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劈刀的参数

劈刀的参数

劈刀的参数

1.UTF 表示face angle 4度

2.UTS 表示face angle 8度0.8MIL=20.32MMM

3.UTE 表示face angle 11度1MIL=25.4MMM

4.TOOL Diameter(td) 1/16=1.587mmm .0652 1.3MIL=33.02MMM

5.TOOL length (TL) L+9.53MMM XL=11.10 XXL=12.00MMM 1.5MIL=38.1MMM

6.孔径普通孔径为金丝直径的1.2到1.5倍2MIL=50.8MMM

密间距的劈刀是金丝的直径1.2-1.3倍

7.间距普通劈刀的最小间距是顶部直径的T/1.2

密间距的劈刀T/1.3

8。最小压点普通劈刀CD+10

密间距的劈刀CD+(7-10)

9.孔径(HOLE SIZE)它起决了金丝直径(WD)一般是金丝直径的1.2-1.5

10.优化的劈刀选择典型的是倒角的角度CA为90度,孔径=WD+8UM CD=1+10UM

FAB=(1.6-1.7)*WD左右

11.chamfer angle (CA)内倒角角度,它提供一个确定的形状的压焊好的球形状,

它可以控制撞击时空气球的中心,典型的是90度,小的CA球尖,大的CA球

12.Bong pad pitch (BPP)它定义了相邻两个键合点的中心距,它规定了劈刀的顶部直径

底部.颈部角度和内角度

13.BOND pad opening (BPO)键合点的窗口,它定义键合点上实际的可焊地方

14.HOLE size (H)劈刀的孔直径

15.CHAMFER DIAMETER(CD)内倒角直径,它起决了压焊好的直径(MBD),

一般情况下,MBD是由键合点的窗口来决CD最小是CD+10UM

16.tip diameter (T)顶部直径T决定了第二点长度

17.outer radius (OR)劈刀顶部的外圆半径提供合适的第二压焊点根部半径,减小根部裂开

参考精确劈刀: wd:25um bsr ave:16gf wpt:>4gf 60MM BPP

mbd ave:42.5um sd:0.5gf sd:0.6um

for wd=25um SBN-30080-355F-ZP38T型号

for wd=23um SBN-28080-355F-ZP38T型号

1标准技术参数

1标准技术参数 我公司已认真逐项填写金属氧化物避雷器标准技术参数表(见表1)中投标人保证值,无空格,无“响应”两字代替,无改动招标人要求值。如有偏差,已填写投标人技术偏差表(见表7)。 表1金属氧化物避雷器标准技术参数表 表1(续)

注 1. 项目单位对表1中参数有偏差时,可在项目需求部分的项目单位技术偏差表(见表6)中给出,我公司已对表6响应。表6与表1中参数不同时,以表6给出的参数为准。 2. 参数名称栏中带*的参数为重要参数。如不能满足要求,将被视为实质性不符合招标文件要求。 3. 投标人可选择是否提供电压分布不均匀系数,若提供电压分布实测或计算结果,加速老化试验U c t可按实际不均匀系数计算, 否则U c t=U c×(1+0.15H),H为避雷器高度。 2项目需求部分

2.1 货物需求及供货范围一览表 货物需求及供货范围一览表见表2。 表2 货物需求及供货范围一览表 2.2 必备的备品备件、专用工具和仪器仪表供货表 必 备的备品备件、专用工具和仪器仪表供货表见表3。 表3 必备的备品备件、专用工具和仪器仪表供货表 2.3 图纸资料提交单位 经确认的图纸资料应由投标人提交投标人提交的须经确认的图纸资料及其接收单位(见表4)所列的单位。 表4 投标人提交的须经确认的图纸资料及其接收单位 2.4 工程概况 2.4.1 项目名称:2011年度焦作供电公司自筹资金电网项目 2.4.2 项目单位:焦作供电公司 2.4.3 工程规模:安装150台避雷器 2.4.4 工程地址:沁阳市 2.4.5 交通、运输:汽运 2.5 使用条件 使用条件表见表5。 表5 使 用 条 件

半导体封装制程简介

(Die Saw) 晶片切割之目的乃是要將前製程加工完成的晶圓上一顆顆之芯片(Die)切割分離。首先要在晶圓背面貼上蓝膜(blue tape)並置於鋼 製的圆环上,此一動作叫晶圓粘片(wafer mount),如圖一,而後再 送至晶片切割機上進行切割。切割完後,一顆顆之芯片井然有序的排 列在膠帶上,如圖二、三,同時由於框架之支撐可避免蓝膜皺摺而使 芯片互相碰撞,而圆环撐住膠帶以便於搬運。 圖一 圖二

(Die Bond) 粘晶(装片)的目的乃是將一顆顆分離的芯片放置在导线框架(lead frame)上並用銀浆(epoxy )粘着固定。引线框架是提供芯片一個粘着的位置+ (芯片座die pad),並預設有可延伸IC芯片電路的延伸腳(分為內 引腳及外引腳inner lead/outer lead)一個引线框架上依不同的設計可以有 數個芯片座,這數個芯片座通常排成一列,亦有成矩陣式的多列排法 。引线框架經傳輸至定位後,首先要在芯片座預定粘着芯片的位置上点

上銀浆(此一動作稱為点浆),然後移至下一位置將芯片置放其上。 而經過切割的晶圓上的芯片則由焊臂一顆一顆地置放在已点浆的晶 粒座上。装片完後的引线框架再由传输设备送至料盒(magazine) 。装片后的成品如圖所示。 引线框架装片成品 胶的烧结 烧结的目的是让芯片与引线框晶粒座很好的结合固定,胶可分为银浆(导电胶)和绝缘胶两种,根据不同芯片的性能要求使用不同的胶,通常导电胶在200度烤箱烘烤两小时;绝缘胶在150度烤箱烘烤两个半小时。 (Wire Bond) 焊线的目的是將芯片上的焊点以极细的金或铜线(18~50um)連接到引线框架上的內引腳,藉而將IC芯片的電路訊號傳輸到外界。當

汽车零部件检测设施及相关参数

汽车零部件检测设施及相关参数 一、制动系统 1.制动部件试验系统 a 气压真空密封性能试验台 最大真空度98kPa 最大气压0.85 Mpa b 液压制动部件总成性能试验台 最大液压25Mpa c 真空助力器及液压制动部件耐久试验台 最大真空度98kPa 最大液压25Mpa 环境控制温度-50℃~155℃ d 液压密封性刚性试验台 最大液压58Mpa e 制动钳拖带力矩试验台 最大扭矩10Nm f 制动器扭转疲劳强度试验台 最大液压20 MPa 2.电动振动台 频率5~2500Hz, 最大加速度980m/s2, 最大振幅51mm 3.拉力试验机 4.制动软管试验系统 a液压制动软管容积膨胀测定仪 b液压、气压和真空制动软管爆裂强度试验台最大液压60Mpa c液压制动软管制动液相容性试验台 最高温度140℃ d液压制动软管挠曲疲劳试验机 最大液压1620kpa 最大转速810rpm e气压制动软管气密性和长度变化率试验台 最大气压2Mpa f真空制动软管耐负压试验装置 最大真空度95kPa g液压制动软管耐高温脉冲性试验机 最大液压0~30Mpa 最高温度150℃ 二、电器仪表系统 1.汽车仪表试验系统 a汽车仪表性能试验台 频率0~20000kHz, 转速0~8000r/min 电阻0~1000Ω b汽车仪表耐久试验台

电压0~35V, 电流0~20A 2.汽车组合开关/翘板开关试验系统 a汽车组合开关试验台 电压5~35V, 电流0~60A b测力测扭试验台 力矩0~3N2m, 力0~98N 3.汽车点火开关/点烟器试验系统 a汽车点火开关试验台 电压5~35V, 电流0~60A b测力测扭试验台 力矩0~3N2m, 力0~98N 4.汽车微电机试验系统 a汽车微电机试验台 压力0~300KPa, 流量0~3L/min b恒温恒湿试验箱 温度-40~+150 湿度10~98% 5.电动振动台 频率5~2500Hz, 最大加速度980m/s2, 最大振幅51mm 三、车身及附件系统 1.汽车座椅及头枕冲击试验台 最大速度30km/h 最大加速度300g 最大行程600mm 2.汽车座椅及头枕强度试验台 3.汽车安全带固定点强度试验台 荷重出力5000KG 油压缸行程1000mm 油压缸可以分别上下、左右移动:±100mm 4.汽车门锁门铰链耐久试验台 侧门侧滑门:0~15次/min 背门:0~15次/min 铰链:0~20次/min 行程(位移.角度):600~750mm 45~120°5.汽车减振器特性及耐久试验台 额定静负荷拉压为30KN 频率范围0.01~35HZ 振动速度0.1~1.6m/s 6.汽车燃油箱综合测试系统

建筑配电设计全参数要求规范

市城市居住区供配电设施建设技术导则补充说明(讨论定稿)

前言 《市城市居住区供配电设施建设技术导则(试行)》于2009年发布执行,截止2017年,该技术导则在指导我市有关居住区供配电设施建设过程中发挥了重要的作用。为满足社会经济发展对供电可靠性不断增长的需要、促进小区供配电设施与国家能源发展战略相协调, 结合贯彻配电网建设标准化、智能化的要求,根据我市经济发展以及配电网现状,本着以人为本、安全经济、实用可靠、适度超前的原则,在不违背原有技术导则的前提下,对原技术导则进行补充说明。本次补充说明的主要容是: 1、补充、更新了部分规性引用文件。 2、新增了部分术语和定义。 3、根据市地理位置及电力负荷增长的需求,对配电容量配置原则进行了调整;新增了地下车库有充电桩时的容量配置要求;新增了低压干线及分接表箱电缆截面配置原则;细化了公用变电所的供电围。 4、根据电力用户对供电可靠性的需求,新增了开关站双电源的接入,配套增加了备用电源自动投入装置。 5、根据不同小区建设规模及用电需求的不同,对原来居住区的典型供电方案进行了细化,明确了A、B等三类供电方式。 6、明确了居住区环网室、开关站、配电室的所址选择原则。 7、统一了开关站、环网室、配电室高低压柜等设备的选型原则,对高、低压电缆、

备用电源自动投入装置也进行了统一的要求。 8、新增了配电网自动化系统。 9、新增配套土建通道建设要求。

一、补充、更新的规性引用文件 GB 1094.1 电力变压器 GB/T 10228 干式变压器技术条件和要求 DL/T 404 户交流高压开关柜订货技术条件 GB/T 11022 高压开关设备和控制设备的技术要求 GB 1984 高压交流断路器 GB/T 22582 电力电容器低压功率因数补偿装置 GB 11032 交流无间隙金属氧化物避雷器 GB 16926 高压交流负荷开关熔断器组合电器 DL/T 728 气体绝缘金属封闭开关设备选用原则 GB 3906 3.6kV~40.5kV交流金属封闭开关设备和控制设备DL/T 5222 导体和电器选择设计技术规定 GB 3096声环境质量标准 GB 4208 外壳防护等级(IPB 代码) GB 311.1 高压输变电设备的绝缘配合 GB 50061 66kV 及以下架空电力线路设计规 GB 14049 额定电压10kV、35kV 架空绝缘电缆

半导体封装简介(精)

半导体封装简介: 半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。塑封之后,还要进行一系列操作,如后固化(Post Mold Cure)、切筋和成型(Trim&Form)、电镀(Plating)以及打印等工艺。典型的封装工艺流程为:划片装片键合塑封去飞边电镀打印切筋和成型外观检查成品测试包装出货。 各种半导体封装形式的特点和优点: 一、DIP双列直插式封装 DIP(DualIn-line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片,绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式,其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚,需要插入到具有DIP 结构的芯片插座上。当然,也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心,以免损坏引脚。 DIP封装具有以下特点: 1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接,操作方便。 2.芯片面积与封装面积之间的比值较大,故体积也较大。 Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式,缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。 二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装 QFP封装 QFP(Plastic Quad Flat Package)封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式,其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD(表面安装设备技术)将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔,一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点,即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片,如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 PFP(Plastic Flat Package)方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形,而PFP既可以是正方形,也可以是长方形。

汽车零件参数化标准模板

汽车车身零件参数化标准模板1、车身零件建模统一参数化模板:SJTC_model

2、模板结构树说明: 2.1 PartBody:用“Final Part”中零件片体增厚,厚度为零件设计料厚,只允许存在一个片体增厚的结果。 2.2 external geometry:外部提取的参考面及重要特征,与其它零件无关联。 2.3 Final Part:零件片体设计的最后结果,通过命令“invert orientation”生成,作为“PartBody”的父级。 2.4 part difinition:零件片体参数化设计过程。 2.4.1 Eng_Tool_Direction:零件片体增厚方向标识。其中“DIE_PLANE”为零件基准平面;“Original_DIE_Point”为零件基准点;“DIE_DIR”为零件料厚线,线长为零件料厚的100倍,线型为实线,线型3:0.7mm,颜色为黄色。例:零件料厚d=1.2mm,则料厚线长L=120mm。 2.4.2 Main part:零件参数化过程。 2.4.2.1 working part:零件参数化设计中的重要过程。分别将“basic surface”、“depressions”、“flanges”、“trim”、“holes”中的结果通过命令“invert orientation”生成到“working part”中。“depressions”必须引用“working part”中的结果,不得在“basic surface”中引用。“flanges”、“trim”、“holes”的引用原则同上。 2.4.2.2 basic surface:零件基础面设计。 2.4.2.3 depressions:零件独立特征设计。

半导体封装企业名单

半导体封装企业名单半导体封装企业名单 中电科技集团公司第58研究所 南通富士通微电子有限公司 江苏长电科技股份有限公司 江苏中电华威电子股份有限公司 天水华天科技股份有限公司(749厂) 铜陵三佳山田科技有限公司 无锡华润安盛封装公司(华润微电子封装总厂)中国电子科技集团第13研究所 乐山无线电股份公司 上海柏斯高模具有限公司 浙江华越芯装电子股份有限公司 航天771所 新科-金朋(上海)有限公司 江苏宜兴电子器件总厂 浙江东盛集成电路元件有限公司 北京科化新材料科技有限公司 上海华旭微电子公司 电子第24所 上海纪元微科电子有限公司

电子第47所 成都亚红电子公司 汕头华汕电子器件有限公司上海长丰智能卡公司 江门市华凯科技有限公司 广州半导体器件厂 北京宇翔电子有限公司 北京飞宇微电子有限责任公司深圳市商岳电子有限公司 绍兴力响微电子有限公司 上海永华电子有限公司 上海松下半导体有限公司 深圳深爱半导体有限公司 广东粤晶高科股份有限公司江苏泰兴市晶体管厂 无锡KEC半导体有限公司 捷敏电子(上海)有限公司星球电子有限公司 强茂电子(无锡)有限公司 万立电子(无锡)有限公司 江苏扬州晶来半导体集团

晶辉电子有限公司 济南晶恒有限责任公司(济南半导体总厂)无锡市无线电元件四厂 北京半导体器件五厂 吴江巨丰电子有限公司 苏州半导体总厂有限公司 快捷半导体(苏州)有限公司 无锡红光微电子有限公司 福建闽航电子公司 电子第55所 山东诸城电子封装厂 武汉钧陵微电子封装 外壳有限责任公司 山东海阳无线电元件厂 北京京东方半导体有限公司 电子第44所 电子第40所 宁波康强电子有限公司 浙江华科电子有限公司 无锡市东川电子配件厂 厦门永红电子公司

半导体封装形式介绍

捷伦电源,赢取iPad2Samtec连接器完整的信号来源每天新产品时刻新体验完整的15A开关模式电源 摘要:半导体器件有许多封装型式,从DIP、SOP QFP PGA BGA到CSP再到SIP,技术 指标一代比一代先进,这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求而研制的。总体说来,它大概有三次重大的革新:第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装, 极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90年代球型矩正封装的出现, 它不但满足了市场高引脚的需求,而且大大地改善了半导体器件的性能;晶片级封装、系统 封装、芯片级封装是现在第三次革新的产物,其目的就是将封装减到最小。每一种封装都有 其独特的地方,即其优点和不足之处,而所用的封装材料,封装设备,封装技术根据其需要 而有所不同。驱动半导体封装形式不断发展的动力是其价格和性能。 关键词:半导体;芯片级封装;系统封装;晶片级封装 中图分类号:TN305. 94文献标识码:C文章编号:1004-4507(2005)05-0014-08 1半导体器件封装概述 电子产品是由半导体器件(集成电路和分立器件)、印刷线路板、导线、整机框架、外壳及显示等部分组成,其中集成电路是用来处理和控制信号,分立器件通常是信号放大,印刷线路 板和导线是用来连接信号,整机框架外壳是起支撑和保护作用,显示部分是作为与人沟通的 接口。所以说半导体器件是电子产品的主要和重要组成部分,在电子工业有“工业之米”的 美称。 我国在上世纪60年代自行研制和生产了第一台计算机,其占用面积大约为100 m2以上,现 在的便携式计算机只有书包大小,而将来的计算机可能只与钢笔一样大小或更小。计算机体 积的这种迅速缩小而其功能越来越强大就是半导体科技发展的一个很好的佐证,其功劳主要 归结于:⑴半导体芯片集成度的大幅度提高和晶圆制造(Wafer fabrication) 中光刻精度的 提高,使得芯片的功能日益强大而尺寸反而更小;(2)半导体封装技术的提高从而大大地提 高了印刷线路板上集成电路的密集度,使得电子产品的体积大幅度地降低。 半导体组装技术(Assembly technology )的提高主要体现在它的圭寸装型式(Package)不断发展。通常所指的组装(Assembly)可定义为:利用膜技术及微细连接技术将半导体芯片(Chip) 和框架(LeadFrame)或基板(Sulbstrate) 或塑料薄片(Film)或印刷线路板中的导体部分连接 以便引出接线引脚,并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺技术。它具

耳机设计的一些基本参数要求及规范

耳机设计的一些基本参数要求及测试规范 一、耳机设计几个关键的尺寸:这几个关键尺寸的数据会关系到耳机佩戴的舒适 性。 1、耳机头带的宽度尺寸:这个尺寸关系到头戴式耳机佩戴的贴耳性与头带 夹持力,根据耳机类型的不同,具体的尺寸要求也有所不同:一般的小 型的耳机(包括后带式耳机)该尺寸的要求:105~115mm,中型耳机: 115~130mm,大型耳机:140~150mm,尺寸的取数范围是头带两边与滑 动臂连接的位置,此位置也是头带的最宽处; 2、耳机的头带高度尺寸:这个尺寸关系到耳机能适用不同大小头型的人的 佩戴,尺寸范围是指耳机头带最顶部内侧到SP垫中心点的垂直距离, 该尺寸要求也是根据不同类型的耳机有不同的具体要求:一般的小型耳 机(包括后戴式耳机):105~115mm,中型耳机:125~130mm,大型耳 机:130~135mm; 3、耳壳之间的夹角尺寸:此尺寸会影响到耳机佩戴的舒适性和夹持力以及 耳套的贴耳性,并会影响耳机的音质效果,这个尺寸是指两个SP垫之 前形成的角度尺寸,一般头戴式耳机的夹角尺寸:50~60度,后戴式耳 机尺寸; 4、滑动臂的抽拉尺寸:为了适应不同的人头高度,除了要求头带的高度还 需要通过滑动的的拉伸来调节,以保障不同人佩戴的舒适度,一般滑动 臂的抽拉尺寸:25~35mm 5、耳壳转动角度:有些耳机的外形决定了耳壳会有一定的转动角度,用来 调节耳套的贴耳性,防止漏音。一般调节角度:5~7度。

6、咪杆转动角度:带咪耳机分为,固定咪、转动咪和隐藏式咪,转动咪的 转动角度一般选择:120~125度。 二、耳机设计需要注意的一些细节 1、滑动臂拉伸部分设计是应该要做成两个同心内切圆,以保证滑动臂抽拉的顺畅; 2、为了保证耳套固定的可靠性,要求SP垫的螺丝柱到边缘的距离不少于10mm;(这里指的是锁好SP垫以后再套耳套的情况) 3、SP垫的设计一定要充分保证喇叭声音能够出来,喇叭固定圈的台阶高度0.8~1.5mm。

半导体封装技术大全

半导体封装技术大全 1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的30 4 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有 可能在个人计算机中普及。最初,BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat package with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C-(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EP ROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad 表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1. 5~ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8m m、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。 7、CLCC(ceramic leaded chip carrier) 带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPRO M 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见QFJ)。 8、COB(chip on board) 板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。 9、DFP(dual flat package) 双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。 10、DIC(dual in-line ceramic package) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP). 11、DIL(dual in-line) DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。 12、DIP(dual in-line package) 双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52m m 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。 13、DSO(dual small out-lint) 双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。 14、DICP(dual tape carrier package) 双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。另外,0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照E

数模-零件的参数设计

零件的参数设计 摘要: 本题目对零件的参数这一问题,综合考虑重新设计零件的参数(包括标定值和容差),并与原设计进行比较,得出最优化的数学模型,并对模型进行求解,最后用计算机模拟对模型的最优解进行检验。由题意知粒子分离器的参数y 由零件参数1234567,,,,,,x x x x x x x 的参数决定,参数i x 的容差等级决定了产品的成本,y 偏离0y 的值决定了产品的损失,问题就是寻找零件的最优标定值和最优等级搭配,使得批量生产时的总费用最少。 一、 问题的重述: 一件产品由若干零件组装而成,标志产品性能的某个参数取决于这些零件的参数。零件参数包括 标定值和容差两部分。进行成批生产时,标定值表示一批零件该参数的平均值,容差则给出了参数偏离其标定值的容许范围。若将零件参数视为随机变量,则标定值代表期望值,在生产部门无特殊要求时,容差通常规定为均方差的3倍。 进行零件参数设计,就是要确定其标定值和容差。这时要考虑两方面因素:一是当各零件组装成产品时,如果产品参数偏离预先设定的目标值,就会造成质量损失,偏离越大,损失越大;二是零件容差的大小决定了其制造成本,容差设计得越小,成本越高。 试通过如下的具体问题给出一般的零件参数设计方法。 粒子分离器某参数(记作y )由7个零件的参数(记作x 1,x 2,...,x 7)决定,经验公式为: 7616 .1242 3 56 .02485.01235136.0162.2142.174x x x x x x x x x x x Y ??? ? ????? ? ????? ??? ??--???? ? ??-????? ???=- y 的目标值(记作0y )为1.50。当y 偏离0y ±0.1时,产品为次品,质量损失为1,000元;当y 偏离0y ±0.3时,产品为废品,损失为9,000元。 零件参数的标定值有一定的容许范围;容差分为A、B、C三个等级,用与标定值的相对值表示,A等为±1%,B等为±5%,C等为±10%。7个零件参数标定值的容许范围,及不同容差等级零件的成本(元)如下表(符号/表示无此等级零件):

半导体封装前沿技术

最新封装技术与发展 芯片制作流程 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:DIP 封装(70 年代)->SMT 工艺(80 年代LCCC/PLCC/SOP/QFP)->BGA 封装(90 年代)->面向未来的工艺(CSP/MCM) 材料方面:金属、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装 封装技术各种类型 一.TO 晶体管外形封装 TO (Transistor Out-line)的中文意思是“晶体管外形”。这是早期的封装规格,例如TO-92,TO-92L,TO-220,TO-252 等等都是插入式封装设计。近年来表面贴装市场需求量增大,TO 封装也进展到表面贴装式封装。 TO252 和TO263 就是表面贴装封装。其中TO-252 又称之为D-PAK,TO-263 又称之为D2PAK。D-PAK 封装的MOSFET 有3 个电极,栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。其中漏极(D)的引脚被剪断不用,而是使用背面的散热板作漏极(D),直接焊接在PCB 上,一方面用于输出大电流,一方面通过PCB 散热。所以PCB 的D-PAK 焊盘有三处,漏极(D)焊盘较大。

二.DIP 双列直插式封装 DIP(DualIn-line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片,绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式,其引脚数一般不超过100 个。封装材料有塑料和陶瓷两种。采用DIP 封装的CPU 芯片有两排引脚,使用时,需要插入到具有DIP 结构的芯片插座上。当然,也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP 封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP,单层陶瓷双列直插式DIP,引线框架式DIP (含玻璃陶瓷封接式,塑料包封结构式,陶瓷低熔玻璃封装式)等。 DIP 封装具有以下特点: 1.适合在PCB (印刷电路板)上穿孔焊接,操作方便。 2. 比TO 型封装易于对PCB 布线。 3.芯片面积与封装面积之间的比值较大,故体积也较大。以采用40 根I/O 引脚塑料双列直插式封装(PDIP)的CPU 为例,其芯片面积/封装面积=(3×3)/(15.24×50)=1:86,离1 相差很远。(PS:衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1 越好。如果封装尺寸远比芯片大,说明封装效率很低,占去了很多有效安装面积。) 用途:DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。Intel 公司早期CPU,如8086、80286 就采用这种封装形式,缓存(Cache )和早期的内存芯片也是这种封装形式。 三.QFP 方型扁平式封装 QFP(Plastic Quad Flat Pockage)技术实现的CPU 芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100 以上。基材有陶瓷、金属和塑料三种。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。 其特点是: 1.用SMT 表面安装技术在PCB 上安装布线。 2.封装外形尺寸小,寄生参数减小,适合高频应用。以0.5mm 焊区中心距、208 根I/O 引脚QFP 封装的CPU 为例,如果外形尺寸为28mm×28mm,芯片尺寸为10mm×10mm,则芯片面积/封装面积=(10×10)/(28×28)=1:7.8,由此可见QFP 封装比DIP 封装的尺寸大大减小。 3.封装CPU 操作方便、可靠性高。 QFP 的缺点是:当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见右图);带树脂保护环覆盖引脚前端的GQFP;在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹具里就可进行测试的TPQFP 。 用途:QFP 不仅用于微处理器(Intel 公司的80386 处理器就采用塑料四边引出扁平封装),门陈列等数字逻辑LSI 电路,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。四.SOP 小尺寸封装 SOP 器件又称为SOIC(Small Outline Integrated Circuit),是DIP 的缩小形式,引线中心距为1.27mm,材料有塑料和陶瓷两种。SOP 也叫SOL 和DFP。SOP 封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28 等等,SOP 后面的数字表示引脚数,业界往往把“P”省略,叫SO (Small Out-Line )。还派生出SOJ (J 型引脚小外形封装)、TSOP (薄小外形封装)、VSOP (甚小外形封装)、SSOP (缩小型SOP )、TSSOP (薄的缩小型SOP )及SOT (小外形晶

数学建模竞赛-零件参数设计

零件参数设计 例8.5 (零件参数设计) 一件产品由若干零件组装而成,标志产品性能的某个参数取决于这些零件的参数。零件参数包括标定值和容差两部分。进行成批生产时,标定值表示一批零件该参数的平均值,容差则给出了参数偏离其标定值的容许范围。若将零件参数视为随机变量,则标定值代表期望值,在生产部门无特殊要求时,容差通常规定为均方差的3 倍。 粒子分离器某参数(记作y )由7个零件的参数(记作7 2 1 ,,,x x x ?)决定, 经验公式为 7 616 .1242 356 .024 85.012 35136.0162.2142.174x x x x x x x x x x x y ??? ? ????? ???????? ? ??--????? ??-???? ??=- 当各零件组装成产品时,如果产品参数偏离预先设定的目标值,就会造成质量损失,偏离越大,损失越大。y 的目标值(记作0 y )为1.50.当 y 偏离1.00 ±y 时, 产品为次品, 质量损失为1000(元); 当y 偏离3 .00 ±y 时,产品为废品,损失为9000(元). 问题是要求对于给定的零件参数标定值和容差,计算产品的损失,从而在此基础上进行零件参数最优化设计。 表8.2给定引例中某设计方案7个零件参数标定值及容差。 容差分为A ﹑B ﹑C 三个等级, 用与标定值的相对值表示, A 等为%1±, B 等为%5±, C 等为%15±。求每件产品的平均损失。

表8.2 零件参数标定值及容差 解:在这个问题中,主要的困难是产品的参数值y是一个随机变 量,而由于y与各零件参数间是一个复杂的函数关系,无法解析的得到y的概率分布。我们采用随机模拟的方法计算。这一方法的思路其实很简单:用计算机模拟工厂生产大量"产品"(如10000件),计算产品的总损失,从而得到每件产品的平均损失。可以假设7个零件参数服从正态分布。根据表8.2及标定值和容差的定义,x1~N(0.1, (0.005/3)2), x 2~N(0.3,0.0052), x 3~N(0.1, (0.005/3)2), x4~N(0.1,0.0052), x5~N(1.5,(0.225/3)2), x6~N(16,(0.8/3)2), x ~N(0.75,(0.0375/3)2), 下面的M脚本eg8_5.m产生1000对零件参数7 随机数,通过随机模拟法求得近似解约f=2900元。 %M文件eg8_5.m clear;mu=[.1 .3 .1 .1 1.5 16 .75]; sigma=[.005/3,.005,.005/3,.005,.225/3,.8/3,.0375/3]; for i=1:7 x(:,i)=normrnd(mu(i),sigma(i),1000,1);

封装标准JEDEC标准

半导体封装 根据不同的用途,半导体的封装可以分为多种类型。半导体的封装标准包括 JEDEC 和JEITA 标准,但有许多来自不同半导体制造商的封装不属于上述标准。另外,JEDEC 和JEITA 这两种标准的名称也并非总是被用于制造商的产品目录和数据表中,除此以外,不同制造商之间的描述系统也不统一。 本页提供关于以下半导体封装描述规则的基本信息。 ? 对那些明显具有相同封装的产品必须尽可能提供统一的一般性描述;如DIL →DIP 等。 ? 如果制造商无法使用通用的名称,或者如果封装类型是众所周知的情况,则可使用制造商的描述;如PENTAWATT 等。 ? 作为一般性规则,必须在封装描述之后加上标有指示针脚数量的数字;如DIP24、SOT23-5等。 注:本页中所提供的信息仅供参考。请在使用前确认制造商数据表中的所有数据。 DIP 主要分类 主要分类说明 次级分类 次级分类说明 有时也称为“DIL”,但在本网站上,它们被统称为“DIP”,是指引脚从封装的两侧引出的一种通孔贴装型封装。尽管针脚间距通常为2.54毫米 (100密耳),但也有些封装的针脚间距为1.778毫米 (70密耳)。 DIP 拥有6-64个针脚,封装宽度通常为15.2毫米(600密耳)、10.16毫米(400密耳)、或7.62毫米(300密耳),但请注意,即使针脚数量相同,封装的长度也会不一样。 DIP(双列 直插式封 装) 塑料DIP 封装。有时也称为“PDIP”,但在本网站上它们被统称为“DIP”。 CDIP(陶瓷DIP) 陶瓷DIP 封装。有时也称为“CERDIP”,但在本网站上它们被统称为“CDIP”。 WDIP(窗口DIP) 一种带有消除紫外线的透明窗口的DIP 封装,通常是一种使用玻璃密封的陶瓷封装。不同制造商的描述可能会有所不同,但ST (ST Microelectronics )公司称之为“FDIP”。在本网站上,它们被统称为“WDIP”。 功率DIP 能够通过引脚散除IC 所产生的热量的一种 DIP 封装类型。大多数此类封装都使用统称 为接地端子的引脚沿中心围成一圈。 SIP 主要分类 主要分类说明 次级分类 次级分类说明 有时也称为“SIL”,但在本网站上它们被统称为“SIP”,是指引脚从封装的一侧引出的一种通孔SIP(单列直插式封拥有2-23个针脚,具有多种不同的形状和针脚间距。请注意,其中有许多具有采用散热结构的特殊形状。

焊接参数规范

焊接参数规范 不同的板厚,应采用不同的焊接线能量进行焊接(焊接线能量过大会使焊缝热影响区软化以及接头冲击韧性降低,线能量过小又易导致产生冷裂纹)。输入线能量计算: Q=0.85×U×I×60/1000V 其中Q=输入线能量(KJ/mm),U=电压(V),I=电流(A),V=焊接速度(m/min)。 所示。 焊接电流和焊接电压相匹配焊丝直径为0.8~1.2mm时,焊接电流与焊接电压的关系如图3 Q235和含碳量偏下限的Q345(16Mn)钢的过热敏感性不大,淬硬倾向亦较小,故焊接热输入一般不予限制,而含碳量偏高的Q345(16Mn)钢其淬硬倾向增加。为防止冷裂纹,焊接时,宜选用偏大一些的焊接热输入。由于Q235焊接性能良好,本规范对于Q235和Q345采用相同的焊接参数规范。 3.5. 4.1.1采用混合气体保护焊接角焊缝所推荐的工艺参数见表7(考虑到电缆电压损失和电流电压表不准的影响,电弧电压可根据焊缝成形和飞溅情况作微调)。 表7 角焊推荐工艺参数

3.5. 4.1.2对接焊一般应开坡口,采用Ф1.2mm焊丝、混合气体保护焊所推荐的工艺参数见表8(考虑到电缆电压损失和电流电压表不准的影响,电弧电压可根据焊缝成形和飞溅情况作微调)。 表8 不同板厚的对接焊推荐工艺 表9 对接焊推荐工艺参数 3.6焊接典型接头焊接 3.6.1Q235钢及Q345钢典型接头推荐规范: 对接焊:对接焊坡口如图5所示,每层不超过4mm,δ≤8的开V型坡口,焊接参数规范参见表10,

表10 6mm板开V型坡口对接焊规范 表11 12mm板开X型坡口对接焊规范 对接焊,δ>10 表12 12mm板开K型坡口对接焊规范 焊角>8时,盖面层需多道焊,后道焊缝必须覆盖前道焊缝一半以上,具体层数根据焊角高决定。轴套与腹板的角焊缝成形应平缓过渡。

设备规范及主要参数

设备规范及主要参数 4.1设备规范 设备名称:工业蒸汽供汽联箱 型式:卧式 设计参数: 1.5Mpa,400℃ 安装位置:厂区0m,露天 数量:1台 4.2主要技术数据 几何容积:?610mm,长约5.2米 接口数量及型式:7个法兰接口,配供反法兰,配两只安全阀 介质:蒸汽 工作压力: 1.5Mpa 设计温度:400℃ 材质:Q345R 备注:工业蒸汽供汽联箱要配供1套固定支架、1套滑动支架和1套疏水装置,自动疏水阀采用电动真空阀,接口型式和位置以设计院要求为准。设备必须采用球形封头,不得采用平板封头。 工业蒸汽供汽联箱接口尺寸及设备外形如下图:

疏水装置型式如下图:

4.3技术要求 4.3.1 投标方所提供的产品均应为通过试验的定型产品,并符合国家有关技术条件的规定。 4.3.2 设备的制造和加工应符合国家相关标准及行业标准,严格按压力容器有关标准生产、制造。 4.3.3 设备所使用材料的化学成分、机械性能及噪音、振动均应符合有关国家标准或部颁标准的规定。 4.3.4工业蒸汽供汽联箱应配装两只安全阀、自动疏水阀、手动疏水阀和放水阀并进行压力试验4.3.5 设备的出厂试验应按国家标准技术条件中规定的比例进行出厂试验,试验方法应符合有关规定。 4.3.6 设备外涂漆应符合压力容器涂漆技术条件的要求。 4.3.7 设备应采用球形(椭球形)封头,不得采用平板封头。 4.3.8 设备所供阀门和设备接口均应配供反法兰和相关连接附件. 4.3.9 设备一个支架为固定支架,另一个支架为滑动支架。 4.3.10投标方应保证所供设备及其附件的使用寿命为30年。 4.3.11 设备外形接口及支架形式安排生产前,应由设计院确认方可投料生产,但并不因此减少投标方对设备设计和制造质量的责任。 4.3.12 管道接口位置与设计院配合,按设计院的要求进行设置。 4.4仪表和控制要求(I&C) 4.4.1投标方提供工业蒸汽供汽联箱上的仪表及其连接件。提供就地压力表和温度计,并提供1个热电阻温度管座和压力变送器接口,热电阻和压力变送器由招标方另行采购。 4.4.2 就地压力表接口为25mm,表盘尺寸为Φ150。压力表配仪表管和一次门及附件。 4.4.3就地温度计应采用可抽芯的双金属温度计(万向型),表盘尺寸Φ150。温度计必须带套管。留有M27x2内螺纹热电阻温度管座,管座高度为70mm。 5.质量保证及考核试验 5.1 质量保证 5.1.1 投标方应满足本技术规范书所提出的技术要求。 5.1.2 投标方应向招标方保证所提供的设备是技术先进、成熟可靠且经国家鉴定合格的全新产品。并附有质量证明书,不得采用国家已公布的淘汰产品。在图纸设计和材料选择方面应准确无误,加工工艺无任何缺陷和差错。技术文件及图纸要清晰、正确、完整,能满足设备安装、启、停及正常运行和维护的要求。 5.1.3 投标方应具备有效方法,全面协调并负责其承包和委托分包出去的所有项目的质量和服务,均应符合本标书的要求。 5.1.5 招标方有权派代表到投标方制造工厂和分包及外购件工厂检查制造过程,检查按合同交付的货物质量,检验按合同交付的元件、组件及使用材料是否符合标准及其它合同上规定的要求,并

半导体集成电路 常见封装缩写解释

半导体集成电路常见封装缩写解释 1. DIP(dual in-line PACkage) 双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。 引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分, 只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为Cerdip(见Cerdip)。 BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写, 即球栅阵列封装。 SOP小型外引脚封装Small Outline Package J SSOP收缩型小外形封装Shrink Small Outline Package P 与SOP的区别:近似小外形封装,但宽度要比小外形封装更窄,可节省组装面积的新型封装。 2. DIP(dual tape carrier PACkage) 同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。 QTCP(quad tape carrier PACkage) 四侧引脚带载封装。TCP 封装之一,在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利用TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。 COB(chip on board) 板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。 JLCC(J-leaded chip carrier) J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。 QTP(quad tape carrier PACkage) 四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用的名称(见TCP)。 SO(small out-line) SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。

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