MOS管的米勒效应 讲的很详细
米勒效应的影响：（主要的输入电容可以简单的理解为驱动源对MOSFETMOSFET
的栅极驱动过程，就会进达到门槛电压之后， MOSFET是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs进开始上升，此时MOSFET开通后，Vds开始下降，Id入开通状态；当MOSFET已经达到会持续一段时间不再上升，此时Id入饱和区；但由于米勒效应，Vgs又上升到驱动电压的值，直到米勒电容充满电，Vgs而Vds还在继续下降，最大，Vds彻底降下来，开通结束。此时MOSFET进入电阻区，此时的下降，这样就会使损Vds由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了下降）Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds耗的时间加长。
（
在管的米勒电容引发的米勒效应，他是由MOS米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，GS电压有一段稳定值，过后电压上升到某一电压值后GSMOS管开通过程中，GS
开通前，在为什么会有稳定值这段呢？因为，MOS电压又开始上升直至完全导通。极储存的电量需要在其导通时注入G极电压，MOS寄生电容CgdD极电压大于G。米勒效应会严极电压G完全导通后极电压大于D与其中的电荷中和，因MOS管
不能很快得进入开关状态）的开通损耗。（MOS重增加MOS越小开通损耗就越小。米勒CgdMOS时，所以就出现了所谓的图腾驱动！！选择效应不可能完全消失。MOSFET处于“放大区”的典型标志MOSFET中的米勒平台实际上就是电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就GS用用示波器测量是米勒平台。管开通过程会产生米勒平台，原理如下。MOS米勒效应指在但此时开级之间加
足够大的电容可以消除米勒效应。G级和S理论上驱动电路在的电容值是有好
处的。关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1Ciess 下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平
台。．
删荷系数的这张图在第一个转折点处：Vds开始导通。Vds的变化通过Cgd和驱动源的内阻形成一个微分。因为Vds近似线性下降，线性的微分是个常数，从而在Vgs处产生一个平台。
米勒平台是由于mos 的g d 两端的电容引起的，即mos datasheet里的Crss 。这个过程是给Cgd充电，所以Vgs变化很小，当Cgd充到Vgs水平的时候，Vgs 才开始继续上升。
Cgd在mos刚开通的时候，通过mos快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担了驱动电流，使得Cgs上的电压上升变缓，出现平台
to~t1: Vgs from 0 to Vth.Mosfet没通.电流由寄生二极管Df.
t1~t2: Vgs from Vth to Va. Id
t2~t3: Vds下降.引起电流继续通过Cgd. Vdd越高越需要的时间越长.
Ig 为驱动电流.
开始降的比较快.当Vdg接近为零时,Cgd增加.直到Vdg变负,Cgd增加到最大.下降变慢.
Vgg.
继续上升到.Vgs运行在电阻区,完全导通t3~t4: Mosfet
，但是，从。。是变化很小，那是因为MOS饱和了。继续增大，平台后期，VGSIDS 楼主的图中，这个平台还是有一段长度的。 MOS 正处在放大期。这个平台期间，可以认为是逼进。Vgs向Vth：前一个拐点前MOS 截止期，此时Cgs充电，正式进入放大期处：MOS 前一个拐点正式退出放大期，开始进入饱和期。：MOS 后一个拐点处将会增大电容，如驱动器的输出电压)施加到电容C上时(的电压当斜率为dt V 内的电流：
1）I=C×dV/dt （ Igate = I1 + I2，如下图所示。因此，向MOSFET施加电压时，将产生输入电流
，可得到：在右侧电压节点上利用式(1) ）（2-I1=Cgd×d(VgsVds)/dt=Cgd×(dVgs/dt-dVds/dt)
3I2=Cgs×d(Vgs/dt) （）即使是呈非线(Vds 就会下降源电压VgsMOSFET
如果在上施加栅-源电压，其漏- )。因此，可以将连接这两个电压的负增益定义为：性下降Av=- Vds/Vgs （4）
中，可得：(2)代入式(4)将式
1+Av）dVgs/dt （5）I1=Cgd×（为：Ceq过程中，栅-源极的总等效电容在转换(导通或关断)
）Igate=I1+I2=(Cgd×(1+Av)+Cgs)×dVgs/dt=Ceq×dVgs/dt （6这一项被称作米勒效应，它描述了电子器件中输出和输入之间的电式中(1+Av)-漏电压接近于零时，将会产生米勒效应。当栅容反馈。
Cds分流最厉害的阶段是在放大区。为啥？因为这个阶段Vd变化最剧烈。平台恰恰是在这个阶段形成。你可认为：门电流Igate完全被Cds吸走，而没有电流流向Cgs。
当Cgd通过mos放电结束后(即在平台区Cgd先放电然后Vgs给它充电)，MOS 进
入了饱和阶段，Vd变化缓慢。虽然Vgs 的增长也能够让部分电流流想Cds，但主要的门电流是流向Cgs 。门电流的分流比：I1：I2 = Cds：Cgs ，看看电流谁分的多？呵呵。
当mos放电结束后，近似地认为门电流全部流过Cgs，因此：Vgs重新开始增长
在手册中，Ciss=Cgs+Cgd
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd