华中科技大学901半导体物理(回忆版)2015年考研真题,暂无答案_3

华中科技大学2015考研901半导体物理真题

(回忆版)

一.名词解释 4*5’

1.共有化运动

2.简并半导体

3半导体的霍尔效应

4.半导体的塞贝克效应

二．填空题 10题每题两空每空一分（都是书上原话，但两个空是半导体器件的知识）

1.回旋共振一般是在（低温）下进行，回旋频率等于（共振频率）。

2.硅锗是（金刚石）型晶格结构，砷化镓是（闪锌矿）型晶格结构

3.杂质分为间隙式和（替位）式。缺陷分为（点）缺陷，线缺陷，面缺陷

4.散射非为（电离杂质散射）和（晶格振动散射）。

5.（迁移率）是载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，（扩散系数）是沿扩散方向，在单位时间每单位浓度梯度的条件下，垂直通过单位面积所扩散某物质的质量或摩尔数。

6.异质结通过（导电类型）的不同分为同型异质结和异型异质结，又通过（）分为Ⅰ型和Ⅱ型。---（第二个空课本上没有，我也不知道填什么）

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