples were consecutively annealed in a vacuum furnace?30min,with annealing temperatures T ann ranging from120to260°C?.In between the annealing steps,the value for?eff of the samples was measured with a Sinton Consulting WCT-100quasi-steady-state photocon-ductance system,19operated in the so-called generalized mode.Since high quality FZ-Si wafers have been used throughout the experiments,the contribution of the bulk to the total recombination expressed by?eff can be neglected.In such a case,the effective surface recombination velocity S eff, which value can be regarded as a direct measure for the passivation quality of the?lms present at the surfaces,may a?Electronic mail:stefaan.dewolf@aist.go.jp APPLIED PHYSICS LETTERS90,042111?2007? 0003-6951/2007/90?4?/042111/3/$23.00?2007American Institute of Physics 90,042111-1

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