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集成电路ic封装种类、代号、含义

集成电路ic封装种类、代号、含义
集成电路ic封装种类、代号、含义

【引用】集成电路IC封装的种类、代号和含义

2011-03-24 15:10:32| 分类:维修电工| 标签:|字号大中小订阅

本文引用自厚德载道我心飞翔《集成电路IC封装的种类、代号和含义》

IC封装的种类,代号和含

1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。

2、BQFP(quad flat PACkage with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。

3、PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。

4、C-(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。

5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。

6、Cerquad 表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等

多种规格。引脚数从32 到368。

7、CLCC(ceramic leaded Chip carrier) 带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。

此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。

8、COB(Chip on board) 板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。9、DFP(dual flat PACkage) 双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本

上不用。

10、DIC(dual in-line ceramic PACkage) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).

11、DIL(dual in-line) DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。

12、DIP(dual in-line PACkage) 双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为Cerdip(见cerdip)。

13、DSO(dual small out-lint) 双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。

14、DICP(dual tape carrier PACkage) 双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。另外,0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机

械工业)会标准规定,将DICP 命名为DTP。

15、DIP(dual tape carrier PACkage) 同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。

16、FP(flat PACkage) 扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半

导体厂家采用此名称。

17、flip-Chip 倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。

因此必须用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。

18、FQFP(fine pitch quad flat PACkage) 小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见

QFP)。部分导导体厂家采用此名称。

19、CPAC(globe top pad array carrier) 美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。

20、CQFP(quad fiat PACkage with guard ring) 带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。在把LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。这种封装在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208 左

右。

21、H-(with heat sink) 表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的SOP。

22、pin grid array(surface mount type) 表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA 小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

23、JLCC(J-leaded Chip carrier) J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见

CLCC 和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。

24、LCC(Leadless Chip carrier) 无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面

贴装型封装。是高速和高频IC 用封装,也称为陶瓷QFN 或QFN-C(见QFN)。

25、LGA(land grid array) 触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI 电路。LGA 与QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。预计今后对

其需求会有所增加。

26、LOC(lead on Chip) 芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。

27、LQFP(low profile quad flat PACkage) 薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP,是日本电子机

械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。

28、L-QUAD 陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8 倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚(0.65mm中心距)的LSI 逻

辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。

29、MCM(multi-Chip module) 多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大类。MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层

印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。

布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。

30、MFP(mini flat PACkage) 小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导

体厂家采用的名称。

31、MQFP(metric quad flat PACkage) 按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分

类。指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm 的标准QFP(见QFP)。

32、MQUAD(metal quad) 美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W~2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产。

33、MSP(mini square PACkage) QFI 的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工

业会规定的名称。

34、OPMAC(over molded pad array carrier) 模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树

脂密封BGA 采用的名称(见BGA)。

35、P-(plastic) 表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。

36、PAC(pad array carrier) 凸点陈列载体,BGA 的别称(见BGA)。

37、PCLP(printed circuit board leadless PACkage) 印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。

38、PFPF(plastic flat PACkage) 塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。

39、PGA(pin grid array) 陈列引脚封装。插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模逻辑LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64 到447 左右。了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64~256 引脚的塑料PGA。另外,还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装型PGA)。

40、piggy back 驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如,将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品,市场

上不怎么流通。

41、PLCC(plastic leaded Chip carrier) 带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形,是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,现在已经普及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 到84。J 形引脚不易变形,比QFP 容易操作,但焊接后的外观检查较为困难。PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前,两者的区别仅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但现在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PCLP、P-LCC 等),已经无法分辨。为此,日本电子机械工业会于1988 年决定,把从四侧引出J 形引脚的封装称为QFJ,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和

QFN)。

42、P-LCC(plastic teadless Chip carrier)(plastic leaded chip currier) 有时候是塑料QFJ 的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装,用P-LCC 表

示无引线封装,以示区别。

43、QFH(quad flat high PACkage) 四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种,为了防止封装本体断裂,

QFP 本体制作得较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。

44、QFI(quad flat I-leaded PACkgac) 四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈I 字。也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分,贴装占有面积小于QFP。日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外,日本的Motorola 公司的PLL IC也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 于68。

45、QFJ(quad flat J-leaded PACkage) 四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈J 字形。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC),用于微机、门陈列、DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。

46、QFN(quad flat non-leaded PACkage) 四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP 小,高度比QFP低。但是,当印刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到QFP 的引脚那样多,一般从14 到100 左右。材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外,还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、

P-LCC 等。

47、QFP(quad flat PACkage) 四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看,塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时,多数情况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器,门陈列等数字逻辑LSI 电路,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别,而是根据封装本体厚度分为QFP(2.0mm~3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。另外,有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP,至使名称稍有一些混乱。QFP 的缺点是,当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP);带树脂保护环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP);在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。在逻辑LSI 方面,不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqad)。48、QFP(FP)(QFP fine pitch) 小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为

0.55mm、0.4mm、0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。

49、QIC(quad in-line ceramic PACkage) 陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、

Cerquad)。

50、QIP(quad in-line plastic PACkage) 塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。

51、QTCP(quad tape carrier PACkage) 四侧引脚带载封装。TCP 封装之一,在绝缘带上形成引脚并从封

装四个侧面引出。是利用TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。

52、QTP(quad tape carrier PACkage) 四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP

所制定的外形规格所用的名称(见TCP)。

53、QUIL(quad in-line) QUIP 的别称(见QUIP)。

54、QUIP(quad in-line PACkage) 四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚中心距1.27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板。是比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些种

封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。

55、SDIP (shrink dual in-line PACkage) 收缩型DIP。插装型封装之一,形状与DIP 相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm),因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH-DIP 的。材料有陶瓷

和塑料两种。

56、SH-DIP(shrink dual in-line PACkage) 同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。

57、SIL(single in-line) SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。

58、SIMM(single in-line memory module) 单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插座的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格。在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经

在个人计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30~40%的DRAM 都装配在SIMM 里。59、SIP(single in-line PACkage) 单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线。当装配到印刷基板上时封装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从2 至23,多数为定制产品。封装的形状各异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。

60、SK-DIP(skinny dual in-line PACkage) DIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的

窄体DIP。通常统称为DIP(见DIP)。

61、SL-DIP(slim dual in-line PACkage) DIP 的一种。指宽度为10.16mm,引脚中心距为2.54mm 的窄

体DIP。通常统称为DIP。

62、SMD(surface mount devices) 表面贴装器件。偶而,有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。

63、SO(small out-line) SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。

64、SOI(small out-line I-leaded PACkage) I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形,中心距1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用

了此封装。引脚数26。

65、SOIC(small out-line integrated circuit) SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。

66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded PACkage) J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形,故此得名。通常为塑料制品,多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路,但绝大部分是DRAM。用SOJ封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm,引脚数从

20 至40(见SIMM)。

67、SQL(Small Out-Line L-leaded PACkage) 按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所

采用的名称(见SOP)。

68、SONF(Small Out-Line Non-Fin) 无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示

无散热片的区别,有意增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。

69、SOF(small Out-Line PACkage) 小外形封装。表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。SOP 除了用于存储器LSI 外,也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不超过10~40 的领域,SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从8~44。另外,引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP;装配高

度不到1.27mm 的

集成电路封装考试答案

名词解释: 1.集成电路芯片封装: 利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定,构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装: 3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。 4.芯片互联: 5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。 6.可焊接性: 指动态加热过程中,在基体表面得到一个洁净金属表面,从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 7.可润湿性: 8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。 9.印制电路板: 10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。 11.气密性封装: 12.是指完全能够防止污染物(液体或固体)的侵入和腐蚀的封装。 13.可靠性封装: 14.是对封装的可靠性相关参数的测试。 15.T/C测试: 16.即温度循环测试。 17.T/S 测试: 18.测试封装体抗热冲击的 能力。 19.TH测试: 20.是测试封装在高温潮湿 环境下的耐久性的实验。 21.PC测试: 22.是对封装体抵抗抗潮湿 环境能力的测试。 23.HTS测试: 24.是测试封装体长时间暴 露在高温环境下的耐久性实验。封装产品长 时间放置在高温氮气炉中,然后测试它的电 路通断情况。 25.Precon测试: 26.模拟包装、运输等过 程,测试产品的可靠性。 27.金线偏移: 28.集成电路元器件常常因 为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触 从而产生短路,造成元器件的缺陷。 29.再流焊: 30.先将微量的铅锡焊膏印 刷或滴涂到印制板的焊盘上,再将片式元器 件贴放在印制板表面规定的位置上,最后将 贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传 送带上。 1

常见芯片封装类型的汇总

常见芯片封装类型的汇总 芯片封装,简单点来讲就是把制造厂生产出来的集成电路裸片放到一块起承载作用的基板上,再把管脚引出来,然后固定包装成为一个整体。它可以起到保护芯片的作用,相当于是芯片的外壳,不仅能固定、密封芯片,还能增强其电热性能。所以,封装对CPU和其他大规模集成电路起着非常重要的作用。 今天,与非网小编来介绍一下几种常见的芯片封装类型。 DIP双列直插式 DIP是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片,绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式,其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚,需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然,也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心,以免损坏引脚。DIP封装结构形式有多层陶瓷双列直插式DIP,单层陶瓷双列直插式DIP,引线框架式DIP (含玻璃陶瓷封接式,塑料包封结构式,陶瓷低熔玻璃封装式)等。 DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存储器和微机电路等。 DIP封装 特点: 适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接,操作方便。 芯片面积与封装面积之间的比值较大,故体积也较大。 最早的4004、8008、8086、8088等CPU都采用了DIP封装,通过其上的两排引脚可插到主板上的插槽或焊接在主板上。 在内存颗粒直接插在主板上的时代,DIP 封装形式曾经十分流行。DIP还有一种派生方式SDIP(Shrink DIP,紧缩双入线封装),它比DIP的针脚密度要高六倍。 现状:但是由于其封装面积和厚度都比较大,而且引脚在插拔过程中很容易被损坏,可靠性较差。同时这种封装方式由于受工艺的影响,引脚一般都不超过100个。随着CPU内

集成电路封装形式

集成电路封装 集成电路(integrated circuit,港台称之为积体电路)是一种微型 电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体 晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微 型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,这样,整个电路的体积 大大缩小,且引出线和焊接点的数目也大为减少,从而使电子元件向着微 小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”(也有用文字符号“N”等)表示。集成电路特点集成电路具有体积小,重量轻,引出线和焊接点少,寿命长,可靠性高,性能好等优点,同时成 本低,便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、 计算机等方面得到广泛的应用,同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广 泛的应用。用集成电路来装配电子设备,其装配密度比晶体管可提高几十 倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可大大提高。 集成电路的封装形式有很多,按封装形式可分三大类,即双列直插型、贴片型和功率型。在选择器件封装形式应首先考虑其标称尺寸和脚间距这 两点。标称尺寸系指器件封装材料部分的宽度(H),一般用英制mil来标注;脚间距系指器件引脚间的距离(L),一般用公制mm来标注。一、双 列直插(DIP)型 标称尺寸分为:300mil、600mil、750mil三种,常用的是300mil、600mil 两种。 脚间距一般均为 2.54mm 一般情况下 引脚数<24时其标称尺寸均为300mil; 引脚数≥24时其标称尺寸为300mil时,俗称窄体; 引脚数≥24时其标称尺寸为600mil时,俗称宽体。 引脚数≥48时其标称尺寸为750mil。如MC68000,现很少使用。 二、贴片(SMD)型 贴片器件种类繁多,按种类可分如下几类; SOP、TSOP-1、TSOP-2、SSOP、QFP、SOJ、PLCC(QFJ)等 1、SOP型 最常用的贴片器件 标称尺寸分为:150mil、225mil、300mil、450mil、 525mil、600mil.

集成电路封装基础知识

集成电路封装基础知识教材

集成电路封装基础知识 第一章集成电路的概述 第一■节序言 第二节集成电路的产生 第三节集成电路的定义 第四节集成电路的前道和后道的定义 第五节集成电路的分类 第二章集成电路的构成 第一节集成电路的主要构成 第二节各组成部分的作用 第三章集成电路的封装类型 第一节国外集成电路的封装类型 第二节国内集成电路的命名 第三节本公司内部的集成电路的封装类型 第四节集成电路未来发展的趋势 第四章集成电路的一脚(INDEX)识别 第一节集成电路的一脚构成 第二节集成电路的一脚识别 第五章集成电路封装的主要材料 第一节集成电路的主要原材料 第二节各原材料的组成、保管、主要参数 第六章集成电路封装工艺流程 第一节集成电路封装的主要工艺流程第二节集成电路封装的详细工艺流程第三节封装中工艺流程的变化第七章集成电路封装设备的主要结构 第一节封装设备的通用结构 第二节设备各部分的作用 第三节各工序各部分的结构不同 第四节设备操作面板上常用英文和日文单词注释 第八章集成电路封装设备的主要控制原理 第一节PLC的概念 第二节PLC的控制原理 第三节设备的控制原理

第九章集成电路封装中的常用单位换算 第一节长度单位换算表 第二节质量单位换算表 第三节体积和容积单位换算表第四节力单位换算表 第五节力矩和转矩单位换算表第六节压力和应力单位换算表第七节密度单位换算表

第一节序言 从本世纪50年代末开始,经历了半个多世纪的无线电电子技术正酝酿着一场新的革命.这场革命掀起的缘由是微电子学和微电子技术的兴起?而这场革命的旋涡中心则是集成电路和以其为基础的微型电子计算机. 集成电路的问世,开辟了电子技术发展的新天地,而其后大规模和超大规模集成电路的出现,则迎来了世界新技术革命的曙光?由于集成电路的兴起和发展,创造了在一块小指甲般大小的硅片上集中数千万个晶体管的奇迹;使过去占住整幢大楼的复杂电子设备缩小到能放入人们的口袋 , 从而为人类社会迈向电子化,自动化,智能化和信息化奠定了最重要的物质基础?无怪乎有人将集成电路和微电子技术的兴起看成是跟火和蒸汽机的发明具有同等重要意义的大事 1 ?集成电路的产生

集成电路封装考试答案

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名词解释: 1.集成电路芯片封装: 利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定,构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装: 3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯 片的承载座上的工艺过程。 4.芯片互联: 5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基 板上的金属布线焊区相连接。 6.可焊接性: 指动态加热过程中,在基体表面得到一个洁净金属表面,从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 7.可润湿性: 8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀 和连续的焊料涂敷层。 9.印制电路板: 10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复 合材料基板。 11.气密性封装: 12.是指完全能够防止污染物(液体或固 体)的侵入和腐蚀的封装。 13.可靠性封装: 14.是对封装的可靠性相关参数的测试。 15.T/C测试: 16.即温度循环测试。17.T/S 测试: 18.测试封装体抗热冲击的能力。 19.TH测试: 20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐久 性的实验。 21.PC测试: 22.是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测 试。 23.HTS测试: 24.是测试封装体长时间暴露在高温环境 下的耐久性实验。封装产品长时间放置在高温氮气炉中,然后测试它的电路通断情况。 25.Precon测试: 26.模拟包装、运输等过程,测试产品的 可靠性。 27.金线偏移: 28.集成电路元器件常常因为金线偏移量 过大造成相邻的金线相互接触从而产生短 路,造成元器件的缺陷。 29.再流焊: 30.先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印 制板的焊盘上,再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上,最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。

这些芯片封装类型,基本都全了

这些芯片封装类型,基本都全了 1、2、BQFP(quad flat package with bumper)3、碰焊PGA(butt joint 4、C-(ce5、Cerdip6、Cerquad7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)8、COB(chip on board)9、DFP(dual flat package)10、DIC(dual in-line ceramic package)11、DIL(dual in-line)12、DIP(dual in-line package)13、DSO(dual small out-lint)14、DICP(dual tape carrier package)15、DIP(dual tape carrier package)16、FP(flat package)17、flip-chip18、FQFP(fine pitch quad flat package)19、CPAC(globe top 20、CQFP(quad fiat package with guard ring)21、H-(with heat sink)22、pin grid array(surface mount type)23、JLCC(J-leaded chip carrier)24、LCC(Leadless chip carrier)25、LGA(land grid array)26、LOC(lead on chip)27、LQFP(low profile quad flat package)28、L-QUAD29、MCM(mul30、MFP(mini flat package)31、MQFP(metric quad flat package)32、MQUAD(metal quad)33、MSP(mini square package)34、OPMAC(over molded pad array carrier)35、P-(plastic)36、PAC(pad array carrier)37、PCLP(printed circuit board leadless package)38、PFPF(plastic flat package)39、PGA(pin grid array)40、piggy back41、42、P-LCC(plastic 43、QFH(quad flat high package)44、QFI(quad flat I-leaded packgac)45、QFJ(quad flat J-leaded package)46、QFN(quad flat non-leaded package)47、QFP(quad flat package)48、QFP(FP)(QFP fine pitch)49、QIC(quad in-line ceramic package)50、QIP(quad in-line plastic package)51、QTCP(quad tape carrier package)52、QTP(quad tape carrier package)53、QUIL(quad in-line)54、QUIP(quad in-line package)55、56、SH-DIP(shrink dual in-line package)57、SIL(single in-line)58、SIMM(single in-line memory module)59、SIP(single in-line package)60、SK-DIP(skinny dual in-line package)61、SL-DIP(slim dual in-line package)62、SMD(surface mount devices)63、SO(small out-line)64、SOI(small out-line I-leaded package)65、SOIC(small out-line integrated circuit)66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)69、SOF(small Out-Line package)70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype)) 宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。林超文PCB设计直播第1节:PADS元件库管理

封装类型缩写含义

封装类型 SIP :Single-In-Line Package DIP :Dual In-line Package 双列直插式封装 CDIP:Ceramic Dual-In-line Package 陶瓷双列直插式封装 PDIP:Plastic Dual-In-line Package 塑料双列直插式封装 SDIP :Shrink Dual-In-Line Package QFP :Quad Flat Package 四方扁平封装 TQFP :Thin Quad Flat Package 薄型四方扁平封装 PQFP :Plastic Quad Flat Package 塑料方型扁平封装 MQFP :Metric Quad Flat Package VQFP :Very Thin Quad Flat Package SOP :Small Outline Package 小外型封装 SSOP :Shrink Small-Outline Package 缩小外型封装 TSOP :Thin Small-Outline Package 薄型小尺寸封装 TSSOP :Thin Shrink Small-Outline Package QSOP :Quarter Small-Outline Package VSOP :Very Small Outline Package TVSOP :Very Thin Small-Outline Package LCC :Leadless Ceramic Chip Carrier 无引线芯片承载封装 LCCC :Leadless Ceramic Chip Carrier PLCC :Plastic Leaded Chip Carrier 塑料式引线芯片承载封装 BGA :Ball Grid Array 球栅阵列 CBGA :Ceramic Ball Grid Array uBGA :Micro Ball Grid Array 微型球栅阵列封装 PGA :Pin Grid Array CPGA :Ceramic Pin Grid Array 陶瓷 PGA PPGA :Plastic Pin Grid Array MCM :Multi Chip Model 多芯片模块 SMD(surface mount devices) ——表面贴装器件。 SOIC(small out-line integrated circuit) ——双侧引脚小外形封装集成电路 QFP(Quad Flat Pockage) ——四侧引脚扁平封装

集成电路封装工艺

集成电路封装工艺 摘要 集成电路封装的目的,在于保护芯片不受或少受外界环境的影响,并为之提供一个发挥集成电路芯片功能的良好环境,以使之稳定,可靠,正常的完成电路功能.但是集成电路芯片封装只能限制而不能提高芯片的功能. 关键词: 电子封装封装类型封装技术器件失效 Integrated Circuit Packaging Process Abstract The purpose of IC package, is to protect the chip from the outside or less environmental impa ct, and provide a functional integrated circuit chip to play a good environment to make it stable an d reliable, the completion of the normal circuit functions. However, IC chip package and not only restricted to enhance the function of the chip. 引言 电子封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序,是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法认为,在微电子器件的总体成本中,设计占了三分之一,芯片生产占了三分之一,而封装和测试也占了三分之一,真可谓三分天下有其一。封装研究在全球范围的发展是如此迅猛,而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问世以来所从未遇到过的;封装所涉及的问题之多之广,也是其它许多领域中少见的,它需要从材料到工艺、从无机到聚合物、从大型生产设备到计算力学等等许许多多似乎毫不关连的专家的协同努力,是一门综合性非常强的新型高科技学科。 1.电子封装 什么是电子封装(electronic packaging)? 封装最初的定义是:保护电路芯片免受周围环境的影响(包括物理、化学的影响)。所以,在最初的微电子封装中,是用金属罐(metal can) 作为外壳,用与外界完全隔离的、气密的方法,来保护脆弱的电子元件。但是,随着集成电路技术的发展,尤其是芯片钝化层技术的不断改进,封装的功能也在慢慢异化。通常认为,封装主要有四大功能,即功率分配、信号分配、散热及包装保护,它的作用是从集成电路器件到系统之间的连接,包括电学连接和物理连接。目前,集成电路芯片的I/O线越来越多,它们的电源供应和信号传送都是要通过封装来实现与系统的连接;芯片的速度越来越快,功率也越来越大,使得芯片的散热问题日趋严重;由于芯片钝化层质量的提高,封装用以保护电路功能的作用其重要性正在下降。 2.部分封装的介绍 金属封装是半导体器件封装的最原始的形式,它将分立器件或集成电路置于一个金属容器中,用镍作封盖并镀上金。金属圆形外壳采用由可伐合金材料冲制成的金属底座,借助封接玻璃,在氮气保护气氛下将可伐合金引线按照规定的布线方式熔装在金属底座上,经过引线端头的切平和磨光后,再镀镍、金等惰性金属给与保护。在底座中心进行芯片安装和在

集成电路ic封装种类、代号、含义

【引用】集成电路IC封装的种类、代号和含义 2011-03-24 15:10:32| 分类:维修电工| 标签:|字号大中小订阅 本文引用自厚德载道我心飞翔《集成电路IC封装的种类、代号和含义》 IC封装的种类,代号和含 1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat PACkage with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 3、PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C-(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad 表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等 多种规格。引脚数从32 到368。 7、CLCC(ceramic leaded Chip carrier) 带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。 此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。 8、COB(Chip on board) 板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。9、DFP(dual flat PACkage) 双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本 上不用。 10、DIC(dual in-line ceramic PACkage) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP). 11、DIL(dual in-line) DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。 12、DIP(dual in-line PACkage) 双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为Cerdip(见cerdip)。 13、DSO(dual small out-lint) 双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。

贴片电容的封装及分类

贴片电容的封装及分类 贴片电容:可分为无极性和有极性两类,无极性电容下述两类封装最为常见,即0805、0603;而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容,一般我们平时用的最多的为铝电解电容,由于其电解质为铝,所以其温度稳定性以及精度都不是很高,而贴片元件由于其紧贴电路版,所以要求温度稳定性要高,所以贴片电容以钽电容为多,根据其耐压不同,贴片电容又可分为A、B、C、D 四个系列,具体分类如下:类型封装形式耐压 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V 贴片电容的分类 一NPO电容器 二X7R电容器 三Z5U电容器 四Y5V电容器 区别:NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 封装DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

常见元器件封装类型

1. 标准电阻:RES1、RES2;封装:AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 两端口可变电阻:RES3、RES4;封装:AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 三端口可变电阻:RESISTOR TAPPED,POT1,POT2;封装:VR1-VR5 2.电容:CAP(无极性电容)、ELECTRO1或ELECTRO2(极性电容)、可变电容CAPVAR 封装:无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4,有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0. 3.二极管:DIODE(普通二极管)、DIODE SCHOTTKY(肖特基二极管)、DUIDE TUNNEL (隧道二极管)DIODE VARCTOR(变容二极管)ZENER1~3(稳压二极管) 封装:DIODE0.4和DIODE 0.7;(上面已经说了,注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K) 4.三极管:NPN,NPN1和PNP,PNP1;引脚封装:TO18、TO92A(普通三极管)TO220H (大功率三极管)TO3(大功率达林顿管) 以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形,我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的,所以一般三极管都采用TO-126啦! 5、效应管:JFETN(N沟道结型场效应管),JFETP(P沟道结型场效应管)MOSFETN (N沟道增强型管)MOSFETP(P沟道增强型管) 引脚封装形式与三极管同。 6、电感:INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2(普通电感),INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4(可变电感) 8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2,引脚封装形式为D系列,如D-44,D-37,D-46等。 9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列,从CON1到CON60,引脚封装形式为SIP系列,从SIP-2到SIP-20。 10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同,引脚封装形式DIP系列,

集成电路封装知识

集成电路封装知识 典子封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序,是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法认为,在微电子器件的总体成本中,设计占了三分之一,芯片生产占了三分之一,而封装和测试也占了三分之一,真可谓三分天下有其一。封装研究在全球范围的发展是如此迅猛,而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问世以来所从未遇到过的;封装所涉及的问题之多之广,也是其它许多领域中少见的,它需要从材料到工艺、从无机到聚合物、从大型生产设备到计算力学等等许许多多似乎毫不关连的专家的协同努力,是一门综合性非常强的新型高科技学科。 集成电路封装知识 典子封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序,是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法认为,在微电子器件的总体成本中,设计占了三分之一,芯片生产占了三分之一,而封装和测试也占了三分之一,真可谓三分天下有其一。封装研究在全球范围的发展是如此迅猛,而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问世以来所从未遇到过的;封装所涉及的问题之多之广,也是其它许多领域中少见的,它需要从材料到工艺、从无机到聚合物、从大型生产设备到计算力学等等许许多多似乎毫不关连的专家的协同努力,是一门综合性非常强的新型高科技学科。 什么是电子封装(electronic packaging)? 封装最初的定义是:保护电路芯片免受周围环境的影响(包括物理、化学的影响)。所以,在最初的微电子封装中,是用金属罐(metal can) 作为外壳,用与外界完全隔离的、气密的方法,来保护脆弱的电子元件。但是,随着集成电路技术的发展,尤其是芯片钝化层技术的不断改进,封装的功能也在慢慢异化。通常认为,封装主要有四大功能,即功率分配、信号分配、散热及包装保护,它的作用是从集成电路器件到系统之间的连接,包括电学连接和物理连接。目前,集成电路芯片的I/O线越来越多,它们的电源供应和信号传送都是要通过封装来实现与系统的连接;芯片的速度越来越快,功率也越来越大,使得芯片的散热问题日趋严重;由于芯片钝化层质量的提高,封装用以保护电路功能的作用其重要性正在下降。电子封装的类型也很复杂。从使用的包装材料来分,我们可以 将封装划分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装;从成型工艺来分,我们又可以将封装划分为预成型封装(p re-mold)和后成型封装(post-mold);至于从封装外型来讲,则有SIP(single in-line pack age)、DIP(dual in-line package)、PLCC(plastic-leaded chip carrier)、PQFP(p lastic quad flat pack)、SOP(small-outline package)、TSOP(thin small-outline package)、PPGA(plastic pin grid array)、PBGA(plastic ball grid array)、CS

芯片封装类型图鉴方案

芯片封装类型图鉴

壹.TO晶体管外形封装 TO(TransistorOut-line)的中文意思是“晶体管外形”。这是早期的封装规格,例如TO-92,TO-92L,TO-220,TO-252等等均是插入式封装设计。近年来表面贴装市场需求量增大,TO封装也进展到表面贴装式封装。 TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK,TO-263又称之为D2PAK。 D-PAK封装的MOSFET有3个电极,栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。其中漏极(D)的引脚被剪断不用,而是使用背面的散热板作漏极(D),直接焊接于PCB上,壹方面用于输出大电流,壹方面通过PCB散热。所以PCB的D-PAK 焊盘有三处,漏极(D)焊盘较大。 二.DIP双列直插式封装 DIP(DualIn-linePackage)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片,绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式,其引脚数壹般不超过100个。封装材料有塑料和陶瓷俩种。采用DIP封装的CPU芯片有俩排引脚,使用时,需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然,也能够直接插于有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP,单层陶瓷双列直插式DIP,引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式,塑料包封结构式,陶瓷低熔玻璃封装式)等。 DIP封装具有以下特点:

1.适合于PCB(印刷电路板)上穿孔焊接,操作方便。 2.比TO型封装易于对PCB布线。 3.芯片面积和封装面积之间的比值较大,故体积也较大。以采用40根I/O引脚塑料双列直插式封装(PDIP)的CPU为例,其芯片面积/封装面积 =(3×3)/(15.24×50)=1:86,离1相差很远。(PS:衡量壹个芯片封装技术先进和否的重要指标是芯片面积和封装面积之比,这个比值越接近1越好。如果封装尺寸远比芯片大,说明封装效率很低,占去了很多有效安装面积。) 用途:DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。Intel公司早期CPU,如8086、80286就采用这种封装形式,缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。 PS.以下三~六使用的是SMT封装工艺(表面组装技术),欲知详情,请移步此处。 三.QFP方型扁平式封装 QFP(PlasticQuadFlatPockage)技术实现的CPU芯片引脚之间距离很小,管脚很细,壹般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数壹般均于100之上。基材有陶瓷、金属和塑料三种。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。

电感封装与类型

电感封装与类型集团档案编码:[YTTR-YTPT28-YTNTL98-UYTYNN08]

电感资料整理 封装: 可知电感封装以如下格式记录。 对于电感来说,封装方式一般包括贴片电感封装和插件电感封装。 贴片电感封装的主要类型有0402,0603,0805,1206,CDR1608,CDR1813,CD105等等。0402,0603指的是叠层电感。CD1813,CD105中的CD指的是贴片的工字电感,1813中的18指的是直径为18~19mm3指的是高度为13~14mm。 贴片功率电感分为开放式功率电感和屏蔽式功率电感2种: 其中,屏蔽式功率电感的封装为CKCD系列,CKCH系列。 而插件电感的封装有PK0345,PK0406,PK0507等等。PK指的是工字电感系列。0406指的是不包括外被,直径为4mm,高度为6mm。 类型: 常用的电感可以分为以下类型: 1、单层线圈 单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。如晶体管收音机中波天线线圈。 2、蜂房式线圈 如果所绕制的线圈,其平面不与旋转面平行,而是相交成一定的角度,这种线圈称为蜂房式线圈。而其旋转一周,导线来回弯折的次数,常称为折点数。蜂房式绕法的优点是体积小,分布电容小,而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制,折点越多,分布电容越小。3、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈 线圈的电感量大小与有无磁芯有关。在空芯线圈中插入铁氧体磁芯,可增加电感量和提高线圈的品质因素。 4、铜芯线圈 铜芯线圈在超短波范围应用较多,利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量,这种调整比较方便、耐用。 5、色码电感器 色码电感器是具有固定电感量的电感器,其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。 6、阻流圈(扼流圈) 限制交流电通过的线圈称阻流圈,分高频阻流圈和低频阻流圈。 而电感经常会出现在我们的显卡上,显卡中供电模块上的电感从外观上,则可分为以下几种。 全开放式电感: 价格低廉,但散热较好,受电磁干扰非常大,提供的电流不纯正。高端 显卡以及核心供电模块不会采用这种电感,只有在电流不高的显存周边采用这种电感。 半封闭电感: 价格适中,防电磁干扰良好,在高频电流通过时不会发生异响,散热良好, 可以提供大电流。目前在主流显卡上较常用。?

元件封装类型

元件封装类型 1、BGA(ball grid array)球栅阵列封装 表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚, 在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列 载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。其引线脚的节距为1.27mm、1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm。 (1)PBGA(Plastic Ball Grid Array Package)塑料焊球阵列 采用BT树脂/玻璃层压板作为基板,以塑料(环氧模塑混合物)作为密封材料,焊球 为共晶焊料63Sn37Pb或准共晶焊料62Sn36Pb2Ag(已有部分制造商使用无铅焊料),焊 球和封装体的连接不需要另外使用焊料。 (2)CBGA(Ceramic Ball Grid Array)陶瓷焊球阵列封装 基板是多层陶瓷,金属盖板用密封焊料焊接在基板上,用以保护芯片、引线及焊盘。 焊球材料为高温共晶焊料10Sn90Pb,焊球和封装体的连接需使用低温共晶焊料63Sn37Pb。封装体尺寸为10-35mm,标准的焊球节距为1.5mm、1.27mm、1.0mm。 (3)CCGA(ceramiccolumnSddarray)陶瓷柱栅阵列 CCGA是CBGA的改进型。二者的区别在于:CCGA采用直径为0.5mm、高度为1.25mm~2.2mm的焊料柱替代CBGA中的0.87mm直径的焊料球,以提高其焊点的 抗疲劳能力。因此柱状结构更能缓解由热失配引起的陶瓷载体和PCB板之间的剪切应力。 (4)TBGA(tape ball grid array)载带型焊球阵列 TBGA是一种有腔体结构,TBGA封装的芯片与基板互连方式有两种:倒装焊键合和 引线键合。 2.Cerdip陶瓷双列直插式封装 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距 2.54mm,引脚数从8 到42。

芯片封装类型缩写含义

芯片封装类型缩写含义 SIP :Single-In-Line Package 单列直插式封装 SMD(surface mount devices) ——表面贴装器件。 DIP :Dual In-line Package 双列直插式封装 CDIP:Ceramic Dual-In-line Package 陶瓷双列直插式封装 PDIP:Plastic Dual-In-line Package 塑料双列直插式封装 SDIP :Shrink Dual-In-Line Package QFP:Quad Flat Package 四方扁平封装 TQFP :Thin Quad Flat Package 薄型四方扁平封装 PQFP :Plastic Quad Flat Package 塑料方型扁平封装 MQFP :Metric Quad Flat Package VQFP :Very Thin Quad Flat Package SOP:Small Outline Package 小外型封装 SSOP :Shrink Small-Outline Package 缩小外型封装 TSOP :Thin Small-Outline Package 薄型小尺寸封装 TSSOP :Thin Shrink Small-Outline Package QSOP :Quarter Small-Outline Package VSOP :Very Small Outline Package TVSOP :Very Thin Small-Outline Package LCC:Leadless Ceramic Chip Carrier 无引线芯片承载封装 LCCC :Leadless Ceramic Chip Carrier PLCC :Plastic Leaded Chip Carrier 塑料式引线芯片承载封装 BGA:Ball Grid Array 球栅阵列 CBGA :Ceramic Ball Grid Array uBGA :Micro Ball Grid Array 微型球栅阵列封装 PGA :Pin Grid Array CPGA :Ceramic Pin Grid Array 陶瓷 PGA PPGA :Plastic Pin Grid Array MCM :Multi Chip Model 多芯片模块 SOIC(small out-line integrated circuit) ——双侧引脚小外形封装集成电路QFP(Quad Flat Pockage) ——四侧引脚扁平封装

元件封装的种类及辨识

元件封装的种类及辨识 2010年9月25日 13:47 目前接触到的封装的种类: 1.SMD电阻电容电感(SMD/NSMD) 2.SOT 3.SOD 4.SOP/TSOP/TSSOP/SOIC/SSOIC/SOPIC/SOJ/CFP 5.QFP 6.QFN/PLCC 7.BGA/CBGA/CSP 8.TO 9.CAN 10.SIP/DIP 11.其它类型 封装的具体介绍以及区别: 一、贴片电阻电容电感的封装 贴片的RLC按照通用的封装形式即可,一般根据形状的大小就可以分辨:1.电阻(不包括插件电阻) 从大到小的顺序,贴片电阻的封装形式有:2512(6332)/2010(5025)/1210(3225)/1206(3216)/0805(2012)/0603(1310)/0402(1005)其实际尺寸为0402(1.0*0.5mm)记作1005,其它以此类推 2.电容 片式电容最大的能做到1825(4564),焊盘的设计都采用的是H型。若为钽电容则封装会更大一些,可以做到73*43mm。 3.电感 电感的长和宽比较接近,整体呈现接近正方形,也是H型的焊盘。具体根据datasheet上的设计,有时候也会出现在对角线上,或者是四个脚。 注:①对于0201的封装,设计焊盘时要注意适当改善焊盘形状,主要是为了避免过炉时产生的立碑飞片等现象,适合的焊盘形状为矩形或者圆形,例如圆形焊盘:圆形边界最近 的距离为0.3mm,圆心之间的距离为0.4或0.5mm。 一般BGA的焊盘有两种:SMD和NSMD。SMD的阻焊膜覆盖在焊盘边缘,采用它可以提高锡膏的漏印量,但是会引起过炉后锡球增多的现象,NSMD的阻焊膜在焊盘之外。

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