文档库 最新最全的文档下载
当前位置:文档库 › 电子科学与技术专业英语 第一章(1)

电子科学与技术专业英语 第一章(1)

电子科学与技术专业英语  第一章(1)
电子科学与技术专业英语  第一章(1)

2.载流子的运输现象

在这一节中,我们将会去分析各种各样的载流子运输现象。这种现象发生在电场和浓度梯度影响下半导体中的载流子运动。我们先讨论剩余载流子注入的概念。剩余载流子在非平衡条件下会增加,这就是说,载流子的浓度的乘积p*n不等于平衡时ni*ni的值。回到平衡条件下,载流子的产生和复合过程将会在后面的章节中讨论到。我们在半导体的装置运算中取得一个基本的控制方程,它包括电流密度方程和连续方程。这一节我们对高场效应作了一个简单的讨论,高场效应会导致速度饱和和碰撞电离。这一节讨论到这就结束了。P18

P16 考虑一个在热平衡条件下的为均匀施主浓度n-类型的半导体样品,如在第1.1 节中所讨论的,在半导体导带中的传导电子,由于他们没有与特别的晶格或施主位置有关,所以基本上是自由的电子。晶格的影响是合并在一起的,电子的有效质量和电子的惯性质量有点不同。在热平衡下,那平均传导电子的平均热能可以从平均分配定理获得,每一个自由能为1/2kT ,k是波尔兹曼常数,t是居里温度。电子在一半导体有三个自由度;他们能在三度空间的空间内活动。因此, 电子动能可以由方程(1-13)得到。Mn是电子的有效质量和Vth 是平均热运动速度。在室温(300K) 那热的速度是对于硅和砷化镓来说大约为107 cm/s。

P17 在半导体的电子因此在各个方向快速地移动。作热的运动单一电子可以形象的当做是原子晶格或杂质原子或其他散射中心碰撞产生的连续随即散射。就像1- 7所阐述的。电子的随即运动在一个足够长的电子周期内会产生一个净位移。碰撞的平均距离为平均自由程,碰撞的平均时间为平均自由时间。平均自由程的典型的值为**,平均自由时间为1ps.

当一个小的电场E外加在半导体样品, 每电子会经历从那领域的一个力- qE,而且在此碰撞期间,会被沿着场的方向加速。因此, 一另外的速度成份将会是重叠在那电子的热的运动之上。这个另外的分量叫作漂流速度。由于随意热的运动产生电子的组合转移和漂流物分量如Flgurel_7(b)所示. 注意到,与外加电场方向相反的电子的一个净余换置。

P18我们能获得漂流物速度v, 藉由使冲量(力量x 时间)相等于,在相同的时间内, 加载在电子在那期间自由的飞行碰撞的动量。

相等是有根据的,在一定稳态所有碰撞得到的冲量是丧失在对碰撞的晶格里。外加的电子的冲量是- qEt,得到的动量是mn vn,我们得到(1-14)或(1-14a).

方程1- 14a 表明电子漂流物速度是外加的电场成比例的,比例因素倚赖于平均自由时间和有效质量。那比例因素叫做电子迁移率。

P19迁移率对于载流子转移来说是一个非常重要的参数,因为它描述了电子受外加电场的影响的程度,可以写一个相同的表达式对于价带中的空穴来说Vp是空穴迁移电压u是空穴的迁移率在eq中的负号没了,因为空穴在补偿方向上的转移和电场的方向是一样的。

P20 1-15迁移率在碰撞中和平均自由时间成正比,它是轮流由各种散射机制决定的,最重要的两种机制是由于在绝对零度以上任何温度的晶格热振动晶格散射机制和杂质散射机制.

这些振动影响了晶格周期势能和允许在载流子和晶格当中的能量.因为晶格振动随着温度的增加而增加,晶格散射在高温下在统治地位,所以迁移率随着温度的增加而增加,理论分析表明迁移率油晶格散射决定,它在比例温度中会增加

杂质散射是由于当一个带电载流子通过了电离掺杂杂质时发生的,带电载流子程将会偏析,是因为库仑力的吸引.杂质散射的几率依赖于电离杂质的浓度,也就是说,正离子和负离子的中和,但是,不想晶格散射那样,杂质散射变在高温下变得不这么明显,在高温时,载流子移动加快,它们在短时间内仍然在杂质原子附近所以有效的散射减少了.由杂质散射引起的迁移率的变化u在理论上为…t是总的杂质浓度.

发生在单位时间里碰撞的几率是所有碰撞几率的和因为各种的散射机制.

P20被测量的硅在五种不同受主浓度下的是温度函数的电子迁移率已经给出,插图表明了理论上依赖于电子迁移率的温度因为晶格和杂质散射,对于轻掺杂的样品,晶格散射起主要作用,对于重掺杂的试样,低温下的杂质散

射非常明显,迁移率随着温度的增加而增加,我们看看一个给定温度下掺杂浓度为…的试样,迁移率随着温度的增加而增加,因为提高了的杂质散射

被测量的在硅和GaSn中的迁移率作为室温下杂质浓度的一个函数已经给出,迁移率在低浓度下到达一个最大值,这相当于晶格散射的限制,电子和空穴迁移率随着杂质浓度的增加而减少,最后在高浓度下到达一个极小值,注意电子的迁移率比空穴的要大很多,主要由于很小的有效质量.

P20 1.2.2在前面的章节中,我们认为漂移电流就是在提供一个电场的情况下载流子的运动。如果在半导体材料中的载流子浓度有一个空间的变化,会产生另一个重要的电流分量,就是载流子倾向于从一个高浓度区域运动到一个低浓度区域。这个电流分量称为扩散电流。

P20要理解这个扩散过程,让我们先假设一个电子密度在X方向发生偏离。半导体在均匀温度下,因此电子的平均热能没有跟随X发生偏离,只有密度n(x)发生偏离。我们应该考虑在单位时间和空间内通过x=0面的电子数目。因为限定的温度,电子有具有一个热速度v和一个平均自由程l的随机热运动。(注意l = vthr,ro是平均自由时间)电子处于x=-l位置,即在左边的一个平均自由程,具有相同的几率向左或向右运动;在一个平均自由时间内,一半时间就可以运动通过x=0面。

因为每个电子都带有一个电荷q,所以载流子运动形成一个电D, ~ v~l is称为扩散系数。

扩散电流是和空间衍生的电子密度成正比的。扩散电流是由浓度梯度中随机热运动推导出来的。电子密度随x 增加,梯度是正的,电子会向x的负方向扩散。电流是正的,其流动方向和电子相反。

P21 1.2.3在热平衡中pn = n~的关系是有效的,如果非平衡载流子被输入到一个半导体中使得,我们就有一个不平衡状态。输入非平衡载流子的过程叫做载流子掺杂。我们可以用包括光激发和正向偏置一个pn结的多种方法掺杂载流子。在光激发的情况下,我们向一个半导体照一束光。如果光中的光子能量大于半导体中的禁带能量,光子会被半导体吸收并且有一个电子空穴对产生,h是普朗克常量,v是光频率。光激发提高了电子和空穴的浓度高于它们的平均值。这些外加的载流子成为非平衡载流子。

P22非平衡载流子的量值和决定掺杂程度的多子浓度有关。我们应该用一个例子来阐明掺杂程度的意思。多子浓度近似等于施主浓度,少子浓度来自p~o = n ~ / n ~0~ = 1.45 ~ 105。在这个符号中,第一个下标指半导体类型,下标o指热平衡条件。因此,单独的说,在平衡条件下的n型半导体中n~o p~o表示电子和空穴浓度。

P24-25当我们引进两类(例如,光激发)非平衡载流子到半导体,非平衡电子浓度必须等于非平衡孔穴浓度因为电子和空穴成对产生.如图1 -8 ( b )所示,增加少数载流子到10,因此,空穴浓度增加了七个数量级,在同一时间,我们增加大多数载流子向半导体。然而,这非平衡电子浓度是微乎其微相比原电子浓度。,多数载流子浓度百分比的变化只有百分之一。此条件下,非平衡载流子浓度相对于杂质浓度是很小的,即^n=^p<

P25图l - 8展示高层注入的例子.因为掺杂浓度的关系使被注射的非平衡载流子的数量是可相当于或大于载流子的数量,在这种情况下,这个注入的载流子浓度可能会压倒平衡时的多数载流子的浓度. P型相当于n, 就像图中所示。高级射入有时候在设备操作中遇到。然而, 由于在处理过程中的复杂性, 我们主要对低注入感兴趣.

1.2.4 产生和复合过程

每当这热平衡情况被打破时。在非平衡载流子被射入情况下, 恢复平衡的原理是被注射的少数载流子和多数载流子的复合。根据再结合过程的本质,复合过程所释放出的能量可以作为光子或热量发散到晶格。光子散发时的过程叫做辐射性再结合,否则叫做非辐射性再结合。

P25-26复合现象可以分为直接和间接复合过程. 也可叫做带对带复合,在直接能带隙半导体中直接复合占只配地位, 譬如砷化镓.在间接能带隙半导体中通过能带隙复合中心的间接复合占优势, 也可叫做带对带复合, 譬如硅.

P26-27) 直接复合

考虑一种半导体的直接能隙是在热平衡状态下。一些原子间的共价键被打破是由原子晶格连续的热振动引起的。当一个共价键被打破,电子和空穴就会成对出现。根据能带图,热能能够使电子由价带向上跃迁到导带同时留下一个空穴在价带上。这个过程被称为载流子产生,同时也被描述为形成率Gth(每立方米每秒钟产生电子和空穴对的数量)如图1-9(a)所示。当一个电子从导带跃迁到价带,一对电子与空穴对就会消失。这个反过程就称为再结合;它被描述为再结合率Rth如图1-9(a)所示。在热平衡条件下,形成率Gth必须与再结

合率相等以至于载流子浓度保持不变,同时pn = ni2也继续成立。

P27当载流子浓度过度时就引入一个直接能隙半导体,这在电子和空穴将再直接复合时是很有可能的,因为导带底和价带顶是整队的和没有足够跃迁过能隙的额外的晶体动力。直接复合率R被表示为与价带中空穴的数量的比例;那就是:R=??np

P27-28其中??是比例常数。同时讨论前面的,在热平衡条件下的再结合率必须与形成率平衡。因此,在n-型半导体中,有:Gth=Rth=Bnnopno

P28其中nno 和pno分别描述为电子和空穴在热平衡时在n-型半导体中的密度。当我们用光照射在半导体上就会产生电子空穴对时的速率GL(图1-9(b)),载流子浓度就会超出平衡值。

因此,纯粹的再结合率是与少数载流子浓度均衡的。明显地,在热平衡下U=0。比例常数1/?nno被称为寿命时间rp的过剩少数载流子。物理意义的一生,最能说明瞬态响应这一装置是在突然除去光源。考虑一个n-型的样本,如图1-10(a)所示,

这是用光来照射产生的电子-空穴对通过产生率GL均一地分布在整个样品中。图1-10(b)显示出空穴浓度随时间的变化。少数载流子再结合是以多数载流子和指数衰减与时间常数rp相对应的。

上述案例说明,其主要思想测量载流子寿命用光电方法。图1-10(c)展示出机械装置。剩余的载流子,通过光脉冲产生均一地分布在样品中,引起瞬间增加电导率。增加导电率体现了本身所下降电压通过抽样时当有恒电流通过它时。衰变的导电性能可以通过一个示波器来测量剩余少子的寿命时间。

P29 1.3 PN结

大多数半导体器件都包含1个P型和N型的结.这些PN结是根本功能表现如整流,增幅,开关,和另外一些电路元器件.在这里我们应该讨论PN结的平衡态和在稳态和不稳态下,经过PN结的电子和空穴的流动.

P30 1.3.1 平衡态

在这里我们我们希望建立有效的PN结数字模型和对它的性质的定性理解。在这个PN结之间一定存在一些规律,经过完整的数学处理将使简单的PN结的活动物理特征难理解;另一方面,在统计时,一个完整的定性分析将没用。当忽略那些轻微增加解决办法的小现象时,将能分析描绘数学模型的PN结。

PN结的数学模型简化了结的突变情况,像一个明显的均匀的P参杂在一边N参杂在另一边的结。这种模型表现出来的PN结很好;扩散型的结是缓慢变化的(在结的其中一边Nd-Na变化超过一个很大的范围)。结理论的基本观念是研究变化的结,我们能作适当的修正把理论推广到不同PN结。在这些讨论中,我们假定一维地流入横截面一致的样品。

P30-31 在这个截面中,我们研究稳态变化的结(外部没电场和内部没有电流)。我们发现在结的两边参杂的不同导致在两种材料之间的电位差。这是理论的结果,因为我们认为一些电荷在p材料和n材料之间扩散。另外,因为电子和空穴的漂移和扩散,我们发现通过结的电流有4部分。在平衡态这4部分没有静电流。但是,因为结的偏压的增加导致电场的增大,导致静电流。如果我们明白这本质是这4中电流的组成,无论有没有偏压,一个合理的PN结理论都成立成立。

P31让我们研究p型半导体材料和n型半导体材料的个别区域,将其一起形成一个结点(图形1-11)。这不足以形成一个设计,但它可以允许我们去发现均衡结点的要求。在它们参与之前,一个n型材料有高浓度的电子和一些空穴,反之相反的事物就是P型材料。在加入二个区域的基础上,我们认为会发生载流子扩散,因为大量的载流子倾向于结点。因而空穴从p极向n极扩散,电子从n极向p极扩散。因为扩散,电流不能不确定地增大。如果二个区域是装着红色空气分子和绿色空气分子的盒子(多半因为适当类型的的污染),最后这将会有一种相似的来自二种物质的混合物(在二个盒子合在一起以后)。当带电粒子在一个p-n结时的情况下,这将不会发生,因为空间电荷和电场的发展。如果我们认为在n型材料中,从n极到p极的扩散滞后于未补偿的施主离子(Nd+),在p区域移动的空穴滞后于未补偿的施方离子(Na-),很容易可以想象得到结点n极附近的正空间电荷和p极附近负电荷的发展。正电荷向负电荷移动产生了电场。因而@的方向和每种电流的扩散电流的方向相反(记起电子流动方向和电流方向相反).所以,那个区域生出一个从n极到p极的漂移分量,一个相反的扩散分量。

因为我们知道,没有净电流可以流过均衡结点,由于在E区域的漂移载流子产生的电流必须要完全抵消扩散电流。此外,由于这里没有净余电子累积或者空穴任一侧作为一个函数的期限,漂移电流和扩散电流必须以任一种载体形式相互抵消。

因此,电场积聚到某个程度的净电流为0时处于平衡状态。电场出现在一些关于结点的W区域,而且还有一个平衡电位差V o跨越W。在静电势图的图1-11(二)中,有一个梯度的电压在@的相反方向,与基本联系一致。我们假定电场为0时,在中立区域对外开放W。因而在n型材料的中性区域,有一个稳定电压v,在p 型材料中,有一个稳定电压Vp,以及电位差v= v. - %介于二者之间。

区域W是所谓的过渡区,以及电压不同于Vo,叫接触电压。跨越W区域的接触电压是一个内置的势垒。(1)空穴扩散(3)电子扩散

(2)空穴漂移(4)电子漂移

(图1-12中的p-n结点的斜线作用;在W区域的过渡区的宽度和电场,静电势,能带图,粒子流和电流方向是因为:(a)平衡,(b)正向偏压和(c)反向偏压。)

因为这有必要去维持结点的均衡;这并不意味着任何外部电压。切确的说,接触电压不能通过在二个仪器之间接一个伏特计来测量,因为新的接触电位是形成于每个探针的,正好抵消了Vo。通过定义,Vo是一个均衡量,而且净电流不能产生它。

P35-37接触电压如图1- 11(b)中那样将能带分离开来;在p区的价带和导带比在n区的高qVo的数量。能带在平衡状态时的分离仅仅需要在器件各处使费米能级保持不变。我们将在下一节证明这是正确的。不过,从热力学的论点,我们可以预测到费米能级空间变化的缺乏。任何在准费米能级里的梯度意味着净电流。由于在平衡状态时EF=Fn=Fp,又由于净电流必须等于零,我们的结论是EF在pn结中必须保持不变。因此,我们能够简单地通过画一个像图1 –11 (b)这样费米能级一致的图表,知道pn结的能带分离。为了得到在结的两边V o和掺杂浓度的定量关系,我们必须用到漂移和扩散电流方程平衡的条件。空穴电流的漂移分量和扩散分量在平衡状态是刚好相互抵消的。

1.3.2 正向和反向偏置的P-N结的一个有用的特征是,当p区相对于n区有一个正向外部偏置电压时,电流能够相当自由地以p区到n区的方向流动(正向偏置和正向电流),反之,当使p区相对于n区是负的时候(反向偏置和反向电流),本质上没有电流流动。这个电流流动的不对称使p-n结型二极管作为整流器时非常有用。作为一个整流的例子,假设一个正弦a-c发生器与一个电阻和一个二极管串联,它只能通过一个方向的电流。由此产生的通过电阻的电流将只反映一半的正弦信号,例如只有正的那半圈的信号。经过整流的正弦波有一个平均值,比方说可以用来给蓄电池充电;另一方面,输入正弦波没有平均值。二极管整流器在电子电路的应用方面有用,特别是在“波形整形”方面(利用二极管的非线性来改变随时间变化的信号的形状)。虽然整流是一个重要的应用,但它只是偏置结许多用途的开始。偏置的p-n结能够用来作为可变电压电容器、光电池、光信号发生器,还有更多基本的现代电子器件。两个或更多的结能够用于构成晶体管和可控开关。在这一节中我们由对偏置的结中电流流动的定性描述开始。有了前一节的背景知识,电流流动的基本特征理解起来相对简单,而这些定性的概念形成了对结中的正向和反向电流的分析性描述的基础。我们假设外加偏置电压出现在结的过渡区中,而不是在电中性的n区或p区。当然,如果一个电流流过电中性材料,在这里会有一些电压降。但是,在大多数的p-n结型器件中,与它的面积相比,每个区域的长度是很小的,而掺杂通常是中等到重度掺杂;因此每个中性区的电阻是很小的,在空间电荷(过渡)区外,只有很小的电压降能被维持。对于几乎所有的计算,假设外加电压完全出现在过渡区是正确的。当在p区外部偏置电压相对于n区是正的时候,我们应该把V当成是正的。

P37-38当外加电压改变静电势垒和过渡区域的电场, 我们会期待改变P-N结的电流分量(Figurel- 12)。另外,能带的分离会受到外加偏置电压的影响,也会受到损耗区宽度的影响。让我们从精确检测外加电压对结的重要性能的影响开始。在P-N结上由正向外加偏置电压Vf引起的静电势垒从平衡接触电压V0降到Vo-Vf。这势垒降低的发生,因为正向偏压增加了相对于N区来说的P区的静电势。反向偏置电压时相反情况出现,相对于N区来说P区的静电势会降低,而P-N结的静电势垒会变得更大( V0+ Vr)。

过渡区的电场能从势垒推导出来。我们意识到场会随着正向偏置电压而减少,因为外加电场和内电场相反。

P-N结的反向偏置电压区域会随着外加电场而增大,藉由反面的偏见领域在联接被增加,由于反向偏置电压的存在PN结的电场会随着外加电场而增加,这个增加的方向趋势是趋向平衡的PN结里的电场变化要求跃迁宽度的变化,然而它也要求有固定数目的正负电荷提供给电场。所以,我们希望那宽度减少到低于正向偏压同时增加到低于反向偏压。在PN结里能带分离是静电能垒的一个直接函数。电子能垒的高度就是简单由电子电荷×静电能垒的宽度。所以在正向偏置时分离出来的能带比平衡时的少q(vo-vf),而在反向偏置时比平衡时的多q(vo-vr)我们假设在中性区深处费米能级基本上是一个平衡值。所以在偏置下的能带漂移意味着结的任何一区的费米能级的分离。在正向偏压下,在N区的费米能级Efn比在P区的费米能级Efp大qVf,在反向偏压下,Efp比Efn高qVf,在能量单位是电子伏特时,在外加电压下费米能级在两个中性区分离

扩散电流是由多数电子载体组成,电子从N区静电能垒顶上扩散到P区,在它们的能垒顶的空穴从P扩散到N。在N区导带上存在者电子的能量分布,一些分布在的高能态的电子有足够的能量从N扩散到P在平衡时不会因能垒而停止。由于正向偏置电压,然而那能垒会降低到(vo-vf),同时在N区导带上很多电子有充足的能量从n扩散到P。类似的,在正向偏压下许多的空穴能从P扩散到N因为降低能垒。对于反向偏压,能垒变得很大( V0 + Vf)

然而事实上在N区导带或者P区的价带上没有电子或者空穴有足够的能量去超越它。所以,对于反向偏压来说,这扩散电流通常可以忽略。P39漂移电流对势垒的高度是相当不敏感的。这起先听起来很奇怪,因为我们通常会认为,在有充足的载流子的材料,漂移电流是完全相称到外加电场的。这个明显不规则的原因是,漂移电流被阻止不是因为载流子以多快的速度掠过势垒, 而是频率。举例来说,在p区,进入过渡区的因电场作用而掠过势垒的少数载流子,引起漂移电流的电子成分。不过,这个电流小不是因为势垒的大小,而是因为在p 区有极少数的少数载流子加入。在p区,每个电子扩散到过渡区都将掠过势能峰,无论峰是大或是小。电子漂移电流不是决定于个别电子从p区掠过n区的速度,而是决定于每秒掠过势垒的电子数量。类似的解释适用于少数空穴从n区漂移到p区的交界处。取一个恰当的近似值,因此电子和空穴在结的漂移电流与外加电压无关。在交界的两边,须加入电流的漂移成分的少数载流子的补给是由电子-空穴对的热激发产生的。举例来说,一个在p区交界附近产生的电子-空穴对,在p型材料里提供了一个少数电子。如果那个电子-空穴对产生在一个扩散长度为Ln的过渡区内,电子将能扩散到交界处并且掠过能垒到达n区。那因产生的载流子漂移通过交界得到的电流俗称为产生电流,其大小完全决定于电子-空穴对的产生速度。我们稍后将讨论到,在交界附近,这个产生电流会因光激发而大大增加(pn结光电二极管)穿过交界的总电流是由扩散和漂移成分的总和组成的。如图1-12所示,电子和空穴的扩散电流都是定向地从p到n(虽然两边的粒子流动方向是相反的),而漂移电流是从n到p的。在平衡状态时,通过交界的净电流是0,因为漂移和扩散的成分抵消了各自的载流子(平衡电子和空穴成分不需要相等,如图1-12,只要空穴净电流和电子净电流都是0)在反偏压之下,两边的扩散成分都是可以忽略的,因为在交界处有巨大的能垒,而且唯一的电流是从n到p的相对较小的(本质上独立电压)产生电流。这产生电流被显示在图1-13中,在草图中典型的I-V曲线为一个p-n结。在这个图中,正向电流I是从p到n的,而当电池正电极接到p,负电极接到n时,外加电压V是正向的。V为负值时,在p-n 结二极管里,唯一流动的电流是由在过渡区产生的载流子或者是由扩散到交界而被收集的少数载流子产生的小电流。那电流在v=0(平衡状态)时为0,因为产生和扩散电流相抵消

P41我们将在下一个区段中见到,外在的斜线V= Vf通过因子exp (qVr/kT)作用增加了载流子扩散通过结点的概率。因此,在低于斜线的扩散电流由平衡值乘以exp (qV/kT)来决定; 同样地,对于相反方向斜线的扩散电流是被相同的因素的平衡值减少而决定,有V=- Vr.既然平衡扩散电流和| I (gen.) |有相同的数量级, 那么扩散电流的多少就可以简单地用| I (gen.) |exp (qV/kT)来表示. 总电流I由扩散电流减去产生电流的绝对值, 并且将会提及到Io

1 = lo (eqv/kr - 1) (1-20)

在公式(1- 20) 中实际电压V 可能是正的也可能是负的,即V= Vf 或V=- Vr 。当V 的取值稍微超过kT/q (室温下kT/q =0.0259V)时,指数的期限比个体远大得多.电流指数因此会随着斜率的增加而增加.当V 是负的(相反的斜线), 指数的值将会接近零,并且电流为-I0 , 也就是电流从n 结流向p结的方向。这反方向产生的电流称为反面饱和电流.图1-13 的显著特征显示了I-V的非线性特性。电流在二极管的正方向相对自由地流动,但在相反方向几乎没有电流。

在先前的区段讨论中我们知道在p-n结两边的少数载流子的浓度随着实线的变化而变化,由于载流子通过结点时产生变化.两边空穴的浓度平衡比pp/pn=eqvo/kT (1-21)

对直线同样有p(-xpo)/p(xno)=eq(V o-v)/kT (1-22)

这个方程式可以由公式1-21同理获得,并会随V0-V的值而改变.它使得过渡层两边的稳定状态空穴浓度与任一边或相反方向的斜线联系起来(V为正或者为负时).对于浅掺杂,我们可以忽略那些和平均值相比斜线只有微小变化的多数载流子浓度.用公式(1-21)和公式(1.22)简并起来,我们可以写出如下的比值

P43( 1 - 23)表明在边缘的过渡区大大增加少子空穴浓度比n 边的区域在平衡的情形下偏袒p(Xn0) ,相反,在反向偏置下空穴浓度~被减少到均衡值~,该指数增长的空穴浓度在xn0由于正向偏置,一个例子如少数载流子注入。我们可以很容易从Eq中计算过剩空穴浓度△p由在边缘的过渡区浓度减去平衡空穴浓度。通过最后一部分我们对非平衡载流子的学习,我们期望在~对△p稳定浓度中注入非平衡空穴n 材料中将会产生非平衡载流子的分配,由于空穴弥漫到更深的n区,在n型材料中他们与电子的复合,而且那产生的非平衡空穴分布作为扩散方程的获得的解,如果n 区很长与空穴扩散长度Lp的解是指数方程,同样,注入的电子在P 型材料中的扩散与复合,也能得到一个非平衡电子的指数分布函数。为了方便起见,让我们定义两个新的坐标:测量距离在x方向n型材料从xn0标明Xn距离;P44 p型材料在-x方向标明-xp0距离,原点标为xp0。对这些约定做简化的数学处理。我们可以写扩散方程为:pn结每边而且为非平衡载流子的分布解假设长的n区和p区在n型材料中Xn任何点的空穴的扩散流可以被计算A是pn结的横截面面积,因此空穴的扩散流在每一个位置与非平衡空穴浓度每一个位置成正比。总的空穴流注入到n型材料中在pn结处可以简单的估计Eq (1- 27) 表示电子涌流与方向相反; 这就是说,In真正的方向,在正+ x方向,在总电流加上IP,如果我们忽略复合在过渡区,我们烤炉到每一个注入的电子到达~必须通过~,因此,总的二极管电流I在Xn出可以计算作为总的~和~。如果我们采取的方向作为参考方向为总电流i 方向,我们必须使用减号~来解释Xp是定义在-X方向的

p型材料在-x方向标明-xp0距离,原点标为xp0。对这些约定做简化的数学处理。我们可以写扩散方程为:pn结每边而且为非平衡载流子的分布解假设长的n区和p区

在n型材料中Xn任何点的空穴的扩散流可以被计算A是pn结的横截面面积,因此空穴的扩散流在每一个位置与非平衡空穴浓度每一个位置成正比。总的空穴流注入到n型材料中在pn结处可以简单的估计Eq (1- 27) 表示电子涌流与方向相反; 这就是说,In真正的方向,在正+ x方向,在总电流加上IP,如果我们忽略复合在过渡区,我们烤炉到每一个注入的电子到达~必须通过~,因此,总的二极管电流I在Xn出可以计算作为总的~和~。如果我们采取的方向作为参考方向为总电流i 方向,我们必须使用减号~来解释Xp是定义在-X 方向的

P45方程(1 -2 7),是二极管方程具有相同的形式定性关系推导排除了这个可能性,总电流通过二极管正向反向偏压计算电流反向偏压简单而有启发性计算总电流要考虑注入电流供应载体为超额分配超额分配供给空穴维持稳态指数分布重组总正电荷储存在过剩载波分布在任何瞬间的时间是Qp = qALp△pn (1-29)寿命空穴n型材料整个电荷分布复合、组合补充注入空穴电流xn = 0 )维持分布总电荷除以平均交换时间

Ip(x. = O) = Qp/rp = qA~p,Dp/Lv (1-30)

Dp/Lp = Lp/rp相同的结果计算扩散电流同样计算负电荷储存分布获得注入电子电

流材料这种方法电荷控制近似法表明少数载流电流跌幅指数中立区。因此扩散长度远离结总电流多数载流子在下一节我们更详细的讨论这一点总之计算电流p-n结斜率过剩少数载流子分布在两边过渡区稳态电荷储存在各发行加入空穴电流电子注入减号符合常规定义积极电流方向能够增加由于假设重组发生过渡区总电子空穴电流设备常数设备尽管误差在目前组件描述位置二极管

P46 Eq(1-28)的一个含义是在结点的总电流是由从重掺杂到轻掺杂的载流子所支配的。例如,如果p材料是重掺杂,n区域是轻掺杂,那么在p的一边的少数载流子浓度对于n的一边来说是可以忽略的。因此,二极管的方程式可以近似认为的只有空穴决定,与Eq(1-27)的情况一样。这就意味着少数载流子储存电荷的分布是由n的一边的空穴决定的。这种结构叫p+ -n结,上标的+表示重掺杂。P+-n或者n+-p结构的另外一个特征是跃迁区域主要延伸到轻掺杂区域。很多实际的设备都是有一边是重掺杂分布的,比如我们的开关二极管和晶体管。用逆向掺杂制造的类型在很多设备普遍用到。比如,一个Nd=1014的n型硅可以用作合金和扩散的反应物。如果p区域掺杂大于1019cm-3,那么这种结构无疑就是p+-n,因为np型比pn型要小五个数量级以上。既然这种结构在科技设备上这么普遍应用,我们将在下面做更多的讨论。

在载流子和少数载流子的分配的讨论中, 我们已经主要地假定向前的偏差。如果v的负值可以被引入,那么偏差的分布也可以从反面相同的条件得到。例如,如此为反面偏差大于十分之一伏特,在过渡区的边缘的少数载流子浓度变成零变成本质上零如过度集中接近平衡集中的否定。在中性区域的过量的少数载流子浓度是由Eq (1-25)提供的,以便在下面的载流子的消耗平衡值大约扩充散布长度超过转变区域。这个少数载流子的相反-偏差消耗能被认为是少数的载流子的提取, 类似之前对偏差的注入。实际上提取发生因为少数载流子在边缘那消耗区域在联接被扫射下来在结点到另一边而且这是不能被相反方向扩散的载流子取代的。举例来说,当空穴在Xno 被电势场领域的p 边在整个联接被扫射的时候,在n 材料空穴分布有一个倾斜度存在,而且在n 区域的空穴向结点扩散。重要的是,虽然方向相反的电流发生在结点由于载流子的漂移,这个电流由每边中间区域的两边的少数载流子流入的。横过结点的载流子漂流物的比率(电流的相反方向) 取决于空穴到达Xno的从中间材料扩散的比率。这些少数载流子因为热激发而产生的,我们可以用电流的相反方向表示,用在过渡区域的每边散布的长度比率表示热激发产生的载流子。P43

对学电子科学与技术、电子信息科学与技术专业的大学生的忠告

对学电子科学与技术、电子信息科学与技术专业的大学生的忠告 一、计算机学习: 大一: 1、Visual Basic:最适合入门的计算机语言,功能很强,而且用起来无比方便。对我们专业的学生来说也很实用,可以在以后的各种与计算机相连的项目中用来设计界面。但不宜过于深入,掌握基本的东西,能做基本的界面即可。还应注意其在数据库程序设计方面的用法。 2、C语言:这个基本不用介绍了,可以说它之于我们专业就如嗓子之于歌唱家。你说你能不好好学学吗?强烈建议精通! 3、业余适当学习一些业余软件,费时不多,受益多多,比如:Photoshop、Flash等等。这些东西对以后的工作和生活都有很大帮助,但请记住我们的方向,不要沉迷,不要过于深入。 大二: 1、MATLAB:理工科学生不可不知的软件,功能实在是无比强大,因此也就很难掌握。但需注意与自己专业相连,因此我们重点学习其在数值计算、信号处理、控制系统设计等方面的应用。(配套课程:《高等数学》、《线性代数》、《信号与系统》、《自动控制原理》等) 2、Multisim:主要用于电路仿真,当我们学习数电、模电时如果能用其模拟一下课本或作业中的电路,绝对会对我们的学习有不小的帮助。而且操作简单,结果直观,实乃精品。(配套课程:《电工学》、《数字电子技术基础》、《模拟电子技术基础》等) 3、LabVIEW:又一款不可不知、不可不学的经典软件,很多电子工程师都在用它来帮助提高自己的工作效率。相信每一个用过该软件的人都能真正体会到软件编程的快乐。(配套课程:《数据采集》、《自动检测系统》等) 4、Protel:制作电路板的最经典和最为普及的软件。为了我们以后的发展,为了以后设计系统以及做各种项目的需要,此软件我们必不可少。(配套课程:《电路CAD》) 大三: 1、单片机:如果我们专业需要吃饭,那可以毫不夸张地说这就是我们的饭碗所在!专业的核心也正在此,如果你想找一份好工作,想幸福地生活,单片机你不能不精通。当然,此处我们默认是指课程中广泛学习的MCS-51系列单片机。(配套课程:《单片机基础》) 2、Keil C:学习单片机除了课本上的汇编语言以外,很明显,我们更重要的还要精通单片机开发的C语言,而学习用于单片机开发的C语言,我们当然离不开Keil C!(配套课程:《单片机基础》) 3、Proteus:我们学习单片机最需要的是什么?当然是开发板、编程器,然而这些东西价钱又不是那么便宜,对我们学生来说是一笔不小的负担。很多学生都会被学习单片机的昂贵的开销所吓怕。然而,当你拥有了这款软件,你就会很惊奇的发现那一切都将成为历史;你会

电子信息专业英语复习资料

电子信息专业英语复习资料 一、基本术语(英译汉) 1.probe探针 2.real time operational system 实时操作系统 3.debugger 调试器 4.sourse code 源代码 5.software radio wireless LAN 软件无线电网络 6.base station 基站 7.top-down approach 自顶向下分析法 8.variable 变量 9.data compress 数据压缩 10.signal conditioning circuit 信号调理电路 11.Chebyshev Type Ⅰfilter 切比雪夫Ⅰ型滤波器 12.vertical resolution 垂直分辨率 13.device driver 设备驱动 https://www.wendangku.net/doc/2a8632246.html,piler 编译器 15.template 模板 16.concurrent process 并发进程 17.object recognition 目标识别 18.Discrete Time Fourier Transform 离散傅立叶变换 https://www.wendangku.net/doc/2a8632246.html,bined circuit 组合逻辑电路 20.impedance transform 阻抗变换器 21.voltage source 电压源22.passive component 无源器件 23.quality factor 品质因数 24.unit-impulse response 单位脉冲响应 25.noise origin 噪声源 26.Domino effect 多米诺效应 27.output load 输出负载 28.cordless phone 无绳电话 29.Antenna 天线 30.harmonic interference 谐波干涉 31.Parallel Resonant 并联谐振 32.voltage control oscillator 压控振荡器 33.adaptive delta modulation 自适应增量调制 34.amplitude modulation 调幅 二、缩略语(写出全称) 1.LSI:large scale integration 2.PMOS :p-type metal-oxide semiconductor 3.CT:cycle threshold 4.MRI:magnetic resonance imaging 5.ROM:read-only memory 6.DRAM :dynamic random access memory 7.TCXO :temperature compensated X'tal (crystal) Oscillator https://www.wendangku.net/doc/2a8632246.html,B:Universal Serial Bus 9.DCT:discrete cosine transform

微电子专业英语

微电子学专业词汇 A be absorb in 集中精力做某事 access control list 访问控制表 active attack 主动攻击 activeX control ActiveX控件 advanced encryption standard AES,高级加密标准 algorithm 算法 alteration of message 改变消息 application level attack 应用层攻击 argument 变量 asymmetric key cryptography 非对称密钥加密 attribute certificate属性证书 authentication 鉴别 authority 机构 availability 可用性 Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源(放大)区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device 合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 Aluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火

电子信息工程专业英语作业3

Lesson eight 第八课 Ⅱ.翻译句子,并注意remain和above的词类和词义 2. In this case the voltage applied must remain unchanged. 在这种情况下,那个应用电压必须保持不变 4. If you take 3 from 8, 5 remain. 如果从8中拿走3,剩5. 6. The above property was discovered by Faraday. 法拉第发现以上性质。 8. Lenz states that the self-induced emf impedes any change of current and tends to support the former current value. The above is known as Lenz’s law. 楞茨陈述自感电动势阻止电流的变化而保持先前电流的值。上面就是我们所知的楞 次定律。 Ⅲ.翻译句子,注意some的词义 2. That radio receiver weighs some five kilograms. 那个无线接收器重五公斤。 4. Some element in the substance is not known. 物质中的一些元素是人们不知道的。 Ⅳ.翻译句子,注意句中one 的不同用法和词义。 2. This concept was discussed in Chapter One. 这个概念在第一张讨论过。 4. No one can lift this equipment. 没人能举起这件设备。 6. This chapter will deal with one of the three functions of a turning circuit. 这章我们将介绍螺旋电路三个功能中的一个。 8. Before one studies a system, it is necessary to define and discuss some important terms. 在研究一个系统之前,确定且讨论一些重要的术语是有必要的。 Ⅴ.画出句中的名词从句,说明其种类,并将句子译成汉语。 2. These experiments do not show which particles. 这些实验不能显示他们的粒子结构。 4. The operating point is determined by how much bias is used. 操作要点是被用多少偏压决定的。 6. It is not important how this voltage is produced. 这个电压是怎么产生的并不重要。 8. It may be questioned whether this approach is the best for the physicist. 这种方式最适合于医生可能会被质疑。 10. This ball may be used to determine whether that body is charged. 这个球可能用于检测是否身体是带电的。 12. It is known that charged particles emit electromagnetic waves whenever they are accelerated. 众所周知的当电子被加速他们就会发射电磁波。 14. The value of this factor determines how fast the amplitude of the current

微电子专业英语词汇

A Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区 Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活 Activation energy 激活能Active region 有源(放大)区Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device 合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的,非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation 雪崩激发B brute-force attack 强力攻击Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向 Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency 基区输 运系数 Base-width modulation 基区宽度 调制Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT) 双极晶体管 Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 Body-centred cubic structure 体 立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 Bootstrapped emitter follower 自 举射极跟随器 Boron 硼 Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 Break down 击穿 Break over 转折 Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 Bulk 体/ 体内 Bulk absorption 体吸收 Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 Burn - in 老化 Burn out 烧毁 Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散 区 C Caesar cipher 凯撒加密法 capacitance 电容 capture categorize 分类 chaining mode 链接模式 challenge 质询 cipher feedback 加密反馈 collision 冲突 combine 集成 compatibility n.[计]兼容性 component 原件 confidentiality 保密性 constraint 约束 corresponding to 相应的 Cryptography 密码学 Can 外壳Capacitance 电容 Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 Cascade 级联 Case 管壳 Cathode 阴极 Center 中心 Ceramic 陶瓷(的) Channel 沟道 Channel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻 抗 Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电 荷补偿效应 Charge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中 性条件 Charge drive/exchange/sharing/transfer/st 1

电子科学与技术专业本科生培养方案-哈尔滨工业大学

电子科学与技术专业本科生培养方案 一、培养目标 本专业培养具有良好的思想品德与人文素养,具有健康的体魄和良好的心理素质,具备电子技术、计算机技术、信息处理技术、光电子技术、光通信技术等领域扎实的自然科学基础和技术基础以及宽广的专业知识与较强的实验技能,具有良好的外语能力,具有创新意识和工程实践能力以及跟踪掌握本专业新理论、新知识、新技术的能力,能在光电子技术等领域从事研究、开发、制造及管理方面工作的电子科学与技术学科复合型人才。 二、培养要求 本专业学生主要学习物理学、工程数学、电子学等方面的基础理论和基本知识,在光电子器件方面受到设计、制造及测试技术的基本训练,掌握文献资料检索的基本方法, 具有较强的本专业领域实验技能与工程实践能力,初步具有研究、开发新系统、新技术的能力。 毕业生应获得以下几方面的知识和能力: 1.掌握电子科学与技术学科的基本理论、基本知识; 2.会综合设计实验方案,熟悉常用的实验仪器设备,会总结和分析实验结果,初步具备工程设计和分析、解决实际工程问题的能力; 3.具有较强的自学能力,能独立思考、灵活运用所学知识,掌握数值计算方法、演绎推理法、数学归纳法等,具有初步的理论推导、演绎和证明能力; 4.具有通过网络或其它检索工具获取信息的能力,会利用文献信息资源分析课题、评价检索结果,初步具备科技写作能力。 三、主干学科 电子科学与技术。 四、专业主干课程 专业的主干课程由学科基础课与专业方向课组成,体现了厚基础与宽口径的指导思想。学科基础课围绕电子技术、计算机技术、理论物理的基本知识设置。主干课程为:电路、模拟电子技术基础、数字电子技术基础、信号与系统、数字信号处理、微机原理与接口、嵌入式系统及应用、物理光学、原子物理、量子力学、电动力学、激光原理、光电子器件与技术、光电信号探测、光纤光学及应用等。 五、修业年限、授予学位及毕业学分要求 修业年限:四年。 授予学位:工学学士。 毕业学分要求:本专业学生应达到学校对本科毕业生提出的德、智、体、美等方面的要求,完成教学计划规定的全部课程的学习及实践环节训练,修满167.5学分,其中通识教育类课程 66.5学分,专业教育类课程68.0学分,实践环节33.0学分,毕业设计(论文)答辩合格,方可准予毕业。

微电子中英文专业词汇

Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源(放大)区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium)铝 Aluminum - oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器 Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic (AS)砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙 Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管

电子信息类专业英语翻译

1.This electron beam sweeps across each line at a uniform rate,then flies back to scan another line directly below the previous one and so on,until the horizontal lines into which it is desired to break or split the picture have been scanned in the desired sequence. 电子束以均匀的速率扫描每一行,然后飞速返回去扫描下一行,直到把被扫描的图像按所希望的顺序分割成行。 2.The technical possibilities could well exist,therefore,of nation-wide integrated transmission network of high capacity,controlled by computers,interconnected globally by satellite and submarine cable,providing speedy and reliable communications throughout the word 因此,在技术上完全可能实现全国性的集成发送网络。这种网络容量大,由计算机控制,并能通过卫星和海底电缆实现全球互联,提供世界范围的高速、可靠的通信。 3.Transit time is the primary factor which limits the ability of a transistor to operate at high frequency. 渡越时间是限制晶体管高频工作能力的主要因素 4.The intensity of sound is inversely proportional to the square of the distance measured from the source of the sound. 声强与到声源的距离的平方成反比。 5.The attenuation of the filter is nearly constant to within 0.5 dB over the entire frequency band. 该滤波器的衰减近于恒定, 整个频带内的变化在0.5 dB以内。 6.At present, the state of most semiconductor device technology is such that the device design and process technology must be supplemented by screening and inspection procedures, if ultimate device reliability is to be obtained and controlled. 目前, 大多数半导体器件的技术尚未十分完善, 以至若要获得并控制器件最终的可靠性, 就必须辅以筛选和检验, 以弥补设计和工艺技术之不足 7.Bandwidth of transistor amplifiers vary from about 250 MHz in the L band to 1000 MHz in the X band. 晶体管放大器的带宽在L波段约为250 MHz, 在X波段为1000 MHz。 8.The output of the differential amplifier is fed to the circuit’s output stage via an offset-compensation network, which causes the op-amp’s output to center at zero volts. The output stage takes the form of a complementary emitter follower, and provides a low-impedance output. 差动放大级的输出通过一个失调补偿网络与输出级相连, 目的是使运放的输出以0 V为中心。输出级采用互补的射极跟随器的形式以使输出阻抗很低 9.Because of the very high open-loop voltage gain of the op-amp, the output is driven into positive saturation (close to +V) when the sample voltage goes slightly above the reference voltage, and driven into negative saturation (close to-V) when the sample voltage goes slightly below the reference voltage. 由于运放的开环电压增益很高, 当取样电压略高于参考电压时, 输出趋向于正向饱和状态(接近+V)。当取样电压低于参考电压时, 输出趋向于负向饱和状态(接近-V)。 10.If the signal source were direct connected instead of capacitor coupled, there would be a low resistance path from the base to the negative supply line, and this would affect the circuit bias conditions. 如果信号源和电路不是用电容耦合而是直接相连,从基极到负电源线就会一个低阻通路,并且这将影响到电路偏置状态 11.The differential amplifier has a high-impedance (constant-current)“tail”to give it a high input impedance and a high degree of common-mode signal rejection. It also has a high-impedance collector (or drain) load, to give it a large amount of signal-voltage gain (typically about 100 dB). 差动放大极有一个高阻抗的“尾巴”(恒流源)以提供高输入阻抗和对共模信号的深度抑制,同时,它还具有一个高阻抗和集电极或漏极负载以提供高的信号电压增益(典型的数据是100dB). 12.On the other hand, a DC negative-logic system, as in Figure 3.6(b), is one which designates the more negative voltage state of the bit as the 1 level and the more positive as the 0 level. 另一方面, 如图3.6(b)所示, 把比特的较低的电压状态记为1电平, 较高的电压状态记为0电平, 这样的系统称为直流负逻辑系统。 13.For example, to represent the 10 numerals (0, 1, 2, …, 9) and the 26 letters of the English alphabet would require 36 different combinations of 1’s and 0’s. Since 25<36<26, then a minimum of 6 bits per bite are required in order to accommodate all the alphanumeric characters. 例如,要表示0~9十个数字和英文字母表中的26个字母,就需要0和1的36种不同的组合。因为25<36>26,

电子信息工程专业英语词汇(精华整理版)

transistor n 晶体管 diode n 二极管semiconductor n 半导体 resistor n 电阻器 capacitor n 电容器 alternating adj 交互的 amplifier n 扩音器,放大器integrated circuit 集成电路 linear time invariant systems 线性时不变系统voltage n 电压,伏特数 tolerance n 公差;宽容;容忍condenser n 电容器;冷凝器dielectric n 绝缘体;电解质electromagnetic adj 电磁的 adj 非传导性的 deflection n偏斜;偏转;偏差 linear device 线性器件 the insulation resistance 绝缘电阻 anode n 阳极,正极 cathode n 阴极 breakdown n 故障;崩溃 terminal n 终点站;终端,接线端emitter n 发射器 collect v 收集,集聚,集中insulator n 绝缘体,绝热器oscilloscope n 示波镜;示波器 gain n 增益,放大倍数 forward biased 正向偏置 reverse biased 反向偏置 P-N junction PN结 MOS(metal-oxide semiconductor)金属氧化物半导体 enhancement and exhausted 增强型和耗尽型 integrated circuits 集成电路 analog n 模拟 digital adj 数字的,数位的horizontal adj, 水平的,地平线的vertical adj 垂直的,顶点的amplitude n 振幅,广阔,丰富attenuation n衰减;变薄;稀薄化multimeter n 万用表 frequency n 频率,周率 the cathode-ray tube 阴极射线管 dual-trace oscilloscope 双踪示波器 signal generating device 信号发生器 peak-to-peak output voltage 输出电压峰峰值sine wave 正弦波 triangle wave 三角波 square wave 方波 amplifier 放大器,扩音器 oscillator n 振荡器 feedback n 反馈,回应 phase n 相,阶段,状态 filter n 滤波器,过滤器 rectifier n整流器;纠正者 band-stop filter 带阻滤波器 band-pass filter 带通滤波器 decimal adj 十进制的,小数的hexadecimal adj/n十六进制的 binary adj 二进制的;二元的octal adj 八进制的 domain n 域;领域 code n代码,密码,编码v编码 the Fourier transform 傅里叶变换 Fast Fourier Transform 快速傅里叶变换microcontroller n 微处理器;微控制器assembly language instrucions n 汇编语言指令 chip n 芯片,碎片 modular adj 模块化的;模数的 sensor n 传感器 plug vt堵,塞,插上n塞子,插头,插销coaxial adj 同轴的,共轴的 fiber n 光纤relay contact 继电接触器 single instruction programmer 单指令编程器 dedicated manufactures programming unit 专 供制造厂用的编程单元 beam n (光线的)束,柱,梁 polarize v(使)偏振,(使)极化 Cathode Ray Tube(CRT)阴极射线管 neuron n神经元;神经细胞 fuzzy adj 模糊的 Artificial Intelligence Shell 人工智能外壳程序 Expert Systems 专家系统 Artificial Intelligence 人工智能 Perceptive Systems 感知系统 neural network 神经网络 fuzzy logic 模糊逻辑 intelligent agent 智能代理 electromagnetic adj 电磁的 coaxial adj 同轴的,共轴的 microwave n 微波 charge v充电,使充电 insulator n 绝缘体,绝缘物 nonconductive adj非导体的,绝缘的 antenna n天线;触角 modeling n建模,造型 simulation n 仿真;模拟 prototype n 原型 array n 排队,编队 vector n 向量,矢量 wavelet n 微波,小浪 sine 正弦cosine 余弦 inverse adj倒转的,反转的n反面;相反v 倒转 high-performance 高精确性,高性能 two-dimensional 二维的;缺乏深度的 three-dimensional 三维的;立体的;真实的 object-oriented programming面向对象的程序 设计 spectral adj 光谱的 attenuation n衰减;变薄;稀释 distortion n 失真,扭曲,变形 wavelength n 波长 refractive adj 折射的 ATM 异步传输模式Asynchronous Transfer Mode ADSL非对称用户数字线Asymmetric digital subscriber line VDSL甚高速数字用户线very high data rate digital subscriber line HDSL高速数据用户线high rate digital subscriber line FDMA频分多址(Frequency Division Multiple Access) TDMA时分多址(Time Division Multiple Access) CDMA同步码分多址方式(Code Division Multiple Access) WCDMA宽带码分多址移动通信系统(Wideband Code Division Multiple Access) TD-SCDMA(Time Division Synchronous Code Division Multiple Access)时分同步码分多址 SDLC(synchronous data link control)同步数据 链路控制 HDLC(high-level data link control)高级数据链路 控制 IP/TCP(internet protocol /transfer Control Protocol)网络传输控制协议 ITU (International Telecommunication Union) 国际电信联盟 ISO国际标准化组织(International Standardization Organization); OSI开放式系统互联参考模型(Open System Interconnect) GSM全球移动通信系统(Global System for Mobile Communications) GPRS通用分组无线业务(General Packet Radio Service) FDD(frequency division duplex)频分双工 TDD(time division duplex)时分双工 VPI虚路径标识符(Virtual Path Identifier); ISDN(Integrated Services Digital Network)综 合业务数字网 IDN综合数字网(integrated digital network) HDTV (high definition television)高清晰度电视 DCT(Discrete Cosine Transform)离散余弦变换 VCI(virtual circuit address)虚通路标识 MAN城域网Metropolitan area networks LAN局域网local area network WAN广域网wide area network 同步时分复用STDM Synchronous Time Division Multiplexing 统计时分复用STDM Statistical Time Division Multiplexing 单工传输simplex transmission 半双工传输half-duplex transmission 全双工传输full-duplex transmission 交换矩阵Switching Matrix 电路交换circuit switching 分组交换packet switching 报文交换message switching 奇偶校验parity checking 循环冗余校验CRC Cyclic Redundancy Check 虚过滤Virtual filter 数字滤波digital filtering 伪随机比特Quasi Random Bit 带宽分配Bandwidth allocation 信源information source 信宿destination 数字化digitalize 数字传输技术Digital transmission technology 灰度图像Grey scale images 灰度级Grey scale level 幅度谱Magnitude spectrum 相位谱Phase spectrum 频谱frequency spectrum 智能设备Smart Device 软切换Soft handover 硬切换Hard Handover 相干检测Coherent detection 边缘检测Edge detection 冲突检测collision detection 业务集合service integration 业务分离/综合service separation/ integration 网络集合network integration 环形网Ring networks 令牌环网Token Ring network 网络终端Network Terminal 用户终端user terminal 用户电路line circuit 电路利用率channel utilization(通道利用率) 相关性coherence 相干解调coherent demodulation 数字图像压缩digital image compression 图像编码image encoding 有损/无损压缩lossy/lossless compression 解压decompression 呼叫控制Call Control 误差控制error control 存储程序控制stored program control 存储转发方式store-and-forward manner 语音\视频传输voice\video transmission 视频点播video-on-demand(VOD) 会议电视Video Conference 有线电视cable television 量化quantization 吞吐量throughput 话务量traffic 多径分集Multipath diversity 多媒体通信MDM Multimedia Communication 多址干扰Multiple Access Interference 人机交互man machine interface 交互式会话Conversational interaction

我与电子科学与技术

(1)、你所了解的集成电路产业,你对集成电路产业中测试领域的认识。请收集这一产业的技术现状、产品情况、主要企业、经济效益和今后发展等情况写一篇综合分析报告。 (2)、你对电子科学与技术专业的认识。 (3)、你对大学四年的专业学习有何计划?准备采取哪些措施去实施你的计划? 技术现状:21世纪,随着现代科学技术的飞速发展,人类历史即将进入一个崭新的时代──信息时代。在当代,以集成电路为核心的电子信息技术产业已经逐渐取代其他产业成为第一产业,电子科学与技术不仅对于整个国家的经济发展,还有科技进步和国防建设都具有着重要的战略意义。我国对微电子技术和光电子技术的研究给予了高度重视,在全国电子科学与技术的科研、教学、生产和使用单位的共同努力下,我国现在已经形成了门类齐全、水平先进、应用广泛的微电子和光电子技术的科学研究领域,并在产业化方面形成了一定规模,取得了可喜的进步,为我国的科学技术、国民经济和国防建设做出了积极贡献,在国际上了也争得了一席之地。 但是我们应该清醒地看到,在电子科学与技术领域,我国与世界上发达国家的先进水平仍有不小的差距,特别在微电子技术方面的差距更大。这既有历史、体制、技术、工艺和资金方面的原因,也有各个层次所需专业人才短缺的原因。核心技术仍然是我国集成电路行业的短板。我国集成电路产品以进口为主,国产集成电路自给率较低。 中国作为集成电路领域的后起之秀,在当前的竞争中压力巨大,预计并购将成为中国集成电路产业快速赶超国外的有效方式。通过并购,集成电路上游可以快速提升相关技术,中下游制造和封装环节有望通过并购形成竞争外企的规模优势。在产业资金与政策支持下,未来集成电路产业在本土以及海外的并购趋势将增强。 前瞻产业研究院发布的《2015-2020年中国集成电路行业市场需求预测与投资战略规划分析报告》数据显示,2014 年全球前25 家半导体企业的营收占整个行业的比重达到72.1%,比2013 年的69.7%高出2.4%。

相关文档
相关文档 最新文档