文档库 最新最全的文档下载
当前位置:文档库 › 调节方便的动态甲类偏置电路

调节方便的动态甲类偏置电路

调节方便的动态甲类偏置电路
调节方便的动态甲类偏置电路

电子知识

调节方便的动态甲类偏臵电路甲类放大器以其醇厚甜美的声音为音响爱好者所推崇,但其效率低、散热器体积大、成本高又让音响爱好者望而却步。动态甲类放大器音质与甲类放大器最接近,且效率较高,小信号时功耗低,散热器的体积小于甲类。应该说动态甲类放大器是音响爱好者不错的选择。动态甲类放大器中最关键的电路是偏臵电路。图1、图2是传统的动态偏臵电路。图1中,只有信号在正半周时,电路工作于动态甲类,而负半周时,偏臵仅..

调节方便的动态甲类偏臵电路甲类放大器以其醇厚甜美的声音为音响爱好者所推崇,但其效率低、散热器体积大、成本高又让音响爱好者望而却步。动态甲类放大器音质与甲类放大器最接近,且效率较高,小信号时功耗低,散热器的体积小于甲类。应该说动态甲类放大器是音响爱好者不错的选择。动态甲类放大器中最关键的电路是偏臵电路。图1、图2是传统的动态偏臵电路。图1中,只有信号在正半周时,电路工作于动态甲类,而负半周时,偏臵仅是一恒压偏臵。图2中,有4只电阻需要调节,调节难度大。日本JVC机器动态甲类偏臵,其电路较为复杂,制作较困难。图3是笔者根据图1、图2所设计的一款新的动态甲类偏臵,其调节电阻仅2只,经实验,该电路调节方便,效果较为理想。

电路中,R5用于调节末级的静态工作电流,R6用于确定动态偏臵发生作用的信号电流值I。瞬时信号电流一旦超过I值,动态偏臵即刻发生作用。信号正半周时,若瞬时信号电流小于I值,则动态偏臵不起作用;负半周亦然。若瞬时信号电流大于I,则一部分电流通过R1注入V3发射极,V3导通,V3的e、c极间电阻减小,R3上的压降下降,V1的e、b

间电压下降,V1导通度降低,导致C、D间电压上升,末级电流增大。信号负半周时的情况也是这样。

制作时,V1、V2、V3、V4选用C2240/A970对管或C1815/A1015对管,R5、R6分别取2kΩ、330kΩ的精密可调电阻,R1=R2=1kΩ?R3=R4=510Ω。可根据具体情况,适当调整电阻值。试机时,先调节R5使末级静态电流在100mA左右。再将放大器接音源,音量开至1/4处左右,将R6调至最大,此时记下末级电流值范围;放同一段音乐,慢慢调小R6,使末级电流明显大于前次的电阻值范围。后一次的电流值可根据功放散热器大小确定,过大,则末级动态电流有时会很大,发热量剧增,笔者调至125mA左右。有条件的读者可用信号发生器取代音源作精确调节,给放大器输入一恒定的信号。还有一点值得注意的是,末级使用场效应管作功率放大的,应注意防止自激。

IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。

IBIS本身只是一种文件格式,它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些被记录参数如何使用,这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真,需要先完成四件工作:获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源;获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法;提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息;提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。

IBIS模型优点可以概括为:在I/O非线性方面能够提供准确模型,同时考虑了封装寄生参数与ESD结构;提供比结构化方法更快仿真速度;可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真,它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况;模型可以免费从半导体厂商处获取,用户无需对模型付额外开销;兼容工业界广泛仿真平台。

IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题,而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上,所有EDA供应商现在都支持IBIS模型,并且它们都很简便易用。大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。

IBIS本身只是一种文件格式,它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些被记录参数如何使用,这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真,需要先完成四件工作:获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源;获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法;提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息;提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析

计算软件工具。

IBIS模型优点可以概括为:在I/O非线性方面能够提供准确模型,同时考虑了封装寄生参数与ESD结构;提供比结构化方法更快仿真速度;可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真,它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况;模型可以免费从半导体厂商处获取,用户无需对模型付额外开销;兼容工业界广泛仿真平台。

IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题,而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上,所有EDA供应商现在都支持IBIS模型,并且它们都很简便易用。大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。

IBIS本身只是一种文件格式,它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些被记录参数如何使用,这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真,需要先完成四件工作:获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源;获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法;提供用于仿真可被计算机识别布局布线

信息;提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。

IBIS模型优点可以概括为:在I/O非线性方面能够提供准确模型,同时考虑了封装寄生参数与ESD结构;提供比结构化方法更快仿真速度;可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真,它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况;模型可以免费从半导体厂商处获取,用户无需对模型付额外开销;兼容工业界广泛仿真平台。

IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题,而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上,所有EDA供应商现在都支持IBIS模型,并且它们都很简便易用。大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。

IBIS本身只是一种文件格式,它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些被记录参数如何使用,这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真,需要先完成四件工作:获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源;获取一种将原始数据

转换为IBIS格式方法;提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息;提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。

IBIS模型优点可以概括为:在I/O非线性方面能够提供准确模型,同时考虑了封装寄生参数与ESD结构;提供比结构化方法更快仿真速度;可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真,它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况;模型可以免费从半导体厂商处获取,用户无需对模型付额外开销;兼容工业界广泛仿真平台。

IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题,而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上,所有EDA供应商现在都支持IBIS模型,并且它们都很简便易用。大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。

IBIS本身只是一种文件格式,它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些被记录参数如何使用,这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真,需要先完成四件工作:获

取有关芯片驱动器和接收器原始信息源;获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法;提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息;提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。

IBIS模型优点可以概括为:在I/O非线性方面能够提供准确模型,同时考虑了封装寄生参数与ESD结构;提供比结构化方法更快仿真速度;可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真,它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况;模型可以免费从半导体厂商处获取,用户无需对模型付额外开销;兼容工业界广泛仿真平台。

IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题,而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上,所有EDA供应商现在都支持IBIS模型,并且它们都很简便易用。大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。

IBIS本身只是一种文件格式,它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些被记录参数如何使用,这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具

来读取。欲使用IBIS进行实际仿真,需要先完成四件工作:获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源;获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法;提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息;提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。

IBIS模型优点可以概括为:在I/O非线性方面能够提供准确模型,同时考虑了封装寄生参数与ESD结构;提供比结构化方法更快仿真速度;可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真,它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况;模型可以免费从半导体厂商处获取,用户无需对模型付额外开销;兼容工业界广泛仿真平台。

IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题,而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上,所有EDA供应商现在都支持IBIS模型,并且它们都很简便易用。大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。

IBIS本身只是一种文件格式,它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些

被记录参数如何使用,这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真,需要先完成四件工作:获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源;获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法;提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息;提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。

IBIS模型优点可以概括为:在I/O非线性方面能够提供准确模型,同时考虑了封装寄生参数与ESD结构;提供比结构化方法更快仿真速度;可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真,它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况;模型可以免费从半导体厂商处获取,用户无需对模型付额外开销;兼容工业界广泛仿真平台。

More: https://www.wendangku.net/doc/2711393929.html,数码万年历More:s2csfa2 IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题,而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上,所有EDA供应商现在都支持IBIS模型,并且它们都很简便易用。大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。

IBIS本身只是一种文件格式,它说明在一标准IBIS文件中

如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些被记录参数如何使用,这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真,需要先完成四件工作:获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源;获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法;提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息;提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。

IBIS模型优点可以概括为:在I/O非线性方面能够提供准确模型,同时考虑了封装寄生参数与ESD结构;提供比结构化方法更快仿真速度;可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真,它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况;模型可以免费从半导体厂商处获取,用户无需对模型付额外开销;兼容工业界广泛仿真平台。

IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题,而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上,所有EDA供应商现在都支持IBIS模型,并且它们都很简便易用。大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。

IBIS本身只是一种文件格式,它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些被记录参数如何使用,这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真,需要先完成四件工作:获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源;获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法;提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息;提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。

IBIS模型优点可以概括为:在I/O非线性方面能够提供准确模型,同时考虑了封装寄生参数与ESD结构;提供比结构化方法更快仿真速度;可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真,它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况;模型可以免费从半导体厂商处获取,用户无需对模型付额外开销;兼容工业界广泛仿真平台。

IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题,而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上,所有EDA供应商现在都支持IBIS模型,并且它们都很简便易用。大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与

仿真。

IBIS本身只是一种文件格式,它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些被记录参数如何使用,这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真,需要先完成四件工作:获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源;获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法;提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息;提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。

IBIS模型优点可以概括为:在I/O非线性方面能够提供准确模型,同时考虑了封装寄生参数与ESD结构;提供比结构化方法更快仿真速度;可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真,它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况;模型可以免费从半导体厂商处获取,用户无需对模型付额外开销;兼容工业界广泛仿真平台。

IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题,而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上,所有EDA供应商现在都支持IBIS模型,并且它们都很简便易用。大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法,是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准,它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间

及输入负载等参数,非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。

IBIS本身只是一种文件格式,它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数,但并不说明这些被记录参数如何使用,这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真,需要先完成四件工作:获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源;获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法;提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息;提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。

IBIS模型优点可以概括为:在I/O非线性方面能够提供准确模型,同时考虑了封装寄生参数与ESD结构;提供比结构化方法更快仿真速度;可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括:串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真,它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况;模型可以免费从半导体厂商处获取,用户无需对模型付额外开销;兼容工业界广泛仿真平台。

IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题,而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上,所有EDA供应商现在都支持IBIS模型,并且它们都很简便易用。大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

《电工基础》练习及答案(2.简单直流电路)

《电工技术基础与技能》期末复习题 2.简单直流电路 一、选择题: 1.在闭合电路中,负载电阻增大,则端电压将( ) A .减小 B .增大 C .不变 D .不能确定 2.在右图所示的电路中,E=10V ,R 0 =1Ω,要使R P 获得最大功率,R P 应为( ) A .0.5Ω B .1Ω C .1.5Ω D .0 3.将321R R R >>的三只电阻串联,然后接在电压为U 的电源上,获得功率最大的电阻是( ) A .1R B .2R C .3R D .不能确定 4.若将上题三只电阻并联后接在电压为U 的电源上,获得功率最大的电阻是( ) A .1R B .2R C .3R D .不能确定 5.一个额定值为220V 、40W 的白炽灯与一个额定值为220V 、60W 的白炽灯串联接在220V 的电源上,则( ) A .40W 的灯较亮 B .60W 的灯较亮 C .两灯亮度相同 D .不能确定 6.两个电阻21R R 和并联,等效电阻值为( ) A . 2 11 1R R + B .21R R - C .2121R R R R + D .2121R R R R + 7.两个阻值均为555Ω的电阻,作串联时的等效电阻与作并联时的等效电阻之比为( ) A .2:1 B .1:2 C .4:1 D .1:4 8.R 1和R 2为两个串联电阻,已知R 1=4R 2,若R 1上消耗的功率为1W ,则R 2上消耗的功率为( )。 A .5W B .20W C .0.25W D .400W 9.R 1和R 2为两个并联电阻,已知R 1=2R 2,若R 2上消耗的功率为1W ,则R 1上消耗的功率为( )。 A .2W B .1W C .4W D .0.5W 10.如右图所示,已知R 1=R 2=R 3=12Ω,则A 、B 间的总电阻为( )。 A .18Ω B .4Ω C .0 D .36Ω 11.用电压表测得电路端电压为0,这说明( )。 A .外电路断路 B .外电路短路 C .外电路上电流比较小 D .电源内阻为0 12.阻值为R 的两个电阻串联接在电压为U 的电路中,每个电阻消耗的功率为P ;若将两个电阻改为并联,仍接在电压为U 的电路中,则每个电阻消耗的功率为( )。 A .P B .2P C .4P D .P/2 13.电源电动势是2V ,内电阻是0.1 Ω,当外电路断路时,电路中的电流和端电压分别 第2题

实验三 分压式偏置放大电路调试与分析

实验三分压式偏置放大电路调试与分析 [课题引入]: 分压式偏置放大电路具有放大和反相的作用,而静态工作点的设置对放大电路的正常工作又具有极其重要的影响,这节课我们就来具体的研究和探讨一下这个问题。 1、学会静态工作点、放大倍数的测量方法。 2、会观察和分析静态工作点的变化对输出波形的影响。 3、培养理论联系实际,细心认真的学习态度,增强动手能力。 图1 分压式偏置放大电路 任务一 任务一:测试静态工作点 如何来测静态工作点呢?我们来看实验图。 1、调试直流稳压电源,使得V CC=12V,并接入电路。 2、调节上偏置电阻Rp,使得基极电位V B固定在3V。 3、用万用表测量V E、V C判断此三极管处于何种工作状态。 4、然后我们再去测I C和V CE。I C如何去测量呢? 第一种方法:断开C,将万用表串联至电路中,读出I C。 第二种方法:测量U RC,根据欧姆定律算出I C的值。 5、(学生操作,老师循回指导) 强调:安全操作规范: ①.调电源时,请正确选择万用表量程。 ②.测试时:先接线,后开电源,再测量。 ③.测量时,不可以带电转换万用表转换开关。

④.调节电位器测量电位时,俩人合作。 通过测量,我们发现三极管处于放大工作状态。其次,I C和V CE的值有了,那么,在三极管的输出特性曲线的负载线上,就能确定静态工作点Q的位置。(画输出特性曲线,确定Q点)Q对应的横坐标是V CE,所对应的纵坐标为Ic。 任务二 这是放大电路静态时的情况,我们知道放大电路的作用是能把微弱的电信号放大成较强的电信号,所以若此时给放大电路的输入端加上信号源vi的话,电路的输出vo又是一种什么样的信号呢?即我们来研究放大器的动态特性。 任务二、观察vi与vo,测量放大倍数Av。 (如何来测呢?步骤:) 1、使用函数信号发生器,调出频率f=1KHZ,峰-峰值Vip-p为20mV左右的正弦波信号, 接入电路的输入端。 2、用双踪示波器同时观察vi和vo的波形,判断相位关系。 3、以示波器上的读数为准,读出V ip-p和V op-p,计算A v=V op-p/Vip-p。 4、(学生操作,老师循回指导) 强调:安全操作规范: ①.使用示波器前,必须进行校准。 ②.函数信号发生器、示波器接入放大电路时,需可靠接地。 ③.读数时,仔细观察、准确读数。 5、 通过观察和计算,我们可以知道:在共发射极放大电路中,输入电压vi和输出电压vo 之间,兼有放大和反相的作用。

分压式偏置电路

§2-3 分压式偏置电路 教学目标: [知识目标] 1、理解温度对静态工作点的影响及分压式偏置电路的电路特点; 2、掌握分压式偏置电路稳定静态工作点的过程; 3、会近似估算分压式偏置电路的静态工作点、输入电阻、输出电阻和 电压放大倍数。 [能力目标] 1、通过教学,培养学生观察事物、总结归纳的能力; 2、通过教学,培养学生识别和分析电路的能力。 教学重点:1、温度对静态工作点的影响 2、分压式偏置电路的作用3、近似估算分压式偏置电路的静态工作点、输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。 教学难点:分压式偏置电路稳定静态工作点的过程。 教学方法:讲授法、归纳总结法和类比法相结合 一、组织教学 (1分钟)安定课堂秩序,集中学生注意力,检查学生学习用品。 二、复习旧课 (4分钟) 图1〈共发射极基本放大电路〉 教师设问:问题:1、静态工作点的位置与波形失真之间有何关系? 学生回答:答案:静态工作点设置得太高,易引起饱和失真, 静态工作点设置得太低,易引起截止失真。 问题:2、要是放大电路输出最大不失真信号,静态工作点应该设置在何处? 答案:交流负载线的中点 导入:(1分钟) 由以上分析可知,要使放大器输出信号不失真,就必须设置合适的静态工作点,但已设置好的静态工作点在放大器的工作过程中并不是稳定不变的。那是什么因素影响静态工作点的稳定,如何稳定静态工作点就是我们这节课要学习的内容。

四、展开讲授新课 (58分钟) §2-3 分压式偏置电路 一 、温度对静态工作点的稳定 固定偏置电路电路如图1所示。由直流通路可见,偏置电流BQ I 是通过偏置电阻R b 由电源Ucc 提供,当BEQ U Ucc >>时 只要Ucc 和b R 为定值,BQ I 就是一个常数,故把这种电路称为固定偏置电路。该电路由于 因此,当环境温度升高时,虽然BQ I 为常数,但???和CEQ I 的增大会导致CQ I 的上升。可见,电路的温度稳定性较差。只能用在环境温度变化不大,要求不高的场合。 β↑ (T ↑1℃ β↑%~%) T ↑→I CBO ↑(T ↑10℃ I CBO ↑一倍)→I CEO ↑→I C ↑ 工作点不稳定 |U B E |↓(T ↑1℃ U B E ↓ mV ) 导语:通过以上分析可知,如果把共射基本放大电路置于温度变化较大的环境中,已设定的静态工作点会偏离原来设定的位置,输出信号可能会产生失真。因此,要稳定静态工作点,必须对共射基本放大电路结构加以改进,采用分压式偏置电路。 二、分压式偏置电路 1.电路结构特点 电路特点是静态工作点比较稳定 图2分压式偏置电路 (1).元件作用 b1R R R e C :发射极旁路电容。 强调:C E 对于直流相当于断路。 (2).工作原理 基极电压BQ U 由b1R 和b2R 分压后得到,即Ucc R R R U b2 b1b2 BQ += 固定。当环境温度上升时, 引起CQ I 增加,导致EQ I 的增加,使e EQ EQ R I U ?=增大。由于EQ BQ BEQ U U U -=,使得BEQ U 减小,于是基极偏流BQ I 减小,使集电极电流CQ I 的增加受到限制,从而达到稳定静态工作点的目的 对于节点A: 21I I I BQ += (取BQ I I ??2)

最新电工基础简单直流电路单元测试卷

-----好资料学习《电工基础》第二章简单直流电路单元测试卷一、判断题) 10分10小题,每小题1分,共(本大题共) 1. 在通路状态下,负载电阻变大,电源的端电压下降。() 2. 一个全电路中,电源的输出功率随负载电阻的增加而增加。(

的电流被线则还有40 A所接负载的电流为60 A, 3. 若额定电流为100 A的发电机,) 路吸收了。() 4. 短路状态下,电源的内阻压降为零。( ) 5. 电路中两点间的电压与路径无关。( RR的场合。( 6. 用伏安法测电阻时,安培表内接法适用于) v 7. 改变万用表欧姆挡量程时都要进行欧姆调零。() 8. “110 V, 40 W”和“110 V, 100 W”的两负载能串接在220 V的电路中。() 9. 万用表测交流电压时,只要在表头串联一个二极管即可。() 10. 电源E向负载R供电,R的一端断开时,U=E。( ) LLL二、选择题(本大题共10小题,每小题3分,共30分) 11. 在如图所示电路中,已知E、U、R,求I的公式是() A. I=(U-E)/R B. I=(E-U)/R C. I=(U+E)/R D. I=(-U-E)/R 12. 有一电源分别接8 Ω和2 Ω电阻,单位时间内放出的热量相等(导线电阻不计),则电源内阻为() A. 1 Ω B. 2 Ω C. 4 Ω D. 8 Ω 13. 在如图所示电路中,电灯L、L都标有“220 V,100 W”;电灯L、L都标有4123“220 V, 40 W”,将A、B两端接入电源,最暗的灯是() A. L B. L C. L D. L 4123 第16题图题图第13题图第14 题图第11 ) 的内阻,则(14. 在如图所示电路中,R是电源E0 R获得最大功率 B. R=R时,获得最大功率A. R=R时,R 212220 R D. R=∞时,获得最大功率+C. R=RR时,R获得最大功率201222安,若要求线路上的电压降不超某用电器离供电电源L米,线路上的电流为I 15. )

分压式放大电路 (2)

分压式单级放大电路 课程名称:分压式单级放大电路 学院::计算机学院 班级:信息安全专业 192111 小组成员:王莉娜,韩春玲,李晓 指导老师:罗大鹏 日期:20112年5月

目录 第一章课题简介 (2) (小组成员介绍及分工) (2) 第二章初始分析 (3) (原理分析) (4) 第三章电路的设计方案 (6) 第四章实验内容 (7) 第五章设计评价及改进方案 (12) 第六章心得体会 (13) 第七章参考文献及鸣谢 (14)

第一章课题简介 通过实验箱制作并测试一个三极管共发射极放大电路, 要求如下: (1)放大电路输出为正弦波,波形无明显失真 (2)放大信号的频率范围:1kHz——100kHz (3)电压放大倍数>100 (4)输出电压峰-峰值:Vp-p>5+/-0.1V (5)测量电路输入、输出电阻及真实的放大倍数 (6)讨论该电路的优缺点及改进方案 实验器材 小组分工: 初始分析 (实验原理)

1.晶体管的放大作用 晶体管具有电流放大作用,它的实质是电流控制作用,在共射接法的NPN 型晶体管中一个较小的基极电流微小变化,就能引起集电极电流的很大变化从而实现电流放大作用。 I C =I CE +I CBO ≈I CE I CE 与I BE 之比称为电流放大倍数 B C CBO B CBO C BE CE I I I I I I I I ≈--== β I B =I BE -I CBO ≈I BE 共射接法采用发射极正向偏置集电极反向偏置的接法 2.晶体管的输出特性曲线 I E I C

要使三极管能正常放大,需了解三极管的输出特性曲线输出特性曲线是在I B 为一常数时,输出回路中I C 与U CE 的关系曲线,它反映了晶体管输出回路中电压与电流的关系。 晶体管可以工作在输出特性曲线的3个区域内,如图: 输出特性曲线的近于水平部分是放大区。晶体管工作在放大区的主要特征是:发射极正向偏置,集电极反向偏置,I C 与I B 具有线性关系: I C =βI B 。在放大电路中晶体管必须工作在放大区。所以实验中静 态工作点必须合适。 3.由于晶体管工作一段时间后温度会上升,使得β会发生改变,固定偏置电路的Q 点是不稳定的。 Q 点不稳定可能会导致静态工作点靠近饱和区或截止区,从而导致失真。为此,需要改进偏置电路,当 1 2 3 4 CE (V) 6 9 =0 μA μA μA μA μA

简单直流电路练习题

{ ! 《 、 一、填空题:(每空1分,共30分) 1、某电路处于短路状态:其端电压U= ,电路中 电流I= ,电源对外做功P= 。 2、根据电阻率ρ的大小,将ρ的材料称为良导体, 将ρ的材料称为绝缘体,将ρ的 材料称为半导体,将ρ的材料称为超导体。 3、某导体的电阻率ρ=×10-6Ω·m,导线长度为100 m,导线 截面积为;这段导线的电阻为。 4、某电阻上标有20W120ΩJ,其含义为: 。 5、某电阻上标有121该电阻阻值为;某电阻上 标有473该电阻阻值为;某电阻上标有56该电 阻阻值为。 6、某电阻上有棕黑橙金四环,该电阻阻值为,电 阻的误差为;某电阻上有黑红红银紫五环,该电 阻阻值为,电阻的误差为。 7、已知电阻为R1=2Ω、R2=5Ω的两个电阻串联使用,串联后 总电阻R= ;测得U1=6V,端电压U= 。 … 8、已知电阻为R1=3Ω、R2=6Ω的两个电阻并联使用,并联后 总电阻R= ;测得I=3A, I2= 。 9、交流电的图形符号是;文字符号是。 10、当外电阻增加,回路中电流会,端电压会。 11、3个E=,R0=Ω的电池串联后E串= ;R0串= 。 12、测量电能使用,= J。 13、电源向负载输出最大功率的条件是:; 输出的最大功率是。 二、选择题:(每题2分,共20分) 1、将电能转换成其它形式的能量的是电路中()的作用。 A、导线; B、电源; C、负载; D、控制装置 ` 2、当电路处于断路状态时电路中电流为() A、0; B、∞; C、负载电流; D、不确定 3、两段相同材料的导线,l1︰l2=3︰5;A1︰A2=2︰1;则两电 阻R1︰R2=( )。 A、5︰6; B、6︰5; C、10︰3; D、3︰10; 4、某电阻上标有R33,该电阻阻值为(); A、33Ω; B、Ω; C、Ω; D、330Ω 5、某电压表量程为3V,R V=12KΩ;要将量程扩大到10V,应 该()。 A、串联,28KΩ; B、串联,40KΩ; C、并联,28KΩ; D、并联,28KΩ; 6、如下图万用表表盘,选择量 程为Rx10;该被测电阻为() 、 A、120Ω; B、Ω; 简 单 直 流 电 路 练 习 题 姓 名 : 成 绩 :

简单直流电路练习题

一、填空题:(每空1分,共30分) 1、某电路处于短路状态:其端电压U= ,电路中电流I= ,电源对外做功P= 。 2、根据电阻率ρ的大小,将ρ 的材料称为良 导体,将ρ 的材料称为绝缘体,将ρ 的材料称为半导体,将ρ 的材料称为超导体。 3、某导体的电阻率ρ=×10-6 Ω·m,导线长度为100 m ,导线截面积为;这段导线的电阻为 。 4、某电阻上标有20W120ΩJ ,其含义为: 。 5、某电阻上标有121该电阻阻值为 ;某电阻上标有473该电阻阻值为 ;某电阻上标有56该电阻阻值为 。 6、某电阻上有棕黑橙金四环,该电阻阻值为 ,电阻的误差为 ;某电阻上有黑红红银紫五环,该电阻阻值为 ,电阻的误差为 。 7、已知电阻为R 1=2Ω、R 2=5Ω的两个电阻串联使用,串联后总电阻R= ;测得U 1=6V ,端电压U= 。 8、已知电阻为R 1=3Ω、R 2=6Ω的两个电阻并联使用,并联后总电阻R= ;测得I=3A , I 2= 。 9、交流电的图形符号是 ;文字符号是 。 10、当外电阻增加,回路中电流会 ,端电压会 。 11、3个E=,R 0=Ω的电池串联后E 串= ;R 0串= 。 12、测量电能使用 ,= J 。 13、电源向负载输出最大功率的条件是: ;输出的最大功率是 。 二、选择题:(每题2分,共20分) 1、将电能转换成其它形式的能量的是电路中( )的作用。 A 、导线; B 、电源; C 、负载; D 、控制装置 2、当电路处于断路状态时电路中电流为( ) A 、0; B 、∞; C 、负载电流 ; D 、不确定 3、两段相同材料的导线,l 1︰l 2=3︰5;A 1︰A 2=2︰1;则两电阻R 1︰R 2=( )。 A 、5︰6; B 、6︰5; C 、10︰3; D 、3︰10; 4、某电阻上标有R33,该电阻阻值为( ); A 、33Ω;B 、Ω; C 、Ω;D 、330Ω 5、某电压表量程为3V,R V =12K Ω;要将量程扩大到10V ,应该( )。 A 、串联,28K Ω; B 、串联,40K Ω; C 、并联,28K Ω; D 、并联,28K Ω; 6、如下图万用表表盘,选择量程为Rx10;该被测电阻为 ( ) A 、120Ω;B 、Ω; C 、12K Ω; D 、150Ω 7、将220V,40W 和220V,60W 的两个灯泡串联后接到300V 简单直流电路练习题姓名: 成绩:

分压式放大电路

分压式放大电路 前面讨论的基本放大电路,当基极偏置电阻b R 确定后,基极偏置电流BQ I (/BQ CC b I U R =)也就固定了,这种电路叫固定偏置放大电路。它具有元器件少,电路简单和放大倍数高等优点,但它的最大缺点就是稳定性差,因此只能在要求不高的电路中使用。 当温度变化时,三极管的的参数都会随之发生改变,从而使静态工作点发生变动,进而影响放大器的性能,甚至不能正常工作。 为了使放大电路能减小温度的影响,通常采用改变偏置的方式或者利用热敏器件补偿等办法来稳定静态工作点,下面介绍三种常用的稳定静态工作点的偏置电路。 1)1)电路的特点和工作原理 分压式放大电路如图2-8所示。 图2-8 分压式偏置电路 设流过电阻1b R 和2b R 的电流分别为1I 和2I ,并且,一般I BQ 很小,所以近似认为1I ≈2I 。这样,基极电位B U 就完全取决2b R 上的分压,即 212b b b CC BQ R R R U U +≈ (2-13) 从上式看出,在BQ I I <<2的条件下,基极电位BQ U 由电源CC U 经1b R 和2b R 分压所决定,与三极管参数无关,当然也就不受温度影响。

如果BEQ BQ U U <<,则发射极电流为 e 2b 1b CC 2b e BQ e BEQ BQ EQ R )R R (R R R +=-=U U U U I ≈ (2-14) 从上面分析来看,静态工作点稳定是在满足两式的条件: BQ I I >>1和BEQ BQ U U >> 1I 和BQ U 越大,则工作点稳定性越好。但是1I 也不能太大,因为一方面1I 太大使电阻1b R 和2b R 上的能量消耗太大;另一方面1I 太大,要求1b R 很小,这样对信号源的分流作用加大了,当信号源有内阻时,使信号源内部压降增大,有效输入信号减小,降低了放大电路的放大倍数。同样BQ U 也不能太大,如果BQ U 太大,必然E U 太大,导致CEQ U 减小,甚至影响放大电路的正常工作。在工程上,通常这样考虑: 对于硅管:1I =(5~10)BQ I BQ U =(3~5)V (2-15) 对于锗管:1I =(10~20)BQ I BQ U =(1~3)V (2-16) 2)静态工作点的近似估算 根椐以上分析,由图2-8可得 2 12b b b CC B R R R U U +≈ e BEQ B EQ CQ R U U I I -=≈ (2-17) )R R (e c CQ CC CEQ +-=I U U (2-18) β≈CQ BQ I I (2-19) 这样就可根据以上各式来估算静态工作点,式(2-19)的实际意义不大。 3)电压放大倍数的估算 图2-8的微变等效电路如图2-9所示。

简单直流电路 练习题答案

电工技术基础与技能 第二章简单电路练习题 班别:高二()姓名:学号:成绩: 一、是非题 1、当外电路开路时,电源端电压等于零。() 2、短路状态下,电源内阻的压降为零。() 3、电阻值为R1=20Ω,R2=10Ω的两个电阻串联,因电阻小对电流的阻碍作用小,故R2中通过 的电流比R1中的电流大些。 () 4、一条马路上路灯总是同时亮,同时灭,因此这些灯都是串联接入电网的。() 5、通常照明电路中灯开得越多,总的负载电阻就越大。() 6、万用表的电压、电流及电阻档的刻度都是均匀的。() 7、通常万用表黑表笔所对应的是内电源的正极。() 8、改变万用表电阻挡倍率后,测量电阻之前必须进行电阻调零。() 9、电路中某两点的电位都很高,则这两点间的电压也一定很高。() 10、电路中选择的参考点改变了,各点的电位也将改变。() 二、选择题(2X20)请将正确的答案填在题后的答题卡中,否则无效。 1、在图2-29所示电路中,E=10V,R0=1Ω,要使Rp获得 最大功率,Rp应为( )Ω。 2、在闭合电路中,负载电阻增大,则端电压将( )。 A.减小 B.增大 C.不变 D.不能确定 3、将R1>R2>R3的三只电阻串联,然后接在电压为U的电源 上,获得功率最大的电阻是( )。 A. R1 B. R2 C. R3 D.不能确定 4、若将上题三只电阻并联后接在电压为U的电源上,获得功 率最大的电阻是( )。 A. R1 B. R2 C. R3 D.不能确定 5、一个额定值为220V、40W的白炽灯与一个额定值为220V、60W的白炽灯串联接在220V电源 上,则( )。 灯较亮较亮 C.两灯亮度相同 D.不能确定 6、两个电阻R1、R2并联,等效电阻值为( )。 A.两者的和除以两者的乘积 B. R1-R2 C.两者的乘积除以两者的和 D. 倒数和 7、两个阻值均为555Ω的电阻,作串联时的等效电阻 与作 并联时的等效电阻之比为( )。 :1 :2 :1:4 8、电路如图2-30所示,A点电位为( )V。 三、填充题 1、电动势为2V的电源,与9Ω的电阻接成闭合电 路,电源两级间的电压为,这时电路中 的电流为,电源内阻为___1__Ω。 2、在图2-31所示电路中,当开关S扳向2时,电压 表读数为;当开关S扳向1时,电流表读数 为3A,R = 2 Ω,则电源电动势为, 电源内阻为Ω。 3、有一个电流表,内阻为100Ω,满偏电流为3mA, 要把它改装成量程为6V的电压表,需Ω 的分压电阻;若要把它改装成量程为3A的电流表,则需Ω的分流电阻。 4、两个并联电阻,其中R1 = 200Ω,通过R1的电流I1 = ,通过整个并联电路的电流I = , 则R2 =Ω,R2中的电流I2 =。 5、用伏安法测电阻,如果待测电阻比电流表内阻__大得多__时,应采用__内接法__。这样测量 出的电阻值要比实际值___大_____。 6、用伏安法测电阻,如果待测电阻比电压表内阻__小得多__时,应采用__外接法__。这样测量 出的电阻值要比实际值___小_____。 7、在图2-32所示电路中,R1=2Ω,R2=3Ω,E=6V,内阻不计,I=,当电流从D流向A时, Uac=___5V__、Udc=;当电流从A流向D时,Uac=___7V__、Udc=。; 8、在图2-33所示电路中,E1=6V,E2=10V,内阻不计,R1=4Ω,R2=2Ω,R3 =10Ω,R4=9Ω, R5=1Ω,则V A=___2V__V,V B=___2V__V, V F=___1V___V。 四、计算题(5X6)

分压式偏置放大电路

2 分压式偏置放大电路 2.1 分压式偏置放大电路的组成 分压式偏置放大电路如图所示。V 是放大管;R B1、R B2是偏置电阻,R B1、R B2组成分压式偏置电路,将电源电压U CC 分压后加到晶体管的基极;R E 是射极电阻,还是负反馈电阻;C E 是旁路电容与晶体管的射极电阻R E 并联,C E 的容量较大,具有“隔直、导交”的作用,使此电路有直流负反馈而无交流负反馈,即保证了静态工作点的稳定性,同时又保证了交流信号的放大能力没有降低。 . 图a 图b 2.2 稳定静态工作点的原理 分压式偏置放大电路的直流通路如图a 所示。当温度升高,I C 随着升高,I E 也会升高,电流I E 流经射极电阻R E 产生的压降U E 也升高。又因为U BE=U B-U E ,如果基极电位U B 是恒定的,且与温度无关,则U BE 会随U E 的升高而减小,I B 也随之自动减小,结果使集电极电流I C 减小,从而实现I C 基本恒定的目的。如果用符号“ ”表示减小,用“ ”表示增大,则静态工作点稳定过程可表示为: 要实现上述稳定过程,首先必须保证基极电位U B 恒定。由图b 可见,合理选择元件,使流过偏置 电阻R B1的电流I 1比晶体管的基极电流I B 大很多,则U CC 被R B1、R B2分压得晶体管的基极电位U B : 分压式偏置放大电路中,采用了电流负反馈,反馈元件为R E 。这种负反馈在直流条件下起稳定静态工作点的作用,但在交流条件下影响其动态参数,为此在该处并联一个较大容量的电容C E ,使R E 在交流通路中被短路,不起作用,从而免除了R E 对动态参数的影响。 .2.3 电路定量分析 1.静态分析 根据定理可得输出回路方程 ↓↓→↓??????→?↑↑→↑→↑→-=C B BE U U U U E E C I I U U I I T B E B BE 恒定 且CC B B B B U R R R U 2 12 +=↑↓

2.简单直流电路练习试卷

文档来源为:从网络收集整理.word 版本可编辑.欢迎下载支持. 1文档收集于互联网,如有不妥请联系删除. 第二章 简单直流电路 考纲要求 (1)掌握欧姆定律。 (2)掌握电阻串、并联的连接方式及电路特点。 (3)掌握混联电路的等效电阻、电压、电流及电功率的计算方法。 预习提要 一、欧姆定律 1、部分电路欧姆定律 内容:在不包含电源的电路中,导体中通过的电流与这段导体两端的电压成正比,与导体的电阻成反比,即I = R U 2、全电路欧姆定律 内容:在全电路中,电流与电源的电动势成正比,与整个电路的内外电阻之和成反比,即I = r R E +。 4、负载获得最大功率的条件:R = r 获得的最大功率为:Pm = R E r E 442 2= 注意:当负载获得最大功率时,电源的效率只有50%,并不是最大。 二、电阻的串联 1、定义:把电阻一个接一个地依次连接起来,就组成串联电路。 2、特点:(1)、电路中各处的电流相等(I=I 1=I 2=I 3);(2)、电路两端的总电压等于各部分电路两端的电压之和(U 总=U 1+U 2+U 3);(3)、串联电路的总电阻,等于各个串联电阻之和(R 总=R 1+R 2+R 3)。 3、电压分配关系(1)串联电路中各个电阻两端的电压跟它的阻值成正比。( 11 22 R U R U =) (2)两个电阻串联时的分压公式:U1= 112R U R R + ,U2=2 12 R U R R + 4、功率分配关系:串联电路中各个电阻消耗的功率跟它的阻值成正比。11 22 R P R P = 5、应用(串联电阻扩大电压表的量程) 三、电阻的并联 1、定义:把几个电阻并列地连接起来,就组成了并联电路。 2、特点:(1)、电路中各支路两端的电压相等(U=U 1=U 2=U 3);(2)、电路中的总电流等于各支路的电流之和(I 总=I 1+I 2+I 3);(3)、并联电路的总电阻的倒数等于各个电阻的倒数之和( 总R 1=11R +21 R +3 1R )。 3、电流分配关系(1)并联电路中通过各个电阻的电流与它的电阻成反比。( 21I I =1 2R R ) (2)两个电阻并联时的分流公式:I1=2 12 R I R R + ,I2= 1 12 R I R R + 4、功率分配关系:并联电路中各个电阻消耗的功率跟它的阻值成反比。21P P =1 2R R 5、应用(并联电阻扩大电流表的量程) 课堂练习 ( )1、当某电阻两端的电压为10V 时,它的阻值为10Ω;而当它两端的电压升至20V ,则它的阻值也将升至20Ω。 ( )2、通路状态下,负载电阻增大,电源端电压就要下降。 ( )3、短路状态下,电源内电阻的压降为零。 ( )4、欧姆定律公式的列写,与电压、电流、电动势的正方向有关 ( )5、通常电灯开的越多,总负载电阻越大。 ( )6、两个电阻并联时,其等效电阻总是大于并联电阻中最小的一个电阻。 ( )7、只有负载电阻等于电源内阻时,负载才能获得最大功率。 8、在电路中当R =14.8Ω时,电流I=0.1A,当R =0.3Ω时,电流I=3A ,则电动势E0= V,内电阻R0= Ω。 9、已知电源电动势E=2V ,负载电阻R=9Ω,电源的端电压U=1.8V ,则电源的内电阻R0= Ω。 10、一只“220V 40W ”的灯泡,它的灯丝电阻是________ 。当它接在110V 的电路上,它的实际功率是_______________。(假定灯丝电阻不随温度而变化) 11、如果给负载加上100V 电压,则在该负载上就产生2A 的电流;如果给该负载加上75V 电压,则负载上流过的电流是_______________;如果给该负载加上250V 电压,则负载上的电流是_______________。 12、两个同种材料的电阻丝,长度之比为1:5,横截面积之比2:3,它们的电阻之比为_______________。将它们串联时,它们的电压之比为_______________,电流强度之比为_______________;将它们并联时,它们的电压之比为_______________,电流强度之比_____________。 13、电路处于开路状态时,电路中的电流等于_______________,路端电压等于_______________;电路处于短路状态时,电源内电压等于_______________,路端电压等于_______________。

分压式射极偏置电路教案

***********2014年教学质量月优秀教案评选参评教案 课程名称:电子技术基础 教案编号: 分压式射极偏置电路 作者姓名: **** 教学系部:电气工程系 联系电话: ********

教案正页序号 09

通过提问复习旧课作为新课切入点,并指出共射极基本放大电路静态工作点不能自动调整,从而顺利导入新课。结合三极管实【复习提问】5分钟 1.共射极基本放大电路的组成及各元件的作用是什么? 2.共射极基本放大电路的静态工作点是如何设置的? 【新课导入】3分钟 上次课学习的共射极基本放大电路,结构简单,但由于电源V CC和R B是定值,所以提供的基极电流I BQ也是定值,电路本身不能自动调节静态工作点,故称为固定偏置放大电路。这种电路当外部因素(温度变化、电源电压波动和更换管子等)改变后,静态工作点也随之变化。当静态工作点变动到不合适的位置时,将引起放大信号的失真。 所以我们需要能自动稳定静态工作点的放大电路,这就是本次课我们要学习的内容——分压式射极偏置电路。 【新课讲授】65分钟 课题 分压式射极偏置电路 1、 温度对静态工作点(Q点)的影响 在工作点不稳定的各种因素中,温度的影响最为显著!如 图所示为三极管在25℃和45℃两种情况下的输出特性曲线,温 度升高时,I B=0的曲线升高,各条曲线间隔增大,使整个曲线 簇上移,I CQ增大,静态工作点Q上移到接近饱和区Q’的位置。

内容1 画直流通路的方法已经讲过,让学生到黑板画出。 动画演示电流的流通方向和电压的电位方向,增加形象性和 由此可见,I EQ 也是稳定的,因为I CQ ≈I EQ ,所以I CQ 也稳定不变,从而使静态工作点保持稳定。总结:如果分压式射极偏置电路满足I 2>>I BQ 和U BQ >>U BEQ 两个条件,那么静态工作电压U BQ 、静态工作电流I EQ (或I CQ )由外电路参数决定,与环境温度、三极管参数几乎无关,所以静态工作点会保持稳定不变。从物理过程上分析假如温度升高,Q点上移,I CQ 增加,I EQ 增加,而U BQ 是由电阻R B1、R B2分压固定的,I CQ 的增加将使外加于三极管的U BEQ 减小,从而使I BQ 自动减小,结果限制了I CQ 的增加,使I CQ 基本恒定,Q 点回到原来位置。稳定过程如下:总结:稳定工作点的实质是利用发射极电阻R E ,将电流I EQ 的变化转化为电压的变化,加到输入回路,通过三极管基极电流的控制作用,使静态电流I CQ 稳定不变,集电极电压U CEQ 也稳定不变,即静态工作点稳定不变。3、静态工作点的估算——分析直流通路

电工基础学案-第二章 简单直流电路练习试卷

1 《电工基础》学案(2) 第二章 简单直流电路 使用班级:10机电1、2、3 执笔:孟书霞 时间:2011.3 班级: 姓名: 分数: 考纲要求 1、熟练掌握部分电路欧姆定律和闭合电路欧姆定律。 2、了解电路的几种工作状态(通路、开路、短路),掌握在每一种状态下电路中电流、电压和功率的计算。 3、 熟练掌握电阻串、并联的特点和作用,掌握简单混联电路的分析和计算。 4、负载获得最大功率的条件 预习提要 一、欧姆定律 1、部分电路欧姆定律 内容:在不包含电源的电路中,导体中通过的电流与这段导体两端的电压成正比,与导体的电阻成反比,即I = R U 2、全电路欧姆定律 内容:在全电路中,电流与电源的电动势成正比,与整个电路的内外电阻之和成反比,即I = r R E +。 3、 参数 电路状态 电流 端电压 通路 I = r R E U = E —I r 开路(断路) I=0A U = E 短路(捷路) I= r E U=0 4、负载获得最大功率的条件:R = r 获得的最大功率为:Pm = R E r E 442 2 = 注意:当负载获得最大功率时,电源的效率只有50%,并不是最大。 二、电阻的串联 1、定义:把电阻一个接一个地依次连接起来,就组成串联电路。 2、特点:(1)、电路中各处的电流相等(I=I 1=I 2=I 3);(2)、电路两端的总电压等于各部分电路两端的电压之和(U 总=U 1+U 2+U 3);(3)、串联电路的总电阻,等于各个串联电阻之和(R 总=R 1+R 2+R 3)。 3、电压分配关系(1)串联电路中各个电阻两端的电压跟它的阻值成正比。( 2 12 1U U R R ) (2)两个电阻串联时的分压公式:U1=U R R R 2 11 ,U2= U R R R 2 12 4、功率分配关系:串联电路中各个电阻消耗的功率跟它的阻值成正比。2 12 1P P R R 5、应用(串联电阻扩大电压表的量程) 三、电阻的并联 1、定义:把几个电阻并列地连接起来,就组成了并联电路。 2、特点:(1)、电路中各支路两端的电压相等(U=U 1=U 2=U 3);(2)、电路中的总电流等于各支路的电流之和(I 总=I 1+I 2+I 3);(3)、并联电路的总电阻的倒数等于各个电阻的倒数之和( 总 R 1= 1 1R + 2 1R + 3 1R )。 3、电流分配关系(1)并联电路中通过各个电阻的电流与它的电阻成反比。(2 1I I = 12R R ) (2)两个电阻并联时的分流公式:I1= I R R R 2 12 ,I2= I R R R 2 11 4、功率分配关系:并联电路中各个电阻消耗的功率跟它的阻值成反比。2 1P P = 1 2R R 5、应用(并联电阻扩大电流表的量程) 课堂练习 ( )1、当某电阻两端的电压为10V 时,它的阻值为10Ω;而当它两端的电压升至20V ,则它的阻值也将升至20Ω。 ( )2、通路状态下,负载电阻增大,电源端电压就要下降。 ( )3、短路状态下,电源内电阻的压降为零。 ( )4、欧姆定律公式的列写,与电压、电流、电动势的正方向有关 ( )5、通常电灯开的越多,总负载电阻越大。 ( )6、两个电阻并联时,其等效电阻总是大于并联电阻中最小的一个电阻。 ( )7、只有负载电阻等于电源内阻时,负载才能获得最大功率。 8、在电路中当R =14.8Ω时,电流I=0.1A,当R =0.3Ω时,电流I=3A ,则电动势E0= V ,内电阻R0= Ω。 9、已知电源电动势E=2V ,负载电阻R=9Ω,电源的端电压U=1.8V ,则电源的内电阻R0= Ω。 10、一只“220V 40W ”的灯泡,它的灯丝电阻是________ 。当它接在110V 的电路上,它的实际功率是_______________。(假定灯丝电阻不随温度而变化) 11、如果给负载加上100V 电压,则在该负载上就产生2A 的电流;如果给该负载加上75V 电压,则负载上流过的电流是_______________;如果给该负载加上250V 电压,则负载上的电流是_______________。 12、两个同种材料的电阻丝,长度之比为1:5,横截面积之比2:3,它们的电阻之比为_______________。将它们串联时,它们的电压之比为_______________,电流强度之比为_______________;将它们并联时,它们的电压之比为_______________,电流强度之比_____________。 13、电路处于开路状态时,电路中的电流等于_______________,路端电压等于_______________;电路处于短路状态时,电源内电压等于_______________,路端电压等于_______________。 14、有一表头,满刻度电流Ig=100微安,内阻Rg=1.5千欧,若把它改成量程为1mA 的电流表,应 联的电阻R= 。 15、现有一量程10V 的电压表,内阻Rg=10千欧,若把它改成量程为250V 的电压表,应 联的电阻R= 。

分压偏置共射极放大电路

实验分压偏置共发射极放大器 一、实验目的 1.了解工作点漂移的原因及稳定措施。 2.熟练掌握静态工作点的测量与调整方法。 3.了解小信号放大器的放大倍数、动态范围与静态工作点的关系。 二、预习要求 1.参考教材中有关稳定放大器工作点的内容,完成本实验习题。 2.按实验电路图3.1中实际元件参数值,计算电路的静态工作点值。 3.据实验要求,设计数据表格,供实验测试时记录数据用。 三、实验电路及测量原理 图1 实验测试电路如图1所示: 1.稳定静态工作点的原理 温度的变化会导致三极管的性能发生变化,致使放大器的工作点发生变化,影响放大器的正常工作。实验图 1 所示电路中是通过增加下偏置电阻和射极电阻来改善直流工作点的稳定性的,其工作原理如下: (1)利用R b和R b2的分压作用固定基极电压V B。 由实验图1可知,当R B、R B2选择适当,满足I2、远大于I B、时,则有 式中R B、R B2和V CC都是固定的,不随温度变化,所以基极电位基本上为一定值。 (2)通过I E的负反馈作用,限制I C的改变,使工作点保持稳定。

具体稳定过程如下: 2.静态工作点的计算与测量 图1所示电路的静态工作点可由以下几个关系式确定: 对静态工作点的测量,在电路中只要分别测出三极管的三个电极对地的电压值,便可求得静态工作点I CQ、V CEQ、V BEQ的大小。 四、实验内容 1.按实验电路图1接线,收音机作信号源,扬声器作负载,用示波器观察输入和输出信号的波形,R L=5.1kΩ电阻作负载,观察输入和输出信号的波形。 2.用音频信号发生器作信号源,在电路的输入端加入频率为1kHz的正弦信号,在增大输入信号v i的同时,调整静态工作点,使用示波器观测到的输出波形最大而不失真。 3.保持静态工作点不变,撤去信号源,用万用表(直流挡)测量V B、V C、V E ,并与实 验习题中计算的结果进行比较。 3.改变R P值的大小,重复上述实验内容3。 4.改变电源电压值(3V、6V、9V、12V)的大小,重复实验内容2和3。 5.改变R C 值的大小,重复上述实验内容2和3。 6.改变R E 值的大小,重复上述实验内容2和3。 7.把发射极旁路电容C E开路或减小为4.7μF,重复上述实验内容2和3。 8.用电烙铁烘烤管子,使管子温度升高,观察I CQ、V CEQ的变化。 10.实验电路中把NPN型管换成PNP型管,调整供电电源性,极性重复实验内容2~6。 五、实验报告要求 1.整理实验数据,填入自拟表格中,计算出静态工作点值,并与对应的理论值相比较,分析产生误差的原因。 2.通过实验结论,总结改变电路R P、R E、R C 、V CC对工作点及输出波形的影响,分析 波形变化的原因。 六、实验习题 1 按实验电路图1 所示参数,计算出静态工作点。 2 影响工作点稳定的因素有哪些?采用何种方式能稳定静态工作点? 3 本实验电路图1与实验1 (a)的电路有何异同?

第二章-简单直流电路

§2-1全电路欧姆定律 教学目标 1、掌握闭合电路的欧姆定律; 2、理解电源端电压的概念; 3、掌握电源的输出最大功率。 一、课前练习 (一)复习 1、无特别说明时,电路图中标注的方向都是电压和电流的。 2、如下图所示电路,试求出对应的电压或电流值。 I= ; U= 。 3、判别一个元件是吸收功率还是发出功率,可根据I、U的参考方向和P的数值来判别, 在I、U关联方向下,若P>0,则元件电功率;若P<0,则元件电功率。 4、如图所示电路,试求各元件的功率,并判断元件的性质。 5、若电炉的电阻为1kΩ,通过电炉的电流为800mA,则灯泡在两小时内电流做的功 是。 二、教学过程 (一)电动势 1、电源有两电极,为极和极。电源内部电路叫,电源外部的电路叫。 2、的力称为非静电力。这种力可以来自于作用或作用。 3、电源的作用就是把能转化成能的装置。如电池就是把能转化成 能,发电机就是把能转化成能。 4、电源的电动势就是指力把单位正电荷从极经电源的移送到

极所做的功。计算公式为;单位是。 5、电源的电动势的大小是由决定的,跟的情况没有关系。所以 电动势反映了电源能量转换的本领。 (二)闭合电路的欧姆定律 1、在闭合电路中,不但外电路有电阻,内电路也有,内电路的电阻称为。 2、如图外电路是指,内电路是指, 内阻是指,电路端电压是指。 3、闭合电路欧姆定律内容是。 电流计算式I= ,电路端电压U= = ,所以回路电流随负载电阻R的增大而,电路端电压随负载电阻R的增大而。 (1)当外电路短路时,I= ,U= ;通常短路电流,应尽量避免。(2)当外电路开路时,I= ,U= 。 4、电源的外特性就是指电源随负载变化的规律。 5、电源向负载输出的功率:上图电路中,当负载电阻R= 时,负载上获得最大 功率;最大功率,最大功率为P max= 。此时称负载与电源。6、当电源的输出功率最大时,满足R= ,所以负载上和内阻上消耗的功率,这 时的电源效率不高,只有。 补充:最大功率问题: 1、可调电阻获得最大功率: 2、电源输出最大功率: 3、固定电阻获得最大功率:

相关文档
相关文档 最新文档