低频电子电路习题答案及指导

1-8 在题图1-4所示的硅二极管电路中，输入交流信号V im 为5mV ，问输出交流电压V om 为多少？设电容C 对交流信号的容抗可忽略不计。

【分析思路】 （1）从电路结构出发，在两个电源作用下，电路中每个元器件的电压和电流原则上均包含两部分响应，即不变的直流和变化的交流；（2）

具体说来，电容所在支路因电容的存在不可能含直流电流的流动，即Ω25电阻上无直流电

压降；（3）考虑到交流电压的变化范围较小，由此在各元件上引起的变化电压和电流也不会大，即相对于直流属于小信号。综合起来，该题可以采用在直流工作点下的小信号分析方法。

【解答】（1）在令交流电压源为零条件下，画出原电路的直流通路如图1-8-1（a ）所示。

（a ）题图1-4在V im =0时的电路图 （b ）直路分析图 （c ）二极管分析模型

图1-8-1 题图1-4的直流通路获取

在只提供二极管为“硅管”信息条件下，我们能采用的最精确二极管模型也只有图1-8-1（c ）的模型了。据此，得V 3.57.06直o =-=V ，mA 04.11.5/3.5直D ==I ；管子处于

导通状态。

（2）在令原图中直流电压源为零条件下，画出原电路的交流通路如图1-8-2（a ）所

示，在二极管用小信号电阻替代，容抗为零的电容用短路线替代后得小信号等效图（c ）。

（a ）令原图直流源为零时的电路 （b ）整理后的交流通路 （c ）小信号等效图

图1-8-2 题图1-4的交流分析图获取

题图1-4

Ω≈=≈

25mA 04.1mV

26DQ T d 常温

I V r ()

()[]

mV 5.225//105.125

//105.12533

im

om ≈???+=

V V 【结论】 在二极管直流压降V 3.5直D =V ，交流压降mV 5.2m d =交V 条件下，可知满足计

算前的“小信号分析”假设条件，因此分析合理，即mV 5.2om ≈V 。

1-9 请思考下列说法是否正确：（1）二极管的结电容越大二极管允许的最高工作频率越高；（2）二极管的结电容与外加电压的关系是线性的；（3）二极管的结电容由势垒电容和扩散电容组成；（4）在反偏时主要由扩散电容起作用。

1-10 在某电路保持不变的条件下，温度为20℃时测得二极管的电压V D =0.7V 。当温度上升到40℃时，则V D 的大小将增加还是减小。

1-11 如何用万用表来判断二极管好坏、极性。

1-12 电路如题图1-5所示，请在选用图1-3-7（b ）的二极管模型，以及on 0.6V V =时，画出电路输入输出电压关系曲线。

题图1-5

1-13 电路如题图1-6所示，已知稳压管VD Z 的稳压值V Z ＝10V ，稳定电流的最大值I Zmax = 20mA ，稳定电流的最小值I Zmin = 5mA ，负载电阻R L ＝2k Ω。要求当输入电压V I 由正常值发生±20%波动时，输出电压基本不变。试求：电阻R 和输入电压V I 的正常值。 解：

【分析思路】：根据精度选择的不同得到两种结果：

题图1-6

1-14 请从工程实现角度出发，思考代表数字信息1和0的电位要设定为有一定误差的电位范围，而非固定的电位值。

1-15 电路如题图1-7所示，请在输入只能取+5V 和0V 条件下，给出输入A v 、B v 和输出Y v 的关系。

题图1-7

【提示】：（1）在信息处理电路范畴内，该题的二极管模型选取原因与对应《低频电子电路》教材21页对应，即采用直折线电阻近似模型2；（2）做题时采用列表方式给出不同输入与输出的对应结果。

思考与练习

2-1 晶体管的基区为什么必须很薄？发射区和集电区有哪些异同点？ 2-2 有一锗晶体管的I CBO =5μA ，0.98α=。试求它的I CEO 与β值。 【解答】

491=-=

α

α

β， ()μA 2501CBO CEO =+=I I β 2-3 请在晶体管输入特性曲线图2-1-6（a ）中，标注出截止区、放大区和饱和区的位置。 2-4 锗PNP 型晶体管作为放大应用时，其极间电压如何设置？

2-5 当温度升高时，晶体管参数I CBO 、β、I C 将如何变化？（提示：根据导电原理和二极管导电特性定性分析）

2-6 问：（1）已知某电路中未损坏晶体管的各端电位如题图2-1（a ）（b ）所示，请判断该晶体管所处的工作状态；（2）处于放大状态的晶体管各端电位如题图2-1（c ）（d ）所示，请标明该晶体管各电极名称、晶体管类型和制造晶体管的材料类型。

题图2-1

【解答】（a ）根据图可知，晶体管的发射结正偏，集电结反偏，即处于放大状态；（b ） （c ）

2-7 问：（1）测得一个硅PNP 型晶体管的b 、c 、e 三个电极对地电压分别为：B 3.2V V =-，E C 2.5V 7V V V =-=-，，判断该管工作于什么状态；

（2）测得NPN 型晶体管的e 、b 、c 三个电极对地电压分别为：E 3.2V V =，B 2.5V V =，C 7V V =，判断该管工作于什么状态。

2-8 问：与PNP 晶体管发射极电流最大相对应的直流BE V 是：0.02V 、?0.05V 、0.10V 、?0.10V ？ 2-9 请思考基区调宽效应对晶体管特性有何影响。 2-10 电路如题图2-2所示，在每个输入信号均可以选择5V 或0V 的情况下，用列表方式给出3个输入端不同选择组合得到的输入输出信号对应关系。

【讨论】二极管和晶体管的输入特性的导通电压不能近似等于零。

2-11 场效应管的输出特性曲线如题图2-3所示，请画出相应的转移特性曲线，指出管子类型，写出饱和区转

移特性表达式和相应的条件。

题图

2-3

题图2-2

题图2-3（续）

2-12 测得在放大状态下，MOS 场效应管各管脚的电位如题图2-4所示，试判断这是一种什么类型的场效应管？并将相应的电路符号绘在图中，并标出各管脚的符号及衬底箭头。

2-13 请问你能从题图2-5（a ）（b ）两图分别读出管子什么信息？请画

出对应的管子电路符号，并思考管子安全区由什么参数确定。

题图2-5

2-14 请仿照图2-1-10对晶体管的大信号模型的构造，分析题图2-6所示场效应管的大信号模型，同时指出题图2-6（a ）（b ）两图各为什么管子的模型。（提示：图中电容为大信号变化引起的电容效应）

题图2-4

题图2-6

思考与练习

2-1 晶体管的基区为什么必须很薄？发射区和集电区有哪些异同点？

【解答】为了保证发射区来的绝大部分载流子能扩散到集电结边界，减少基区的复合机会，

因而基区必须很薄。发射区和集电区掺入相同的杂质元素，发射区的掺杂的杂质浓度比集电区的高。

2-2 有一锗晶体管的I CBO =5μA ，0.98α=。试求它的I CEO 与β值。

【解答】

491=-=

α

α

β， ()μA 2501CBO CEO =+=I I β 2-3 请在晶体管输入特性曲线图2-1-6（a ）中，标注出截止区、放大区和饱和区的位置。【解

答】标注如图：

题图2-3

2-4 锗PNP型晶体管作为放大应用时，其极间电压如何设置？

【分析思路】无论NPN管还是PNP管，若要放大应用，必须工作于放大状态，即必须满足发射结正偏，集电结反偏。

对NPN管：V C>V B>V E

对PNP管：V C

【解答】对PNP管极间电压设置应有：V EB> V EB(on)，V EC> V ECS

2-5 当温度升高时，晶体管参数I CBO、β、I C将如何变化？（提示：根据导电原理和二极管导电特性定性分析）

【分析思路】温度升高时反向饱和电流I CBO增大（由少数载流子漂移运动形成的，少数载流子由本征激发产生，本征激发跟温度有关），温度每升高10 ?C ，I CBO增大一倍；温度每升高1?C，?β/β增大（0.5 ~ 1）%，

【解答】温度升高时，I CBO增大，?β/β增大，又因为I C =βI B+（1+β）I CBO，I C增大。

2-6 问：（1）已知某电路中未损坏晶体管的各端电位如题图2-1（a）（b）所示，请判断该晶体管所处的工作状态；（2）处于放大状态的晶体管各端电位如题图2-1（c）（d）所示，请标明该晶体管各电极名称、晶体管类型和制造晶体管的材料类型。

题图2-1

（1）

【分析思路】发射结正偏，集电结反偏，工作于放大状态；发射结和集电结都正偏工作于饱和状态；发射结和集电结都反偏工作于截止状态；

【解答】对于（a）满足发射结正偏，集电结反偏，所以工作于放大状态；

对于（b）满足发射结正偏，集电结反偏，所以工作于放大状态。

（2）

【分析思路】无论NPN管还是PNP管，工作于放大状态，必须满足发射结正偏，集电结反偏。对NPN管：V C>V B>V E ；对PNP管：V C

无论NPN还是PNP，放大时基极电位处于中间电位，因而判断时先找出基极，又因发射结正偏，正偏压降小，工程上近似等于导通电压V BE(on)，从而找出发射极，剩下的即为集电极。

【解答】对于（c）因9>4.7>4，所以4.7V对应的电极为基极，4V对应的电极是发射极，9V

对应的电极是集电极。因V BE =0.7V ，所以是硅管；又因为V C >V B >V E ，所以是NPN 管。

对于（d ）因-5>-5.7>-10，所以-5.7V 对应的电极为基极，-5V 对应的电极是发射极，-10V 对应的电极是集电极。因V BE =-0.7V ，所以是硅管；又因为V C

2-7 问：（1）测得一个硅PNP 型晶体管的b 、c 、e 三个电极对地电压分别为：B 3.2V V =-，E C 2.5V 7V V V =-=-，，判断该管工作于什么状态；

（2）测得NPN 型晶体管的e 、b 、c 三个电极对地电压分别为：E 3.2V V =，B 2.5V V =，C 7V V =，判断该管工作于什么状态。

【分析思路】同2-6（1）

【解答】对于（1）满足发射结正偏，集电结反偏，所以工作于放大状态；

对于（2）满足发射结反偏，集电结反偏，所以工作于截止状态。 2-8 问：与PNP 晶体管发射极电流最大相对应的直流BE V 是：0.02V 、?0.05V 、0.10V 、?0.10V ？

【分析思路】因为三极管发射极电流与的关系曲线为：

【解答】反偏、正偏电压都很小，所以发射极电流都很小。相比之下0.10V 时发射极电流最

大。

2-9 请思考基区调宽效应对晶体管特性有何影

响。 【解答】由于基区调宽效应的影响，进入放大

区之

后，随V CE 的增加集电极电流i C 略有增加，而基极电流i B 略有下降，β略增大。

2-10 电路如题图2-2所示，在每个输入信号均可以选择5V 或0V 的情况下，用列表方式给出3个输入端不同选择组合得到的输入输出信号对应关系。

【分析思路】利用二极管的单向导电特性和

三极管的状态来判别，D 1、D 2、D 3、D 4为共阳极连接，阴极

电位低的管子优先导通。

题图2-2

2-11 场效应管的输出特性曲线如题图2-3所示，请画出相应的转移特性曲线，指出管子类型，写出饱和区转移特性表达式和相应的条件。

题图2-3

题图2-3（续）

【分析思路】

1、V DS的极性与漏极电流的流向取决于沟道类型：

N沟道：V DS > 0，I D自漏极流向源极。

P沟道：V DS < 0，I D自源极流向漏极。

2、V GS的极性取决于工作方式及沟道类型，比较难记，结合转移特性曲线来记较易。

即对N沟道管子：

结型V GS(off) V GS(th) >0

对P沟道管子：

结型V GS(off)>V GS > 0；耗尽型V GS可正、可负，也可为零；增强型V GS < V GS(th)<0

【解答】

（a）转移特性曲线反映V DS为常数时（例如V DS=5V），V GS对I D的控制作用，可由输出特性转换得到。

因为v DS>0，所以为N沟道管子，又因为v GS>1V>0，所以为增强型管子，其中v GS(th) =1V。

管子类型为：N沟道增强型FET。

饱和区转移特性表达式：2GS(th)GS OX n D )(2V v l

W

C i -=

μ（条件：v DS >v GS –v GS(th)）

（b ）转移特性曲线的画法跟（a ）一样。

因为v DS <0，所以为P 沟道管子，又因为v GS <-1V<0，所以为增强型管子，其中v GS(th) =-1V 。

管子类型为：P 沟道增强型FET 。 饱和区转移特性表达式：2GS(th)GS OX n D )(2V v l

W

C i -=

μ（条件：v DS

（c ）转移特性曲线的画法跟（a ）一样。

因为v DS >0，所以为N 沟道管子，又因为v GS ≤0，所以为结型场效应管，其中v GS(off) =-3.5V 。

管子类型为：N 沟道结型FET 。

饱和区转移特性表达式：2

GS(off)GS DSS D 1?

??? ?

?-≈V v

I I （条件：v DS >v GS –v GS(off)）

（d ）转移特性曲线的画法跟（a ）一样。

因为v DS >0，所以为N 沟道管子，又因为v GS 有正、有0、有负值，所以为耗尽型场效应管，其

中v GS(off) =-1.5V 。

管子类型为：N 沟道耗尽型FET 。

饱和区转移特性表达式：2

GS(off)GS DSS D 1?

??? ?

?-≈V v

I I （条件：v DS >v GS –v GS(off)）

2-12 测得在放大状态下，MOS 场效应管各管脚的电位如题图2-4

所示，试判断这是一种什么类型的场效应管？并将相应的电路符号绘在图中，并标出各管脚的符号及衬底箭头。

【分析思路】绝缘栅型场效应管电路符号中除了三个电极之外，

还有一个衬底，结型场效应管只有三个电极。另外场效应管要工作于放大状态，

必须工作于饱和区，即要加合适的偏置电压才行：

1、V DS 的极性与漏极电流的流向取决于沟道类型：

N 沟道：V DS > 0，I D 自漏极流向源极。 P 沟道：V DS < 0，I D 自源极流向漏极。

2、V GS 的极性取决于工作方式及沟道类型，比较难记，结合转移特性曲线来记较易。

即对N 沟道管子：

结型V GS(off) V GS(th) >0 对P 沟道管子：

结型V GS(off)>V GS > 0；耗尽型V GS 可正、可负，也可为零；增强型V GS < V GS(th)<0

【解答】因有衬底，该管子是绝缘栅型场效应管，+10V 对应的电极是

漏极D ，3V 对应的是源极和栅极，又因为v DS >0，所以为N 沟道管子，

且

题图

2-4

v GS=0所以为耗尽型场效应管。电路符号及管脚标注如图题图解2-4所示。

2-13 请问你能从题图2-5（a）（b）两图分别读出管子什么信息？请画出对应的管子电路符号，并思考管子安全区由什么参数确定。

题图2-5

【解答】

（a）由图可知，该图是三极管的输入特性曲线和输出特性曲线。由输入特性曲线知，该管的导通电压V BE(on)≈-0.2V，所以是PNP型的锗管；由输出特性曲线可得三极管的β=Δi C/Δi B≈100，V CES>-1V。

管子的安全工作区域由：I CM、P CM、V BR(CEO)确定。

（b）由图可知，该图是场效应管的输出特性曲线。因为v DS<0，所以为P沟道管子，又因为v GS有正、有0、有负值，所以为耗尽型场效应管，其中v GS(off) =0.75V。

管子的安全工作区域由：I DM、P DM、V DS (BR)、V GS (BR)确定。

2-14 请仿照图2-1-10对晶体管的大信号模型的构造，分析题图2-6所示场效应管的大信号模型，同时指出题图2-6（a）（b）两图各为什么管子的模型。（提示：图中电容为大信号变化引起的电容效应）

图2-6

【解答】（a ）图是绝缘栅型管子的等效模型；（b ）图是结型管子的等效模型。

思考与练习

3-8 在外接电容交流短路时，画出题图3-6所示电路的交流通路、小信号等效电路，写出电路

的交流输入电阻i i i

v

R i 。

题图3-6

【分析思路】（1）交流输入电阻是指在交流小信号条件下，从电路输入端看入的低中频交流等效电阻。（2）分析应按画出电路交流通路、画出小信号等效电路、求出输入电阻的步骤进行；（3）在求输入电阻时，我们会遇到含受控源的等效电阻求解问题，此时，应根据电量控制过程找出具体的解题方法。

【解答】（a）：（1）根据已知“外接电容交流短路”，可以得出交流条件下，外接电容相当于短

路线；以及直流电压源在交流条件下，也相当于短路线的结论，可得

（a ） 交流通路 （b ） 小信号等效电路

图3-6-1 题图3-6（a ）的交流分析图

（2）根据小信号等效电路的线性电路特征，利用“电路分析”原理求解如下。由图可知电路输入电流i i 和场效应管d 端电流gs m v g 都会流入电阻2R ，为此，设电阻2R 的压降R2v 为中间变量，于是

i

i

i i v R =

（3-8-1） 又因为 )(i gs m 2i g i i v g R i R v ++= （3-8-2） 所以 )1()

(i

gs m 2g i i gs m 2i g i i i ++=++==

i v g R R i i v g R i R i v R （3-8-3） 又因为 gs m 1i g gs v g R i R v -= （3-8-4） 即 ()i

m 1g

gs 1i g R R v +=

（3-8-5）

代入式（3-8-3），整理得

()???

?

?

?++

+=m m 1g

2g i 11g g R R R R R （3-8-6） （b ）：（1）画出交流通路和小信号等效电路如下

（a ） 交流通路 （b ） 小信号等效电路

图3-6-2 题图3-6（b ）的交流分析图1

（2）设电阻2R 的压降R2v 为中间变量，于是 i R2i 7be1i b1//v v R R r i i ??

=

=+ ??

? （3-8-7）

由小信号等效图可知，R2v 取决e1i 和6i 。其中，e1i 取决b1i ，6i 取决b11i β。相对来说，b11i β是通过b22i β作用形成6i 的。

（a ） R2v 与b11i β和b22i β的交流分析图 （b ） b11i β与b22i β的交流分析图

图3-6-3 题图3-6（b ）的交流分析图2

由图3-6-3（a ），得

()[]()??

?

??=+++++=016b22326R22

6b11R2i i R R i v R i i v ββ （3-8-8）

解得 ()()b223

232b1132322R2212i R R R R i R R R R R v ββ?+-+?++=

（3-8-9）

由图3-6-3（b ），得

()()[]b242be21b2b111i R r R i i ββ++=+- （3-8-10） ()b14

2be211

2b221i R r R i ?+++-=ββββ （3-8-11）

代入式（3-8-9），得 ()()()b142be211

23232321322R21221i R r R R R R R R R R R R v ?????

?

?+++?++++?+=ββββ （3-8-12）

代入式（3-8-7），得

()()()????

????????+++?++++?++==

42be211

23232321322be17i i i 1221//R r R R R R R R R R R R r R i v R ββββ

（3-8-13） （c ）、（d ）解答：……

【结论】（1）在做题过程中，我们始终从求解输入电阻的目标出发，通过不断提出问题，不断解决问题的方法来完成求解的整个过程。（2）为了充分利用图形的直观性，我们应在求解过程中，正确和灵活利用简化、等效图形来凸显做题目标和思路。

3-9 设题图3-7所示电路的i ()v t =V im sin ωt ，V im <

题图3-7

【分析思路】（1）该类型的原理与第一章1-8题一致。只是这里的半导体元器件采用的是晶体管而非二极管；（2）在分析时，应充分把握好晶体管特性如何融入分析中；（3）分析时可以参照教材第四章图4-2-2的相关内容。

3-10 电路如题图3-8所示，假定电路参数合理，并且R g >>R 1和R 2，r ds >>（R 1+R 2），C 1、C 2

足够大。（1）画小信号交流等效电路；（2）写出电路的电压放大倍数o v i

v

A v =表达式。

题图3-8

【分析思路】（1）按已知定义，电压放大倍数是指在交流小信号条件下，电路输出端的电压响应与电路输入端电压的比值。（2）分析应按画出电路交流通路、画出小信号等效电路、求电压放大倍数表达式的步骤进行。

3-11 晶体管的'b e r 和场效应管的m g 与管子工作点参数的关系如何？为什么会与工作点有关？原则上管子的所有小信号参数均与工作点有关吗？

【分析思路】 原则上管子的所有小信号参数均与工作点有关，其原因在于小信号分析是建立在工作点基础上的微小变化的分析方法。

3-12 电路如题图3-9所示，已知3只晶体管的V BE （on ）=0.6V ，β=100，r ce →∞。试计算VT 1

管的静态工作点电流I C1和电路i V 端口看入的输入电阻R i 。

题图3-9

【分析思路】（1）根据已知判断，该电路的晶体管均处于放大状态；（2）在进一步具体解题前，应充分把握相关电量的制约关系，并据此寻求具体做题步骤。

放大器频率特性是指放大电路的输入与输出电量关系表达式受输入信号频率变化的影响特性。根据电路分析原理，这一影响特性的起因在于放大器内部存在电容或电感等动态记忆元器件，即无论放大器内部存在的电容或电感是否线性，都将引起放大倍数表达式随信号频率变化。

一般来说，应排除如下情况，即时或表达式

00()()y t A x t t =-

（5-0-1）

式中，()x t 表示输入信号，()y t 表示输出信号，0A 为电路比例常数，0t 为常数，表示输出信号相对于输入()x t 的时延大小。

式（5-0-1）也可以用频域方式表示为

()()00j (j )Y A t X ωωω??=∠-??

（5-0-2）

式中，()00A t ω∠-表示放大器的传递函数，其中()0t ω∠-表明放大器有时延；Y 表示输出信号；X 表示输入信号。

也就是说，在放大器的传递函数采用()j A ω表达，即 ()()j j /(j )A Y X ωωω=

（5-0-3） 时，只要

()()00j A A t ωω≠∠-

（5-0-4）

就会出现不希望看到的输出失真，常称为放大器线性失真。

在实际放大器的传递函数()()()j A A ωω?ω=∠情况下，将不满足()0A A ω=的情况称为幅度失真；将不满足()()0t ?ωω∠≠∠-的情况称为相位失真。

思考题 5.0.1 在放大器输入信号()()i ()0.01sin 0.012sin 3v t t t ωω=+条件下，请通过编程画图的方法，举例给出输出o ()v t 只出现幅度失真，或只出现相位失真的波形图案例。

本章将围绕基本放大单元电路的频率特性，展开讨论和分析。

5.1 频率特性描述方法与基本增益器件频率特性

由图5-1-1给出的共发射极小信号交流等效电路可以得出，该电路因电容的存在必然会出现线性失真，即不可能在全频域内满足式（5-0-2）的关系。

图5-1-1 共发射极放大器的频率分析图

再进一步的分析下可以得出：（1）串联电容1C 和2C 将在频率减小时，使放大电路增益降低；（2）电容b e C '和b c C '将在频率增加时，使放大电路增益降低。由此，可以通过电路参数的选取，确保增益下降的下边界频率远离上边界频率，即上、下边界频率之间有一段增益稳定，电路不出现线性失真的频率范围。通常将该增益稳定的频率范围称为放大器的中频区，用WB 表示；中频区的下边界频率称为下限截止频率，用L ω或L f 表示；中频区的上边界频率称为上限截止频率，用H ω或H f 表示。

一般来说，传递函数可以由一系列乘除因子组成，即 ()()()()

1

10121

1210

o

j j (j )(j )(j )

()()(j )(j )(j )

j j ()

m

m m m m n n n n n b b b z z z Y s A s H p p p a a a X s ωωωωωωωωωω----+++---=

=

=---++

+ （5-1-1）

对于中频区范围较大的A （s ），人们也常采用波特图的形式来描述放大器传递函数的频率特性。基于图形的二维特性，波特图分为幅频特性波特图和相频特性图波特图。

5.1.1 频率特性的稳态描述方法

下面就放大器频率特性的波特图描述和表达式描述的具体问题，以及相互关系讲解如下。 1．波特图的坐标特点

幅频和相频特性波特图的横坐标均采用对数坐标，如图5-1-2所示。

图5-1-2 对数横坐标特点分析

该对数坐标由于历史原因在标注上仍采用频率f （或ω），但在数值位置上则以频率对数的差值来定位。例如，频率2Hz 与频率1Hz 之间的坐标距离为lg2lg1lg(2/1)0.301-=≈长度单位；频率10Hz 与频率1Hz 之间的坐标距离为lg10lg1lg(10/1)1-==长度单位；频率100Hz 与频率10Hz 之间的坐标距离为lg100lg10lg(100/10)1-==长度单位。

可见，该横坐标体系具有压缩高频、扩展低频，表现频率范围广，以及无零频标注点的特点。 对于纵坐标，如图5-1-3所示。其中，相频特性纵坐标为一般的比例坐标，如图5-1-3（a ）所示，这里不再讲解。幅频特性纵坐标对增益来说是对数坐标，如图5-1-3（b ）所示，但增益通过dB 方式标注，如电压增益，()()()v v v dB 20lg 20lg j A f A f A f ==，该纵坐标在数值标注上仍属于比例标注

方式。

思考题 5.1.1 在波特图的坐标中横坐标有无原点，纵坐标有无原点？

2．基本传递函数因子的波特图

基于波特图的对数坐标特点，可以推得表达式（5-1-1）的波特图由组成表达式的各因子波特图图形组合而成，因此下面将研究各基础因子的波特图。

（1）RC 低通电路的波特图。

图5-1-4所示电路为RC 低通电路，电路的电压传递函数（或称电压增益）为 ()()o H H v v i 11j j 1j(/)1j(/)

V A A f V f f =

==+

+记ωωω （5-1-2） 其中

H 11

1

2πf R C =

（5-1-3）

图

5-1-3

波特图纵坐标特点分析 图5-1-4 RC 低通电路

由式（5-1-3）可得电压增益的幅频特性表达式()v A f 和相频特性表达式()A f ?分别为 ()v A f =

（5-1-4）

()A H arctan (/)f f f ?=-

（5-1-5）

由此，可描绘出电路增益的幅频和相频特性波特图如图5-1-5中的虚线所示。

在工程上，为了快速画出波特图，常采用近似的渐进线画法，如图5-1-5中实线所示。近似线分析如下。

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电

模拟电子技术基础习题册.docx

专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。 1-2 、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值 I L（AV）＝100mA。 （1）变压器副边电压有效值U2≈ （2）设电网电压波动范围为±10％。在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示，变压器副边电压有效值为 2U2。 （1）画出u2、u D 1和u O的波形； （2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压AV）的表达式；U Rmax 的表达式。

1-4 、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。试问： （1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （2）各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U＝6V，稳定电流的最小值I Zmin ＝ 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。

专业姓名学号成绩 I Zmin＝5mA，最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流 I Zmax＝25mA。 （1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值； （2）若U I＝ 35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。 （1）分别标出u O1和u O2对地的极性； （2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流 （3）当U21＝U22＝ 20V 时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （4 ）当U2 1＝ 18V ，U2 2＝ 22V 时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少

电路与电子技术基础习题答案7

《电路与电子技术基础》参考解答 习题七 7-1 什么是静态工作点如何设置静态工作点若静态工作点设置不当会出现什么问题估算静态工作点时，应根据放大电路的直流通路还是交流通路 答：所谓静态工作点就是输入信号为零时，电路处于直流工作状态，这些直流电流、电压的数值在三极管特性曲线上表示为一个确定的点，设置静态工作点的目的就是要保证在被被放大的交流信号加入电路时，不论是正半周还是负半周都能满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的三极管放大状态。 可以通过改变电路参数来改变静态工作点，这就可以设置静态工作点。 若静态工作点设置的不合适，在对交流信号放大时就可能会出现饱和失真（静态工作点偏高）或截止失真（静态工作点偏低）。 估算静态工作点是根据放大电路的直流通路。 7-2 试求题图7-1各电路的静态工作点。设图中的所有三极管都是硅管。 解：图(a)静态工作点 V R I U U mA I I A mA I c c cc ce b c b 3.14101107.9247.9194.050194194.010 1207 .024333 =???-=-==?===≈?-=-βμ 图(b)和图(c)的发射结反向偏置，三极管截止，所以I b =0，I c =βI b ≈0，三极管工作在截止区，U ce ≈U cc 。 图(d)的静态工作点 c R e R b 3V 6V R e R b 1 R e

) 1.3712(]10)212(1065.212[)]()6(6[65.226026.01 65.21027 .06333 --=?+??--=+----≈=≈=≈+= =?-= -e c c ce e c e b e R R I U mA I I A mA I I mA I μβ 依此I c 电流，在电阻上的压降高于电源电压，这是不可能的，由此可知电流要小于此值，即三极管工作在饱和状态。 图(e)的静态工作点 V R I U U mA I I I I mA I V U e e cc ce e b e c e B 3.161021085.3240475.01 8085.3185.310 27.08810310)6030(24333 3 3=???-=-==+=+=≈=?-==???+= -β 7-3 放大电路的输入电阻与输出电阻的含义是什么为什么说放大电路的输入电阻可以用来表示放大电路对信号源电压的衰减程度放大电路的输出电阻可以用来表示放大电路带负载的能力 答：输入电阻就是将放大电路看为一个四端元件，从输入端看入的等效电阻。即输入端的电压与输入端的电流之比。输出电阻也是将放大电路看作一个四端元件，从输出端看的等效电阻。即戴维南等效电路的内阻。 因为信号源为放大电路提供输入信号，由于信号源内阻的存在，因此当提供给放大电路的信号源是电压源串电阻的形式时，输入电阻越大，则放大电路对信号源的衰减越小；若信号源是电流源与电阻并联，则输入电阻越小，放大电路对信号源的衰减越小。 放大电路我们可以根据戴维南等效电路将其化简为一个电压源与电阻的串联形式，输出电阻可以看作一个电源的内阻，因此，输出电阻越小，放大电路的带负载能力越强。 请参看下图，可以增强对上面文字描述的理解。

电子技术复习题及答案

一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置， 工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器

模拟电子线路习题习题答案(DOC)

第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -）

该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3

电子技术基础习题答案(优.选)

第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 三、选择题：（每小题2分，共20分） 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题4分，共28分） 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

林家儒 《电子电路基础》 课后习题答案

第一章 思考题与习题 1.1. 半导体材料都有哪些特性？为什么电子有源器件都是由半导体材料制成 的？ 1.2. 为什么二极管具有单向导电特性？如何用万用表判断二极管的好坏？ 1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管？ 1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别？它们与通常电阻有什么不同？ 1.5. 三极管的放大原理是什么？三极管为什么存在不同的工作状态？ 1.6. 如图P1-1(a)所示的三极管电路，它与图P1-1(b)所示的 二极管有何异同？ 1.7.稳压二极管为何能够稳定电压？ 1.8.三极管的交、直流放大倍数有何区别？共射和共基电 流放大倍数的关系是什么？ 1.9.三极管的输入特性和输出特性各是什么？ 1.10. 如图P1-2所示，设I S ＝10－11A ，U T ＝26mV ，试计算 u i =0，0.3V ，0.5V ，0.7V 时电流I 的值，以及u i =0.7V 时二极管的直流和交流等效电阻。 解： 由I= I S *(exp(U i / U T )-1) 当U i =0时，I=0； 当U i =0.3V 时，I=1.026×10－6A ； 当U i =0.5V 时，I=2.248×10－3A ； 当U i =0.7V 时，I=4.927A ； 直流等效电阻R= U i /I = 0.7V/4.927A = 0.142 Ω ∵exp(U i / U T )>>1 ∴交流等效电阻R d = 26/I = 26/4927 = 5.277×10－3 Ω (a) (b) 图 P1-1 图P1-2 ＋ － u i D i

1.11. 电路如图P1-3所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ， U T ＝26mV ，电源U ＝3.3V ，电阻R ＝1k Ω，电容C 对交流信号可视为短路；输入电压u i 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：U ＝3.3V>>100mV ， I ＝（U －U D ）/R ＝ (3.3－0. 7)/1k = 2.6 mA 交流等效电阻：R d = 26/I = 10 Ω 交流电流有效值：Id = Ui/Rd = 1 mA 1.1 2. 图P1-4(a)是由二极管D 1、D 2组成的电路，二极管的导通电压U D ＝0.3V 、 反向击穿电压足够大，设电路的输入电压u 1和u 1如图P1-4(b)所示，试画出输出u o 的波形。 解： 1.13. 如图P1-5所示电路，设二极管为理 想二极管(导通电压U D =0，击穿电压U BR =∞ )，试画出输出u o 的波形。 解： 5V u 1 t u 2 t 5V 图P1-4(a) 图P1-4(b) ＋ D1 u 1 u o R u 2 D2 P1-5 R ＋ － u o D 2 D 1 D 3 D 4 图P1-3 ＋ － u i D R C U 4.7V u 0 t u o t

电路与电子技术基础习题答案

《电路与电子技术基础》参考解答 习题一 1-1 一个继电器的线圈，电阻为48Ω，当电流为0.18A 时才能动作，问线圈两端应施加多大的电压？ 答：根据欧姆定律可得：U=IR=0.18*48=8.64V 1-2 一个1000W 的电炉，接在220V 电源使用时，流过的电流有多大？ 答：由电路的功率计算公式可知：P=UI ，所以A 55.4220 1000===U P I 1-3 求题图1-1(a)、(b)电路得U ab 。 解：（1）图(a)，由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ，假定电流方向如图所示，沿a —电池—c —a 回路逆时针方向绕行一周，电压方程式为： -6+4I+2I=0 即得：I=1A 则U ac =2(-I)=-2V （或者U ac =-6+4I=-2V ） 对于cb 支路：因为构不成回路，所以电流为零。故：U cb =4V # 所以：U ab =U ac +U cb =-2+4=2V # （2）图(b)，由a 到b 的电压降U ab =U ac +U cb ，假定电流方向如图所示，与(a)同理在回路中列出电压方程为： -3+1I+2I=0 即得：I=1A 则U ac =1(-I)=-1V （或者U ac =-3+2I=-1V ） 对于cb 支路：因为构不成回路，所以电流为零。故：U cb =8V 所以：U ab =U ac +U cb =-1+8=7V # 1-7 电路如题图1-2所示，求 （1）列出电路得基尔霍夫电压定律方程； （2）求出电流 （3）求U ab 及U cd 解：（1）假设电流的参考方向如图所示，对于db 支路，因为不构成回路，支路电流等于零， U db =10V 由a 点出发按顺时针方向绕行一周的KVL 电压方程式为：2I+12+1I+2I+2I+1I-8+2I=0 得：10I+4=0 # （2）求电流 由上面得回路电压方程式得： )A (4.010 4 -=- =I # 6V I 2Ω a 4Ω b c 4V 2Ω (a) I 1Ω 2Ω 3V c a 8V 5Ω b (b) 题图1-1 习题1-3电路图 I 12V 1Ω 2Ω 10V 2Ω a b c d 4Ω 2Ω 2Ω 8V 1Ω 题图1-2 习题1-7电路图

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

电子电路基础习题册参考答案-第三章

第三章放大器的负反馈 §3-1反馈的基本概念 一、填空题 1、放大器的反馈，就是将输出量（电压或电流）的一部分或全部，通过的电路形式送回到输入回路，并与输入量进行叠加 过程。 2、反馈放大器由基本放大和反馈电路两部分组成，能否从电路中找到是判断有无反馈的依据。 3、按反馈的极性分，有正反馈和负反馈，判断方法可采用瞬时极性法，反馈结果使净输入量减小的是负反馈，使净输入量增大的是正反馈。 4、按反馈信号从输出端的取样方式分，有电压反馈与电流反馈；按反馈信号与输入信号的连接方式分，有串联反馈和并联反馈。采用输出短路法，可判断是电压反馈还是电流反馈；采用输入短路法，可判断是串联反馈还是 并联反馈，对常用的共发射极放大器，若反馈信号加到三极管基极为并联反馈，加到三极管发射极为串联反馈。 5、按反馈的信号分，有直流反馈和交流反馈。直流负反馈主要用于稳定放大器的静态工作点，交流负反馈可以改善放大器的动态特性。 二、判断题 1、瞬时极性法既能判断反馈的对象，也能判断反馈的极性。（对） 2、串联负反馈都是电流负反馈，并联负反馈都是电压反馈。（错） 3、将负反馈放大器的输出端短路，则反馈信号也随之消失。（错） 4、在瞬时极性法判断中，+表示对地电压为正，—表示对地电压为负。（错） 5、在串联反馈中，反馈信号在输入端是以电压形式出现，在并联反馈中，反馈信号在输入端是以电流形式出现。（对） 三、选择题 1、反馈放大短路的含义是（C ）。 A．输入与输出之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路 C．除放大电路外，还有反向传输的信号通路 2.图3-1-1所示为某负反馈放大电路的一部分，Re1引入（C ），Re2引入（B ）。

电路电子技术习题及参考答案

一、单项选择题（每题2分，共20分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．图示电路中，E 、I K 均为正值时，其工作状态是（ B ） A ．两者均输出功率 B ．电压源输出功率 C ．电流源输出功率 D ．两者均不输出功率 2．直流电路如图所示，下列求功率的式子中正确的是（ D ） A ．R 1的功率1 2 1R U P = B ．R 1的功率P 1=UI 1 C ．R 3的功率P 3=I 2R 3 D ．R 3的功率3 2 3R U P = 3.理想电流源的电流（ D ） A.与外接元件有关 B.与参考点的选取有关 C.与其两端电压有关 D.与其两端电压无关 4 .题4图所示电路中，a 点电位等于（ C ） A.1V B.11V C.4V D.6V 5.题5图所示电路中A 、B 两端的电压U 为（ B ） A.5V B.3V C.7V D.0V 6.已知某正弦交流电压：U=220V ，f=50Hz ，初相为60°，则其正确的瞬时表达式为（ D ） A.u=220sin(50t+60°)V B.u=220sin(314t+60°)V C.u=311sin(50t+60°)V D.u=311sin(314t+60°)V 7.在关联参考方向下，电容元件的电流与电压之间的伏安关系为（ A ） A.i=C dt du B.u=C dt di C.i=-C dt du D.u=-C dt di 8.题8图所示电路中ω=2rad/s ，ab 端的等效阻抗Z ab 为（ C ） A.(1-j1.5)Ω 4题图 5题图

模拟电子电路基础答案第四章答案

简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别：对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人，栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs，那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为当咲?定，而l，SD持续增人时，则相应的1&；减小，近漏极端的沟道深度进-步减小，直至沟道预夹断，进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化，而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流： (1)Ks = 5V且仏二IV： (2)= 2V 且仏二： (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V；, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7；［(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V；, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区，咕=0 (4)根据条件匕2?，%>(沧一?)，该场效应管工作在饱和区B =4；学(心 -％)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确宦夹断电压或开启电压值。

电子电路基础第二章答案

习题答案 2-2 电路如题图2-2所示，已知30Ω电阻中的电流I 4=0.2A ，试求此电路的总电压U 及总电流I 。 解： 如上图所示，可得 V 901009.010090A 9.03010A 6.02A 3.02060 306030A 1.05.0323254345=?==Ω =+==+=Ω =+====+=Ω=+?= ==IR U R R I I I R R I I I I I R I I ac bc ac bc 2-6 六个相等电阻R ，各等于20Ω，构成一个闭合回路（题图2-6所示）。若将一外电源依次作用a 和b ，a 和c ，a 和d 之间，求在各种情况下的等效电阻。 Ω 题图2-2 习题2-2电路图 Ω 习题2-2电路图

解： 如上图所示，若将电源作用于a 和b ，则有 Ω =====350 65//52 2121R R R R R R R R R ab 同理，若将电源作用于a 和c ，则有 Ω =====380 68//422 2121R R R R R R R R R ac 若将电源作用于a 和d ，则有 Ω =====3069//332 2121R R R R R R R R R ad 题图2-6 习题2-6电路

2-11 试为题图2-11所示的电路，写出 （1） 基尔霍夫电流定律独立方程（支路电流为未知量）； （2） 基尔霍夫电压定律独立方程（支路电流为未知量）； （3） 网孔方程； （4） 节点方程（参考节点任选）。 解： 如上图所示。 （1） 由KCL ，有 00 524321164=--=--=--I I I I I I I I I （2） 由KVL ，有 I I 5

电路与模拟电子技术基础(第2版)-习题解答-第8章习题解答

第8章 滤波电路及放大电路的频率响应 习 题 8 8.1 设运放为理想器件。在下列几种情况下，他们分别属于哪种类型的滤波电路（低通、高通、带通、带阻）？并定性画出其幅频特性。 （1）理想情况下，当0f =和f →∞时的电压增益相等，且不为零； （2）直流电压增益就是它的通带电压增益； （3）理想情况下，当f →∞时的电压增益就是它的通带电压增益； （4）在0f =和f →∞时，电压增益都等于零。 解：（1）带阻 （2）低通 （3）高通 （4）带通 V A (2)理理理理 (3)理理理理 (4)理理理理 (1)理理理理 H A A A A V A V A V A 8.2 在下列各种情况下，应分别采用哪种类型（低通、高通、带通、带阻）的滤波电路。 （1）希望抑制50Hz 交流电源的干扰； （2）希望抑制500Hz 以下的信号； （3）有用信号频率低于500Hz ； （4）有用信号频率为500 Hz 。 解：（1）带阻 （2）高通 （3）低通（4）带通 8.3 一个具有一阶低通特性的电压放大器，它的直流电压增益为60dB ，3dB 频率为1000Hz 。分别求频率为100Hz ，10KHz ，100KHz 和1MHz 时的增益。 解：H Z o 100H ,60dB f A ==，其幅频特性如图所示

3dB -20dB/理 理理理 20 40 60 f/Hz Z v 20lg /dB A ? ??(a)理理理理 u 100Hz,60dB f A == u H 10KHz,6020lg 40,40dB f f A f =-== u H 100KHz,6020lg 20,20dB f f A f =-== u H 10MHz,6020lg 0,0dB f f A f =-== 8.4 电路如图8.1所示的，图中C=0.1μF ，R=5K Ω。 （1）确定其截止频率； （2）画出幅频响应的渐进线和－3dB 点。 图8.1 习题8.4电路图 解：L 36 11 318.3(Hz)225100.110 f RC ππ--= ==????

电子电路基础习题册参考答案-第一章

电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、 流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

电子电路第十二章习题及参考答案

习题十二 12-1 写出题图12-1所示逻辑电路输出F 的逻辑表达式，并说明其逻辑功能。 解：由电路可直接写出输出的表达式为： 301201101001301201101001D A A D A A D A A D A A D A A D A A D A A D A A F +++==??? 由逻辑表达式可以看出： 当A 1A 0=00 F =D 0 A 1A 0=01 F =D 1 A 1A 0=10 F =D 2 A 1A 0=11 F =D 3 这个电路的逻辑功能是，给定地址A 1A 0以后，将该地址对应的数据传输到输出端F 。 12-2 组合逻辑电路如题图12-2所示。 （1）写出函数F 的表达式； （2）将函数F 化为最简“与或”式，并用“与非”门实现电路； （3）若改用“或非”门实现，试写出相应的表达式。 解：（1）逻辑表达式为：C A D B D C B A F += （2）化简逻辑式 C A D B D B C A C A D B D C A D B C A D C B BC A C A D B A C A D B D C B A C A D B D C B A F +=+++++=++++++=++++=+=?)1()1())(()( 这是最简“与或”表达式，用“与非”门实现电路见题解图12-2-1，其表达式为： C A D B F ?= （3）若用“或非”门实现电路见题解图12-2-2，其表达式为： C A D B C A D B C A D B C A D B F +++=+++=++=+=))(( 由图可见，对于同一逻辑函数采用不同的门电路实现，所使用的门电路的个数不同，组合电路的速度也有差异，因此，在设计组合逻辑电路时，应根据具体不同情况，选用不同的门电路可使电路的复杂程度不同。 A A 3210 题图12-1 习题12-1电路图

模拟电子电路基础答案(胡飞跃)第四章答案

4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 1W i k v V v v ??'=--???? =1.75mA (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 1W i k v V '=-=4mA 4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。

数字电子电路基础 答案

北京交通大学远程与继续教育学院2016——2017学年第一学期网络教育期末考试年级2015专业层次 《数字电子电路基础》答案（闭卷）C卷姓名学号 一、填空题（每空2分，共20分） 1.45、8FA.C6 2.10000111、000100110101 3.基本触发器、同步触发器、边沿触发器 4.2n>N 5. F = A · B、F = A ＋B 二、判断题（每题2分，共10分） 1.（√） 2.（×） 3.（×） 4.（×） 5.（√） 三、选择题（每空2分，共10分） A C C B C 四、名词解释（每题4分，共20分）

1.门电路 实现基本和常用逻辑运算的电子电路，成为逻辑门电路。 2.D/A转换器 将数字量转换成模拟量的电路成为数/模转换器，简称D/A转换器。 3.BCD码 把十进制数的十个数码0~9用二进制数码来表示，称为BCD码，即二—十进制编码。 4.逻辑与 只有决定事物的所有条件都具备时，结果才发生，这种逻辑关系成为逻辑与。 5.同步触发器 输入信号经过控制门输入，管理控制们的信号为时钟脉冲信号CP，只有在CP信号到来时，输入信号才能进入触发器，否则就会被拒之门外，对电路不起作用。 五、简答题（每题10分，共40分） 1.试用公式法证明逻辑代数基本定律中的分配率A +B· C=(A+B) ·(A +C) 证明：(A+B) ·(A +C)=A· A+A· B+A· C+B· C =A+AB+ AC+BC =A(1+B+C)+BC =A +BC 2.在数字电路中，基本的工作信号是二进制数字信号和两种状态逻辑信号， 而触发器就是存放这些信号的单元电路，那么触发器需要满足哪些基本要求？何为触发器的现态和次态？ 答：触发器需要满足：

《电路与电子技术》课后习题参考答案

《电路与电子技术》课后习题参考答案 填空 =53sin(314t+30°)A 1．电压 2．都（发生）变化 3．i A 4．220V 5．增大 6．单向导电性 单选题 11.C 12.A 13.D 14.B 15.B 16.C 17.D 18.D 19.C 20.D 21.变压器绕组在流过电流的时候，由于其自身存在电阻的原因，将消耗一 部分电能，并转换成热量。因为大部分变压器绕组都采用铜线绕制而成，所以将绕组的损耗成为变压器铜损,也叫空载损耗。铁损包括磁性材料的磁滞损耗和涡流损耗以及剩余损耗. 当变压器的初级绕组通电后，线圈所产生的磁通在铁心流动，因为铁心本身也是导体（由硅钢片制成），在垂直于磁力线的平面上就会感应电势，这个电势在铁心的断面上形成闭合回路并产生电流，好象一个旋涡所以称为“涡流”。这个“涡流”使变压器的损耗增加，并且使变压器的铁心发热变压器的温升增加。由“涡流”所产生的损耗我们称为“铁损”。 22. 集成运算放大器(简称运放)实际上是一个具有高增益、低漂移，带有深 度负反馈并直接耦合的直流放大器，因为它最初主要用作模拟计算机的运算放大器，故称为集成运算放大器。其性能优良，广泛地应用于运算、测量、控制以及信号的产生、处理和变换等领域。运算放大器本身不具备计算功能，只有在外部网络配合下才能实现各种运算。 23. 反馈又称回馈，指将系统的输出返回到输入端并以某种方式改变输入， 进而影响系统功能的过程。反馈可分为负反馈和正反馈。负反馈使输出起到与输入相反的作用，使系统输出与系统目标的误差减小，系统趋于稳定； 24.射极输出器的输入阻抗高，输出阻抗低，常用来当做多级放大器输入级和 低电压、高电流的输出级，或者叫做隔离级。由于射极输出器的电压动态范围较小，且电压放大倍数略小于1，这是其固有的缺点，但因其有较高的输入阻抗，可有效减轻信号源的负担。在大电流输出电路中，比如功率放大器中，由于它的高的电流放大倍数，所以其功率放大倍数还是较高的，通常被直接用来推动负载。在常见的功放(如BTL，OCL，OTL)输出级，都是射极(源极)输出器承担的。 25. 在交流电路中，电压与电流之间的相位差(Φ)的余弦叫做功率因数，用 符号cosΦ表示，在数值上，功率因数是有功功率和视在功率的比值，即cosΦ=P/S 功率因数的大小与电路的负荷性质有关，如白炽灯泡、电阻炉等电阻负荷的功率因数为1，一般具有电感或电容性负载的电路功率因数都小于1。功率因数是电力系统的一个重要的技术数据。功率因数是衡量电气设备效率高低的一个系数。功率因数低，说明电路用于交变磁场转换的无功功率大，从而降低了设备的利用率，增加了线路供电损失。 所以，供电部门对用电单位的功率因数有一定的标准要求。 26.射极输出器的输入阻抗高，输出阻抗低，常用来当做多级放大器输入级 和低电压、高电流的输出级，或者叫做隔离级。由于射极输出器的电压动态范围较小，且电压放大倍数略小于1，这是其固有的缺点，但因其有较高的输入阻抗，可有效减轻信号源的负担。在大电流输出电路中，比