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薄膜电容检验标准

薄膜电容检验标准
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7.0

W(-1.5)H(-1.5)K 误差12.5 4.5 5.00.6K p±0.315.012.520.50.54.02110006AR 2110003AR 12.07.07.55.0d±0.05K 1序号1、 适用范围:直接用于生产的薄膜电容。 3.2 外形尺寸(单位:mm):

备注:检查薄膜电容尺寸时应先判断确认所抽检的薄膜电容是否存在外观不良,若是外观不良的 薄膜电容应重新抽检,确定外观合格的薄膜电容才能进行尺寸检验。 3.2.1 参照下表(尺寸单位:mm):

T(-1.5)

备注:1.上海新金电容的引脚长度是25.0min,而法拉电容的引脚长度是20.0min。 2.下面有标注最大值的,其最小值按1.0来计算。

3、 检验项目: 3.1 外观:

注:每批来料的标识误差值必须与描述相符或比所描述的误差值更精密。32110002AR cl11/1000V-1527.52、 检验工具:游标卡尺、锡炉。

物料编码 标识字样应清晰、准确;主体部分无残缺、伤痕,且包封均匀完整。规格cl11/400V-473cl11/1000V-10212.5 4.5 5.00.642110001AR cl11/1000V-2228.0K 52110004AR cl11/1000V-2728.012.5 5.0 5.00.6K 13.0 5.2 5.00.662110009AR cl11/1000V-3328.5K 72110011AR cl11/1000V-6817.012.5 4.0 5.00.5K 9.5 4.38.00.882120004AR CL21/400V-4739.8K 92170001AR CL28/400V-47312.010.0 4.810.50.8K 10.0

4.5

10.2

0.6

10

2160002AR

CBB28/1250V-332

12.0

K

11

2120001AR

CL21/400V-47NF

10.0

10.5

7.0

7.5

0.6

K

上海新金法拉

要求1

要求2

d) 电容(CL11)直脚编带尺寸:

要求2:电容主体左右偏差必须符合下图要求:

要求1:两引脚需处于一个平面内,即侧向引脚必需符合如下图所示:送带孔间距P 012.7±0.3送带孔直接D 0

4.0±0.3

电容器底部至送带孔中心距H ≤22.0送带孔间距P 0 c) 浸渍型电容编带尺寸:

项 目

尺寸12.7±0.34.0±0.3

送带孔直接D 0

送带孔位置W 18.5~9.75弯脚高度H 016.0±0.5 3.3 西门子B32560S电容套套管要求:

送带孔位置W 19.0±0.5

在常温25±5℃环境下施加1.8V R Min交流电压(I R <3mA),历时30秒钟,不击穿。

测试要求

在100±2℃环境下置30分钟后,施加1.25V R Min直流电压,历时60秒钟,不击穿;

在高温85±2℃环境下置30分钟后,施加2.0V R Min直流电压,历时30秒钟,不击穿;

13CL11 2n2/1KV、2n5/1KV 、2n7/1KV 3n0/1KV、3n3/1KV

在高温120±2℃环境下置30分钟后,施加1.8V R Min交流电压(I R <3mA),历时60秒钟,不击穿;

14

CL23(TS)、CL21(TS)、CBB21(TS)400V系列电容

在85±2℃环境下置30分钟后,施加600VMin直流电压,历时60秒钟,不击穿;

11CBB21在高温85±2℃环境下置30分钟后,施加1.25V R Min直流电压,历时60秒钟,不击穿;

12CL23

在高温85±2℃环境下置30分钟后,施加1.25V R Min直流电压,历时60秒钟,不击穿;

9MKT、B32560S 在高温85±2℃环境下置30分钟后,施加1.25V R Min直流电压,历时60秒钟,不击穿;

8电感灯启辉电容2n2/1KV 10CL23B、CL23B(TS)在高温85±2℃环境下置30分钟后,施加1.25V R Min直流电压,历时60秒钟,不击穿;

在120±2℃环境下置30分钟后,施加2.0KVMin交流电压,历时60秒钟,不击穿。

6耐压1.5KV档电容71>、耐压为1.3KV档电容2>、2.5nF/1.25KV/CL11在高温85±2℃环境下置30分钟后,施加2.0V R Min直流电压,历时30秒钟,不击穿;

在85±2℃环境下置30分钟后,施加1.3KVMin直流电压,历时60秒钟,不击穿;

在高温85±2℃环境下置30分钟后,施加直流电压V DC ≥3.2KVMin (I R <0.3mA),历时60秒钟,不击穿;

在高温85±2℃环境下置30分钟后,施加直流电压V DC ≥3.4KVMin (I R <0.3mA),历时60秒钟,不击穿;3CL21X

4CBB21(TS)1KV

51>、CL11耐压1.25KV档电容2>、6.8nF/1.3KV/CL11序号

特殊电容型号

1CL21,CL21Ⅱ2CBB81 c)其它测试要求不变;要求不击穿及其它异常现象。 b)施加电压为原测试电压的1.1倍;

试环境温度的基础上提高10℃;图1:未打K位电容套套管热缩后示意图图2:打K位电容套套管热缩后示意图

3.4 可焊性:

将引脚上助焊剂后,浸入250±5℃的锡炉中,浸入深度(距器件主体)2mm,浸入时间2~3秒, 上锡应完整均匀,无集中锡点。 3.5 耐压:

3.5.1 新认定供货之电容,要求前5批加强检验,条件如下:

a)高温环境<120℃的,在原测试环境温度的基础上提高20℃;高温环境≥120℃的,在原测 3.5.2 一般电容电性能要求(除特殊电容外):

在高温85±2℃环境下置20分钟后,施加2.5V R 直流电压,历时60秒,要求不击穿(I R <3mA)。 3.5.3 特殊电容:

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