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74HC132

TL F 5309MM54HC132 MM74HC132 Quad 2-Input NAND Schmitt Trigger

PRELIMINARY

January1988 MM54HC132 MM74HC132Quad2-Input

NAND Schmitt Trigger

General Description

The MM54HC132 MM74HC132utilizes advanced silicon-

gate CMOS technology to achieve the low power dissipation

and high noise immunity of standard CMOS as well as the

capability to drive10LS-TTL loads

The54HC 74HC logic family is functionally and pinout com-

patible with the standard54LS 74LS logic family All inputs

are protected from damage due to static discharge by inter-

nal diode clamps to V CC and ground

Features

Y Typical propagation delay 12ns

Y Wide power supply range 2V–6V

Y Low quiescent current 20m A maximum(74HC Series)

Y Low input current 1m A maximum

Y Fanout of10LS-TTL loads

Y Typical hysteresis voltage 0 9V at V CC e4 5V Connection and Logic Diagrams

Dual-In-Line Package

TL F 5309–1

Top View

Order Number MM54HC132or MM74HC132

TL F 5309–2

C1995National Semiconductor Corporation RRD-B30M105 Printed in U S A

Absolute Maximum Ratings(Notes1 2) If Military Aerospace specified devices are required please contact the National Semiconductor Sales Office Distributors for availability and specifications Supply Voltage(V CC)b0 5to a7 0V DC Input Voltage(V IN)b1 5to V CC a1 5V DC Output Voltage(V OUT)b0 5to V CC a0 5V Clamp Diode Current(I IK I OK)g20mA DC Output Current per pin(I OUT)g25mA DC V CC or GND Current per pin(I CC)g50mA Storage Temperature Range(T STG)b65 C to a150 C Power Dissipation(P D)

(Note3)600mW S O Package only500mW Lead Temperature(T L)

(Soldering10seconds)260 C Operating Conditions

Min Max Units Supply Voltage(V CC)26V DC Input or Output Voltage0V CC V (V IN V OUT)

Operating Temp Range(T A)

MM74HC b40a85 C MM54HC b55a125 C

DC Electrical Characteristics(Note4)

T A e25 C74HC54HC

Symbol Parameter Conditions V CC T A eb40to85 C T A eb55to125 C Units

Typ Guaranteed Limits

V T a Positive Min2 0V1 01 01 0V Going Threshold Voltage4 5V2 02 02 0V

6 0V3 03 03 0V

Max2 0V1 51 51 5V

4 5V3 153 153 15V

6 0V4 24 24 2V V T b Negative Going Min2 0V0 30 30 3V Threshold Voltage4 5V0 90 90 9V

6 0V1 21 21 2V

Max2 0V1 01 01 0V

4 5V2 22 22 2V

6 0V3 03 03 0V V H Hysteresis Voltage Min2 0V0 20 20 2V

4 5V0 40 40 4V

6 0V0 50 50 5V

Max2 0V1 01 01 0V

4 5V1 41 41 4V

6 0V1 51 51 5V V OH Minimum High Level V IN e V IH or V IL

Output Voltage l I OUT l s20m A2 0V2 01 91 91 9V

4 5V4 54 44 44 4V

6 0V6 05 95 95 9V

V IN e V IH or V IL

l I OUT l s4 0mA4 5V4 23 983 843 7V

l I OUT l s5 2mA6 0V5 75 485 345 2V V OL Maximum Low Level V IN e V IH or V IL

Output Voltage l I OUT l s20m A2 0V00 10 10 1V

4 5V00 10 10 1V

6 0V00 10 10 1V

V IN e V IH or V IL

l I OUT l s4 0mA4 5V0 20 260 330 4V

l I OUT l s5 2mA6 0V0 20 260 330 4V I IN Maximum Input V IN e V CC or GND6 0V g0 1g1 0g1 0m A

Current

I CC Maximum Quiescent V IN e V CC or GND6 0V2 02040m A

Supply Current I OUT e0m A

Note1 Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur

Note2 Unless otherwise specified all voltages are referenced to ground

Note3 Power Dissipation temperature derating plastic‘‘N’’package b12mW C from65 C to85 C ceramic‘‘J’’package b12mW C from100 C to125 C Note4 For a power supply of5V g10%the worst case output voltages(V OH and V OL)occur for HC at4 5V Thus the4 5V values should be used when designing with this supply Worst case V IH and V IL occur at V CC e5 5V and4 5V respectively (The V IH value at5 5V is3 85V )The worst case leakage current(I IN I CC and I OZ)occur for CMOS at the higher voltage and so the6 0V values should be used

AC Electrical Characteristics V CC e5V T A e25 C C L e15pF t r e t f e6ns

Symbol Parameter Conditions Typ Guaranteed

Units Limit

t PHL t PLH Maximum Propagation1220ns

Delay

AC Electrical Characteristics V CC e2 0V to6 0V C L e50pF t r e t f e6ns(unless otherwise specified)

T A e25 C 74HC54HC

Symbol Parameter Conditions V CC T A eb40to85 C T A eb55to125 C Units

Typ Guaranteed Limits

t PHL t PLH Maximum Propagation2 0V63125158186ns Delay4 5V13253237ns

6 0V11212732ns

t TLH t THL Maximum Output Rise2 0V307595110ns and Fall Time4 5V8151922ns

6 0V7131619ns

C P

D Power Dissipation(per gate)130pF

Capacitance(Note5)

C IN Maximum Input51010pF

Capacitance

Note5 C PD determines the no load dynamic power consumption P D e C PD V CC2f a I CC V CC and the no load dynamic current consumption I S e C PD V CC f a I CC

M M 54H C 132 M M 74H C 132Q u a d 2-I n p u t N A N D S c h m i t t T r i g g e r

Physical Dimensions inches (millimeters)

Dual-In-Line Package (J)

Order Number MM54HC132J or MM74HC132J

NS Package J14A

Dual-In-Line Package (N)Order Number MM74HC132N

NS Package N14A

LIFE SUPPORT POLICY

NATIONAL’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION As used herein 1 Life support devices or systems are devices or 2 A critical component is any component of a life systems which (a)are intended for surgical implant support device or system whose failure to perform can into the body or (b)support or sustain life and whose be reasonably expected to cause the failure of the life failure to perform when properly used in accordance support device or system or to affect its safety or with instructions for use provided in the labeling can effectiveness

be reasonably expected to result in a significant injury to the user

National Semiconductor National Semiconductor National Semiconductor National Semiconductor Corporation

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脉冲波形的产生和整形习题解答

自我检测题 1．集成单稳触发器，分为可重触发及不可重触发两类，其中可重触发指的是在暂稳态期间，能够接收新的触发信号，重新开始暂稳态过程。 2．如图T6.2所示是用CMOS 或非门组成的单稳态触发器电路， v I 为输入触发脉冲。指出稳态时a 、b 、d 、 e 各点的电平高低；为加大输出脉冲宽度所采取的下列措施哪些是对的，哪些是错的。如果是对的，在（）内打√，如果是错的，在（）内打×。（1）加大R d （）；（2）减小R （）；（3）加大C （）；（4）提高V DD （）；（5）增加输入触发脉冲的宽度（）。 v I v O V 图 P6.2 解：（1）×（2）×（3）√（4）×（5）× 3．四个电路输入v I 、输出v O 的波形如图T6.3所示，试写出分别实现下列功能的最简电路类型（不必画出电路）。（a ）二进制计数器；（b ）施密特触发器；（c ）单稳态触发器；（d ）六进制计数器。 t t v I v t t （a ） v v （b ） t t v I v （c ）v I v （d ）

图 T6.3 4．单稳态触发器的主要用途是。 A ．整形、延时、鉴幅 B ．延时、定时、存储 C ．延时、定时、整形 D ．整形、鉴幅、定时 5．为了将正弦信号转换成与之频率相同的脉冲信号，可采用。 A ．多谐振荡器 B ．移位寄存器 C ．单稳态触发器 D ．施密特触发器 6．将三角波变换为矩形波，需选用。 A ．单稳态触发器 B ．施密特触发器 C ．多谐振荡器 D ．双稳态触发器 7．滞后性是的基本特性。 A ．多谐振荡器 B ．施密特触发器 C ．T 触发器 D ．单稳态触发器 8．自动产生矩形波脉冲信号为。 A ．施密特触发器 B ．单稳态触发器 C ．T 触发器 D ．多谐振荡器 9．由CMOS 门电路构成的单稳态电路的暂稳态时间t w 为。 A . 0.7RC B . RC C . 1.1RC D . 2RC 10．已知某电路的输入输出波形如图T6.10所示，则该电路可能为。 A ．多谐振荡器 B ．双稳态触发器 C ．单稳态触发器 D ．施密特触发器 1 v I v o V DD R C G 1 G 2C d R d 图T6.10 11．由555定时器构成的单稳态触发器，其输出脉冲宽度取决于。 A ．电源电压 B ．触发信号幅度 C ．触发信号宽度 D ．外接R 、C 的数值 12．由555定时器构成的电路如图T6.12所示，该电路的名称是。 A ．单稳态触发器 B ．施密特触发器 C ．多谐振荡器D ．SR 触发器 R C v v O 图 T6.12 习题

电子技术——脉冲波形的产生与整形参考答案

第八章脉冲波形的产生与整形参考答案一、填空题 1.由脉冲振荡器产生利用整形电路将已有的周期性变化信号变换成矩形脉冲 2.脉冲宽度脉冲周期 3. a ，b 4. 滞回 1 5. 多谐振荡器单稳态触发器施密特触发器 6. 石英晶体暂稳态 7. 定时整形延时 8. 脉冲鉴幅器电平比较器 9.无稳态电路 10.开关器件，高、低电平，反馈网络，延迟环节，延时 11.稳态，稳态，暂稳态，暂稳态，稳态二、选择题 1．C 2．B 3．C 4．B 5．D 6．B 7．B 8. A 9. B 10.C 三、判断题 1.对 2.对 3.错 4错 5.对 6. 对 7. 错 8. 错 9. 对 10.错 11.对 12.错 13.对 14.错 15.对 16.错 17.对

四、简答题 1. （10-4中）555定时器3个5 k Ω电阻的功能是什么？参考答案：电阻分压器包括三个5k Ω电阻，对电源U DD 分压后，确定比较器（C 1、C 2）的参考电压分别为DD R132U U = ，DD R23 1U U =。（如果C-U 端外接控制电压U C ，则C R1U U =，C R221U U =）。 2.（10-4难）由555定时器组成的施密特触发器具有回差特性，回差电压△U T 的大小对电路有何影响？参考答案：回差电压越大，施密特触发器的抗干扰能力越强，但灵敏度越低。 3.（10-4难）用555定时器组成的施密特触发器电路如图（a ）所示，若输入信号u I 如图(b)所示，请画出u O 的波形。参考答案： U0的波形如图所示

4.（10-4易）图示是555定时器组成的何种电路？参考答案：图示是由555定时器组成的单稳态触发器。 5.（10-3中）单稳态触发器的特点有哪些？参考答案： 1. 电路中有一个稳态，一个暂稳态。 2. 在外来触发信号作用下，电路由稳态翻转到暂稳态。 3. 暂稳态是一个不能长久保持的状态，由于电路中RC延时环节的作用，经过一段时间后，电路会自动返回到稳态。暂稳态的持续时间取决于RC 电路的参数值。 6.（10-3中）施密特触发器具有什么特点？参考答案： 1. 施密特触发器属于电平触发，对于缓慢变化的信号仍然适用，当输入信号达到某一定电压值时，输出电压会发生突变。 2. 输入信号增加和减少时，电路有不同的阈值电压。 7.（10-4难）看图回答问题：图示是占空比可调的方波发生器，试简单说明起工作过程。参考答案：接通电源后，电容C被充电，v C上升，当v C上升到大于2/3V CC时，触发器被复位，放电管T 导通，此时v0为低电平，电容C通过R2和T放电，使v C下降。当v C下降到小于1/3V CC时，触发器被置位，v0翻转为高电平。电容器C放电结束, 当C放电结束时，T截止，V CC将通过R1、R2向电容器C充电，v C由1/3V CC上升到2/3V CC，当v C上升到2/3V CC时，触发器又被复位

脉冲波形的产生和整形

脉冲波形的产生和整形【本章主要内容】本章主要介绍矩形脉冲波形的产生和整形电路。在脉冲整形电路中，介绍两类最常用两类整形电路─施密特触发器和单稳态触发器；在脉冲振荡电路中，介绍多谐振荡电路。上述电路可以采用门电路构成，也可以采用555集成定时器构成。重点讨论555集成定时器的工作原理及其应用。【本章学时分配】本章共分2讲，每讲2学时。第二十八讲用门电路组成的脉冲波形产生与整形电路一、主要内容 1、基础知识脉冲在数字电路中应用极为普遍，它的获取和分析是数字电路的一个组成部分。 1）矩形脉冲的获取方法 a.利用各种形式的多谐振荡器电路直接产生所需要的矩形脉冲； b.通过各种整形电路把已有的周性变化波形变换为符合要求的矩形脉冲。 2）矩形脉冲的主要参数为了定量描述矩形脉冲的特性，通常为了定量描述矩形脉冲的特性，通常给出P308图9.1中所标注的几个主要参数。这些参数是：脉冲周期T—周期性重复的脉冲序列中，两个相邻脉冲之间的时间间隔。有时也使用频率f=1/T表示单位时间内脉冲重复的次数。脉冲幅度V m—脉冲电压的最大变化幅度。脉冲宽度t w—从脉冲前沿到达0.5V m起，到脉冲后沿到达0.5V m为止的一段时间。上升时间t r——脉冲上升沿从0.1V m升到0.9V m所需要的时间。 t f——脉冲下降沿从0.9V m下降到0.1V m所需要的时间。下降时间 t w／T。占空比q——脉冲宽度与脉冲周期的比值，亦即q＝ 2、用门电路组成的施密特触发器 1）施密特触发器的工作特点 a.输入信号从低电平上升的过程中，电路状态转换时对应的输入电平，与输入信号从高电平下降过程中对应的输入转换电平不同。电路有不同的阈值电压，即具有滞后的电压传输特性。 b.在电路状态转换时，通过电路内部的正反馈过程使输出电压波形的边沿变得很陡。利用这两个特点不仅能将边沿变化缓慢的信号波形整形为边沿陡峭的矩形波，而且可以将叠加在矩形脉冲高、低电平上的噪声有效地清除。 2）滞后的电压传输特性滞后的电压传输特性，即输入电压上升的过程中，电路状态转换时对应的输入电平，与输入电压的下降过程中对应的输入转换电平不同（阈值电平不同），这是施密特触发器固有的特性。上升时的阈值电压V T+称为正向阈值电压，下降时的阈值电压V T—称为负向阈值电压，它们之间的差值称为回差电压△V T。 3）用门电路组成的施密特触发器的工作原理将两级反相器串接起来，同时通过分压电阻把输出端的电压反馈到输入端，就构成了P309图9.2（a）所示的施密特触发器电路。 a.分析v I从0逐渐升高并达到v’I=V T+引发的正反馈过程；

第六章脉冲波形的产生与整形电路-数字电子技术习题集

第六章一、选择题 1．脉冲整形电路有。 A.多谐振荡器 B.单稳态触发器 C.施密特触发器 D.555定时器2．多谐振荡器可产生。 A.正弦波 B.矩形脉冲 C.三角波 D.锯齿波 3．石英晶体多谐振荡器的突出优点是。 A.速度高 B.电路简单 C.振荡频率稳定 D.输出波形边沿陡峭 4．T T L单定时器型号的最后几位数字为。 A.555 B.556 C.7555 D.7556 5．555定时器可以组成。 A.多谐振荡器 B.单稳态触发器 C.施密特触发器 D.J K触发器6．用555定时器组成施密特触发器，当输入控制端C O外接10V电压时，回差电压为。 A.3.33V B.5V C.6.66V D.10V 7．以下各电路中，可以产生脉冲定时。 A.多谐振荡器 B.单稳态触发器 C.施密特触发器 D.石英晶体多谐振荡器二、判断题（正确打√，错误的打×） 1.施密特触发器可用于将三角波变换成正弦波。（） 2.施密特触发器有两个稳态。（） 3.多谐振荡器的输出信号的周期与阻容元件的参数成正比。（） 4.石英晶体多谐振荡器的振荡频率与电路中的R、C成正比。（） 5.单稳态触发器的暂稳态时间与输入触发脉冲宽度成正比。（） 6.单稳态触发器的暂稳态维持时间用t W表示，与电路中R C成正比。（）

7.采用不可重触发单稳态触发器时，若在触发器进入暂稳态期间再次受到触发，输出脉宽可在此前暂稳态时间的基础上再展宽t W。（）8.施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。（）三、填空题 1．555定时器的最后数码为555的是产品，为7555的是产品。 2．施密特触发器具有现象，又称特性；单稳触发器最重要的参数为。 3．常见的脉冲产生电路有，常见的脉冲整形电路有、。 4．为了实现高的频率稳定度，常采用振荡器；单稳态触发器受到外触发时进入态。四、练习题 1. 如图所示的单稳态触发器电路中， G 1 和 G 2 为 CMOS 或非门，电源电压V DD =15V 。已知R d = 100k Ω，R = 51 k Ω，C d = 1000pF ，C = 0.01 μ F 。试计算输出脉冲的宽度和幅度。

第6章脉冲波形的产生与整形

第6章脉冲波形的产生与整形教学目标 ●理解脉冲波形的产生与整形的原理 ●理解555定时器的结构框图和工作原理 ●掌握555定时器的应用电路及其工作原理 ●熟悉单稳态、多谐振荡器以及施密特电路，并能掌握其应用本章节是以555设计制作振荡电路为项目，通过对555理论知识的简介，从实际使用目标出发，最终设计并制作出振荡电路。并在设计制作振荡电路的过程中能够正确使用万用表、示波器等仪表仪器。 6.1 555定时器 555定时器又称时基电路，是一种将模拟功能和数字功能巧妙结合在一起的中规模集成电路。因其电路功能灵活，只要外接少许的阻容元件局就可构成施密特触发器、单稳态触发器和多谐振荡器等电路。故在信号的产生于整形、自动检测及控制、报警电路、家用电器等方面都有广泛的应用。 6.1.1 电路组成图555定时器按照内部元件为双极型（又称TTL型）和单极型两种。双极型内部采用的是TTL晶体管；单极型内部采用的则是CMOS场效应管。功能完全一样，区别是TTL定时器驱动能力大于CMOS定时器。下面，以TLL集成定时器NE555为例进行介绍。 NE555集成定时器内部电路如图6.1所示，主要由3个电阻R组成的分压器、2个高精度电压比较器C1和C2、1个基本RS触发器、1个作为放电的三极管V及输出驱动G3组成。