第四章 模拟电路

第四章反馈放大电路习题

一、选择判断题：

1、对于放大电路，所谓开环是指_________。

A. 无负载

B. 无信号源

C. 无反馈通路

D. 无电源

2、所谓闭环是指_________。

A. 接入负载

B. 接入信号源

C. 有反馈通路

D. 接入电源

3、构成反馈通路的元件_________。

A. 只能是电阻

B. 只能是晶体管、集成运放等有源器件

C. 只能是无源器件器件

D. 可以是无源元件，也可以是有源器件

4、在反馈放大电路中，基本放大电路的输入信号称为_________信号，它不但决定于_________信号，还与反馈信号有关。而反馈网络的输出信号称为_________信号，它仅仅由_________信号决定。（请按顺序选择）

（1） A. 输入 B. 净输入 C. 反馈 D. 输出

（2） A. 输入 B. 净输入 C. 反馈 D. 输出

（3） A. 输入 B. 净输入 C. 反馈 D. 输出

（4） A. 输入 B. 净输入 C. 反馈 D. 输出

5、直流负反馈是指_________。

A. 只存在于直接耦合电路中的负反馈

B. 直流通路中的负反馈

C. 放大直流信号时才有的负反馈

D. 只存在于阻容耦合电路中的负反馈

6、交流负反馈是指_________。

A. 只存在于阻容耦合电路中的负反馈

B. 交流通路中的负反馈

C. 放大正弦信号时才有的负反馈

D. 变压器耦合电路中的反馈

7、在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入_________。

A. 交流负反馈和直流负反馈

B. 直流负反馈

C. 交流负反馈

D. 交流正反馈

8、在放大电路的输入量保持不变的情况下，若引入反馈后_________，则说明引入的反馈是负反馈。

A. 输出量增大

B. 净输入量增大

C. 净输入量减小

D. 反馈量增加

9、在反馈放大电路中，如果反馈信号和输出电压成正比，称为_________反馈。

A. 电流

B. 串联

C. 电压

D. 并联

10、在反馈放大电路中，如果反馈信号和输出电流成正比，称为_________反馈。

A. 电流

B. 串联

C. 电压

D. 并联

11、为了稳定放大电路的输出电压，应引入_________负反馈；为了稳定放大电路的输出电流，应引入_________负反馈。

1 A. 串联 B. 电压 C. 电流 D. 并联

2 A. 串联 B. 电压 C. 电流 D. 并联

12、电压串联负反馈放大电路的反馈系数称为_________反馈系数。

A. 电流

B. 互阻

C. 电压

D. 互导

13、电流串联负反馈放大电路的反馈系数称为_________反馈系数。

A. 电流

B. 互阻

C. 电压

D. 互导

14、F i是_________ 放大电路的反馈系数。

A. 电流串联负反馈

B. 电压串联负反馈

C. 电压并联负反馈

D. 电流并联负反馈

15、在深度负反馈下，闭环增益几乎与开环增益无关，因此可省去正向放大通道，只留下反馈网络，以获得稳定的闭环增益。

A. 正确

B. 错误

16、在深度负反馈下，闭环增益与管子的参数几乎无关，因此可任意选用管子组成放大电路。

A. 正确

B. 错误

17、负反馈放大电路的增益就是其闭环电压增益。

A. 正确

B. 错误

18、某负反馈放大电路的开环增益=10000,当反馈系数F =0.0004时,其闭环增益

_________。

A. 2500

B. 2000

C. 1000

D. 1500

19、在负反馈放大电路中，放大器的放大倍数越大，闭环放大倍数就越稳定。

A. 正确

B. 错误

20、若放大电路的负载固定，为使其电压增益稳定，可以引入电压负反馈，也可以引入电流负反馈

A. 正确

B. 错误

21、对于电压串联负反馈放大电路，是将_________的上限频率增大到开环上限频

率的倍；

A. B. C. D.

22、如果希望减小放大电路从信号源获取的电流，同时希望增加该电路的带负载能力，则应引入_________。

A. 电流串联负反馈

B. 电压串联负反馈

C. 电流并联负反馈

D. 电压并联负反馈

23、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够稳定输出电流。

A. 正确

B. 错误

24、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够稳定输出电压。

A. 正确

B. 错误

25、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够增加输出电阻。

A. 正确

B. 错误

26、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够减小输出电阻。

A. 正确

B. 错误

27、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够增加输入电阻。

A. 正确

B. 错误

28、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够减小输入电阻。

A. 正确

B. 错误

29、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够增大静态电流。

A. 正确

B. 错误

30、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够稳定静态电流。

A. 正确

B. 错误

31、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是_________。

A. B. C. D.

32、一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈，则_________。

A. 一定会产生高频自激振荡

B. 有可能产生高频自激振荡

C. 一定不会产生高频自激振荡

33、一个放大电路中只要引入负反馈，就一定能改善性能。

A. 正确

B. 错误

34、负反馈放大电路中越大，反馈就越深，所以放大电路的级数越多越好。

A. 正确

B. 错误

35、负反馈放大电路的反馈系数越大，越容易引起自激振荡。

A. 正确

B. 错误

36、当负反馈放大电路中的反馈量与净输入量之间满足的关系时，就产生自激振荡

A. 正确

B. 错误

37、直接耦合的放大电路在引入负反馈后不可能产生低频自激振荡，只可能产生高频自激振荡。

A. 正确

B. 错误

38．电压串联负反馈可以（）。

A．提高R i和R o B．提高R i降低R o

C．降低R i提高了R o D．降低R i和R o

39．为了稳定放大电路的输出电流，应引入（）负反馈。

A. 电压

B. 电流

C. 串联

D. 并联

40．电流串联负反馈可以（）

A.稳定输出电压并使R i增大

B.稳定输出电压并使R O增大

C.稳定输出电流并使R i增大

D.稳定输出电流并使R O增大

41．交流负反馈是指（）

A.直接耦合放大电路中引入的负反馈

B. 只有放大直流信号时才有的负反馈

C. 在交流通路中的负反馈

42．稳定放大电路的放大倍数（增益），应引入（）。

A. 直流负反馈

B. 交流负反馈

C. 正反馈

43．为了增大放大电路的输入电阻，应引入（）负反馈。

A. 电压

B. 电流

C. 串联

D. 并联

44．对于放大电路，所谓开环是指（）．

A. 无信号源

B. 无反馈通路

C.无电源

45．为了稳定放大电路的静态工作点，应引入（）。

A. 直流负反馈

B. 交流负反馈

C. 正反馈

46．对于放大电路，在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是正反馈．

A. 净输入量增大

B. 净输入量减小

C. 输入电阻增大

47．改变输入电阻和输出电阻，应引入（）。

A. 直流负反馈

B. 交流负反馈

C. 正反馈

二、判断下列图的反馈是何种反馈

1．

2．

三、指出图中都有何种反馈，并说出反馈类型1．

V CC

R L

f f

2.

R

v

I

四、已知如图，连出满足下列条件的反馈

1．能稳定输出电流，并使输入电阻增大； 2．直流的电流并联负反馈。

五、如图已知，求深度负反馈下大环的闭环增益。 R 2

V o

已知如图，图中由R f 和C f 组成了（ ）反馈，它的作用是稳定输出（ ）并使（ ）增加。若将反馈引回到A 点，则反馈变为（ ）反馈。

第七章反馈放大电路习题答案

一、选择:

1~3 C C D 4.B A C D 5~10 B B B C C A

11 BC 12~15 C BDB 16~20 B B B A B

21~30 B B B A B A A B B A 31~37 C C B B A A A 38~47 B B C C B C B A A B

二、1．电压串联负反馈

2．电压并联负反馈

三、

1．本级反馈：

R e1：第一级的直流的电流串联负反馈

R e2：第二级的交、直流的电流串联负反馈

级间反馈：

R f1、C f ：交流的电流并联负反馈

2．本级反馈：

第一级的电压串联负反馈

第二级的电压并联负反馈

级间反馈：电压并联负反馈

五、解：

所以闭环电压增益为：

六、解: 电压串联负反馈 电压 输入电阻增大 电压并联正反馈

f

i V V =o38

78f V R R R V ?+=o3

6

55p

V R R R V ?+=o

4

34p

V R R R V ?+

=o

f V V V F =878565434

R R R R R R R R R +?

+?+=i o VF V V A =V

1F ≈865487543)()()(R R R R R R R R R +++=

模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析

1半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 （A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电

压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 （ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。

模拟电子技术基础第10章习题题解

第十章直流电源 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”“×”表示判断结果填入空内。 （1）直流电源是一种将正弦 信号转换为直流信号的 波形变换电路。 （） （2）直流电源是一种能量转 换电路，它将交流能量转 换为直流能量。 （） （3）在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。（） 因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。（） （4）若U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为 2 2U。（）（5）当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。（） （6）一般情况下，开关型稳压 电路比线性稳压电路效率高。 （） 解：（1）×（2）√（3） √×（4）√（5）× （6）√ 二、在图10.3.1（a）中，已知变压器副边电压有效值U2为10V， 2 3T C R L （T为电网电压的周期）。测得输出电压平均值U O（AV）可能的数值为 A. 14V B. 12V C. 9V D. 4.5V 选择合适答案填入空内。 （1）正常情况U O（AV）≈； （2）电容虚焊时U O（AV） ≈； （3）负载电阻开路时U O（AV） ≈； （4）一只整流管和滤波电容同 时开路，U O（AV）≈。 解：（1）B （2）C （3）A （4）D 三、填空： 图T10.3 在图T10.3所示电路中，调整管

为 ，采样电路由 组成，基准电压电路由 组成， 比较放大电路由 组成， 保护电路由 组成；输出电压最小值的表达式为 ，最大值的表达式为 。 解：T 1，R 1、R 2、R 3，R 、D Z ，T 2、R c ，R 0、T 3； ) ( )(BE2Z 33 21BE2Z 32321U U R R R R U U R R R R R +++++++，。 四、在图T10.4所示稳压电路中，已知稳压管的稳定电压U Z 为6V ，最小稳定电流I Z m i n 为5mA ，最大稳 定电流I Z ma x 为40mA ；输入电压U I 为15V ，波动范围为±10％；限流电阻R 为200Ω。 图T10.4 （1）电路是否能空载？为什么？ （2）作为稳压电路的指标，负载电流I L 的范围为多少？ 解：（1）由于空载时稳压管流过的最大电流 mA 40mA 5.52max Z Z ax Im max max D Z ==-= =I R U U I I R ＞ 所以电路不能空载。 （ 2 ） 根 据 m ax L Im in m in D Z I R U U I Z --= ，负载 电流的最大值 mA 5.32m in D Im in m ax L Z =--= I R U U I Z 根 据 m in L Im ax m ax D Z I R U U I Z --= ，负载电 流的最小值 mA 5.12m ax D Im ax m in L Z =--= I R U U I Z 所以，负载电流的范围为12.5～32.5mA 。 五、在图10.5.24所示电路中，已知输出电压的最大值U O ma x 为25V ，R 1＝240Ω；W117的输出端和调整端间的电压U R ＝1.25V ，允许加在输入端和输出端的电压为3～40V 。试求解： （1）输出电压的最小值U O m i n ；

模拟电子电路基础答案第四章答案

简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别：对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人，栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs，那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为当咲?定，而l，SD持续增人时，则相应的1&；减小，近漏极端的沟道深度进-步减小，直至沟道预夹断，进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化，而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流： (1)Ks = 5V且仏二IV： (2)= 2V 且仏二： (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V；, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7；［(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V；, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区，咕=0 (4)根据条件匕2?，%>(沧一?)，该场效应管工作在饱和区B =4；学(心 -％)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确宦夹断电压或开启电压值。

模拟电子技术基础第一章答案

1.3电路如图所示，已知i 5sin (V)u t ω=，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u i 与u o 的波形，并标出幅值。 解：当i 3.7u ≥V 时，D 1导通，将u o 钳位在3.7V ； 当i 3.7u

Imax Z L Zmax Z (/)(6/0.525)1643V U U R I R U =++=+?+= 故23V 稳压管将因功耗过大而损坏。 1.7电路如图所示，发光二极管导通电压UD=1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。试问： （1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R 的取值范围是多少？ 解：（1）S 闭合时发光二极管才有正向电流，也才有可能发光。 （2）发光二极管的正向电流过小将不发光，过大将可能损坏。R 是限流电阻，其取值应保证发光二极管既发光又不至于损坏。因此，R 的范围为 min D Dmax ()/233R V U I =-≈Ω max D Dmin ()/700R V U I =-=Ω 即233700R Ω< <Ω 1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

第十章电子线路 模拟电路部分

第十章电子线路模拟电路部分 1 . 对于不加续流二极管的带电感性负载的单相半波可控整流电路，它的缺点是A.可控硅承受反向电压时将继续导通B.可控硅易损坏C.当可控硅承受反向电压时将关断D.可控硅损耗电能大答案： 2 . 具有体积小、重量轻、方向性好，并可耐各种恶劣条件，比如可以泡放在水中等优点，被人们称为21世纪最理想的照明方案，常用到手电筒、手机等照明的灯具是 A.高压钠灯 B.碘钨灯 C.白炽灯 D.LED灯答案： 3 . PN结具有A.导电性 B.绝缘性 C.单向导电性 D.双向导电性答案： 4 . 通用示波器由Y轴偏转系统、( )偏转系统、显示器、电源系统、辅助电路五部分组成。 A.垂直 B.中心 C.方向 D.X轴答案： 5. 半导体稳压管的稳压作用是利用A.PN结单向导电性实现的 B.PN结的反向击穿特性实现的C.PN结的正向导通特性实现的 D.PN结的反向截止特性实现的答案： 6 . 二极管导通时两端所加的电压是A.正向偏置电压B.反向偏置电压C.反向击穿电压D.无法确定 7 . 增加二极管两端的反向偏置电压，在未达到（）电压前，二极管通过的电流很小。 A.击穿 B.最大 C.短路 D.最小答案： 8. PN结正向偏置时A.扩散电流大于漂移电流B.漂移电流大于扩散电流C.扩散电流等于漂移电流D.扩散电流很小答案： 9 . 当二极管导通后参加导电的是A.多数载流子B.少数载流子C.多数载流子和少数载流子 D.共价键中的价电子答案： 10 . PN结反向偏置时A.多子的扩散电流大于少子的漂移电流B. 少子的漂移电流大于多子的扩散电流C.多子的扩散电流等于少子的漂移电流D.无法确定答案： 11 . 面接触型二极管通常适用于A.高频检波B.大功率整流C.大电流开关D.小功率整流答案： 12 . 用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1kΩ,说明该二极管A.已经击穿 B.完好状态 C.内部老化不通 D.无法判断答案： 13 . 具有单向导电性的元器件是A.电阻B.电感C.电容D.二极管答案： 14 . 如果测得二极管的正反向电阻都很大，则该管A.正常B.已被击穿C.内部断路D.内部短路答案： 15 . 掺杂半导体中多数载流子的浓度A.高于本征半导体中载流子的浓度B.低于本征半导体中载流子的浓度C.等于本征半导体中载流子的浓度D.无法确定答案： 16 . 用于直流稳压电源中滤波的是A.云母电容器B.陶瓷电容器C.电解电容器D.可变电容器答案： 17. 半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的A.性能参数B.转移特性C.内部性能D.特性曲线答案： 18. 硅二极管的正向导通压降约为A.0.7V B.0.5V C.0.3V D.0.2V答案： 19 . 在反向击穿前，二极管的反向漏电流随着反向电压的增大而 A.明显增大 B.基本不变 C.迅速减小 D.不能确定答案： 20. 下列所示四只硅二极管中，处于导通状态的二极管是A.B.C.D.答案： 21. 关于二极管正确的说法是A.检波二极管：电流小，结电容小，主要用在在小信号、高频率的电路中B.发光二极管：和普通二极管类似，也具有单向导电性，发光响应速度可快到几十纳秒，颜色和外形种类很多 C.稳压二极管：属于硅管，在反向击穿区具有极陡的击穿曲线，在很大的电流变化范围内，只有极小的电压变化D.硅整流二极管：电源电路上做整流元件，还可以灵活的构成限幅、钳位、抑制反向电动势等答案： 22 . 下列符号中，不是二极管的有A.B.C.D.答案： 23 . 二极管整流电路的类型有A.半波整流电路B.全波整流电路C.桥式全波整流电路 D.光电耦合驱动电路答案： 24 . 电容滤波和电感滤波分别适用于（）、（）场合。A.小电流B.大电流C.小电压 D.大电压答案： 25. 属于滤波电路的是A.低通滤波B.中通滤波C.高通滤波D.带通滤波答案： 26 . 关于整流电路，正确的说法是A.半波整流B.全波整流C.单波整流D.单相逆变答案： 27. 关于滤波电路正确的说法是A.滤波电路常用于滤去整流输出电压中的纹波B.一般由电抗元件组成C.分为无源滤波和有源滤波两大类D.滤波电路作用是尽可能减小脉动的直流电

模拟电路第二章

第二章 2—4、二极管电路如图题2.4所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出各电路的输出 电压V 0，设二极管的导通压降为0.7V 。 解： 二极管导通 V V 7.50-= 二极管VD 1导通，二极管VD 2截止。 V V 7.00-= 2—5、电路如图题2.5所示，图中二极管是理想的，设输入电压t sin u i ω10=(V)时，试画出) t (u 0的波形。 V /u -10

2—6、硅二极管限幅电路如图题2.6(a)所示，当输入波形i u 如图题2.6(b)所示时，画出输出电压0 u 的波形。 2—7、（1）已知两只硅稳压管的稳压值分别为8V 和6V ，当将它们串联或并联使用时可以得到几 种不同的稳压值？ （2）稳压值为6V 的稳压管接成如题图2.7所示电路，R 1=4K Ω，在下面四种情况下确定 V 0的值。a ）V i =12V ， R 2=8K Ω；b ）V i =12V ， R 2=4K Ω；c ）V i =24V ， R 2=2K Ω；d ）V i =24V ， R 2=1K Ω。 V /u V / -0u

解：（1）串联使用时可以得到：8+6=14V ；8+0.7=8.7V ；6+0.7=6.7V ；0.7+0.7=1.4V （2）a)V 0=6V ； b)V 0=6V ； c)V 0=6V ； d)V 0=4.8V ； 2—8、在下列几种情况下求输出端F 的点位V F 以及电路各元件中流过的电流：（1）V A =V B =0V ； （2）V A =+3V ,V B =0V （3）V A =V B =+3V 。二极管的正向电压忽略不计。 解：(1) V A =V B =0V 时，两个二极管均导通。V F =0V mA 0839312..I R ≈= mA .I I I R VDB VDA 5412 1=== （2）V A =+3V ,V B =0V 时，VD A 截止，VD B 导通。 V F =0V mA 0839312..I I DB V R ≈= = 0=VDA I （3）V A =V B =+3V 时，两个二极管均导通。V F =3V mA 31293312..I R ≈-= mA .I I I R VDB VDA 1512 1=== 2—11、在晶体管放大电路中测得晶体管3个电极的电位如图题2.11所示，试判断晶体管的类型、 材料，并区分a 、b 、c 三个极。 为PNP 型Ge 管 2—12、某个晶体管的参数如下：V V ,mA I ,mW P CEO )ER (CM CM 1520100 ===，问下列哪种情况下晶体管可以正常工作？ （1）mA I ,V V C CE 103==；（2）mA I ,V V C CE 402==；（3）mA I ,V V C CE 206== 解：（1）可以正常工作。（2）CM C I I >不能正常工作。（3）CM C P P >不能正常工作。 （集电极） （发射极） （基极）

模拟电子技术第一章 习题与答案

第一章习题与答案 1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？ 答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。 2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？ 答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。 3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？ 答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。 4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？ 答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。而普通二极管反向击穿后就损坏了。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。 5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？ 答： 正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。 反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 6.三极管具有放大作用的内部条件和外部条件各是什么？ 答：内部条件：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 7.三极管有哪些工作状态？各有什么特点？ 答：三极管输出特性曲线可以分为三个区，即三极管有三种工作状态。 （1）放大区（放大状态）。即三极管静态时工作在放大区（处于放大状态），发射结必

模拟电路第四章课后习题测验答案

第四章 习题与思考题 ◆◆ 习题 4-1 在图P4-1所示互补对称电路中，已知V CC 为6V ，R L 为8Ω，假设三极管的饱和管压降U CES ＝1V ， ① 试估算电路的最大输出功率P om ； ② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。 解：① W W R U V P L cem CC om 563.18 2)16(2)(2 2≈?-=-= 如忽略U CES ，则 W W R V P L CC om 25.28 2622 2=?=≈ ② W W R V P L CC V 865.28 6222 2≈??=≈ππ %55.54865 .2563.1≈==V om P P η 如忽略U CES ，则%53.78865.225.2≈== V om P P η 此题的意图是理解OCL 互补对称放大电路的P om 和P V 的估算方法。 ◆◆ 习题 4-2 在图P4-1所示的电路中： ① 三极管的最大功耗等于多少？ ② 流过三极管的最大集电极电流等于多少？ ③ 三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少? ④ 为了在负载上得到最大输出功率P om ，输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？ 解：① W W P P om CM 45.025.22.02.0=?=> ② A A R V I L CC CM 75.08 6==> ③ V V V U CC CEO BR 12622)(=?=> ④ 因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态，1≈u A ，而略小于1，故V V V U U CC cem i 24.426 22≈=≈≈。 本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。

模拟电子电路基础答案(胡飞跃)第四章答案

4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 1W i k v V v v ??'=--???? =1.75mA (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 1W i k v V '=-=4mA 4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。

模拟电子技术基础 第二章练习题

注意：答案仅供参考！ 一、填空题 1. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。 2. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。 3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大 ；若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小 。 4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。 5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。 6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。 7.对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω，V BE =0.7V ，V CE （sat ）=0.3V,当β=50，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.1mA ，管压降V CEQ = 3.2V ；若换上一个当β=80，静态电流I BQ = 22μ A ，I CQ = 1.46mA ，管压降V CEQ = 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。 8.对于下图所示电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0.7V ，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = 282.5 k Ω ，R C = 4 k Ω 。

9.对于下图所示电路，已知V CC =12V，R b1 =27 kΩ，R c =2 kΩ,R e =1 kΩ,V BE =0.7V, 现要求静态电流I CQ =3mA，则R b2 = 12 kΩ。 10.已知图示的放大电路中的三级管β=40，V BE=0.7V，稳压管的稳定电压V Z=6V， 则静态电流I BQ = 0.275mA ，I CQ = 11mA ，管压降V CEQ = 3V 。 11. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增 大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。 12.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真，失真的主要原因是由于 夏天室温升高后，三级管的 I CBO 、 V BE 和β三个参数的变化，引起工 作点上移；输出波形幅度增大，则是因为β参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。

电路与模拟电子技术基础课后练习第一章答案

第1章直流电路习题解答 1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。 图1.1 习题1.1电路图 解 W 5.45.131=?=P （吸收） ；W 5.15.032=?=P （吸收） W 15353-=?-=P （产生） ；W 5154=?=P （吸收）； W 4225=?=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。 1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。 图1.2 习题1.2电路图 解 A 2=I ； V 13335=+-=I I U 电流源功率：W 2621-=?-=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。 电压源功率：W 632-=?-=I P （产生），即电压源产生功率W 6。 1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。 图1.3 习题1.3电路图

解 A 1231=-=I ;A 1322-=-=I 由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。 图1.4 习题1.4电路图 解 V 8.139 66 518ab -=?++ +?-=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。 图1.5 习题1.5电路图 解 A 71 5 2)32(232=?+-?+-=I V 221021425)32(22S =+-=?+-?+=I U 1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。 图1.6 习题1.6电路图 解 A 213=-=I ；A 31X -=--=I I ; V 155X -=?=I U V 253245X X -=?--?=I U

模拟电子电路基础答案第四章答案

简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '=?50μA/V 2，V t ?=?1V ，以及W /L ?=?10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS?=?5V 且V DS?=?1V ； （2）V GS?=?2V 且V DS?=?； （3）V GS?=?且V DS?=?； （4）V GS?=?V DS?=?5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ??'=--???? = (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-= (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=4mA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。 图题 图（a ）P 沟道耗尽型 图 (b) P 沟道增强型 一个NMOS 晶体管有V t?=?1V 。当V GS?=?2V 时，求得电阻r DS 为1k?。为了使r DS?=?500?，则V GS 为多少？当晶体管的W 为原W 的二分之一时，求其相应的电阻值。 解：由题目可知，该晶体管工作在变阻区，则有()D n GS t DS W i k v V v L '≈- ()n GS t 1DS DS D v r i W k v V L =≈'-

第2章 模拟电路实验

第2章 模拟电子技术实验 实验2.1 电压放大电路 1. 实验目的 （1）掌握共发射极放大电路的参数对放大电路性能的影响。 （2）学习调整交流电压放大电路的静态工作点、测量电压放大倍数。 （3）熟悉数字存储示波器、交流毫伏表的使用方法。 2. 实验预习要求 （1）如何调整放大电路的静态工作点？放大电路电压放大倍数与哪些因素有关？ （2）放大电路输出信号波形在哪些情况下可能产生失真？应如何消除失真？ 3. 实验仪器与设备 （1）仪器设备 （2）实验板介绍 图2.1.1是放大电路实验板的印制电路，它由三个单级放大电路组成： T 1管与其周围元件可以组成一级固定偏置或分压式偏置共发射极放大电路，T 2管构成一级分压式偏置、并带有电流负反馈的共发射极放大电路，T 3管构成一级射极输出器。 第一级放大电路有两个独立的集电极电阻R C1 = 3k Ω、C1R '= 1.5k Ω，发射极电阻由E1 R '和 R E1串联构成，旁路电容C E1用来控制是否引入交流电流负反馈及控制反馈深度。 三级放大电路的上偏置电阻R B11、R B21、R B31，都是由一个固定的10 k Ω电阻串联一个电位器构成。调节各电位器，可为各级放大电路设定合适的静态工作点。 每一级放大电路相互独立，可根据需要灵活组成单级或多级阻容耦合放大电路。射极输出器既可接在末级，也可接在第一级，或作为中间级，只要改变实验板上的接线即可。 实验板上“＋12V ”用来接直流电源，“输入u i ”用来外接输入信号，“输出u o ”是放大电路的输出端。每级放大电路还有各自独立的输出端u o1、u o2、u o3。实验板的印制电路已将几个“地”端固定连接在一起（电子实验要求整个实验系统共地）。 另外实验板还设有几个专用电阻供实验时使用。R L = 3k Ω可作为放大电路的外接负载。R F = 39k Ω为反馈电阻，当需要引入级间电压负反馈时，可将M 点与u o2、M '点与T 1的发射极e 1分别相连。R S = 3 k Ω可视为信号源的内阻，利用R S 可测量放大电路的输入阻抗。

模拟电子技术第十章习题解答

习题 题10-1 在图P10-1所示的单相桥式整流电路中，已知变压器副边电压U2＝10V(有效值)： 图P10-1 ②工作时，直流输出电压U O(A V)=? ②如果二极管VD1虚焊，将会出现什么现象？ ③如果VD1极性接反，又可能出现什么问题？ ④如果四个二极管全部接反，则直流输出电压U O(A V)=? 解：①正常时工作时，直流输出电压U O(A V)=0.9 U2=9V ②如果二极管VD1虚焊，将成为半波整流U O(A V)=0.45 U2=4.5V ③如果VD1极性接反，U2负半周VD1、VD3导通，负载短路，产生极大的电流，造成二极管和变压器烧毁。 ③如果四只二极管全部接反，则直流输出电压U O(A V)=－9V。 题10-2图P10-2是能输出两种整流电压的桥式整流电路。 （1）试分析各个二极管的导电情况，在图上标出直流输出电压U O(A V)1和U O(A V)2对地的极性，并计算当U21=U22=20V(有效值)时，U O(A V)1和U O(A V)2各为多少？（2）如果U21=22V，U22=18V，则U O(A V)1和U O(A V)2各为多少？ （3）在后一种情况下，画出u o1和u o2的波形并估算各个二极管的最大反向峰值电压将各为多少？ 图P10-2

解：（1）均为上“+”、下“-”。即U O(A V)1对地为正，U O(A V)2对地为负。 均为全波整流。 U O(A V)1和U O(A V)2为：U O(A V)1=-U O(A V)2≈0.9U 21=0.9*20=18V （2）如果U 21=22V ，U 22=18V ，则U O(A V)1和U O(A V)2为 U O(A V)1= -U O(A V)2≈0.45U 21+0.45 U 22=18V 。 （3）波形图如下： 题10-3 试分析在下列几种情况下，应该选用哪一种滤波电路比较合适。 ①负载电阻为1Ω，电流为10A ，要求S ＝10%； ②负载电阻为1k Ω，电流为10mA,要求S =0.1%； ③负载电阻从20Ω变到100Ω，要求S =1%，输出电压U O(A V)变化不超过20%； ④负载电阻100Ω可调，电流从零变到1A ，要求S =1%，希望U 2尽可能低。 解：①电感滤波；②电容滤波或RC π型滤波；③LC 滤波；④LC π型滤波 题10-4在桥式整流电容滤波电路中，U 2=20V(有效值)，R L =40Ω，C =1000μF 。试问： ①正常时U O(A V)=? ②如果电路中有一个二极管开路，U O(A V)是否为正常值的一半？ ③如果测得U O(A V)为下列数值，可能出了什么故障： (a) U O(A V)=18V ；(b) U O(A V)=28V ；(c) U O(A V)=9V 。 解：①3L (4010)s 0.04s R C -=?=，而 0.02s 0.01s 22T ==，所以满足条件L (3~5)2 T R C ≥，所以U O(A V)=1.2U 2=1.2*20=24V; ②若一只二极管开路，电路成为半波整流，此时U O(A V)比正常值的一半要多 。 ③(a) U O(A V)=18V ，电容开路，无滤波作用；(b) U O(A V)=28V ，负载开路；

模拟电子技术基础第四版童诗白)课后答案第十章

第10章 直流电源 自测题 一.判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入括号内。 (1)直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。( × ) (2)直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。( √ ) (3)在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。( √ )；因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。( × ) (4)若2U 为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电 2。( √ ) (5)当输入电压U I 和负载电流I L 变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。( × ) (6)一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路效率高。( √ ) 二、在图10.3.l (a)中，已知变压器副边电压有效值U 2为10V , 32 L T R C (T 为电网电压的周期)。测得输出电压平均值()O AV U 可能的数值为 A . 14V B . 12V C . 9V D . 4.5V 选择合适答案填入空内。 (1)正常情况()O AV U ≈( B )； (2)电容虚焊时()O AV U ≈( C )； (3)负载电阻开路时()O AV U ≈( A )； (4)一只整流管和滤波电容同时开路，()O AV U ≈( D )。 三、填空：在图T10.3所示电路中,调整管为( T 1 )，采样电路由(R 1、R 2、R 3)

组成， 基准电压电路由( R 、D Z )组成，比较放大电路由( T 2、R c )组成，保护电路由( R 0、 T 3 )组成；输出电压最小值的表达式为( 123 23 ()Z BE R R R U U R +++ )，最大值的表达式 ( 123 223 ()Z BE R R R U U R R ++++ )。 图T10.3 图T10.4 四、在图T10.4所示稳压电路中，已知稳压管的稳定电U Z 为6V ，最小稳定电流I Zmin 为5mA ，最大稳定电流I Zmax 为40mA ；输入电压U i 为15V ，波动范围为±10%；限流电阻R 为200Ω。(1)电路是否能空载？为什么？(2)作为稳压电路的指标，负载电流I L 的范围为多少？ 解：(1)由于空载时稳压管流过的最大电流： 所以电路不能空载。 (2)根据 Im min max in Z DZ L U U I I R -=-，负载电流的最大值 根据 Im max min ax Z DZ L U U I I R -=-，负载电流的最小值 所以，负载电流的范围为12 .5 ~32 .5mA 。 五、在 所示电路中，已知输出电压的最大值U omax 为25V , R l =240Ω；Wll7的输出端和调整端间的电压U R =1.25V ，允许加在输入端和输出端的电压3 ~40V 。试求解：(1)输出电压的最小值U omin ； (2) R 2的取值； (3)若U I 的波动范围为±10 % ,为保证输出电压的最大值U omax 为25V , U I 至少应取多少伏？为保证Wll7 安全工作， U I 的最大值为多少伏？ 解：(1)输出电压的最小值U omin = 1.25V

第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

·6· 第2章 半导体三极管及其基本放大电路 一、填空题 2．1 BJT 用来放大时，应使发射结处于 偏置，集电结处于 偏置；而工作在饱和区时，发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。 2．2 温度升高时，BJT 的电流放大系数β ，反向饱和电流CBO I ，发射结电压BE U 。 2．3用两个放大电路A 和B 分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时， O B O A U U =；都接人负载L R 电阻时，测得O B O A U U ?，由此说明，电路A 的输出电阻比电 路B 的输出电阻 。 2．4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用 组态；若希望带负载能力强，应选用 组态；若希望从信号源索取电流小，应选用 组态；若希望高频性能好，应选用 组态。 2．5 FET 是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的，所以它是一个 器件。 2．6 FET 工作在可变电阻区时，D i 与D S u 基本上是 关系，所以在这个区域中，FET 的d 、s 极间可以看成一个由GS u 控制的 。 2．7 FET 的自偏压电路只适用于 构成的放大电路；分压式自偏压电路中的栅 极电阻S R 一般阻值很大，这是为了 。 二、选择正确答案填写(只需选填英文字母) 2．8 BJT 能起放大作用的内部条件通常是：(1)发射区掺杂浓度 (a 1．高，b 1．低，c 1．一般)；(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a 2．高，b 2．低，c 2．相同)，基区宽度 (a 3．高，b 3．窄，c 3．一般)；集电结面积比发射结面积 (a 4．大，b 4．小，c 4．相等)。 2．9 测得BJT I B =30μA 时，I C =2.4 mA ；I B =40μA 时，I C =3 mA ，则该管的交流电流放大系数β为 (a ．80，b ．60，c ．75)。 2．10用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个BJT 的类型(指NPN 型还是PNP 型)与三个电极时，以测出 最为方便(a ．各极间电阻，b ．各极对地电位，c ．各极电流)。 2．11 既能放大电压，也能放大电流的是 组态放大电路；可以放大电压，但不 能放大电流的是 组态放大电路；只能放大电流，但不能放大电压的是 组态放大电路(a ．共射， b ．共集，c ．共基)。 2．12 某FET 的I DSS 为6 mA ，而I DQ 自漏极流出，大小为8 mA ，则该管是 (a ．P 沟道JFET ， b ．N 沟道JFET ，c ．P 沟道耗尽型IGFET ，d ．N 沟道耗尽型IGFET ，e ．P 沟道增强型IGFET ，f ．N 沟道增强型IGFET)。 2．13 P 沟道增强型IGFET 的开启电压)(th GS U 为 (a 1．正值，b 1．负值，c 1．零