二极管及整流电路练习题

二极管及整流电路练习题

一、填空

1、纯净的半导体称为，它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少

量的价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，

少数载流子为。

2、在本征半导体中掺入价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子

为，少数载流子为，它的导电能力比本征半导体。

3、如图，这是材料的二极管的____

曲线，在正向电压超过 V

后，二极管开始导通，这个电压称为

电压。正常导通后，此管的正向压降约

为 V。当反向电压增大到 V时，

V 即称为电压。其中

稳压管一般工作在区。

4、二极管的伏安特性指和

_____后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,

为 V。

5、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管

导通；给二极管加电压，二极管截止。

6、PN结的单向导电性指，当反向电压增大到

时，反向电流会急剧增大，这种现象称。

7、二极管的主要参数有 ________、_________和，二极管的主要

特性是。

8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较

小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。

两次测的阻值相差越大，则说明二极管的性能越好。

9、整流是指_______________________________________，整流电路分可为：

和电路。将交流电转换成较稳定的直流电，一般要经过以下过程：

___________ →____________ →____________ →____________

10、有一直流负载R L=9Ω，需要直流电压V L=45V,现有2CP21(I FM=3000mA,V RM=100V)

和2CP33B(I FM=500mA, V RM=50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路，应选用

型二极管只。

11、稳压二极管的稳压特性指，动态电阻r Z越大，说明稳

压性能越。

12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去，

获得比较的直流电,通常接在电路的后面。它一般分为、

和三类。

13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二

极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______ 。

14、如图，V1、V2为理想二极管。

1状态，V2状态。

AB= V

15、如图，V为理想二极管。

状态，

V AB= V

16、图中，V为硅二极管。

V的状态，V MN= V

与B接通时，

的状态，V MN= V

二、判断题

1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。

2、（）P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。

3、（）P型半导体带正电，N型半导体带负电。

4、（）硅二极管门坎电压是，正向压降是。

5、（）硅的导通电压为，锗的导通电压为。

6、

（）二极管

在使用中必

须防止进入

电击穿区而

烧坏二极管。

7、（）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。

8、（）二极管正向使用时不能稳压。

9、（）变压器中心抽头式全波整流电路，二极管承受的反向峰值电压为2V2。

10、（）电感滤波器一般常用于负载电流较小的场合。

11、（）电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器，常选用

6V

于负载电流较小的场合。

12、（ ）稳压二极管一般工作在反向击穿区。

13、（ ）稳压管的动态电阻越小，稳压性能越好。

14、（ ）稳压二极管正向使用时，和普通二极管的特性相同。

15、（ ）单相桥式整流电路属于单相全波整流电路。

16、（ ）单相桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两只二极管导通。

17、（ ）单相桥式整流电路输出的直流电压平均值是半波整流电路输出的直流电压平均值的2倍。

18、（ ）直流稳压电源只能在电网电压变化时使输出电压基本不变，而当负载电流变化时不能起稳压作用。

三、单项选择题

1、（ ）关于晶体二极管的正确叙述是：

A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN 结温度迅速升高而烧坏。

B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。

C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。

D 以上说法都不对。

2、（ ）关于滤波器，正确叙述是：

A 电容滤波器电路的电容量越大，负载越重，输出直流越平滑。

B 电容量越小，负载越重，输出电压越接近脉动电压峰值。

C 电感滤波器是利用电感具有反抗电流变化的作用，使负载电流的脉动程度减小，从而使输出电压平滑。

D 电感量越大，产生的自感电动势越大，滤波效果越差。

3、（ ）如图，电源接通后，正确说法为

A H 1、H 2、H 可能亮。

B H 1、H 2、H 都不亮。

C H 1可能亮，H 2、H 不亮。

D H 1不亮，H 2、H 可能亮。

4、（ ）如图，V 为理想二极管 A V 导通，V AB =0V 。 B V 导通，V AB =15V 。 C V 截止，V AB =12V 。 D V 截止，V AB =3V 。

5、（ ）如图，V 为理想二极管

A V 截止，V A

B =12V 。 B V 导通，V AB =6V 。

C V 导通，V AB =18V 。

D V 截止，V AB =0V 。 3K

1V A B 15V

3K V

1A 6V

6、（ ）二极管两端加上正向电压时

A 一定导通

B 超过死区电压才能导通

B 超过伏才能导通 D 超过伏才能导通

7、（ ）在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会：

A 变大

B 变小

C 不变化

D 不能确定

四、分析判断题

1、硅稳压二极管，稳定电压如图所示，当V I 足够大时，计算各V O 值。

V O =________________ V O =_______________

O O =_______________

2、如图，V 1、V 2为理想二极管。

V AB = S 合上时，V P =

S 断开时，V P =

1）在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。

A. 五价

B. 四价

C. 三价

（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

（4）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 a 。

A. 增大

B. 不变

C. 减小

3V

B o R V I + - o R V I + - o R V I +

- o

R V S

（5）稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通

B.反向截止

C.反向击穿

（6）稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。

A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区

整流二极管的作用及其整流电路

整流二极管的作用及其整流电路 整流二极管的作用及其整流电路 一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。 P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。 若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,。 整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。 二极管整流电路 一、半波整流电路 图5-1、是一种最简单的整流电路。它由电源变压器B 、整流二极管D 和负载电阻Rfz ，组成。变压器把市电电压（多为220伏）变换为所需要的交变电压e2，D 再把交流电变换为脉动直流电。 下面从图5-2的波形图上看着二极管是怎样整流的。

变压器砍级电压e2，是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压，它的波形如图5-2（a）所示。在0～K时间内，e2为正半周即变压器上端为正下端为负。此时二极管承受正向电压面导通，e2通过它加在负载电阻Rfz上，在π～2π时间内，e2为负半周，变压器次级下端为正，上端为负。这时D承受反向电压，不导通，Rfz，上无电压。在π～2π时间内，重复0～π时间的过程，而在3π～4π时间内，又重复π～2π时间的过程…这样反复下去，交流电的负半周就被"削"掉了，只有正半周通过Rfz，在Rfz上获得了一个单一右向（上正下负）的电压，如图5-2（b）所示，达到了整流的目的，但是，负载电压Usc。以及负载电流的大小还随时间而变化，因此，通常称它为脉动直流。 这种除去半周、留下半周的整流方法，叫半波整流。不难看出，半波整说是以"牺牲"一半交流为代价而换取整流效果的，电流利用率很低（计算表明，整流得出的半波电压在整个周期内的平均值，即负载上的直流电压 Usc =0.45e2 ）因此常用在高电压、小电流的场合，而在一般无线电装置中很少采用。 二、全波整流电路(单向桥式整流电路) 如果把整流电路的结构作一些调整，可以得到一种能充分利用电能的全波整流电路。图5-3 是全波整流电路的电原理图。

二极管整流电路试题知识分享

二极管整流电路试题

晶体二极管及整流电路试题（一） 姓名学号 一、填空 1、纯净的半导体称为，它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为，它的导电能力比本征半导 体。 3、如图，这是材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时， 即称为电压时，反向电流会急剧 增大，该现象为。若反向电压 继续增大，容易发生现象。其中 稳压管一般工作在区。

4、二极管的伏安特性指和关系，当正向电压超过_____后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为V,锗管约为 V。 5、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。 6、PN结的单向导电性指，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称。 7、二极管的主要参数有 ________、____ ___、 _ 和，二极管的主要特性是。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。 9、整流是指_______________________________________，单相整流电路分、和电路。 10、有一直流负载R L =9Ω，需要直流电压V L =45V,现有 2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极 管,若采用桥式整流电路，应选用型二极管只。

第1章 晶体二极管和二极管整流电路

第1章 晶体二极管和 二极管整流电路 教学重点 1．了解半导体的基本知识：本征半导体、掺杂半导体；掌握PN 结的基本特性。 2．理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。 3．了解几种常用的二极管：硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。 4．掌握单相半波、桥式全波整流电路的电路组成、工作原理与性能特点；了解电容滤波电路的工作原理。 5．了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理。 教学难点 1．PN 结的单向导电特性。 2．整流电路和滤波电路的工作原理。 3．硅稳压管稳压电路的稳压过程。 学时分配 1.1 晶体二极管 1.1.1 晶体二极管的单向导电特性 ???体三极管等器件：晶体二极管、晶 等、变压器、电感电容、 元件：电阻电子元器件T)()()()(L C R

1．晶体二极管 (1) 外形 如图1.1.1(a )所示，晶体二极管由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。 (2) 图形、文字符号 如图1.1.1(b )所示，晶体二极管的图形由三角形和竖杠所组成。其中，三角形表示正极，竖杠表示负极。V 为晶体二极管的文字符号。 2．晶体二极管的单向导电性 动画 晶体二极管的单向导电性 (1) 正极电位＞负极电位，二极管导通； (2) 正极电位＜负极电位，二极管截止。 即二极管正偏导通，反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。 [例1.1.1] 图1.1.3所示电路中，当开关S 闭合后，H 1、H 2两个指示灯，哪一个可能发光？ 解 由电路图可知，开关S 闭合后，只有二极管V 1 正极电位高于负极电位，即处于正向导通状态，所以H 1指示灯发光。 1.1.2 PN 结 二极管由半导体材料制成。 动画 PN 结 1．半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅(Si )或锗(Ge )半导体。 半导体中，能够运载电荷的的粒子有两种： —载流子—均可运载电荷量的正电空穴：带与自由电子等自由电子：带负电???? ?? 载流子：在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴，统称载流子。如图1.1.4所示。 2．本征半导体 不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。 本征半导体电导率低，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半导体。 3．杂质半导体 为了提高半导体的导电性能，在本征半导体(4价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 根据掺杂的物质不同，可分两种： 图1.1.4 半导体的两种载流子 图1.1.3 [例1.1.1]电路图 图1.1.1 晶体二极管的外形和符号

《晶体二极管及二极管整流电路》试题

《晶体二极管及二极管整流电路》试题 一、判断题（每空2分，共36分） 1 1. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。（） 2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。（） 3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。（） 4. 二极管是线性器件。（） 5. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。（） 6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。（） 7. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。（） 8. 二极管两端加反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。（） 9. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。（） 10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。（） 11. 所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏置时，结电阻为无穷大，等效成开关断开。（） 12. 使用稳压管时应阳极接高电位，阴极接低电位。 13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围，二极管将会发生热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。（） 14. 整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。（） 15. 用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。（） 16. 在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择（ ） 17. 在电容滤波整流电路中，电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。（） 18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。（） 二、单选题（每空2分，共32分） 1. 本征半导体是（）。 A. 掺杂半导体 B. 纯净半导体 C. P型半导体 D. N型半导体

(完整版)二极管试题(打印版)(可编辑修改word版)

永州综合职业中专学校电子技术基础 半导体二极管及整流滤波电路试题 班级: 、姓名 、得分 。 一、填空题 1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺 入少量的 价元素，可形成 P 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。 2、在本征半导体中掺入 价元素，可形成 N 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。 3、如图，这是 材料的二极管的 曲线，在正向电压超过 V 后，正常导通后，此管的正向压降约 为 V 。当反向电压增大到 V 时 ， 即称为 电压时，反 向电流会急剧增大，该现象为 。其中 稳压管一般工作在 区。 V(v 4、二极管的主要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。 5、PN 结的单向导电性指 。 6、二极管的主要参数有 、 和 。 7、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部 。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。 8、整流是指 。 9、 有 一 直 流 负 载 R L =9Ω ， 需 要 直 流 电 压 V L =45V,现 有 2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和 2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极管若, 采用桥式整流电路，应选用 型二极管 只。 10、滤波器的作用是将整流电路输出的 中的 成分滤去，获得比较 的直流电,通常接在 电路的后面。它一般分为 、 和 三类。 二、判断题 1、( )将 P 型半导体和 N 型半导体的接触并连在一起，就会形成 PN 结。 2、（ ）P 型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。 3、（ ）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 4、（ ）硅二极管死区电压是 0.3V ，正向压降是 0.7V 。 5、（ ）硅的导通电压为 0.3V ，锗的导通电压为 0.7V 。 6、（ ）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。 7、（ ）二极管正向使用时不能稳压。 8、（ ）电感滤波器一般常用于负载电流较小的场合。 9、（ ）电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器，常选用于负载电流较小的场合。 10、（ ）稳压二极管一般工作在反向击穿区。

经验整流电路简单的计算公式

整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。 整流电路分类： 单向、三相与多项整流电路； 还可分为半波、全波、桥式整流电路； 又可分为可控与不可控；当全部或部分整流元件为可控硅（晶闸管）时称可控整流电路 （一）不可控整流电路 1、单向二极管半波整流电路 半波整说是以"牺牲"一半交流为代价而换取整流效果的，电流利用率很低；因此常用在高电压、小电流的场合，而在一般无线电装置中很少采用。 输出直流电压U=0.45U2 流过二极管平均电流I=U/RL=0.45U2/RL 二极管截止承受的最大反向电压是Um反=1.4U2 2、单向二极管全波整流电路 因此称为全波整流，全波整流不仅利用了正半周，而且还巧妙地利用了负半周，从而大大地提高了整流效率（Usc＝0.9e2，比半波整流时大一倍） 另外，这种电路中，每只整流二极管承受的最大反向电压，是变压器次级电压最大值的两倍，因此需用能承受较高电压的二极管。 输出直流电压U=0.9U2

流过二极管平均电流只是负载平均电流的一半,即流过负载的电流I=0.9U2/RL流过二极管电流I=0.45U2/RL 二极管截止时承受2.8U2的反向电压 因此选择二极管参数的依据与半波整流电路相比有所不同，由于交流正负两个半周均有电流流过负载，因此变压器的利用率比半波整流高。 二极管全波整流的另一种形式即桥式整流电路，是目前小功率整 流电路最常用的整流电路。 3、二极管全波整流的结论都适用于桥式整流电路，不同点仅是每个二 极管承受的反向电压比全波整流小了一半。 桥式电路中每只二极管承受的反向电压等于变压器次级电压的最大值，比全波整洗电路小一半！ U=0.9U2 流过负载电流I=0.9U2/RL 流过二极管电流I=0.45U2/RL 二极管截止承受反向电压U=1.4U2 另外，在高电压或大电流的情况下，如果手头没有承受高电压或整定大电滤的整流元件，可以把二极管串联或并联起来使用。 图5-7 示出了二极管并联的情况：两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半，三只二极管并联，每只分担电路总电流的三分之一。总之，有几只二极管并联，"流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是，在实际并联运用时"，由于各二极管特性不完全一致，不能均分所通过的电流，会使有的管子困负担过重而烧毁。因此需在每只二极管上串联一只阻值相同的小电阻器，使各并联二极管流过的电流接近一致。这种均流电阻R 一般选用零点几欧至几十欧的电阻器。电流越大，R应选得越小。

二极管整流电路试题

一、晶体二极管和二极管整流电路 一、填空 1、纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的 3 价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为，它的导电能力比本征半导体。 3、如图，这是材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时， 即称为电压时，反向电流会急剧 增大，该现象为。若反向电压 继续增大，容易发生现象。其中 稳压管一般工作在区。 4、二极管的伏安特性指和关系，当正向电压超过_____后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。 5、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。 6、PN结的单向导电性指，当反向电压增大到时，反向电流会急剧增大，这种现象称。 7、二极管的主要参数有 ________、_________和，二极管的主要特性是。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的性能越好。 9、整流是指_______________________________________，单相整流电路分、和电路。将交流电转换成较稳定的直流电，一般要经过以下过程： ___________ →____________ →____________ →____________ 10、有一直流负载R L =9Ω，需要直流电压V L =45V,现有 2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极 管,若采用桥式整流电路，应选用型二极管只。 11、稳压二极管的稳压特性指，动态电阻r Z 越大，

(完整版)整流二极管

整流二极管 整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，整流二极管具有明显的单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十千赫兹，反向电压从25V到3000V. 硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千安），但工作频率不高，一般在几十千赫兹以下，整流二极管主要用于各种低频整流电路。 整流二极管的常用参数 （1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。 （2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV （3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。 （4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。 （5）最高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。 （6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。 （7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。 整流二极管的选用 整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。 选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N

(完整版)单相整流电路试题

单相整流电路试题 1、在单相整流电路中，流过负载电阻的电流是（）。 A.交流电流 B.平滑直流 C.脉动直流 D.纹波电流 2、一个半波整流电路的变压器副边电压有效值为10V，负载电阻为500Ω，流过二极管的平均电流为（）。 A.90mA B.180 mA C.9 mA D.18 mA 3、整流电路如图P10.3所示，输出电压 U o1 和 U o2 分别为（）。 A.40.5V，-9V B.-40.5V，9V C.45V， -9V D.-45V，+9V 4、图P10.4（1）所示为单相全波整流电路，因故障VD2烧断。当 u 2 = U 2m sin?ωtV 时，输出电压 u o 的波形应为图P10.4（2）所示的（）。

A B C D 5、在单相桥式整流电路中，设变压器副边电压有效值为 U 2 =100V ，则负载两端的平均电压是（）。 A.100V B.90V C.45V D.141V 6、在单相桥式整流电路中，如果某个整流二极管极性接反，则会出现（）现象。 A.输出电压升高 B.输出电压降低 C.短路无输出 D.输出电压不变 7、在单相桥式整流电路中，设变压器副边电压有效值为 U 2 ，若负载开路，则每只整流二极管承受的最高反向电压是（）。 A . 2 U 2 B. 2 U 2 C . U 2 D . 2 2 U 2 8、桥式整流电路如图P10.8（1）所示，当 u= U m sin?ωtV 时，因故障VD3烧断。输出电压 u o 的波形应为图P10.8（2）所示的（）。

A B C D 9、桥式整流电路的变压器副边电压为20V，每个整流二极管所承受的最大反向电压为（）。 A.20V B.28.28V C.40V D.56.56V 10、测量桥式整流电路的输出直流电压为9V，此时发现有一只二极管已经断开，其变压器副边电压为（）。 A.10V B.15V C.20V D.25V 11、如果在整流电路的负载两端并联一个滤波电容，其输出波形脉动的大小将随着负载电阻值和电容量的增加而（）。 A.增大 B.减小 C.不变 D.不能确定 12、在单相半波整流电容滤波电路中，设变压器副边电压有效值为 U 2 =100V，若滤波电容开路，则二极管承受的最高反向电压可达到（）。 A.200V B.141V C. 282V D.100V 13、桥式整流电容滤波电路的变压器副边电压为20V，当R L C ≥（3~5）T/2时，输出电压为（）。 A.24V B.28V C.9V D.18V 14、图P10.14所示电路中，负载电阻 R L 增大时，输出电压 U o 和二极管导通角θ的变化为（）。

晶体二极管和整流电路测试题

晶体二极管和整流电路测试题 一．填空题：（每空2分，共40分） 1．二极管的P 区接电位 端，极管的N 区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之称反向偏置，二极管截止；所二极管具有 性。 2．二极管的PN 结面积不同可分为点接触型、面接触型和 型； 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。 3．普通二极管工作时要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。 4．单相 用来将交流电压变换成单相脉动直流电压。 5．直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括 、 等。 6．W7805的输出电压为 V ，额定输出电流为 A ； 7．开关稳压电源的调整管工作在 状态，依靠调节调整管 的比例来实现稳压。 8．发光二极管能将电信号转换成 信号，它工作时需要加 偏置电压；光电二极管能将 转换成电信号，它工作时需要加 偏置电压； 二．判断题：（每题2分，共10分） 1．二极管在反向电压超过最高反向工作电压V RM 时会损坏。 （ ） 2．稳压二极管在工作中只能作反向连接。 （ ） 3．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。（ ） 4．在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开，输出电压的平均值变为原来的一半。 （ ） 5．二极管的反向漏电流越小，其单相导电性能越好。 （ ） 三．选择题：（每题2分，共10分） 1．图1.17所示符号中，表示发光二极管的为 （ ） 2．从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ ）时，处于正向导通状态。 （ ） A ．0 B ．死区电压 C ．反向击穿电压 D ．正向压降 3．．用万用表电阻挡测量小功率二极管性能好坏时，应把量程开关旋到 （ ）位置。 A ．R ×100 B ．R ×1K C ．R ×1 D ．R ×10K 4．直流稳压电源中，滤波电路的作用是 （ ） A ．将交流电变为较平滑的直流电 B ．将交流电变为稳定的直流电 C ．滤除直流电中的交流成分 D ．将交流电变为脉动直流电 5．开关稳压电源效率高的主要原因是 （ ） A ．调整管工作在开关状态 B ．输出端有L C 滤波电路 C ．省去电源变压器 D ．电路元件少 四．技能实践题：（每题10分，共20分） A . B . C .D .图1.17

最新《晶体二极管整流电路》说课稿

《晶体二极管整流电路》说课稿 宿城区职教中心王翠荣 一、教材分析： 1．地位和作用：本节内容选自陈其纯编著的《电子线路》§1.2内容,此内容既是第一章的重点和难点，也是整个教材的重点，教材的第一节介绍了晶体二极管的结构与特性，而整流电路正是晶体二极管单向导电性的具体应用。同时，该内容也是后面滤波、稳压电路的基础。因此，本节课的内容就显得尤为重要。 2．学生现状：所任班的学生，为电子专业二年级的学生,与平行班相比，学生学习习惯总体较好，相关的课程《电工基础》刚学完，由于《电子线路》这门专业课本身的特点，入门难，学生又是刚开始学，学生在学习过程中普遍感到困难，有少数学生学习较被动，还未 掌握好一定的学习方法。 3．学习目标及确立依据 （1）学习目标 （2）确立依据：首先根据现行教学大纲的要求，电路组成、整流工作原理及整流电路的计算是学生必须掌握的内容，由此确立了学习目标的知识目标。而根据学生的现状，学生虽有一定的学习能力，但学习方式仍较被动，还处于一种简单的记忆、接受和模仿的阶段，为了使学生的学习方式有所改变，引导学生主动参与、独立思考，学会合作探究、与人交流，从而提高学生主动获取新知识、分析和解决问题的能力，故确立了学习目标能力目标。 4．教学重点与难点：根据大纲及学生的实际情况确立了本节课的重点和难点。整流电路工作原理的分析需要学生在理解二极管的单向导电性的基础上，根据电位的高低判断二极管的状态，从而准确画出整流电流通路，此为分析电压和电流波形、计算负载上电压和电流及二极管选择的关键所在。而这又需要学生有一定的运用知识的能力，故工作原理的分析既 是难点也是重点。 二、教学设计理论基础及研究重点： 1．教学设计理论基础：（1）建构主义的教学理论，更加强调学习者的主观认识，更加重视建立有利于学习者主动探索知识的情境，始终保持教师与学生、学生与学生之间有效的互动过程。（2）根据探究教学理论，学生学习应在教师指导下运用探究的方法学习，让学生能够主动获取知识，从而发展学生的能力，培养学生的创新精神和实践能力。 2．研究重点与教学模式及方法：本节课采用的是“达标式问题情景的创设”的教学模式，该模式的关键是如何创设问题情境，故研究重点是问题情境的创设。《电子线路》课由于其理论性强，抽象不易理解，学生普遍感到难学，为了分解难点，创设便于学生学习的问题情境，通过一个个问题的解决，激发学生的求知欲望和学习兴趣，引导学生进入探索、认识、解决问题的情境，从而提高学生的自主学习的能力，加强学生的创新意识。 本节课采用启发讲授、实验演示、讨论、练习等教学方法。 三、教学过程的设计： （一）复习导入 设计了3个复习练习，通过复习题，让学生掌握二极管伏安特性，这既是上节课的重点内容，也是本节课学生学习的基础；而整流电路正是晶体二极管单向导电性的具体应用。由 此自然引入新课。 （二）新课内容 1、电路将电路直接呈现给学生，并让学生进行比较单相半波、变压器中心抽头式整 流电路，桥式电路。

二极管及整流电路练习题

二极管及整流电路练习题 一、填空 1、纯净的半导体称为，它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少 量的价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为， 少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子 为，少数载流子为，它的导电能力比本征半导体。 3、如图，这是材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时， V 即称为电压。其中 稳压管一般工作在区。 4、二极管的伏安特性指和 _____后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V, 为 V。 5、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管 导通；给二极管加电压，二极管截止。 6、PN结的单向导电性指，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称。 7、二极管的主要参数有 ________、_________和，二极管的主要 特性是。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较 小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。 两次测的阻值相差越大，则说明二极管的性能越好。 9、整流是指_______________________________________，整流电路分可为： 和电路。将交流电转换成较稳定的直流电，一般要经过以下过程： ___________ →____________ →____________ →____________ 10、有一直流负载R L=9Ω，需要直流电压V L=45V,现有2CP21(I FM=3000mA,V RM=100V) 和2CP33B(I FM=500mA, V RM=50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路，应选用 型二极管只。 11、稳压二极管的稳压特性指，动态电阻r Z越大，说明稳 压性能越。 12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去， 获得比较的直流电,通常接在电路的后面。它一般分为、 和三类。 13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二

晶体二极管和二极管整流电路

第1章 晶体二极管和二极管整流电路 教学重点 1．了解半导体的基本知识：本征半导体、掺杂半导体；掌握PN 结的基本特性。 2．理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。 3．了解几种常用的二极管：硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。 4．掌握单相半波、桥式全波整流电路的电路组成、工作原理与性能特点；了解电容滤波电路的工作原理。 5．了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理。 教学难点 1．PN 结的单向导电特性。 2．整流电路和滤波电路的工作原理。 3．硅稳压管稳压电路的稳压过程。 学时分配 晶体二极管 1.1.1 晶体二极管的单向导电特性 ???体三极管等器件：晶体二极管、晶 等、变压器、电感电容、 元件：电阻电子元器件T)()()()(L C R 1．晶体二极管 (1) 外形

如图1.1.1(a)所示，晶体二极管由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。 (2) 图形、文字符号 如图1.1.1(b)所示，晶体二极管的图形由三角形和竖杠所组成。其中，三角形表示正极，竖杠表示负极。V 为晶体二极管的文字符号。 2．晶体二极管的单向导电性 动画 晶体二极管的单向导电性 (1) 正极电位＞负极电位，二极管导通； (2) 正极电位＜负极电位，二极管截止。 即二极管正偏导通，反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。 [例1.1.1] 图所示电路中，当开关S 闭合后，H 1、H 2 两个指示灯，哪一个可能发光 解 由电路图可知，开关S 闭合后，只有二极管V 1正极电位高于负极电位，即处于正向导通状态，所以H 1指示灯发光。 1.1.2 PN 结 二极管由半导体材料制成。 动画 PN 结 1．半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅(Si)或锗(Ge)半导体。 半导体中，能够运载电荷的的粒子有两种： —载流子—均可运载电荷量的正电空穴：带与自由电子等自由电子：带负电???? ?? 载流子：在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴，统称载流子。如图1.1.4所示。 2．本征半导体 不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。 本征半导体电导率低，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半导体。 3．杂质半导体 为了提高半导体的导电性能，在本征半导体(4价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 根据掺杂的物质不同，可分两种： (1) P 型半导体：本征硅(或锗)中掺入少量硼元素(3价)所形成的半导体，如P 型硅。其中，多数载流子为空穴，少数载流子为电子。 图 1.1.4 半导体的两种 载流子 图1.1.3 [例电路图 图1.1.1 晶体二极管的外形和

(一)晶体二极管及二极管整流电路(终稿)2017-11-26

晶体二极管及二极管整流电路 一、判断题 1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减 弱。 2.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 3.N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。 4.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。 5.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 6.晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。 7.半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。 8.二极管具有单向导电性。 9.二极管是线性器件。 10.二极管和三极管都是非线性器件。 11.二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。 12.二极管两端加上正向电压就一定会导通。 13.二极管的核心是一个PN结，PN结具有单向导电特性。 14.PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。 15.二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极 管的状态为截止。 16.二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。 17.二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。 18.点接触型二极管其PN结的静电容量小，适用于高频电路。 19.整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。 20.整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但工作频率低。 21.点接触型二极管只能使用于大电流和整流。 22.制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二 极管 23.半导体二极管按结构的不同，可分为点接触型和面接触型，各自能承受的正 向电流值有较大区别。 24.晶体二极管击穿后立即烧毁。

各类整流电路图及工作原理

桥式整流电路图及工作原理介绍 桥式整流电路如图1所示，图（a）、（b）、（c）是桥式整流电路的三种不同画法。由电源变压器、四只整流二极管D1~4 和负载电阻RL组成。四只整流二极管接成电桥形式，故称桥式整流。 图1 桥式整流电路图 桥式整流电路的工作原理 如图2所示。

在u2的正半周，D1、D3导通，D2、D4截止，电流由TR次级上端经D1→ RL →D3回到TR 次级下端，在负载RL上得到一半波整流电压。 在u2的负半周，D1、D3截止，D2、D4导通，电流由Tr次级的下端经D2→ RL →D4 回到Tr次级上端，在负载RL 上得到另一半波整流电压。 这样就在负载RL上得到一个与全波整流相同的电压波形，其电流的计算与全波整流相同，即 UL = 0.9U2 IL = 0.9U2／RL 流过每个二极管的平均电流为 ID = IL／2 = 0.45 U2／RL 每个二极管所承受的最高反向电压为 什么叫硅桥,什么叫桥堆 目前，小功率桥式整流电路的四只整流二极管，被接成桥路后封装成一个整流器件，称"硅桥"或"桥堆"，使用方便，整流电路也常简化为图Z图1（c）的形式。桥式整流电路克服了全波整流电路要求变压器次级有中心抽头和二极管承受反压大的缺点，但多用了两只二极管。在半导体器件发展快，成本较低的今天，此缺点并不突出，因而桥式整流电路在实际中应用较为广泛。 二极管整流电路原理与分析 半波整流 二极管半波整流电路实际上利用了二极管的单向导电特性。

当输入电压处于交流电压的正半周时，二极管导通，输出电压v o=v i-v d。当输入电压处于交 流电压的负半周时，二极管截止，输出电压v o=0。半波整流电路输入和输出电压的波形如图所 示。 二极管半波整流电路 对于使用直流电源的电动机等功率型的电气设备，半波整流输出的脉动电压就足够了。但对于电子电路，这种电压则不能直接作为半导体器件的电源，还必须经过平滑（滤波）处理。平滑处理电路实际上就是在半波整流的输出端接一个电容，在交流电压正半周时，交流电源在通过二极管向负载提供电源的同时对电容充电，在交流电压负半周时，电容通过负载电阻放电。 电容输出的二极管半波整流电路仿真演示 通过上述分析可以得到半波整流电路的基本特点如下： （1）半波整流输出的是一个直流脉动电压。 （2）半波整流电路的交流利用率为50%。 （3）电容输出半波整流电路中，二极管承担最大反向电压为2倍交流峰值电压（电容输出 时电压叠加）。 （3）实际电路中，半波整流电路二极管和电容的选择必须满足负载对电流的要求。

第一章 晶体二极管和二极管整流电路(习题一)

第一章 晶体二极管和二极管整流电路 一、填空 1．纯净的半导体称为 ；在纯净的半导体中掺入少量的硼元素，可形成 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 ，所以又称 型半导体，。 2．在本征半导体中掺入磷元素，可形成N 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 ，它的导电能力比本征半导体 。 3．如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V 。当反向电压增大到 V 时， 即称为 电压时，反向电流会急剧 增大，该现象为 。若反向电压 继续增大，容易发生 现象。其中 稳压管一般工作在 区。 4．二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 _____后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V 。 5．二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。 6．用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部 。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。 7．有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______ 。 8．整流是指_______________________________________。 9．滤波是指 。 10．如图，V 为理想二极管。 状态 ， V AB = V 11 ．图中，V 为硅二极管。 与A 接通时， V 的状态 ，V MN = V 与B 接通时， 的状态 ，V MN = V 6V

二极管习题

二极管电路习题 一、选择题 1、在题图所示电路中，U A0电压为（） （a）12V （b）-9V （c）-3V 2 在题图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D 3 的工作状态为（）。（a）D1 导通，D2、D3 截止（b）D1、D2 截止，D3 导通 （c）D1、D3 截止，D2 导通 3 在题图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为（）。 （a）D1 导通，D2、截止（b）D1、D2 均导通 （c）D1、截止，D2 导通 4 在题图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（） （a）3V （b）5V （c）2V 5 电路如题图（a）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b）所示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（）。 （a）5V （b）17V （c）7V 6 在题图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a）3V （b）2sinωtV （c）3+2sinωtV 7 在题图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（） （a）3V （b）0V （c）－12V 8 在题图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设u1=2sinωtV,稳压二极管 DZ 的稳定电压为 6V，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的波形（） 12 9 ( R V A O 题图

9 在题图所示电路中，稳压二极管 DZ2 的稳定电压为 6V，DZ2 的稳定电压为 12V，则输出 电压 U0 等于（）。 （a）12V （b）6V （c）18V 10 在题图所示电路中，稳压二极管 DZ1 和 DZ2 的稳定电压分别为 6V 和 9V，正向电压 降都是。则电压 U0 等于（）。（a）3V （b）15V （c）－3V 11 在题图所示电路中，稳压二极管 DZ1 的稳定电压 UZ1=12V,DZ2 的稳定电压 UZ2=6V， 则电压 U0 等于（）。 （a）12V （b）20V （c）6V 12 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个级的电位分别为 6V、9V 和，则 6V 所对应的 电极为（a ）。 （a）发射极（b）集电极（c）基极 13 晶体管的工作特点是（ a ）。（a）输入电流控制输出电流（b）输入电流控制输出电压 （c）输入电压控制输出电压

二极管整流电路原理与分析

半波整流 二极管半波整流电路实际上利用了二极管的单向导电特性。 当输入电压处于交流电压的正半周时，二极管导通，输出电压v o=v i-v d。当输入电压处于交流电压的负半周时，二极管截止，输出电压v o=0。半波整流电路输入和输出电压的波形如图所示。 二极管半波整流电路仿真演示 设输入交流电压为正弦波，其有效值为V rsm，则半波整流输出脉动电压的有效值为： 其中V m为输入电压的最大值，V m=V rms。 对于使用直流电源的电动机等功率型的电气设备，半波整流输出的脉动电压就足够了。但对于电子电路，这种电压则不能直接作为半导体器件的电源，还必须经过平滑（滤波）处理。平滑处理电路实际上就是在半波整流的输出端接一个电容，在交流电压正半周时，交流电源在通过二极管向负载提供电源的同时对电容充电，在交流电压负半周时，电容通过负载电阻放电。

电容输出的二极管半波整流电路仿真演示 通过上述分析可以得到半波整流电路的基本特点如下： （1）半波整流输出的是一个直流脉动电压。 （2）半波整流电路的交流利用率为50%。 （3）电容输出半波整流电路中，二极管承担最大反向电压为2倍交流峰值电压（电容输出时电压叠加）。 （3）实际电路中，半波整流电路二极管和电容的选择必须满足负载对电流的要求。 全波整流 当输入电压处于交流电压的正半周时，二极管D1导通，输出电压V o=v i-V D1。当输入电压处于交流电压的负半周时，二极管D2导通，输出电压V o=v i-V D2。 二极管全波整流电路仿真演示 由上述分析可知，二极管全波整流电路输出的仍然是一个方向不变的脉动电压，但脉动频率是半波整流的一倍。 通过与半波整流相类似的计算，可以得到全波整流输出电压有效值V orsm=0.9U rsm。 全波整流输出的直流脉动电压仍然不能满足电子电路对直流电源的要求，必须经过平滑（滤波）处理。与半波整流相同，平滑处理电路是在全波整流的输出端接一个电容。电容在脉动电压的两个峰值之间向负载放电，使输出电压得到相应的平滑。

二极管整流电路试题

晶体二极管及整流电路试题（一） 姓名学号 一、填空 1、纯净的半导体称为，它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为，它的导电能力比本征半导体。 3、如图，这是材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时， 即称为电压时，反向电流会急剧 增大，该现象为。若反向电压 继续增大，容易发生现象。其中 稳压管一般工作在区。 4、二极管的伏安特性指和关系，当正向电压超过_____后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。 5、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。 6、PN结的单向导电性指，当反向电压增大到时，反向电流会急剧增大，这种现象称。 7、二极管的主要参数有________、____ ___、_和，二极管的主要特性是。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的性能越好。 9、整流是指_______________________________________，单相整流电路分、和电路。 10、有一直流负载R L =9Ω，需要直流电压V L =45V,现有 2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极 管,若采用桥式整流电路，应选用型二极管只。 11、稳压二极管的稳压特性指，动态电阻r Z 越大，