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温度阻值对照表—芝浦PXN-51E热敏电阻

温度阻值对照表—芝浦PXN-51E热敏电阻
温度阻值对照表—芝浦PXN-51E热敏电阻

用热敏电阻测量温度

PB05210298 张晶晶 实验报告三 实验题目:用热敏电阻测量温度 实验原理: 1. 半导体热敏电阻的电阻——温度特性 某些金属氧化物半导体(如:Fe 3O 4、MgCr 2O 4等)的电阻与温度关系满足式(1): T B T e R R ∞= (1) 式中R T 是温度T 时的热敏电阻阻值,R ∞是T 趋于无穷时热敏电阻的阻值,B 是热敏电阻的材料常数,T 为热力学温度。 金属的电阻与温度的关系满足(2): )](1[1212t t a R R t t -+= (2) 式中a 是与金属材料温度特性有关的系数,R t1、R t2分别对应于温度t 1、t 2时的电阻值。 根据定义,电阻的温度系数可由式(3)来决定: dt dR R a t t 1= (3) R t 是在温度为t 时的电阻值,由图3.5.2-1(a )可知,在R-t 曲线某一特定点作切线,便可求出该温度时的半导体电阻温度系数a 。 2. 惠斯通电桥的工作原理 半导体热敏电阻和金属电阻的阻值范围,一般在1~106 Ω,需要较精确测量时常用电桥法,惠斯通电桥是应用很广泛的一种仪器。 惠斯通电桥的原理,如图3.5.2-2(a )所示。四个电阻R 0、R 1、R 2、R x 组成一个四边形,即电桥的四个臂,其中R x 就是待测电阻。在四边形的一对对角A 和C 之间连接电源E ,而在另一对对角B 和D 之间接入检流计G 。当B 和D 两点电位相等时,G 中无电流通过,电桥便达到了平衡。平衡时必有02 1 R R R R x = ,

R 1/R 2和R 0都已知,R x 即可求出。R 1/R 2称电桥的比例臂,由一个旋钮调节,它采用十进制固定值,共分0.001、0.01、0.1、1、10、100、1000 七挡。R 0为标准可变电阻,由有四个旋钮的电阻箱组成,最小改变量为1Ω,保证结构有四位有效数字。 02 1 R R R R x 是在电桥平衡的条件下推导出来的。电桥是否平衡是由检流计有无偏转来判断的,而检流计的灵敏度总是有限的。如实验中所用的张丝式检流计,其指针偏转一格所对应的电流约为10-6A ,当通过它的电流比10-7A 还小时,指针的偏转小于0.1格,就很难觉察出来。假设电桥在R 1/R 2=1时调到平衡,则有

热敏电阻温度特性的研究

热敏电阻温度特性的研究 一、实验目的:了解和测量热敏电阻阻值与温度的关系 二、实验仪器:YJ-RZ-4A 数字智能化热学综合实验仪、NTC 热敏电阻传感器、Pt100传感器、万用表 三、实验原理 热敏电阻是其电阻值随温度显著变化的一种热敏元件。热敏电阻按其电阻随温度变化的典型特性可分为三类,即负温度系数(NTC )热敏电阻,正温度系数(PTC )热敏电阻和临界温度电阻器(CTR )。PTC 和CTR 型热敏电阻在某些温度范围内,其电阻值会产生急剧变化。适用于某些狭窄温度范围内的一些特殊应用,而NTC 热敏电阻可用于较宽温度范围的测量。热敏电阻的电阻-温度特性曲线如图1所示。 图1 NTC 半导体热敏电阻是由一些金属氧化物,如钴、锰、镍、铜等过渡金属的氧化物,采用不同比例的配方,经高温烧结而成,然后采用不同的封装形式制成珠状、片状、杠状、垫圈状等各种形状。与金属导热电阻比较,NTC 半导体热敏电阻具有以下特点: 1.有很大的负电阻温度系数,因此其温度测量的灵敏度也比较高; 2.体积小,目前最小的珠状热敏电阻的尺寸可达mm 2.0φ,故热容量很小可作为点温或表面温度以及快速变化温度的测量; 3.具有很大的电阻值(Ω-521010),因此可以忽略线路导线电阻和接触电阻等的影响,特别适 用于远距离的温度测量和控制; 4.制造工艺比较简单,价格便宜。半导体热敏电阻的缺点是温度测量范围较窄。 NTC 半导体热敏电阻具有负温度系数,其电阻值随温度升高而减小,电阻与温度的关系可以用下面的经验公式表示 )/exp(T B A R T = (1) 式中,T R 为在温度为T 时的电阻值,T 为绝对温度(以K 为单位),A 和B 分别为具有电阻量纲和温度量纲,并且与热敏电阻的材料和结构有关的常数。由式(1)可得到当温度为0T 时的电阻值0R , 即 )/exp(00T B A R = (2) 比较式(1)和式(2),可得 )]1 1(exp[0 0T T B A R R T -= (3) 由式(3)可以看出,只要知道常数B 和在温度为 0T 时的电阻值0R ,就可以利用式(3)计算在

测量热敏电阻的温度系数

3.5.2 用热敏电阻测量温度 (本文内容选自高等教育出版社《大学物理实验》) 热敏电阻是由对温度非常敏感的半导体陶瓷质工作体构成的元件。与一般常用的金属电阻相比,它有大得多的电阻温度系数值。根据所具有电阻温度系数的不同,热敏电阻可分三类:1.正电阻温度系数热敏电阻;2.临界电阻温度系数热敏电阻;3.普通负电阻温度系数热敏电阻。前两类的电阻急变区的温度范围窄,故适宜用在特定温度范围作为控制和报警的传感器。第三类在温度测量领域应用较广,是本实验所用的热敏元件。热敏电阻作为温度传感器具有用料省、成本低、体积小、结构简易,电阻温度系数绝对值大等优点,可以简便灵敏地测量微小温度的变化。我国有关科研单位还研制出可测量从-260℃低温直到900℃高温的一系列不同类型的热敏电阻传感器,在人造地球卫星和其他有关宇航技术、深海探测以及科学研究等众多领域得到广泛的应用。本实验旨在了解热敏电阻-温度特性和测温原理,掌握惠斯通电桥的原理和使用方法。学习坐标变换、曲线改直的技巧和用异号法消除零点误差等方法。 实验原理 1. 半导体热敏电阻的电阻——温度特性 某些金属氧化物半导体(如:Fe 3O 4、MgCr 2O 4等)的电阻与温度关系满足式(1): T B T e R R ∞= (1) 式中R T 是温度T 时的热敏电阻阻值,R ∞是T 趋于无穷时热敏电阻的阻值,B 是热敏电阻的材 料常数,T 为热力学温度。 金属的电阻与温度的关系满足(2): )](1[1212t t a R R t t -+= (2) 式中a 是与金属材料温度特性有关的系数,R t1、R t2分别对应于温度t 1、t 2时的电阻值。 根据定义,电阻的温度系数可由式(3)来决定: dt dR R a t t 1= (3) R t 是在温度为t 时的电阻值,由图3.5.2-1(a )可知,在R-t 曲线某一特定点作切线,便可求出该温度时的半导体电阻温度系数a 。 由式(1)和式(2)及图3.5.2-1可知,热敏电阻的电阻-温度特性与金属的电阻-温度特性比较,有三个特点: (1) 热敏电阻的电阻-温度特性是非线性的(呈指数下降),而金属的电阻-温度特性是线性的。

热敏电阻

热敏电阻根据温度系数分为两类:正温度系数热敏电阻和负温度系数热敏电阻。由于特性上的区别,应用场合互不相同。 正温度系数热敏电阻简称PTC(是Positive Temperature Coefficient 的缩写),超过一定的温度(居里温度---居里温度是指材料可以在铁磁体和顺磁体之间改变的温度。低于居里温度时该物质成为铁磁体,此时和材料有关的磁场很难改变。当温度高于居里温度时,该物质成为顺磁体,磁体的磁场很容易随周围磁场的改变而改变。这时的磁敏感度约为10的负6次方。)时,它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高。其原理是在陶瓷材料中引入微量稀土元素,如La、Nb...等,可使其电阻率下降到10Ω.cm以下,成为良好的半导体陶瓷材料。这种材料具有很大的正电阻温度系数,在居里温度以上几十度的温度范围内,其电阻率可增大 4~10个数量级,即产生所谓PTC效应。 目前大量被使用的PTC热敏电阻种类:恒温加热用PTC热敏电阻;低电压加热用PTC热敏电阻;空气加热用热敏电阻;过电流保护用PTC热敏电阻;过热保护用PTC热敏电阻;温度传感用PTC热敏电阻;延时启动用PTC 热敏电阻。 负温度系数热敏电阻简称NTC(是Negative Temperature Coefficient 的缩写),泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料,采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质,因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时,这些氧化物材料的载流子(电子和孔穴)数目少,所以其电阻值较高;随着温度的升高,载流子数目增加,所以电阻值降低。NTC热敏电阻器在室温下的变化范围在10O~1000000欧姆,温度系数-2%~-6.5%。NTC热敏电阻器可广泛应用于温度测量、温度补偿、抑制浪涌电流等场合。 PTC、NTC两种热敏电阻都可以用作温度传感,在目前的实际应用中,多采用NTC热敏电阻作为温度测量、控制的温度传感器。 NTC负温度系数热敏电阻专业术语 零功率电阻值R T(Ω) R T指在规定温度T时,采用引起电阻值变化相对于总的测量误差来说可以忽略不计的测量功率测得的电阻值。

热敏电阻的温度特性的研究

实验 项 目: 实验 目 的: 1、测定负温度系数热敏电阻的电阻—温度特性,并利用直线拟合的数据处理方法,求其材料常数。 2、了解以热敏电阻为检测元件的温度传感器的电路结构及电路参数的选择原则。 3、学习运用线性电路和运放电路理论分析温度传感器电压—温度特性的基本方法。 4、掌握以叠代法为基础的温度传感器电路参数的数值计算技术。 5、训练温度传感器的实验研究能力。 实验 仪 器: 热敏电阻的温度特性的研究
1. TS—B3 型温度传感综合技术实验仪; 2. 磁力搅拌电热器; 3. ZX21 型电阻箱; 4. 数字万用表; 5. 水银温度计(0-100℃); 6. 烧杯;7. 变压器油
实验 原 理: 具有负温度系数的热敏电阻广泛的应用于温度测量和温度控制技术中。这类热敏电阻大多数是由一些过度金属氧化物(主要有 Mn、Co、Ni、Fe 等氧化物)在一定的烧结条件下形成的半导体金属氧化物作为基本材料制作而成,它们具有 P 型半导体的特性。对于一般半导体材料,电阻率随 温度变化主要依赖于载流子浓度,而迁移率随温度的变化相对来说可以忽略。但对上述过渡金属氧化物则有所不同,在室温范围内基本上已全部 电离,即载流子浓度基本与温度无关,此时主要考虑迁移率与温度的关系,随着温度升高,迁移率增加,所以这类金属氧化物半导体的电阻率下 降,根据理论分析,对于这类热敏电阻的电阻—温度特性的数学表达式通常可以表示为: Rt=R25?exp[Bn(1/T - 1/298)] (1)
其中 Rt 和 R25 分别表示环境为温度 t℃和 25℃时热敏电阻的阻值;T=273+t ;Bn 为材料常数,其大小随制作热敏电阻时选用的材料和配方而异, 对于某一确定的热敏电阻元件,它可由实验上测得的电阻—温度曲线的实验数据,用适当的数据处理方法求得。 下面对以这种热敏电阻作为检测元件的温度传感器的电路结构、工作原理、电压—温度特性的线性化、电路参数的选择和非线性误差等问题论述 如下: 一、电路结构及工作原理 电路结构如图 1a 示,它是由含 Rt 的桥式电路及差分运算放大电路两个主要部分组成。当热敏电阻 Rt 所在环境温度变化时,差分放大器的输入 信号及其输出电压 V0 均要发生变化。传感器输出电压 V0 随检测元件 Rt 环境温度变化的关系称温度传感器的电压—温度特性。为了定量分析这 一特征,可利用电路理论中的戴维南定理把图 1a 示的电路等效变换成图 1b 示的电路,在图 1b 中:
图1
电路原理图及其等效电路
(2) 它们均与温度有关,而
(3) 与温度无关。根据电路理论中的叠加原理,差分运算放大器输出电压 V0 可表示为:
(4)

热敏电阻包括正温度系数和负温度系数热敏电阻

热敏电阻包括正温度系数和负温度系数热敏电阻。 新晨阳电子- 热敏电阻 的主要特性是:1.锐敏度比拟高,其电阻感温系数要比非金属大10~100倍之上;2.任务感温范畴宽,常温机件实用于-55℃~315℃,低温机件实用感温高于315℃(眼前最高可到达2000℃)高温机件实用于-273℃~55℃; 3.容积小,可以丈量其余温度表无奈丈量的空儿、腔体及生物体内血脉的感温;4.运用便当,电阻值可正在0.1~100kΩ间恣意取舍;5.易加工成简单的外形,可少量量消费; 6.稳固性好、超载威力强. 因为半超导体热敏电阻有共同的功能,因为正在使用范围它能够作为丈量组件(如丈量感温、流量、液位等),还能够作为掌握组件(如感温电门、限流器)和通路弥补组件。热敏电阻宽泛用来家用电器、风力轻工业、通信、军事迷信、宇航等各个畛域,发展前途极端宽广。 一、PTC热敏电阻 PTC(Positive Temperature Coeff1Cient)是指在某一温度下电阻急剧增加、具有正温度系数的热敏电阻现象或材料,可专门用作温度传感器。该材料是以BaTiO3或SrTiO3或PbTiO3为主要成分的烧结体,其中掺入微量的Nb、Ta、Bi、Sb、Y、La等氧化物进行原子价控制而使之半导化,常将这种半导体化的BaTiO3等材料简称为半导(体)瓷;同时还添加增大其正电阻温度系数的Mn、Fe、Cu、Cr的氧化物和起其他作用的添加物,采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化,从而得到正温度的热敏电阻材料.其温度系数及居里点温度随组分及烧结条件(尤其是冷却温度)不同而变化。 钛酸钡晶体属于钙钛矿型结构,它是一种铁电材料,纯钛酸钡是一种绝缘材料。在钛酸钡材料中加入微量稀土元素,进行适当热处理后,在居里温度附近,电阻率陡增几个数量级,产生PTC效应,此效应与BaTiO3晶体的铁电性及其在居里温度附近材料的相变有关。钛酸钡半导瓷是一种多晶材料,晶粒之间存在着晶粒间接口。该半导瓷当达到某一特定温度或电压,晶体粒界就发生变化,从而电阻急剧变化。 钛酸钡半导瓷的PTC效应起因于粒界(晶粒间界)。对于导电电子来说,晶粒间接口相当于一个势垒。温度低时,由于钛酸钡内电场的作用,导致电子极容易越过势垒,则电阻值较小。当温度升高到居里点温度(即临界温度)附近时,内电场受到破坏,它不能说明导电电子越过势垒。这相当于势垒升高,电阻值突然增大,产生PTC效应。钛酸钡半导瓷的PTC效应的物理模型有海望表面势垒模型、丹尼尔斯等人的钡缺位模型和迭加势垒模型,它们分别从不同方面对PTC 效应作出了合理解释。 PTC热敏电阻于1950年出现,随后1954年出现了以钛酸钡为主要材料的PTC

热敏电阻温度特性的研究带实验数据处理

本科实验报告 实验名称:热敏电阻温度特性的研究 (略写) 实验15热敏电阻温度特性的研究 【实验目的和要求】 1. 研究热敏电阻的温度特性。 2. 用作图法和回归法处理数据。 【实验原理】 1. 金属导体电阻 金属导体的电阻随温度的升高而增加,电阻值t R 与温度t 间的关系常用以下经验公式表示: )1(320 ++++=ct bt t R R t α (1) 式中t R 是温度为t 时的电阻,0R 为00=t C 时的电阻,c b ,,α为常系数。 在很多情况下,可只取前三项: )1(20bt t R R t ++=α (2) 因为常数b 比α小很多,在不太大的温度范围内,b 可以略去,于是上式可近似

写成: )1(0t R R t α+= (3) 式中α称为该金属电阻的温度系数。 2. 半导体热敏电阻 热敏电阻由半导体材料制成,是一种敏感元件。其特点是在一定的温度范围内,它的电阻率T ρ随温度T 的变化而显著地变化,因而能直接将温度的变化转换为电量的变化。一般半导体热敏电阻随温度升高电阻率下降,称为负温度系数热敏电阻,其电阻率T ρ随热力学温度T 的关系为 T B T e A /0=ρ (4) 式中0A 与B 为常数,由材料的物理性质决定。 也有些半导体热敏电阻,例如钛酸钡掺入微量稀土元素,采用陶瓷制造工艺烧结而成的热敏电阻在温度升高到某特定范围(居里点)时,电阻率会急剧上升,称为正温度系数热敏电阻。其电阻率的温度特性为: T B T e A ?'=ρρ (5) 式中A '、 ρ B 为常数,由材料物理性质决定。 对(5)式两边取对数,得 A T B R T ln 1 ln += (6) 可见T R ln 与T 1 成线性关系,若从实验中测得若干个T R 和对应的T 值,通过作图法可求出A (由截距A ln 求出)和B (即斜率)。 3. 实验原理图

热敏电阻温度测量电路

热敏电阻温度测量电路 下图是温度在0~50℃范围的测量电路。当温度为0℃时输出电压是0V ,温度为50℃时是5V 。他可以与电压表链接来测量温度,也可以连接AD 转换器变换为数字量,利用计算机之类进行测量。 1、工作原理 该电路由检测温度的热敏电阻和1个运算放大器电路,以及将0~50℃的温度信息变换为0~5V 电压的2个运算放大器电路构成。 热敏电阻检测温度时,利用热敏电阻TH R 与电阻3R 分压后的电压作为检测电压进行处理,在这里是利用运算放大器1OP 的电压跟随器电路提取的。输出电压的极性为正,随着温度的上升,热敏电阻的电阻值降低,所以输出电压也下降。 检出的信号加在1OP 和电阻~4R 7R 构成的差动放大电路的正输入端上,而加在负输入端上的是由8R 、9R 、1VR 对5V 分压后的电压,这部分是电压调整电路,可以在温度为0℃时将1OP 的输出电压调整为0V ,这样就可以输出与温度上升成比例的负电压。 2OP 的输出加在由3OP 构成的反转放大电路上被放大,放大倍数为—10211/)(R VR R +倍。调整2VR 可以使温度达50℃时3OP 的输出电压为+5V 。 通过调整1VR 和2VR ,可以在0℃时得到0V 的输出电压,50℃时得到5V 的输出电压,使输出电压与温度成比例。 2、设计 (1)温度测量范围以及输出电压、电源电压的确定:设定温度测量范围为0~50℃,这时的输出电压是0~5V 。电路使用的电源为±15V ,基准电压为5V 。 (2)热敏电阻和运算放大器的选定:这里使用NTC 型热敏电阻,选用25℃的电阻值为10K Ω,误差在±1%以内的NTH4G39A 103F02型,这种热敏电阻的常数为B=3900。 (3)补偿电阻3R 的确定:电阻3R 的作用是当热敏电阻的温度变化时,将相对应的输出电压的变化线性化。设线性化的温度范围是0~50℃,,那么补偿电阻3 R

pic18单片机热敏电阻测温查表程序

//;************************************************* 1.//;* heat.c ** 2.//;************************************************* 3.//;* 本程序为热敏电阻输入处理模块程序 4.//;* 将温度值在LCD特定位置显示 5.//;* 占用I/O RA1,RB5,RB4,RB3 6.//;* 使用RAM 7.//;* 程序包括: 8.//;* - tempdeal 热敏电阻输入处理子程序 9.//;* - heattab 温度值校准表 10.//;* 11.//;* 入口参数无 12.//;* 出口参数 TempH,TempL (温度值) 13.//;************************************************* 14.#include // ;定义所用单片机的头文件 15.#define TSRCLK TRISD5 16.#define TRCLK TRISD4 17.#define TSER TRISD3 18.#define SRCLK RD5 19.#define RCLK RD4 20.#define SER RD3 21. 22. 23.void preled(void) 24.{ 25. TSRCLK=0; 26. TRCLK=0; 27. TSER=0; 28. SRCLK=0; 29. RCLK=0; 30. SER=0; 31.} 32.void moniled (unsigned char led_data) 33.{ 34. //MONILED; 入口参数LED_DATA,需要为 35. //;芯片全部在时钟上升沿完成动作,故需在低电平期间完成数据的变 化。先发送高位 36. unsigned char i; 37. for(i=8;i!=0;i--) 38. { 39. if(led_data&0x80) 40. SER=1; 41. else

正温度系数

正温度系数正温度系数热敏电阻 正温度系数 正温度系数热敏电阻热敏电阻的一种,正温度系数热敏电阻其电阻值随着PTC热敏电阻本体温度的升高呈现出阶跃性的增加, 温度越高,电阻值越大。 热敏电阻是开发早、种类多、发展较成熟的敏感元器件.热敏电阻由半导体陶瓷材料组成,利用的原理是温度引起电阻变化.若电子和空穴的浓度分别为n、p,迁移率分别为μn、μp,则半导体的电导为: σ=q(nμn+pμp) 因为n、p、μn、μp都是依赖温度T的函数,所以电导是温度的函数,因此可由测量电导而推算出温度的高低,并能做出电阻-温度特性曲线.这就是半导体热敏电阻的工作原理. 热敏电阻包括正温度系数(PTC)和负温度系数(NTC)热敏电阻,以及临界温度热敏电阻(CTR).它们的电阻-温度特性. 热敏电阻的主要特点是: 1、使用方便,电阻值可在0.1~100kΩ间任意选择; 2、易加工成复杂的形状,可大批量生产;⑥稳定性好、过载能力强; 3、工作温度范围宽,常温器件适用于- 55℃~315℃,高温器件适用温度高于315℃(目前最高可达到2000℃),低温器件适用于-273℃~55℃; 4、体积小,能够测量其他温度计无法测量的空隙、腔体及生物体内血管的温度; 5、灵敏度较高,其电阻温度系数要比金属大10~100倍以上,能检测出10-6℃的温度变化;

正温度系数热敏电阻 PTC热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻,超过一定的温度(居里温度)时,它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高。 热敏电阻的一种,正温度系数热敏电阻其电阻值随着PTC热敏电阻本体温度的升高呈现出阶跃性的增加,温度越高,电阻值越大。 PTC是Positive Temperature Coefficient 的缩写,意思是正的温度系数,泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件。通常我们提到的PTC是指正温度系数热敏电阻,简称PTC热敏电阻。 PTC热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻,超过一定的温度(居里温度)时,它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高。 热敏电阻的一种,正温度系数热敏电阻其电阻值随着PTC热敏电阻本体温度的升高呈现出阶跃性的增加,温度越高,电阻值越大。 PTC是Positive Temperature Coefficient 的缩写,意思是正的温度系数,泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件。通常我们提到的PTC是指正温度系数热敏电阻,简称PTC热敏电阻。 正温度系数热敏电阻特点 1、稳定性好、过载能力强. 2、工作温度范围宽,常温器件适用于- 55℃~315℃,高温器件适用温度高于315℃(目前最高可达到2000℃),低温器件适用于-273℃~55℃; 3、灵敏度较高,其电阻温度系数要比金属大10~100倍以上,能检测出10-6℃的温度变化; 4、易加工成复杂的形状,可大批量生产; 5、体积小,能够测量其他温度计无法测量的空隙、腔体及生物体内血管的温度; 6、使用方便,电阻值可在0.1~100kΩ间任意选择;

(推荐)热敏电阻测温电路

热敏电阻测温电路 热敏电阻测量电路 本测温控温电路适用于家用空调、电热取暖器、恒温箱、温床育苗、人工孵化、农牧科研等电热设备。其使用温度范围是0~50℃,测控温精度为±(0.2~0.5)℃. 2.2.1 原理电路 本测温控温电路由温度检测、显示、设定及控制等部分组成,见图2.2.1。图中D1~D4为单电源四运放器LM324的四个单独的运算放大器。RT1~RTn为PTC感温探头,其用量取决于被测对象的容积。 RP1用于对微安表调零,RP2用于调节D2的输出使微安表指满度。S 为转换开关。 图2.2.1 测温控温电路由RT检测到的温度信息,输入D1的反馈回路。该信息既作为D2的输入信号,经D2放大后通过微安表显示被测温度;又作为比较器D4的同相输入信号,与D3输出的设定基准信号,构成D4的差模输入电压。当被控对象的实际温度低于由RP3预设的温度时,RT的阻值较小,此时D4同相输入电压的绝对值小于反相输入电压的绝对值,于是D4输出为高电位,从而使晶体管V饱和导通,继电器K得电吸合常开触点JK,负载RL由市电供电,对被控物进行加热。当被控对象的实际温度升到预设值时, D4同相输入电压的绝对值大于反相输入电压的绝对值, D4的输出为低电位,从而导致V截止,K失电释放触点JK至常开,市电停止向RL供电,被控物进入恒温阶段。如此反复运行,达到预设的控温目的。

2.2.2 主要元器件选择本测温控温电路选用PTC热敏电阻为感温元件,该元件在0℃时的电阻值为264Ω,制作成温度传感器探测头,按图2.2.2线化处理后封装于护套内, 其电阻-温度特性见图2.2.3. 图2.2.2 线化电路线化后的PTC热敏电阻感温探头具有良好的线性,其平均灵敏度达16Ω/℃左右。如果采用数模转换网络、与非门电路及数码显示器,替代本电路的微安表显示器,很容易实现远距离多点集中的遥测。继电器的选型取决于负载功率。为便于调节,RP1~RP4选用线性带锁紧机构的微调电位器。 2.2.3 安装与调试调试工作主要是调整指示器的零点和满度指示。先将S接通R0,调节RP1使微安表指零,于此同时,调节RP4使其阻值与RP1相同,以保持D1与D4的对称性。然后将S接通R1,调节RP2使微安表指满度。最后,按RT的标准阻-温曲线,将RP3调到与设定温度相应的阻值,即可投入使用。本测温控温电路适用于家用空调、电热取暖器、恒温箱、温床育苗、人工孵化、农牧科研等电热设备。其使用温度范围是0~50℃,测控温精度为±(0.2~0.5)℃.

NTC负温度系数热敏电阻

NTC 负温度系数热敏电阻 热敏电阻分为三类:正温度系数热敏电阻(PTC ),负温度系数热敏电阻(NTC ),临界温度电阻器(CTR )。 图1-1 NTC 负温度系数热敏电阻 负温度系数热敏电阻器如图1-39所示。其电阻值随温度的增加而减小。NTC 热敏电阻器在室温下的变化范围在10O ~1000000欧姆,温度系数-2%~-6.5%。 ⑴ 负温度系数热敏电阻温度方程 )(T f =ρ T B T e A /'=ρ T B T B T T Ae e S l A S l R //'===ρ 其中:S l A A ' = 电阻值和温度变化的关系式为: )1 1(exp N N T T T B R R -= R T --在温度T ( K )时的NT C 热敏电阻阻值。 R N --在额定温度T N ( K )时的NTC 热敏电阻阻值。以25°C 为基准温度时测得的电阻值R N =R25,R25就是NTC 热敏电阻的标称电阻值。通常所说 NTC 热敏电阻多少阻值,亦指R25值。 B---NTC 热敏电阻的材料常数,又叫热敏指数。T T T R R T T T T B 0 00ln -= 该关系式是经验公式,只在额定温度 TN 或额定电阻阻值 RN 的有限范围内才具有一定的精确度,因为材料常数B 本身也是温度 T 的函数。NTC 热敏电阻器在室温下的变化范围在10O ~1000000欧姆,温度系数-2%~-6.5%。 已知温度T 、额定温度T N 和R25即可求的热敏电阻阻值R T 。 ⑵ 负温度系数热敏电阻主要特性 电阻温度系数σ

dT dR R T T 1= σ 微分式(),可得 2 T B -=σ 热敏电阻的温度系数是负 值。 -----温度测量电桥应用 温度测量电桥的A 点所在的桥臂的电阻是固定的,故A U 是固定的。B 点所在的桥臂的电阻t R 随温度变化,故B U 是变动的。电阻t R 为负温度系数热敏电阻, t R =1.5K 指NTC 热敏电阻的标称电阻值R 25。为了方便取2R 与t R 成比例,这里取 K R R t 5.12==,同时,13 1 1212 E E R R R A U =+= ,得Ω=7501R 。 在前面已知条件下,推导13’ 3P R R R +=: 约束条件:① U U U U U B A i ??+-=??-,② 13 1 E A U =。 由测量电桥平衡0=-=B A i U U U 时,得Ω==+=750113’ 3R R R R P 。 又由1'3 1131E R t R t R E U U U B A i +-=-=,得R p R R R ?±Ω=+=75013'3。故取K R P 11=。 ⑴ 温度控制器电路 温度控制器电路如图3-7所示,由测量电桥、测量放大器、滞回比较器 及驱动电路等组成。由于温度的不同,因而在测量电桥的A 、B 点时会产生不同的电压差,这个差值经过测量放大器放大后进入到滞回比较器的反相输入端,与比较电压U R 比较后,由滞回比较器输出信号进行加热或停止加热。

热敏电阻测量温度

实验题目:热敏电阻测量温度 实验目的:了解热敏电阻的电阻-温度特性和测温原理,掌握惠斯通电桥的原理和使用方法,学习坐标、 曲线改直的技巧和用异号法消除零点误差等方法。 实验原理:1、半导体热敏电阻的电阻-温度特性 对于某些金属氧化物: T B T e R R ∞=,B 为材料常数; 对于金属电阻)](1[1212t t a R R t t -+=,定义其中的dt dR R a t t 1=为温度系数; 两种情况分别图示如下: 两者比较,热敏电阻的电阻和温度是呈非线性的,而金属氧化物的是线性;热敏电阻的温 度系数为负,金属的温度系数为正;热敏电阻对温度变化反应更灵敏。这些差异的产生是因为当温度升高时,原子运动加剧,对金属中自由电子的运动有阻碍作用,故金属的电阻随温度的升高而呈线性缓慢增加;而在半导体中是靠空穴导电,当温度升高时,电子运动更频繁,产生更多的空穴,从而促进导电。 2、惠斯通电桥的工作原理 原理图如右图所示: 若G 中检流为0,则B 和D 等势,故此时02 1 R R R R x = ,在检流计的灵敏度范围内得到R x 的值。 实验内容:

1、按图3.5.2-3接线,先将调压器输出调为零,测室温下的热敏电阻阻值,注意选择惠斯通电桥合适的量程。先调电桥至平衡得R 0,改变R 0为R 0+ΔR 0,使检流计偏转一格,求出电桥灵敏度;再将R 0改变为R 0-ΔR 0,使检流计反方向偏转一格,求电桥灵敏度。求两次的平均值 2、 调节变压器输出进行加温,从25℃开始每隔5℃测量一次R t ,直到85℃。换水,再用9V 电压和3V 电 压外接电表进行测量,然后绘制出热敏电阻的R t -t 特性曲线。在t=50℃的点作切线,由式(3)求出该点切线的斜率 dt dR 及电阻温度系数α。 3、作T R t 1}ln{-曲线,确定式(1)中的常数R ∞和B ,再由式(3)求α(50℃时)。 2 1T B dt dR R t t -==α 1. 比较式(3)和(5)两个结果,试解释那种方法求出的材料常数B 和电阻温度系数α更准确。 实验数据: 实验中,由于时间关系,只测量了内接检流计的情况: E=3V 内接电表 E=9V 内接电表 ΔR=1Ω,1=?n ΔR=1Ω,2=?n T/℃ R T /Ω T/℃ R T /Ω 25 1687 25 1267 30 1390 30 1031 35 1162 35 862 40 973 40 723 45 824 45 620 50 699 50 526 55 601 55 459 60 520 60 397 65 446 65 348 70 386 70 306 75 324 75 268 80 293 80 238 85 255 85 212 对实验数据的分析如下:

误差分析 热敏电阻

用非平衡电桥研究热敏电阻 摘要:文本结合用非平衡电桥研究热敏电阻实例来探讨用origin 软件做数据处理的方法,并分析其优势。 关键词:非平衡电桥,直线拟合 1 热敏电阻 热敏电阻是一种电阻值随其电阻体温度变化呈现显著变化的热敏感电阻。本实验所选择为负温度系数热敏电阻,它的电阻值随温度的升高而减少。其电阻温度特性的通用公式为: T B T Ae R = (1) 式中T 为热敏电阻所处环境的绝对温度值(单位,开尔文),今为热敏电阻在温度T 时的电阻值,A 为常数,B 为与材料有关的常数。将式(l)两边取对数,可得: T B A R T +=ln ln (2) 由实验采集得到T R T -数据,描绘出T R T 1 - ln 的曲线图,由图像得出直线的斜率B ,截距A ln ,则可以将热敏电阻的参数表达式写出来。 2 平衡电桥 电桥是一种用比较法进行测量的仪器,由于它具有很高的测t 灵敏度和准确度,在电 测技术中有较为广泛的应用,不仅能测量多种电学量,如电阻、电感、电容、互感、频率及电介质、磁介质的特性;而且配适当的传感器,还能用来测量某些非电学量,如温度、湿度、压强、微小形变等。在“测量热敏电阻温度特性”实验中用平衡电桥来测量热敏电阻的阻值,其原理如下: 在不同温度下调节电阻3R 的大小,使检流计G 的示数为0,有平衡电桥的性质可知 1 2 3 R R R R x =.在实验时,调节1R 和2R 均为1000欧姆。则x R 的值即为3R 的值。 3 非平衡电桥原理 图1

非平衡电桥的原理图如图1所示。非平衡电桥在结构形式上与平衡电桥相似,但测量方法上有很大差别。非平衡电桥是使1R 2R 3R 保持不变,x R 变化时则检流计G 的示数g I 变化。再根据“g I 与x R 函数关系,通过测量g I 从而测得x R 。由于可以检测连续变化的g I ,从而可以检测连续变化的x R ,进而检测连续变化的非电量。 4 实验条件的确定 当电桥不平衡时,电流计有电流g I 流过,我们用支路电流法求出g I 与热敏电阻x R 的关系。桥路中电流计内阻g R ,桥臂电阻1R 2R 3R 和电源电动势E 为已知量,电源内阻可忽略不计。 根据基尔霍夫第一定律和基尔霍夫第二定律,通过一些列的计算可求得热敏电阻x R E R R R R R R R R R R R I R R R R R R R R R I E R R R g g g g g g x 113213132213232132)()(+++++++-= 5 用非平衡电桥测电阻的实例 已知:微安表量程Ig=100μA ,精度等级f=1.0级,温度计的量程为100 t 100 95 90 85 80 75 70 65 60 55 50 45 40 35 Ig 100.0 95.1 89.0 83.0 77.0 70.0 62.0 54.0 46.1 39.2 32.1 25.8 18.9 11.8 T 373 368 363 358 353 348 343 338 333 328 323 318 313 308 Rt 951 1032 1140 1255 1380 1541 1749 1985 2255 2527 2850 3660 3991 4398 1/T 2.68 2.72 2.76 2.79 2.83 2.87 2.92 2.96 3.00 3.05 3.10 3.15 3.20 3.25 lnR 6.86 6.94 7.04 7.14 7.23 7.34 7.47 7.59 7.72 7.84 7.96 8.21 8.29 8.39

热敏电阻测量温度(已批阅)

少年班 系 06 级 学号 PB06000680 姓名 张力 日期 2007-4-28 实验题目:热敏电阻测量温度 实验目的:了解热敏电阻的电阻-温度特性和测温原理,掌握惠斯通电桥的原理和使用方法,学习坐标、曲 线改直的技巧和用异号法消除零点误差等方法。 实验原理:1、半导体热敏电阻的电阻-温度特性 对于某些金属氧化物:T B T e R R ∞=,B 为材料常数; 对于金属电阻)](1[1212t t a R R t t -+=,定义其中的dt dR R a t t 1=为温度系数; 两种情况分别图示如下: 两者比较,热敏电阻的电阻和温度是呈非线性的,而金属氧化物的是线性;热敏电阻的温 度系数为负,金属的温度系数为正;热敏电阻对温度变化反应更灵敏。这些差异的产生是因为当温度升高时,原子运动加剧,对金属中自由电子的运动有阻碍作用,故金属的电阻随温度的升高而呈线性缓慢增加;而在半导体中是靠空穴导电,当温度升高时,电子运动更频繁,产生更多的空穴,从而促进导电。 2、惠斯通电桥的工作原理 原理图如右图所示: 若G 中检流为0,则B 和D 等势,故此时02 1R R R R x = ,在 检流计的灵敏度范围内得到R x 的值。

少年班 系 06 级 学号 PB06000680 姓名 张力 日期 2007-4-28 实验内容: 1、按图3.5.2-3接线,先将调压器输出调为零,测室温下的热敏电阻阻值,注意选择惠斯通电桥合适的量 程。先调电桥至平衡得R 0,改变R 0为R 0+ΔR 0,使检流计偏转一格,求出电桥灵敏度;再将R 0改变为R 0-ΔR 0,使检流计反方向偏转一格,求电桥灵敏度。求两次的平均值 2、 调节变压器输出进行加温,从25℃开始每隔5℃测量一次R t ,直到85℃。换水,再用9V 电压和3V 电 压外接电表进行测量,然后绘制出热敏电阻的R t -t 特性曲线。在t=50℃的点作切线,由式(3)求出该点切线的斜率dt dR 及电阻温度系数α。 3、作T R t 1}ln{-曲线,确定式(1)中的常数R ∞和B ,再由式(3)求α(50℃时)。 2 1T B dt dR R t t - == α 1. 比较式(3)和(5)两个结果,试解释那种方法求出的材料常数B 和电阻温度系数α更准确。 实验数据: 实验中,由于时间关系,只测量了内接检流计的情况:

测量热敏电阻的温度系数 (2)

? 用热敏电阻测量温度 5 - 实验目的 ● 了解热敏电阻的电阻-温度特性和测温原理; ● 掌握惠斯通电桥的原理和使用方法; ● 学习坐标变换、曲线改直的技巧和用异号法消除零点误差等方法。 实验原理 热敏电阻是利用半导体陶瓷质工作体对温度非常敏感的特性制作的元件,与一般常用的金属电阻相比,它有大得多的电阻温度系数值。本实验所用的热敏元件是普通负电阻-温度系数热敏电阻。 1. 半导体热敏电阻的温度特性 某些金属氧化物半导体的电阻与温度关系满足 T B T e R R ∞= (1) (R T 是温度T 时的阻值,∞R 是T 趋于无穷时的阻值,B 是其材料常数,T 为热力学温度)。 而金属的电阻与温度的关系满足 )](1[1212t t a R R t t -+= (2) (a 是与材料有关的系数,R t1、R t2是温度分别为t 1、t 2时的电阻值)。 定义电阻的温度系数是 dt dR R t t 1= α (3) (Rt 是在温度为t 时的电阻值)。 比较金属的电阻-温度特性,热敏电阻的电阻-温度特性有三个特点: ① 热敏电阻的电阻-温度曲线是呈指数下降的,而金属的电阻-温度曲线是线性的。 ② 热敏电阻的阻值随温度的升高而减小,因此温度系数是负的(2 T B ∝ α)。金属的温度系数是正的(dt dR ∝ α)。 ③ 热敏电阻的温度系数约为1410)60~30(--?-K ,铜的温度系数为14104--?K 。 相比之下,热敏电阻的温度系数大几十倍,所以,半导体电阻对温度变化的反应比金属电阻灵敏得多。

室温下,半导体的电阻率介于良导体(约cm ?Ω-610)和绝缘体(约cm ?Ω221410~10)之间,通常是cm ?Ω-9210~10。其特有的半导电性,一般归因于热运动、杂质或点阵缺陷。温度越高,原子的热运动越剧烈,产生的自由电子就越多,导电能力越好,(虽然原子振动的加剧会阻碍电子的运动,但在300℃以下时,这种作用对导电性能的影响可忽略)电阻率就越低。所以温度上升会使半导体的电阻值迅速下降。 2. 惠斯通电桥的工作原理 如工作原理图所示,电阻R 0、R 1、R 2、R x 组成电桥的四臂,其中R x 就是待测电阻。在A-C 之 间接电源E ,在B-D 之间接检流计○ G 。当B 和D 两点电位相等时,○G 中无电流,电桥便达到了平衡,此时,021R R R R x = (R 1/R 2和R 0都已知)。2 1R R 称电桥的比例臂,用一个旋钮调节,分0.001、0.01、0.1、1、10、100、1000七挡。R 0为标准可变电阻,是有四个旋钮的电阻箱,最小改变量为1Ω,阻值有四位有效数字。 因02 1 R R R R x = 是在电桥平衡的条件下推导出来的,电桥是否平衡由检流计有无偏转来判断,而检流计的灵敏度是有限的。假设电桥在R 1/R 2=1时调到平衡,则有R x =R 0 ,这时若把R 0改变一个微小量ΔR 0,电桥便失去平衡,从而有电流I G 流过检流计,如果I G 小到检流计察觉不出来,那么人们仍会认为电桥是平衡的,因而00R R R x ?+=,测量误差ΔR 0就是因流计灵敏度引起的,定义电桥灵敏度为 x x R R n S /??= (4) 式中ΔR x 指电桥平衡后R x 的微小改变量(实际上待测电阻R x 若不能改变,可通过改变标准电阻R 0来测电桥灵敏度),Δn 越大,说明电桥灵敏度越高,带来的测量误差就越小。另外,电阻R 1、R 2

NTC热敏电阻的基本特性

NTC热敏电阻的基本特性 NTC热敏电阻是指具有负温度系数的热敏电阻。是使用单一高纯度材料、具有接近理论密度结构的高性能陶瓷。因此,在实现小型化的同时,还具有电阻值、温度特性波动小、对各种温度变化响应快的特点,可进行高灵敏度、高精度的检测。本公司提供各种形状、特性的小型、高可靠性产品,可满足广大客户的应用需求。 电阻-温度特性 热敏电阻的电阻-温度特性可近似地用式1表示。 (式1) R=R0 exp {B(1/T-1/T0)} R: 温度T(K)时的电阻值 Ro:温度T0(K)时的电阻值 B: B 值 *T(K)= t(oC)+273.15 exp:指数函数,e(无理数)=2.71828;exp {B(1/T-1/T0)} 指e 的{B(1/T-1/T0)} 次方。 但实际上,热敏电阻的B值并非是恒定的,其变化大小因材料构成而异,最大甚至可达5K/°C。因此在较大的温度范围内应用式1时,将与实测值之间存在一定误差。 此处,若将式1中的B值用式2所示的作为温度的函数计算时,则可降低与实测值之间的误差,可认为近似相等。 (式2) B T=CT2+DT+E 上式中,C、D、E为常数。 另外,因生产条件不同造成的B值的波动会引起常数E发生变化,但常数C、D 不变。因此,在探讨B值的波动量时,只需考虑常数E即可。 ?常数C、D、E的计算 常数C、D、E可由4点的(温度、电阻值)数据 (T0, R0). (T1, R1). (T2, R2) and (T3, R3),通过式3~6计算。 首先由式样3根据T0和T1,T2,T3的电阻值求出B1,B2,B3,然后代入以下各式样。

?电阻值计算例 试根据电阻-温度特性表,求25°C时的电阻值为5(kΩ),B值偏差为50(K)的热敏电阻在10°C~30°C 的电阻值。 ?步骤 (1) 根据电阻-温度特性表,求常数C、D、E。 T o=25+273.15 T1=10+273.15 T2=20+273.15 T3=30+273.15 (2) 代入B T=CT2+DT+E+50,求B T。 (3) 将数值代入R=5exp {(B T1/T-1/298.15)},求R。 *T : 10+273.15~30+273.15 ?电阻-温度特性图如图1所示

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