大功率LED制程技术

高功率LED制程技术高功率LED制程技术

LED的发展

LED的发展

GaN的发光效率

高功率与常规比对

鼎元40mil高功率晶片

光的折射定律

晶片出光

不透明结构透明结构

Lumileds LED结构

Lumileds AlGaInP LED 晶片发展

增加出光效率

出光原理

只有上方与

侧面出光上下方与

侧面出光

四周出光

晶片发光时的照片

LUXEON Rebel

LUXEON Rebel与其它产品比对

CREE 金字塔形倒立晶片

CREE TIP InGaN CHIP

CREE 金字塔形倒立晶片出光结构图

Chip

Osram’s InGaN

AlGaInP Chip

Osram’s

InGaN Chip

Osram’s

两种最好的高功率晶片结构

LED芯片的制造工艺流程简介

LED芯片的制造工艺流程简介 LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test andFi nal Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序 芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需

LED芯片工艺流程

LED芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test andFinal Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序 芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品 LED芯片的制造工艺流程：

LED芯片的制造工艺流程(精)

LED 芯片的制造工艺流程 来源：深圳市鑫荣电子科技有限公司作者：浏览：3305人次发布：2007-11-13 注：其他网站转载须注明出处，转载而不注明出处者，一经查实，将追究其法律责任外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC 、Si ）上，气态物质InGaAlP 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC 、Si ）上，气态物质InGaAlP 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD 介绍： 金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD ）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN （氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 LED 芯片的制造工艺流程： 外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N 极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED 外延片做电极（P 极，N 极），接着就开始用激光机切割LED 外延片（以前

LED芯片制程资料全

LED芯片制程 LED的发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子 （多子）复合而发光，如图1所示。 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm） 式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。

2．芯片： ⑴芯片的结构：芯片的结构为五个部分，分别为正电极、负电极、P 层、N 层和PN 结，如下图： 单電極 P 电极 P 层 P/N 结合层 N 层 N 电极 双电极 ⑵芯片的生产工艺： （１）长晶（CRYSTAL GROWTH ）： 长晶是从硅沙中(二氧化硅)提炼成单晶硅，制造过 程是将硅石(Silica)或硅酸盐 (Silicate) 如同冶金一样，放入炉中熔解提炼，形成冶金级硅。冶金级硅中 尚含有杂质，接下来用分馏及还原的方法将其纯化，形成电子级硅。虽然电子级硅所含的電極 層 接合層 層 電極

详细解读LED芯片的制造工艺流程

详细解读LED芯片的制造工艺流程 LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer FabricaTIon）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（IniTIal Test andFinal Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序 芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，

半导体芯片、晶圆、LED芯片、外延、TFT-LDE制程冷却水(PCW)系统施工规范

半导体芯片、晶圆、LED芯片、外延、TFT-LDE制程冷却水（PCW） 系统施工规范 目录 1.一般说明 2.产品.材料说明 3.施工说明 笑嘻嘻半导体有限公司（二号厂房） 3 1. 一般说明 1.1. 说明 3 台泵浦扬程103 m 75kw 流量5000 LPM , sus 30 4 本体,主管φ225A sus 304 40s 保 温。缓冲水槽sus 304, 衔接RO 或DI 水。过滤器sus304 ,5 μm(标准滤材) , pou 7 kg/c ㎡。 制程冷却水系统,供应机台16℃供应21℃回水稳定冷却水系统, 冷却机台温度。 本规范适用于制程冷却水系统之设计、制造、运输、安装及测试等一般要求。1.2.工程范围 制程冷却水系统:泵浦组,桶槽, 板式热交换器(配合冰水系统),管路,PLC 控制系

统, 1.2.1.本案工程范围包含运送安装、及测试调整以下之制程冷却水系统： 1.2.1.1 制程冷却水泵浦。 1.2.1.2.板式热交换器。 1.2.1.3.制程冷却水泵浦防振基座之安装与调整，防振基座需包含避振弹簧基座及。 1.2.1.4.缓冲水槽及附属管路。 1.2.1.5.制程冷却水过滤器。 1.2.1.6.所有控制组件及控制管线。 1.2.1.7.所有水泵之动力配线。 1.2.1.8. 防止结露之必要保温。 1.3.标准及法规 1.3.1.各设备应符合下列任一项标准： 1.3.1.1.ASTM 1.3.1. 2.lSO 1.3.1.3.ANSL 1.3.1.4.NEMA 1.4.送审资料 1.4.1.送审设备型录、尺寸图、材质和电气规格表。 1.4. 2.送审系统负荷运转分析(SYSTEM PROFILE ANALYSlS)如下： 1.4. 2.1.多台泵浦并联运转性能曲线图(PARALLEL PUMPlNG CURVES) 1.4. 2.2.系统运转特性图(SYSTEM CURVE)