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PI单片开关电源设计参考2

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Power Integrations

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Design Example Report

Title

3.2W Charger using LNK501P Specification Input: 85 - 265 VAC Output: 18 V / 175mA Application Battery Charger

Author Power Integrations Applications Department Document Number DER-2

Date February 4, 2004 Revision

1.0

Summary and Features

? Very low cost, low component count charger/adapter - replaces linear transformer based solutions

? Extremely simple circuit configuration designed for high volume low cost manufacture – No surface mount components required ? Small EE13 transformer allows compact size

? Approximate constant current, constant voltage (CC/CV) primary sensed output characteristic – No optocoupler or sense resistors required ?

Efficiency greater than 71%

The products and applications illustrated herein (including circuits external to the products and transformer construction) may be covered by one or more U.S. and foreign patents or potentially by pending U.S. and foreign patent applications assigned to Power Integrations. A complete list of Power Integrations’ patents may be found at https://www.wendangku.net/doc/2c16993956.html, .

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Figure 1 – Populated Circuit Board.

Figure 2 –Assembled into Case with Cable (barrel

?ve, tip +ve).

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Figure 3 – Battery Model Used for Testing.

Note: This circuit is designed for a battery load. If a resistive or electronic load is used the supply may fail to start up at full load. This is normal. To ensure startup into a resistive load, increase F (see circuit description for more information).

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3 Schematic

Figure 4–Low Cost, LinkSwitch Battery Charger Schematic.

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4 Circuit Description

The schematic shown in Figure 4 provides a CV/CC (constant voltage/constant current) type output characteristic from a universal input voltage range of 85 VAC to 265 VAC. The nominal peak power point at the transition from CC to CV is 18V at 175mA.

4.1 Input Stage

The incoming AC is rectified and filtered by D1-4, C1 and C2. Resistor RF1 is a flameproof fusible type to protect against fault conditions and is a requirement to meet safety agency fault testing. This component should be a wire wound type to withstand input current surges while the input capacitors charge on application of power or during line transient testing. Metal film type resistors are not recommended. They do not have the transient dissipation capabilities required and may fail prematurely in the field.

Lower values increase the resistor dissipation (V2/R power term) during transients, increasing resistor stress, while higher values increase steady state dissipation (I2R power term) and reduce efficiency.

If a suitable flame proof resistor cannot be found (during failure flame proof resistors do not emit flames, smoke or incandescent material that may damage transformer insulation), then a standard fusible type may be used as long as a protective heat shrink sleeve is placed over the resistor. Please consult with a safety engineer or local safety agency.

The value of C1 and C2 were selected to provide the smallest standard values to meet 2 μF/W, in this case two 4.7 μF, 400 V capacitors.

The input capacitance is split between C1 and C2 to allow an input π filter to be formed by L1. This filters noise associated with the supply to meet EN55022B / CISPR 22 B and FCC B conducted EMC limits, even when no Y safety capacitor is used.

Provision is left on the board for fitting a ferrite bead in place of JP1, to improve radiated EMI if necessary.

4.2 LinkSwitch Operation

When power is applied to the supply, high voltage DC appears at the DRAIN pin of LinkSwitch (U1). The CONTROL pin capacitor C3 is then charged through a switched high voltage current source connected internally between the DRAIN and CONTROL pins. When the CONTROL pin voltage reaches approximately 5.7 V relative to the SOURCE pin, the internal current source is turned off. The internal control circuitry is activated and the high voltage internal MOSFET starts to switch, using the energy in C3 to power the IC.

As the current ramps in the primary of flyback transformer T1, energy is stored. This energy is delivered to the output when the MOSFET turns off each cycle.

The secondary of the transformer is rectified and filtered by D6 and C5 to provide the DC output to the load.

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Control of the output characteristic is entirely sensed from the primary-side by monitoring the primary-side V OR (voltage output reflected). While the output diode is conducting, the voltage across the transformer primary is equal to the output voltage plus diode drop multiplied by the turns-ratio of the transformer. Since the LinkSwitch is connected on the high side of the transformer, the V OR can be sensed directly.

Diode D5 and capacitor C4 form the primary clamp network. The voltage held across C4 is essentially the V OR with an error due to the parasitic leakage inductance.

The LinkSwitch has three operating modes determined by the current flowing into the CONTROL pin.

During start-up, as the output voltage, and therefore the reflected voltage and voltage across C4 increases, the feedback current increases from 0 to approximately 2 mA through R1 into the CONTROL pin. The internal current limit is increased during this period until reaching 100%, providing an approximately constant output current.

Once the output voltage reaches the regulated CV value, the output voltage is regulated through control of the duty cycle. As the current into the CONTROL pin exceeds approximately 2 mA, the duty cycle begins to reduce, reaching 30% at a CONTROL pin current of 2.3 mA.

If the duty cycle reaches a 3% threshold, the switching frequency is reduced, which reduces energy consumption under light or no load conditions.

As the output load increases beyond the peak power point (defined by ?·L·I2·f) and the output voltage and V OR falls, the reduced CONTROL pin current will lower the internal current providing an approximately constant current output characteristic. If the output load is further increased and the output voltage falls further to below a CONTROL pin current of 1 mA, the CONTROL pin capacitor C3 will discharge and the supply will enter auto-restart.

4.3 Transformer

The transformer is designed to always be discontinuous; all the energy is transferred to the load during the MOSFET off time. The energy stored in the transformer during discontinuous mode operation is ?·L·I2·f where L is the primary inductance, I2 is the peak primary current squared and f is the switching frequency.

Since the value of LinkSwitch current limit and frequency directly determines the peak power or CV/CC transition point in the output characteristic, the parameter of current squared times frequency is defined in the datasheet. This parameter, together with the output power, is used to specify the transformer primary inductance.

As LinkSwitch is powered by the energy stored in the leakage inductance of the transformer, only a low cost two winding transformer is required. Leakage inductance should be kept low, ideally at less than 2% of the primary inductance. High leakage inductance will cause the CC characteristic to walk out as the output voltage decreases and increases the no-load consumption of the supply.

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With a figure of 50 μH for leakage, this design is able to meet a voltage tolerance of ±10% at the peak power point, including the effects of output cable drop. For tighter voltage tolerance across the whole load range, a secondary optocoupler can be added. For most battery charging applications, only the voltage at the peak power point is critical, thus ensuring sufficient voltage for charging.

4.4 Clamp and Feedback Components

Diode D5 should either be a fast (t rr <250 ns) or ultra-fast type to prevent the voltage across LinkSwitch from reversing and ringing below ground. A fast diode is preferred, being lower cost. Leakage inductance is filtered by R2, the optimum value providing the straightest CC characteristic.

Capacitor C4 is typically fixed at 0.1 μF and should be rated above the V OR and be stable with both temperature and applied voltage. Low-cost, metalized plastic film capacitors are ideal; high value, low-cost ceramic capacitors are not recommended. Dielectrics used for these capacitors such as Z5U and Y5U are not stable and can cause output instability as their value changes with voltage and temperature. Stable dielectrics such as COG/NPO are acceptable but are costly when compared to a metalized plastic film capacitor.

C3 sets the auto-restart period and also the time the output has to reach regulation before entering auto-restart from start-up. If a battery load is used then a value of 0.22 μF is typical. However, if the supply is required to start into a resistive load then this should be increased to 1 μF to ensure enough time during start-up to bring the output into regulation . The type of capacitor is not critical; either a small ceramic or electrolytic may be used with a voltage rating of 10 V or more.

4.5 Output Stage

Diode D6 should be rated for 80% of applied reverse voltage and thermally for average current multiplied by forward voltage at maximum ambient. Here a 1A, 100V ultrafast diode was used to reduce the losses and improve efficiency, although fast or ultra fast PN diodes are acceptable.

Capacitor C6 should be rated for output voltage and ripple current.

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5 PCB

Layout

Figure 5– Printed Circuit Board Layout and Dimensions (0.001 inches).

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6 Bill Of Materials

Item Quantity Reference

Part Description

1 2 C1, C2 4.7 μF 400 V, UCC part # 380VB4R7M8X11L 2 1 C3 0.22 μF, 50 V, Ceramic

3 1 C

4 0.1 μF, 5%, 100 V, Metallized Film – Panasonic part # ECQ-V1104JM

4 1 CY1 2200pF/250VAC Y1 Safety

5 1 C5 100 μF, 35 V, Low ESR Panasonic FC Series

6 4 D1, D2, D3, D4 1N4005, 1 A, 600 V

7 1 D5 1N4937, 1 A, 600 V, Fast Rectifier 8 1 D6 MUR110, 1 A, 100 V, Ultrafast

9 1 L1 1 mH Inductor - Tokin part # SBCP-47HY102B 10 1 JP1 Wire Jumper (fitted in place of L2)

11 0 L2 Ferrite Bead – Fair-rite 2761008112 – Not fitted 12 1 RF1 10 ?, 2 W, Fusible – Vitrohm 253-4 series 13 1 R2 220 ?, 5%, 1/8 W 14 1 R1 33.2 k ?, 1%, 1/4 W 15 1 T1 Custom EE13

16 1 U1 LNK501P – Power Integrations, Inc

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Figure 7 –Transformer Build Diagram.

7.5 Transformer Construction

Secondary

Winding

Start at Pin 4 temporarily. Wind 30 turns item [5] from right to

left with tight tension. Wind uniformly, in a single layer across

entire width of bobbin. Finish on Pin 6.

Basic Insulation 1 Layer of tape [6] for insulation. Secondary Winding Change the start pin connection of secondary winding from Pin 4 to Pin 5.

Basic Insulation 1 Layer of tape [6] for insulation.

Cancellation

Winding

Start at Pin 3. Wind 12 turns with two parallel of item [4] from

right to left with tight tension. Wind uniformly, in a single

layer, across entire width of bobbin. Finish on Pin 4.

Basic Insulation 1 Layer of tape [6] for insulation.

Primary Winding 2 2/3 Layers Start at Pin 4. Wind 106 turns of item [3] from right to left in 2 and 2/3 layers across entire width of bobbin. Wind all layers with tight tension. Finish on Pin 1. Outer Insulation 10 Layer of tape [7] for insulation.

Core Assembly Assemble and secure core halves using item [8]

Shield / Belly Band Place outside 1 turn of item [9] with tight contact to winding

surface. Connect item [9] to Pin 3 by item [4]. Basic Insulation 2 Layer of tape [6] for insulation. Crop Unused

Pins

Remove pins 7 and 8

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9 Waveforms

9.1 Drain-Source Voltage

Waveform 9.1.1 115 VAC, Normal Operation

Figure 9 – LinkSwitch (U1) V DRAIN Waveform

V IN = 115 VAC, Vo = 18VDC, I O = 175mA.

Ch.3: LinkSwitch Drain-Source Voltage (100 V/div).

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Figure 10 – Oscilloscope Probe Prepared for Ripple Measurement.

(End cap and ground lead removed).

Figure 11 – Oscilloscope Probe with Probe Master 5125BA BNC Adapter.

(Modified with wires for probe ground for ripple measurement and two parallel decoupling capacitors added).

Probe Ground

Probe Tip

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9.2.2

Output Voltage Ripple

Measurements are shown for resistive (Figure 4).

Figure 12 – Output Voltage Ripple (Resistive)

at V IN = 115 VAC, Vo = 18V, I O = 175mA (Scale: 100 mV/div).

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Notes

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各种开关电源介绍-开关电源设计知识大全

开关电源介绍 一、基础知识: 新型变压器:磁性元件,新型磁材料和新型变压器的开发。如集成磁路,平面型磁心,超薄型变压器;以及新型变压器如压电式,无磁芯印制电路变压器等,使开关电源的尺寸重量都可减少许多。 硬开关的条件下MOSFET和IGBT开关损耗分析: 1).开通损耗方面:由于MOSFET的输出电容大,器件处于断态时,输入电压加在输出电容上,输出电容储存较大能量。在相继开通时这些能量全部消耗在器件内,开通损耗大。器件的开通损耗和输出电容成正比,和频率成正比和输入电压的平方成正比[12]。而IGBT的输出电容比MOSFET小得多,断态时电容上储存的能量较小,故开通损耗较小。 2).关断损耗方面:MOSFET属单极型器件,可以通过在施加栅极反偏电压的方法,迅速抽走输入电容上的电荷,加速关断,使MOSFET关断时电流会迅速下降至零,不存在拖尾电流,故关断损耗小[10];而IGBT由于拖尾电流不可避免,且持续时间长(可达数微秒),故关断损耗大。 综合以上分析,硬开关条件下MOSFET的开关损耗主要是由开通损耗引起,而IGBT则主要是由关断损耗引起。因此使用MOSFET作为主开关器件的电路,应该工作于ZVS条件下,这样在器件开通前,漏极和源极之间的电压先降为零,输出电容上储存能量很小,可以大大降低MOSFET的开通损耗;而使用IGBT作为主开关器件的电路,应该工作于ZCS条件下,这样在器件关断前,流过器件的电流先降为零,可以大大降低因拖尾电流造成的关断损耗。 软开关:当电流过零时,使器件关断;当电压过零时,使器件开通-实现开关损耗为零。 变流器:把输入的电源,进行电压、电流变换,达到规定的要求后输出给用电设备。 DC-DC:直流变压器。斩波器。 为什么反激开关电源只能适合小功率?200W以下。正激开关电源适合大功率开关电源? 高效率小体积(高功率密度)一直是DC-DC变换器用户的追求,也是设计的要点。提高功率密度最有效的方式就是提高开关频率,线圈和变压器对高速变化的磁力线感应灵敏度高、特别高效率,衰减特别小,传递效率特别高,而对低频变化的磁力线灵敏度低、衰减大,传递效率差,因此高频下的磁芯体积会大幅度减小,但频率的提高会使开关管的开关损耗加大,对变换器的效率造成影响。如何在高频下减小开关管的开关损耗,是DC-DC变换器是否能实现高效率高功率密度的关键,在这种背景下,高频软开关技术逐渐成为研究的热点,LLC谐振变换器是在串联谐振变换器的基础上增加了一个与负载并联的电感,是目前效率最高的开关电源。

300w开关电源设计(图纸)

TND313/D Rev 3, Sep-11 High-Efficiency 305 W ATX Reference Design Documentation Package ? 2011 ON Semiconductor.

Disclaimer: ON Semiconductor is providing this reference design documentation package “AS IS” and the recipient assumes all risk associated with the use and/or commercialization of this design package. No licenses to ON Semiconductor’s or any third party’s Intellectual Property is conveyed by the transfer of this documentation. This reference design documentation package is provided only to assist the customers in evaluation and feasibility assessment of the reference design. The design intent is to demonstrate that efficiencies beyond 80% are achievable cost effectively utilizing ON Semiconductor provided ICs and discrete components in conjunction with other inexpensive components. It is expected that users may make further refinements to meet specific performance goals.

精通开关电源设计

《精通开关电源设计》笔记 三种基础拓扑(buck boost buck-boost )的电路基础: 1, 电感的电压公式dt dI L V ==T I L ??,推出ΔI =V ×ΔT/L 2, sw 闭合时,电感通电电压V ON ,闭合时间t ON sw 关断时,电感电压V OFF ,关断时间 t OFF 3, 功率变换器稳定工作的条件:ΔI ON =ΔI OFF 即,电感在导通和关断时,其电流变化相等。 那么由1,2的公式可知,V ON =L ×ΔI ON /Δt ON ,V OFF =L ×ΔI OFF /Δt OFF ,则稳定条件为伏秒定律:V ON ×t ON =V OFF ×t OFF 4, 周期T ,频率f ,T =1/f ,占空比D =t ON /T =t ON /(t ON +t OFF )→t ON =D/f =TD →t OFF =(1-D )/f 电流纹波率r P51 52 r =ΔI/ I L =2I AC /I DC 对应最大负载电流值和最恶劣输入电压值 ΔI =E t /L μH E t =V ×ΔT (时间为微秒)为伏微秒数,L μH 为微亨电感,单位便于计算 r =E t /( I L ×L μH )→I L ×L μH =E t /r →L μH =E t /(r* I L )都是由电感的电压公式推导出来 r 选值一般0.4比较合适,具体见 P53 电流纹波率r =ΔI/ I L =2I AC /I DC 在临界导通模式下,I AC =I DC ,此时r =2 见P51 r =ΔI/ I L =V ON ×D/Lf I L =V O FF×(1-D )/Lf I L →L =V ON ×D/rf I L 电感量公式:L =V O FF×(1-D )/rf I L =V ON ×D/rf I L 设置r 应注意几个方面: A,I PK =(1+r/2)×I L ≤开关管的最小电流,此时r 的值小于0.4,造成电感体积很大。 B,保证负载电流下降时,工作在连续导通方式P24-26, 最大负载电流时r ’=ΔI/ I LMAX ,当r =2时进入临界导通模式,此时r =ΔI/ I x =2→ 负载电流I x =(r ’ /2)I LMAX 时,进入临界导通模式,例如:最大负载电流3A ,r ’=0.4,则负载电流为(0.4/2)×3=0.6A 时,进入临界导通模式 避免进入临界导通模式的方法有1,减小负载电流2,减小电感(会减小ΔI ,则减小r )3,增加输入电压 P63 电感的能量处理能力1/2×L ×I 2 电感的能量处理能力用峰值电流计算1/2×L ×I 2PK ,避免磁饱和。 确定几个值:r 要考虑最小负载时的r 值 负载电流I L I PK 输入电压范围V IN 输出电压V O 最终确认L 的值 基本磁学原理:P71――以后花时间慢慢看《电磁场与电磁波》用于EMC 和变压器 H 场:也称磁场强度,场强,磁化力,叠加场等。单位A/m B 场:磁通密度或磁感应。单位是特斯拉(T )或韦伯每平方米Wb/m 2 恒定电流I 的导线,每一线元dl 在点p 所产生的磁通密度为dB =k ×I ×dl ×a R /R 2 dB 为磁通密度,dl 为电流方向的导线线元,a R 为由dl 指向点p 的单位矢量,距离矢量为R ,R 为从电流元dl 到点p 的距离,k 为比例常数。 在SI 单位制中k =μ0/4π,μ0=4π×10-7 H/m 为真空的磁导率。

开关电源变压器参数设计步骤详解

开关电源高频变压器设计步骤 步骤1确定开关电源的基本参数 1交流输入电压最小值u min 2交流输入电压最大值u max 3电网频率F l开关频率f 4输出电压V O(V):已知 5输出功率P O(W):已知 6电源效率η:一般取80% 7损耗分配系数Z:Z表示次级损耗与总损耗的比值,Z=0表示全部损耗发生在初级,Z=1表示发生在次级。一般取Z=0.5 步骤2根据输出要求,选择反馈电路的类型以及反馈电压V FB 步骤3根据u,P O值确定输入滤波电容C IN、直流输入电压最小值V Imin 1令整流桥的响应时间tc=3ms 2根据u,查处C IN值 3得到V imin 确定C IN,V Imin值 u(V)P O(W)比例系数(μF/W)C IN(μF)V Imin(V) 固定输 已知2~3(2~3)×P O≥90 入:100/115 步骤4根据u,确通用输入:85~265已知2~3(2~3)×P O≥90 定V OR、V B 固定输入:230±35已知1P O≥240 1根据u由表查出V OR、V B值

2 由V B 值来选择TVS 步骤5根据Vimin 和V OR 来确定最大占空比 Dmax V OR Dmax= ×100% V OR +V Imin -V DS(ON) 1设定MOSFET 的导通电压V DS(ON) 2 应在u=umin 时确定Dmax 值,Dmax 随u 升高而减小 步骤6确定初级纹波电流I R 与初级峰值电流I P 的比值K RP ,K RP =I R /I P u(V) K RP 最小值(连续模式)最大值(不连续模式) 固定输入:100/1150.41通用输入:85~2650.441固定输入:230±35 0.6 1 步骤7确定初级波形的参数 ①输入电流的平均值I AVG P O I A VG= ηV Imin ②初级峰值电流I P I A VG I P = (1-0.5K RP )×Dmax ③初级脉动电流I R u(V) 初级感应电压V OR (V)钳位二极管反向击穿电压V B (V) 固定输入:100/115 6090通用输入:85~265135200固定输入:230±35 135 200

开关电源设计

& 课程设计任务书 学生姓名:专业班级: 指导教师:工作单位: 题目: 开关电源设计 初始条件: 输入交流电源:单相220V,频率50Hz。 要求完成的主要任务:(包括课程设计工作量及其技术要求,以及说明书撰写等具体要求)? 1、输出两路直流电压:12V,5V。 2、直流最大输出电流1A。 3、完成总电路设计和参数设计。 时间安排: 课程设计时间为两周,将其分为三个阶段。 第一阶段:复习有关知识,阅读课程设计指导书,搞懂原理,并准备收集设计资料,此阶段约占总时间的20%。 第二阶段:根据设计的技术指标要求选择方案,设计计算。 ) 第三阶段:完成设计和文档整理,约占总时间的40%。 指导教师签名:年月日 系主任(或责任教师)签名:年月日

目录 ) 引言 (1) 1设计意义及要求 (2) 设计意义 (2) 开关电源的组成部分 (2) 开关电源的工作过程 (2) 开关电源的工作方式 (3) 脉宽调制器的基本原理 (3) 2方案设计 (5) ) 设计要求 (5) 方案选择 (5) 整流滤波部分 (6) 降压斩波电路 (7) 脉宽调制电路 (8) MOSFET管的驱动电路 (9) 总电路图 (11) 3主电路参数设定 (12) { 变压器、二极管、MOSFET管选择 (12) 反馈回路的设计 (13) MOSFET的驱动设计 (14) 结束语 (15) 参考文献 (16)

附录一 (17) ]

引言 随着电力电子技术的高速发展,电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切,而电子设备都离不开可靠的电源,进入80年代计算机电源全面实现了开关电源化,率先完成计算机的电源换代,进入90年代开关电源相继进入各种电子、电器设备领域,远程控制交换机、通讯、电子检测设备电源、控制设备电源等都已广泛地使用了开关电源,更促进了开关电源技术的迅速发展。 开关电源高频化是其发展的方向,高频化使开关电源小型化,并使开关电源进入更广泛的应用领域,特别是在高新技术领域的应用,推动了高新技术产品的小型化、轻便化。开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IGBT和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新,使得开关电源技术也在不断地创新。目前,开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备,是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。 开关电源根据输入输出的性质不同可分为AC/DC和DC/DC两大类。AC/DC称为一次电源,也常称为开关整流器。值得指出的是,AC-DC变换不单是整流的意义,而是整流后又做DC-DC变换。所以说,DC-DC变换器是开关电源的核心。DC/DC称为二次电源,其设计技术及生产工艺在国内外均已成熟和标准化,所以学习设计开关电源有重要的意义。

开关电源设计教学内容

开关电源设计

开关直流稳压电源设计 摘要 直流稳压电源应用广泛,几乎所有电器,电力或者电子设备都毫不例外的需要稳定的直流电压(电流)供电,它是电子电路工作的“能源”和“动力”。不同的电路对电源的要求是不同的。在很多电子设备和电路中需要一种当电网电压波动或负载发生变化时,输出电压仍能基本保持不点的电源。电子设备中的电源一般由交流电网提供,如何将交流电压(电流)变为直流电压(电流)供电?又如何使直流电压(电流)稳定?这是电子技术的一个基本问题。解决这个问题的方案很多,归纳起来大致可分为线性电子稳压电源和开关稳压电源两类,他们又各自可以用集成电路或分立元件构成。开关稳压电源具有效率高,输出功率大,输入电压变化范围宽,节约能耗等优点。 一、引言 1.1基本要求 稳压电源。 1.基本要求 ①输出电压UO可调范围:12V~15V; ②最大输出电流IOmax:2A; ③U2从15V变到21V时,电压调整率SU≤2%(IO=2A); ④IO从0变到2A时,负载调整率SI≤5%(U2=18V); ⑤输出噪声纹波电压峰-峰值UOPP≤1V(U2=18V,UO=36V,IO=2A); ⑥DC-DC变换器的效率≥70%(U2=18V,UO=36V,IO=2A); ⑦具有过流保护功能,动作电流IO(th)=2.5±0.2A; 1.2发挥部分 (1)排除短路故障后,自动恢复为正常状态; (2)过热保护; 二、方案设计与论证 开关式直流稳压电源的控制方式可分为调宽式和调频式两种。实际应用中,调宽式应用较多,在目前开发和使用的开关电源集成电路中,绝大多数为脉宽调制(PWM)型。开关电源的工作原理就是通过改变开关器件的开通时间和工作周期的比值,即占空比来改变输出电压,通常有三种方式:脉冲宽度调制(PWM)、脉冲频率调制(PFM)和混合调制。PWM调制是指开关周期恒定,通过改变脉冲宽度来改变占空比的方式。因为周期恒定,滤波电路的设计比较简单,因此本次设计采用PWM调制方式实现电路设计要求。主要框架如图1所示。由变压器降压得到交流电压,再经过整流滤波电路,将交流电变成直流电,然后再经过DC-DC变换,由PWM的驱动电路去控制开关管的导通和截止,从而产生一个稳定的电压源。

RCC开关电源设计详细讲解39308

目录 摘要 ABSTRACT 绪论 第一章.RCC电路基础简介 1.1RCC电路工作原理 1.2RCC电路的稳压问题 1.3RCC电路占空比的计算 1.4RCC电路振荡频率的计算 1.5RCC电路变压器的设计 第二章.简易RCC基极驱动的缺点及改进设计 2.1 简易RCC电路的缺点 2.2 开关晶体管恒流驱动的设计 第三章.RCC电路的建模及仿真 3.1 RCC电路的建模及参数设计 3.1.1 主要技术指标 3.1.2 变压器的设计 3.1.3 电压控制电路的设计 3.1.4 驱动电路的设计 3.1.5 副边电容、二极管参数的设计

3.1.6 其他辅助电路的设计 3.2 RCC电路的仿真 3.2.1 RCC电路带额定负载时的仿真及设计标准的验证 3.2.2 RCC电路带轻载时的仿真 3.3 RCC电路的改进及改进后的仿真 3.3.1 RCC电路的恒流设计 3.3.2带有恒流源的RCC电路的仿真 第四章 RCC电路间歇振荡的应用实例 4.1 三星S10型放像机中的RCC型开关电源

RCC电路间歇振荡现象的研究 摘要:RCC变换器通常是指自振式反激变换器。它是由较少的几个器件就可以组成的高效电路,已经广泛用于小功率电路离线工作状态。由于控制电路能够与少量分立元件一起工作而不会出现差错,所以电路的总的花费要比普通的PWM反激逆变器低。一方面,当其控制电流过高时就会出现一种间歇振荡现象,从而使得电路的振荡周期在很大围变化,类如例如从数百赫兹到数千赫兹之间变化,因而在较大功率输出时将引起变压器等产生异常的噪音,所以需要抑制这种现象的产生。另一方面,当电路的输出功率输出较小时,却可以利用这种间歇振荡,使开关电路处于低能耗状态。当需要电路工作时,只需给电路一个信号脉冲即可。电路本文主要通过实验仿真的方法在RCC电路中加入某些特定的电路从而达到抑制消除这种间歇振荡,同时还简要阐述一些利用间歇振荡的例子。 Abstract:The self-oscillating flyback converter, often referred to as the ringing choke converter (RCC), is a robust, low component-count circuit that has been widely used in low power off-line applications. Since the control of the circuit can be implemented with very few discrete components without loss of performance, the overall cost of the circuit is generally lower than the conventional PWM flyback converter that employs a commercially available integrated control .

12种开关电源拓扑及计算公式

输入输出电压关系 D T Ton Vin Vout == 开关管电流 Iout Iq =(max)1开关管电压 Vin Vds =二极管电流 ) 1(1D Iout Id ?×=二极管反向电压 Vin Vd =12、BOOST 电路 输入输出电压关系 D Ton T T Vin Vout ?= ?=11 开关管电流 11( (max)1D Iout Iq ?×=开关管电压 Vout Vds =二极管电流 Iout Id =1二极管反向电压 Vout Vd =13、BUCK BOOST 电路 输入输出电压关系 D D Ton T Ton Vin Vout ?= ?=1开关管电流 11( (max)1D Iout Iq ?×=开关管电压 Vout Vin Vds ?=二极管电流 Iout Id =1二极管反向电压 Vout Vin Vd ?=1

输入输出电压关系 D D Vin Vout ?= 1开关管电流 )1( (max)1D D Iout Iq ?×=开关管电压 Vout Vin Vds +=二极管电流 Iout Id =1二极管反向电压 Vin Vout Vd +=15、FLYBACK 电路 输入输出电压关系 Lp Iout Vout T D Vin Vout ×××=2开关管电流 (max)1Lp Ton Vin Iq ×= 开关管电压 Ns Np Vout Vin Vds × +=二极管电流 Iout Id =1二极管反向电压 Np Ns Vin Vout Vd × +=16、FORW ARD 电路 输入输出电压关系 D Np Ns T Ton Np Ns Vin Vout ×=×=开关管电流 Iout Np Ns Iq ×= (max)1开关管电压 Vin Vds ×=2二极管电流 D Iout Id ×=1

开关电源设计设计

开关电源设计设计

开关电源设计 摘要 随着开关电源在计算机、通信、航空航天、仪器仪表及家用电器等方面的广泛应用, 人们对其需求量日益增长, 并且对电源的效率、体积、重量及可靠性等方面提出了更高的要求。开关电源以其效率高、体积小、重量轻等优势在很多方面逐步取代了效率低、又笨重的线性电源。电力电子技术的发展,特别是大功率器件IGBT和MOSFET的迅速发展,将开关电源的工作频率提高到相当高的水平,使其具有高稳定性和高性价比等特性。开关电源技术的主要用途之一是为信息产业服务。信息技术的发展对电源技术又提出了更高的要求,从而促进了开关电源技术的发展。开关电源的高频变换电路形式很多, 常用的变换电路有推挽、全桥、半桥、单端正激和单端反激等形式。本论文是基于芯片UC3842的小功率高频开关电源系统设计。 关键词开关电源;半桥全桥;高频变压器 - II -

目录 摘要...................................................................................................................... I 第1章绪论 (1) 1.1 课题背景 (1) 1.2 研究的目的及意义 (2) 1.2.1 课题研究的目的 (2) 1.2.2课题研究的意义 (2) 第2章开关电源输入电路设计 (3) 2.1 电压倍压整流技术 (3) 2.1.1 交流输入整流滤波电路原理 (3) 2.1.2 倍压整流技术 (3) 2.2 输入保护器件保护 (4) 2.2.1 浪涌电流的抑制 (4) 2.2.2 热敏电阻技术分析 (5) 2.3 本章小结 (6) 第3章开关电源主电路设计 (7) 3.1 单端反激式变换器电路的工作原理 (7) 3.2 开关晶体管的设计 (8) 3.3 变压器绕组的设计 (10) 3.4 输入整流器的选择 (11) 3.5 输出滤波电容器的选择 (12) 3.6 本章小结 (12) 第4章开关电源控制电路设计 (13) 4.1 芯片简介 (13) 4.1.1 芯片原理 (13) 4.1.2 UC3842内部工作原理简介 (13) 4.2 工作描述 (14) 4.3 UC3842常用的电压反馈电路 (18) 4.4 本章小结 (20) 结论 (21) 致谢 (22) 参考文献 (23) - II -

开关电源-高频-变压器计算设计

要制造好高频变压器要注意两点: 一是每个绕组要选用多股细铜线并在一同绕,不要选用单根粗铜线,简略地说便是高频交流电只沿导线的表面走,而导线内部是不走电流的实习是越挨近导线中轴电流越弱,越挨近导线表面电流越强。选用多股细铜线并在一同绕,实习便是为了增大导线的表面积,然后更有效地运用导线。 二是高频逆变器中高频变压器最好选用分层、分段绕制法,这种绕法首要目的是削减高频漏感和降低分布电容。 1、次级绕组:初级绕组绕完,要加绕(3~5层绝缘垫衬再绕制次级绕组。这样可减小初级绕组和次级绕组之间分布电容的电容量,也增大了初级和次级之间的绝缘强度,契合绝缘耐压的需求。减小变压器初级和次级之间的电容有利于减小开关电源输出端的共模打扰。若是开关电源的次级有多路输出,而且输出之间是不共地的为了减小漏感,让功率最大的次级接近变压器的初级绕组。 若是这个次级绕组只要相对较少几匝,则为了改善耦合状况,仍是应当设法将它布满完好的一层,如能够选用多根导线并联的方法,有助于改善次级绕组的填充系数。其他次级绕组严密的绕在这个次级绕组的上面。当开关电源多路输出选用共地技能时,处置方法简略一些。次级能够选用变压器抽头方式输出,次级绕组间不需要采用绝缘阻隔,从而使变压器的绕制愈加紧凑,变压器的磁耦合得到加强,能够改善轻载时的稳压功能。 2、初级绕组:初级绕组应放在最里层,这样可使变压器初级绕组每一匝用线长度最短,从而使整个绕组的用线为最少,这有效地减小了初级绕组自身的分布电容。通常状况下,变压器的初级绕组被规划成两层以下的绕组,可使变压器的漏感为最小。初级绕组放在最里边,使初级绕组得到其他绕组的屏蔽,有助于减小变压器初级绕组和附近器材之间电磁噪声的相互耦合。初级绕组放在最里边,使初级绕组的开始端作为衔接开关电源功率晶体管的漏极或集电极驱动端,可削减变压器初级对开关电源其他有些电磁打扰的耦合。 3、偏压绕组:偏压绕组绕在初级和次级之间,仍是绕在最外层,和开关电源的调整是依据次级电压仍是初级电压进行有关。若是电压调整是依据次级来进行的则偏压绕组应放在初级和次级之间,这样有助于削减电源发生的传导打扰发射。若是电压调整是依据初级来进行的则偏压绕组应绕在变压器的最外层,这可使偏压绕组和次级绕组之间坚持最大的耦合,而与初级绕组之间的耦合减至最小。 初级偏压绕组最佳能布满完好的一层,若是偏压绕组的匝数很少,则能够采用加粗偏压绕组的线径,或许用多根导线并联绕制,改善偏压绕组的填充状况。这一改善方法实际上也改善了选用次级电压来调理电源的屏蔽才干,相同也改善了选用初级电压来调理电源时,次级绕组对偏压绕组的耦合状况。 高频变压器匝数如何计算?很多设计高频变压器的人都会有对于匝数的计算问题,那么我们应该如何来计算高频变压器的匝数,从而解决这个问题?接下来,晨飞电子就为大家介绍下匝数的计算方法:

开关电源设计(精通型)

开关电源设计 三种基础拓扑(buck boost buck-boost )的电路基础: 1, 电感的电压公式dt dI L V ==T I L ??,推出ΔI =V ×ΔT/L 2, sw 闭合时,电感通电电压V ON ,闭合时间t ON sw 关断时,电感电压V OFF ,关断时间t OFF 3, 功率变换器稳定工作的条件:ΔI ON =ΔI OFF 即,电感在导通和关断时,其电流变化相等。 那么由1,2的公式可知,V ON =L ×ΔI ON /Δt ON ,V OFF =L ×ΔI OFF /Δt OFF ,则稳定 条件为伏秒定律:V ON ×t ON =V OFF ×t OFF 4, 周期T ,频率f ,T =1/f ,占空比D =t ON /T =t ON /(t ON +t OFF )→t ON =D/f =TD →t OFF =(1-D )/f 电流纹波率r P51 52 r =ΔI/ I L =2I AC /I DC 对应最大负载电流值和最恶劣输入电压值 ΔI =E t /L μH E t =V ×ΔT (时间为微秒)为伏微秒数,L μH 为微亨电感,单位便于计算 r =E t /( I L ×L μH )→I L ×L μH =E t /r →L μH =E t /(r* I L )都是由电感的电压公式推导出来 r 选值一般0.4比较合适,具体见 P53 电流纹波率r =ΔI/ I L =2I AC /I DC 在临界导通模式下,I AC =I DC ,此时r =2 见P51 r =ΔI/ I L =V ON ×D/Lf I L =V O FF×(1-D )/Lf I L →L =V ON ×D/rf I L 电感量公式:L =V O FF×(1-D )/rf I L =V ON ×D/rf I L 设置r 应注意几个方面: A,I PK =(1+r/2)×I L ≤开关管的最小电流,此时r 的值小于0.4,造成电感体积很大。 B,保证负载电流下降时,工作在连续导通方式P24-26, 最大负载电流时r ’=ΔI/ I LMAX ,当r =2时进入临界导通模式,此时r =ΔI/ I x =2→ 负载电流I x =(r ’ /2)I LMAX 时,进入临界导通模式,例如:最大负载电流3A ,r ’=0.4,则负载电流为(0.4/2)×3=0.6A 时,进入临界导通模式 避免进入临界导通模式的方法有1,减小负载电流2,减小电感(会减小ΔI ,则减小r )3,增加输入电压 P63 电感的能量处理能力1/2×L ×I 2 电感的能量处理能力用峰值电流计算1/2×L ×I 2PK ,避免磁饱和。 确定几个值:r 要考虑最小负载时的r 值 负载电流I L I PK 输入电压范围V IN 输出电压V O 最终确认L 的值 基本磁学原理:P71――以后花时间慢慢看《电磁场与电磁波》用于EMC 和变压器 H 场:也称磁场强度,场强,磁化力,叠加场等。单位A/m B 场:磁通密度或磁感应。单位是特斯拉(T )或韦伯每平方米Wb/m 2 恒定电流I 的导线,每一线元dl 在点p 所产生的磁通密度为dB =k ×I ×dl ×a R /R 2 dB 为磁通密度,dl 为电流方向的导线线元,a R 为由dl 指向点p 的单位矢量,距离矢量为R ,R 为从电流元dl 到点p 的距离,k 为比例常数。 在SI 单位制中k =μ0/4π,μ0=4π×10-7H/m 为真空的磁导率。

仙童资料翻译:十三个步骤教你完整设计正激双路输出开关电源,妥妥的!

仙童资料翻译:十三个步骤教你完整设计正激双路输出开关 电源,妥妥的! 最新通知【通知】跳槽季电源企业怎么快速招到电源工程师?各地招聘电源工程师(点击下面蓝色标题直接查看)【东莞】诚聘开关电源技术人才,管理人才! 【上海】爱立信招聘电源工程师,磁性元器件工程师,电源验证工程师...... 步骤一确定系统对象图1线性电源范围 电压倍压电路如图1所示,通常是用于正激式电路,在普通电压输入的情况下。所以最小的线性电压是实际电压的2倍。——线性频率fL——最大输出功率P0——预计功率:这是需要估计这功率转换器的效率去计算出这最大的输入电压。如果无法参考资料,设Eff=0.7~0.75,用于低电压输出的设备;设Eff=0.8~0.85,用于高电压输出的设备。确定的估计效率,这最大的输出功率是基于输入最大功率,选择适合的开关芯片。因为MOSFET管的两端电压是转换器的两倍电压,一个额定电压是800V的开关芯片,MOS管就可用于一般的电压输入。开关芯片的种类的额定功率已经在设计软件之内。步骤二确定DC电容()和DC电压范围图2这最大的DC电压(DC link voltage)波纹是: Dch是是链电容(DC link capacitor)占空比,如图2,通常值为

0.2。 用于倍压器的两个电容要串联,每个电容值是方程(2)中所需电容的2倍。在已知的最大电压波纹,那么这最小和最大的直流链电压(DC link voltage)是:步骤三确定变压器重置方式和最大占空比(Dmax)正激式开关电源一个固有的限制,在MOSFET关闭的时候,就是变压器必须重置。因此,额外的重置方案应该被纳入。现有两个重置方案:a.辅绕组重置该方案有益于效能,因为能量被储存在磁化电感中,且能量会释放回输入电路中。但是额外的绕组会使得变压器的构造更复杂。图3 MOSFET管上最大的电压和最大占空比是:Np和Nr和分别分别是初级(primary winding)匝数(笔者注:初级=主绕组)和辅绕组匝数。由方程(5)(6)可得,当Dmax逐渐减少,在MOSFET管上最大的电压会跟着减少。然而,减小的Dmax 导致在次边的电压应力上升。因此,在一般输入电压下,设定Dmax=0.45和Np和Nr是比较合适的。在辅边重置电路中,开关芯片内部已经限制占空比低于50%,用于阻止磁饱和现象发生在变压器上。b.RCD重置图4画出带有RCD 重置的正激式简化电路图。缺点是储存在磁电感中的能量被消耗。在RCD缓冲器中,不像辅绕组重置方案可以返还能量于输入电压中,但是,因为它简单,这方案广泛应用于许多预算有限的开关电源中。

开关电源设计

1 绪论 开关电源(Switching Mode Power Supply,英文缩写为SMPS)又称为开关稳压电源,问世后在很多领域逐步取代了线性稳压电源和晶闸管相控电源。随着全球对能源问题的越来越重视,电子产品的耗能问题将愈来愈突出,如何降低其待机功耗,提高供电效率成为一个急待解决的问题。传统的线性稳压电源虽然电力结构简单、工作可靠,但它存在着效率低(只有40%~50%)、体积大、铜铁消耗量大,工作温度高及调整范围小等缺点。为了提高效率,人们研究出了开关式稳压电源,它的效率可达85%以上,稳压范围宽;除此之外,还具有稳压精度高的特点,是一种较理想的稳压电源。开关电源具有效率高、体积小、重量轻、应用广泛等优点,现已成为稳压电源的主流产品。正因为如此,开关电源被誉为高效、节能型电源,代表着稳压电源的发展方向,并已广泛应用于各种电子设备中[1]。 1.1 开关电源的特点 1.1.1 开关电源的优点 (1) 功耗小,效率高。晶体管V在激励信号的激励下,它交替地工作在导通—截止和截止—导通的开关状态,转换速度很快,频率一般为50kHz左右,在一些技术先进的国家,可以做到几百或者近1000kHz。这使得开关晶体管V的功耗很小,电源的效率可以大幅度地提高,其效率可达到80%。 (2) 体积小,重量轻。采用高频技术,省掉了体积笨重的工频变压器。由于调整管V上的耗散功率大幅度降低后,又省去了较大的散热片。由于这两方面原因,所以开关稳压电源的体积小,重量轻。 (3) 稳压范围宽。从开关稳压电源的输出电压是由激励信号的占空比来调节的,输入信号电压的变化可以通过调频或调宽来进行补偿。这样,在工频电网电压变化较大时,它仍能够保证有较稳定的输出电压。所以开关电源的稳压范围很宽,稳压效果很好。此外,改变占空比的方法有脉宽调制型和频率调制型两种。开关稳压电源不仅具有稳压范围宽的优点,而且实现稳压的方法也较多,设计人员可以根据实际应用的要求,灵活地选用各种类型的开关稳压电源。 (4) 滤波的效率大为提高,使滤波电容的容量和体积大为减少。开关稳压电源的工作频率目前基本上是工作在50kHz,是线性稳压电源的1000倍,这使整流后的滤波效率几乎也提高了1000倍;即使采用半波整流后加电容滤波,效率也提高了500

开关电源热阻计算方法及热管理

开关电源热阻计算方法及热管理 我们设计的DC-DC电源一般包含电容、电感、肖特基、电阻、芯片等元器件;电源产品的转换效率不可能做到百分百,必定会有损耗,这些损耗会以温升的形式呈现在我们面前,电源系统会因热设计不良而造成寿命加速衰减。所以热设计是系统可靠性设计环节中尤为重要的一面。但是热设计也是十分困难的事情,涉及到的因素太多,比如电路板的尺寸和是否有空气流动。 我们在查看IC产品规格书时,经常会看到R JA 、T J 、T STG 、T LEAD 等名词;首先R JA 是指芯 片热阻,即每损耗1W时对应的芯片结点温升,T J 是指芯片的结温,T STG 是指芯片的存储温 度范围,T LEAD 是指芯片的加工温度。 二、术语解释 首先了解一下与温度有关的术语:T J 、T A 、T C 、T T 。由“图1”可以看出,T J 是指芯片 内部的结点温度,T A 是指芯片所处的环境温度,T C 是指芯片背部焊盘或者是底部外壳温度, T T 是指芯片的表面温度。 数据表中常见的表征热性能的参数是热阻R JA ,R JA 定义为芯片的结点到周围环境的热阻。 其中T J = T A +(R JA *P D ) 图1.简化热阻模型 对于芯片所产生的热量,主要有两条散热路径。第一条路径是从芯片的结点到芯片 顶部塑封体(R JT ),通过对流/辐射(R TA )到周围空气;第二条路径是从芯片的结点到背部焊 盘(R JC ),通过对流/辐射(R CA )传导至PCB板表面和周围空气。 对于没有散热焊盘的芯片,R JC 是指结点到塑封体顶部的热阻;因为R JC 代表从芯片内 的结点到外界的最低热阻路径。 三、典型热阻值 表1典型热阻

史上最全的开关电源设计经验资料

三种基础拓扑(buck boost buck-boost )的电路基础: 1, 电感的电压公式dt dI L V ==T I L ??,推出ΔI =V ×ΔT/L 2, sw 闭合时,电感通电电压V ON ,闭合时间t ON sw 关断时,电感电压V OFF ,关断时间 t OFF 3, 功率变换器稳定工作的条件:ΔI ON =ΔI OFF 即,电感在导通和关断时,其电流变化相等。 那么由1,2的公式可知,V ON =L ×ΔI ON /Δt ON ,V OFF =L ×ΔI OFF /Δt OFF ,则稳定条件为伏秒定律:V ON ×t ON =V OFF ×t OFF 4, 周期T ,频率f ,T =1/f ,占空比D =t ON /T =t ON /(t ON +t OFF )→t ON =D/f =TD →t OFF =(1-D )/f 电流纹波率r P51 52 r =ΔI/ I L =2I AC /I DC 对应最大负载电流值和最恶劣输入电压值 ΔI =E t /L μH E t =V ×ΔT (时间为微秒)为伏微秒数,L μH 为微亨电感,单位便于计算 r =E t /( I L ×L μH )→I L ×L μH =E t /r →L μH =E t /(r* I L )都是由电感的电压公式推导出来 r 选值一般0.4比较合适,具体见 P53 电流纹波率r =ΔI/ I L =2I AC /I DC 在临界导通模式下,I AC =I DC ,此时r =2 见P51 r =ΔI/ I L =V ON ×D/Lf I L =V O FF×(1-D )/Lf I L →L =V ON ×D/rf I L 电感量公式:L =V O FF×(1-D )/rf I L =V ON ×D/rf I L 设置r 应注意几个方面: A,I PK =(1+r/2)×I L ≤开关管的最小电流,此时r 的值小于0.4,造成电感体积很大。 B,保证负载电流下降时,工作在连续导通方式P24-26, 最大负载电流时r ’=ΔI/ I LMAX ,当r =2时进入临界导通模式,此时r =ΔI/ I x =2→ 负载电流I x =(r ’ /2)I LMAX 时,进入临界导通模式,例如:最大负载电流3A ,r ’=0.4,则负载电流为(0.4/2)×3=0.6A 时,进入临界导通模式 避免进入临界导通模式的方法有1,减小负载电流2,减小电感(会减小ΔI ,则减小r )3,增加输入电压 P63 电感的能量处理能力1/2×L ×I 2 电感的能量处理能力用峰值电流计算1/2×L ×I 2PK ,避免磁饱和。 确定几个值:r 要考虑最小负载时的r 值 负载电流I L I PK 输入电压范围V IN 输出电压V O 最终确认L 的值 基本磁学原理:P71――以后花时间慢慢看《电磁场与电磁波》用于EMC 和变压器 H 场:也称磁场强度,场强,磁化力,叠加场等。单位A/m B 场:磁通密度或磁感应。单位是特斯拉(T )或韦伯每平方米Wb/m 2 恒定电流I 的导线,每一线元dl 在点p 所产生的磁通密度为dB =k ×I ×dl ×a R /R 2 dB 为磁通密度,dl 为电流方向的导线线元,a R 为由dl 指向点p 的单位矢量,距离矢量为R ,R 为从电流元dl 到点p 的距离,k 为比例常数。 在SI 单位制中k =μ0/4π,μ0=4π×10-7 H/m 为真空的磁导率。 则代入k 后,dB =μ0×I ×dl ×R/4πR 3 对其积分可得B = 3 40R C R Idl ?? π μ

开关电源学习书籍推荐

《开关电源入门》,图灵出版的和美国半导体总工写的.《开关电源设计与优化》写的不适合初学者 1、《开关电源指南》第2版,浙江大学徐德鸿翻译的,也有可能是他的学生翻译,他署名出版而已.说实话,翻译水平很烂,错误相当多,但里面很多内容,相当不错,很适合入门.英文水平高的,可以看英文原版. 2、《开关电源设计》第2版,华南理工大学王志强翻译的,挺厚的,黑白相间的书皮,也不错. 3、《电力电子系统建模》浙大徐德鸿翻译,《开关变换器的建模与控制》, 张卫平著. 这两本书,详细讲解了开关电源的建模方式和环路补偿,怎么调整电源环路的稳态性能和暂态性能.这两本书看懂了,做电源,我个人觉得,理论水平已经达到一定高度了. 4、《直流开关电源的软开关技术》和《全桥移相软开关技术》,南航阮新波的博士论文,整理后出版的两本书,国内凡是写软开关的书,大部分都是照抄它们或者无一不参考它们.其中后一本书已经绝版了,市场上已经买不到,淘宝网上有复印版本卖,大概45元,质量很不错的. 5、《开关电源磁性元器件》,赵修科著.磁性器件,可以说是开关电源的心脏,不懂磁,想做好电源,那是不可能的.这本书对磁的理解深刻而全面. 6、control loop cookbook 德州仪器的技术资料,作者就是提出著名右半平面零点概念的那个人,相当的好. 其他的书嘛,就是大学教材,模拟电路和经典控制理论,一定是要读通掌握才行.总的来说,软开关,就看阮新波足够;环路方面,主要还是看外国人写的;磁和变压器方面,主要看赵修科和台湾人写的. 仿真软件还是要掌握一些的. 1、orcad pspice适合做电路元件级级仿真,仿模拟电路和开关电源小信号模型,效果相当好. 2、saber适合做系统级仿真,特别适合开关电源这种含有脉冲式信号的电路,模型库参数全,仿真精度高,尤其是强大的仿真结果后续处理能力,是我用过的仿真软件中,功能最强大的一款.不过,在国内普及程度,没有pspice高,一套正版8

总结:开关电源设计心得

总结:开关电源设计心得 首先从开关电源的设计及生产工艺开始描述吧,先说说印制板的设计。开关电源工作在高频率,高脉冲状态,属于模拟电路中的一个比较特殊种类。布板时须遵循高频电路布线原则。 1、布局:脉冲电压连线尽可能短,其中输入开关管到变压器连线,输出变压器到整流管连接线。脉冲电流环路尽可能小如输入滤波电容正到变压器到开关管返回电容负。输出部分变压器出端到整流管到输出电感到输出电容返回变压器电路中X电容要尽量接近开关电源输入端,输入线应避免与其他电路平行,应避开。 Y电容应放置在机壳接地端子或FG连接端。共摸电感应与变压器保持一定距离,以避免磁偶合。如不好处理可在共摸电感与变压器间加一屏蔽,以上几项对开关电源的EMC性能影响较大。 输出电容一般可采用两只一只靠近整流管另一只应靠近输出端子,可影响电源输出纹波指标,两只小容量电容并联效果应优于用一只大容量电容。发热器件要和电解电容保持一定距离,以延长整机寿命,电解电容是开关电源寿命的瓶劲,如变压器、功率管、大功率电阻要和电解保持距离,电解之间也须留出散热空间,条件允许可将其放置在进风口。 控制部分要注意:高阻抗弱信号电路连线要尽量短如取样反馈环路,在处理时要尽量避免其受干扰、电流取样信号电路,特别是电流控制型电路,处理不好易出现一些想不到的意外。 下面谈一谈印制板布线的一些原则 线间距:随着印制线路板制造工艺的不断完善和提高,一般加工厂制造出线间距等于甚至小于0.1mm已经不存在什么问题,完全能够满足大多数应用场合。考虑到开关电源所采用的元器件及生产工艺,一般双面板最小线间距设为0.3mm,单面板最小线间距设为0.5mm,焊盘与焊盘、焊盘与过孔或过孔与过孔,最小间距设为0.5mm,可避免在焊接操作过程中出现“桥接”现象。,这样大多数制板厂都能够很轻松满足生产要求,并可以把成品率控制得非常高,亦可实现合理的布线密度及有一个较经济的成本。 最小线间距只适合信号控制电路和电压低于63V的低压电路,当线间电压大于该值时一般可按照500V/1mm经验值取线间距。

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