AO3414 替代型号DMG3414U
e3
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
AO3414 替代型号DMG3414U
Features
Mechanical Data
? Low On-Resistance ? 25m? @ V GS = 4.5V ? 29m? @ V GS = 2.5V ? 37m? @ V GS = 1.8V ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed
? Low Input/Output Leakage
? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ?
Qualified to AEC-Q101 Standards for High R eliability
? Case: SOT23
? Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 ? Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
? Terminals: Finish ? Matte Tin annealed over Copper leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208 ? Terminals Connections: See Diagram Below ?
Weight: 0.008 grams (approximate)
TOP VIEW Internal Schematic
TOP VIEW
Ordering Information (Note 4)
Notes:
1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant.
2. See https://www.wendangku.net/doc/2019225470.html,/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free.
3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds.
4. For packaging details, go to our website at https://www.wendangku.net/doc/2019225470.html,/products/packages.html.
Marking Information
MN8 = Product Type Marking Code
YM = Date Code Marking for SAT (Shanghai Assembly/ Test site) YM = Date Code Marking for CAT (Chengdu Assembly/ Test site) Y or Y = Year (ex: A = 2013) M = Month (ex: 9 = September)
Chengdu A/T Site Shanghai A/T Site
DMG3414U
Gate
G
S
MN8
MN8
Y M
Y M
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Notes: 5. Device mounted on FR-4 PCB with 2oz. Copper and test pulse width t ≤ 10s.
6. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
8. Guaranteed by design. Not subject to production testing.
V
D
R
A
I
N
-
S
O
U
R
C
E
O
N
-
R
E
S
I
S
T
A
N
C
E
(
Ω
)
I
D
,
D
R
A
I
N
C
U
R
R
E
N
T
(
A
)
V DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
0.5 1 1.5
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
0.05
0.04
0.04
0.03
0.03
0.02
0.02
0.01
0.01
I D, DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
I D, DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
T A, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
V DS = -5V
T A = 150°C
T A = 125°C T
A
= 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
V GS = 4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
R
D
S
O
N
,
D
R
A
I
N
-
S
O
U
R
C
E
O
N
-
R
E
S
I
S
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C
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(
N
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M
A
L
I
Z
E
D
)
R
D
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)
,
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C
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Ω
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D
,
D
R
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R
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(
A
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R
D
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O
N
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D
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I
N
-
S
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U
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C
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N
-
R
E
S
I
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A
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C
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(
N
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M
A
L
I
Z
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D
)
R
D
S
(
O
N
)
,
I
S
,
S
O
U
R
C
E
C
U
R
R
E
N
T
(
A
)
T A, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD, SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
100,000
10,000
1,000
100
100
10
0 5 10 15 20
V DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
V DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage 1
0.1
0.01
0.001
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1,000
t1, PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
= 25°C
T
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
D = 0.02
RθJA(t) = r(t) * RθJA
RθJA = 166°C/W
D = 0.01P(pk)
t1
D = 0.005t2
T J - T A = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1/t2
D = Single Pulse
V
G
S
(
T
H
)
,
G
A
T
E
T
H
R
E
S
H
O
L
D
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
,
C
A
P
A
C
I
T
A
N
C
E
(
p
F
)
r
(
t
)
,
T
R
A
N
S
I
E
N
T
T
H
E
R
M
A
L
R
E
S
I
S
T
A
N
C
E
I
D
S
S
,
L
E
A
K
A
G
E
C
U
R
R
E
N
T
(
n
A
)
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at https://www.wendangku.net/doc/2019225470.html,/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at https://www.wendangku.net/doc/2019225470.html,/datasheets/ap02001.pdf for latest version.
DIODES INCORPORATED MAKES NO WARRANTY OF ANY KIND, EXPRESS OR IMPLIED, WITH REGARDS TO THIS DOCUMENT, INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, THE IMPLIED WARRANTIES OF MERCHANTABILITY AND FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE (AND THEIR EQUIVALENTS UNDER THE LAWS OF ANY JURISDICTION).
Diodes Incorporated and its subsidiaries reserve the right to make modifications, enhancements, improvements, corrections or other changes without further notice to this document and any product described herein. Diodes Incorporated does not assume any liability arising out of the application or use of this document or any product described herein; neither does Diodes Incorporated convey any license under its patent or trademark rights, nor the rights of others. Any Customer or user of this document or products described herein in such applications shall assume all risks of such use and will agree to hold Diodes Incorporated and all the companies whose products are represented on Diodes Incorporated website, harmless against all damages.
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This document is written in English but may be translated into multiple languages for reference. Only the English version of this document is the final and determinative format released by Diodes Incorporated.
LIFE SUPPORT
Diodes Incorporated products are specifically not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the express written approval of the Chief Executive Officer of Diodes Incorporated. As used herein:
A. Life support devices or systems are devices or systems which:
1. are intended to implant into the body, or
2. support or sustain life and whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the
labeling can be reasonably expected to result in significant injury to the user.
B. A critical component is any component in a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the
failure of the life support device or to affect its safety or effectiveness.
Customers represent that they have all necessary expertise in the safety and regulatory ramifications of their life support devices or systems, and acknowledge and agree that they are solely responsible for all legal, regulatory and safety-related requirements concerning their products and any use of Diodes Incorporated products in such safety-critical, life support devices or systems, notwithstanding any devices- or systems-related information or support that may be provided by Diodes Incorporated. Further, Customers must fully indemnify Diodes Incorporated and its representatives against any damages arising out of the use of Diodes Incorporated products in such safety-critical, life support devices or systems.
Copyright ? 2013, Diodes Incorporated
https://www.wendangku.net/doc/2019225470.html,
代替型号
E3F/E3F2/E3F3停产替代 2011年9月生产终了商品 2013年1月作成 注意事项： 外形尺寸不一样，E3JK系列是方形的；E3F是圆柱形的 检测距离不一样 输出方式不一样，E3JK是继电器输出；E3F是晶体管输出 E3FA回归反射型不自带反射板，需要另配 E3FA对射型不能配狭缝 部分型号外壳材质不一样 停产型号与推荐替代型号： 停产型号替代型号 E3F-3B4 E3FA-TP11 E3F-3C4 E3FA-TN11 E3F-3Z1 E3JK-5M1-N E3F-3Z2 E3JK-5M2-N E3F-R2B4 E3FA-RP11 E3F-R2C4 E3FA-RN11 E3F-R2Z1 E3JK-R2M1
E3F-R2Z2 E3JK-R2M2 E3F-DS10B4 E3FA-DP11 E3F-DS10C4 E3FA-DN11 E3F-DS10Z1 E3JK-DS30M1 E3F-DS10Z2 E3JK-DS30M2 E3F2-7B4 E3F2-7B4-M E3FA-TP11 E3F2-7B4-C E3F2-7B4-S E3F2-7B4-P1 E3F2-7B4-M1-M E3FA-TP21 E3F2-7B4-M1-C E3F2-7B4-M1-S E3F2-7C4 E3FA-TN11 E3F2-7C4-M
E3F2-7C4-C E3F2-7C4-S E3F2-7C4-P1 E3F2-7C4-M1-M E3FA-TN21 E3F2-7C4-M1-C E3F2-7C4-M1-S E3F2-R4B4-E E3FA-RP11 E3F2-R4B4-P1-E E3FA-RP21 E3F2-R4C4-E E3FA-RN11 E3F2-R4C4-P1-E E3FA-RN21 E3F2-R2B4 E3FA-RP11 E3F2-R2B4-E E3F2-R2B4-P1-E E3FA-RP21 E3F2-R2C4-E E3FA-RN11
常用国内外材料的标准及牌号对照
一. 常用国内外紧固件材料的标准及牌号对照 表<-> 钢中国GB 美国ASTM 德国DIN 日本工业JIS 英国BS 种标准种类代号标准种类代号标准种类代号牌号标准种类代号标准种类代号A194 Gr.1 Gr.2 GB669 45 Gr.2H G4051 S43C 4882 Gr.2H S45C Gr.2HM GB669 35 A307 Gr.A G3101 SS4l 5708 SS41 碳 素GB669 20 Gr．B G4051 S20C 1769 钢GB669 25 S25C GB669 30 A325 1 型1654 Cq85 1.1172 CG4051 S33C 8189 2 型 3A型 3B型 3C型 3D型 3E型 3F 型 YB6 1Cr5Mo A193 Gr．B5 G4107 SNB5 Gr．B6 GBl220 1Crl3 Gr．B6X 17440 X15Crl3 1.4024 4882 Gr．B6 GB307735CrMOA A193 Gr．B7 17200 42CrMo4 1.7225 G4107 SNB7 4882 Gr．B7 合 金 Gr．B7M 钢 和 YB6 15CrM01V Gr．B16 17240 21CrMoV57 1.7709 SNBl6 Gr．B16 不 GBl220 0Crl8Ni9 GL B8 17440 X5CrNi189 1.4301 G4303 SUS-304 GL.B8 锈 钢 Gr．B8A GBl220 1Crl8NillNb Gr．B8C X10CrNiNbl89 1.4550 SUS-347 Gr.B8C Gr．B8CA GBl220 0C17Nil2M02 Gr．B8M X5CrNiMo1810 l.4401 SUS-316 Gr.B8M Gr．B8MA Gr．B8N Gr.B8NA
与国内外同类产品的对比分析
与国内外同类产品的对比分析一：该项技术的概述及国内外发展概述 （1）、医用压敏胶、远红外陶瓷微粉共同组成的。是集光学、热学、医疗技术于一体的完美结合。当它吸收到皮肤的热能后，释放出8-15微米的远红外光线，与人体的细胞原子和水分子振动频率一致，从而活化人体组织细胞，快速透皮，作用于患处，阻断制痛介质合成。经数千家专科医院近千例临床病例验证表明：它既避免了内服药物的毒副作用，又克服了普通外用药贴透皮困难的缺陷，具有持续释放能量的功效，高效安全。它可以迅速止痛，缓解痉挛，消炎消肿，改善血液循环，加强代谢作用，增强肌体细胞活力，提高了人体的代谢功能，成功的实现了真正的内痛外治。 （2）、远红外贴最早起源于中国，在我国的应用由来已久，而其疗效也颇受认同。其悠久的传统文化内涵和文明承载在很大程度上影响着消费者的选购心理。后流传到韩国、日本等亚洲其他国家，目前部分发达国家也在逐步使用远红外磁疗贴。远红外贴为也叫“透皮吸收剂”属于膏药的一种，它是由药材提取物、远红外陶瓷粉、与橡胶等基质混匀后，涂布于布上的外用制剂。相对于口服和注射两大用药方式来说，吸收剂可直接作用于病患处，不仅药效迅速而且降低了不良反应。 （3）、特别是上纪70 年代中期，美国首先提出透皮控释给药（TDDS）治疗方案并制成东莨菪贴片以来，透皮给药系统不断完善并得到了迅猛的发展。在国际上透皮吸收剂是先进用药方式的代表。我国的膏药可以说是传统的“透皮吸收剂”，把膏药的传统特色与世界先进给药方式联系起来。随着传统医药和现代医学的进一步结合与推进，远红外贴被挖掘出越来越多的新用途，如降压、减肥、避孕、治疗流感、助眠、治疗糖尿病、退热等，而且随着对传统医药与现代医学的发展和人们对远红外贴的认识会进一步加强。
AO3400A替代型号DMN3042L
DMN3042L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET AO3400A 替代型号DMN3042L Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (R DS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. ? Battery Charging ? Power Management Functions ? DC-DC Converters ? Portable Power Adaptors Features and Benefits ? Low On-Resistance ? Low Gate Threshold Voltage ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Mechanical Data ? Case: SOT23 ? Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 ? Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 ? Terminals: Finish ? Matte Tin Annealed over Copper Leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208 ? Terminals Connections: See Diagram Below ? Weight: 0.008 grams (Approximate) SOT23 G Top View Internal Schematic Ordering Information (Note 4) Top View 2. See https://www.wendangku.net/doc/2019225470.html,/quality/lead_free.html fo r more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free. 3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds. 4. For packaging details, go to our website at http”//https://www.wendangku.net/doc/2019225470.html,/products/packages.html. Marking Information SOT23 4L = Product Type Marking Code YM = Date Code Marking Y or Yˉ = Year (ex: B = 2014) M = Month (ex: 9 = September) 4L Y M
光耦选型经典指南
光耦选型经典指南 1.0.目的： 针对光偶选型，替代，采购，检测及实际使用过程中出现的光偶特性变化引起的产品失效问题，提供指导。 2.0.适用范围： 本指导书适用于瑞谷光偶的设计，选型，替代等。 3.0.说明： 目前发现，因光偶的选型，光偶替代，光偶工作电流，工作温度设计不当等原因导致产品出现问题，如何减少选型，设计，替代导致的产品问题，这里将制订出相关指导性规范。 4.0.内部结构图及CTR 的计算方法： ●规格定义CTR：Ice/I F*100% (检测条件：I F =5 ma Vce=5V, 2701，2801系列) 5.0.光偶主要特性分析，设计选型替代要求: 5.1外观尺寸： 设计，选型，替代注意： ●封装正确，本体MARK字迹要清晰，品牌正确，与技术规格书一致； ●替代时，如都为标准件封装，基本上装配没有问题，但需注意厚度是否与原料 相同，是否满足整机的工艺要求。 5.2不同输入控制电流I F，CTR 值不同；
●由图表显示，IF在5-15ma时CTR值最大；在小于5mA时(目前我们产品设计大 多如此)，CTR值一般小于正常额定规格值； ●附加Cosmo KPS2801-B 实测数据： J16(2009年第16周生产)的光耦在室温下的CTR I F（VCE=5V）#1 #2 #3 #4 #5 #6 #7 1mA 88.3% 90.48% 90.57% 86.56% 87.1% 85.12% 87..39% 2mA 133% 130% 130% 125% 135% 122% 126% 3mA 150% 154% 154% 147% 151% 139% 150% 5mA 177% 187% 183% 177% 178% 170% 177% J25(2009年第25周生产)的光耦在室温下的CTR I F（VCE=5V）#1 #2 #3 #4 #5 #6 #7 1mA 69.24% 78.61% 66.68% 66.41% 65.7% 75.5% 79.0% 2mA 97% 105% 110% 104% 101% 122% 126% 3mA 121% 121% 131% 132% 129% 151% 151% 5mA 166% 147% 174% 174% 173% 210% 196% ●评注：IF不同，CTR不同，且差异非常大；不同DATECODE的也有差异，但在IF=5ma时， CTR值都在规格（130-260）范围内； ●设计，选型，替代注意：设计时工作电流应接近来料的检测电流值（目前大多 IF=5ma）,否则应用的CTR值无法保证，产品动态性能将很差； 5.3不同环境温度，CTR 值不同；
AO3414 替代型号DMG3414U
e3 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET AO3414 替代型号DMG3414U Features Mechanical Data ? Low On-Resistance ? 25m? @ V GS = 4.5V ? 29m? @ V GS = 2.5V ? 37m? @ V GS = 1.8V ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ? Qualified to AEC-Q101 Standards for High R eliability ? Case: SOT23 ? Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 ? Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D ? Terminals: Finish ? Matte Tin annealed over Copper leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208 ? Terminals Connections: See Diagram Below ? Weight: 0.008 grams (approximate) TOP VIEW Internal Schematic TOP VIEW Ordering Information (Note 4) Notes: 1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant. 2. See https://www.wendangku.net/doc/2019225470.html,/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free. 3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds. 4. For packaging details, go to our website at https://www.wendangku.net/doc/2019225470.html,/products/packages.html. Marking Information MN8 = Product Type Marking Code YM = Date Code Marking for SAT (Shanghai Assembly/ Test site) YM = Date Code Marking for CAT (Chengdu Assembly/ Test site) Y or Y = Year (ex: A = 2013) M = Month (ex: 9 = September) Chengdu A/T Site Shanghai A/T Site DMG3414U Gate G S MN8 MN8 Y M Y M
型号对照表
TYCO P&B 620V23134VF4CB G8JN AZ973/972 792H HFV4FRC1RLP 621VF4CB 896 HVF7A FRC2RLE 622V23134/V23136VF7G8JR AZ9801897HFV7FRC3RLAC 623V23073/V23074VFM CM G8HN AZ988871 HFV6FRC7MRIR 625V23072 VKM AZ975/976 HFKM /HFKS FRA3MRC/MRI /MRD 626JSM G8U FRS10M 627V23133/V23076VKP G8PE FBL-274 AZ9701/9711 822E HFKP FRA2MRC/MRI 628 T72M T72M JJM/CQ G8QN FBR51/52AZ9471 895 HFKW FRS12M 5601 0 335 200 0040 335 200 0220 335 200 0240 335 200 0270 335 200 0520 335 200 0750 335 200 079 0 744 12 54 201 00154 201 10154 203 0014DB 002 895 0234DB 003 750 1014DB 003 750 1514DB 003 750 181 56020 744 38 M9E HW 547SFB 163WFL 6 GFU 2141GFU 2214 58920 5603M10C HW 550 LIGHTENPOINT FL 6 5604 07 44 13 4DB 003 750 0184DB 003 750 0814DB 003 750 171M11 HW 558 SFB 161 WFL 9 GFU 2213 5605 0 335 200 0410 335 200 080 07 44 6254 201 003 4DM 001899 0014DM 001899 0414DM 003360 004DM 003390 004DM 003390 011 M504 SFB 164 LIGHTENPOINT FL 16 560607 44 36 54 201 10854 204 002 M505 HW 566SFB 165 WFL 9 5608 M9C HW 551 LIGHTENPOINT FL 16 WIPAC UNIPART INTER MOTOR BOSCH DURITE VALEO FISTER MICROHORSE WEHRLE HELLA NAGARES FUJITSU TYCO GROUP NAIS OMRON LUCAS MICROHORSE HONGFA FIC ZETTLER SONG CHUAN Competitors Cross Reference / Lista de Competidores
替代型号
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光耦选型最全指南及各种参数说明
光耦选型手册 光耦简介： 光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。 光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。 光耦的分类： （1）光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。 线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。 （2）常用的分类还有： 按速度分，可分为低速光电耦合器（光敏三极管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型）。 按通道分，可分为单通道，双通道和多通道光电耦合器。 按隔离特性分，可分为普通隔离光电耦合器（一般光学胶灌封低于5000V，空封低于2000V）和高压隔离光电耦合器（可分为10kV，20kV，30kV等）。 按输出形式分，可分为： a、光敏器件输出型，其中包括光敏二极管输出型，光敏三极管输出型，光电池输出型，光可控硅输出型等。 b、NPN三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型，互补输出型等。 c、达林顿三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型。 d、逻辑门电路输出型，其中包括门电路输出型，施密特触发输出型，三态门电路输出型等。 e、低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。 f、光开关输出型（导通电阻小于10Ω）。 g、功率输出型（IGBT/MOSFET等输出）。 光耦的结构特点： （1）光电耦合器的输入阻抗很小，只有几百欧姆，而干扰源的阻抗较大，通常为105～106Ω。据分压原理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。 （2）光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气联系，也没有共地；之间的分布电容极小，而绝缘电阻又很大，因此回路一边的各种干扰杂讯都很难通过光电耦合器馈送到另一边去，避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。 （3）光电耦合器可起到很好的安全保障作用，即使当外部设备出现故障，甚至输入信号线短接时，也不会损坏仪表。因为光耦合器件的输入回路和输出回路之间可以承受几千伏的高压。 （4）光电耦合器的回应速度极快，其回应延迟时间只有10μs左右，适于对回应速度要求很高的场合。
汽车电子常用芯片型号代换资料
汽车电子常用芯片型号代换资料汽车电子, 存储器 标志印字芯片功能代换型号 BOSCH 30039 30061 ADC0809 B22AN 存储器 93C06 B34AB 存储器 24C02 B43AB 存储器 24C02 B46AJ 存储器 24C02 B49AJ 存储器 24C02 B52AP 存储器 24C02 B54AH 存储器 24C02 B57120 存储器 27C64 B57324 存储器 2732A B57347 存储器 27C64 B57423 存储器 27C256 B57449 74HC74 B57477 存储器 27C64 B57519 存储器 27C64 B57581 74HC573 B57604 存储器 27C256 B57605 存储器 27256 B57607 存储器 27C128 B57610 存储器 27C128 B57618 存储器 87C257 B57618 存储器 87C64 B57625 存储器 2764A B57654 存储器 27C256 B57696 存储器 27C256 B57701 存储器 27C256 B57733 4x位开关 TLE4211, TLE6220 B57764 存储器 87C257 B57764 存储器 87C64 B57771 存储器 27C256
B57922 存储器 87C257 B57960 存储器 27C256 B57995 存储器 TMS27C256 B58014 存储器 27C256 B58038 存储器 27C256 B58094 存储器 27C510 B58126 存储器 27C010 B58127 存储器 27C512 B58150 存储器 87C257 B58157 存储器 27C512 B58185 存储器 87C257 B58196 存储器 NS93C46 B58234 存储器 27C256 B58235 存储器 87C257 B58239 存储器 27C512 B58240 6 x位开关 TLE4216G, TLE4226G B58241 4 x位开关 TLE4214G, TLE6225 B58243 存储器 CJ87BC6QG B58244 I87M12 B58258 存储器 24C02 B58265 控制器 CAN控制器?? B58275 存储器 27C1024 B58286 控制器 SAB80C166 B58293 存储器 27C512 B58331 存储器 28F010 B58334 存储器 28C64 B58380 存储器 24C02 B58381 存储器 AM28F512 B58399 存储器 AM29F010 B58400 存储器 87C510 B58424 存储器 27C512 B58502 ABS,ASR系统IC TLE5200G, TLE6210G B58504 ABS,ASR系统IC TLE5201G, TLE6211G B58505 2 x位开关 TLE5225G, TLE6215G B58517 存储器 28F020
与国内外同类产品的对比分析
与国内外同类产品的对比分析 一：该项技术的概述及国内外发展概述 （1）、医用压敏胶、远红外陶瓷微粉共同组成的。是集光学、热学、医疗技术于一体的完美结合。当它吸收到皮肤的热能后，释放出8-15微米的远红外光线，与人体的细胞原子和水分子振动频率一致，从而活化人体组织细胞，快速透皮，作用于患处，阻断制痛介质合成。经数千家专科医院近千例临床病例验证表明：它既避免了内服药物的毒副作用，又克服了普通外用药贴透皮困难的缺陷，具有持续释放能量的功效，高效安全。它可以迅速止痛，缓解痉挛，消炎消肿，改善血液循环，加强代谢作用，增强肌体细胞活力，提高了人体的代谢功能，成功的实现了真正的内痛外治。 （2）、远红外贴最早起源于中国，在我国的应用由来已久，而其疗效也颇受认同。其悠久的传统文化内涵和文明承载在很大程度上影响着消费者的选购心理。后流传到韩国、日本等亚洲其他国家，目前部分发达国家也在逐步使用远红外磁疗贴。远红外贴为也叫“透皮吸收剂”属于膏药的一种，它是由药材提取物、远红外陶瓷粉、与橡胶等基质混匀后，涂布于布上的外用制剂。相对于口服和注射两大用药方式来说，吸收剂可直接作用于病患处，不仅药效迅速而且降低了不良反应。
（3）、特别是上纪70年代中期，美国首先提出透皮控释给药（TDDS）治疗方案并制成东莨菪贴片以来，透皮给药系统不断完善并得到了迅猛的发展。在国际上透皮吸收剂是先进用药方式的代表。我国的膏药可以说是传统的“透皮吸收剂”，把膏药的传统特色与世界先进给药方式联系起来。随着传统医药和现代医学的进一步结合与推进，远红外贴被挖掘出越来越多的新用途，如降压、减肥、避孕、治疗流感、助眠、治疗糖尿病、退热等，而且随着对传统医药与现代医学的发展和人们对远红外贴的认识会进一步加强。 （4）、据统计1999年，全球透皮控释制剂市场的销售额约为11亿美元，2005年达到127亿美元，2010年达到800亿～1000亿美元。美国医药界认为，今后5～10年内，有1/3的现用药将采用透皮吸收制剂。药物透皮吸收给药系统是药剂学中一个新领域，自1981年世界上第一个TTS（透皮制剂）产品----东莨菪碱由美国Alza公司推入美国市场以来，受到广大医生和患者的青睐，国际上竞相研制生产TTS产品。据统计，目前透皮制剂用于激素替代治疗（治疗绝经期综合征、骨质疏松症和性腺机能减退）、心血管疾病（高血压和心绞痛）和中枢神经系统疾病（戒烟、晕动病和疼痛／炎症）。 （5）、截至2004年，美国已有超过35个药物透皮制剂上市。2005年，美国20％以上的制药企业已经开始生产TTS。在众多企业的参与
品牌光电耦合器型号替换表
optocouplers competitive components drop-ln replacements Isocom components manufactures equivalents to these and many more competitor's parts.In addition we undertake special screening,we can supply various lead forms,and can suppiy components in tubes or tape and reel packaging.All our products are guranteed to meet customer specified electrical characteristics.Yieid limits may apply. STANDARD LEAD TIMES ARE 1-2WEEKS! Product variations include standard DIP package ,surface mount G form (10.16mm lead spread),Tape and Reel packaging.Parts are UL,VDE and Nemko certified amongst others. Isocom aiso manufactures the following industry standards 4N254N264N274N284N354N374N384N394N30F 4N31F 4N32F 4N33F CNY17-1CNY17-2CNY17-3CNY17-4CNY17-5CNY17F-1CNY17F-2CNY17F-3CNY17F-4CNY17F-5H11A1H11A2H11A3H11A4H11A5H21A1H21A2H21A3H22A1H22A2H22A3>Too many more to list.Call us for specific part numbers The innovative ISOCOM solutions beiow are made to match your unique design requirements. VISHAY (NFINEON)(IEMENS) FAIRCHILD (MOTOROLA) (QT) NEC TI TOSHIBA SHARP IL1SFH615A-3MOC3009MOC8080H11L2PS2501-1TIL111TLP121PC354IL2SFH615A-4MOC3010MOC8100H11L3PS2501-2TIL113TLP121GB PC355IL5SFH617A-1MOC3011MOC8101H11AA PS2501-4TIL114TLP121Y PC357L74SFH617A-2MOC3012MOC8102H11AA2PS2502-1TIL116TLP126PC357NT ILD1SFH617A-3MOC3020MOC8103H11AA3PS2502-2TIL117TLP127PC357N1T ILD2SFH617A-4MOC3021MOC8104H11AA4PS2505-1TIL119TLP181PC357N2T LD5SFH618A-2MOC3022MOC8106MCT2PS2505-2TIL128TLP181GB PC357N3T ILD74SFH618A-3MOC3023MOC8107MCT2E PS2505-4TIL191TLP181Y PC357N4T ILQ1SFH620-1MOC3030MOC8108MCT6PS2701-1TIL192TLP321PC357N5T ILQ2SFH620-2MOC3031MOC8112MCT61PS2701-1L TIL192A TLP321-2PC357N6T ILQ5SFH620-3MOC3032CNX72A MCT62PS2701-1P TIL192B TLP321-4PC357N7T ILQ74SFH628A-3MOC3033CNX82A MCT210PS2701-1M TLP193TLP521PC357N8T MCA230SFH628A-4MOC3040H11A V1MCT270PS2702-1TIL193A TLP521-2PC357N9T MCA255TCMT1100MOC3042H11A V2MCT271PS27021P TIL193B TLP521-4PC357N0T SFH600-1TCMT1102MOC3043H11A V3MCT272PS2705-1TLP194TLP620PC452SFH600-2TCMT1103MOC3051H11D1MCT273PS2732-1 TIL194A TLP620-2PC844SFH601-5TCMT1600MOC5008MOC3081HMHAA280TLP620-4PC123SFH609-2TCMT4100MOC5009MOC3082HMHAA2801TLP280PC900SFH609-3TCMT4106 MOC8021MOC3083HMHA281TLP280-4PC2H2MOC8050 H11L1 HMHA2801C TLP281-4 PC3Q67
光耦选型经典指引
光耦选型经典指南 一、文档说明： 针对光偶选型，替代，采购，检测及实际使用过程中出现的光偶特性变化引起的产品失效问题，提供指导。 光耦属于易失效器件，选型和使用过程中要特别的小心。 目前发现，因光偶的选型，光偶替代，光偶工作电流，工作温度设计不当等原因导致产品出现问题，如何减少选型，设计，替代导致的产品问题，这里将制订出相关指导性规范。 二、原理介绍： 光电偶合器件（简称光耦）是把发光器件（如发光二极体）和光敏器件（如光敏三极管）组装在一起，通过光线实现耦合构成电—光和光—电的转换器件。光电耦合器分为很多种类，图1所示为常用的三极管型光电耦合器原理图。 当电信号送入光电耦合器的输入端时，发光二极体通过电流而发光，光敏元件受到光照后产生电流，CE导通；当输入端无信号，发光二极体不亮，光敏三极管截止，CE不通。对于数位量，当输入为低电平“0”时，光敏三极管截止，输出为高电平“1”；当输入为高电平“1”时，光敏三极管饱和导通，输出为低电平“ 0”。若基极有引出线则可满足温度补偿、检测调制要求。这种光耦合器性能较好，价格便宜，因而应用广泛。 图一最常用的光电耦合器之内部结构图三极管接收型 4脚封装
图二光电耦合器之内部结构图三极管接收型 6脚封装 图三光电耦合器之内部结构图双发光二极管输入三极管接收型 4脚封装 图四光电耦合器之内部结构图可控硅接收型 6脚封装 图五光电耦合器之内部结构图双二极管接收型 6脚封装
光电耦合器之所以在传输信号的同时能有效地抑制尖脉冲和各种杂讯干扰，使通道上的信号杂讯比大为提高，主要有以下几方面的原因： （1）光电耦合器的输入阻抗很小，只有几百欧姆，而干扰源的阻抗较大，通常为105～106Ω。据分压原理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。 （2）光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气联系，也没有共地；之间的分布电容极小，而绝缘电阻又很大，因此回路一边的各种干扰杂讯都很难通过光电耦合器馈送到另一边去，避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。 （3）光电耦合器可起到很好的安全保障作用，即使当外部设备出现故障，甚至输入信号线短接时，也不会损坏仪表。因为光耦合器件的输入回路和输出回路之间可以承受几千伏的高压。 （4）光电耦合器的回应速度极快，其回应延迟时间只有10μs左右，适于对回应速度要求很高的场合。 内部结构图及 CTR 的计算方法： 规格定义 CTR：Ice/I F *100% (检测条件：I F =5 ma Vce=5V, 2701，2801 系列)
常用光电耦合器代换大全
常用光电耦合器代换大全 常用光电耦合器代换大全 时间: 2012-05-19 18:15:51 来源: 山阳维修网 光电耦合器结构及代换型号 时间: 2010-10-25 03:22:21 来源: 山阳维修网 光电耦合器在彩电控制电路中应用比较广泛，维修人员也常接触到光电耦合器。 笔者依据光电耦合器的特性，设计了一个方便的测试光电耦合器好坏的电路，如图1所示。该电路简单、准确，使用方便。 电路原理 当接通电源后，LED不发光，按下S2，LED会发光。调Rp，LED的发光强度会发生变化，说明光电耦合器是好的。实际制作时，可用面包板安装元器件和焊接。另外，若S2用轻触常开开关，S1用钮子开关，电池用纽扣电池AG3等，再加上集成块座可把该测试电路安装在一个小印板上，整个装置只相当于1/2火柴盒大小。 附：常见光电耦合器结构及代换型号见图2。光耦
合器(opticalcoupler，英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。各品牌光耦替代型号Fairchild NEC Part Nnmber TOSHIBA Par Number Lv PartNnmber
TOSHIBA Par Number Lv H11A617 TLP421 B PS2501-1 TLP421 A H11A817 TLP421
IC 代码及代换型号查询(参考资料)
CODES: DJ= - RT8202AGQW DJ- - RT8202APQW DK- - RT8204PQW WQFN 3x3-16 JL= - RT8204AGQW WQFN 3x3-16 FR= - RT8204BGQW WQFN 3x3-16 H6= - RT8204CGQW WQFN 3x3-16 CJ= - RT8205AGQW CK= - RT8205BGQW CL= - RT8205CGQW CB= - RT8205DGQW DT= - RT8205EGQW EM= - RT8205LGQW [RT8205AGQW] EN= - RT8205MGQW [RT8205CGQW] CP= - RT8207GQW DH= - RT8207AGQW EF= - RT8207LGQW J7= - RT8207MGQW DS= - RT8223BGQW LDO Output: 70mA 11= - RT8223NGQW LDO Output: 100mA [RT8223BGQW] 20 - RT8223PZQW LDO Output: 100mA [RT8223BGQW] EP= - RT8223LGQW LDO Output: 100mA [RT8223AGQW] EQ= - RT8223MGQW LDO Output: 100mA [RT8223BGQW] FF= - RT8208AGQW FG= - RT8208BGQW H8= - RT8208DGQW 30= - RT8208EGQW 31= - RT8208FGQW FH= - RT8209AGQW WQFN-16L 3x3 A0= - RT8209BGQW WQFN-14L 3.5x3.5 A3= - RT8209EGQW WQFN-14L 3.5x3.5 JX= - RT8209LGQW WQFN-16L 3x3