2pmn-pt铌镁酸铅晶体

PMN-PT材料的性质及应用

光学王磊 13S011062

一、PMN-PT晶体的性质

自1970年后,透明铁电陶瓷引起了人们的广泛重视，随后人们发现这种材料在当代许多新技术如计算技术、显示技术、激光技术、全息存贮、微声技术以及光电子学诸领域中都有广阔的应用前景。目前铌酸锂晶体作为一种非线性光学晶体材料,在光通信领域得到广泛应用"除了不能作光源探测器以外,铌酸锂晶体适合制作各种光的控制耦合和传输器件,如光隔离、放大、波导、调制等器件，但是由于生长技术长期得不到突破,人们一直在努力寻找性能更好、价格更便宜的新材料替代铌酸锂晶体。于是,PLZT、PMN-PT的研究受到重视，很长一段时间以来,对PLZT和PMN-PT两系列陶瓷材料的研究主要集中在压电陶瓷的研究上,对透明光电陶瓷的研究也主要集中在PLZT系材料上，但是,PLZT显著的场诱导效应、偏振依赖散射损失以及高的滞后现象,使得该类透明光电陶瓷的应用受到了限制。但是透明光电陶瓷材料PMN-PT却在较大程度上克服了上述困难,引起了人们的重视。

铌镁酸铅(PMN-PT)单晶材料作为一种新型的压电材料,具有高压电常数、大机电耦合系数、高介电常数、低损耗的特性，尤其压电性能比普通的压电材料要提高10倍左右，使得它可以在比传统的PZT压电陶瓷有更广泛的应用领域，如在声纳、叠层式驱动、超声成像、光学等方面已被广泛认识和应用。但

一直以来因其产量的困难和成

本偏高，而阻碍了被大量选

用，“联能科技”

（SINOCERA）公司经过多年

的开发及研究，现已做到了对2

英寸 PMN-PT材料的批量化生

产，并能按客户的要求选择设

计成片状、块状、环型、桶型等类型。如右图所示。

PMN-PT属于准二元固溶体系统，各种性能都与组份有密切的关系．该系统在PMN：PT=65：35附近存在着准同型相界，根据实验结果表明，在相界附近PT含量较低的一侧，系统的压电常数和耦合系数最高。如图所示，图1中所用样品的切割方向为(001)，测得所取的最大值。

压电晶体均为各向异性晶体，对于

PMN-PT及PZN—PT等弛豫型铁电单晶，当

体系处于三方相时，自发极化沿【111】方

向。然而Normura等发现，PZN样品[001]片

比[111]片的d33和k33要大。Shrout也得到类似

结果，我们对三种取向分别为[001]、[111]

和[110]的PMN—PT样品的d33和k t进行了测

量，三种取向的样品取自同一块晶体，组份

为x=30mol％，由结果可知，PMN-PT与PZN-PT的这一行为基本一致。

二、 PMN-PT光电透明陶瓷的应用

PMN-PT光电透明陶瓷属于钙钛矿型多晶结构,可以用ABO3表示: (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O32xPbTiO3(PMN-PT)"其中A位为Pb元素,B位为Mg、Nb 和Ti元素。PLZT、PMN-PT同属于一类弛豫材料,具有各向同性的最小能量稳定结构和易被扭曲的电场，在外电场作用下,所有的畴都倾向于外电场排列,即发生极化,光就会产生双折射,从而表现出很强的电光效应。透明光电陶瓷除了具有透光性以外,还具有大的光电系数和优异的表观电光克耳效应以及光学双折射等特性,利用这些性能可开发出以下光电子器件。

2.1 光纤传感解调用法布里-泊罗谐振腔

用PMN-PT系列透明光电陶瓷的双折射效应、大的光电系数、高的灵敏度,通过在透明光电陶瓷上施加电场从而改变其折射率,达到折射率调谐的目的,避免

了法布里-泊罗谐振腔在腔长调谐和角调谐过程中存在的相对位置的机械运动,消除了由此引起的对扫描频率提高的限制,并且调节容易"

2.2 光开关

透明光电陶瓷材料制成的光开关在尺寸和灵活性方面有较大优势[28,29]"典型的光开关是用KDP和LiNbO3材料制成的,由于这些材料的调制效率较低,一般需要很高的驱动电压(>1000V)"而PMN2PT材料具有很高的电光系数,只需较低的驱动电压"利用PMN2PT透明光电陶瓷开发的光开关的最低驱动电压为

48V,开关重复速率达到200kHz"

2.3 可变光衰减器

高电光效应的PMN-PT材料使得制造非波导腔自由空间形式的器件成为可能，器件的结构与广泛应用的网络组件光隔离器相类似，光线经过输入瞄准仪进入,穿过PMN2PT元素,然后经输出瞄准仪输出"通过改变外加至光电陶瓷材料上的电场可以进行衰减控制"其中光线是沿垂直PMN2PT材料表面方向入射的,其优势是插入损耗小!偏振相关性低"

2.4 偏振控制器

偏振控制器是由2块动态延迟波片相互成45b构成,由于2波片成45b,不可能存在偏振态同时与2个波片的快轴或慢轴成1条直线的输入光"因此,2块动态延迟波片足以改变任意输入偏振态成为任意需要的输出偏振态"由于透明光电陶瓷的折射率可以随着外加电场的改变而改变,高电光效应意味着达到180b相位延迟的外加电场比较小,减少了电场感应引起的散射,活化损耗也可忽略不计,因此可以作为制作偏振控制器的理想材料"

2.5 可调增益倾斜滤波器和动态增益平坦滤波器

可调增益倾斜滤波器(VGTF)和动态增益平坦滤波器(DGFF)一般由1对瞄准仪、1个幅度调节器和1个相位调节器构成"其中幅度和相位调节器可以由透明光电陶瓷材料以及相应的无源光组件制成，近年来国内外在PMN2PT透明光电陶瓷材料的制备方面已取得了一定的进展,并已经成功制备出一系列的器

件,PMNPT作为一种性能优异的光电材料,继PLZT之后再次受到人们的广泛重视。例如美国在近几年有关于PMN-PT、掺镧PMN-PT以及基于PMN-PT材料的光电器件的多项技术专利,另外一些国家也开发了一些新型的粉末制备和陶瓷烧结的新技术我国一些高校也成功开发了以钙钛矿相为主的PMN-PT材料，并开发了诸如可变光衰减器等一系列器件，但是,由于起步较晚以及材料无铅化的困难,对PMN-PT的研究还远没有达到实际使用要求,对陶瓷透明的机理以及制备过程中条件的精确控制还不是很清楚，今后的研究重点将集中在陶瓷的透明机理制备新方法开发、制备条件优化以及新器件研究上,并为研究新型高性能的无铅化环保型透明光电陶瓷打下基础。

压电陶瓷原材料的处理和选择

压电陶瓷原材料的处理和选择 压电陶瓷主要工艺介绍 原材料的本质将对压电陶瓷的最终性能产生决定性的影响。压电陶瓷与传统的陶瓷最大的区别是它对原料的纯度，细度，颗粒尺寸和分布，反应活性，晶型，可利用性以及成本都必须加以全面考虑和控制。 原材料在很大程度上，可决定压电陶瓷元件性能参数的高低，对工艺的顺利进行有重要影响因此，对所用元材料的性能必须有所了解，选择原材料必须符合经济合理的原则。 压电陶瓷所用的各种原料，一般都是各种金属氧化物，有时也采用各种钛酸盐，锆酸盐，锡酸盐，铁酸盐和碳酸盐等。目前压电陶瓷生产上所用的各种原材料，具有很强的地方性，原材料的质量往往随产地和批号的不同而有很大的区别和差异。严重影响了生产质量的稳定性。因此掌握原材料质量对产品性能的影响，进而在生产中预以有效的控制，对确保产品的质量有很大的现实意义。 总的来说，压电陶瓷材料所用的原材料可以分为化工原料和矿物原料二大类。凡是经由化工厂加工处理而提供的原料称为化工原料如BaCO3. SrCO3. CaCO3. MgCO3. Pb3O4. TiO2. ZrO2. Nb2O5. La2O3等，而直接由矿山开采，只经过适当加工的原料就称为矿物原料。常用的矿物原料有粘土，长石，石英，滑石，菱镁矿，大理石，白云石等。 一般的日用瓷，普通的电工瓷和部分的无线电陶瓷如{滑石瓷等}几乎都是用矿物原料配成的，而压电和强介电容器等无线电陶瓷则几乎完全是由化工原料配制而成的。 原料的纯度，细度，{或称粒度}和活性是衡量原料质量的三个重要指标。不论制造钛酸钡，钛酸铅，还是制造二元系锆钛酸铅以及三元系铌镁酸铅等压电陶瓷元件，二氧化钛，二氧化锆，氧化铅或四氧化三铅等，都是主要原材料，一般都在10~60%范围内。 一. 原料的纯度 纯度就是原料的纯净程度，相对来说也是指原料的含杂程度。纯度越高的原料所含的杂质种类和数量越少。化工原料按纯度可分为工业纯和试剂纯二大类。而试剂纯的原料按纯度高低又可分为四级，各种化工原料的主要特点如表1所示。工业纯的原料生产量大，供应稳定，同批产品的一致性和活性都较好，价格也较便宜。因此在能够保证产品产量的前提下应该尽可能选用工业纯原料，以降低成本；但工业纯原料的纯度较低；不同批号原料的纯度波动较大。试剂纯原料的纯度虽较高但在价格方面却要比工业纯原料贵几倍，至几十倍，纯度高的原材料，固然含杂质少，但烧结温度较高，最佳烧结温度也较窄，给烧结带来一定的困难。工业纯原料的纯原料的纯度不高，但是对陶瓷产品性能危害的杂质只有一，二种，因此如果在化工厂采取特殊措施除去这些杂质，又添加某些能改善性能的微量添加剂，而不进行全面的提纯，则不仅原料的成本将进一步大幅度降低，也能更符合陶瓷生产的要求。纯度较低的一些元材料，有的杂质还可以在烧结过程中起到矿化剂或助溶剂的作用，反而使烧结温度较低，最佳温度范围较宽，在一定程度上起到有利作用。这种特定的工业纯原料有时也称为“陶瓷纯”或“电容器纯”。 原材料中含有各种各样的杂质，对压电陶瓷元件的不同型号，配方的作用和影响也各不相同。所以应区别对待，对具体情况需具体分析。对产品性能和工艺过程最敏感的原料应选择较高的纯度；与原料的化学性质相近，能形成置换式固溶体的杂质的最高含量可以略高；对那些能使晶格发生严重畸变的杂质，或者能在晶体中产生自由电子和空穴的“施主杂质”和“受主杂质”以及变价过渡元素{SiO2}的最高含量必须严格控制，有时这类杂质即使只有0.1wt%就会使物理性能严重恶化而完全失去使用阶值。如K+，Na+,等卤族元素将使铁电，压电陶瓷材料的绝缘电阻显著降低，使极化时容易击穿，损耗增大，介电常数和机电耦合系数Kp下降，其总含量控制在0.01%以下。一般来说，在制作PZT压电陶瓷元件中，二氧化钛，二氧化锆和四氧化三铅可采用工业级材料，它们的纯度均能达到98%以上。实际生产中原材料的主成分含量都是采用化学分析方法测定，杂质含量则常在已有经验基础上采用半定量的光谱分析，必要时也可进行x射线衍射分析和电子探针微区分析。 对不同原材料所含不同杂质的允许量是不同的。这主要根据下述三个因素来决定： 1 杂质的类型可分为有害与有利两种。一类是有害杂质，特别是异价离子，如硼B，碳C，磷P，硫S，AL等。由于它们对制品的绝缘，介电性能产生极大影响，有时既使配料中含量在0.1%以下，影响也很大。因此，要求象这类有害杂质的量越少越好。另一类是有利杂质，对与铅离子Pb2+同属二价或与钛离子Ti4+，锆离子Zr4+同属四价，而离子半径相近，能形成置换固溶体的杂质，如钙Ca2+,锶Sr2+,钡Ba2+,镁Mg2+,锡Sn2+,鉿Hf4+等离子。这类杂质离子在配料中可以允许含量稍高一些，一般在0.2~0.5%范围内，对制品性能没有坏的影响，对工艺反而有利。接

PMMN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究

第2期电子元件与材料 Vol.23 No.2 2004年2月ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS Feb. 2004 PMMN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究 杨为中1孙清池2张云1 1. 四川大学材料科学与工程学院 2. 天津大学材料学院无机非金属材料系 摘要：　研究了铌镁酸铅—铌锰酸铅—锆钛酸铅(PMMN-PZT)四元系统压电陶瓷材料的配方 在相界附近研究了四种不同配方的PMMN-PZT压电陶瓷性能测试 确定了较佳的配方组成研究表明 适宜的烧结温度为1200极化电场为3000 V/mm 33 T/介质损耗tg 压电常数d 33为290×10?12C/N机电耦合系数k P 为0.55 关键词：　铌镁酸铅压电陶瓷 ２００４ ；　ｐｏｌａｒｉｚｉｎｇ ｆｉｅｌｄ　３　０００　Ｖ／ｍｍ；　ｐｏｌａｒｉｚｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　１５０ 33T/0.004; d 33 290×10-12 C/N, g 33 28.0×10-3 Vm/N, k p 0.55, Q m 1200. Key words: PMMN; PZT; piezoelectric ceramics; electric properties 1965年 Pb(Zr1-x Ti x)O3的基础上添加具有复合 钙钛矿型结构的第三组分铌镁酸 铅 ,研制成了PbTiO3-PbZrO3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O 3三元系压电陶瓷[1] ?úPCM相图中 由于在相界附近的组成 因此以获得诸性能都能满足使用性能要求的压电材料可以通过在PCM中添加微量MnO2CoO Cr2O3等改善PCM的烧结性弹性性能及机械品质因数等以各种不同复合钙钛矿型化合物为第三组分及第四组分的三元系 使压电陶瓷的研究前景更为广阔随组分及制作工艺不同 笔者在相界附近研究一定配比的PMMN-PZT四元系压电陶瓷的组成 以得到一种较佳的压电陶瓷材料 分析纯Pb3O4Nb2O5 ZrO2CeO2 7%的聚乙烯醇溶液 银浆 2003-08-28 修回日期 杨为中四川乐山人硕士功能陶瓷材料Tel: (028)85410272电子陶瓷 万方数据

弛豫铁电单晶铌镁酸铅_钛酸铅研究前沿

0引言 压电、铁电单晶与陶瓷是一类重要的、国际竞争极为激烈的多功能材料。利用其力、热、电、光、声 和化学等方面的特殊性能，可对各类信息进行检测、转换、处理和存储，在工业、民用和国防军事等领域应用非常普遍，如医学超声波换能器、水声换能器阵列、声表面波电子器件和电光调制器等。近年来，对弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅[（1-x ）Pb （Mg 1/3Nb 2/3）O 3-xPbTiO 3（PMN-xPT ）]（其中x 指晶体中PbTiO 3的含量）的基础理论与应用研究吸引了诸多科学工作者的密切关注[1-5]。主要原因在于其机电性能十分优异，例如沿晶体本征[001]方向极化的PMN-33%PT 单晶，其压电系数d33可达2820pC/N ，超过传统PZT 陶瓷四倍有余；电机耦合系数k 33能达到0.94，也远远优于传统铁电晶体或陶瓷材料。 在单晶生长方面，我国中科院上海硅酸盐研究所[2-4]、西安交通大学[5]等相关研究单位都可以批量 生产高质量的PMN-xPT 铁电单晶，且生长方法比较成熟，重复性和稳定性较好，某些方面甚至达到或超越了国际先进水平。长成晶体的尺寸、数量与质量已经接近实际应用场合对该系列单晶材料的要求，这为单晶的器件应用以及产品的商业化奠定了基础。因此，PMN-xPT 单晶极有希望成为下一代宽带、高灵敏度、高分辨率医学超声波换能器，大位移微驱动器及其它机电功能器件的核心材料。本文拟从准同型相界、全矩阵宏观机电系数、损耗和光学、声学性能等方面对PMN-xPT 铁电单晶进行介绍。1PMN-xPT 单晶的准同型相界 室温下，弛豫铁电单晶PMN-xPT 随组分x 的变化会发生组分诱导铁电相变，并存在一个三方相 （自发极化方向为[111]）和四方相（自发极化方向为[001]）共存的准同型相界，且单晶在相界附近的压电性能最好。准同型相界（morphotropic phase boundary ，MPB ），最早由Jaffe 等人[6]在上世纪70年代研究PZT 压电陶瓷时提出，他发现PZT 材料在Zr/Ti 比为53/47时存在一个准同型相界，相界处三方相和四方相共存。1989年，Choi 等人[7]通过研究不同组分（x=0.275-0.4）PMN-xPT 陶瓷的介电和热释电性质，确定了的相界在x=0.33附近。年，Guo 等人[8]研究了不同组分PMN-xPT 在[001]弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅研究前沿 张锐，孙恩伟，李秀明，王竹，项阳 （哈尔滨工业大学物理系，黑龙江哈尔滨150080） 摘要：弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅[(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-xPT)]具有非常优异的机电性能，吸引了诸多科研领域的学者，从基础理论与实际应用等方面开展了研究工作。该文从PMN-xPT 单晶的准同型相界、全矩阵宏观机电系数、光学与声学性能等方面，系统评述了此体系铁电材料相较于传统铁电材料的特色，介绍了PMN-xPT 单晶在国内外相关研究领域的研究进展及发展方向。理论计算与实验结果表明，PMN-xPT 单晶有望极大地提高医学超声波换能器、水声换能器、声表面波机电器件等的频带宽度、灵敏度及图像分辨率等性能。 关键词：弛豫铁电单晶；PMN-xPT ；机电系数；电光系数；声导波 作者简介：张锐（1973-），男，陕西西安人，哈尔滨工业大学物理系教授，博士生导师，从事弛豫型铁电PMN-PT 和PZN-PT 单晶测试理论与技术方法研究。 中图分类号：TM221.051文献标识码：A 文章编号：1006-2165(2009)06-0086-04收稿日期：2009-06-13 □物理学 第29卷第6期2009年11月大庆师范学院学报JOURNAL OF DAQING NORMAL UNIVERSITY Vol.29No.6 November ，2009

压电材料

压电材料 1低温烧结大功率压电陶瓷变压器材料及其制造方法 本发明涉及一种压电陶瓷变压器材料及其制造方法。在铌镁酸铅(Pd(Mg1/3Nb2/3)O3)，铌锰酸铅(Pd(Mn1/3Nb2/3)O3)，钛酸铅(PbTiO3)和锆酸铅(PbZrO3)(PMMN)四元系压电陶瓷中掺入低熔点氧化物SiO2(氧化硅)、Bi2O3(氧化铋)及CdO(氧化镉)。本发明的优点在于：材料性能更完善、环境污染小、耗能及成本低，可在低温下制备。 2压电陶瓷/聚合物复合材料的新制备方法 一种压电陶瓷/聚合物复合材料的新制备方法，以解决压电陶瓷/聚合物复合材料界面结合差的问题。该方法首先在聚合物溶液中加入醋酸盐搅拌混合，混合均匀后升温至60℃～120℃加入乙酰丙酮或冰醋酸，搅拌均匀后滴加一定量的钛酸酯，反应得到含有聚合物的纳米陶瓷溶胶。然后直接于120℃～170℃下蒸馏或倒入不溶于所用聚合物的溶剂中进行沉降，完全干燥后将混合物研成细粉即得压电陶瓷/聚合物原位复合母粒。再将该母粒与普通压电陶瓷粉加入混合设备混合均匀，按照聚合物成型的方法压制成型，制得压电陶瓷/聚合物复合材料。 3 层状水泥基压电智能复合材料及其制备方法 本发明是一种适用于土木工程的智能复合材料，由片层水泥基材料和片状压电陶瓷材料相间组成，信号线将压电陶瓷片以并联方式联结，相邻的两压电陶瓷片层的极化方向相反。本发明的复合材料制备方便，成本低廉。其结构相容性好，响应速度快，抗干扰能力强，并具有感知功能和驱动功能复用的特点。 4 低压电器用铜基无银触头材料 本发明提出一种低压电器用铜基无银触头材料，其成分中主要含有金刚石和镧。成分配比（重量百分比）为金刚石：０．０１～８％，镉：０．０１～３．５％，镧：０．００１～２．５％，铜：余量。采用本发明的铜基无银触头材料可在各类低压电工触头上代替银基复合材料，会收到显著的节省贵金属银及降低成本的效果。 5钛酸铋钠钾系超声用的压电陶瓷材料 一类不含铅的超声用压电陶瓷材料，其组成为xNa0.5Bi0.5TiO3-(1-x)K0.5Bi0.5TiO3，其中x＝0.80～0.99，同时加入少量改性添加物。它们或者分别添加0.1～3％(重量)MnO2、Fe2O3、Pb(BO2)2·H2O 或同时添加上述化合物中的任意两种。最佳组分是x＝0.85～0.93，同时加入少量改性添加物。该类材料具有高的Kt、Nt和大的Kt/KP值，较低的KP和ε33T。特别适合用作超声换能器材料。 6 改性铌酸铅钡钠压电陶瓷材料 本发明是属于钨青铜型改性铌酸铅钡钠压电陶瓷材料。该材料化学式为(Ra1-xPbx)4+■+■(Na1-yLiy)2-■Nb10-■M■O3■其中M为四价金属元素，如Zr、Ti等取代部分Nb元素，X＝0.5～0.9，Y ＝0.03～0.5，Q＝0～1.5，i＝0.1～2，优先推荐成分含PbO26～36％(重量)，Na2O、Li2O1～3％(重量)。该材料特点是制造工艺简单，重复性好，具有较高的矫顽场，强和高的抗交流去极化能力，其位移随电压的变化线性好，基本回零，适用于高精度压电微电位器。

压电陶瓷材料

压电陶瓷材料

湖南工学院 学院：材料与化学工程专业：无机非金属材料工程 学号：09701540130 姓名：姜庭燕 时间：2012年5月16日

压电陶瓷材料 —PZT陶瓷 一、压电陶瓷材料简介 压电陶瓷，一种能够将机械能和电能互相转换的功能陶瓷材料，属于无机非金属材料。这是一种具有压电效应的材料。它在工业生产和日常生活中得到了广泛的应用。由压电陶瓷构成的超高精度、低能耗、控制简便的驱动器,在精密工程中起到了非常重要的作用。 1、压电陶瓷材料的基本原理 压电效应的原理是，如果对压电材料施加压力，它便会产生电位差（称之为正压电效应），反之施加电压，则产生机械应力（称为逆压电效应）。如果压力是一种高频震动，则产生的就是高频电流。而高频电信号加在压电陶瓷上时，则产生高频声信号（机械震动），这就是我们平常所说的超声波信号。也就是说，压电陶瓷具有机械能与电能之间的转换和逆转换的功能，这种相互对应的关系确实非常有意思。 压电材料可以因机械变形产生电场，也可以因电场作用产生机械变形，这种固有的机-电耦合效应使得压电材料在工程中得到了广泛的应用。例如，压电材料已被用来制作智能结构，此类结构除具有自承载能力外，还具有自诊断性、自适应性和自修复性等功能，在未来的飞行器设计中占有重要的地位。 二、PZT压电陶瓷的发展 压电陶瓷是一种能够将机械能和电能互相转换的信息功能陶瓷材料。当在某些各向异性的晶体材料上施加机械应力时，在晶体的某些表面上会有电荷出现。这一效应称为正压电效应，晶体的这一性质，称为压电性。1880年，居里兄弟最早发现电气石具有压电效应，1881年，居里兄弟实验发现，在晶体上施加电压时，则晶体会产生几何形变。这一效应被称为逆压电效应，并给出石英相同的正逆压电常数。1894年沃伊特(Voigt)指出，仅无对称中心的20种点群的晶体才可能具有压电效应。石英是压电晶体的代表，它一直被广泛应用至今。利用石英的压电效应可制成振荡器和滤波器等频控元件。在第一次世界大战中，居罩的继承人朗之万，为了探测德国的潜水艇，用石英制成了水下超声探测器，从而揭开了压电效应应用史的光辉篇章。 自发现压电性能以来，压电学己成为晶体物理学的一个重要分支。直到1944年，人们对“压电陶瓷”这个术语仍不理解。大约在1940年以前，只知道有两类铁电体，一类是罗息盐与某些关系密切的酒石酸盐；一类是磷酸二氢钾和它的同晶型物。前者是一种在高温下具有压电性的晶体，在技术上具有使用价值，但是