模拟电路复习题纲_20120531

模拟电路复习题纲

第1章绪论

1、信号种类，模拟信号，数字信号，连续信号，离散信号；

2、幅度失真，相位失真，上限频率，下限频率，带宽。

第2章运算放大器

1、集成运放特点，分析方法：虚短，虚断；

2、求集成运放放大电路的电压增益，输入输出电阻。

第3章二极管及其基本电路

1、本征半导体，空穴；P、N型半导体；

2、载流子，两种运动方式；PN结的形成及特性；

3、反向击穿，电击穿，热击穿，雪崩击穿，齐纳击穿；

4、二极管的结构、工作原理及V-I特性；

5、二极管的简化模型分析法。

第4章双极结型三极管及放大电路基础

1、三极管的工作原理；

2、三极管的输出特性曲线分三个区，哪三个区；

3、三极管的小信号H参数等效电路；

4、求解共射、共集组态的静态分析、动态分析；

5、三极管放大电路3种组态的比较：电路结构、电压增益、同反向、输入输出电阻、用途。

6、复合管的β,r be计算。

7、哪些因素影响三极管放大电路的高频、低频响应；

8、了解多级放大器的增益计算；

9、放大状态，从所加直流电压怎样区分三极管的类型，各个级。

第5章场效应管放大电路

1、了解场效应管的特点，种类：P、N沟道；增强、耗尽型，及其符号；

2、了解MOSFET的工作原理；

3、场效应管同BJT管的异同。

第6章模拟集成电路

1、电流源的特点，怎样辨认电流源；

2、差模、共模信号，共模抑制比；

3、了解差分放大电路的分析方法：单、双端输入输出；

4、为什么差分放大电路具有高的共模抑制比：单、双端输出。

5、增益带宽积。

第7章反馈放大电路

1、负反馈放大电路增益表达示，反馈深度，反馈深度同正、负反馈以及深负反馈、自激振荡的关系；

2、用什么方法及怎样区分正、负反馈，电压、电流反馈，串、并联反馈；

3、负反馈对放大电路的性能，包括输入、输出电阻的影响；

4、深负反馈放大电路的分析方法及计算。

第8章功率放大电路

1、功放特点，甲、乙、甲乙、丙类放大电路的区分及特点，交越失真；

2、计算甲类、乙类互补对称功放的最大输出功率、各部分功率及整个电路的效率；

3、乙类互补对称功放中，功放管的管耗同最大输出功率的关系；

第9章信号处理与信号产生电路

1、滤波器的种类及其作用；

2、了解RC桥式振荡电路、电压比较器、谐振频率，方波产生电路。

第10章直流稳压电源

1、了解直流稳压电源的结构及各部分作用；

2、能够用三端稳压器搭建电源电路。

填空、选择、判断、简答：

书上的基本概念，平时强调的内容。

计算：

1．集成运放负反馈放大电路的计算；

2．BJT管单管放大器的静态、动态计算；

3．功率放大电路计算；

4．深负反馈放大电路判断及计算。

设计：

放大电路等的设计，画电路图。

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电路测验试题10套

模拟电路测验试题10套 1 / 34

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试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。 6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（）。 1 / 34

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示：

模拟电路期末考试题A卷

模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;.

路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.

2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.

大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极

模拟电子技术基础期末考试试题集及答案(18套)

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导 电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反 偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的 放大倍数AF=（ 1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补 功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（） 等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号 是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压 必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电 极分别是（），该管是（）型。 A、（ B、 C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是 ；在P 型半导体中，多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5

电路与模拟电子技术复习题

一、基本概念 1. 当把电流为1A 的理想电流源与电压为100V 的理想电压源相并联时，电流源两端的电压是（D ）。 A 、1V ； B 、10V ； C 、50V ； D 、100V 。 2. 当把电流为1A 的理想电流源与电压为100V 的理想电压源相串联时，流过电压源的电流是（A ）。 A 、1A ； B 、10A ； C 、50A ； D 、100A 。 3. 一个电感线圈在下列哪种频率条件下，其对电流呈现的感抗较大？（ C ）正比，wL A 、f =100Hz ； B 、f =200Hz ； C 、f =300Hz ； D 、f =1Hz 。 4. 一个电容器在下列哪种频率条件下，其对电流呈现的容抗较大？（ D ）反比,1/wC A 、f =100Hz ； B 、f =200Hz ； C 、f =300Hz ； D 、f =1Hz 。 5. 对于纯电容性负载，其电压与电流的相位关系是（ C ）。-90 A 、电压与电流同相位； B 、电压超前电流90°； C 、电流超前电压90°。 6. 对于纯电感性负载，其电压与电流的相位关系是（ B ）。U-i ，90 A 、电压与电流同相位； B 、电压超前电流90°； C 、电流超前电压90°。 7. 在计算戴维南电路的等效电阻时，将原电路的电源置零意味着（ B ）。 A 、电压源开路、电流源短路； B 、 电压源短路、电流源开路； B 、电压源开路、电流源开路； D 、 电压源短路、电流源短路。 8. 当理想二极管外加正向电压时，其电流为（ C ），其正向压降为（ B ）。 A 、0=I ； B 、0=U ； C 、=I 常数； D 、=U 常数。 9. 测得某无源一端口网络的电压u=100sin （2t+60°）V ，电流i=5sin （2t-30°）A ，则该网络的等效阻抗是多少？它是电阻性、电感性还是电容性的网络？（ B ）。J=90 A 、20、阻性； B 、j20、感性； C 、-j20、容性； D 、20+j20、感性。 10. 某网络的端口电压和电流分别为u=40sin （10t+60°）V ，i=8sin （10t+90°）A ，则该网络的功率因数cos ?为（ B ）。U-i A 、21； B 、2 3； C 、0.9； D 、1。 11. 在集成运算放大器的分析计算中，虚短的概念是指（ C ）。 A 、0=+U ； B 、0=-U ； C 、-+=U U 。 D 、0==-+I I 。

模拟电子技术基本概念复习题与答案

《模拟电子技术基础》基本概念复习题 一、判断题 1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。× 2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。√ 3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。× 4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。× 5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。× 6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。√ 7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 √ 8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。× 9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。× 10、 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。√ 11、 稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。× 12、 BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。× 13、 放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。√ 14、 放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。× 15、 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。× 17、 共集电极电路没有电压和电流放大作用。√ 18、 共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。√ 19、 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。× 20、 放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。× 21、 射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。× 22、 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。× 23、 放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。× 24、 输出电阻越大，放大电路带负载的能力越弱。√

模拟电子技术期末复习题及答案

《电子技术基础2》复习题 一、判断题（本大题共10个小题，每小题2分，共20分） 1、N型半导体的多数载流子是空穴。（） 2、P型半导体的多数载流子是空穴。（） 3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。 （） 4、运算电路中一般引入负反馈。（） 5、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（） 6、在放大电路中引入正反馈，主要目的是改善放大电路的性能。（） 7、在放大电路中引入负反馈，主要目的是改善放大电路的性能。（） 8、若放大电路的放大倍数为零，则引入的反馈一定是负反馈。（） 9、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（） 10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。（） 11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。（） 12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。（） 13、只有电路既放大电流又放大电压，才算其有放大作用。（） 14、共发射极放大电路输出与输入反相。（） 15、共基极放大电路输出与输入反相。（） 16、共集电极放大电路输出与输入反相。（） 17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。（） 18、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（） 19、在运算电路中，集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。（） 20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。（） 21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。（） 22、运放的共模放大倍数越小越好。（） 23、运放的差模放大倍数越小越好。（） 24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（）25、当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。 （） 26、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。（） 27、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。（） 28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。（） 29、用于滤波的电容通常串联连接。（） 30、用于滤波的电容通常并联连接。（） 31、用于滤波的电感通常串联连接。（） 32、用于滤波的电感通常并联连接。（） 33、稳压管正常工作状态下，处于正向导通状态。（） 34、低通滤波器是指信号幅度小才能通过。（） 35、高通滤波器是指信号幅度大才能通过。（） 36、电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。（）

模拟电路复习题原

一、单选题(每题1分，共30分) 1. 半导体的导电阻率为。 A ρ<10-6Ω·m B ρ>108Ω·m C ρ介于10-6～108Ω·m D ρ >1010Ω·m 2. 本征激发是指现象。 A 价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的∨ B 价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的 C 价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的 3. 空穴的导电机理是。 A 电子的接力运动 B 空穴在电场作用下的定向运动 C 空穴的接力运动 D 杂质粒子在电场作用下的定向运动 4. P(N)型半导体是在本征半导体硅(或锗)中掺入少量的而获得的杂质半导体。 A 二价元素 B 三价元素 C 四价元素 D 五价元素 5. 模拟信号是指的信号。 A 时间连续 B 数值连续， C 时间和数值都连续 D 时间和数值都不连续 6. 放大电路放大倍数是指。 A 输出信号与输入信号的比值 B 输入信号与输出信号的比值

C 输出电压与输入电流的比值 D 输出电流与输入电压的比值 7. 某放大电路的电压增益为60dB，则该电路的电压放大倍数为倍。 A 10 B 102 C 103 D 104 8. 放大电路中的非线性失真是有引起的。 A 电抗元件 B 放大元器件的非线性 C 非电抗元件 D 输入信号的失真 9. PN结雪崩击穿主要主要发生在情况下。 A PN结反偏较低 B PN结正偏电压较高 C PN结反偏较高 D PN结正偏电压较低 10. PN结齐纳击穿主要主要发生在情况下。 A PN结反偏较低 B PN结正偏电压较高 C PN结反偏较高 D PN结正偏电压较低 11. 锗(硅)晶体二极管的正常工作电压约为。 A 0.7V B 0.5V C 0.1V D 0.2V 12. 晶体三极管工作在放大(饱和、截止)状态的外部条件为。 A. 发射结正偏，集电结反偏 B. 发射结反偏，集电结正偏 C. 发射结正偏，集电结正偏 D. 发射结反偏，集电结反偏

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。

模拟电子技术期末复习试题及答案

《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案 一、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。 7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。为了稳定输出电流，采用（）负反馈。 8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。 9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。 10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。 11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。 12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。 13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ 14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。 15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。 二、选择题（每空2分，共30分） 1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（） A -6V B -9v C -12v 2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分

别是（），该管是（）型。 A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移 5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。A放大差模抑制共模 B 输入电阻高C输出电阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声 三、分析计算题（共34分） 1、已知：电路如图所示V1、V2为理想二极管。求：1）哪只二极管导通2）U AO=？（5分） 2、已知：电路如图所示Vcc=12V R B1=40k R B2=20k Rc=R L=2k R E=1.65k U BEQ=0.7V C1=C2=20ηF r be=1.5K β=100