芯片可靠性测试(汇编)

芯片可靠性测试

质量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以说是IC产品的生命，好的品质，长久的耐力往往就是一颗优秀IC产品的竞争力所在。在做产品验证时我们往往会遇到三个问题，验证什么，如何去验证，哪里去验证，这就是what, how , where 的问题了。

解决了这三个问题，质量和可靠性就有了保证，制造商才可以大量地将产品推向市场，客户才可以放心地使用产品。本文将目前较为流行的测试方法加以简单归类和阐述，力求达到抛砖引玉的作用。

Quality 就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎SPEC的要求，是否符合各项性能指标的问题；Reliability则是对产品耐久力的测量，它回答了一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说Quality解决的是现阶段的问题，Reliability解决的是一段时间以后的问题。

知道了两者的区别，我们发现，Quality的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位在产品生产出来后，通过简单的测试，就可以知道产品的性能是否达到SPEC 的要求，这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。相对而言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，who knows? 谁会能保证今天产品能用，明天就一定能用？为了解决这个问题，人们制定了各种各样的标准，如

MIT-STD-883E Method 1005.8

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

等等，这些标准林林总总，方方面面，都是建立在长久以来IC设计，制造和使用的经验的基础上，规定了IC测试的条件，如温度，湿度，电压，偏压，测试方法等，获得标准的测试结果。这些标准的制定使得IC测试变得不再盲目，变得有章可循，有法可依，从而很好的解决的what，how的问题。而Where的问题，由于Reliability的测试需要专业的设备，专业的器材和较长的时间，这就需要专业的测试单位。这种单位提供专业的测试机台，并且根据国际标准进行测试，提供给客户完备的测试报告，并且力求准确的回答Reliability的问题

在简单的介绍一些目前较为流行的Reliability的测试方法之前，我们先来认识一下IC产品的生命周期。典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示，如图所示

Region (I) 被称为早夭期（Infancy period）。这个阶段产品的failure rate 快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷；

Region (II) 被称为使用期（Useful life period）。在这个阶段产品的failure rate 保持稳定，失效的原因往往是随机的，比如EOS，温度变化等等；

Region (III) 被称为磨耗期（Wear-Out period）。在这个阶段failure rate 会快速升高，失效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。

认识了典型IC产品的生命周期，我们就可以看到，Reliability的问题就是要力图将处于早夭期failure的产品去除并估算其良率，预计产品的使用期，并且找到failure的原因，尤其是在IC生产，封装，存储等方面出现的问题所造成的失效原因。

下面就是一些IC Product Level reliability test items

●>Robustness test items

ESD, Latch-up

对于Robustness test items 听到的ESD，Latch-up 问题，有很多的精彩的说明，这里就不再锦上添花了。下面详细介绍其他的测试方法。

●>Life test items

EFR, OLT (HTOL), LTOL

EFR: Early fail Rate Test

Purpose: 评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品。

Test condition: 在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试

Failure Mechanisms：材料或工艺的缺陷包括诸如氧化层缺陷，金属刻镀，离子玷污等由于生产造成的失效

Reference：具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

MIT-STD-883E Method 1015.9

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

HTOL/ LTOL：High/ Low Temperature Operating Life

Purpose: 评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力

Test condition: 125?C，1.1VCC, 动态测试

Failure Mechanisms：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子玷污等

Reference：简单的标准如下表所示，125?C条件下1000小时测试通过IC可以保证持续使用4年，2000小时测试持续使用8年；150?C 测试保证使用8年，2000小时保证使用28年。

125?C 150?C 1000 hrs 4 years 8 years

2000 hrs 8 years 28 years

具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

MIT-STD-883E Method 1005.8

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

>Environmental test items

PRE-CON, THB, HAST, PCT, TCT, TST, HTST, Solderability Test,

Solder Heat Test

PRE-CON: Precondition Test

Purpose: 模拟IC在使用之前在一定湿度，温度条件下存储的耐久力，也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性。

Test Flow:

Step 1: SAM (Scanning Acoustic Microscopy)

Step 2: Temperature cycling

- 40?C(or lower) ~ 60?C(or higher) for 5 cycles to simulate shipping conditions

Step 3: Baking

At minimum 125?C for 24 hours to remove all moisture from the package

Step 4: Soaking

Using one of following soak conditions

-Level 1: 85?C / 85%RH for 168 hrs （多久都没关系）

-Level 1: 85?C / 60%RH for 168 hrs （一年左右）

-Level 1: 30?C / 60%RH for 192 hrs （一周左右）

Step5: Reflow

240?C (- 5?C) / 225?C (-5?C) for 3 times (Pb-Sn)

245?C (- 5?C) / 250?C (-5?C) for 3 times (Lead-free)

* choose according the package size

Failure Mechanisms: 封装破裂，分层

Reference：具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

JESD22-A113-D

EIAJED- 4701-B101

THB: Temperature Humidity Bias Test

Purpose: 评估IC产品在高温，高压，偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程

Test condition: 85?C，85%RH, 1.1 VCC, Static bias

Failure Mechanisms：电解腐蚀

Reference：具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

JESD22-A101-D

EIAJED- 4701-D122

HAST: Highly Accelerated Stress Test

Purpose: 评估IC产品在偏压下高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程

Test condition: 130?C，85%RH, 1.1 VCC, Static bias，2.3 atm

Failure Mechanisms：电离腐蚀，封装密封性

Reference：具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

JESD22-A110

PCT: Pressure Cook Test (Autoclave Test)

Purpose: 评估IC产品在高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程

Test condition: 130?C，85%RH, Static bias，15PSIG（2 atm）

Failure Mechanisms：化学金属腐蚀，封装密封性

Reference：具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

JESD22-A102

EIAJED- 4701-B123

*HAST与THB的区别在于温度更高，并且考虑到压力因素，实验时间可以缩短，而PCT则不加偏压，但湿度增大。

TCT: Temperature Cycling Test

Purpose: 评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。

Test condition: Condition B: - 55?C to 125?C

Condition C: - 65?C to 150?C

Failure Mechanisms：电介质的断裂，导体和绝缘体的断裂，不同界面的分层

Reference：具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

MIT-STD-883E Method 1010.7

JESD22-A104-A

EIAJED- 4701-B-131

TST: Thermal Shock Test

Purpose: 评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。

Test condition: Condition B: - 55?C to 125?C

Condition C: - 65?C to 150?C

Failure Mechanisms：电介质的断裂，材料的老化（如bond wires）, 导体机

械变形

Reference：具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

MIT-STD-883E Method 1011.9

JESD22-B106

EIAJED- 4701-B-141

* TCT与TST的区别在于TCT偏重于package 的测试，而TST偏重于晶园的测试

HTST: High Temperature Storage Life Test

Purpose: 评估IC产品在实际使用之前在高温条件下保持几年不工作条件下的生命时间。

Test condition: 150?C

Failure Mechanisms：化学和扩散效应，Au-Al 共金效应

Reference：具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

MIT-STD-883E Method 1008.2

JESD22-A103-A

EIAJED- 4701-B111

Solderability Test

Purpose: 评估IC leads在粘锡过程中的可考度

Test Method: 1. 蒸汽老化8 小时

2. 侵入245?C锡盆中5秒

Failure Criterion：至少95％良率

Reference：具体的测试条件和估算结果可参考以下标准

MIT-STD-883E Method 2003.7

产品可靠性试验标准

内部机密 产品可靠性测试标准 文件版本：V1.0 江苏中讯数码电子有限公司 企业标准 文档编号 撰写人 审核人 批准人 创建时间 2010．01．01发布 2010.01.01 实施

文件修改履历

目录 一．目的 (4) 二．编制依据 (4) 三．适用范围 (4) 四．定义 (4) 五．主要职责 (4) 六.试验场所 (5) 七．可靠性测试内容 (5) 1．加速寿命测试 (5) 1.1跌落试验 (5) 1.2振动试验 (5) 1.3湿热试验 (6) 1.4静电试验 (6) 2．气候试应性测试 (7) 2.1低温试验 (7) 2.2高温试验 (7) 2.3盐雾试验 (7) 3．结构耐久测试 (8) 3.1按键/叉簧测试 (8) 3.2跌落测试 (8) 4．表面装饰测试 (8) 4.1丝印、喷油测试 (8) 5．特殊条件测试 (9) 5.1低温加电试验 (9) 5.1恒温湿热加电试验 (9) 八．最终检验 (9) 九．判断标准 (9) 十．试验程序 (10)

一 .目的 1．对产品硬件设计、制造进行验证确认符合相应国家标准； 2．在特定的可接受的环境下评估产品的质量和可靠性； 3．在特定的可接受的环境下评估产品的安全性； 4．统一并规范企业内产品硬件测试检验方法。 二．编制依据 1．GB/T2421-1999 电工电子产品环境试验第一部分：总则 2．GB/T2422-1995 电工电子产品环境试验术语 3．GB/T4796-2001 电工电子产品环境参数分类及其严酷程度分级 4．GB/T2423.1-2001 电工电子产品环境试验第1部分：试验方法试验A：低温 5．GB/T2423.1-2001 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 6．GB/T2423.1-2001 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ed：自由跌落7．GB/T2423.10-1995 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Fc和导则：振动8．GB/T2423.3-1993 电工电子产品基本环境试验试验Ca:恒定湿热试验方法 9．GB/T2423.17-2001 电工电子产品环境试验第2部分：试验Ka盐雾试验方法 10．GB/T17626.2-1998 电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验 三．适用范围 1．本文件使用于中讯数码有限公司所生产的所有产品。 2．根据技术中心的要求，本标准适用于提供相应的测试环境对一些部件进行可靠性测试四．定义 为了了解、考核、评价、分析和提高产品可靠性而进行的试验。 五．主要职责 1．技术中心 1.1定义项目/产品可靠性测试计划 1.2完成、跟踪项目/产品可靠性测试结果 1.3参与产品可靠性测试问题的分析及改进 1.4提供制定/修改可靠性测试程序及标准建议 1.5参与测试设备/仪器的日常管理、维护 1.6参与可靠性测试设备/仪器的开发 2．质管部

芯片可靠性测试d

芯片可靠性检测 2011-08-08 11:00 电子元器件可靠度评估分析 可靠性评估分析的意义 可靠性（Reliability）则是对产品耐久力的测量, 我们主要典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示。 如上图示意,集成电路得失效原因大致分为三个阶段: Region (I) 被称为早夭期（Infancy period）, 这个阶段产品的失效率快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷； Region (II) 被称为使用期（Useful life period）, 这个阶段产品的失效率保持稳定，失效的原因往往是随机的，比如温度变化等等； Region (III) 被称为磨耗期（Wear-Out period）这个阶段产品的失效率会快速升高，失效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。 ·军工级器件老化筛选 ·元器件寿命试验 ·ESD等级、Latch_up测试评价 ·高低温性能分析试验 ·集成电路微缺陷分析 ·封装缺陷无损检测及分析 ·电迁移、热载流子评价分析 根据试验等级分为如下几类: 一、使用寿命测试项目（Life test items）：EFR, OLT (HTOL), LTOL ①EFR:早期失效等级测试（ Early fail Rate Test ） 目的: 评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品。 测试条件: 在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试 失效机制：材料或工艺的缺陷，包括诸如氧化层缺陷，金属刻镀，离子玷污等由于生产造成的失效。 参考标准： JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101 ②HTOL/ LTOL：高/低温操作生命期试验（High/ Low Temperature Operating Life ） 目的: 评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力 测试条件: 125℃，1.1VCC, 动态测试 失效机制：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子玷污等 参考数据：

集成电路的检测方法

集成电路的检测方法 现在的电子产品往往由于一块集成电路损坏，导致一部分或几个部分不能常工作，影响设备的正常使用。那么如何检测集成电路的好坏呢?通常一台设备里面有许多个集成电路，当拿到一部有故障的集成电路的设备时，首先要根据故障现象，判断出故障的大体部位，然后通过测量，把故障的可能部位逐步缩小，最后找到故障所在。 要找到故障所在必须通过检测，通常修理人员都采用测引脚电压方法来判断，但这只能判断出故障的大致部位，而且有的引脚反应不灵敏，甚至有的没有什么反应。就是在电压偏离的情况下，也包含外围元件损坏的因素，还必须将集成块内部故障与外围故障严格区别开来，因此单靠某一种方法对集成电路是很难检测的，必须依赖综合的检测手段。现以万用表检测为例，介绍其具体方法。 我们知道，集成块使用时，总有一个引脚与印制电路板上的“地”线是焊通的，在电路中称之为接地脚。由于集成电路内部都采用直接耦合，因此，集成块的其它引脚与接地脚之间都存在着确定的直流电阻，这种确定的直流电阻称为该脚内部等效直流电阻，简称R内。当我们拿到一块新的集成块时，可通过用万用表测量各引脚的内部等效直流电阻来判断其好坏，若各引脚的内部等效电阻R内与标准值相符，说明这块集成块是好的，反之若与标准值相差过大，说明集成块内部损坏。测量时有一点必须注意，由于集成块内部有大量的三极管，二极管等非线性元件，在测量中单测得一个阻值还不能判断其好坏，必须互换表笔再测一次，获得正反向两个阻值。只有当R内正反向阻值都符合标准，才能断定该集成块完好。 在实际修理中，通常采用在路测量。先测量其引脚电压，如果电压异常，可断开引脚连线测接线端电压，以判断电压变化是外围元件引起，还是集成块内部引起。也可以采用测外部电路到地之间的直流等效电阻(称R外)来判断，通常在电路中测得的集成块某引脚与接地脚之间的直流电阻(在路电阻)，实际是R内与R外并联的总直流等效电阻。在修理中常将在路电压与在路电阻的测量方法结合使用。有时在路电压和在路电阻偏离标准值，并不一定是集成块损坏，而是有关外围元件损坏，使R外不正常，从而造成在路电压和在路电阻的异常。这时便只能测量集成块内部直流等效电阻，才能判定集成块是否损坏。根据实际检修经验，在路检测集成电路内部直流等效电阻时可不必把集成块从电路上焊下来，只需将电压或在路电阻异常的脚与电路断开，同时将接地脚也与电路板断开，其它脚维持原状，测量出测试脚与接地脚之间的R内正反向电阻值便可判断其好坏。 例如，电视机内集成块TA7609P瑢脚在路电压或电阻异常，可切断瑢脚和⑤脚(接地脚)然后用万用表内电阻挡测瑢脚与⑤脚之间电阻，测得一个数值后，互换表笔再测一次。若集成块正常应测得红表笔接地时为8.2kΩ，黑表笔接地时为272kΩ的R内直流等效电阻，否则集成块已损坏。在测量中多数引脚，万用表用R×1k挡，当个别引脚R内很大时，换用R ×10k挡，这是因为R×1k挡其表内电池电压只有1.5V，当集成块内部晶体管串联较多时，电表内电压太低，不能供集成块内晶体管进入正常工作状态，数值无法显现或不准确。 总之，在检测时要认真分析，灵活运用各种方法，摸索规律，做到快速、准确找出故障 摘要：判断常用集成电路的质量及好坏 一看: 封装考究,型号标记清晰,字迹,商标及出厂编号,产地俱全且印刷质量较好,(有的 为烤漆,激光蚀刻等) 这样的厂家在生产加工过程中,质量控制的比较严格。 二检: 引脚光滑亮泽,无腐蚀插拔痕迹, 生产日期较短,正规商店经营。 三测: 对常用数字集成电路, 为保护输入端及工厂生产需要,每一个输入端分别对VDD

可靠性测试标准

Q/.质量管理体系第三层次文件 可靠性试验规范

拟制：审核：批准： 海锝电子科技有限公司版次：C版 可靠性试验规范 1. 主题内容和适用范围 本档规定了可靠性试验所遵循的原则，规定了可靠性试验项目，条件和判据。 2. 可靠性试验规定 根据IEC国际标准，国家标准及美国军用标准，目前设立了14个试验项目（见后目录〕。 根据本公司成品标准要求，用户要求，质量提高要求及新产品研制、工艺改进等加以全部或部分采用上述试验项目。 常规产品规定每季度做一次周期试验，试验条件及判据采用或等效采用产品标准；新产品、新工艺、用户特殊要求产品等按计划进行。 采用LTPD的抽样方法，在第一次试验不合格时，可采用追加样品抽样方法或采用筛选方法重新抽样，但无论何种方法只能重新抽样或追加一次。 若LTPD=10％，则抽22只，0收1退，追加抽样为38只，1收2退。抽样必须在OQC检验合格成品中抽取。 3．可靠性试验判定标准。 （各电气性能的测试条件，参照器件各自的说明书所载内容） 环境条件 (1)标准状态 标准状态是指预处理, 后续处理及试验中的环境条件。论述如下:

环境温度: 15~35℃ 相对湿度: 45~75% (2)判定状态 判定状态是指初测及终测时的环境条件。论述如下: 环境温度: 25±3℃ 相对湿度: 45~75% 4．试验项目。 目录 高温反向偏压试验------------------------------------第4页压力蒸煮试验------------------------------------第6页正向工作寿命试验------------------------------------第7页高温储存试验------------------------------------第8页低温储存试验------------------------------------第9页温度循环试验------------------------------------第10页温度冲击试验------------------------------------第11页耐焊接热试验------------------------------------第12页可焊性度试验------------------------------------第13页拉力试验------------------------------------第14页弯曲试验------------------------------------第15页稳态湿热试验------------------------------------第16页变温变湿试验------------------------------------第17页正向冲击电流(浪涌电流)试验--------------------------第18页

芯片测试规范

测试规范 1.适用范围 1.1本规范为导入DDR芯片的测试方法和标准，，以验证和确认新物料是否适合批量生 产；. 2.目的 使开发部门导入新的关键器件过程中有章可循，有据可依。 3.可靠性测试 ：如果替代料是FLASH的话，我们一般需要做10个循环的拷贝校验（我们测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启10次） ：如果替代料是DDR的话，我们也需要验证DDR的运行稳定性，那么也需要做循环拷贝校验（测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启5次） PS：1.拷贝次数=（FLASH可用容量*1024M/500M）-1 验证只需要验证运行稳定性，所以一般做3-5个循环就OK了，FLASH要求比较严格，一般需要做10个循环以上； 3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影 响，故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。 7.常温老化：PND我们一般跑模拟导航持续运行12H，安卓我们一般运行MP4-1080P持续老化12H，老化后需要评估休眠唤醒是否正常； 8.高低温老化：环境（60度，-10度） 基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响，DDR替代需要进行高低温老化，我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便，就运行MP4各持续老化12H。 从多年的经验来看，FLASH对于温度要求没有这么敏感。 9.自动重启测试：一般做50次/PCS，需要每次启动系统都能正常启动；-- 一般是前面恢复出厂设置有问题，异常的机器排查才会用到；

10.复位、通断电测试：这个测试属于系统破坏性测试，测试非正常操作是否 存在掉程序的现象，一般做20次/PCS，要求系统能够正常启动。 1.焊接效果，如果是内部焊接的话，需要采用X-RAY评估，LGA封装的话就 需要SMT制程工艺规避空洞率； 2.功能测试； 3.休眠电流、休眠唤醒测试：DDR必测项目，反复休眠唤醒最好3-5次/PCS，休眠电流大小自行定义；FLASH测不测影响不大； 4.容量检查，容量标准你们根据客户需求自行定义，当然是越大越好；--大 货时这一点最好提供工具给到阿杜随线筛选； 5.恢复出厂设置：我们一般做50次/PCS，运行正常的话界面会显示50次测 试完成，如果出现中途不进主界面、死机等异常现象就需要分析问题根源； 压力测试：这部分需要分开来说明 4.测试环境 温度：25±2℃ 湿度：60%~70%； 大气压强：86kPa ~106kPa。 5.测试工具 可调电源（最好能显示对应输出电流） 可调电子负载 示波器

可靠性测试标准

丝印、喷油产品测试要求 1.0目的 指导检查员正确地进行可靠性测试，保证本公司产品满足客户品质要求。 2.0适用范围 适用于本公司生产的所有需丝印、喷油加工产品的可靠性测试。 3.0定义 3.1.可靠性：即产品在规定条件下进行的环境模拟测试，其品质特性和耐受性能达到规定的要求。 3.2.测试周期，即在往返测试中，往返各一次为一个测试周期。 3.3.单项测试：即每一个产品有多项测试要求时每一个部件只完成其中的一项测试。 3.4.多项测试：即每一个产品有多项测试要求时，每一个部件要完成2个或以上的测试项目。4．0职责 检查员应按此指引作业，保证产品达到客户的品质要求。 5．0工作步骤 5.1产品的丝印、喷油可靠性测试（包括没有明确测试要求的产品） 5.1.1测试材料及工具 5.1.1.1 78%浓度的酒精 5.1.1.2 95%浓度的酒精 5.1.1.3 200g的铁锤 5.1.1.4 粗纹的干净白布 5.1.1.5 3M 600测试胶纸 5.1.1.6 界刀 5.1.1.7 恒温恒湿炉 5.1.1.8 RCA纸带测试机 5.1.1.9 测试专用纸带 5.1.1.10 热熔胶 5.1.1.11剪钳 5.1.2 酒精测试（每次测试1—2PCS） 5.1.2.1 把粗纹的干净白布包在200g的铁锤上，包好之后用95%浓度的酒精浸润，然后将此浸润后的铁锤在丝印字钮上水平移动来回摩擦，行程30mm，频率20周期（40次）/分钟，连续摩擦50周期（100次），（移印字钮用95%浓度的酒精进行测试）。 5.1.2.2 字钮之外的其它物料用78%浓度的酒清进行测试，方法同5.1.2.1 5.1.2.3 酒清测试接受标准：测试样品测试后不褪色，不脱油，无臌胀。 5.1.3 胶纸测试（每次测试2—4PCS） 5.1.3.1 胶纸测试方法：取样品平坦部分，用界刀纵横划100个1mmX1mm的小方格（如图1），丝印也需要划方格，深度以能见底材为准，不宜过深，过深刀口附近漆膜将会翻起，影响测试，然后用3M测试胶纸紧贴在上面，用手指肉体部分或橡皮压平，然后拉着胶纸尾部以90°角方向突然向上提起同一部位连续测试10次（如图2）。 5.1.3.2 胶纸测试接受标准： a.附著力=未脱落漆膜的方格数/100； b.每小格内如果漆膜脱落面积小于方格面积的1/5可视为未脱落（如图3） c.按前a,b点判定胶纸测试接受标准：附著力为100/100方为合格 5.1.4 高温高湿测试（每种货每天平均取样不少于测试3PCS，此测试当客户有要求时才做） 5.1.4.1 将塑胶喷油试样在过炉烘干4小时后存在温度为60±2°C，温度90%±3%之恒温恒湿炉中存放48H 5.1.4.2 高温高湿测试接受标准：室温后观察漆膜无皱纹、起泡、裂纹、剥落及明显的失光等现象 为合格（由于底材老化引起的变色，失色应不影响判定）。 5.1.5 RCA测试（现只有中建产品需做此项测试） 5.1.5.1 测试方法：用剪钳将需测试之胶件取较平坦处剪下2—3cm2 ,用热熔胶纸将其固定在RCA 纸带测试机上，将测试头对需测试位置，装好纸带，根据各种胶件测试规格的不同相应的

芯片可靠性测试(汇编)

芯片可靠性测试 质量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以说是IC产品的生命，好的品质，长久的耐力往往就是一颗优秀IC产品的竞争力所在。在做产品验证时我们往往会遇到三个问题，验证什么，如何去验证，哪里去验证，这就是what, how , where 的问题了。 解决了这三个问题，质量和可靠性就有了保证，制造商才可以大量地将产品推向市场，客户才可以放心地使用产品。本文将目前较为流行的测试方法加以简单归类和阐述，力求达到抛砖引玉的作用。 Quality 就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎SPEC的要求，是否符合各项性能指标的问题；Reliability则是对产品耐久力的测量，它回答了一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说Quality解决的是现阶段的问题，Reliability解决的是一段时间以后的问题。 知道了两者的区别，我们发现，Quality的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位在产品生产出来后，通过简单的测试，就可以知道产品的性能是否达到SPEC 的要求，这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。相对而言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，who knows? 谁会能保证今天产品能用，明天就一定能用？为了解决这个问题，人们制定了各种各样的标准，如 MIT-STD-883E Method 1005.8 JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101 等等，这些标准林林总总，方方面面，都是建立在长久以来IC设计，制造和使用的经验的基础上，规定了IC测试的条件，如温度，湿度，电压，偏压，测试方法等，获得标准的测试结果。这些标准的制定使得IC测试变得不再盲目，变得有章可循，有法可依，从而很好的解决的what，how的问题。而Where的问题，由于Reliability的测试需要专业的设备，专业的器材和较长的时间，这就需要专业的测试单位。这种单位提供专业的测试机台，并且根据国际标准进行测试，提供给客户完备的测试报告，并且力求准确的回答Reliability的问题

产品可靠性测试规范

产品可靠性测试规范 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#

产品可靠性测试规范 1.目的 本文制定产品可靠性测试的要求和方法,确保产品符合可靠性测试要求。 2. 范围 本文件适用于此CPIT有限公司所生产的所有产品。 3. 定义 N/A 4. 职责 品控部QC/QA人员负责本文件所规定的通讯产品的可靠性测试内 容要求在检查过程中的实施. 品控部经理或其授权人负责本文件所规定的内容与实际情况相符并正确,并监督品控部QC/QA人员对本文件的实施. 5．内容 实验顺序 除非特殊要求，试验样品进行试验时，一般按下表的顺序进行： 实验条件及容差： 5.2.1 实验条件：

5.2.2 试验条件容差： a.温度容差：试验样品除必要的支承点外，应完全被空气包围。试 验区测量系统的温度和包围试验样品空气各处的温度容差：高温为 +/-2℃，低温为+/-3℃. b.湿度容差：+/-5%. c.振动振幅容差：+/-15%. d.振动频率容差：+/-1Hz. 5.2.3落地实验标准 5.2.3.1 落地实验应以箱体一角三棱六面按规定高度自由落下的方式进行。

重量高度 0~10kg以内 75cm 10~20kg以内 60 cm 20kg以上 53 cm 5.2.3.2 注意事项： 5.2.3. 体内机台及包材在每个步骤后应该检验。 5.2.3. 任一步骤发现部件有损坏的应立即更换。 5.2.3. 详细记录。 5. 3 样品数量： 测试时机： 6.4.1 产品处于PP时. 6.4.2 第一次量产. 6.4.3 当产品的材质,设计等变更时. 6.4.5 生产出现异常时. 6.4.6 新客户需重新进行产品评估时. 6.4.7 客户投诉与之相关时. 6．程序 从QA PASS的成品机中随机抽取20台，重新检查其外观及功能，确保其为合格产品方可进行以下步骤. 按试验顺序分别完成各项测试.对于每个测试中所出现的不合格品交测试组或相关技术部门分析其原因. 对于不合格品必须有相应的备份成品机进行补充或进行修理使其重新达到合格要求.

IC产品可靠性测试包含的内容

可靠性测试 第1 页共12 页 可靠性测试内容 可靠性测试应该在可靠性设计之后，但目前我国的可靠性工作主要还是在测试阶段，这里将测试放在前面（目前大部分公司都会忽略最初的可靠性设计，比如我们公司，设计的时候，从来都没有考虑过可靠性，开发部的兄弟们不要拿砖头仍我……这是实话，只有在测试出现失效后才开始考虑设计）。 为了测得产品的可靠度（也就是为了测出产品的MTBF），我们需要拿出一 定的样品，做较长时间的运行测试，找出每个样品的失效时间，根据第一节的公式计算出MTBF，当然样品数量越多，测试结果就越准确。但是，这样的理想测 试实际上是不可能的，因为对这种测试而言，要等到最后一个样品出现故障――需要的测试时间长得无法想象，要所有样品都出现故障——需要的成本高得无法 想象。 为了测试可靠性，这里介绍：加速测试（也就增加应力*），使缺陷迅速显现；经过大量专家、长时间的统计，找到了一些增加应力的方法，转化成一些测试的项目。如果产品经过这些项目的测试，依然没有明显的缺陷，就说明产品的可靠性至少可以达到某一水平，经过换算可以计算出MTBF（因产品能通过这些测试， 并无明显缺陷出现，说明未达到产品的极限能力，所以此时对应的MTBF 是产品的最小值）。其它计算方法见下文。（*应力：就是指外界各种环境对产品的破坏力，如产品在85℃下工作受到的应力比在25℃下工作受到的应力大；在高应力下工作，产品失效的可能性就大大增加了）； 一、环境测试 产品在使用过程中，有不同的使用环境（有些安装在室外、有些随身携带、 有些装有船上等等），会受到不同环境的应力（有些受到风吹雨湿、有些受到振动与跌落、有些受到盐雾蚀侵等等）；为了确认产品能在这些环境下正常工作，国标、行标都要求产品在环境方法模拟一些测试项目，这些测试项目包括： 1). 高温测试（高温运行、高温贮存）； 2). 低温测试（低温运行、低温贮存）； 3). 高低温交变测试（温度循环测试、热冲击测试）； 4). 高温高湿测试（湿热贮存、湿热循环）； 5). 机械振动测试（随机振动测试、扫频振动测试）； 6). 汽车运输测试（模拟运输测试、碰撞测试）； 7). 机械冲击测试； 8). 开关电测试； 9). 电源拉偏测试； 10).冷启动测试； 11).盐雾测试；

集成电路测试

第一章 集成电路的测试 1.集成电路测试的定义 集成电路测试是对集成电路或模块进行检测，通过测量对于集成电路的输出回应和预期输出比较，以确定或评估集成电路元器件功能和性能的过程，是验证设计、监控生产、保证质量、分析失效以及指导应用的重要手段。 .2.集成电路测试的基本原理 输入Y 被测电路DUT（Device Under Test）可作为一个已知功能的实体，测试依据原始输入x 和网络功能集F（x），确定原始输出回应y，并分析y是否表达了电路网络的实际输出。因此，测试的基本任务是生成测试输入，而测试系统的基本任务则是将测试输人应用于被测器件，并分析其输出的正确性。测试过程中，测试系统首先生成输入定时波形信号施加到被测器件的原始输入管脚，第二步是从被测器件的原始输出管脚采样输出回应，最后经过分析处理得到测试结果。 3.集成电路故障与测试 集成电路的不正常状态有缺陷（defect）、故障（fault）和失效（failure）等。由于设计考虑不周全或制造过程中的一些物理、化学因素，使集成电路不符合技术条件而不能正常工作，称为集成电路存在缺陷。集成电路的缺陷导致它的功能发生变化，称为故障。故障可能使集成电路失效，也可能不失效，集成电路丧失了实施其特定规范要求的功能，称为集成电路失效。故障和缺陷等效，但两者有一定区别，缺陷会引发故障，故障是表象，相对稳定，并且易于测试；缺陷相对隐蔽和微观，缺陷的查找与定位较难。 4.集成电路测试的过程 1.测试设备 测试仪：通常被叫做自动测试设备，是用来向被测试器件施加输入，并观察输出。测试是要考虑DUT的技术指标和规范，包括：器件最高时钟频率、定时精度要求、输入\输出引脚的数目等。要考虑的因素：费用、可靠性、服务能力、软件编程难易程度等。 1.测试界面 测试界面主要根据DUT的封装形式、最高时钟频率、ATE的资源配置和界面板卡形等合理地选择测试插座和设计制作测试负载板。

可靠性测试标准

更履历 审核批准

4214电池/电池盖装配寿命测试 ........................................ ... .. (13) 4.2.15手写笔插拔寿命测试 (14) 4.2.16触摸屏点击/划线寿命测试 ...................................... (14) 4.2.17手机反复拆卸/重组装寿命测试...................................... ..14 4.2.18手机喇叭寿命测试 .................................................... .14 4.3环境应力测试. (15) 4.3.1样机数量及其分配....................................... . .. (15) 4.3.2高温操作测试 (15) 4.3.3高温储存测试 (15) 4.3.4低温操作测试 (16) 4.3.5低温储存测试 (16) 4.3.6温度冲击测试 (16) 4.3.7 湿热测试 (17) 4.4特殊条件测试 (17) 4.4.1盐雾测试......................................................... 17.. 4.4.2沙尘测试........................................... .. .. (18) 4.4.3ESD 测试.......................................................... .18 4.4.4EMC 测试......................................................... ..19 4.5包装测试................................................................. 20.. 4.5.1 包装振动测试...................................... .... . (20) 4.5.2包装跌落测试........................................ .... . (20) 4.5.3 包装储存测试...................................... .. .. (21)

海思芯片可靠性测试总体规范

海思可靠性测试技术总体规范 拟制：克鲁鲁尔 审核： 批准： 日期：2019-11-06

历史版本记录

适用范围: 本规范规定了芯片可靠性测试的总体规范要求，包括电路可靠性、封装可靠性。适用于量产芯片验证测试阶段的所有测试需求。 简介： 本标准描述芯片研发或新工艺升级，芯片规模量产前对可靠性相关测试的验收基准。这些测试能够激发半导体器件电路和封装的薄弱或问题，通过失效率判断是否满足量产出口标准。相比正常使用场景，该系列测试通常以温度、湿度、电压加速的方式促成故障早期激发。 引用文件： 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。

1.器件可靠性测试要求1.1 电路可靠性测试 High Temperature Operating Life JESD22-A108, JESD85 HTOL T≥ 125℃ Vcc ≥ Vccmax 3 Lots/77 units1000 hrs/ 0 Fail R Early Life Failure Rate JESD22-A108, JESD74 ELFR T≥ 125℃ Vcc ≥ Vccmax See ELFR Table48 ≤ t ≤ 168 hrs R Low Temperature Operating Life JESD22-A108LTOL T≤ 50℃ Vcc ≥ Vccmax 1 Lot/3 2 units1000 hrs/0 Fail C High Temperature Storage Life JESD22-A103HTSL T≥ 150 °C 3 Lots/25 units1000 hrs/0 Fail R Electrical Parameter Assessment JESD86ED Datasheet 3 Lots/10 units T per datasheet R Latch-Up JESD78LU Class I or Class II 1 Lot/3 units0 Fail R Human Body Model ESD JS-001ESD-HBM T = 25 °C 3 units Classification R Charged Device Model ESD JS-002ESD-CDM T = 25 Stress Ref.Abbv.Conditions Requirements Required (R)/ Considered (C) #Lots/SS per Lot Duration/Accept °C 3 units Classification R Accelerated Soft Error Testing JESD89-2, JESD89-3 ASER T = 25 °C 3 units Classification C “OR” System Soft Error Testing JESD89-1SSER T = 25 °C Minimum of 1E+06 Device Hrs or 10 fails. Classification C J J J A A A A A A 1 2 注1：ELFR可包含在HTOL测试中，HTOL测试会在168h回测。 注2：ED一般在首样回片测试阶段完成，包含在电气性能测试，可靠性测试过程不用关注。注3：样本量SS(Sample Size)及可接受失效量Accept的取值由附录1给出，下文同。

可靠性试验内容

目录 版本历史 1.0目测检查 2.0振动和运输试验 3.0坠落试验 4.0潮湿试验 5.0低温开机试验 6.0温度循环试验 7.0贮藏试验 8.0高温试验 9.0冷藏/解冻试验 10.0钮拉力试验 11.0机壳压力试验 12.0按钮/开关循环试验 13.0内部活动器件寿命试验 14.0提手拉力试验 15.0调测系统寿命试验 16.0成品机寿命试验 17.0表面处理试验 18.0记录表 1.0目测检查 1.1产品外部及功能检查 1.1.1检查包装箱 要求：包装后的包装箱无损伤,型号正确,印刷清晰,外面印刷的内容完整清晰, 符合设计要求。 1.1.2将样机从包装盒中取出,检查包装材料是否正确,保护用的物料是否有损伤。

1.1.3检查机器是否摆放正确,固定良好,包装是否按照工艺要求进行操作。 1.1.4样机移出后,检查： a)说明书,保修卡,合格证等文件是否完整齐全,内容是否合适; b)配件数量和种类符合设计的要求; c)追溯表序列号与产品序列号一致。 1.1.5检查整机产品是否有外观的缺陷,如机壳有凹痕、断裂、弯曲或镜离,夹物等, 整机外观符合外观规范要求。 1.1.6检查电源线,长度是否正确,线径规格符合要求,有无刮伤,露铜等缺陷。 1.1.7检查所有的开关/按键/按钮,制是否安装正确,功能正常,要求对所有的按键等 可操作的活动按钮/按键/开关等操作一遍进行检查。 1.1.8检查机器程序是否为最新的受控版本。 1.1.9检查整机运行噪声是否符合要求。 1.1.10检查机器外部螺钉等紧固方式是否紧固,外观缝隙是否均匀,颜色是否匹配,密 封有无破损。 1.2产品内部检查 1.2.1检查机器在客户端使用中可拆卸部件是否容易拆卸和安装,需要密封处是否 有肉眼可见缺陷。 1.2.2拆下机器外壳,检查机器内部装配是否有异常。 1.2.3拆螺丝时注意螺丝是否松、滑牙。 1.2.4检查各组件和元器件是否装配正确。 1.2.5检查走线和管路是否整齐规范。 1.2.6观察是否有裂痕、缺失、多余、松动等缺陷。 1.2.7检查整机气路泄漏是否符合要求。 1.2.8按照出厂测试的要求进行整机性能、安规测试。 2.0振动和运输试验（公司内部没有振动台和运输台，可外测） 振动试验 2.1试验目的模拟振动和运输过程中的振动情况,测试包装件的强度及其对包装件的保护 能力。 2.2试验步骤 2.2.1将通过的目测检查的机器重新包装后摆放在振动机的台面上。

芯片封装可靠性试验专业术语

可靠性试验的常用术语 Biil of material:BOM 材料清单 可靠性试验常用术语 试验名称英文简称常用试验条件备注 温度循环TCT —65C ~150C, dwell15min, 100cycles 试验设备采用气冷的方式，此温度设置为设备的极限温度 高压蒸煮PCT 121 C，100RH., 2ATM,96hrs 此试验也称为高压蒸汽，英文也称为autoclave 热冲击TST —65 C ~150C, dwell15min, 50cycles 此试验原理与温度循环相同，但温度转换速率更快，所以比温度循环 更严酷。 稳态湿热THT 85C ,85%RH., 168hrs 此试验有时是需要加偏置电压的，一般为Vcb=~, 此时试验为THBT。易焊性solderability 235C,2 ±此试验为槽焊法，试验后为1 0~40倍的显微镜下看管脚的上锡面积。 耐焊接热SHT 260C ,10 ±1s 模拟焊接过程对产品的影响。 电耐久Burn in Vce=, Ic=P/Vce,168hrs 模拟产品的使用。（条件主要针对三极管） 高温反偏HTRB 125C, Vcb=~, 168hrs 主要对产品的PN结进行考核。 回流焊IR reflow Peak C 高温贮存超声波检测225C) HTST SAT 泡、裂缝。但产品表面一定要平整。 IC 产品的质量与可靠性测试 、使用寿命测试项目Life test items 只针对SME产品进行考核，且最多只能做三次。 150C ,168hrs 产品的高温寿命考核。 检测产品的内部离层、气)：EFR, OLT (HTOL), LTOL

《超大规模集成电路设计》考试习题(含答案)完整版

1．集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段？划分集成电路的标准是什么？ 集成电路的发展过程: ?小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) ?中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) ?大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) ?超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) ?特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) ?巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI） 划分集成电路规模的标准 2．超大规模集成电路有哪些优点？ 1. 降低生产成本 VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少. 2.提高工作速度 VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得. 3. 降低功耗 芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降. 4. 简化逻辑电路 芯片内部电路受干扰小,电路可简化. 5.优越的可靠性 采用VLSI后，元件数目和外部的接触点都大为减少，可靠性得到很大提高。 6.体积小重量轻 7.缩短电子产品的设计和组装周期 一片VLSI组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度. 3．简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。 1、形成N阱 2、形成P阱 3、推阱 4、形成场隔离区 5、形成多晶硅栅 6、形成硅化物 7、形成N管源漏区 8、形成P管源漏区 9、形成接触孔10、形成第一层金属11、形成第一层金属12、形成穿通接触孔13、形成第二层金属14、合金15、形成钝化层16、测试、封装，完成集成电路的制造工艺 4．在VLSI设计中，对互连线的要求和可能的互连线材料是什么？ 互连线的要求 低电阻值：产生的电压降最小；信号传输延时最小（RC时间常数最小化） 与器件之间的接触电阻低 长期可靠工作 可能的互连线材料 金属（低电阻率），多晶硅（中等电阻率），高掺杂区的硅(注入或扩散)（中等电阻率）

产品可靠性测试规范

产品可靠性测试规范 1.目的 本文制定产品可靠性测试的要求和方法,确保产品符合可靠性测试要求。 2. 范围 本文件适用于此CPIT有限公司所生产的所有产品。 3. 定义 N/A 4. 职责 5.1 品控部QC/QA人员负责本文件所规定的通讯产品的可靠性测试内 容要求在检查过程中的实施. 5.2 品控部经理或其授权人负责本文件所规定的内容与实际情况相符并正确, 并监督品控部QC/QA人员对本文件的实施. 5．内容 5.1 实验顺序 除非特殊要求，试验样品进行试验时，一般按下表的顺序进行： 5.2 实验条件及容差： 5.2.1 实验条件：

5.2.2 试验条件容差： a.温度容差：试验样品除必要的支承点外，应完全被空气包围。试验 区测量系统的温度和包围试验样品空气各处的温度容差：高温为 +/-2℃，低温为+/-3℃. b.湿度容差：+/-5%. c.振动振幅容差：+/-15%. d.振动频率容差：+/-1Hz. 5.2.3落地实验标准 5.2.3.1 落地实验应以箱体一角三棱六面按规定高度自由落下的方式进行。 重量高度

0~10kg以内 75cm 10~20kg以内 60 cm 20kg以上 53 cm 5.2.3.2 注意事项： 5.2.3.2.1 体内机台及包材在每个步骤后应该检验。 5.2.3.2.2 任一步骤发现部件有损坏的应立即更换。 5.2.3.2.3 详细记录。 5. 3 样品数量： 5.4 测试时机： 6.4.1 产品处于PP时. 6.4.2 第一次量产. 6.4.3 当产品的材质,设计等变更时. 6.4.5 生产出现异常时. 6.4.6 新客户需重新进行产品评估时. 6.4.7 客户投诉与之相关时. 6．程序 6.1 从QA PASS的成品机中随机抽取20台，重新检查其外观及功能，确保其为合格产 品方可进行以下步骤. 6.2 按6.1试验顺序分别完成各项测试.对于每个测试中所出现的不合格品交测试组 或相关技术部门分析其原因. 6.3 对于不合格品必须有相应的备份成品机进行补充或进行修理使其重新达到合格要 求.

海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0

可靠性测试技术总体规范V2.0 拟制： 审核： 批准：

历史版本记录

适用范围: 本规范规定了芯片可靠性测试的总体规范要求，包括电路可靠性、封装可靠性。适用于量产芯片验证测试阶段的通用测试需求，能够覆盖芯片绝大多数的可靠性验证需求。具体的执行标准可能不是本规范文档，但来源于该规范。本规范描述的测试组合可能不涵盖特定芯片的所有使用环境，但可以满足绝大多数芯片的通用验证需求。 简介： 本标准规定芯片研发或新工艺升级时，芯片规模量产前对可靠性相关测试需求的通用验收基准。这些测试或测试组合能够激发半导体器件电路、封装相关的薄弱环节或问题，通过失效率判断是否满足量产出口标准。相比正常使用场景，该系列测试或测试组合通常以特定的温度、湿度、电压加速的方式来激发问题。 引用文件： 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。 1.可靠性概念范畴 “可靠性”是一个含义广泛的概念，以塑封芯片为例，狭义的“可靠性”一般芯片级可靠性，包括电路相关的可靠性(ESD、Latch-up、HTOL)和封装相关的可靠性(PC、TCT、HTSL、HAST等)。但是芯片在应用场景中往往不是“独立作战”，而是以产品方案(PCB板上的一个元器件)作为最终应用。因此广义的“可靠性”还包括产品级的可靠性，例如上电温循试验就是用来评估芯片各内部模块及其软件在极端温度条件下运行的稳定性，产品级的可靠性根据特定产品的应用场景来确定测试项和测试组合，并没有一个通用的规范。本规范重点讲述芯片级可靠性要求。

集成电路测试原理及方法资料

H a r b i n I n s t i t u t e o f T e c h n o l o g y 集成电路测试原理及方法简介 院系：电气工程及自动化学院 姓名： XXXXXX 学号： XXXXXXXXX 指导教师： XXXXXX 设计时间： XXXXXXXXXX

摘要 随着经济发展和技术的进步，集成电路产业取得了突飞猛进的发展。集成电路测试是集成电路产业链中的一个重要环节，是保证集成电路性能、质量的关键环节之一。集成电路基础设计是集成电路产业的一门支撑技术，而集成电路是实现集成电路测试必不可少的工具。 本文首先介绍了集成电路自动测试系统的国内外研究现状，接着介绍了数字集成电路的测试技术，包括逻辑功能测试技术和直流参数测试技术。逻辑功能测试技术介绍了测试向量的格式化作为输入激励和对输出结果的采样，最后讨论了集成电路测试面临的技术难题。 关键词：集成电路；研究现状；测试原理；测试方法

目录 一、引言 (4) 二、集成电路测试重要性 (4) 三、集成电路测试分类 (5) 四、集成电路测试原理和方法 (6) 4.1.数字器件的逻辑功能测试 (6) 4.1.1测试周期及输入数据 (8) 4.1.2输出数据 (10) 4.2 集成电路生产测试的流程 (12) 五、集成电路自动测试面临的挑战 (13) 参考文献 (14)

一、引言 随着经济的发展，人们生活质量的提高，生活中遍布着各类电子消费产品。电脑﹑手机和mp3播放器等电子产品和人们的生活息息相关，这些都为集成电路产业的发展带来了巨大的市场空间。2007年世界半导体营业额高达2.740亿美元，2008世界半导体产业营业额增至2.850亿美元，专家预测今后的几年随着消费的增长，对集成电路的需求必然强劲。因此，世界集成电路产业正在处于高速发展的阶段。 集成电路产业是衡量一个国家综合实力的重要重要指标。而这个庞大的产业主要由集成电路的设计、芯片、封装和测试构成。在这个集成电路生产的整个过程中，集成电路测试是惟一一个贯穿集成电路生产和应用全过程的产业。如：集成电路设计原型的验证测试、晶圆片测试、封装成品测试，只有通过了全部测试合格的集成电路才可能作为合格产品出厂，测试是保证产品质量的重要环节。 集成电路测试是伴随着集成电路的发展而发展的，它为集成电路的进步做出了巨大贡献。我国的集成电路自动测试系统起步较晚，虽有一定的发展，但与国外的同类产品相比技术水平上还有很大的差距，特别是在一些关键技术上难以实现突破。国内使用的高端大型自动测试系统，几乎是被国外产品垄断。市场上各种型号国产集成电路测试，中小规模占到80%。大规模集成电路测试系统由于稳定性、实用性、价格等因素导致没有实用化。大规模/超大规模集成电路测试系统主要依靠进口满足国内的科研、生产与应用测试，我国急需自主创新的大规模集成电路测试技术，因此，本文对集成电路测试技术进行了总结和分析。 二、集成电路测试重要性 随着集成电路应用领域扩大，大量用于各种整机系统中。在系统中集成电路往往作为关键器件使用，其质量和性能的好坏直接影响到了系统稳定性和可靠性。 如何检测故障剔除次品是芯片生产厂商不得不面对的一个问题，良好的测试流程，可以使不良品在投放市场之前就已经被淘汰，这对于提高产品质量，建立生产销售的良性循环，树立企业的良好形象都是至关重要的。次品的损失成本可以在合格产品的售价里得到相应的补偿，所以应寻求的是质量和经济的相互制衡，以最小的成本满足用户的需要。 作为一种电子产品，所有的芯片不可避免的出现各类故障，可能包括：1.固定型故障；2.跳变故障；3.时延故障；4.开路短路故障；5桥接故障，等等。测试的作用是检验芯片是否存在问题，测试工程师进行失效分析，提出修改建议，从工程角度来讲，测试包括了验证测试和生产测试两个主要的阶段。