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电子线路(第四版)非线性部分第四章答案(部分)

电子线路(第四版)非线性部分第四章答案(部分)
电子线路(第四版)非线性部分第四章答案(部分)

4-1 如图是用频率为1 000 kHz的载波信号同时传输两路信号的频谱图。试写出它的电压表达式,并画出相应的实现方框图。计算在单位负载上的平均功率P av和频谱宽度BW AM。

解:(1)为二次调制的普通调幅波。

第一次调制:调制信号:F = 3 kHz

载频:f1 = 10 kHz,f2 = 30 kHz

第二次调制:两路已调信号叠加调制到主载频f c = 1000 kHz 上。

令Ω = 2π ? 3 ? 103 rad/s

ω1 = 2π ? 104 rad/s

ω2= 2π ? 3 ? 104 rad/s

ωc= 2π ? 106 rad/s

第一次调制:v1(t) = 4(1 + 0.5cosΩt)cosω1t

v2(t) = 2(1 + 0.4cosΩt)cosω2t

第二次调制:v O(t) = 5 cosωc t + [4(1 + 0.5cosΩt)cosω1t + 2(1 + 0.4cosΩt)cosω2t] cosωc t

= 5[1+0.8(1 + 0.5cosΩt)cosω1t + 0.4(1 + 0.4cosΩt)cosω2t] cosωc t

(2) 实现方框图如图所示。

(3) 根据频谱图,求功率。

1 载频为10 kHz 的振幅调制波平均功率 V m01 = 2V ,M a1 = 0.5

W 5.4)2

11(2W 22121a 01av1201m 01=+===M P P V P ; ○

2 f 2 = 30 kHz V m02 = 1V ,M a2 = 0.4

W 08.1)2

11(2W 5.02122a 02av2202m 02=+===M P P V P ; ○

3 主载频f c = 1000 kHz V m0 = 5V

W 5.122

120m 0==V P 总平均功率P av = P 0 + P av1 + P av2 = 18.08 W

4 BW AM 由频谱图可知F max = 33 kHz

得BW AM = 2F = 2(1033 -1000) = 66 kHz

4-3 试画出下列三种已调信号的波形和频谱图。已知ωc>>Ω

(1) v(t) = 5cosΩt cosωc t(V);

(2) v(t) = 5cos(ωc+Ω) t;

(3) v(t) = (5 + 3cosΩt)cosωc t。

解:(1) 双边带调制信号(a);(2) 单边带调制信号(b);(3) 普通调幅信号(c)。

4-6 何谓过调幅?为何双边带调制信号和单边带调制信号均不会产生过调幅?

答:调制信号振幅大于载波信号振幅的情况称为过调幅。因为双边带和单边带调制信号已经将载波信号抑制,故均不会产生

过调幅。

4-8 一非线性器件的伏安特性为

???≤>=000D v v v g i

式中v = V Q 十v 1+ v 2 = V Q +V 1m cos ω1t +V 2m cos ω2t 。若V 2m 很小,满足线性时变条件,则在V Q = -V 1m /2、0、V 1m 三种情况下,画

出g (v 1)波形,并求出时变增量电导g (v 1)的表示式,分析该器件

在什么条件下能实现振幅调制、解调和混频等频谱搬移功能。

解:根据伏安特性画出增量电导随v 的变化特性g (v )如图所

示。

(1)1m Q 2

1V V -=时,画出g (t ) 波形如图所示。 图中通角由,2

121cos m m ==V V θ求得3π=θ D 3π

3πD 03

1d 2π1g t g g ==?-ω )3πsin(π2d cos π1D 3π3

πD n n n g t t n g g ==?-ωω

t n n n g g t g n 11D D cos )3πsin(1π231)(ω∑∞

=+= (2) V Q = 0时,画出g (v ) 的波形如图所示。

])12(cos π

)12(2)1(21[)cos33π

2cos π221()()(111D 11D 11D t n n g t t g t K g t g n n ωωωω---+=???+-+==∑∞=- (3) V Q = V 1m ,g (t ) = g D ,如图所示。

可见,(1)、(2)中g (t ) 含有基波分量,能实现频谱搬移功能,

而(3)中g (t )仅有直流分量,故无法实现频谱搬移功能。

为实现消除一些有害无用的组合频率分量,使输出有用信号

的质量提高,在实现频谱搬移功能时,应遵循有用信号较弱,参考信号较强的原则。

调制时:v 1 = V cm cos ωc t (载波),v 2 = V Ωm cos Ωt (调制信号)

解调时:v 1 = V cm cos ωc t (参考信号),v 2 = V sm (1 +

M a cos Ωt )cos ωc t (调幅信号)

混频时:v 1 = V Lm cos ωL t (本振信号),v 2 = V sm (1 +

M a cos Ωt )cos ωc t (调幅信号)

4-9 在如图所示的差分对管调制电路中,已知v c (t ) =

360cos10π ? 106t (mV ),v Ω (t ) = 5cos2π ? 103t (mV ),V CC =|V EE |= 10 V ,R EE =15 k Ω,晶体三极管 β 很大,V BE(on)可忽略。试用开关函数求i C =(i C1 - i C2)值。

解:由教材(4-2-14)可知

i C = i C1 - i C2 = )2(

th T c 0V v i 令,T CM c V V x =i 0 = I 0 + i Ω(t ) 其中mA))(10π2cos(103

1)()(mA 31V

533EE EE EE 0t R t v t i R V I ΩΩ??=≈=-≈-, mA))](10π2cos(101[3

1330t i ?+=- 又1085.13mV 26mV 360T

cm c >===V V x 则???-+-=≈t t t t K t x c c c c 2c c 5cos 5π

43cos 3π4cos π4)()cos 2(th ωωωωω 所以

)mA ]()10π50cos(084.0)10π30cos(14.0)10π10cos(42.0)][10π2cos(101[)()]10π2cos(101[3

1)cos 2(th 66633c 233c c 0C ???-?+?-??+=?+≈=--t t t t t K t t x i i ωω4-11一双差分对平衡调制器如图所示,其单端输出电流

kT

qv R v I kT qv i i I i 2th 22th 221E 201650I +≈-+= 试分析为实现下列功能(不失真),两输人端各自应加什么信号

电压?输出端电流包含哪些频率分量,输出滤波器的要求是什么?

(1)混频(取ωI =ωL - ωC);(2)双边带调制;(3)双边带调制波解调。

解:(1) 混频:v1(t) = v L(t) =V Lm cosωL t,v2(t) = v S(t) = V sm cosωc t,当V Lm > 260 mV,V sm < 26 mV工作在开关状态时,产生的组合频率分量有ωL ±ωc,3ωL ±ωc,???,(2n+1)ωL ±ωc,输出采用中心频率为 ωI 的带通滤波器。

(2) 双边带调制:v1(t) = v c(t) = V cm cosωc t,v2(t) = vΩ(t) =

VΩm(t)cosΩt。

工作在开关状态时,产生的组合频率分量有ωc ±Ω,3ωc ±Ω,???,(2n+1)ωc ±Ω。输出采用中心频率为 ωc,BW0.7 > 2F的带通滤波器。

(3) 双边带调制波解调:v1(t) = v r(t) = V rm cosωc t,v2(t) = v S(t) = V m0cosΩt cosωc t。开关工作时,产生的组合频率分量有Ω,2ωc ±Ω,

4ωc ± Ω,???,2n ωc ± Ω。输出采用低通滤波器,BW 0.7 > 2F 。

4-16 采用双平衡混频组件作为振幅调制器,如图所示。图中v c (t ) = V cm cos ωc t ,v Ω(t ) = V Ωm cos Ωt 。各二极管正向导通电阻为R D ,且工作在受v C (t )控制的开关状态。设R L >>R D ,试求输出电压v O (t )表达式。

解:作混频器,且v C >> v Ω,各二极管均工作在受v C 控制的开关状态。

当 v C > 0,D 1、D 2导通,D 3、D 4截止

当 v C < 0,D 3、D 4导通,D 1、D 2截止

(1) 当 v C > 0时,等效电路,i I = i 1 - i 2

回路方程为:

???=-+--=-++-②①0

0)(C D 2L I L 21D 1C v R i R i v R i i R i v v ΩΩ

1 - ○

2 2( i 1 - i 2)R L + 2 v Ω + ( i 1 - i 2)R D = 0 D L 21I 22R R v i i i Ω+-=-=

考虑v C 作为开关函数K 1(ωc t )

所以 )(2)(2c 1D

L I t K R R t v i Ωω+-=

(2) 同理可求v C < 0时

i Ⅱ)π(2)(2c 1D

L 43-+-=-=t K R R t v i i Ωω

(3) R L 总电流

i = i Ⅰ- i Ⅱ)(2)(2)]π()([2)(2c 2D

L c 1c 1D L t K R R t v t K t K R R t v ΩΩωωω+-=--+-

= (4) v O (t ) ∵ R L >> R D ∴)()()()(22)(c 2c 2D

L L O t K t v t K t v R R R t v ΩΩωω-≈+-=

4-23 晶体三极管混频器的输出中频频率为f I = 200 kHz ,本振频率为f L = 500 kHz ,输人信号频率为f c = 300 kHz 。晶体三极管的静态转移特性在静态偏置电压上的幂级数展开式为i C = I 0+

av be +2be bv +3be cv 。设还有一干扰信号v M =V Mm cos (2π×3.5×105t ),作用于混频器的输人端。试问:(1)干扰信号v M 通过什么寄生通道变成混频器输出端的中频电压?(2)若转移特性为i c =I 0

+av be +2be bv +3

be cv +4be dv ,求其中交叉调制失真的振幅。(3)若改用场效应管,器件工作在平方律特性的范围内,试分析干扰信号的影响。

解:(1) f M = 350 kHz ,f c = 300 kHz ,由I M c 1f p p f p q f ±-=得

知,p = 1,q = 2时,2f M - 2f 2 = 300 kHz ,表明频率为f M 的干扰

信号可在混频器输出,它由静态转移特性三次方项中2M L 3v cv 项

产生。

(2) 静态特性四次方项4M

L S 4be )(v v v d dv ++=中产生2M 2L S )(6v v v d +分量,而

)2cos 1(2

1)2(6)(6M 2M m 2L

L S 2S 2M 2L S t V v v v v d v v v d ω+++=+中分量2Mm L S 6V v v 产生中频 ωI 分量,其幅值为2Mm Lm sm 3V V dV ,包含了干扰信号包络变化造成的交叉失真。

(3)由于干扰频率只能通过器件特性的三次方以上项才能产生中频频率,所以工作在平方律特性曲线内,无干扰信号的影响。

4-24 混频器中晶体三极管在静态工作点上展开的转移特性

由下列幂级数表示:i C = I 0+av be +2

be bv +3be cv +4be dv 。已知混频器的本振频率为f L = 23 MHz ,中频频率f I = f L - f c = 3 MHz 。若在混频器输人端同时作用f M1 = 19.6 MHz 和f M2=19.2 MHz 的干扰信号。试问在混频器输出端是否会有中频信号输出?它是通过转移特性的几次项产生的? 解:组合频率分量通式M2M1c L s r,q,p,sf rf qf pf f ±±±±=中,当p = 1,q = 0,r = 2,s = 1时,,MHz 3)2(M2M1L s r,q,p,=--=f f f f 产生中频信号输出。可见它是由转移特性四次方项

4M2M1L 4be )(4v v v v ++=中M22M1L 12v v v 分量产生的,被称为互调失真,其振幅为Mm 22Mm 1m L 21V V dV 。

4-27 如图所示为发送两路语言信号的单边带发射机,试画出(A ~F )各点的频谱图,图中,频率合成器提供各载波频率信号。

解:A~F 各点频谱图如图所示。

4-30 包络检波电路如图所示,二极管正向电阻R D = 100 Ω,F =(100 ~ 5000)Hz 。图(a )中,M amax = 0.8;图(b )中M a = 0.3。试求图(a )中电路不产生负峰切割失真和惰性失真的C 和R i2值。图(b )中当可变电阻R 2的接触点在中心位置时,是否会产生负峰切割失真?

解:(1) 图(a)中,已知R L = R L1 + R L2 = 5 k Ω,Ωmax = 2π ? 5000 rad/s ,M amax = 0.8,根据不产生惰性失真条件,得

pF 47751m ax a m ax L 2m ax

a =-≤M ΩR M C

(2) 根据不产生负峰切割失真条件得

Z L (Ω) ≥ M a Z L (0) = M amax R L = 4 k Ω

因为Z L (Ω) = R L1 + R L2 // R i2,

M amax = 0.8

L 1L 2i 2L 1L L L >+=++=R R R R R R R Z ΩZ , (3) R L 在中间位置时

Ω5.1211//2

)(i 21L =+=R R R ΩZ ,Ω28602)0(21L =+=R R Z

所以3.042.0)0()(L L >=Z ΩZ 故不产生负峰切割失真。

非线性电子线路完全答案(谢嘉奎第四版)

1-2 一功率管,它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制?为什么? 解:否。还受功率管工作状态的影响,在极限参数中,P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P。= 1000 W,当集电极效率ηC 由40%提高到70‰时,试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少? 解: 当ηC1 = 40%时,P D1 = P o/ηC = 2500 W,P C1 = P D1P o=1500 W 当ηC2 = 70%时,P D2= P o/ηC =1428.57 W,P C2= P D2P o = 428.57 W 可见,随着效率升高,P D下降,(P D1 P D2) = 1071.43 W P C下降,(P C1 P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线,由它接成的放大器如图1-2-1(a)所示,已知V CC = 5 V,试求下列条件下的P L、P D、ηC(运用图解法):(1)R L = 10Ω,Q点在负载线中点,充分激励;(2)R L = 5 Ω,I BQ同(1)值,I cm = I CQ;(3)R L = 5Ω,Q 点在负载线中点,激励同(1)值;(4)R L = 5 Ω,Q点在负载线中点,充分激励。

解:(1) R L = 10 Ω 时,作负载线(由V CE = V CC I C R L ),取Q 在放大区负载线中点,充分激励,由图得V CEQ1 = 2.6V ,I CQ1 = 220mA , I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1 V CE(sat) = (2.6 0.2) V = 2.4 V ,I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 2642 1cm cm L ==I V P ,P D = V CC I CQ1 = 1.1 W ,η C = P L / P D = 24% (2) 当R L = 5 Ω 时,由V CE = V CC I C R L 作负载线,I BQ 同(1) 值,即I BQ2 = 2.4mA ,得Q 2点,V CEQ2 = 3.8V ,I CQ2 = 260mA 这时,V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V ,I cm = I CQ2 = 260 mA 所以 mW 1562 1cm cm L ==I V P ,P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ,η C = P L / P D = 12% (3) R L = 5 Ω,Q 在放大区内的中点,激励同(1), 由图Q 3点,V CEQ3 = 2.75V ,I CQ3= 460mA ,I BQ3 = 4.6mA , I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ,i Cmax = 700mA 。 因为V cm = V CEQ3 v CEmin = 1.2 V ,I cm = i Cmax I CQ3 = 240 mA 所以mW 1442 1cm cm L ==I V P ,P D = V CC I CQ3 = 2.3 W ,η C = P L / P D = 6.26% (4) R L = 5 Ω,充分激励时,I cm = I CQ3 = 460 mA ,V cm = V CC

非线性电子线路(谢嘉奎第四版_部分)答案

声明:由不动脑筋而直接抄取答案的行为引发的后果自负,与本人无任何关联,愿好自为之。解释权归本人所有。 1-2 一功率管,它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制?为什么? 解:否。还受功率管工作状态的影响,在极限参数中,P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P。= 1000 W,当集电极效率ηC由40%提高到70‰时,试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少? 解: 当ηC1 = 40%时,P D1 = P o/ηC = 2500 W,P C1 = P D1P o=1500 W 当ηC2 = 70%时,P D2 = P o/ηC =1428.57 W,P C2 = P D2P o = 428.57 W 可见,随着效率升高,P D下降,(P D1 P D2) = 1071.43 W P C 下降,(P C1 P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线,由它接成的放大器如图1-2-1(a)所示,已知V CC = 5 V,试求下列条件下的P L、P D、ηC(运用图解法):(1)R L= 10Ω,Q点在负载线中点,充分激励;(2)R L = 5 Ω,I BQ同(1)值,I cm = I CQ;(3)R L = 5Ω,Q点在负载线中点,激励同(1)值;(4)R L = 5 Ω,Q点在负载线中点,充分激励。 解:(1) R L = 10 Ω时,作负载线(由V CE = V CC I C R L),取Q在放大区负载线中点,充分激励,由图得V CEQ1 = 2.6V, I CQ1 = 220mA,I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1V CE(sat) = (2.6 0.2) V = 2.4 V,I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 264 2 1 cm cm L = =I V P,P D= V CC I CQ1 = 1.1 W,ηC = P L/ P D = 24% (2) 当R L = 5 Ω时,由V CE = V CC I C R L 作负载线,I BQ同(1)值,即I BQ2 = 2.4mA,得Q2点,V CEQ2 = 3.8V,I CQ2 = 260mA 这时,V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V,I cm = I CQ2 = 260 mA 所以mW 156 2 1 cm cm L = =I V P,P D = V CC I CQ2 = 1.3 W,ηC = P L/ P D = 12%

高频电子线路期末考试试卷1及答案

c m i 图 2 互感耦合 B .西勒 C .哈特莱 D .克拉泼

图 4 图 4

四、(15分)高频小信号调谐放大器如图5所示,其工作频率MHz f o 30=,调谐回路中的H L μ113=,100=o Q ,1212=N ,823=N ,645=N ,晶体管在直流工作点的参数ms g oe 55.0=,pF C oe 8.5=,ms g ie 2.3=,pF C ie 10=,ms y fe 58=, o fe 47-=?,0=re y 。 试求:(1)画出高频等效电路;(5分) (2)计算C ,uo A ,270??f ,1.0r K 。(10分) 图 5 五、(15分)某高频谐振功率放大器工作于临界状态,已知晶体管的()s g cr 9.0=,电源电压V V cc 18=,导通角70o θ=,输出电压幅度V U cm 16=,(注:()253.0700=o α,()436.0701=o α) 。试求: (1)直流电源cc V 提供的功率P = ;(4分) (2)高频输出功率P o ;(4分) (3)集电极效率c η;(2分) (4)回路的谐振电阻 R P ;(3分) (5)若谐振电阻 R P 为Ω50,功率放大器将工作在何种状态?(2分) 六、(10分)二极管检波器如图6所示,已知二极管的导通电阻Ω=60d r , V U bz 0=,Ω=K R 5,F C μ01.0=,Ω=k R L 10, F C c μ20=,输入电压信号为普通调幅波,其频谱图如图7所示。 试求:(1)写出输入调幅信号的数学表达式;(2分) (2)电压传输系数d K 和等效输入电阻d i R (4分) (3)写出A u ,B u 的数学表达式;(4分) 图 6 图 7

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

《模拟电子技术基础(一)》期末试题〔A 〕 一、填空题(15分) 1.由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3.从信号的传输途径看,集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4.某放大器的下限角频率L ω,上限角频率H ω,则带宽为 Hz 。 5.共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6.在RC 桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7.电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的 输出状态发生 次跃变,迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8.直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题(15分) 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4.差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B 既放大差模信号,又放大共模信号 C 有效放大共模信号,有力抑制差模信号; D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。 5.互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8.当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时,放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9.在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、

电子线路非线性期末总结

电子线路非线性期末总结

————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:

2-1 为什么谐振功率放大器能工作于丙类,而电阻性负载功率放大器不能工作于丙类? 解:因为谐振功放的输出负载为并联谐振回路,该回路具有选频特性,可从输出的余弦脉冲电流中选出基波分量,并在并联谐振回路上形成不失真的基波余弦电压,而电阻性输出负载不具备上述功能。 3-5 试判断下图所示交流通路中,哪些可能产生振荡,哪些不能产生振荡。若能产生振

荡,则说明属于哪种振荡电路。 解:(a) 不振。同名端接反,不满足正反馈; (b) 能振。变压器耦合反馈振荡器; (c) 不振。不满足三点式振荡电路的组成法则; (d) 能振。但L2C2回路呈感性,ωosc < ω2,L1C1回路呈容性,ωosc > ω1,组成电感三点式振荡电路。 (e) 能振。计入结电容C b'e,组成电容三点式振荡电路。 (f) 能振。但L1C1回路呈容性,ωosc > ω1,L2C2回路呈感性,ωosc > ω2,组成电容三点式振荡电路。 3-22 试判断如图所示各RC振荡电路中,哪些可能振荡,哪些不能振荡,并改正错误。图中,C B、C C、C E、C S对交流呈短路。

解:改正后的图如图所示。 (a)为同相放大器,RC移相网络产生180?相移,不满足相位平衡条件,因此不振。改正:将反馈线自发射极改接到基极上。 (b)中电路是反相放大器,RC移相网络产生180?相移,满足相位平衡条件,可以振荡。 (c)中放大环节为同相放大器,RC移相网络产生180?相移,不满足相位平衡条件,因此不振。改正:移相网络从T2集电极改接到T1集电极上。 (d)中放大环节为反相放大器,因为反馈环节为RC串并联电路,相移为0?,所以放大环节应为同相放大。改正:将T1改接成共源放大器。 3-23 图(a)所示为采用灯泡稳幅器的文氏电桥振荡器,图(b)为采用晶体二极管稳幅的文氏电桥振荡器,试指出集成运算放大器输入端的极性,并将它们改画成电桥形式的电路,指出如何实现稳幅。并求线性频率f

电子线路期末试卷及答案

(1)在半导体内部,只有电子是载流子。 (2)在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。 (3)一般来说,硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。 (4)在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 (5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极,另一电极是负极。 (7)三极管放大电路工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量;直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。 (8)在单管放大电路中,若V G不变,只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。 (9)两个放大器单独使用时,电压放大倍数分别为A v1、A v2,这两个放大器连成两级放大器后,总的放大倍数为A v,A v= A v1+A v2。 (10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流极小;当反向电压大于反向击穿电压后,反向电流会迅速增大。 (1)当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是( )。 A.少数载流子 B.多数载流子 C.既有少数载流子又有多数载流子 (2)在共发射极单管低频电压放大电路中,输出电压应视为( )。 A.v o=i c R c B.v o=-R c i c C.v o=-I c R c (3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拔到( )。 A.R×100Ω或R×1000Ω挡 B.R×1Ω C.R×10KΩ挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门槛电压时,则晶体二极管相当于()。 A.大电阻 B.断开的开关 C.接通的开关 (5)晶体三极管工作在饱和状态时,它的I C将( )。 A.随I B增加而增加 B.随I B增加而减小 C.与I B无关,只决定于R C和V G (6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。 A.同相位 B.相位差90° C.相位差180° (7)NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管( )。 A.基极电流不变; B.集电极对发射极电压V CE下降; C.集电极对发射极电压V CE上升 (8)当晶体三极管发射结反偏时,则晶体三极管的集电极电流将( )。 A.增大 B.反向 C.中断 (9)在基本放大电路中,基极电阻R B的作用是( )。 A.放大电流 B.调节偏置电流I BQ C.把放大了的电流转换成电压; D.防止输入信导被短路。 (10)三极管的两个PN结都反偏时,则三极管所处的状态是()。 A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 三.填充题(2’×10) (1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________,△I C/△I B的比值叫____________________。 (2)PN结具有____________________性能,即:加____________________电压时PN结导通;加_______________电压时PN结截止。 (3)当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为_________V,锗二极管的正向压降为__________V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体,集电区是____________型半导体,基区是____________型半导体。 (5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________,并且出现__________________的现象,称为热击穿。 (6)某固定偏置放大器中,实测得三极管集电极电位V C≈V G,则该放大器的三极管处于________________________工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大,由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________,所以热稳定性____________三极管较好。

非线性电子线路

课号: 课程名称:非线性电子线路Non-Linear Electronics Circuit 学时:72 学分:4 预修课程:电路理论,线性电子线路 适用学科方向:电子工程、电子科学与技术 本课程是高等院校电子类系必修之专业基础课,旨在让学生掌握电子器件在大信号作用下所表现出的特有的物理效应及其应用电路分析、设计的基本方法和技巧,为今后工作和深造打下基础。 本课程系统介绍了非线性电子线路的一些基本概念,着重介绍非线性器件在不同应用条件下的数学模型、分析方法以及各种由非线性器件构成的功能电路如振荡电路、幅度调制器、调频电路、混频器和检波器、鉴频器等。 教学重点:正弦振荡器;幅度检波;直接调频和鉴频电路。 教学难点:工程近似分析法。 第一章概述(4学时) 第一节非线性器件定义(1学时) 第二节非线性器件的频率变换作用(1学时) 第三节非线性器件应用简介(2学时) 第二章非线性器件分析方法(10学时) 第一节非线性电阻分析方法(6学时) 第二节线性电抗与非线性电阻组合电路分析方法(4学时) 第三章谐振功率放大器(8学时) 第一节概述(1学时) 第二节谐振功率放大器折线化分析及结论(3学时) 第三节谐振功率放大器的负载特性、调制特性和放大特性(4学时) 第四章正弦振荡器(14学时) 第一节基本原理(6学时) 第二节LC正弦振荡器电路分析及性能比较(2学时) 第三节负阻振荡器(2学时) 第四节石英晶体振荡器(4学时)

第五章模拟乘法器(4学时) 第一节宽带模拟乘法器(2学时) 第二节窄带模拟乘法器(2学时) 第六章幅度调制和解调(10学时) 第一节幅度调制原理(2学时) 第二节调幅电路(4学时) 第三节调幅波的解调-检波(4学时) 第七章混频(8学时) 第一节混频原理(2学时) 第二节混频电路与分析(2学时) 第三节混频干扰(2学时) 第四节参量电路与参量混频简介(2学时)第八章调频与鉴频(14学时) 第一节基本概念(2学时) 第二节调频信号的传输(2学时) 第三节调频信号的产生(4学时) 第四节调频信号的解调(6学时)

高频电子电路期末考试试题

电子信息科学与技术专业(本)2007级 《高频电子电路》试卷(A ) 一、填空题(每空1.5分,共30分) 1.无线电通信中信号是以 形式发射出去的。它的调制方式有 、 、 。 2.二极管峰值包络检波器的工作原理是利用 和RC 网络 特性工作的。 3.已知LC 回路并联回路的电感L 在谐振频率f 0=30MHz 时测得L =1H μ,Q 0=100,则谐振时的电容C= pF 和并联谐振电阻R P = Ωk 。 4.谐振回路的品质因数Q 愈大,通频带愈 ;选择性愈 。 5.载波功率为100W ,当m a =1时,调幅波总功率和边频功率分别为 和 。 6.某调谐功率放大器,已知V CC =24V ,P 0=5W ,则当%60=c η,=C P ,I CO = ,若P 0保持不变,将c η提高到80%,P c 减小 。 7.功率放大器的分类,当θ2= 时为甲类,当θ2= 时为乙类;当θ< 为丙类。 8.某调频信号,调制信号频率为400Hz ,振幅为2V ,调制指数为30,频偏Δf = 。当调制信号频率减小为200Hz ,同时振幅上升为3V 时,调制指数变为 。 二、选择题(每题2分,共20分) 1.下列哪种信号携带有调制信号的信息( ) A.载波信号 B.本振信号 C.已调波信号 D.高频振荡信号 2.设AM 广播电台允许占有的频带为15kHz ,则调制信号的最高频率不得超过( ) A.30kHz B.7.5kHz C.15kHz D.不能确定 3.设计一个频率稳定度高且可调的振荡器,通常采用( ) A.晶体振荡器 B.变压器耦合振荡器 C.RC 相移振荡器 D.席勒振荡器 4.在调谐放大器的LC 回路两端并上一个电阻R ,可以( ) A.提高回路的Q 值 B.提高谐振频率 C.加宽通频带 D.减小通频带 5.二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调( ) A.单边带调幅波 B.抑制载波双边带调幅波 C.普通调幅波 D.残留边带调幅波 6.下列表述正确的是( ) A.高频功率放大器只能位于接收系统中 B.高频功率振荡器只能位于接收系统中

(电子行业企业管理)高频电子线路期末试题答案

一、选择题(每小题2分、共30分)将一个正确选项前的字母填在括号内 1.在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R,可以( C ) A.提高回路的Q值B.提高谐振频率C.加宽通频带D.减小通频带 2.在自激振荡电路中,下列哪种说法是正确的(C) A.LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波B.石英晶体振荡器不能产生正弦波 C.电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大D.电容三点式振荡器的振荡频率做不高 3.试用自激振荡的相位条件判别下图能产生自激振荡的电路(D) A B C D 4.若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt,则调频波的表达式为( A ) A.u FM(t)=U C cos(ωC t+m f sinΩt)B.u FM(t)=U C cos(ωC t+m p cosΩt) C.u FM(t)=U C(1+m p cosΩt)cosωC t D.u FM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt 5.某超外差接收机的中频为465kHz,当接收931kHz的信号时,还收到1kHz的干扰信号,此干扰为( A ) A.干扰哨声B.中频干扰 C.镜像干扰D.交调干扰 5.同步检波器要求接收端载波与发端载波( C )A.频率相同、幅度相同B.相位相同、幅度相同 C.频率相同、相位相同D.频率相同、相位相同、幅度相同 7.属于频谱的线性搬移过程的有(A)A.振幅调制B.频率调制C.相位调制D.角度解调 8.变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变化指数γ 为(C) A.1/3 B.1/2 C.2 D.4 9.某单频调制的普通调幅波的最大振幅为10v,最小振幅为6v,则调幅系数m a为(C) A.0.6 B.0.4 C.0.25 D.0.1 10.利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是(B) A.f=fs时,石英晶体呈感性,可构成串联型晶体振荡器 B.f=fs时,石英晶体呈阻性,可构成串联型晶体振荡器 C.fs

非线性电子线路期末试卷A08

莆田学院期末考试试卷 (A )卷 2010 — 2011 学年第 一 学期 课程名称: 非线性电子线路 适用年级/专业: 08/通信 试卷类别 开卷( ) 闭卷(√) 学历层次 本科 考试用时 120分钟 《.考生..注意:答案要全部抄到答题纸上,做在试卷上不给分.......................》. 一、填空题(每空2分,共26分) 1.混频电路中存在着多种失真,如: ① 、寄生通道干扰、交调失真、互调失真;寄生通道干扰中有两个最强的干扰,它们是: ② 和中频干扰。 2.下图为某二极管电路,已知已调信号为V SS ,本振信号为V LS ,I 端为信号的输出端,则可判断得该电路实现的功能为 ① ,若输出电流表达式为 ....]3cos 34 cos 4[2cos 2+-+- =t t R R t V i L L D L c sm O ωπ ωπω,且令C L I ωωω-=,可推算得中 频电流的幅值= ② 。 3.下图(a)为调制信号的频谱图,采用两种不同的调制方式后获得的已调信号的频谱图如图(b )、(c )所示,根据频谱结构可判断得(b )图采用的调制方式是: ① ,(c )图采用的调制方式是: ② 。 (a) (b) (c)

4.右图为某三点式振荡电路,其中C C 、 C B 、C E 的容量较大,那么根据三点 式振荡电路的组成原则可判定该电路 为①三点式振荡电路,其产 生的正弦波的频率计算式为②。 5.右图为二极管包络检波电路的示意图, 若要实现正常的检波,除了对电路中 的元件参数有要求外,V S (t)只能是 ①波,若V S (t)为平衡调幅波, 为了能够实现检波,必须加入一个与 已调信号载频②的参考信号。 6.下图为某已调波的波形图以及解调情况示意图,根据波形可判断该已调信号为 ①;若解调后的包络如图中的锯齿 状波形所示,说明出现了②失真, 为避免该失真的出现对检波电容C和负载电 阻R L 的取值要求是:R L C ③。 二、单项选择题(每小题3分,共24分)。 1.图示为谐振功放功率管集电极的电流波形,已知电流脉冲中的I C0 =32mA I C1m =54mA,且负载上的基波电压幅值Vc 1m =11V, 电源电压V CC =12V,那么可推算得 该功率放大器的效率约为______ 。 A. % B. % C. % D. % 2.在功率合成电路中,对隔离条件含义描述错误的是______ 。 A. 必须采用类似屏蔽等措施把两个功率源隔开 B. 当其中一个功率源发生故障时不会影响到另外一个功率源 C. 功率合成电路不同,隔离条件也可能随之发生变化 D. 同相功率合成端和反向功率合成端的负载电阻取值要满足特定关系 3.混频电路是超外差式接收机不可缺少的组成部分,其功能是______ 。

(完整版)中二电子线路期末试卷

合肥市电子学校2008-2009学年度第一学期《电子线路》期终考试 试题 班级姓名成绩 一、填空题:(每空1分,共计20分) 1、三极管的特性曲线是指各电极间和电极之间的关系曲线。三极管的特性曲线常用的有 和两种曲线。 2、稳压管是利用二极管的反向特性,并用特殊工艺制造的硅半导体二极管。 3、自然界中的物质按其能力的强弱可分为 、和。 4、P型半导体,又称为半导体;N型半导体,又称 为半导体。 5、半导体三极管,又称为晶体管,简称。 6、根据反馈的效果可以区分反馈的,使放大电路净输入量的反馈称为正反馈,使放大电路净输入量的反馈称为负反馈。 7、由一个器件组成的简单放大电路,就是基本。 8、放大电路输入端未加信号的工作状态,简称静态。 二、选择题:(每题3分,共计30分) 1、如果二极管正、反向电阻都很大,则该二极管()。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 2、用万用表欧姆档测量小功率的二极管性能好坏时,应当把欧姆档拨到()。 A、R?100Ω或R?1kΩ档 B、R?1Ω档 C、R?10kΩ档 3、对于放大电路,所谓的开环是指( )。 A、无信号源 B、无反馈通路 C、无电源 D、无负载 4、放大电路的闭环是指()。 A、考虑信号源内阻 B、存在反馈通路 C、接入电源 D、接入负载 5、在输入量不变的情况下,若引入反馈后(),则说明引入的反馈是负反馈。 A、输入电阻增大 B、输出量增大 C、净输入量增大 D、净输入量减小 6、直流负反馈是指()。 A、直接耦合放大电路中所引入的负反馈

B、只有放大直流信号时才有的负反馈 C、在直流通路中的负反馈 7、交流负反馈是指()。 A、阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B、只有放大交流信号时才有的负反馈 C、在交流通路中的负反馈 8、为了稳定静态工作点,应引入()。 A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流负反馈和直流负反馈 9、如果二极管正、反向电阻都很小或为零,则该二极管()。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 10、晶体三极管处于饱和状态时,它的集电极电流将()。 A、随基极电流的增加而增加 B、随基极电流的增加而减小 D、与基极电流无关,只取决于V CC 和R C 三、简答题(每小题5分,共计20分) 1、两只硅稳压管的稳定电压分别为U Z1=7.5V,U Z2=3.2V,若把它们 串联起来,则可得到几种稳定电压?各为多少?若把它们并联起来呢? 2、放大电路产生零点漂移的主要原因是什么?采取何种方式克 服? 3、简要说明引入负反馈后,对放大器的性能有哪些影响?

高频电子线路复习考试题及答案

2013—2014学年第二学期《高频电路》期末考试题(A) 使用教材:主编《高频电子线路》、适用班级:电信12 (4、5、6)命题人: 一、填空题(每空1分,共X分) I. 调幅的几种调制方式是AM、DSB、SSB。 3 .集电极调幅,应使被调放大器工作于过压_______ 态。 5. 电容三点式振荡器的发射极至集电极之间的阻抗Z ee性质应为容性,发射极至基极之间的阻抗Z be性质应为容性,基极至集电极之间的阻抗Z eb性质应为感性。 6. 通常将携带有信息的电信号称为调制信号,未调制的高频振荡信号称为载 波,通过调制后的高频振荡信号称为已调波。 8?解调是调制的逆过程。振幅调制信号的解调电路称为振幅检波电路,它的作用是从高频已调信号中恢复出调制信号。 9. LC串联谐振回路品质因数(Q)下降,频带变宽,选择性变差。 10. 某高频功率放大器原来工作在临界状态,测得U em=22v , G=100mA , R P =100 Q, E e =24v,当放大器的负载阻抗R P变小时,则放大器的工作状态 过渡到欠压状态,回路两端电压U em将减小,若负载阻抗增加时,则工作状 态由临界过渡到过压状态,回路两端电压5m将增大。 II. 常用的混频电路有二极管混频、三极管混频和模拟乘法器混频等。 12. 调相时,最大相位偏移与调制信号幅度成正比。 13. 模拟乘法器的应用很广泛,主要可用来实现调幅、解调和混频等频谱搬移电路中。 14. 调频和调幅相比,调频的主要优点是抗干扰性强、频带宽和调频发射机的功率放大器的利用率高。 15. 谐振功率放大器的负载特性是当V cc、V BB、V b m等维持不变时,电流、电压、功率和效率等随电阻R p的增加而变化的特性。 16. 混频器按所用非线性器件的不同,可分为二极管混频器、三极管混频器

高频电子线路期末考试试卷及答案

班级: 学号: 姓名: 装 订 线 一、填空题:(20分)(每空1分) 1、某小信号放大器共有三级,每一级的电压增益为15dB, 则三级放大器的总电压增益为 。 2、实现调频的方法可分为 和 两大类。 3、集电极调幅电路应工作于 状态。某一集电极调幅电路,它的 载波输出功率为50W ,调幅指数为0.5,则它的集电极平均输出功率为 。 4、单向化是提高谐振放大器稳定性的措施之一,单向化的方法有 和 。 5、谐振动率放大器的动态特性不是一条直线,而是折线,求动态特性通常 可以 采用 法和 法。 6、在串联型晶体振荡器中,晶体等效为 ,在并联型晶体振荡器中,晶体等效为 。 7、高频振荡的振幅不变,其瞬时频率随调制信号线性关系变化,这样的已 调波称为 波,其逆过程为 。 8、反馈型LC 振荡器的起振条件是 ;平衡条件是 ;振荡器起振后由甲类工作状态逐渐向甲乙类、乙类或丙类过渡,最后工作于什么状态完全由 值来决定。 9、变频器的中频为S L I ωωω-=,若变频器的输入信号分别为 ()t m t U u f s sm s Ω+=sin cos ω和t U u s sm s )cos(Ω-=ω,则变频器的输出信号分 别为 和 。 10、变容二极管的结电容γ) 1(0 D r j j U u C C += 其中γ为变容二极管 的 ;变容二极管作为振荡回路总电容时,要实现线性调频,变容二极管的γ值应等于 。 二、单项选择题(10分)(每空1分) 1、具有抑制寄生调幅能力的鉴频器是 。 A. 比例鉴频器 B.相位鉴频器 C. 双失谐鉴频器 D.相移乘法鉴频器 2、图1是 电路的原理方框图。图中t t U u c m i Ω=cos cos ω;t u c ωcos 0= 图 1 A. 调幅 B. 混频 C. 同步检波 D. 鉴相 3、下面的几种频率变换电路中, 不是频谱的线性搬移。 A . 调频 B .调幅 C .变频 D . 包络检波 4、图2所示是一个正弦波振荡器的原理图,它属于 振荡器 。 图 2 本科生考试试卷(A) ( 2007-2008 年 第一 学期) 课程编号: 08010040 课程名称: 高频电子线路

电子电路基础期末试卷及参考答案

XX 中学XX 年XX 学期期末考试 电子电路基础试卷(XX 班) (试卷满分100分 考试时间120分钟) 班级 姓名 学号 得分 一、填空题(每空1分,共20分) 1.在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号;在时间上和数值上离散的信号叫做 数字 信号。 2.在正逻辑的约定下,“1”表示 高 电平,“0”表示 低 电平。 3.数字电路中,输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系,所以数字电路也称为 逻辑 电路。 4.在逻辑关系中,最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。 5.十进制数转换为八进制和十六进制时,应先转换成 二进 制。 6.最简与或表达式是指在表达式中 或项 最少,且 与项 也最少。 7.具有基本逻辑关系的电路称为 门电路 ,其中最基本的有 与门 、 或门 和非门。 8.两个与非门构成的基本RS 触发器的功能有 清零 、 置1 和 保持 。 9.组合逻辑电路的基本单元是 门电路 ,时序逻辑电路的基本单元是 触发器 。 二、选择题(每题2分,共30分) 1.逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为( B )。 A 、逻辑加 B 、逻辑乘 C 、逻辑非 2.十进制数100对应的二进制数为( C )。 A 、1011110 B 、1100010 C 、1100100 D 、11000100 3.和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是( B )。 A 、 B A + B 、B A ? C 、B B A +? D 、A B A + 4.数字电路中机器识别和常用的数制是( A )。 A 、二进制 B 、八进制 C 、十进制 D 、十六进制 5.所谓机器码是指( B )。 A 、计算机内采用的十六进制码 B 、符号位数码化了的二进制数码 C 、带有正负号的二进制数码 D 、八进制数 6.具有“有1出0、全0出1”功能的逻辑门是( B )。 A 、与非门 B 、或非门 C 、异或门 D 、同或门 7.下列各型号中属于优先编译码器是( C )。

电子线路非线性部分答案__习题解答

2-1 为什么谐振功率放大器能工作于丙类,而电阻性负载功率放大器不能工作于丙类? 解:因为谐振功放的输出负载为并联谐振回路,该回路具有选频特性,可从输出的余弦脉冲电流中选出基波分量,并在并联谐振回路上形成不失真的基波余弦电压,而电阻性输出负载不具备上述功能。 2-2 放大器工作于丙类比工作于甲、乙类有何优点?为什么?丙类工作的放大器适宜于放大哪些信号? 解:(1)丙类工作,管子导通时间短,瞬时功耗小,效率高。 (2) 丙类工作的放大器输出负载为并联谐振回路,具有选频滤波特性,保证了输出信号的不失真。 为此,丙类放大器只适宜于放大载波信号和高频窄带信号。 2-4 试证如图所示丁类谐振功率放大器的输出功率2)sat (CE CC L 2o )2(π2 V V R P -=,集电极 效率CC ) sat (CE CC C 2V V V -= η。已知V CC = 18 V ,V CE(sat) = 0.5 V ,R L = 50 Ω,试求放大器的P D 、 P o 和ηC 值。 解:(1) v A 为方波,按傅里叶级数展开,其中基波分量电压振幅。)2(π 2 )sat (CE CC cm V V V -=通过每管的电流为半个余弦波,余弦波幅度,)2(π2 )sat (CE CC L L cm cm V V R R V I -== 其中平均分量电流平均值 cm C0π 1I I = 所以 2)sat (CE CC L 2 cm cm o )2(π2 21V V R I V P -== )2(π2 )sat (CE CC CC L 2C0CC D V V V R I V P -== CC ) sat (CE CC D o C 2/V V V P P -= =η

《电子线路》期末考试

《电子线路》期末考试试卷 _____班姓名:学号:_____成绩:_________ 一、填空题(A卷、B卷的同学均要求做) 1、当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为 V,锗二极管 的正向压降为V。 2、用于放大____________或____________的放大器,称为直流放大器。 3、晶体三极管中有两个PN结,其中一个PN结叫做,另外一个叫 做。 4、若晶体三极管集电极输出电流Ic=9mA,该管的电流放大系数为β =50,则其输入电流I B=________。 5、对于一个晶体管放大器来说,一般希望其输入电阻要________些, 以减轻信号源的负担,输出电阻要________些,增大带动负载的能 力。 6、三极管起放大作用的外部条件是______________、______________。 7、在放大器中,字符I B表示_____________________________; 字符V i表示____________________________; 字符i E表示_____________________________。 8、某放大器由三级组成,每级的电压增益为15dB,则放大器的总增 益是_________。 9、某固定偏置放大器中,实测得三极管集电极电位V c=V G,则该放大 器的三极管处于__________工作状态。 10、差动放大器的两种输入方式为____________和____________。 11、差动放大器性能的好坏,应同时考虑它的____________和 ____________。 12、根据选频网络和反馈电路结构的不同,LC正弦波振荡器的三种基 本形式为____________、____________和____________。 13、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有____________类 功放、____________类功放和____________类功放电路。 14、功率放大器以输出终端特点分类有:____________功放、 ____________功放和____________功放电路。 15、CW7805的输出电压为____________。 二、选择题(A卷、B卷的同学均要求做) 1、在三极管放大电路中,三极管最高电位的一端是()。 A、NPN管的发射极 B、PNP管的发射极 C、PNP管的集电极 2、NPN型三极管放大器设置合适的静态工作点,以保证放大信号时, 三极管()。 A、发射极为反向偏置 B、集电极为正向偏置 C、始终工作在放大区 3、NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管

模拟电子线路期末考试题库

《模拟电子线路》题库 一、判断题(每题2分,共20分) 1、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。() 2、因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。() 3、稳压二极管在稳压工作时,只要反向击穿,不需要限流。() 4、N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。() 5、二极管的正向偏置电压升高时,其正向电阻增大。() 6、未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。() 7、运算放大电路中一般引入正反馈。() 8、凡是运算放大电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。() 9、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。() 10、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。() 11、晶体管的参数不随温度变化。() 12、放大电路没有直流偏置不能正常工作。() 13、多级放大电路总的电压放大倍数,等于各级空载电压放大倍数的乘积。() 14、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。() 15、放大电路在低频信号作用时,放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。 () 16、射极跟随器的放大倍数为1,因此在电路不起任何作用。() 17、多级放大电路的级数越多,其放大倍数越大,且其通频带越宽。() 18、理想运放的共模抑制比为无穷大。() 19、通用型集成运放的输入级采用差分放大电路,这是因为它的电压放大倍数大。 () 20、在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。() 21、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。() 22、负反馈放大电路可能产生自激振荡。() 23、电流负反馈既然稳定输出电流,那么必然稳定输出电压。() 24、若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。() 25、要稳定放大电路静态工作点,可以引入交流负反馈。() 26、在功率放大电路中,输出功率越大,功放管的管耗功率就越大。() 27、通常采用图解法分析功率放大电路。() 28、功率放大电路工作在大信号状态,要求输出功率大,且转换效率高。() 29、整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。() 30、直流电源是一种能量转换电路,它将交流能量转换为直流能量。() 二、填空题(每空1分,请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均不得分。共20分。) 1、稳压管稳压时是让其工作在状态,其两端电压基本维持。 2、为使运放电路稳定地工作在,应在电路中引入深度反馈。 3、工作在线性区的理想运算放大器,两个输入端的输入电流均约等于,称为虚。 4、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为-10V,-6V,-6.2V,则这

电子线路试题及答案

电工与电子技术试题 一、填空题(每空1分) 1、若各门电路的输入均为A和B,且A=0,B=1;则与非门的输出为_________,或非门 的输出为_________。 2、一个数字信号只有________种取值,分别表示为________ 和________ 。 3、模拟信号是在时间与幅值上________ 的,数字信号在时间与幅值上是________的。 4、根据逻辑功能的不同特点,逻辑电路可分为两大类: ________ 和________。 5、二进制数A=1011010;B=10111,则A-B=____。 6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的________ 有关,而与________ 无关。 7、将________变成________ 的过程叫整流。 8、在单相桥式整流电路中,如果负载平均电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是 ______A。 9、单相半波整流电路,已知变压器二次侧电压有效值为22V,负载电阻RL=10Ω,则整 流输出电压的平均值是______;流过二极管的平均电流是______;二极管承受的最高反向 电压是______。 10、三极管是________控制元件,场效应管是________控制元件。 11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为_______。 12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时,与之间的关系。 13、作放大作用时,场效应管应工作在区。 14、放大电路的静态工作点通常是指__、和_。 15、某三级放大电路中,测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是_。

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