电子技术试卷A
《电子技术》A 卷 第1页 共2页
一、填空题（每空2分，共32分）
1、传感器的输入输出特性指标可分为(静态)和动态指标两大类，线性度和灵敏度是传感器的(静态)指标，而频率响应特性是传感器的(动态 )指标。
2、热电式传感器中，能将温度变化转换为 (电阻 )变化的一类称为 热电阻 ，而能将温度变化转换为电势的称为 (热电偶 )，其中 (热电偶 )式传感器在应用时需要做温度补偿(冷端补偿)。
3、光电效应分为(
内光电效应 ) 和 ( 外光电效应 ) 两大类。
光纤的核心是由折射率 (较大的纤芯 ) 和折射率 (较小的包层 )构成的双层同心圆柱结构。
4、把被测非电量的变化转换成线圈互感变化的互感式传感器是根据(变压器)的基本原理制成的，其次级绕组都用(同名端反向)形式连接，所以又叫差动变压器式传感器。
5、电阻应变片是将被测试件上的(应变)转换成(电阻)的传感元件。
6、影响金属导电材料应变灵敏系数K 。的主要因素是(导电材料几何尺寸的变化)。 二、选择题（每答案2分，共30分）
1、 正弦波脉冲宽度调制英文缩写是（ C ）。
A ：PWM
B ：PAM
C ：SPWM
D ：SPAM
2、下列哪种制动方式不适用于变频调速系统（ C ）。
A ：直流制动
B ：回馈制动
C ：反接制动
D ：能耗制动
3、三相异步电动机的转速除了与电源频率、转差率有关，还与（ A ）有关系。
A ：磁极数
B ：磁极对数
C ：磁感应强度
D ：磁场强度 4、IGBT 属于（ B ）控制型元件。
A ：电流
B ：电压
C ：电阻
D ：频率
5、为了适应多台电动机的比例运行控制要求，变频器设置了（ A ）功能。
A ：频率增益
B ：转矩补偿
C ：矢量控制
D ：回避频率 6、变频器安装场所周围振动加速度应小于（ A ）g 。 A ： 1 B ：0.5 C ：0.6 D ：0.8
7、在U/f 控制方式下，当输出频率比较低时，会出现输出转矩不足的情况，要求变频器具有（ C ）功能。
A ：频率偏置
B ：转差补偿
C ：转矩补偿
D ：段速控制 8、平方率转矩补偿法多应用在（ B ）的负载。
A ：高转矩运行
B ：泵类和风机类
C ：低转矩运行
D ：转速高 9、型号为FRN30G11S-40的富士变频器适配的电机容量为（ A ）KW 。 A ：30 B ：11 C ：40 D ：
10
10、电阻应变片的线路温度补偿方法有（ A B D ）。
A ．差动电桥补偿法
《电子技术》A 卷 第2页 共2页
B ．补偿块粘贴补偿应变片电桥补偿法
C ．补偿线圈补偿法
D ．恒流源温度补偿电路法
11、通常用应变式传感器测量（BCD ）。
A ．温度
B ．速度
C ．加速度
D ．压力 三、简答题（每小题4分，共16分）
1答：传感器是一种以一定的精确度把被测量转换为与之有确定对应关系的、便于精确处理
和应用的另一种量的测量装置或系统。 2、简述电容式传感器的工作原理？
答：两平行极板组成的电容器，如果不考虑边缘效应，其电容量为 式中: ε——极板间介质的介电常数 A ——极板的遮盖面积 δ——极板间的距离
当被测量的变化式中任一参数发生变化时，电容量C 也就随之变化。
3、简述应变片在弹性元件上的布置原则，及哪几种电桥接法具有温度补偿作用。? 答：布置原则有：
(1)贴在应变最敏感部位，使其灵敏度最佳； (2)在复合载荷下测量，能消除相互干扰； (3)考虑温度补偿作用；
单臂电桥无温度补偿作用，差动和全桥方式具有温度补偿作用。
4、在静态测量中，根据测量系统输入量与对应输出值所绘制的定度曲线可以确定那些静 态特性?
答：在静态测量中，根据绘制的定度曲线，可以确定测量系统的三个静态特性：灵敏度， 非线性度，回程误差。
6分）
答：导通条件：
1、晶闸管阳极电路（阳极与阴极之间）施加 正向电压。 UAK>0
2、晶闸管控制电路（控制极与阴极之间）加正向电压或正向脉冲（正向触发电压）。 UGK>0 关断条件：
1、阳极电流减小，直到正反馈效应不能维持。
2、一般通过减小EA,,直至EA<0来实现。
四、
8分）
输出电压平均值Ud
输出电流平均值Id
答：1、触发电路工作不可靠，不能适时、准确地给各晶闸管分配脉冲，如脉冲丢失、脉冲延时等，致使晶闸管不能正常换相。
2、晶闸管发生故障，该断时不断，或该通时不通。
3、在逆变工作时，交流电源缺相或突然消失。由于直流电动势ED 的存在，晶闸管仍可导通，此时变流器的交流侧由于失去了同直流电动势极性相反的交流电压，因此直流电动势将经过晶闸管电路而短路。
4、由于存在重叠角，换相裕量角不足，引起换相失败。
δ
εA
c =
()
2cos 19.02cos 1π22 d sin 2π1222d α
αωωπ
α+=+==?
U U t
t U U 2
cos 19
.02d d α+==R U R U I
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
数字电子技术基础期末考试试卷及答案
数字电子技术基础期末考试试卷及答案 Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】
数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（C ）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（ D）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门
3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（D ）。 A、通过大电阻接地（>Ω） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（A ）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（C ）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（A ）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（ C）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（C ）。
电子技术基础试卷1
电子上期期末考试试卷 考号姓名 一、填空题（30空×1分=30分） 1、在N型半导体中是多子，在P型半导体中是少子。 2、PN结加正向电压时，加反向电压时，这种特性称为PN结的特性。 3、三极管的极限参数有：____________、____________和____________。 4、加在二极管两端的反向电压超过U(BR)时，二极管将被。流过二极管的正向电流长时间超过I FM时，二极管将被。 5、三极管的发射极电流、集电极电流和基极电流关系为。 6、NPN三极管三个电极的电位关系是。 7、三极管输出特性曲线可以分为区、区和________________区。 8、放大器的放大倍数有____________、__________和____________。 9、放大器必须设置，能避免产生非线性失真。 10、二极管特性：________________性，它的符号________。 11、三极管有________、________、________三个电极，________和 ________两个PN结。 12、基本共发射放大电路又称为____________，其缺点是____________， 它的输出电压与输入电压相位____ ______，因此这种放大电路又称为____________。 二、选择（将正确的答案填入对应的表格中10×2分=20分） 1、在N型半导体中（）。 A、只有自由电子 B、只有空穴 C、有空穴也有自由电子 2、下列说法错误的是（）。 A、I E =I B +I C适合各类三极管 B、I C =βI B适合各类三极管 C所有三极管放大都要满足发射结正偏，集电结反偏
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
电子技术基础试卷及答案
《电子技术基础》第一章半导体二极管试卷 一、单项选择题 1.测量二极管(小功率)的管脚极性时,万用表的电阻档应选( )。(2 分) A.R×1 B.R×10 C.R×100或R×1k D.R×10k 2.测量二极管反向电阻时,若用两手将两管脚捏紧,其电阻值会( )。(2 分) A.变大 B.先变大后变小 C.变小 D.不变 3.二极管正反向电阻相差( )。(2 分) A.越小越好 B.越大越好 C.无差别最好 D.无要求 4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管,其中( )说明管子是好的。(2 分) A.正、反向电阻都为零 B.正、反向电阻都为无穷大 C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧 D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧 5.变容二极管工作时,应加( )。(2 分) A.反向电压 B.正向电压 C.正向电压或反向电压 6.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。(2 分) A.基本正常 B.击穿 C.烧坏 D.电流为零 7.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V,判断二极管应是( )。(2 分) A.正偏 B.反偏 C.零偏
8.2AP9表示( )。(2 分) A.N型材料整流管 B.N型材料稳压管 C.N型材料普通管 D.N型材料开关管 9.变容二极管常用在( )电路中。(2 分) A.高频 B.低频 C.直流 10.用于整流的二极管型号是( )。(2 分) A.2AP9 B.2CW14C C.2CZ52B D.2CK84A 二、判断题 11.( )发光二极管可以接收可见光线。(2 分) 12.( ) 二极管加反向电压时一定截止。(2 分) 13.( )当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。(2 分) 14.( )PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。(2 分) 15.( )有两个电极的元件都叫二极管。(2 分) 16.( )二极管具有单向导电性。(2 分) 17.( )光电二极管可以将光信号转化成为电信号。(2 分) 18.( )PN结是一种特殊的物质,一般情况下不能导电。(2 分) 19.( )二极管是线性元件。(2 分) 20.( )二极管加正向电压时一定导通。(2 分) 三、填空题 21. 硅二极管的死区电压为V，锗二极管的为V；导通管压降，硅管为V，锗管为V。(4 分) 22.PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN结反偏时，P区接电 源的极，N区接电源的极。(4 分)
电工电子技术基础考试试卷答案
《电工电子技术基础》 一、填空题：（每题3分，共12题，合计 33 分） 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为，它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况，便于对电路进行和。 2、在实际电路中，负载电阻往往不只一个，而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来，最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中，基尔霍夫电流第一定律又称定律，它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和－6A，则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和； 5、在实际应用中，按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化，然后运用_________求解的电路为_____；否则，就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是：___、_____、_______和_______；它们的代表符号分别是____、_____、______和____； 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比，与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比，即表达式为：________ ,其单位为：______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势，统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量，通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V，该电压最大值为__________ V，角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电（即市电）电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V，工作频率f＝____ __Hz，周期为T＝_______s，其角速度ω＝______rad/s，在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误：正确的打（√），错误的打（×），每小题1分，共 20 分 1、电路处于开路状态时，电路中既没有电流，也没有电压。（_） 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。（_） 3、对于一个电源来说，在外部不接负载时，电源两端的电压大小等于电源电动势的大小，且 方向相同。（_） 4、在复杂电路中，各支路中元器件是串联的，流过它们的电流是相等的。（_） 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。（_） 6、理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。（_） 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关，与磁场媒介质的磁导率无关（_）
模拟电子技术考试试卷1
《模拟电子技术》考试试卷1 一、填空题（20分，每题2分） 1、 半导体三极管按极性可分为_____型和_____型二类。 2、 半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压U RM =_______U 2， 负载电压U O =_________U 2。 3、如果温度升高三极管的输出特性曲线将向________移动。 4、抑制零点飘移的电路称为___________________________.。 5、乙类互补对称功率放大电路将产生__________失真， 而________互补对称功率放大电路，可以消除这种失真。 6、C Ｗ79XX 系列三端稳压器各脚功能是：①脚________； ②脚________；③脚________。 7、当信号发生器电压调在1V ，现在用40dB 衰减其输出电压为______mV 。 8、当示波器幅度旋钮位置V/div 在0.5V 时读数为4格， 其电压的有效值为______V 。 9、当示波器频率旋钮位置T/div 在0.5ms 时读数为2格， 其周期为______Hz 。 10、要抑制50Hz 的工频信号的影响，应选择________ 滤波电路。 二、判断题（20分，每题2分，对的打√错的打╳） 1、 稳压二极管必需工作在正向导通状态。 （ ） 2、 在集成电路中采用直接耦合。 （ ） 3、 石英晶体振荡电路的优点是其振荡频率的稳定性很高。 （ ） 4、 尽管开关稳压电源的体积小、稳压范围宽但它的功率消耗很大。（ ） 5、 在正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。 （ ） 6、 射极跟随器的放大倍数为1因此在电路不起任何作用。 （ ） 7、 在多级放大电路中前级放大的工作点宜设置在较低位置。 （ ） 8、 硅稳压管稳压电路只适用于负载小的场合且输出电压不能调节。（ ） 9、 跟据集成运算放大器电路虚断原则得到i +=i - 。 （ ） 10、判断正负反馈时，我们采用瞬时极性法， （ ） 当使净输入信号增强时即为负反馈。 三、简答题（25分，每题5分） 1、 电路如下图所示，二极管是导通还是截止，R=10K ，试求出AO 两点间的电压U AO ？ （设二极管的正向压降是0.7V ） A O 8V D 2、 如下图所示，稳压管D 1、D 2的稳定电压分别为8V 、6V ，设稳压管的正向压降是0.7V ， 试求U O 。
电工电子技术基础试题库
电工电子技术基础试题库 Prepared on 24 November 2020
一、判断题 1．理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。 （错） 2．因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。 （错） 3．自耦变压器由于原副边有电的联系，故不能作为安全变压器使用。（对） 4．电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 （对） 5．一个1/4W,100Ω的金属膜电阻，能够接在50V 电源上使用。 （错） 6．三相对称电路中，负载作星形联接时，P 3I I l 。 （错） 7．电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 （错） 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 （错） 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 （错） 10．负载作星形联接时，必有线电流等于相电流。 （对） 11．一个实际的电感线圈，在任何情况下呈现的电特性都是感性。 （错） 12．正弦交流电路的频率越高，阻抗越大；频率越低，阻抗越小。 （错） 13．中线不允许断开，因此不能安装保险丝和开关。 （对） 14．互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 （ 错 ） 15．变压器是依据电磁感应原理工作的。 （ 对 ） 16．电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 （ 对 ） 17．自耦变压器由于原副边有电的联系，所以不能作为安全变压器使用。 （ 对 ） 18．电动机的转速与磁极对数有关，磁极对数越多转速越高。 （ 错 ） 19．三相异步电动机在满载和空载下起动时，起动电流是一样的。（ 错 ） 20．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错） 21．晶体管可以把小电流放大成大电流。 （对） 22．在P 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 （对）
电子技术基础与技能试题及答案
电子技术基础与技能试题 使用教材：电子技术基础与技能试题围：全册 ：高等教育版次：第2版 学校名称：礼县职业中等专业学校 一、填空题 1、二极管最主要的电特性是，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个。 2、三极管的三个工作区域是，，。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大器。 3、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为dB，总的电压放大倍数为。 4、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为，为了消除交越失真常采用电路。 5、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud= 、R id= 、K CMR= 、R O = 6、三端集成稳压器CW7805输出电压V，CW7915输出电压V。 7、74LS系列的TTL与非门电路常使用的电源电压为V，一般要求其输出高电平电压大于等于V，输出低电平电压小于等于V，CMOS集成门电路的电源电压在V 围均可正常工作，建议使用V电源供电。 8、晶体三极管截止时相当于开关，而饱和时相当于开关。 9、异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 10、已知某触发器的真值表如下（A、B为触发器的输入信号）所示，其输出信号的逻辑表达式为。
真值表 A B Q n+1说明 0 0 Q n保持 0 1 0 置0 1 0 1 置1 1 1 Q n翻转 二、单选题 1、下列使用指针式万用表判断二极管极性的正确步骤是（）。 ａ．用万用表红黑表笔任意测量二极管两引脚间的电阻值。 ｂ．将万用表的电阻挡旋钮置于Ｒ×１００或Ｒ×１ｋ挡，调零。 ｃ．以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的二极管一端为正极，红表笔所接的二极管一端为负极。 ｄ．交换万用表表笔再测一次。如果二极管是好的，两次测量的结果必定一大一小。 A．ａｂｃｄ B. ｂａｄｃ C. ｃｄａｂ D. ｂｃｄａ 2、对于桥式整流电路，正确的接法是（）。 3、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当VCE=6V，其电流放大系数β为（）
电工电子技术基础试题库
《电工电子技术》课程复习资料 一、填空题： 1.正弦交流电的相量表示具体有有效值相量和最大值相量两种形式。 2.一阶电路暂态过程三要素法的表达式。 3.变压器有三大作用，分别是变压_、_变流_和_变换阻抗_。 结具有单向导电性，可描述为正偏导通、反偏截止。 5.以比较的风格分类，电压比较器有单限比较、滞回比较和窗口比较。 6.基本的逻辑关系是逻辑与、逻辑或和逻辑非。 7.“触发”是指给触发器或时序逻辑电路施加时钟（脉冲）信号。 8.电路的主要作用是传输、分配和控制电能和传送、处理电信号。 9.负载功率因数过低的后果是增大输电线路损耗和使供电设备不被充分利用。 10.三相同步发电机的基本构成是定子和转子。 11.电容和电感储能的数学表达式是和。 12.低压供电系统的接线方式主要有树干式和放射式。 13.实际变压器存在两种损耗，分别是铜耗和铁耗。 14.已知三相异步电动机的工频为50HZ，五对磁极，则同步转速为600r/min。 15.变压器的主要构成部件是绕组和铁芯。 16.已知三相异步电动机的工频为50HZ，四对磁极，则同步转速为750 r/min。 17.晶体三极管的两个PN结分别是发射结和集电结。 18.要使晶体三极管处于截止状态，其偏置方法是使发射结反偏集电结反偏。 19.反相比例运算关系是.，同相比例运算关系是。 20.多发射极管的作用是实现与运算、提高（逻辑）转换速度。 21.翻转是指触发器在时钟脉冲到达后形成与初态相反的次态。 22.我国规定的电力网特高压额定值有330kV、500kV和1000kV 。 23.理想变压器的变压公式是。 24.已知三相异步电动机的工频为50HZ，三对磁极，则同步转速为1000r/min。 25.晶体三极管有三种工作状态，分别为放大、截止和饱和。 26.放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。 27.负反馈对放大电路性能的影响有稳定电压放大倍数、拓展频宽、改善非线性失真和改变输入输出阻抗。 28.与时序电路相比，组合电路的特点是输出只与当前输入有关，而与初态无关。 29.理想变压器的变流公式是。 30.已知三相异步电动机的工频为50HZ，二对磁极，则同步转速为1500r/min
电子技术试卷1
电子技术试卷1 一、单项选择题：在下列各题中将唯一正确的答案代码填入括号内 (共30分，每小题2分) 1．在P 型半导体中，多数载流子是（ ）。 (a) 正离子 (b) 自由电子 (c) 空穴 2. 在图示1-1电路中，二极管的工作状态为（ ）。 (a) D 1、D 2均导通 (b) D 1导通、D 2截止 (c) D 1截止、D 2导通 3. 某N 沟道场效应晶体管，测得U GS ＝0，漏极电流I D ＝0，则该管的类型为（ ）。 (a) 耗尽型管 (b) 增强型管 (c) 无法确定 4．放大电路如图1-2所示，V CC ＝12V ，静态时U CE ＝4V ， R C ＝4k Ω，当逐渐加大输入信号u i 时，输出信号u o 首先出现（ ）。 (a) 截止失真 (b) 饱和失真 (c) 截止和饱和失真 5. 射极输出器的主要特点是（ ）。 (a) 输入电阻高，输出电阻低，电压放大倍数接近于+1 (b) 输入电阻高，输出电阻高，电压放大倍数接近于－1 (c) 输入电阻低，输出电阻低，电压放大倍数接近于+1 6. 在下列运算放大器的各种应用电路中，运算放大器工作在非线性状态的电路是（ ）。 (a) 反向比例放大器 (b) 有源滤波器 (c) 电压比较器 7. 已知某个逻辑门电路输入A 、B 和输出F 的波形 如图1-3所示，则该逻辑门为（ ）。 (a) 同或门 (b) 或门 (c) 异或门 8. 逻辑函数表达式ABC BC A C B A F ++= 的最简与 或表达式为（ ）。 (a) BC BC A F += (b) AC C B F += (c) BC AC F += ?1-1 A B F 图1-3 ?1-2
电子技术基础考试试题及参考答案
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
《电工电子技术基础》 试卷A及参考答案
华中师范大学成人专科学年第二学期 《电工电子技术基础》试卷（A卷） 考试时间：90分钟闭卷任课老师： 班级：学号：姓名：成绩： 一、填空：(每空2分，共40分) 1、基尔霍夫电流定律：I= A。； 2、欧姆定律：买了一个日光灯,功率P=40W，电压220V，I= A . 因为它的功率 因数只有0.5，应该在它的两端并联可以其提高功率因数。 3、电路如图，其戴维南等效电路的参数： U AB= V ；R AB= Ω； 4、单相交流电路： 已知：0 2202sin(31460) u t V =+；则有效值U= V；频率是 HZ。 5、对称三相四线制电路中，相电压是220V，线电压为： V； 6、三相交流异步电动机的转差率S= 。 7、三相交流异步电动机定子旋转磁场的转速是： 8、三极管的放大条件是： 9、判断R F的反馈类型：。 10、组合电路如图，输出F= 。 11、三端集成稳压器W7809能够输出 V电压。 12、三相四线制电路中，则中线的作用为。 13、能实现F=0 的逻辑门是。 14、可以实现Q Q n= +1的电路是：。 装 订 线
15、安全电压是： V。 16、热继电器的热元件应该连接到。 17、变压器铁心有：两种损耗。 二、简答题：（每题4分，共20分） 1、交流电路的有功功率、无功功率及视在功率的表达式？其中cos 被称为什么？答： 2、三相异步电动机的调速方法有哪些？ 答： 3、画出接触器的线圈符号及触头的符号。 答： 4、单相桥式整流电路，已知变压器副边电压U2 =20V，则输出平均电压U O =？若一个二极管开路，则输出平均电压U O =？ 答： 5、变压器有几个功能？写出表达式。 答：
电子技术基础试题
。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 0.7、0.3 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
数字电子技术基础试题及答案(1)
5.某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量 A7-A0的状态分别为什么状态 时，丫1、丫6分别才为低电平(被译中) 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 ________________ 和 _______________ 两分组成。 2. 十进制数(56) 10转换为二进制数为 ____________ 和十六进制数为 __________ 3. 串行进位加法器的缺点是 _________ ，想速度高时应采用 ____________ 加法器＜ 4. 多谐振荡器是一种波形 _________ 电路，它没有稳态，只有两个 ______________ 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M ________________ 二、化简、证明、分析综合题: 1. 写出函数F (A,B,C,D) = A B C D E 的反函数 2. 证明逻辑函数式相等： BC D D(B C)(AD B) B D 3. 已知逻辑函数 F= E( 3,5,8,9 , 10, 12) +E d(0,1,2) (1) 化简该函数为最简与或式： (2) 画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4. 555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Q , R 2=8.2K Q , C=0.1卩F 试求脉冲宽度T ,振荡频率f 和占空比q 。 ) 级 班 ( 业 专 M As As 扣 As
6?触发器电路就输入信号的波形如图 3 所示，试分别写出D 触发器的Q 和Q1 的表达式，并画出其波形。 Q n+1= 7.已知电路如图4所示，试写出： ① 驱动方程； ② 状态方程； ③ 输出方程； ④ 状态表； ⑤ 电路功能。 二、设计题：(每10分，共20分) 1 ?设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量 A B C 输入组合中的“ T 的 个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。 要求: (1)列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式; (2)画出逻辑电路图 2 .试用74161、3-8译码器和少量门电路，实现图 5所示波形V01 VO2 其中CP 为输入波形。要求： 1 A Rd O E 營 _TLnJTTLTL D= J - Q i =
电子技术基础考试必备十套试题,有答案
电子技术基础试题（八） 一．填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最 大，这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功放， ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________，以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二．选择题（每题3分，共30分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( )。
A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（）。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（）。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接 入电路，这时组合管的稳压值是：( )。 A.8V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（）。
电工电子技术(一)试卷A答案
1．已知图中U 1＝2V，U 2 ＝-8V，则U AB ＝-10 。 2．电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3．有三个6Ω的电阻，若把它们串联，等效电阻是18 Ω；若把它们并联，等效电阻2Ω；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是9 Ω。 4．用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5．电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6．电路如图所示，设U=12V、I=2A、R=6Ω，则U AB = -24 V。 7．直流电路如图所示，R 1所消耗的功率为2W，则R 2 的阻值应为 2 Ω。 8．电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化。9．在直流电路中，电感可以看作短路，电容可以看作断路。10．我国工业交流电采用的标准频率是50 Hz。 11．三相对称负载作三角形联接时，线电流I L 与相电流I P 间的关系是：I P ＝3I L 。 12．电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件。
1．理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。 （错） 2．因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。 （错） 3．电压三角形是相量图，阻抗三角形也是相量图。 （错） 4. 中线的作用就是使不对称Y 接负载的端电压保持对称。 （对） 5．互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 （错） 6．自耦变压器由于原副边有电的联系，故不能作为安全变压器使用。（对） 7．电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 （对） 8．一个1/4W,100Ω的金属膜电阻，能够接在50V 电源上使用。 （错） 9．三相对称电路中，负载作星形联接时，P 3I I l 。 （错） 10．电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 （错） 三、选择题（每题1分，共20分） 1．电位和电压相同之处是( C )。 A ．定义相同 B ．方向一致 C ．单位相同 D ．都与参考点有关 2．两个阻值相同的电阻器串联后的等效电阻与并联后的等效电阻之比是( A ) A ．4：1 B ．1：4 C ．1：2 D ．2：1 3．有一段16Ω的导线，把它们对折起来作为一条导线用，其电阻是( C )。 A ．8Ω B ．16Ω C ．4Ω D ．32Ω 4．电路中两点间的电压高，则( B )。 A ．两点的电位高 B ．两点间的电位差大 C ．两点的电位一定为正 D ．两点的电位一定为负 5．一个由线性电阻构成的电器，从220V 的电源吸取1000W 的功率，若将此电器接到
电子技术基础(模拟部分)试卷二及答案
试卷二 系别学号姓名成绩 考试课程模拟电子技术基础考试日期2002 年１２月１２日 题号一二三四五六七八九总分分数 得分核分人阅卷人 1．单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分，共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )。 A．掺杂浓度 B．工艺 C.温度 D．晶体缺陷 (2)硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( )。 A．正向导通状态 B．反向电击穿状态 C．反向截止状态 D．反向热击穿状态 (3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示， A．NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型锗管 D．PNP型硅管 (4)温度上升时，半导体三级管的( )。 A．β和I CBO 增大，U BE 下降 B．β和U BE 增大，I CBO 减小 C．β减小，I CBO 和U BE 增大 D．β、I CBO 和U BE 均增大 (图1) (5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，ｕ ｏ与ｕ ｉ 相位相反、 ︱A U ︱>1的只可能是( )。 A．共集电极放大电路 B．共基极放大电路 C．共漏极放大电路 D．共射极放大电路 (6)在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是( )。 A．电压并联负反馈 B．电压串联负反馈 C．电流并联负反馈 D．电流串联负反馈 (7)关于多级放大电路下列说法中错误的是( )。 A．A ｕ等于各级电压放大倍数之积 B．R ｉ 等于输入级的输入电阻 C．R。等于输出级的输出电阻 D．Ａ ｕ 等于各级电压放大倍数之和 （8）用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的 ( )。 A．︱A ｕｄ ︱ B．︱A ｕｅ ︱ C．Ｒ ｉｄ D．Ｋ ＣＭＲ (9)电路如图2所示，其中U ２ ＝20V，C＝100ｕF。变压器内阻及各二极管正向导通时 的电压降、反向电压均可忽略，该电路的输出电压U ０ ≈( )。 A．24V B．28V C．－28V D．－18V (图2) (10)在下列四种比较器中．抗干扰能力强的是( )。 A．迟滞比较器 B．零比较器 C．三态比较器 D．窗口比较器 2．填充题(每格１分，共20分) (11)当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数 而产生的输出失真称为失真，由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输 出失真称为失真，这两种失真统称为失真或失真。 (12)半导体三极管属控制器件，而场效应管属于控制器件。 (13)按结构不同，场效应管可分为型和型两大类。 (14)集成运放内部电路实际上是一个、、放大电路。 (15)直流稳压电源由、、、四个部分组成。 (16)按幅频特性不同，滤波器可分为滤波器、滤波器、滤 波器、滤波器及滤波器等五种。 3．分析计算题（共60分） （17）电路如图３所示．已知R B1＝50KΩ, R B2＝10KΩ, R C＝6KΩ, R E＝750Ω,信号源内阻R S＝ 5KΩ,负载电阻R L＝10KΩ,电源电压＋V CC=12V,电容C1、C2的电容量均足够大,晶体管的β=99、 r be=1 KΩ、U BE=0.7V。试求：（a）电压放大倍数A u（=U O/U I）及A us（=U O/U S）; （b）输入电阻R i和输出电阻R O。 ① -2V ② -8V ③ -2.2V + u1 － TR + u2 － D1 D4 D3 D 2 C + U o －