中职电子技术教案课件教材资料

项目一半导体的基础知识

一、半导体：

1、半导体的导电性介于导体与绝缘体之间。

2、导体：

3、绝缘体

二、本征半导体

1、本征半导体：纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有：硅和锗。它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠的作用而紧密联系在一起。

2、空穴：共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由

电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。

3、空穴电流: 在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴，它们是成对出现的。

三：杂质半导体

1、杂质半导体:在本征半导体中两种载流子的浓度很低，因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。

1）.N型半导体

在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5个价电子，它与周围原子形成共价键后，还多余一个自由电子，因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。

在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

2）.P型半导体

在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓

度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中，自由电子是少数载流子，空穴使多数载流子。

四、PN结

一、PN结基础知识

1、 PN结：我们通过现代工艺，把一块本征半导体的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，于是这两种半导体的交界处就形成了P—N结，它是构成其它半导体的基础，我们要掌握好它的特性！2：异形半导体接触现象

1）扩散运动：在形成的P—N结中，由于两侧的电子和空穴的浓度相差很大，因此它们会产生扩散运动（高浓度向低浓度扩散）：电子从N区向P区扩散；空穴从P去向N区扩散。因为它们都是带电粒子，它们向另一侧扩散的同时在N区留下了带正电的空穴，在P区留下了带负电的杂质离子，这样就形成了空间电荷区，也就是形成了电场(自建场).

它们的形成过程如图（1），（2）所示

2）漂移运动：在电场的作用下，载流子将作漂移运动，它的运动方向与扩散运动的方向相反，阻止扩散运动。电场的强弱与扩散的程度有关，扩散的越多，电场越强，同时对扩散运动的阻力也越大，当扩散运动与漂移运动相等时，通过界面的载流子为0。此时，PN结的交界区就形成一个缺少载流子的高阻区，我们又把它称为阻挡层或耗尽层。

二：PN结的单向导电性

我们在PN结两端加不同方向的电压，可以破坏它原来的平衡，从而使它呈现出单向导电性。结外加正向电压

PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极，N区接电源的负极。这时外加电压形成电场的方向与自建场的方向相反，从而使阻挡层变窄，扩散作用大于漂移作用，多数载流子向对方区域扩散形成正向电流，方向是从P区指向N区。如图（1）所示

结外加反向电压

它的接法与正向相反，即P区接电源的负极，N区接电源的正极。此时的外加电压形成电场的方向与自建场的方向相同，从而使阻挡层变宽，漂移作用大于扩散作用，少数载流子在电场的作用下，形成漂移电流，它的方向与正向电压的方向相反，所以又称为反向电流。因反向电流是少数载流子形成，故反向电流很小，即使反向电压再增加，少数载流子也不会增加，反

向电压也不会增加，因此它又被称为反向饱和电流。即：I

D =-I

S

此时，PN结处于截止状态，呈现的电阻为反向电阻，而且阻值很高。

结论：PN结在正向电压作用下，处于导通状态，在反向电压的作用下，处于截止状态，因此PN

结具有单向导电性。

检测题

1半导体中有两种载流子

2空穴是（）

A纯半导体晶格中的缺陷 B价电子脱离共价键后留下的空位

3在P型半导体中，多数载流子是在N型半导体中，多数载流子是4温度升高后，在纯半导体中

（！）自由电子和空穴数目都增多，且数量相同（）

（2）空穴增多，自由电子数不变（）

（3）自由电子增多，空穴数目不变（）

（4）自由电子和空穴数目都不变（）

5 P型半导体是在纯半导体硅或锗中加入以下物质后形成的杂质半导体。

（！）空穴（）（2）三价元素硼（）（3）五价元素磷（）

项目二半导体二极管

一、二极管基础知识

1、构成：

半导体二极管是由PN结加上引线和管壳构成的。

文字符号：D。

2、分类：

按制造材料分：硅二极管和锗二极管。

按管子的结构来分有：点接触型二极管和面接触型二极管和平面型

（1）点接触型二极管—PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。

（2）面接触型二极管—PN结面积大，用于工频大电流整流电路。

（3）平面型二极管—往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。

二极管按用途分，常用有整流二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管等；

二、二极管的伏安特性

(1)正向特性

①正向电压UF小于门坎电压UT时，二极管截止，正向电流IF =0；

其中，门槛电压

② UF > UT 时，V 导通，IF 急剧增大。导通后V 两端电压基本恒定：

结论：正偏时电阻小，具有非线性

(2)反向特性

反向电压UR < URM (反向击穿电压)时，反向电流IR 很小，且近似为常数，称为反向饱和电流。

UR > URM 时，IR 剧增，此现象称为反向电击穿。对应的电压URM 称为反向击穿电压。

??

?=(Ge)

V 0.2(Si) V 5.0T U ??

?=(Ge)

0.3V (Si)

V 7.0on U 导通电压

结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。

（3）温度特性

二极管是温度的敏感器件，温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高，其正向特性曲线左移，即正向压降减小；反向特性曲线下移，即反向电流增大。一般在室温附近，温度每升高1°C，其正向压降减小2～；温度每升高10°C：，反向电流大约增大1倍左右。综上所述，二极管的伏安特性具有以下特点：

①二极管具有单向导电性

②二极管的伏安特性具有非线性；

③二极管的伏安特性与温度有关。

三、二极管的型号

常用二极管的型号有2Ap,2CP,2CZ,2CW,2DW等，型号中2表示二极管，第一个字母表示材料（A 表示N型锗材料，C表示N型硅材料，D表示P型硅材料），第二字母表示类型（P表示普通管，Z表示整流管，W表示稳压管）

四.二极管的主要参数

1、最大整流电流I FM它是二极管允许通过的最大正向平均电流。

2、最大反向工作电压U RM它是二极管允许的最大工作电压，我们一般取击穿电压的一半作U R

3、反向电流I R二极管未击穿时的电流，它越小，二极管的单向导电性越好。

4、最高工作频率f M它的值取决于PN结结电容的大小，电容越大，频率约高。

五、极管管脚极性及质量的判断

1. 判别正负极性

万用表测试条件：R×100Ω或R×1kΩ；

将红、黑表笔分别接二极管两端。所测电阻小时，黑表笔接触处为正极，红表笔接触处为负极

2.判别好坏

万用表测试条件：R×1kΩ

(1)若正反向电阻均为零，二极管短路

(2)若正反向电阻非常大，二极管开路

(3)若正向电阻约几千欧姆，反向电阻非常大，二极管正常

六、半导体二极管电路的分析方法

1、理想模型：当二极管正向电压和正向电阻与外接电路的等效电阻相比均可忽略时，这样的二极管可称为理想二极管。

理想二极管在电路中相当于一个理想开关

外加电压少大于零，就导通，管压降为0V——开关闭合

当反偏时，二极管截止，其电阻为无穷大——开关断开。

2、恒压降模型：当二极管的正向压降与外加电压相比不能忽略，而正向电阻与外接电阻相比可忽略时，可用由理想二极管和电压源UF串联构成的模型来近似替代。

正向压降不再认为是0，而是接近实际工作电压的某一定值UF，且不随电流变化。

3、小信号模型：

当二极管电路中，除直流电源外，再引入很小的交流信号，则二极管两端的电压及通过它的电流将在某一固定值附近作微小变化时，可用二极管的动态电阻rd来近似代替二极管

例:已知电路如图,US1=6V,

us2=,RS=1K,二极管为硅管试求流过二极管的电流iD 。

mA

K V R U U I S S S D 3.51)7.06(21=Ω-=-=

tmA K tV

i R u i D S s d 3140sin 2.0)109.41(3140sin 2.03

2≈Ω?+=+=-

mA t i I i d D D )3140sin 2.03.5(+=+=

七、二极管的应用

我们运用二极管主要是利用它的单向导电性。它导通时，我们可用短线来代替它，它截止时，我们可认为它断路。

1、单向桥式整流电路

变压器中心抽头式单相全波整流电路如图。D1～D4为性能相同的整流二极管,Tr1为电源变压器。

RS

rd

电路计算ID 的电路计算id 的电路

+

-

us2

Ω==≈

9.43.52626mA

mV

I mV r D d

工作原理:

u1正半周时，Tr1次级A 点电位高于B 点电位，二极管D1、D3导通，电流自上而下流过RL ， u1负半周时，Tr1次级A 点电位低于B 点电位，二极管D2、D4导通，电流自上而下流过RL 。

所以，在u1一周期内，流过二极管的电流iu1、iu2叠加形成全波脉动 直流电流iL ，于是RL 两端产生全波脉动直流电压UL 。故电路称为全波整流电路。

负载和整流二极管上的电压和电流:

(1) 负载电压

(2) 负载电流

(3) 二极管的平均电流

(4) 二极管承受反向峰值电压

例：有一单向桥示整流电路，要求输出40V 的直流电压和2A 的直流电流，交流电源电压为220V 。试选择整流二极管。

解：变压器副边电压有效值为

2

09.0U U =L

2

L 009.0R U R U I ==

2

RM 2U U =02

1

I I D =

V V U U U 4.444011.111.19

.000

2=?===

二极管承受的最高反向电压为

二极管平均电流为

查阅半导体器件手册，可选用2CZ56C 型整流二极管。该管的最高反向工作电压为100V ，最大整流电流为3A 。

2、滤波电路

V

V U U DRM 8.624.44222=?==A A I I D 122

1

210=?==

工作原理：ωt=0接通电源

u2↑ u2↓

D1D3导通 四个二极管截止 D2D4导通 电容C 充电 电容C 向RL 放电 电容C 充电

参数计算：

输出直流电压

输出直流电流

整流二极管平均电流

2

0)2.1~1.1(U U =L

L R U R U I 2

00)2.1~1.1(==

L

L D R U R U I I 2)2.1~1.1(222

00===

2

)

5~3(T C R L ≥=τ

变压器幅边绕组的电流有效值 输出特性

例2.电感滤波电路

电感电流不能突变 输出电流波形平滑 输出电压波形平滑

3、二极管其他应用举例

限幅电路 当输入信号电压在一定范围内变化时，输出电压也随着输入电压相应的变化；当输入电压高于某一个数值时，输出电压保持不变，这就是限幅电路。我们把开始不变的电压称为限幅电平。它分为上限幅和下限幅。

八、特殊二极管

U 0 2U 2

u i + -

u’0

+

-

2)2~5.1(I I

稳压二极管

△I Z

△U Z

1、稳压二极管的主要参数

稳定电压Uz：通过在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压

稳定电流Ｉz：稳压管工作电压等于稳定电压时通过管子的电流。

动态电阻rZ ：rZ =ΔUZ /ΔIZ

最大工作电流ＩzM ，最大耗散功率ＰzM

2、使用稳压管注意事项：

1）、必须工作在反向偏置 2）、串联后的稳压值为各管稳压值之和 3）、必须串接限流电阻 4）、不能并联使用

光电二极管

项目三 半导体三极管

一：三极管的结构及类型

(1) E=0时限幅电平为

0v 。u i >0时二极管导通，u o =0，u i <0时，二极管截止，u o =u i ，它的波形图为：如图（3）所示

(2) 当0+E 时,二极管导通,u o =E,它的波

形图为:如图(4)所示

(3)当-U M

二极管组成的门电路，可实现逻辑运算。如图(6)所示的电路，只要有一条电路输入为低电平时，输出即为低电平，仅当全部输入为高电平时，输出才为高电平。实现逻辑"与"运算.

通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。按PN结的组合方式有PNP型和NPN型，它们的结构示意图和符号图分别为：如图（1）、（2）所示

不管是什麽样的三极管，它们均包含三个区：发射区，基区，集电区，同时相应的引出三个电极：发射极，基极，集电极。同时又在两两交界区形成PN结，分别是发射结和基点结。二：三极管的放大作用（重点）

在学习之前，我们先来学习一下它的三种不同接法。

（1

）共基极，如图（1）所示

（2）共发射极如图（2）所示

（3）共集电极如图（3）所示

我们知道，把两个二极管背靠背的连在一起，是没有放大作用的，要想使它具有放大作用，必须做到一下几点：

1.结构特点：发射区中掺杂浓度高。基区必须

很薄。基电结的面积应很大 2.工作时条件：发射结应正向偏置，集电结应反

向偏置

内部载流子的传输过程

1、发射区向基区注入载流子

2载流子在基区的扩散与复合。

3、集电区收集载流子

电流的分配关系

其中：I CEO为发射结少数载流子形成的反向饱和电流；I CBO为I B=0时，集电极和发射极之间的穿透电流。为共基极电流的放大系数，为共发射极电流的放大系数。它们可定义为：

三极管的特性曲线

三极管的各个电极上电压和电流之间的关系曲线称为三极管的伏安特性曲线或特性曲线。

常用的是输入特性曲线和输出特性曲线

三极管在电路中的连接方式（组态）不同，其特性曲线也不同。用NPN型管组成的共射特

性曲线测试电路

1.输入特性曲线Input characterist

curves

三极管的共射输入特性曲线方程式为：i B=f(u BE)∣u CE=常数。测试时，先固定u CE为某一值，调节Rp1 ，得到与之对应的i B和u BE值，可通过描点在直角坐标系中得到一条i B与u BE的关系曲线；再改变u CE为另一固定值，可得到另一条i B与u BE的关系曲线。

它与PN结的正向特性相似，三极管的两个PN结相互影响，因此，输出电压U CE对输入特性有影响，

且U CE>1,时这两个PN结的输入特性基本重合。我们用U CE=0和U CE>=1,两条曲线表示，如图（4）所示

2.输出特性

它的输出特性可分为三个区：（如图（5）的特性曲线）

(1)截止区(Cutoff region):是指iB=0曲线以下的区域。特点：发射结反偏或零偏，集电结反偏，管子失去放大作用，处于截止状态，iC很小。此时的iC称为三极管的穿透电流ICEO。

(2)饱和区（Saturation region）：是指iB＞0，uCE≤的区域。饱和区的特点：①发射结和集电结均为正偏，且为 V(硅管)或(锗管)；＝(硅管)或(锗管)。② iC不受iB控制，即失去放大作用。③当uBE=uCE时，集电结零偏，为临界饱和状态。此时U CE称为饱

和压降，用uCE(sat)表示；大小为(硅管)或(锗管)。

(3)放大区（Active region）:是指iB＞0和uCE＞的区域，即曲线的平坦部分。放大

区的特点：①发射结正偏导通，集电结反偏，且为(硅管)或(锗管)；＞1V；②iC与iB

有固定关系，即iC＝βiB，体现了三极管的放大作用。曲线间隔的大小反映出三极管电

流放大能力的大小，即β值的大小；③iC大小与uCE基本无关。

(4)击穿区(Breakdown region)

当三极管uCE增大到某一值时，iC将急剧增加，特性曲线迅速上翘，这时三极管发生击

穿。工作时应避免管子击穿。

4．PNP管特性曲线

由于电源电压极性和电流方向不同，PNP管与NPN管的特性曲线是相反、“倒置”的。

四：三级管主要参数

1.放大系数

它主要是表征管子放大能力。它有共基极的放大系数和共发射极的放大系数。它们二者的

关系是：

2.极间的反向电流（它们是有少数载流子形成的）

（1）：集电极--基极的反向饱和电流。

（2）I CEO：穿透电流，它与I CBO关系为：I CEO=（1+?）I CBO

五：参数与温度的关系

由于半导体的载流子受温度影响，因此三极管的参数受温度影响，温度上升，输入特性曲线向左移，基极的电流不变，基极与发射极之间的电压降低。输出特性曲线上移。温度升高，放大系数也增加

中职《电子技术基础》教案_246

中职《电子技术基础》教案篇一：《电子技术基础》教案 教案 2009 ~ 2010 学年第一学期 学院、系室机电教研室 课程名称《电子技术基础》 专业、年级、班级09级机电一体化 主讲教师李春菊 中国矿业大学银川学院 课程表 《电子技术基础》教案 编号：01

篇二：《电子技术基础》正式教案电 子 技 术 基 础 教 案 1-1 半导体的基础知识 目的与要求

1. 了解半导体的导电本质， 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1.半导体的导电本质 2. PN结的形成 教学方法

讲授法,列举法,启发法 教具 二极管,三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体

第一章常用半导体器件 1-1 半导体的基础知识 自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。半导体的特点： ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 导体和绝缘体的导电原理：了解简介。 一、半导体的导电特性半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。 1．热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

中等职业技术学校：电子技术基础试题库3Word版

中等职业技术学校电子技术应用专业参考试题3 一、选择题 1. 硅二极管的导通电压为（）。 A.0.2V B.0.3V C.0.5V D.0.7V 2.二极管的内部是由（）所构成的。 A.两块P型半导体 B.两块N型半导体 C.一个PN结 D.两个PN结 3.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管（）的关系曲线。 A.V D—I D B.V D—R D C.I D—R D D.f—I D 4.二极管的正极电位是－10V，负极电位是－5V，则该二极管处于（）。 A.导通 B.截止 C.击穿 D.热击穿 5.下列二极管可用于稳压的是（）。 A.2AU6 B. 2BW9 C.2CZ8 D.2DP5 6.若把二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电源实行正向连接,则该管( ) A.击穿 B.电流为零 C.电流过大而损坏 D.正向电压偏低而截止 1．用万用表测得PNP三极管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A. 放大 B.截止 C.饱和 D.损坏 2．在三极管的输出特性曲线中，当I B减小时，它对应的输出特性曲

线

（） A.向下平移 B.向上平移面 C. 向左平移 D. 向右平移 3.工作在放大区的某三极管，如果当I B从10μA增大到30μA时，I C 从2mA变为3mA，那么它的β约为( ) A.50 B. 20 C. 100 D.10 4.工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（） A.V C > V B > V E B.V C < V B < V E C.V B > V C > V E D.V C > V E > V B 5.三极管的主要特性是具有（）作用。 A.电压放大 B.单向导电 C.电流放大 D.电流与电压放大 6.一个正常放大的三极管，测得它的三个电极c、b、e的电位分别为6V、3.7V、3.0V，则该管是（）管。 A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 7.三极管各极对地电位如图1-3-1所示，则处于放大状态的硅三极管是( ) 8.当三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电

模拟电子技术基础-教案

*******学院课程教案*** ～ ***学年第一学期 教学系（部） 教研室计科教研室 课程名称模拟电子技术基础 年级、专业、班级 主讲教师 职称 / 职务 使用教材

模拟电子技术基础课程说明 一、课程基本情况 课程类别：学科基础课 总学时：32学时 实验、上机学时：8学时 二、课程性质 本课程是计算机科学与技术专业的学科基础课，主要介绍常用半导体器件、基本放大电路、集成运算放大器及其应用、直流稳压电源等内容的工作原理。 三、课程的教学目的和基本要求 通过本课程的学习，使学生掌握模拟电路的基本原理及分析方法，学会常用电子仪器的使用，能应用这些基本概念和基本分析方法来分析工程实际中的模拟电路，为后续数字逻辑、计算机组成原理做铺垫，并具有一定的解决工程实际问题的能力。 四、本课程与其它课程的联系 先修课程：高等数学、电路基础（1）

模拟电子技术基础课程教案（1） 授课题目（教学章、节或主题）：第一章半导体器件课时安排2学时授课时间第1周 教学目的和要求（分掌握、熟悉、了解三个层次）： 1．掌握：模拟信号与数字信号的概念和二者的区别； 2．熟悉：本征半导体；杂质半导体；PN结；常用半导体器件； 3．了解：半导体基础知识以及初步认识常用半导体器件。 教学内容（包括基本内容、重点、难点）： 1．基本内容：模拟信号与数字信号的概念；本征半导体；杂质半导体；PN结；初步认识常用半导体器件； 2．重点：模拟电子电路与数字电路的概念； 3．难点：对本征半导体、杂质半导体、PN结的理解。 讲课进程和时间分配： （1）课程介绍、导入模拟量与数字量的概念、半导体的概念；（20分钟） （2）本征半导体及其导电性能、杂质半导体及其导电性能；（30分钟） （3）PN结的形成及特性；（35分钟） （4）本章小结。（5分钟） 讨论、思考题、作业： 见课后习题 参考资料（含参考书、文献等）： 李承，徐安静.模拟电子技术[M].北京：清华大学出版社.2014年12月 授课类型（请打√）：理论课 讨论课□ 实验课□ 练习课□ 其他□ 教学方式（请打√）：传统讲授 双语□ 讨论□ 示教□ 指导□ 其他□ 教学资源（请打√）：多媒体 模型□ 实物□ 挂图□ 音像□ 其他□ 填表说明：每项页面大小可自行添减。

中等职业学校《电子技术基础》教案

第1、2课时

课题半导体三极管课型 教学 目的 1、了解三极管的结构与特性； 2、掌握三极管的类型和电流放大原理； 3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点 难点 三极管的电流放大原理 三极管的输入输出特性 E2. 1. 1 三极昔结构示意国和表示符W 二、三极管在电路中的联接方式 三、三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。 1 )发射区向基区发射电子的过程 2 )电子在基区的扩散和复合过程 I C I B 3)电子被集电区收集的过程 二、特性曲线和主要参数 1、输入特性：i B=f(U BE) U C E常数 2、输出特性：i c=f(U CE) i B常数 三极管的基本结构和类型

了解三极管的结构与特性；掌握三极管的类型和电流放大原理; 理解三极管的特性曲线和主要参数。课后 小结

第5、6 课时 课题 教学 目的 重点 难点 课型 共发射极放大电路 1、了解电路的结构组成 2、用图解法分析静态工作点和动态波形 1、电流放大原理 2、特性曲线 教学过程 三、三极管的基本结构和类型 1 、2、在电路中的联接方式四、极 管的电流放大作用及原理 五、特性曲线和主要参数 输入特性 I E=I C+I B 1 、 I C I 2 、 输出特性 l E=f(U BE)|U CE：常数 |c=f(U CE 常数 3 、 主要参数 直 A /V 课后 小结 了解共发射极放大电路的结构组成，及原理。熟练进行图解法分析放 大器的静态工作点和动态波形。

第7、8 课时 课题 1共发射极放大电路的动态分析课型 教学1了解微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数。 目的 重点微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数 难点微变等效电路的画法 教学过程、三极管的微变等效电路： U i 课后掌握共发射极放大电路的动态分析和交流动态参数的计算。 小结 、交流动态参数的计算：1、电压放大倍数A u =U-02.输入输出电 、放大器的微变等效电

中等职业学校电子技术基础教学大纲

中等职业学校 《电子技术基础与技能》 教学大纲 适用专业：电子技术应用、电子信息技术、机电技术等相关专业 国家示范性职业学校数字化资源共建共享计划 《电子技术应用》精品课程资源建设项目 组长单位：江苏省如皋中等专业学校 修订日期：2012年4月

一、课程性质与任务 本课程是中等职业学校电类专业的一门基础课程。其任务是：使学生掌握电子信息类、电气电力类等专业必备的电子技术基础知识和基本技能，具有分析和处理生产与生活中一般电子问题的基本能力，具备继续学习后续电类专业技能课程的基本学习能力，为获得相应的职业资格证书打下基础。培养学生的职业道德与职业意识，提高学生的综合素质与职业能力，增强学生适应职业变化的能力，为学生职业生涯的发展奠定基础。 二、课程教学目标 1．专业能力目标 （1）初步具有查阅电子元器件手册并合理选用元器件的能力。 （2）会使用常用电子仪器仪表。 （3）了解电子技术基本单元电路的组成、工作原理及典型应用。 （4）初步具有识读电路图、简单电路印制板和分析常见电子电路的能力。 （5）具有制作和调试常用电子电路及排除简单故障的能力。 （6）掌握电子技能实训的安全操作规范，形成安全生产、规范操作的意识。 2．方法能力目标 （1）了解电子技术的认知方法，培养学习兴趣，形成正确的学习方法，有一定的自主学习能力。 （2）具有资料查阅和信息处理能力，具有一定的交流、分析、解决问题的能力。 （3）通过参加电子实践活动，培养运用电子技术知识和工程应用方法解决与生产和生活相关电子问题的能力，形成良好的工作方法与工作作风。 3．社会能力目标 （1）树立辩证唯物主义观点，形成实事求是的科学态度和良好的职业道德，具有创新精神与团队合作精神。 （2）树立节能环保、产品质量等职业意识。 三、教学内容结构 大纲采用模块式结构，教学内容由基础模块与选学模块构成，每个模块下又分为两个部分：模拟电子技术和数字电子技术。 1．基础模块是各专业学生必修的教学内容和应该达到的基本教学要求，建议安排84学时。 2．选学模块是适应不同专业需要，以及不同地域、学校、学制差异，满足学生个性发展的选学内容。选定后也为该专业的必修内容，建议至少选择12学时教学内容。 3．课程总学时数应至少保证96学时。

中职电工电子技术基础课程标准

中职 机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业 和农业机械使用与维护专业 电工电子技术基础课程标准 一、适用对象 中职三年制机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业和农业机械使用与维护专业。 二、课程性质 中等职业教育电工电子技术基础课程是中等职业学校机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业和农业机械使用与维护专业等电类和非电类专业的一门专业基础课程，它包含了电工电子技术中最基本的内容，使学生掌握专业必备的电工和电子技术基础知识和基本技能，具备分析和解决生产生活中一般电工电子技术问题的能力，具备学习后续专业技能课程的能力；对学生进行职业意识培养和职业道德教育，提高学生的综合素质与职业能力，增强学生适应职业变化的能力，为学生职业生涯的发展奠定基础，是培养公民素质的基础课程。同时，它为学生的终身发展，形成科学的世界观、价值观奠定基础，对提高全民族素质具有重要意义。它的任务是：阐明直流电路和正弦交流电路的基本概念和基本原理；电磁现象的基本现象和规律；晶体二极管、三极管和晶闸管的等特性及其应用；低频放大电路、脉冲数字电路、直流电源电路结构和工作原理。 三、参考学时 中等职业教育电工电子技术基础课程的教学时数，建议根据专业不同，有所区别，各专业的教学时数分别为： ㈠、28学时（适用于机械加工技术专业、数控技术应用专业和计算机应用专业） ㈡、60学时（适用于农业机械使用与维护专业） 这一课程的教学统一安排在第一学年第二学期，具体学时分配建议在第七部分：内容纲要中。 四、课程的基本理念 中等职业教育电工电子技术基础课程根据社会发展、学生发展的需要，精选最基本的体现专业基础的电工电子技术知识，增加一些问题探究等内容，构建简明合理的知识结构。中等职业教育电工电子技术基础课程教学要以应用技术专业为导向，以提升学生电工电子技术知识，了解焊接设备的组成结构和工作原理与安全技术能力、以提高焊接职业素质、符合焊接职业资格标准的需要为目标，以强化应用为重点。 在本课程的实施中，要根据三年制中等职业教育学生的认知水平，提出与学生认知基础相适应的逻辑推理、数据处理等能力要求，适度加强贴近生活实际与所学专业相关的电工电子技术应用意识，避免繁杂的运算。同时，要展现知识形成和发展的过程，为学生提供感受和体验的机会，激发学生兴趣，培养学生合作交流的能力。 五、课程设计思路 中等职业教育电工电子技术基础课程以“凸现学生是教学的主体地位，理论教学为实习服务，根据企业需要，本着必需、够用原则，将内容模块化，教与学进程一体化”的总体设计要求。本课程要求学生掌握电路基础、电工技术、模拟电子技术、数字电子技术这四部分内容的基本概念和基本规律，彻底打破原有的学科体系设计思路，紧紧围绕专业工作任务完成的需要来选择和组织教学内容，突出项目任务与电工电子知识的联系，让学生在职业实践活动的基础上掌握电工电子知识，增强理论教学内容与职业岗位能力要求的相关性，提高学生的就业能力。

模拟电子技术基础 第六章课后答案教案资料

模拟电子技术基础第六章课后答案

题6.1判断图6-23所示各电路中的反馈支路是正反馈还是负反馈。如是负反馈，说明是何种反馈类型。 + - U o CC ++- U o f （a ） （b ） （c ） 图6-21 解：（1）电压并联负反馈；（2）电压串联正反馈；（3）电压串联负反馈 题6.2 用理想集成运放组成的两个反馈电路如图6-22所示，请回答： 1．电路中的反馈是正反馈还是负反馈？是交流反馈还是直流反馈？ 2．若是负反馈，其类型怎样？电压放大倍数又是多少？ -+ -+ 图6-22 解：1.反馈类型分别是电压串联交直流负反馈，电流并联负反馈； 2.放大倍数分别为4、2 L R R - 题6.3判断图6-23中各电路所引反馈的极性及反馈的组态。

∞ A o U i U - + - + L R 2 R 1 R o I ∞ A o U i U - + - + L R 3 R 2 R o I 4 R 1 R∞ A o U i U - + - + L R 4 R 2 R 5 R 1 R 3 R （a）（b）（c） 图6-23 解：（1）电流串联负反馈；（2）电流并联负反馈；（3）电压并联负反馈 题6.4判断图6-24所示电路的交流反馈类型。 图6-24 解：电压并联负反馈 题6.5判断图所示电路所有交流反馈类型（电路为多级时只考虑级间反馈）。 (a) (b) A 1 R F R ' R u I u O + _ + _ ∞

(c) (d) 图6-25 解：（a）电压串联负反馈；（b）电压串联负反馈；（c）电流并联负反馈；（d）电压并联负反馈 题6.6 电路如图6-26所示 图6-26 1．指出反馈支路与反馈类型； 2．按深度负反馈估算中频电压放大倍数 i o uf u u A= 解：1.电压串联交流负反馈； 2. 12 1 e uf e R R A R + = 题6.7图6-27中的A1，A2为理想的集成运放，问： 1）第一级与第二级在反馈接法上分别是什么极性和组态？ 2）从输出端引回到输入端的级间反馈是什么极性和组态？ 3）电压放大倍数? o1 o= U U ? i o= U U

中职计算机基础教学设计

中职《计算机基础》项目教学设计 ——用WORD制作电子报为例 课程内容：WORD排版操作 所属学科：计算机基础 课程学时：2节课 教学对象：中专一年级 学习环境：计算机机房，每人一台可以上网的电脑学生可以上网查找所需要的资料 一、中职《计算机基础》项目教学设计基本流程概述 二、项目学习教学设计的背景

培养“技能型、应用型人才”是中等职业技术教育的培养目标是。笔者所在校是国家级重点学校，教学对象是刚入学的新生，他们对职业中专的学习，尤其是计算机课程的学习有较强的新鲜感。学习之初，让学生们多完成一些类似职业岗位要的任务，对培养学生的分析问题、解决问题的能力，培养学生的创新能力大有益处同时，有助于学生走出初中的学习模式，适应中专的学习，建立高效的学习方法，快掌握计算机应用技术，为学生将来主动适应工作需要奠定基础。 基于以上认识，在《计算机应用基础》“文档编辑与管理”模块的教学中，笔设计了用Word 制作电子报的任务。制作电子报虽在教学及研究中常常被采用，不新形式，但以制作电子报为学习Word的载体有无可替代的优势：(1)综合性强，及众多知识点，有一定难度，提高学生应用Word软件的实战水平；(2)锻炼学生实践能力和创新精神；(3)学生经历了搜集信息、整理信息、利用信息、表达信息过程，能够提高学生的信息素养。 电子报的主题为“我的职业目标”。专业技能是中职学生实现职业目标的基础中职生要成功地步入社会，寻找到适合自身发展和社会需要的就业平台，首先必须一技之长。职业教育即就业教育，学生入学时虽己选择了专业，但一些学生对自学习的专业缺乏深入的了解，专业思想不牢，学习意识不强。制作电子报“我的职目标”，要求学生立足自己的专业，规划出近期的职业目标。学生通过任务的完成，不仅能掌握Word图文混排、艺术化版面设计的技术，并且能加深对所学专业的认识熟知专业技能与就业的密切关系，巩固专业思想，激发学习专业技能的动力。在项目教学中，一个合适的项目可使学生形成学习的热情和期待完成的兴奋。 三、项目学习教学设计的理念 1．以实际问题的解决为中心 项目学习的目的是让学生通过解决所面临的实际问题的过程来获得学习。因此，中职计算机应用基础课程项目学习教学设计主要是从学生现有的计算机基础知识基础和学习能力出发，结合职业学校不同专业特点，设计与之相关的问题，以实际问题的解决为中心来开展教学。2．从经验、项目和反思中获得学习在项目学习教学设计中，经验是项目的基础，学生要在原有知识和经验的基础上，寻解决问题的方法，并通过项目来验证方法正确与否，如果项目失败，则在此项目的反思过程中总结新的经验并改进解决问题的方法，然后再次通过项目进行检验，依此类推。因此项目学习是“从做中学”、“从反思中学”以及“在学习中学会学习”的有机结合，是一个循环进行的项目—反思的过程，学生主要是通过交流已有的知识经验，并通过项目、反思来获得学习的。 3．注重操作技能培养 计算机的基本操作能力的掌握，对学生利用其解决工作和生活中所面临的实际问题至关重要，对其利用计算机进行学习的能力也是有着一定的影响。所以在中职计算机应用基础课程项目学习教学设计中，教学的目标主要以提高学生的计算机操作技能为主，逐步培养学生利用计算机解决实际问题的能力。 4．充分体现学生的主体地位 项目学习的过程是学生小组合作学习的过程，教师在项目学习中只是作为学习的指导者，参与小组学习并适时给予恰当的指导，整个学习过程是在学生的相互协作中完成的。因此，项目学习教学设计将学习的主动权交给学生，并通过适当的问题或情景等调动学生积极主动地参与教学过程，帮助学生养成良好的学习习惯。 5．强调团队合作 学生在项目学习的过程中，需要与小组成员相互交流经验，加深对问题的理解，并通过相互合作、互助来共同解决问题。这个过程更注重团队的合作能力，所以项目学习教学设计要强调团队合作，要让学生在项目学习中，既能发展智力、训练思维，又可以提高他们的团队意

对口高职电子技术基础中职期末精编测试题(一)

电子技术基础期末试题（一） 一、填空题（每空2分，共54分） 1．三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。 2．整流电路的作用是将电压变换为电压。3．PN结的单向导电性表现为时导通；时截止。4．交流负反馈能改善放大器的性能，直流负反馈能稳定放大器的，负反馈能增大输入电阻、减小输出电阻。 5．正弦波振荡器起振的幅度平衡条件为，相位平衡条件为△，n为整数。 6．硅二极管的导通电压为 V，锗二极管的导通电压为 V。 7．完成变换：（365）10＝（）2＝（）16 ＝( )8421BCD 8.分析集成运放电路要用到重要的两个概念和。9．开关型稳压电路的调整管工作在状态；普通线性稳压电路的调整管工作在状态。 10. 具有“有1出0，全0出1”的逻辑功能的逻辑门是门；与非门电路的逻辑功能为“、”。11. 双向晶闸管等同于两个单向晶闸管。 二、选择题（每小题3分，共33分） 12．基本RS触发器不具备的功能是( ) A. 置0 B. 置1 C. 保持 D. 翻转13．与非门的逻辑函数表达式为（） A. AB B. A+B C. AB D. A B + 14．用万用表测二极管的正、反向电阻几乎都趋于无穷大，则二极管（） A．正常 B.开路 C.短路 D.性能低劣15.逻辑函数式EFG Y=，可以写作（） A．G F E Y+ + = B．Y = E+F+G C．G F E Y? ? = D．FG E Y+ = 16.逻辑函数式AA+0+A,简化后的结果是（） A．1 B．A C．AA D． 0

17由NPN 型三极管构成的共射放大电路输出电压波形如图所示，该电路中存在（ ） A.线性失真，饱和失真 B.非线性失真，饱和失真 C.线性失真，截止失真 D.非线性失真，截止失真 18.图示电路中二极管的导通电压为0.7 V ，则输出电压Uo 等于 （ ） A.0V B.-2.3V C.2.3V D.-2V 19．逻辑函数EF F E F E ++，化简后答案是（ ） A ．EF B ．F E F E + C ．E+F D ．E+F 20. 单相桥式整流电容滤波电路中变压器次级电压U 2=10V ，则负载两端电压为（ ） A.9V B.10V C.12V D.15V 21.八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端个数是（ ） A 、2个 B 、3个 C 、4个 D 、8个 22.测得放大电路中，三极管三个极的电位分别如图所示，则此管 是（ ） A. NPN 型硅管 B. NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D. PNP 型锗管 三、判断题（每小题3分，共33分） （ ）23.组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。 （ ）24.负载要求得最大功率的条件是R=2r ，r 为电池内阻。 （ ）25.u i = 102sin ωt V 的最大值是10V 。 （ ）26.电位大小与参考点无关，电压大小与参考点有关。 （ ）27.二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。 （ ）28.三极管内部电流不满足基尔霍夫第一定律。 （ ）29.与甲类功放相比，乙类功放的主要优点是没有失真。 （ ）30.用频率计测量1兆Hz 的方波信号，低通滤波器应处于“关”的位置。 （ ）31.共阴接法LED 数码管是用输出低电平有效的显示译 u o t 12v 0v 11.3v

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

中职电子技术教案课件教材资料

项目一半导体的基础知识 一、半导体： 1、半导体的导电性介于导体与绝缘体之间。 2、导体： 3、绝缘体 二、本征半导体 1、本征半导体：纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有：硅和锗。它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠的作用而紧密联系在一起。 2、空穴：共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由 电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。 3、空穴电流: 在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴，它们是成对出现的。 三：杂质半导体 1、杂质半导体:在本征半导体中两种载流子的浓度很低，因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。 1）.N型半导体 在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5个价电子，它与周围原子形成共价键后，还多余一个自由电子，因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 2）.P型半导体 在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓

度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中，自由电子是少数载流子，空穴使多数载流子。 四、PN结 一、PN结基础知识 1、 PN结：我们通过现代工艺，把一块本征半导体的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，于是这两种半导体的交界处就形成了P—N结，它是构成其它半导体的基础，我们要掌握好它的特性！2：异形半导体接触现象 1）扩散运动：在形成的P—N结中，由于两侧的电子和空穴的浓度相差很大，因此它们会产生扩散运动（高浓度向低浓度扩散）：电子从N区向P区扩散；空穴从P去向N区扩散。因为它们都是带电粒子，它们向另一侧扩散的同时在N区留下了带正电的空穴，在P区留下了带负电的杂质离子，这样就形成了空间电荷区，也就是形成了电场(自建场). 它们的形成过程如图（1），（2）所示 2）漂移运动：在电场的作用下，载流子将作漂移运动，它的运动方向与扩散运动的方向相反，阻止扩散运动。电场的强弱与扩散的程度有关，扩散的越多，电场越强，同时对扩散运动的阻力也越大，当扩散运动与漂移运动相等时，通过界面的载流子为0。此时，PN结的交界区就形成一个缺少载流子的高阻区，我们又把它称为阻挡层或耗尽层。

中职《电子技术基础》期末试卷(含参考答案)

2015学年第1学期 《电子技术基础》期末试卷 （A卷，四大题型34小题） 考试形式：闭卷 一、填 空题 （10小 题，20空格，每空格1分，共20分。） 1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。 2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR越大，抑制零漂的能力越强。 3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。 4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。 5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。 6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。 7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。 8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。 9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。 10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。 二、判断题（11小题，每小题2分，共22分。将叙述 班级： 姓名：学号：题号一二三四总分 得分 题 号 123456789101112 答 案

(完整word版)中等职业学校《电子技术基础》教案.doc

第1、2课时 课题半导体特性、 PN 结、二极管课型 教学了解半导体的特性和PN 结的形成与特性 目的掌握二极管、稳压管的特性 重点PN结的形成与特性 难点二极管的伏安特性 教学过程 一、半导体的导电特性 1、光敏性、热敏性、可掺杂性 2、本征半导体：纯净的半导体称为本征半导体。 3、 N 型半导体 结构形成方式：掺入五价杂质元素使载流子数目增多，自由电子是多子 4、 P 型半导体 结构形成方式：掺入三价杂质元素使载流子数目增多，空穴是多子 二、 PN结的形成与特性 1、形成过程 2、特性：单向导电性 三、二极管 1、结构、外形、分类： (1)按材料分 : 有硅二极管，锗二极管和砷化镓二极管等。 (2 ）按结构分 : 根据 PN结面积大小 , 有点接触型、面接触型二极管。 (3 ）按用途分 : 有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4 ）按封装形式分: 有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分 : 2、主要参数 3、判别办法：用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、二极管的伏安特性。 5、特殊功能二极管：稳压管、发光二极管 课后小结半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电 PN结具有单向导电性普通 二极管电路的分析主要采用模型分析法 稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似，均由 PN 结构成。但稳压二极管工作在反向击穿区

第 3、4 课时 课题半导体三极管课型 教学1、了解三极管的结构与特性；2、掌握三极管的类型和电流放大原理； 目的3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点三极管的电流放大原理 难点三极管的输入输出特性 教学过程 一、三极管的基本结构和类型 二、三极管在电路中的联接方式 三、三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1）发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 I C I B 3）电子被集电区收集的过程 二、特性曲线和主要参数 1、输入特性：i B=f(u BE)u CE常数 2、输出特性：i C=f(u CE)i B常数 课后小结了解三极管的结构与特性；掌握三极管的类型和电流放大原理；理解三极管的特性曲线和主要参数。

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。

（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

中职《电子技术基础》期中试卷及及参考答案

《电子技术基础》期中试卷 一、填空题（每空1分，共32分） 1、晶体二极管加一定的电压时导通，加电压时，这一导电特性成为二极管的特性。 结处于导通状态时电阻_______，处于截止状态时电阻_________。 3.用万用表“R x 1K "挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。 4.场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。 5.试判断下图中各三极管处于何种工作状态，并指出管型。 管型（1）_______（2）_______（3）_______（4）_______工作状态（1）_______（2）_______（3）_______（4）_______ 称为三极管的_______电流，它反映三极管的_______，Iceo越_______越好。 7.画直流通路时,将_______视为开路,其余不变;画交流通路时将_______视为_______，将直流电源视为_______。 8.放大器的输入电阻_______,则放大器要求信号源提供_______越小,信号源负担就越轻。放大器的输出电阻_______,放大器_______越强。 二、判断题（每题2分，共14分） l.放大器放大信号说明三极管的放大倍数起到了能量的提升作用。（）2.在基本共射极放大电路中,当电源电压Vcc增大时,若电路其他参数不变,则电压放大倍数Av值应增大。（） 3.在共射极单管放大电路中,若电源电压不变,只要改变集电极电阻Rc就 班级：姓名：学号：题号一二三四五六七八九总分得分

中职《 电子技术基础 》期末试卷(含参考答案)

2015 学年第 1 学期 《电子技术基础》期末试卷 （A卷，四大题型34小题） 考试形式：闭卷 一、填空题（10小题，20空格，每空格1分，共20分。） 1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。 2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR 越大，抑制零漂的能力越强。 3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。 4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。 5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。 6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。 7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。 8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。 9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。 10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。 二、判断题（11小题，每小题2分，共22分。将叙述正确的每小题用√填写在下面表格对应的序号中，叙述错误的每小题用x填写在下面表格对应的序号中。） 1、衡量一个直流放大器零漂的程度只需看输出零漂电压的大小。 2、理想运算放大器两输入端的电位相等并且恒等于0V。 3、差分放大器的放大倍数与组成它的单管放大器的放大倍数相同。 4、反相输入比例运算放大器的反馈类型是电压串联负反馈。 5、两个电压放大倍数不同的直流放大器，若它们输出端的零漂电压相同，则电压放大倍数小的直流放大器，其零漂现象要严重些。 6、共集电极放大器属电压串联负反馈放大器，所以该电路的输入阻抗高，输出阻抗低。 7、负反馈能使放大器的通频带扩展，也能减小放大器的波形失真。 8、在共射极单管放大电路中，若电源电压不变，只要改变集电极电阻Rc就能改变集电极电流Ic值。 9、固定偏置放大电路中，若更换三极管，则基极偏流电阻必须重新调整。 10、全波整流电路中，二极管与负载串联，流过二极管的电流和负载电流相等。 11、二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流迅速增大。 三、选择题（10小题，每小题2分，共20分。将每小题正确的选项答案填写在下面 题号123456789101112 答案 1、同相输入比例运算放大器的反馈类型是_________。 A、电流串联负反馈 B、电流并联负反馈 C、电压串联负反馈 D、电压并联负反馈 2、引起直流放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是_________。 A、半导体器件参数的变化 B、电路中电容和电阻数值的变化 C、电源电压的变化 班级： 姓名：学号：题号一二三四总分得分