flash本地储存-sharedobject的应用实例

flash本地储存－sharedobject的应用实例

今天，找了一晚的sharedobject有关网页，都看不明白那些资料，而且大多数都相同；到最后进了一个flash群，得到苹果的帮助，真的很高兴认识到这群的所有喜欢flash的人，嘻嘻，就感觉是相见恨晚似的……

不说了，进入正题：

全过程只有一帧，第一帧上写入代码：

var so:SharedObject = SharedObject.getLocal("Game");

mc.onPress = function() {

so.data.myname = shuru.text;

so.flush();

};

this.onEnterFrame = function() {

a = so.data.myname;

if (a == undefined) {

a = "暂无存储任何数据";

} else {

a = so.data.myname;

}

};

第一帧中做出以下元件：

包括有：静态文本：“输入要保存的数据”，“上次保存的数据”

输入文本：名为shuru，则“输入……”的右框框

动态文本：变量名为a，则“上次……”的右框框

save影片剪辑（也可以是按钮，都没关系）：名为mc

嘻嘻，此日志只说怎么做这个实例，想知道他的道理请到网上找找吧……作用是：本地储存……

非常感谢：苹果的香味……

有疑问的朋友可以留言……

第13章 Flash存储器

第13章Flash存储器 Flash存储器具有电可擦除、无需后备电源来保护数据、可在线编程、存储密度高、低功耗、成本较低等特点，这使得Flash存储器在嵌入式系统中的使用迅速增长。 本章主要以HC08系列中的GP32为例阐述Flash存储器的在线编程方法，也简要阐述了HCS08系列中GB60的在线编程方法。本章首先概述了Flash存储器的基本特点，并介绍其编程模式，随后给出M68HC908GP32的Flash存储器编程的基本操作及汇编语言和C语言的在线编程实例。最后讨论MC9S08GB60的Flash存储器编程方法。 Flash存储器编程方法有写入器模式与在线模式两种，本章讨论的是在线模式。有的芯片内部ROM中，包含了Flash擦除与写入子程序，在本章的进一步讨论中给出了调用方法，使Flash编程相对方便。有的芯片内部ROM中没有固化Flash擦除与写入子程序，只能自己编写Flash擦除与写入子程序。而编写Flash擦除与写入子程序需要较严格的规范，所以这是比较细致的工作，读者应仔细分析本章的例程，并参照例程编程。掌握了GP32芯片的Flash编程方法后，可以把此方法应用于整个系列的Flash编程。Flash在线编程对初学者有一定难度，希望通过实例分析学习。本章给出Flash在线编程的C语言实例，对于训练C语言与汇编联合编程技巧很有帮助。 13.1 Flash存储器概述与编程模式 理想的存储器应该具备存取速度快、不易失、存储密度高(单位体积存储容量大)、价格低等特点，但一般的存储器只具有这些特点中的一个或几个。近几年Flash存储器(有的译为：闪速存储器或快擦型存储器)技术趋于成熟，它结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能，是目前比较理想的存储器。Flash存储器具有电可擦除、无需后备电源来保护数据、可在线编程、存储密度高、低功耗、成本较低等特点。这些特点使得Flash存储器在嵌入式系统中获得广泛使用。从软件角度来看，Flash和EEPROM技术十分相似，主要的差别是Flash存储器一次只能擦除一个扇区，而不是EEPROM存储器的1个字节1个字节地擦除，典型的扇区大小是128B~16KB。尽管如此，因为Flash存储器的总体性价比，它还是比EEPROM更加流行，并且迅速取代了很多ROM器件。 嵌入式系统中使用Flash存储器有两种形式：一种是嵌入式处理器上集成了Flash，另一种是片外扩展Flash。 目前，许多MCU内部都集成了Flash存储器。Freescale公司在Flash存储器技术相当成熟的时候，在HC08系列单片机内集成了Flash存储器。该系列内部的Flash存储器不但可用编程器对其编程，而且可以由内部程序在线写入(编程)，给嵌入式系统设计与编程提供了方便。存储器是MCU的重要组成部分，存储器技术的发展对MCU的发展起到了极大的推动作用。对于Freescale公司新推出的HCS08系列MCU采用第三

PS教程实例1000例

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Flash存储器的技术和发展

湘潭大学论文 题目：关于Flash存储器的技术和发展 学院：材料与光电物理学院 专业：微电子学 学号：2010700518 姓名：李翼缚 完成日期：2014.2.24

目录 1引言 (4) 2Flash 存储器的基本工作原理 (4) 3 Flash存储器的编程机制 (5) 3.1 沟道热电子注入(CHE) (5) 3.2 F-N隧穿效应(F-NTunneling) (6) 4 Flash存储器的单元结构 (6) 5 Flash存储器的可靠性 (7) 5.1 CHE编程条件下的可靠性机制 (8) 5.2 隧道氧化层高场应力下的可靠性机制 (8) 6 Flash存储器的发展现状和未来趋势 (9) 参考文献: (10)

关于Flash存储器的技术和发展 摘要:Flash 存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和在系统的电可擦除性等优点, 是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对F lash 存储器的发展历史和工作机理、单元结构与阵列结构、可靠性、世界发展的现状和未来趋势等进行了深入的探讨。 关键词:半导体存储器;不挥发性存储器; Flash存储器; ETOX结构 About Flash Memory Technology and Its Development Abstract: As a new non -volatile semiconductor memory introduced by Masuoka in 1984, flash memory has a number of advantages, such as simple structure, high integration density, low cost, and high reliability, and it is widely used in mobile phone, digital camer a, PCBIOS, DVD player, and soon. Its evolution, programming mechanism, cell structure, array structure, reliability are described, and its developing trend in the future is dis cussed. Key words: Semico nduct or memory; Flash memor y; Non-volatile memory ; ETOX

flash存储原理.

flash存储原理 一、半导体存储设备的原理 目前市面上出现了大量的便携式存储设备,这些设备大部分是以半导体芯片为存储介质的。采用半导体存储介质,可以把体积变的很小,便于携带;与硬盘之类的存储设备不同,它没有机械结构,所以也不怕碰撞;没有机械噪声;与其它存储设备相比,耗电量很小;读写速度也非常快。半导体存储设备的主要缺点就是价格和容量。 现在的半导体存储设备普遍采用了一种叫做“FLASH MEMORY”的技术。从字面上可理解为闪速存储器,它的擦写速度快是相对于EPROM而言的。FLASH MEMORY是一种非易失型存储器,因为掉电后,芯片内的数据不会丢失,所以很适合用来作电脑的外部存储设备。它采用电擦写方式、可10万次重复擦写、擦写速度快、耗电量小。 1.NOR型FLASH芯片 我们知道三极管具备导通和不导通两种状态,这两种状态可以用来表示数据0和数据1,因此利用三极管作为存储单元的三极管阵列就可作为存储设备。FLASH 技术是采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元。这种场效应管的结构与普通场管有很大区别。它具有两个栅极,一个如普通场管栅极一样,用导线引出,称为“选择栅”;另一个则处于二氧化硅的包围之中不与任何部分相连,这个不与任何部分相连的栅极称为“浮栅”。通常情况下,浮栅不带电荷,则场效应管处于不导通状态,场效应管的漏极电平为高,则表示数据1。编程时,场效应管的漏极和选择栅都加上较高的编程电压,源极则接地。这样大量电子从源极流向漏极,形成相当大的电流,产生大量热电子,并从衬底的二氧化硅层俘获电子,由于电子的密度大,有的电子就到达了衬底与浮栅之间的二氧化硅层,这时由于选择栅加有高电压,在电场作用下,这些电子又通过二氧化硅层到达浮栅,并在浮栅上形成电子团。浮栅上的电子团即使在掉电的情况下,仍然会存留在浮栅上,所以信息能够长期保存(通常来说,这个时间可达10年。由于浮栅为负,所以选择栅为正,在存储器电路中,源极接地,所以相当于场效应管导通,漏极电平为低,即数据0被写入。擦除时,源极加上较高的编程电压,选择栅接地,漏极开

闪速存贮器FLASH技术分类剖析

闪速存贮器FLASH技术分类 全球闪速存储器的技术主要掌握在AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，由于各自技术架构的不同，分为几大阵营。 1.NOR技术 NOR技术（亦称为Linear技术）闪速存储器是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架构。它源于传统的EPROM器件，与其它Flash Memory技术相比，具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。 NOR技术Flash Memory具有以下特点：(1) 程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行；(2)可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。不过，仍有支持者在以写入为主的应用，如CompactFlash卡中继续看好这种技术。 Intel公司的StrataFlash家族中的最新成员——28F128J3，是迄今为止采用NOR技术生产的存储容量最大的闪速存储器件，达到128Mb（位），对于要求程序和数据存储在同一芯片中的主流应用是一种较理想的选择。该芯片采用0.25μm制造工艺，同时采用了支持高存储容量和低成本的MLC技术。所谓MLC技术（多级单元技术）是指通过向多晶硅浮栅极充电至不同的电平来对应不同的阈电压，代表不同的数据，在每个存储单元中设有4个阈电压（00/01/10/11），因此可以存储2b信息；而传统技术中，每个存储单元只有2个阈电压（0/1），只能存储1b信息。在相同的空间中提供双倍的存储容量，是以降低写性能为代价的。Intel通过采用称为VFM（虚拟小块文件管理器）的软件方法将大存储块视为小扇区来管理和操作，在一定程度上改善了写性能，使之也能应用于数据存储中。 DINOR DINOR(Divided bit-line NOR)技术是Mitsubishi与Hitachi公司发展的专利技术，从一定程度上改善了NOR技术在写性能上的不足。DINOR技术Flash Memory和NOR技术一样具有快速随机读取的功能，按字节随机编程的速度略低于NOR，而块擦除速度快于NOR。这是因为NOR技术Flash Memory编程时，存储单元内部电荷向晶体管阵列的浮栅极移动，电荷聚集，从而使电位从1变为0；擦除时，将浮栅极上聚集的电荷移开，使电位从0变为

Photoshop经典实例教程3000例(PDF打印版)

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Flash做为存储器存储数据

STM32学习笔记-Flash做为存储器储存数据 说到STM32的FLSAH，我们的第一反应是用来装程序的，实际上，STM32的片内FLASH不仅用来装程序，还用来装芯片配置、芯片ID、自举程序等等。当然， FLASH 还可以用来装数据。 自己收集了一些资料，现将这些资料总结了一下，不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了。 FLASH分类 根据用途，STM32片内的FLASH分成两部分：主存储块、信息块。主存储块用于存储程序，我们写的程序一般存储在这里。信息块又分成两部分：系统存储器、选项字节。系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序（BootLoader），当使用ISP方式加载程序时，就是由这个程序执行。这个区域由芯片厂写入BootLoader，然后锁死，用户是无法改变这个区域的。选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。 FLASH的页面 STM32的FLASH主存储块按页组织，有的产品每页1KB，有的产品每页2KB。页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH。从这点来看，页面有点像通用FLASH 的扇区。 STM32产品的分类 STM32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。 小容量产品主存储块1-32KB，每页1KB。系统存储器2KB。 中容量产品主存储块64-128KB，每页1KB。系统存储器2KB。 大容量产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储器2KB。 互联型产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储器18KB。 对于具体一个产品属于哪类，可以查数据手册，或根据以下简单的规则进行区分： STM32F101xx、STM32F102xx 、STM32F103xx产品，根据其主存储块容量，一定是小容量、中容量、大容量产品中的一种，STM32F105xx、STM32F107xx是互联型产品。 互联型产品与其它三类的不同之处就是BootLoader的不同，小中大容量产品的BootLoader只有2KB，只能通过USART1进行ISP，而互联型产品的BootLoader有18KB，能通过USAT1、4、CAN等多种方式进行ISP。小空量产品、中容量产品的BootLoader与大容量产品相同。 关于ISP与IAP ISP（In System Programming）在系统编程，是指直接在目标电路板上对芯片进行编程，一般需要一个自举程序（BootLoader）来执行。ISP也有叫ICP （In Circuit Programming）、在电路编程、在线编程。 IAP（In Application Programming）在应用中编程，是指最终产品出厂后，由最终用户在使用中对用

NOR flash技术突破

随着手机、数码相机、MP3等消费性电子成为市场上的主流产品，闪存 （Flash）的地位也跟着水涨船高。广泛被使用的闪存有两大类型，一是NOR Flash，一是NAND Flash，由于两者有着不同的建置架构与特性，因此在应用领域上有着不同的诉求。由Spansion 所推动的MirrorBit技术，则另辟蹊径，它将数据分别存储在存储晶胞单元内的两个各自独立的 电荷区段。由于MirrorBit将每一位的数据完全区隔开来，对存储单元一侧的读取或编程操作与 该单元另外一侧存储的数据完全无关，能够确保各位数据的完整性，所以此技术可比标准型浮栅 Flash产品存储多一倍的数据，却仍保有其效能及可靠性。NOR Flash架构的特色在于能提供高速的数据读取性能，因此被视为是存储指令的最佳选择， 不仅如此，它还具有SRAM接口，也提供足够的地址接脚来进行寻址，并可以在其内部直接执行程 序代码。相较之下，NAND Flash的数据写入速度较快，而且有较大的存储容量，因此逐渐成为便 携式产品的主要存储装置。今日的NAND Flash容量最大已可达16GB，这么大的容量足以让便携式设备存储大量的相片、 音乐及视频内容，因此可看到其市场的蓬勃发展，不过，由于价格竞争非常激烈，使得元器件的 获利空间极微薄。NOR Flash在应用上则往往属于嵌入式的设计，更重视其效能与可靠性，元器 件的市场需求与获利都相对较为稳定。在技术作法上，传统的NOR Flash是采用单层单 元（SLC）或多层单元（MLC）的浮栅（Floating Gate）技术，不过，当工艺不断地微缩，尤其 是微缩到40纳米以下时，浮栅技术将会面临很大的挑战。由Spansion所推动的MirrorBit 技术，则另辟蹊径，它将数据分别存储在存储晶胞单元内的两个各自独立的电荷区段。由于MirrorBit将每一位的数据完全区隔开来，对存储单元一侧的读取或编程操作与该单元另外一侧 存储的数据完全无关，能够确保各位数据的完整性，所以此技术可比标准型浮栅Flash产品存储 多一倍的数据，却仍保有其效能及可靠性。不仅如此，MirrorBit也大幅简化了器件制造流程，与浮栅技术相比，它至少能减化10%的总 体制造步骤，而在关键制造步骤上则降低了40%。简化工艺技术的好处很多，除了能提供更佳的 生产正品率外，也可缩短生产周期时间。MirrorBit Quad提升存储密度
以一个存储晶胞单元来存储两个位数据 ，已让NOR Flash在性能价格比上获得很大的改善，今日最新的MirrorBit Quad技术又有了全新 的突破。MirrorBit Quad技术和MirrorBit一样在两个存储位置上存储电荷，但具有在这两个位 置上存储不同电量或电荷状态的能力，因而一举将MirrorBit的密度提升了一倍。今日的

嵌入式—flash存储器

存储器存储器 FLASH存储器存储器章FLASH 13章 第13

本章主要内容 Flash Flash存储器概述与编程模式存储器概述与编程模式存储器 MC908GP32MC908GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash存储器编程方法存储器编程方法存储器GP32GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash在线编程汇编语言实例在线编程汇编语言实例GP32GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash在线编程在线编程在线编程08C 08C 08C语言实例语言实例HCS08HCS08系列单片机系列单片机系列单片机Flash Flash Flash编程方法编程方法

13.1 Flash 13.1 Flash存储器概述与编程模式存储器概述与编程模式13.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模式 (1) Flash存储器的基本特点 ①固有不挥发性：：Flash Flash存储器不需要后备电源来保持数据存储器不需要后备电源来保持数据存储器不需要后备电源来保持数据。。所以所以，，它具有磁存储器无需电能保持数据的优点它具有磁存储器无需电能保持数据的优点。。 ②易更新性易更新性:Flash :Flash :Flash存储器具有电可擦除特点存储器具有电可擦除特点存储器具有电可擦除特点。。相对于相对于EPROM(EPROM(EPROM(电可编电可编程只读存储器程只读存储器))的紫外线擦除工艺的紫外线擦除工艺，，Flash Flash存储器的电擦除功能为开发者存储器的电擦除功能为开发者节省了时间节省了时间，，也为最终用户更新存储器内容提供了可能也为最终用户更新存储器内容提供了可能。。 ③成本低成本低、、密度高密度高、、可靠性好可靠性好::与EEPROM(EEPROM(电可擦除可编程的只读存电可擦除可编程的只读存储器储器))相比较相比较，，Flash Flash存储器的成本更低存储器的成本更低存储器的成本更低、、密度更高密度更高、、可靠性更好可靠性更好。。

Flash动画技术入门

Flash动画技术入门 超星学习通Flash动画技术入门章节测验答案，尔雅课后答案 1 【单选题】运行Flash程序,最先进入的界面是什么界面(C) A、 软件界面 B、 编辑界面 C、 欢迎界面 D、 设计界面 1 【单选题】选择了新建ActionScript2.0，进入到Flash的什么界面(A) A、 工作界面 B、 绘图界面 C、 动画界面 D、 预览界面 2 【单选题】fps指什么？(D) A、 画面清晰度 B、 尺寸大小 C、 数据量大小 D、 帧频 3 【判断题】Flash软件有文件、编辑、视图、插入、修改等菜单项。(√) 4 【判断题】Flash属性中的FPS不能调整。(×) 5 【判断题】Flash中，观众之后可看到的对象都应该放置在舞台界面中制作。(√) 6 【判断题】Flash是基于帧的多媒体着作工具。(√) 7 【判断题】根据视觉暂留原理,Flash动画帧频固定为24帧每秒,不能修改。(×) 1

【单选题】Flash中调节笔触的什么参数来修改线条的粗细(B) A、 样式 B、 大小 C、 缩放 D、 端点 2 【多选题】Flash的线条Flash笔触有哪些样式可选？(ABCDE) A、 实线 B、 虚线 C、 点状线 D、 点刻线 E、 斑马线 3 【判断题】Flash的线条有16*16中颜色可选。(×) 4 【判断题】Flash中的线条一旦画了,就不能改;如果确实需要想改,只能删了重新画。(×) 1 【判断题】Flash中舞台上某个对象的位置和大小用X值和Y值来表示，X和Y是这个对象的中心点的坐标值。(×) 1 【单选题】在舞台上选中一个对象,然后在属性面板里,把位置和大小栏目的X值改大,将看到舞台上的这个对象向什么方向平移(D) A、 上 B、 下 C、 左 D、 右 1 【判断题】鼠标光标靠近舞台上线条的端点，当鼠标光标出现直角符号时，按住鼠标左键拖动,可编辑线条的端点的位置。(√) 1 【判断题】Flash舞台上的线段，可以被编辑为曲线。(√)

ps滤镜艺术效果大全(含图,适合自学,教学)

实用滤镜大全(适合教学,自学,含图) 一.Artistic(艺术效果) Artistic(艺术效果) 滤镜模拟天然或传统的艺术效果。(注:此组滤镜不能应用于CMYK和Lab模式的图像) 1、Fresco(壁画滤镜) 作用:使用小块的颜料来粗糙地绘制图像。 调节参数: 画笔大小:调节颜料的大小。 画笔细节:控制绘制图像的细节程度。 纹理:控制纹理的对比度。 图解效果:

原图像壁画效果2、Colored Pencil(彩色铅笔滤镜) 作用:使用彩色铅笔在纯色背景上绘制图像。 调节参数:

铅笔宽度:调节铅笔笔触的宽度。 描边压力:调节铅笔笔触绘制的对比度。 纸张亮度:调节笔触绘制区域的亮度。 图解效果: 原图像彩色铅笔效果 第九组:Artistic(艺术效果) Artistic(艺术效果) 滤镜模拟天然或传统的艺术效果。(注:此组滤镜不能应用于CMYK和Lab模式的图像) 1、Fresco(壁画滤镜) 作用:使用小块的颜料来粗糙地绘制图像。 调节参数:

画笔大小:调节颜料的大小。 画笔细节:控制绘制图像的细节程度。 纹理:控制纹理的对比度。 图解效果: 原图像壁画效果2、Colored Pencil(彩色铅笔滤镜) 作用:使用彩色铅笔在纯色背景上绘制图像。 调节参数:

铅笔宽度:调节铅笔笔触的宽度。 描边压力:调节铅笔笔触绘制的对比度。 纸张亮度:调节笔触绘制区域的亮度。 图解效果: 原图像彩色铅笔效果

5、Palette Knife(调色刀) 作用:降低图像的细节并淡化图像,使图像呈现出绘制在湿润的画布上的效果。调节参数: 描边大小:调节色块的大小。 线条细节:控制线条刻画的强度。 软化度:淡化色彩间的边界。 图解效果: 原图像调色刀效果 6、Dry Brush(干画笔)

FLASH闪存总体介绍

Flash闪存器总体介绍 闪存的英文名称是“Flash Memory”，一般简称为“Flash”，它属于内存器件的一种。 不过闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异： 目前各类DDR、SDRAM或者RDRAM都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存； 闪存则是一种不挥发性（Non-V olatile）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。 NAND闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块，NAND的存储块大小为8到32KB），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过512MB容量的NAND 产品相当普遍，NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。 NAND闪存的缺点在于读速度较慢，它的I/O 端口只有8个，比 NOR 要少多了。这区区8个I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比NOR闪存的并行传输模式慢得多。再加NAND闪存的逻辑为电子盘模

块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较NOR 闪存要差。 NAND闪存被广泛用于移动存储、数码相机、MP3播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。由于受到数码设备强劲发展的带动， NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长. NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 性能比较 flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统

ps新手入门实例大全详细教程

ps新手入门实例大全详细教程（二） 来源：网络作者：admin 发布时间：2011-06-29 点击：1262 目录 4.照片边框处理 5.简单照片合成 6.快速蒙版教程 7.认识色阶——————————————————————————————————————(4)：照片边框处理 今天我们来学习制作一个简单的照片边框，通过制作过程，来熟悉PS的一些工具与制作手法。 1、打开PS，打开一张照片。现在我们要为这张照片做一个背景图，并改变一下照片的边框。 2、为背景层改名。在图层面板，现在有一个图层名为“背景”。这个背景层的右边有一个小锁。凡是第一次打开一个图片总是有这样一个上了锁的背景层。现在我们要改变它的名称。双击背景层，弹出一个对话框。在名称中写上“照片”后按“好”字。 3、创建新的图层。按一下图层面板最下面的“创建新的图层”按钮，在背景层的上面出现了一个新图层，名称为“图层1”。新图层是不会上锁的，改名就比较容易。我们可以双击这三个字，改名称为“新背景”。

4、凡是新建的图层，都是全透明的。我们可以看到在“新背景”这三个字左边有个小图，全是格子，这表示它是透明的。 我们还可以把“照片”层前的小眼睛关闭，这时，工作区中只有透明的格子样子了。现在我们要把“新背景”层填上颜色。 填充颜色分为两个步骤： A、第一步：要确定前景色还是背景色。 现在到窗口菜单下点“颜色”，出来一个颜色面板。在颜色两字的下面，有二个方的色块。前面黑色的是前景色，后面白色的是背景色。你需要设置前景色时（多数情况下我们是设置前景色），就点前面那块。现在我们按下前景色按钮。黑色的方块的外面多了一个外框，表示现在是设置前景色。 B、第二步：选择颜色。可以选择颜色的地方有好几个。右边的R右边由黑到红的长条下面，有一个小三角形，可以拉动它来改变颜色。你可以把这三条都拉一下，再看前景色有什么变化。 最右边的数字框也可以直接填入由0到255之间的数字。例如：在R（红）里，填入217；在G （绿）里，填入253；在B里填入249，现在前景色变成了浅绿色。这是RGB三原色组合表示一种颜色的方法。最下面有一个多彩的粗条，在这里可以多选一些颜色。最右边是黑白两色。这个颜色面板是非常方便来选择颜色的。更直观的方法是点“色板”标签。

3D NAND Flash技术及厂商介绍

3D NAND Flash技术及厂商 随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩，技术瓶颈越发凸显，3D NAND Flash技术经过多年沉淀，上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光等早已在2013年即公布了3D技术规划的时程表。 一、SAMSUNG 1、技术方案：TCAT 2、量产情况 目前已经有两代产品问世，更高技术产品正在规划中。

第一代：2013年8月首次批量生产3D V-NAND产品，制程35nm，堆叠24层，MLC设计，容量可达128Gb V-NAND，存储密度约为0.93Gb/mm2； 第二代：堆叠32层，TLC设计，存储密度提升为1.86Gb/mm2； 2015年8月，三星宣布开始正式量产48层256Gb 3D V-NAND，目前正在研发64层及以上技术。 为了稳固在技术及市场上的领导地位，三星除了大陆西安厂，还投资150亿美金新建平泽工厂，主要用于2D 10nm工艺和3D技术的发展，预计2017年产线投入生产。 二、TOSHIBA&SANDISK 1、技术方案：P-BICS 2、量产情况 东芝/闪迪采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术，计划将在2015下半年量产48层3D NAND，欲追上三星的步伐。 除Fab 5二期工厂，还将Fab 2进行改建用于3D NAND量产专用，预计2016年开始投入生产； 三、MICRON&INTEL

1、技术方案（可能是浮栅，具体技术细节不清楚） 2、量产情况 美光3D NAND预计将在2016年初量产出货，采用32层MLC架构容量可达256Gb，如采用TLC架构可达到384Gb。 投资40亿美金扩建新加坡的Fab 10x工厂，预估满载月产能在14万片左右，根据市场需求量，从2016年底开始以平均每年40%-50%的bit成长率增加。 四、SK HYNIX 1、技术方案：据报道是VSAT 2、量产情况

PS经典实例教程

用Photoshop从无到有绘制一种仿真的水纹效果。 新建500*500像素的RGB模式文件。快捷键D把前景色设置为黑，背景色设置为白。[滤镜]―[渲染]―[云彩]，[滤镜]―[模糊]―[径向模糊]，数量23，模糊方法―旋转，品质―最好，[滤镜]―[模糊]―[高斯模糊]5.5，[滤镜]―[素描]―[基底凸现]，细节12，平滑度10，光照方向―底，[滤镜]―[素描]―[铬黄]细节7，平滑度4，[滤镜]―[扭曲]―[旋转扭曲]，角度120，[滤镜]―[扭曲]―[水波]，数量12%，起伏5，按快捷键CTRL+U或者[图像]―[调整]―[色相/饱和度]命令，在弹出的对话框中选择着色，色相调整为205，饱和度为55。得到最终结果。 利用PS画笔模拟在水雾玻璃上写字 打开雨滴玻璃素材，进行色相/饱和度调整，色相10，饱和度35。执行图象--调整-去色。图象-图象大小，将背景图象改为600*450.拉入汽车素材图，改模式为叠加。将背景素材图进行滤镜--模糊--高斯模糊5.5。后设置画笔 在所有图层上新建图层“字体”，用黑色画笔写出字体。用15px的画笔画出墨迹滴落的感觉。在所有图层上新建图层编辑填充白色，改模式为柔光，不透明度55%。、最后我们将字体图层的不透明度改为85%。 Photoshop制作华丽的花纹黄金字 新建一1280×1024像素的文件。设置前景色＃6a000c，背景色＃111111。选择渐变工具，选择前景色到背景渐变，径向渐变。后从文档中心拖动到其中一个角

落来创建渐变。 用文字工具，创建文字，颜色＃f9df78。复制文字图层两次，第二个副本的填充值改为0。双击文字图层应用如下图层样式。斜面和浮雕：样式“描边浮雕”，深度250 ，光泽等高线选择环形—双，勾选消除锯齿，高光模式为“线性光”，阴影模式颜色＃96794b。理：选择素材图案，可先存下图的纹理素材，打开后定义为图案。